JP5610098B2 - 通信端末装置 - Google Patents
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Description
本発明は、アンテナコイルから高周波信号を放射可能な通信端末装置に関する。
従来から、無線通信による認証技術（ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ））は、物流管理やクレジット決済等に広く用いられている。ＲＦＩＤシステムでは、ＲＦＩＤタグや非接触ＩＣカードとリーダライタとの間で無線通信が行われる。この無線通信により、ＲＦＩＤタグ等とリーダライタとは、内部に記憶したデータを交換することができる。
また、近距離無線通信規格の一つとして、１３ＭＨｚ帯の周波数を用いたＮＦＣ（Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）がある。ＮＦＣは、携帯電話等の通信端末装置への搭載が期待されている。ＮＦＣの普及が進めば、例えば、ユーザが通信端末装置を店舗に備え付けのリーダライタに近接させるだけで、両機器間で無線通信が行われ、データ転送やデータ交換が簡単に行えるようになる。そのため、ＮＦＣは、非接触クレジット決済等、様々な用途への展開が現在検討されている。
従来、上記無線通信を行う機器の一例として、特許文献１に記載の非接触タグがある。この非接触タグは、受信データの記録、及び記録されたデータの送信が可能であり、データの送受信を行うアンテナ部と、データを処理するＩＣチップと、これらアンテナ部とＩＣチップとのインピーダンスを整合させるインピーダンス整合回路とを備えている。
また、不要な高調波のアンテナ部からの放射を抑制するために、ＩＣチップ及びアンテナ部の間に、インダクタ素子を含む低域通過フィルタ（以下、ＬＰＦと称する）が設けられる場合がある。
しかしながら、アンテナ部及びＬＰＦのインダクタ素子を一体化して一つのモジュールにしようとすると、これらの配置関係によっては磁界結合が生じてしまい、アンテナ部から不要な高調波が放射されてしまうという問題点があった。
それゆえに、本発明の目的は、不要な高調波の放射を抑制可能な通信端末装置を提供することである。
本発明の一局面は、第１端子および第２端子を備え、所定の信号処理を行うＩＣチップと、一端が前記第１端子に、他端が前記第２端子にそれぞれ接続されたアンテナ回路と、前記ＩＣチップの前記第１端子と前記アンテナ回路の前記一端との間に接続された第１インダクタ素子、および、前記ＩＣチップの前記第２端子と前記アンテナ回路の前記他端との間に接続された第２インダクタ素子を含むフィルタ回路と、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子と前記アンテナコイルとの間に設けられるシールド導体と、を備えている。前記アンテナ回路は、アンテナコイルを含み、前記アンテナコイル、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は、少なくとも一つの磁性体層を有する磁性体ブロックと、該磁性体ブロックに積層された少なくとも一つの非磁性体層と、を含む積層体に一体的に形成され、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は前記磁性体ブロックに、前記アンテナコイルは前記非磁性体層にそれぞれ設けられ、前記積層体において、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子と前記アンテナコイルとの間には、前記磁性体層と前記非磁性体層とが介在している。
本発明の他の局面は、第１端子および第２端子を備え、所定の信号処理を行うＩＣチップと、一端が前記第１端子に、他端が前記第２端子にそれぞれ接続されたアンテナ回路と、前記ＩＣチップの前記第１端子と前記アンテナ回路の前記一端との間に接続された第１インダクタ素子、および、前記ＩＣチップの前記第２端子と前記アンテナ回路の前記他端との間に接続された第２インダクタ素子を含むフィルタ回路と、を備え、前記アンテナ回路は、アンテナコイルを含み、前記アンテナコイル、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は、少なくとも一つの磁性体層を有する磁性体ブロックと、該磁性体ブロックに積層された少なくとも一つの非磁性体層と、を含む積層体に一体的に形成され、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は前記磁性体ブロックに、前記アンテナコイルは前記非磁性体層にそれぞれ設けられ、前記積層体において、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子と前記アンテナコイルとの間には、前記磁性体層と前記非磁性体層とが介在し、前記ＩＣチップは前記積層体のうち前記非磁性体層の上に搭載されている。
また、本発明のさらに他の局面は、第１端子および第２端子を備え、所定の信号処理を行うＩＣチップと、一端が前記第１端子に、他端が前記第２端子にそれぞれ接続されたアンテナ回路と、前記ＩＣチップの前記第１端子と前記アンテナ回路の前記一端との間に接続された第１インダクタ素子、および、前記ＩＣチップの前記第２端子と前記アンテナ回路の前記他端との間に接続された第２インダクタ素子を含むフィルタ回路と、を備え、前記アンテナ回路は、アンテナコイルを含み、前記アンテナコイル、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は、少なくとも一つの磁性体層を有する磁性体ブロックと、該磁性体ブロックに積層された少なくとも一つの非磁性体層と、を含む積層体に一体的に形成され、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は前記磁性体ブロックに、前記アンテナコイルは前記非磁性体層にそれぞれ設けられ、前記積層体において、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子と前記アンテナコイルとの間には、前記磁性体層と前記非磁性体層とが介在し、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は、互いに近接配置され、前記複数の磁性体層にそれぞれ形成された複数の第１コイルパターンで構成されており、前記複数の第１コイルパターンのそれぞれは、それぞれを通る磁束が閉磁路を形成するように前記複数の磁性体層に巻回、配置されている。
また、本発明のさらに他の局面は、第１端子および第２端子を備え、所定の信号処理を行うＩＣチップと、一端が前記第１端子に、他端が前記第２端子にそれぞれ接続されたアンテナ回路と、前記ＩＣチップの前記第１端子と前記アンテナ回路の前記一端との間に接続された第１インダクタ素子、および、前記ＩＣチップの前記第２端子と前記アンテナ回路の前記他端との間に接続された第２インダクタ素子を含むフィルタ回路と、を備え、前記アンテナ回路は、アンテナコイルを含み、前記アンテナコイル、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は、少なくとも一つの磁性体層を有する磁性体ブロックと、該磁性体ブロックに積層された少なくとも一つの非磁性体層と、を含む積層体に一体的に形成され、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は前記磁性体ブロックに、前記アンテナコイルは前記非磁性体層にそれぞれ設けられ、前記積層体において、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子と前記アンテナコイルとの間には、前記磁性体層と前記非磁性体層とが介在し、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は、互いに近接配置され、前記複数の磁性体層にそれぞれ形成された複数の第１コイルパターンで構成されており、前記複数の第１コイルパターンのそれぞれは、それぞれを通る磁束が閉磁路を形成するように前記複数の磁性体層に巻回、配置されている。
上記形態により、不要な高調波の放射を抑制可能な無線通信モジュール及び、それを用いた通信端末装置を提供することが可能となる。
（実施形態）
以下、図１〜図３を参照して、実施形態に係る無線通信モジュールの一例であるリーダライタモジュールについて詳細に説明する。
以下、図１〜図３を参照して、実施形態に係る無線通信モジュールの一例であるリーダライタモジュールについて詳細に説明する。
（リーダライタモジュールの回路構成）
まず、図１を参照して、無線通信モジュールの一例としてのリーダライタモジュール１の回路構成について説明する。図１において、リーダライタモジュール１（以下、「ＲＷモジュール１」という）は、例えばＮＦＣのような無線通信規格に準拠しており、例えばＲＦＩＤタグや非接触ＩＣカードが近接すると、これらＲＦＩＤタグとの間で無線通信を行う。そのために、ＲＷモジュール１は、ＲＷ−ＩＣチップ１１と、低域通過フィルタ（以下、ＬＰＦという）１２と、第１及び第２コンデンサ素子１３，１４と、アンテナ回路１５と、を備えている。
まず、図１を参照して、無線通信モジュールの一例としてのリーダライタモジュール１の回路構成について説明する。図１において、リーダライタモジュール１（以下、「ＲＷモジュール１」という）は、例えばＮＦＣのような無線通信規格に準拠しており、例えばＲＦＩＤタグや非接触ＩＣカードが近接すると、これらＲＦＩＤタグとの間で無線通信を行う。そのために、ＲＷモジュール１は、ＲＷ−ＩＣチップ１１と、低域通過フィルタ（以下、ＬＰＦという）１２と、第１及び第２コンデンサ素子１３，１４と、アンテナ回路１５と、を備えている。
ＲＷ−ＩＣチップ１１は、バランス型出力端子Ｔｘ１，Ｔｘ２を有する。ＲＷ−ＩＣチップ１１では、本ＲＷモジュール１の通信相手に送信すべきベースバンド信号が、所定のデジタル変調方式に従って、所定の高周波帯（例えば１３ＭＨｚ帯）の送信信号（正相信号）に変換される。さらに、ＲＷ−ＩＣチップ１１においては、正相信号に対し位相が１８０°回転した逆相信号も生成される。正相信号と逆相信号とは差動信号を構成する。差動信号はＲＷ−ＩＣチップ１１からＬＰＦ１２に出力される。具体的には、正相信号は一方の出力端子Ｔｘ１から出力され、ＬＰＦ１２に含まれる第１インダクタ素子１６に与えられ、逆相信号は他方の出力端子Ｔｘ２から出力され、ＬＰＦ１２に含まれる第２インダクタ素子１７に与えられる。
なお、ＲＷ−ＩＣチップ１１は、アンテナ回路１５のアンテナコイルに所定の高周波信号を送信する、あるいはアンテナ回路１５を介して受信した高周波信号を処理するための給電回路として機能し、上記デジタル変調方式に従って、アンテナ回路１５の受信信号をベースバンド信号に変換することもできる。
ＬＰＦ１２は、ＲＷ−ＩＣチップ１１の出力差動信号から、予め定められた周波数以下の低域成分のみを通過させて、アンテナ回路１５に出力する。これにより、不要な高調波成分を取り除き、高調波成分がアンテナ回路１５から放射されることを抑制する。高調波成分を取り除くために、図１の例では、ＬＰＦ１２は、第１及び第２インダクタ素子１６，１７と、コンデンサ素子１８とを含んでいる。第１インダクタ素子１６は、ＲＷ−ＩＣチップ１１の一方の出力端子Ｔｘ１と、第１コンデンサ素子１３の一方の端子電極との間に直列に接続される。また、第２インダクタ素子１７は、他方の出力端子Ｔｘ２と、第２コンデンサ素子１４の一方の端子電極との間に直列に接続される。コンデンサ素子１８は、第１及び第２インダクタ素子１６，１７の各出力端子電極の間に電気的に接続される。
また、ＬＰＦ１２において、第１及び第２インダクタ素子１６，１７は、正相信号及び逆相信号に重畳されうるコモンモードノイズを除去するためにコモンモードチョークを構成する。そのため、第１及び第２インダクタ素子１６，１７は、互いに逆向きに、同一ターン数だけ巻回される。また、第１及び第２インダクタ素子１６，１７は、電位的な中点、つまり仮想グランドＶGND を基準として、互いに対称な位置関係となるよう形成される。なお、ＬＰＦ１２においては、コンデンサ素子１８にて電位的な中点が形成される。
第１及び第２コンデンサ素子１３，１４は、ＬＰＦ１２からの出力正相信号及び出力逆相信号に含まれる直流成分をカットして、アンテナ回路１５に出力する。
アンテナ回路１５は、同調用コンデンサ素子１９及びアンテナコイル２０を含む並列共振回路である。この並列共振回路の一方の端子電極には、第１コンデンサ素子１３の出力正相信号が入力され、他方の端子電極には、第２コンデンサ素子１４の出力逆相信号が入力される。同調用コンデンサ素子１９は、固定容量値を有するセラミック積層コンデンサや可変容量コンデンサ素子からなる。アンテナコイル２０は、例えば、固定インダクタンス値を有する積層コイル又は薄膜コイルからなる。
アンテナ回路１５の各素子値は、ＲＷモジュール１がＮＦＣに準拠する場合には、１３ＭＨｚ帯の周波数で共振するよう設計される。これにより、アンテナコイル２０からは、通信相手側に備わるアンテナコイル（図示せず）に向けて１３ＭＨｚ帯の高周波信号が放射される。その結果、アンテナコイル２０と通信相手側のアンテナコイルとが磁界結合し、通信相手により、放射された高周波信号が受信される。
（ＲＷモジュール１の構成について）
次に、図２を参照して、図１のＲＷモジュール１の詳細な構成について説明する。図２において、図１の構成に相当するものには同一の参照符号が付けられている。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、互いに実質的に直交する軸である。Ｚ軸は、特に、後述の磁性体層２２ａ〜２２ｄ及び非磁性体層２３ａ〜２３ｄが積層される方向に実質的に平行であり、説明の都合上、図２の紙面上方が積層方向の上方を示すものとする。また、Ｘ軸は、後述の磁性体層２２ａ〜２２ｄ及び非磁性体層２３ａ〜２３ｄの上面に実質的に平行であり、説明の都合上、ＲＷモジュール１の左右方向を示すものとする。
次に、図２を参照して、図１のＲＷモジュール１の詳細な構成について説明する。図２において、図１の構成に相当するものには同一の参照符号が付けられている。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、互いに実質的に直交する軸である。Ｚ軸は、特に、後述の磁性体層２２ａ〜２２ｄ及び非磁性体層２３ａ〜２３ｄが積層される方向に実質的に平行であり、説明の都合上、図２の紙面上方が積層方向の上方を示すものとする。また、Ｘ軸は、後述の磁性体層２２ａ〜２２ｄ及び非磁性体層２３ａ〜２３ｄの上面に実質的に平行であり、説明の都合上、ＲＷモジュール１の左右方向を示すものとする。
ＲＷモジュール１は、略直方体形状の積層体２１と、第１及び第２インダクタ素子１６，１７と、アンテナコイル２０と、を備えている。また、好ましい構成として、ＲＷモジュール１は、シールド導体２６をさらに備えている。
積層体２１は、磁性体ブロック２２及び非磁性体ブロック２３からなる。本実施形態では、非磁性体ブロック２３は、磁性体ブロック２２の上方に積層される。ここで、以下の説明では、積層体２１をＹ軸に対し垂直二等分する面（一点鎖線で示す）を、中心面Ｐと定義する。
磁性体ブロック２２は、より詳細には、下方から上方に積層される４つの磁性体層２２ａ〜２２ｄからなる。磁性体層２２ａ〜２２ｄは、上面視で長方形のシート状であって、相対的に高い透磁率を有する磁性体材料（例えばフェライト等）からなる。詳細は後述するが、高い透磁率の磁性体材料からなるのは、第１及び第２インダクタ素子１６，１７から生じる磁束で閉磁路を形成させるためである。
また、非磁性体ブロック２３は、下方から上方に積層される４つの非磁性体層２３ａ〜２３ｄからなる。非磁性体層２３ａは、磁性体層２２ｄの直上に積層される。非磁性体層２３ａ〜２３ｄは、上面視で磁性体層２２ａと略同一形状のシート状であって、相対的に低い透磁率の材料からなる。詳細は後述するが、低い透磁率からなるのは、アンテナコイル２０から高周波信号を放射させるためである。
このような積層体２１の上面（非磁性体層２３ｄの上面）には、まず、ＲＷ−ＩＣチップ１１が実装されている。ＲＷ−ＩＣチップ１１は、金属導体からなる出力端子Ｔｘ１，Ｔｘ２を有する。出力端子Ｔｘ１，Ｔｘ２は、ＲＷ−ＩＣチップ１１の底面に間隔をあけて設けられている。これらビアと出力端子Ｔｘ１，Ｔｘ２を用いて、ＲＷ−ＩＣチップ１１は、出力端子Ｔｘ１，Ｔｘ２が中心面Ｐに対し対称になるように実装される。
第１及び第２インダクタ素子１６，１７は、中心面Ｐを基準として互いに対称な形状を有する。第１インダクタ素子１６は、３つの第１コイルパターン２４ａ〜２４ｃで構成される。第１コイルパターン２４ａ〜２４ｃは、例えばエッチング処理等により、磁性体層２２ａ〜２２ｃの上面に形成される。また、第１コイルパターン２４ａ〜２４ｃはいずれも、金属導体からなり、Ｚ軸に実質的に略平行な巻回軸を中心とするループ導体である。
第１コイルパターン２４ａの一方端は、磁性体層２２ｂ〜２２ｄ及び非磁性体層２３ａ〜２３ｄに形成されたビアを通じて一方の出力端子Ｔｘ１と接続される。なお、もし各ビアに参照符号を付けると、図２が煩雑になってしまうので、各ビアには参照符号を付けていない。
また、第１コイルパターン２４ｂの一方端は、磁性体層２２ｂに形成されたビア（図示せず）を通じて第１コイルパターン２４ａの他方端と接続され、第１コイルパターン２４ｃの一方端は、磁性体層２２ｃに形成されたビア（図示せず）を通じて第１コイルパターン２４ｂの他方端と接続される。また、第１コイルパターン２４ｃの他方端は、磁性体層２２ｄ及び非磁性体層２３ａ〜２３ｄに形成されたビアを通じてコンデンサ素子１８の一方の端子電極と接続される。
また、第２インダクタ素子１７は、第１コイルパターン２４ａ〜２４ｃと中心面Ｐに対し対称で、金属導体からなる３つの第１コイルパターン２５ａ〜２５ｃで構成される。第１コイルパターン２５ａ〜２５ｃは、例えばエッチング処理等により、磁性体層２２ａ〜２２ｃの上面に形成される。また、第１コイルパターン２５ａ〜２５ｃはいずれも、金属導体からなり、Ｚ軸に実質的に略平行な巻回軸を中心とするループ導体である。
また、第１コイルパターン２５ａの一方端は、磁性体層２２ｂ〜２２ｄ及び非磁性体層２３ａ〜２３ｄに形成されたビアを通じて他方の出力端子Ｔｘ２と接続される。第１コイルパターン２５ｂの一方端は、磁性体層２２ｂに形成されたビア（図示せず）を通じて第１コイルパターン２５ａの他方端と接続され、第１コイルパターン２５ｃの一方端は、磁性体層２２ｃに形成されたビア（図示せず）を通じて第１コイルパターン２５ｂの他方端と接続される。また、第１コイルパターン２５ｃの他方端は、磁性体層２２ｄ及び非磁性体層２３ａ〜２３ｄに形成されたビアを通じてコンデンサ素子１８の他方の端子電極と接続される。
積層体２１の上面には、ＲＷ−ＩＣチップ１１の他にも、第１及び第２コンデンサ素子１３，１４と、コンデンサ素子１８と、同調用コンデンサ素子１９と、が実装される。第１及び第２コンデンサ素子１３，１４は、中心面Ｐに対し対称になるように積層体２１の上面に配置される。コンデンサ素子１８は、一方及び他方の電極を有し、これら一方及び他方の電極が中心面Ｐに対し対称になるように実装される。同調用コンデンサ素子１９もまた、一方及び他方の電極を有し、これら一方及び他方の電極が中心面Ｐに対し対称になるように実装される。これらコンデンサ素子１３，１４，１８，１９は、図１に示すように接続される。このようにＲＷ−ＩＣチップ１１等の電子部品を積層体２１の上面に実装すると、これら電子部品の実装スペースを他の部分に確保しなくともよくなるため、省スペースの観点から好ましい。
ここで、シールド導体２６について説明する。上記の通り、磁性体層２２ｄは、磁性体層２２ｃの直上に積層される。この磁性体層２２ｄの上面に、金属導体からなるシールド導体２６が、例えばエッチング等により形成される。シールド導体２６は、上面視で、第１及び第２インダクタ素子１６，１７を覆う程度の面積を有する。なお、上記の通り、磁性体層２２ｄには、いくつかのビアが形成されるが、シールド導体２６は、各ビア等、他の導体と導通しないように形成されるか、図示しないグランドと接続される。詳細は後述するが、シールド導体２６を設けるのは、第１及び第２インダクタ素子１６，１７と、アンテナコイル２０とが相互に磁界結合しないようにするためである。
アンテナコイル２０は、３つの第２コイルパターン２７ａ〜２７ｃで構成される。第２コイルパターン２７ａ〜２７ｃは、例えばエッチング処理等により、非磁性体層２３ａ〜２３ｃの上面に形成されている。また、第２コイルパターン２７ａ〜２７ｃはいずれも、金属導体からなり、Ｚ軸に実質的に略平行な巻回軸を中心とするループ導体であり、Ｚ軸方向からの平面視で第１及び第２インダクタ素子１６，１７と重なり合うように設けられている。
第２コイルパターン２７ａの一方端は、非磁性体層２３ｂ〜２３ｄに形成されたビアを通じて、同調用コンデンサ素子１９の一方の電極と接続される。第２コイルパターン２７ｂの一方端は、非磁性体層２３ｂに形成されたビア（図示せず）を通じて第２コイルパターン２７ａの他方端と接続される。また、第２コイルパターン２７ｃの一方端は、非磁性体層２３ｃに形成されたビア（図示せず）を通じて第２コイルパターン２７ｂの他方端と接続される。第２コイルパターン２７ｃの他方端は、非磁性体層２３ｄに形成されたビア（図示せず）を通じて同調用コンデンサ素子１９の他方の電極と接続される。
（ＲＷモジュール１の作用・効果）
次に、図３を参照して、図１及び図２のＲＷモジュール１の作用・効果について詳説する。上記の通り、第１及び第２インダクタ素子１６，１７には、正相信号及び逆相信号が入力される。また、第１及び第２インダクタ素子１６，１７の巻回方向は互いに逆向きである。したがって、第１及び第２インダクタ素子１６，１７を貫く磁束は、図３の矢印ａ，ｂで示すように互いに逆方向となる。また、第１及び第２インダクタ素子１６，１７は積層体２１内で近接し合っているため、第１又は第２インダクタ素子１６，１７で発生した磁束は、第２又は第１インダクタ素子１７，１６を貫くことになる。換言すると、第１及び第２インダクタ素子１６，１７は相互に磁界結合する。
次に、図３を参照して、図１及び図２のＲＷモジュール１の作用・効果について詳説する。上記の通り、第１及び第２インダクタ素子１６，１７には、正相信号及び逆相信号が入力される。また、第１及び第２インダクタ素子１６，１７の巻回方向は互いに逆向きである。したがって、第１及び第２インダクタ素子１６，１７を貫く磁束は、図３の矢印ａ，ｂで示すように互いに逆方向となる。また、第１及び第２インダクタ素子１６，１７は積層体２１内で近接し合っているため、第１又は第２インダクタ素子１６，１７で発生した磁束は、第２又は第１インダクタ素子１７，１６を貫くことになる。換言すると、第１及び第２インダクタ素子１６，１７は相互に磁界結合する。
また、第１及び第２インダクタ素子１６，１７は、磁性体ブロック２２内に形成されているため、それぞれで発生した磁束は、矢印ｃ１〜ｃ４に示すように、磁性体ブロック２２内で閉磁路を形成する。したがって、これら磁束は、第１及び第２インダクタ素子１６，１７と上方で近接するアンテナコイル２０を貫かないため、第１及び第２インダクタ素子１６，１７はアンテナコイル２０とは実質的に磁界結合しない。
以上のことから、アンテナコイル２０と第１及び第２インダクタ素子１６，１７とを同一積層体２１に近接配置させても、アンテナコイル２０には、第１及び第２インダクタ素子１６，１７との磁界結合による誘導起電力が生じない。つまり、アンテナコイル２０は、ＬＰＦ１２から出力差動信号のみで駆動され、矢印ｄ１〜ｄ６に示すように、高調波成分を含まない高周波信号を放射する。このように、本実施形態によれば、高周波特性に優れた小型のＲＷモジュール１（無線通信モジュール）を提供することが可能となる。
また、アンテナコイル２０と、第１及び第２インダクタ素子１６，１７との間には、シールド導体２６が設けられる。アンテナコイル２０からの磁束がシールド導体２６を貫こうとすると、シールド導体２６の内部には渦電流が流れ、その結果、アンテナコイル２０からの磁束を打ち消す逆向きの磁束が発生する。なお、シールド導体２６と、第１及び第２インダクタ素子１６，１７との間には、磁性体層２２ｄが設けられているため、これらからの磁束はシールド導体２６を実質的に貫かない。これにより、より良好に、第１及び第２インダクタ素子１６，１７と、アンテナコイル２０との磁界結合を抑制することが可能となり、高周波特性にさらに優れたＲＷモジュール１（無線通信モジュール）を提供することが可能となる。
また、好ましい例として、ＲＷモジュール１の上面には、バランス型出力端子Ｔｘ１，Ｔｘ２を有するＲＷ−ＩＣチップ１１が実装され、アンテナ回路１５へと差動信号が伝送される。より具体的には、一方の出力端子Ｔｘ１には第１インダクタ素子１６が直列接続され、他方の出力端子Ｔｘ２には、第１インダクタ素子１６に近接しかつ対称に形成された第２インダクタ素子１７が直列接続される。第１及び第２インダクタ素子１６，１７で発生した磁束が、上記の通り、磁性体ブロック２２内で閉磁路を形成するため、高周波特性にさらに優れたＲＷモジュール１（無線通信モジュール）を提供することが可能となる。さらに、第１及び第２インダクタ素子１６，１７はコモンモードチョークを構成し、コモンモードノイズを除去する。これにより、ノイズ等に強い信号伝送を実現できる。
（付記）
上記実施形態では、好ましい例として、第１及び第２インダクタ素子１６，１７は、閉磁路を形成すべく磁性体ブロック２２内に設けられていた。しかし、第１及び第２インダクタ素子１６，１７がアンテナコイル２０と実質的に磁界結合しないようにするには、第１及び第２インダクタ素子１６，１７とアンテナコイル２０との間に少なくとも一つの磁性体層２２（図２の例では、磁性体層２２ｄ）が介在していればよい。
上記実施形態では、好ましい例として、第１及び第２インダクタ素子１６，１７は、閉磁路を形成すべく磁性体ブロック２２内に設けられていた。しかし、第１及び第２インダクタ素子１６，１７がアンテナコイル２０と実質的に磁界結合しないようにするには、第１及び第２インダクタ素子１６，１７とアンテナコイル２０との間に少なくとも一つの磁性体層２２（図２の例では、磁性体層２２ｄ）が介在していればよい。
また、上記実施形態では、好ましい例として、第１及び第２インダクタ素子１６，１７が閉磁路を形成すべく磁性体ブロック２２内に設けられ、かつアンテナコイル２０と、第１及び第２インダクタ素子１６，１７との間にはシールド導体２６が介在していた。しかし、ＲＷモジュール１においては、第１及び第２インダクタ素子１６，１７が閉磁路を形成すべく磁性体ブロック２２内に設けられるだけでも良いし、アンテナコイル２０と第１及び第２インダクタ素子１６，１７との間にシールド導体２６が介在するだけでも良い。このように、いずれか一方のみでも、第１及び第２インダクタ素子１６，１７と、アンテナコイル２０との磁界結合を抑制することが可能である。
上記実施形態では、好ましい例として、積層体２１の上面にＲＷ−ＩＣチップ１１が実装されていた。しかし、これに限らず、ＲＷ−ＩＣチップ１１は、他の回路基板に実装されていても良いし、積層体２１に内蔵されていても構わない。
また、上記実施形態では、ＲＷ−ＩＣチップ１１はバランス型出力端子Ｔｘ１，Ｔｘ２を有するとして説明した。しかし、これに限らず、信号端子とグランド端子とからなるアンバランス型出力端子を有するＲＷ−ＩＣチップが積層体２１に実装されても構わない。この場合、ＬＰＦ１２には、インダクタ素子が１つあればよいことになる。具体的には、ＬＰＦ１２は、信号端子とアンテナ回路の間に直列接続されたインダクタ素子を備えるが、グランド端子とアンテナ回路の間にはインダクタ素子は不要となる。
また、上記実施形態では、アンテナ回路１５の前段にＬＰＦ１２が備わる例を説明した。しかし、これに限らず、ＬＰＦ１２の代わりに、アンテナ回路１５の前段に整合回路が接続されても構わない。この整合回路は、少なくとも１つのインダクタ素子を含み、アンテナ回路１５とＲＷ−ＩＣチップ１１とのインピーダンスを整合させる。
また、上記実施形態では、複数の非磁性体層２３ａ〜２３ｄを使ってアンテナコイル２０が形成されていた。しかし、これに限らず、単一の非磁性体層や板状の非磁性体ブロックの一面のみを用いて、アンテナコイル（より具体的には平面アンテナコイル）が形成されても構わない。
（第一変形例）
以下、図４を参照して、ＲＷモジュール１の第一変形例であるＲＷモジュール１ａについて説明する。
以下、図４を参照して、ＲＷモジュール１の第一変形例であるＲＷモジュール１ａについて説明する。
（ＲＷモジュール１ａの構成について）
図４において、ＲＷモジュール１ａは、上記ＲＷモジュール１と比較すると、非磁性体層２３ａが磁性体層２２ｅに代わる点で相違する。具体的には、磁性体ブロック２２は、下方から上方に積層される４つの磁性体層２２ａ〜２２ｅからなる。磁性体層２２ａ〜２２ｅは、上面視で長方形のシート状であって、第１及び第２インダクタ素子１６，１７から生じる磁束で閉磁路を形成すべく、相対的に高い透磁率を有する磁性体材料からなる。また、非磁性体ブロック２３は、非磁性体層２３ｂ〜２３ｄからなる。上記以外に両ＲＷモジュール１，１ａの間に相違点は無い。それゆえ、図４において、図２の構成に相当するものには同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。
図４において、ＲＷモジュール１ａは、上記ＲＷモジュール１と比較すると、非磁性体層２３ａが磁性体層２２ｅに代わる点で相違する。具体的には、磁性体ブロック２２は、下方から上方に積層される４つの磁性体層２２ａ〜２２ｅからなる。磁性体層２２ａ〜２２ｅは、上面視で長方形のシート状であって、第１及び第２インダクタ素子１６，１７から生じる磁束で閉磁路を形成すべく、相対的に高い透磁率を有する磁性体材料からなる。また、非磁性体ブロック２３は、非磁性体層２３ｂ〜２３ｄからなる。上記以外に両ＲＷモジュール１，１ａの間に相違点は無い。それゆえ、図４において、図２の構成に相当するものには同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。
（ＲＷモジュール１ａの作用・効果）
上記構成によれば、アンテナコイル２０とシールド導体２６との間に磁性体層２２ｅが介在することになる。この構成によれば、アンテナコイル２０で発生した磁束は磁性体層２２ｅの内部を通過して、閉磁路を形成する。換言すると、第一変形例では、アンテナコイル２０の磁束がシールド導体２６を通過し難くなっている。これによって、アンテナコイル２０で発生した磁界が第１及び第２インダクタ素子１６，１７に流れる電流ループと鎖交し難くなっているため、これらの磁界結合をより低減することが可能となる。また、磁束がシールド導体２６を貫くことで生じる反磁界が小さくなるため、アンテナコイル２０の通信距離をより大きくすることができる。
上記構成によれば、アンテナコイル２０とシールド導体２６との間に磁性体層２２ｅが介在することになる。この構成によれば、アンテナコイル２０で発生した磁束は磁性体層２２ｅの内部を通過して、閉磁路を形成する。換言すると、第一変形例では、アンテナコイル２０の磁束がシールド導体２６を通過し難くなっている。これによって、アンテナコイル２０で発生した磁界が第１及び第２インダクタ素子１６，１７に流れる電流ループと鎖交し難くなっているため、これらの磁界結合をより低減することが可能となる。また、磁束がシールド導体２６を貫くことで生じる反磁界が小さくなるため、アンテナコイル２０の通信距離をより大きくすることができる。
（第二変形例）
以下、図５を参照して、ＲＷモジュール１の第二変形例であるＲＷモジュール１ｂについて説明する。
以下、図５を参照して、ＲＷモジュール１の第二変形例であるＲＷモジュール１ｂについて説明する。
（ＲＷモジュール１ｂの構成について）
図５において、ＲＷモジュール１ｂは、上記ＲＷモジュール１と比較すると、磁性体ブロック２２が磁性体層２２ｆをさらに含む点で相違する。具体的には、磁性体ブロック２２は、下方から上方に積層される５つの磁性体層２２ａ〜２２ｄおよび２２ｆからなる。磁性体層２２ａ〜２２ｄおよび２２ｆは、上面視で長方形のシート状であって、相対的に高い透磁率を有する磁性体材料からなる。なお、本変形例では、非磁性体ブロック２３は、上記実施形態と同様に、非磁性体層２３ａ〜２３ｄからなる。上記以外に両ＲＷモジュール１，１ｂの間に相違点は無い。それゆえ、図５において、図２の構成に相当するものには同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。
図５において、ＲＷモジュール１ｂは、上記ＲＷモジュール１と比較すると、磁性体ブロック２２が磁性体層２２ｆをさらに含む点で相違する。具体的には、磁性体ブロック２２は、下方から上方に積層される５つの磁性体層２２ａ〜２２ｄおよび２２ｆからなる。磁性体層２２ａ〜２２ｄおよび２２ｆは、上面視で長方形のシート状であって、相対的に高い透磁率を有する磁性体材料からなる。なお、本変形例では、非磁性体ブロック２３は、上記実施形態と同様に、非磁性体層２３ａ〜２３ｄからなる。上記以外に両ＲＷモジュール１，１ｂの間に相違点は無い。それゆえ、図５において、図２の構成に相当するものには同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。
（ＲＷモジュール１ｂの作用・効果）
上記構成によれば、アンテナコイル２０とシールド導体２６との間に磁性体層２２ｆが介在することになるため、第一変形例と同様の作用効果を奏する。
上記構成によれば、アンテナコイル２０とシールド導体２６との間に磁性体層２２ｆが介在することになるため、第一変形例と同様の作用効果を奏する。
（第三変形例）
以下、図６を参照して、ＲＷモジュール１の第三変形例であるＲＷモジュール１ｃについて説明する。
以下、図６を参照して、ＲＷモジュール１の第三変形例であるＲＷモジュール１ｃについて説明する。
（ＲＷモジュール１ｃの構成について）
図６において、ＲＷモジュール１ｃは、上記ＲＷモジュール１と比較すると、非磁性体層２３ｅと第二シールド導体２８とをさらに含む点で相違する。具体的には、非磁性体層２３ｅは、上面視で、非磁性体層２３ｄ等と同じ大きさの長方形のシート状であって、例えば非磁性体層２３ｄ等と同じ低い透磁率の材料からなる。この非磁性体層２３ｅは、磁性体層２２ａの下面に積層される。第二シールド導体２８は、例えば金属導体からなり、非磁性体層２３ｅの上面に、例えばエッチング等により形成される。シールド導体２８は、上面視で、第１及び第２インダクタ素子１６，１７を覆う程度の面積を有する。このシールド導体２８もまた、シールド導体２６と同様に、各ビア等、他の導体と導通しないよう、電気的に絶縁されている。上記以外に両ＲＷモジュール１，１ｃの間に相違点は無い。それゆえ、図６において、図２の構成に相当するものには同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。
図６において、ＲＷモジュール１ｃは、上記ＲＷモジュール１と比較すると、非磁性体層２３ｅと第二シールド導体２８とをさらに含む点で相違する。具体的には、非磁性体層２３ｅは、上面視で、非磁性体層２３ｄ等と同じ大きさの長方形のシート状であって、例えば非磁性体層２３ｄ等と同じ低い透磁率の材料からなる。この非磁性体層２３ｅは、磁性体層２２ａの下面に積層される。第二シールド導体２８は、例えば金属導体からなり、非磁性体層２３ｅの上面に、例えばエッチング等により形成される。シールド導体２８は、上面視で、第１及び第２インダクタ素子１６，１７を覆う程度の面積を有する。このシールド導体２８もまた、シールド導体２６と同様に、各ビア等、他の導体と導通しないよう、電気的に絶縁されている。上記以外に両ＲＷモジュール１，１ｃの間に相違点は無い。それゆえ、図６において、図２の構成に相当するものには同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。
（ＲＷモジュール１ｃの作用・効果）
上記のようなＲＷモジュール１ｃは、下記応用例の説明からも分かるように、非磁性体層２３ｅの下面側を用いてプリント配線板７２（図８Ａ等を参照）に実装される場合がある。より具体的には、ＲＷモジュール１ｃに構成される電子回路が、プリント配線板７２に形成された配線パターン等に接続される。また、このプリント配線板７２には、大抵の場合、グランド導体が設けられている。
上記のようなＲＷモジュール１ｃは、下記応用例の説明からも分かるように、非磁性体層２３ｅの下面側を用いてプリント配線板７２（図８Ａ等を参照）に実装される場合がある。より具体的には、ＲＷモジュール１ｃに構成される電子回路が、プリント配線板７２に形成された配線パターン等に接続される。また、このプリント配線板７２には、大抵の場合、グランド導体が設けられている。
もしＲＷモジュール１ｃにシールド導体２８が設けられていない場合、第１および第２インダクタ素子１６，１７とプリント配線板７２のグランド導体とが近接して、浮遊容量により不要に結合してしまうことがある。
しかし、本変形例のように、第１および第２インダクタ素子１６，１７とグランド導体との間をシールド導体２８で仕切ることより、これらの間に電界が形成されることを制限する。これにより、第１および第２インダクタ素子１６，１７とプリント配線板７２のグランド導体とが浮遊容量により不要に結合することを抑制して、第１および第２インダクタ素子１６，１７への影響を低減することが可能となる。
また、上記の通り、ＲＷモジュール１ｃの最上層（つまり、非磁性体層２３ｄ）および最下層（つまり、非磁性体層２３ｅ）は同じ材料とすることができる。この構成により、周囲の温度変化によって、ＲＷモジュール１ｃの形状が変化すること（例えば、反りや割れ）を抑えることが可能となる。
（第四変形例）
以下、図７を参照して、ＲＷモジュール１の第四変形例であるＲＷモジュール１ｄについて説明する。
以下、図７を参照して、ＲＷモジュール１の第四変形例であるＲＷモジュール１ｄについて説明する。
（ＲＷモジュール１ｄの構成について）
図７において、ＲＷモジュール１ｄは、上記ＲＷモジュール１と比較すると、磁性体層２２ｂに代えて非磁性体層２３ｆを備える点と、非磁性体層２３ｂ，２３ｃに代えて磁性体層２２ｇ，２２ｈを備える点とで相違する。これ以外に両ＲＷモジュール１，１ｄの間に相違点は無い。それゆえ、図７において、図２の構成に相当するものには同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。
図７において、ＲＷモジュール１ｄは、上記ＲＷモジュール１と比較すると、磁性体層２２ｂに代えて非磁性体層２３ｆを備える点と、非磁性体層２３ｂ，２３ｃに代えて磁性体層２２ｇ，２２ｈを備える点とで相違する。これ以外に両ＲＷモジュール１，１ｄの間に相違点は無い。それゆえ、図７において、図２の構成に相当するものには同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。
非磁性体層２３ｆは、上面視で、非磁性体層２３ｄ等と同じ大きさの長方形のシート状であって、例えば非磁性体層２３ｄ等と同じ低い透磁率の材料からなる。磁性体層２２ｇ，２２ｈは、上面視で、磁性体層２２ａ等と同じ大きさの長方形のシート状であって、例えば磁性体層２２ａと同じ高い透磁率の材料からなる。
（ＲＷモジュール１ｄの作用・効果）
上記ＲＷモジュール１ｄによれば、非磁性体ブロック２３に磁性体層２２ｇ，２２ｈが設けられるので、アンテナコイル２０のインダクタンス値を大きくすることができる。また、磁性体ブロック２２に非磁性体層２３ｄが設けられるので、第１及び第２インダクタ素子１６，１７の直流重畳特性を改善することができる。
上記ＲＷモジュール１ｄによれば、非磁性体ブロック２３に磁性体層２２ｇ，２２ｈが設けられるので、アンテナコイル２０のインダクタンス値を大きくすることができる。また、磁性体ブロック２２に非磁性体層２３ｄが設けられるので、第１及び第２インダクタ素子１６，１７の直流重畳特性を改善することができる。
（ＲＷモジュールの応用例）
以下、図８Ａ〜図９Ｂを参照して、ＲＷモジュール１の応用例である通信端末装置７について詳細に説明する。
以下、図８Ａ〜図９Ｂを参照して、ＲＷモジュール１の応用例である通信端末装置７について詳細に説明する。
（通信端末装置７の構成）
通信端末装置７は、典型的には携帯電話であり、図８Ａに示すように、少なくとも、バッテリーパック７１と、プリント配線板７２に実装された各種電子部品７３とを、筐体７４の内部に備えている。
通信端末装置７は、典型的には携帯電話であり、図８Ａに示すように、少なくとも、バッテリーパック７１と、プリント配線板７２に実装された各種電子部品７３とを、筐体７４の内部に備えている。
プリント配線板７２には、各種電子部品７３の一つとして、図８Ｂ等に示すように、実施形態で説明したＲＷモジュール１が実装される。しかし、携帯電話用の各種電子部品７３等が筐体７４内に高密度に配置されるため、ＲＷモジュール１のサイズや配置にはかなりの制約を受ける。それゆえ、ＲＷモジュール１は小型化されることが好ましい。ＲＷモジュール１の小型化のためには、例えばアンテナコイル２０を小型化する必要がある。しかし、アンテナコイル２０を小型化すると、ＲＷモジュール１の通信距離が短くなる等の問題がある。そこで、通信端末装置７は、ＲＷモジュール１とは別体で、アンテナコイル２０よりも大きなサイズの開口を有するブースターアンテナ７５を、さらに備えている。
ブースターアンテナ７５においては、図９Ａに示すように、誘電体材料又は磁性体材料からなる基材シート７６の上面及び背面に、互いに逆方向に巻回された第１及び第２のアンテナコイル７７，７８が形成されている。また、第１及び第２アンテナコイル７７，７８は、図９Ｂの等価回路に示すように、コンデンサ７９，８０を介して接続される。このブースターアンテナ７５の共振周波数は、両アンテナコイル７７，７８のインダクタンス値Ｌ１，Ｌ２と、両コンデンサ７９，８０の容量値Ｃ１，Ｃ２と、により決まる。
（通信端末装置７の作用・効果）
上記構成のブースターアンテナ７５は、ＲＷモジュール１のアンテナコイル２０と磁界結合するように筐体７４に配置され、以下のように作用する。アンテナコイル２０に差動信号が与えられると、アンテナコイル２０の周囲に誘導磁界が形成される。この磁界がブースターアンテナ７５の各アンテナコイル７７，７８を貫くと、各アンテナコイル７７，７８には誘導電流が流れ、アンテナコイル２０とブースターアンテナ７５とは磁界結合する。また、ブースターアンテナ７５に誘導電流が流れることで、相対的に大きなコイル開口を有するブースターアンテナ７５からは磁界が発生し、これによって、通信距離を長くすることができる。
上記構成のブースターアンテナ７５は、ＲＷモジュール１のアンテナコイル２０と磁界結合するように筐体７４に配置され、以下のように作用する。アンテナコイル２０に差動信号が与えられると、アンテナコイル２０の周囲に誘導磁界が形成される。この磁界がブースターアンテナ７５の各アンテナコイル７７，７８を貫くと、各アンテナコイル７７，７８には誘導電流が流れ、アンテナコイル２０とブースターアンテナ７５とは磁界結合する。また、ブースターアンテナ７５に誘導電流が流れることで、相対的に大きなコイル開口を有するブースターアンテナ７５からは磁界が発生し、これによって、通信距離を長くすることができる。
ここで、ブースターアンテナ７５は、ＲＷモジュール１よりも薄型化が可能で、さらにＲＷモジュール１との磁界結合により、ピンや配線による結線なしで電力供給を受けるだけであるため、筐体７４内の狭い空間に配置することが可能である。このようなブースターアンテナ７５を用いれば、ＲＷモジュール１の配置自由度が向上し、さらにはアンテナコイル２０を小型化することが可能となる。
以上説明したとおり、応用例によれば、実施形態と同様の作用・効果を奏するだけでなく、ブースターアンテナ７５を用いることで、アンテナコイル２０を小型化しつつ、通信距離を確保可能な通信端末装置７を提供することが可能となる。
本発明に係る通信端末装置は、不要な高調波の放射を抑制可能であるという効果を奏し、携帯電話等に有用である。
１ リーダライタモジュール（無線通信モジュール）
１１ ＲＷ−ＩＣチップ
Ｔｘ１，Ｔｘ２ バランス型出力端子
１２ 低域通過フィルタ
１６ 第１インダクタ素子
２４ａ〜２４ｃ 第１コイルパターン
１７ 第２インダクタ素子
２５ａ〜２５ｃ 第１コイルパターン
１８ コンデンサ素子
１５ アンテナ回路
１９ 同調用コンデンサ素子
２０ アンテナコイル
２７ａ〜２７ｃ 第２コイルパターン
２１ 積層体
２２ 磁性体ブロック
２２ａ〜２２ｈ 磁性体層
２３ 非磁性体ブロック
２３ａ〜２３ｆ 非磁性体層
２６，２８ シールド導体
７ 通信端末装置
７５ ブースターアンテナ
１１ ＲＷ−ＩＣチップ
Ｔｘ１，Ｔｘ２ バランス型出力端子
１２ 低域通過フィルタ
１６ 第１インダクタ素子
２４ａ〜２４ｃ 第１コイルパターン
１７ 第２インダクタ素子
２５ａ〜２５ｃ 第１コイルパターン
１８ コンデンサ素子
１５ アンテナ回路
１９ 同調用コンデンサ素子
２０ アンテナコイル
２７ａ〜２７ｃ 第２コイルパターン
２１ 積層体
２２ 磁性体ブロック
２２ａ〜２２ｈ 磁性体層
２３ 非磁性体ブロック
２３ａ〜２３ｆ 非磁性体層
２６，２８ シールド導体
７ 通信端末装置
７５ ブースターアンテナ
Claims (8)
- 第１端子および第２端子を備え、所定の信号処理を行うＩＣチップと、
一端が前記第１端子に、他端が前記第２端子にそれぞれ接続されたアンテナ回路と、
前記ＩＣチップの前記第１端子と前記アンテナ回路の前記一端との間に接続された第１インダクタ素子、および、前記ＩＣチップの前記第２端子と前記アンテナ回路の前記他端との間に接続された第２インダクタ素子を含むフィルタ回路と、
前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子と前記アンテナコイルとの間に設けられるシールド導体と、を備え、
前記アンテナ回路は、アンテナコイルを含み、
前記アンテナコイル、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は、少なくとも一つの磁性体層を有する磁性体ブロックと、該磁性体ブロックに積層された少なくとも一つの非磁性体層と、を含む積層体に一体的に形成され、
前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は前記磁性体ブロックに、前記アンテナコイルは前記非磁性体層にそれぞれ設けられ、
前記積層体において、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子と前記アンテナコイルとの間には、前記磁性体層と前記非磁性体層とが介在している、通信端末装置。 - 第１端子および第２端子を備え、所定の信号処理を行うＩＣチップと、
一端が前記第１端子に、他端が前記第２端子にそれぞれ接続されたアンテナ回路と、
前記ＩＣチップの前記第１端子と前記アンテナ回路の前記一端との間に接続された第１インダクタ素子、および、前記ＩＣチップの前記第２端子と前記アンテナ回路の前記他端との間に接続された第２インダクタ素子を含むフィルタ回路と、を備え、
前記アンテナ回路は、アンテナコイルを含み、
前記アンテナコイル、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は、少なくとも一つの磁性体層を有する磁性体ブロックと、該磁性体ブロックに積層された少なくとも一つの非磁性体層と、を含む積層体に一体的に形成され、
前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は前記磁性体ブロックに、前記アンテナコイルは前記非磁性体層にそれぞれ設けられ、
前記積層体において、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子と前記アンテナコイルとの間には、前記磁性体層と前記非磁性体層とが介在し、
前記ＩＣチップは前記積層体のうち前記非磁性体層の上に搭載されている、通信端末装置。 - 第１端子および第２端子を備え、所定の信号処理を行うＩＣチップと、
一端が前記第１端子に、他端が前記第２端子にそれぞれ接続されたアンテナ回路と、
前記ＩＣチップの前記第１端子と前記アンテナ回路の前記一端との間に接続された第１インダクタ素子、および、前記ＩＣチップの前記第２端子と前記アンテナ回路の前記他端との間に接続された第２インダクタ素子を含むフィルタ回路と、を備え、
前記アンテナ回路は、アンテナコイルを含み、
前記アンテナコイル、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は、少なくとも一つの磁性体層を有する磁性体ブロックと、該磁性体ブロックに積層された少なくとも一つの非磁性体層と、を含む積層体に一体的に形成され、
前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は前記磁性体ブロックに、前記アンテナコイルは前記非磁性体層にそれぞれ設けられ、
前記積層体において、前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子と前記アンテナコイルとの間には、前記磁性体層と前記非磁性体層とが介在し、
前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は、互いに近接配置され、前記複数の磁性体層にそれぞれ形成された複数の第１コイルパターンで構成されており、前記複数の第１コイルパターンのそれぞれは、それぞれを通る磁束が閉磁路を形成するように前記複数の磁性体層に巻回、配置されている、通信端末装置。 - 前記積層体は、前記磁性体層が複数積層された磁性体ブロックと、前記非磁性体層が複数積層された非磁性体ブロックと、を含み、
前記第１インダクタ素子および前記第２インダクタ素子は、前記複数の磁性体層を用いて形成された第１コイルパターンからなり、
前記アンテナコイルは、前記複数の非磁性体層を用いて形成された第２コイルパターンからなる、請求項１〜３のいずれかに記載の通信端末装置。 - 前記シールド導体と前記インダクタ素子の間に前記複数の磁性体層の少なくとも一つが設けられる、請求項１に記載の通信端末装置。
- 前記シールド導体と前記アンテナコイルの間に前記複数の磁性体層の少なくとも一つが設けられる、請求項１または５に記載の通信端末装置。
- 前記第１端子および前記第２端子はバランス型端子を構成している、請求項１〜６のいずれかに記載の通信端末装置。
- 前記アンテナコイルよりも大きなサイズを有しており、該アンテナコイルと磁界を通じて結合するブースターアンテナを、さらに備える、請求項１〜７のいずれかに記載の通信端末装置。
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