JP5605604B2 - 光電変換素子およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 101
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- -1 benzoporphyrin compound Chemical class 0.000 claims description 62
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 31
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 11
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000000259 cinnolinyl group Chemical group N1=NC(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 6
- 125000006668 (C1-C30) aliphatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 267
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 125000000923 (C1-C30) alkyl group Chemical group 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 4
- GZEFZLXJPGMRSP-UHFFFAOYSA-N 37,38,39,40-tetrazanonacyclo[28.6.1.13,10.112,19.121,28.04,9.013,18.022,27.031,36]tetraconta-1(37),2,4,6,8,10,12(39),13,15,17,19,21,23,25,27,29,31,33,35-nonadecaene Chemical compound c1ccc2c3cc4[nH]c(cc5nc(cc6[nH]c(cc(n3)c2c1)c1ccccc61)c1ccccc51)c1ccccc41 GZEFZLXJPGMRSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000739 C2-C30 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 3
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- MHIITNFQDPFSES-UHFFFAOYSA-N 25,26,27,28-tetrazahexacyclo[16.6.1.13,6.18,11.113,16.019,24]octacosa-1(25),2,4,6,8(27),9,11,13,15,17,19,21,23-tridecaene Chemical class N1C(C=C2C3=CC=CC=C3C(C=C3NC(=C4)C=C3)=N2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 MHIITNFQDPFSES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000041 C6-C10 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 125000000027 (C1-C10) alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004191 (C1-C6) alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004454 (C1-C6) alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- HTSGKJQDMSTCGS-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(4-chlorophenyl)-2-(4-methylphenyl)sulfonylbutane-1,4-dione Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)C(C(=O)C=1C=CC(Cl)=CC=1)CC(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1 HTSGKJQDMSTCGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 1-anthracen-9-yl-2,2,2-trifluoroethanone Chemical group C1=CC=C2C(C(=O)C(F)(F)F)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001462 1-pyrrolyl group Chemical group [*]N1C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Natural products C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- 125000002941 2-furyl group Chemical group O1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000006020 2-methyl-1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004105 2-pyridyl group Chemical group N1=C([*])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000389 2-pyrrolyl group Chemical group [H]N1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003682 3-furyl group Chemical group O1C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003349 3-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001397 3-pyrrolyl group Chemical group [H]N1C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001541 3-thienyl group Chemical group S1C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000339 4-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- KDDQRKBRJSGMQE-UHFFFAOYSA-N 4-thiazolyl Chemical group [C]1=CSC=N1 KDDQRKBRJSGMQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWDWFSXUQODZGW-UHFFFAOYSA-N 5-thiazolyl Chemical group [C]1=CN=CS1 CWDWFSXUQODZGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006374 C2-C10 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005865 C2-C10alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000882 C2-C6 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003601 C2-C6 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- ATLMFJTZZPOKLC-UHFFFAOYSA-N C70 fullerene Chemical compound C12=C(C3=C4C5=C67)C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C(C%14=C%15C%16=%17)=C%18C%19=C%20C%21=C%22C%23=C%24C%21=C%21C(C=%25%26)=C%20C%18=C%12C%26=C%10C8=C4C=%25C%21=C5C%24=C6C(C4=C56)=C%23C5=C5C%22=C%19C%14=C5C=%17C6=C5C6=C4C7=C3C1=C6C1=C5C%16=C3C%15=C%13C%11=C4C9=C2C1=C34 ATLMFJTZZPOKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008423 Si—B Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFRXCNXVZHVRSE-JEZACWOJSA-N [(2r,3s,4s,5r,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-[(2r,3r,4s,5s,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-[[(2r,3r)-3-hydroxy-2-tetradecyloctadecanoyl]oxymethyl]oxan-2-yl]oxyoxan-2-yl]methyl (2r,3r)-3-hydroxy-2-tetradecyloctadecanoate Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](COC(=O)[C@H](CCCCCCCCCCCCCC)[C@H](O)CCCCCCCCCCCCCCC)O[C@@H]1O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](COC(=O)[C@H](CCCCCCCCCCCCCC)[C@H](O)CCCCCCCCCCCCCCC)O1 LFRXCNXVZHVRSE-JEZACWOJSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 125000000748 anthracen-2-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C([H])=C([*])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000051 benzyloxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000480 butynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FQRWAZOLUJHNDT-UHFFFAOYSA-N c12c3c4c5c6c7c8c9c%10c%11c%12c%13c%14c%15c%16c%17c(c1c1c4c7c%10c%13c%161)c1c2c2c4c7c%10c%13c%16c%18c%19c%20c%21c%22c%23c%24c%25c%26c%27c%28c%29c(c7c7c%13c%19c%22c%25c%287)c4c1c1c%17c%15c(c%27c%291)c1c%14c%12c(c%24c%261)c1c%11c9c(c%21c%231)c1c8c6c(c%18c%201)c1c5c3c2c%10c%161 Chemical compound c12c3c4c5c6c7c8c9c%10c%11c%12c%13c%14c%15c%16c%17c(c1c1c4c7c%10c%13c%161)c1c2c2c4c7c%10c%13c%16c%18c%19c%20c%21c%22c%23c%24c%25c%26c%27c%28c%29c(c7c7c%13c%19c%22c%25c%287)c4c1c1c%17c%15c(c%27c%291)c1c%14c%12c(c%24c%261)c1c%11c9c(c%21c%231)c1c8c6c(c%18c%201)c1c5c3c2c%10c%161 FQRWAZOLUJHNDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005956 isoquinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001786 isothiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000842 isoxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005394 methallyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002206 pyridazin-3-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)N=N1 0.000 description 1
- 125000004940 pyridazin-4-yl group Chemical group N1=NC=C(C=C1)* 0.000 description 1
- 125000002098 pyridazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000246 pyrimidin-2-yl group Chemical group [H]C1=NC(*)=NC([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004527 pyrimidin-4-yl group Chemical group N1=CN=C(C=C1)* 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VELSFHQDWXAPNK-UHFFFAOYSA-N tetracontacyclo[25.6.5.516,28.44,32.35,11.321,34.28,10.212,15.222,35.229,31.113,20.124,38.02,6.014,19.017,25.018,23.030,37.033,36.547,54.446,53.448,58.126,51.150,52.03,45.07,42.09,61.039,40.041,43.044,63.049,76.055,78.056,62.057,68.059,64.060,67.065,69.066,71.070,73.072,75.074,77]octaheptaconta-1,3(45),4(48),5(61),6,8,10,12,14,16,18,20,22,24(39),25,27(38),28,30,32,34(42),35(40),36,41(43),44(63),46,49(76),50(77),51,53,55(78),56(62),57,59,64,66,68,70(73),71,74-nonatriacontaene Chemical compound c12c3c4c5c6c1c1c7c8c2c2c3c3c9c4c4c5c5c%10c%11c%12c%13c%14c%15c%12c%12c%16c%17c%18c%19c%20c%21c%17c%17c%22c%21c%21c%23c%20c%20c%19c%19c%24c%18c%16c%15c%15c%24c%16c(c7c%15c%14c1c6c5%13)c8c1c2c2c3c3c(c%21c5c%22c(c%11c%12%17)c%10c4c5c93)c%23c2c%20c1c%19%16 VELSFHQDWXAPNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
本発明は、光電変換素子およびその製造方法に関し、具体的には、シリノリン骨格を有する化合物を含む陰極バッファ層を有する光電変換素子およびその製造方法に関する。さらに、本発明は、当該光電変換素子を用いた太陽電池、および、光電変換素子の製造方法に関する。
従来、多結晶シリコンを用いた太陽電池が開発され実用化されている。このような太陽電池の製造には高純度シリコンが必要であり、その製造工程は高温プロセスを要する。したがって、多結晶シリコンを用いた太陽電池を製造に要するエネルギーを考慮すると、必ずしも、省エネルギー技術への貢献度は十分に高いものとは言えない。
また、一般的な屋外の発電用途以外の太陽電池（たとえば、可搬型の太陽電池）に要求されるプラスチック基板上への素子作製にも課題がある。
また、一般的な屋外の発電用途以外の太陽電池（たとえば、可搬型の太陽電池）に要求されるプラスチック基板上への素子作製にも課題がある。
さらに、光センサとしては、ファクシミリや複写機におけるイメージセンサ等において、シリコン結晶を用いた一次元センサによるスキャナーによる画像読み取り装置が実用化されているが、スキャン不要で大面積の二次元センサは実用化されていない。
近年、上記問題点の改良のため、省エネルギーで製造が可能であり、大面積化が比較的容易な塗布プロセスが適用可能な有機材料を用いた光電変換素子を含む太陽電池の開発が行われるようになってきた。
有機材料を用いた光電変換素子を含む太陽電池としては、色素増感型太陽電池や有機薄膜型太陽電池等がある。
色素増感型太陽電池は電解質溶液を用いた系であるため、液漏れや液中のヨウ素抜け等の問題がある。このように色素増感型太陽電池は耐久性に問題があった。
色素増感型太陽電池は電解質溶液を用いた系であるため、液漏れや液中のヨウ素抜け等の問題がある。このように色素増感型太陽電池は耐久性に問題があった。
全固体型の有機材料を用いた有機薄膜型太陽電池は、活性層の設計により、「ヘテロ接合型」と「バルクへテロ接合型」に分類される。
ヘテロ接合型太陽電池は、電子供与体からなる層と電子受容体からなる層を積層して、接合界面における光誘起による電荷移動を利用するものである。
C.W. Tang：Appl. Phys. Lett., 48巻，183-185頁，1986年（非特許文献１）では、電子供与体として銅フタロシアニンを、電子受容体としてペリレン誘導体を用いて、変換効率１％が報告されている。この他にも、電子供与体としてペンタセンやテトラセン等の縮合多環芳香族化合物が検討されており、電子受容体としてはC60のようなフラーレン誘導体が使用されている。
C.W. Tang：Appl. Phys. Lett., 48巻，183-185頁，1986年（非特許文献１）では、電子供与体として銅フタロシアニンを、電子受容体としてペリレン誘導体を用いて、変換効率１％が報告されている。この他にも、電子供与体としてペンタセンやテトラセン等の縮合多環芳香族化合物が検討されており、電子受容体としてはC60のようなフラーレン誘導体が使用されている。
バルクへテロ接合型太陽電池は、電子供与体と電子受容体を適当な比率で混合して活性層とするものである。したがって、活性層が混合されているバルクへテロ接合型太陽電池は、活性層が２層構造を形成するヘテロ接合型太陽電池とは構造が異なっている。
バルクへテロ接合型太陽電池では、電子供与体と電子受容体の接合が混合活性層のバルク中に一様に存在し、太陽光を有効に活用することができる。このバルクへテロ接合型素子を作製する方法として、真空蒸着により電子供与体と電子受容体を共蒸着して活性層を形成するものと、両者の混合溶液からスピンコートや印刷法により塗布して形成するものとがある。真空蒸着法では銅フタロシアニンとC60からなる活性層が報告されており（S. Uchidaら：Appl. Phys. Lett., 84巻，4218-4220頁，2004年（非特許文献２））、湿式塗布法では、共役系高分子であるポリチオフェンとフラーレンの可溶性誘導体である[6,6]-フェニルC6１-ブチリックアシッドメチルエステル（略称：ＰＣＢＭ）を混合した系が代表的なものとしてあげられる（S.E. Shaheenら：Appl. Phys. Lett., 78巻，841-843頁，2001年（非特許文献３））。
バルクへテロ接合型太陽電池では、電子供与体と電子受容体の接合が混合活性層のバルク中に一様に存在し、太陽光を有効に活用することができる。このバルクへテロ接合型素子を作製する方法として、真空蒸着により電子供与体と電子受容体を共蒸着して活性層を形成するものと、両者の混合溶液からスピンコートや印刷法により塗布して形成するものとがある。真空蒸着法では銅フタロシアニンとC60からなる活性層が報告されており（S. Uchidaら：Appl. Phys. Lett., 84巻，4218-4220頁，2004年（非特許文献２））、湿式塗布法では、共役系高分子であるポリチオフェンとフラーレンの可溶性誘導体である[6,6]-フェニルC6１-ブチリックアシッドメチルエステル（略称：ＰＣＢＭ）を混合した系が代表的なものとしてあげられる（S.E. Shaheenら：Appl. Phys. Lett., 78巻，841-843頁，2001年（非特許文献３））。
バルクヘテロ接合型太陽電池において、効率をさらに高めるために、活性層を、電子供与体層（活性層（p-層））、電子供与体と電子受容体の混合層（活性層（i-層））、電子受容体層（活性層（n-層））とp-i-n型の３層構造にすることも行われている（M. Hiramotoら：Appl. Phys. Lett., 58巻，1062-1064頁，1991年（非特許文献４））
上記のいずれの素子構造においても、光吸収により生成した光キャリア（正孔と電子）を、電極まで効率良く輸送して高い変換効率を得るために、電極と活性層との間にバッファ層が設けられることがある。陽極との間には導電性高分子が使われることが多く、ポリ（3, 4-エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホン酸）（略称，PEDOT:PSS）などが挙げられる（非特許文献３）。また、陰極と活性層との間には、フッ化リチウムのような無機物や（非特許文献３）、バソクプロイン（略称，ＢＣＰ）（非特許文献２）が用いられている。
C.W. Tang：Appl. Phys. Lett., 48巻，183-185頁，1986年
S. Uchidaら：Appl. Phys. Lett., 84巻，4218-4220頁，2004年
S.E. Shaheenら：Appl. Phys. Lett., 78巻，841-843頁，2001年
M. Hiramotoら：Appl. Phys. Lett., 58巻，1062-1064頁，1991年
有機薄膜型太陽電池では、たとえば、バソクプロインを含む陰極バッファ層が用いられていたが、当該陰極バッファ層は耐熱性に十分に高くないため、得られる太陽電池素子の安定性が低い。
また、たとえば、従来のフッ化リチウムの有機薄膜型太陽電池においては陰極バッファ層の厚さを極めて薄くすることが求められるが、このような極めて薄い薄膜を均一な厚さで成膜することは困難である。
さらに、従来の有機薄膜型太陽電池に用いられる光電変換素子の変換効率は十分に高くないものであった。
また、たとえば、従来のフッ化リチウムの有機薄膜型太陽電池においては陰極バッファ層の厚さを極めて薄くすることが求められるが、このような極めて薄い薄膜を均一な厚さで成膜することは困難である。
さらに、従来の有機薄膜型太陽電池に用いられる光電変換素子の変換効率は十分に高くないものであった。
［１］
透明基板上に少なくとも一方が透明である陰極と陽極とを有し、陰極と陽極の間に電子供与体と電子受容体とを含む活性層を有する光電変換素子において、
活性層と陰極との間に、下記式（I）で表わされるシンノリン骨格を有する化合物を含む陰極バッファ層を有する光電変換素子。
［２］
透明基板上に少なくとも一方が透明である陰極と陽極とを有し、陰極と陽極の間に電子供与体と電子受容体とを含む活性層を有する光電変換素子において、
活性層と陰極との間に、下記式（II）で表わされる化合物を含む陰極バッファ層を有する光電変換素子。
（Ｒ1〜Ｒ5はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基または置換基を有してもよい芳香族環基であり、Ｒ6はｎ価の芳香族環基を示し、ｎは２〜４の整数を示す。）
［３］
活性層が、電子供与体として共役系高分子化合物を含有する、［１］または［２］に記載の光電変換素子。
［４］
活性層が、電子供与体として下記式（III）または（IV）で表わされるベンゾポルフィリン化合物を含有する、［１］または［２］に記載の光電変換素子。
（式（III）および（IV）中、Ｚ1a、Ｚ1b、Ｚ2a、Ｚ2b、Ｚ3a、Ｚ3b、Ｚ4aおよびＺ4bはそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基であり、Ｚ1aとＺ1b、Ｚ2aとＺ2b、Ｚ3aとＺ3bまたはＺ4aとＺ4bが結合して環を形成していてもよく；
Ｒ9〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基であり；
Ｍは２価の金属原子または３価以上の金属と他の原子の結合した原子団である。）
［５］
ベンゾポルフィリン化合物が溶解性前駆体からの熱転換により合成される、［４］に記載の光電変換素子。
［６］
溶解性前駆体が下記式（V）または（VI）で表される化合物である、［５］に記載の光電変換素子。
（式（V）および（VI）中、Ｚ1a、Ｚ1b、Ｚ2a、Ｚ2b、Ｚ3a、Ｚ3b、Ｚ4aおよびＺ4bはそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基であり、Ｚ1aとＺ1b、Ｚ2aとＺ2b、Ｚ3aとＺ3bまたはＺ4aとＺ4bが結合して環を形成していてもよく；
Ｒ9〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基であり；
Ｍは２価の金属原子または３価以上の金属と他の原子の結合した原子団であり；
Ｙ1〜Ｙ4は、それぞれ独立して、１価の原子または原子団である。）
［７］
活性層が、電子受容体としてフラーレンまたはフラーレン誘導体を含有することを特徴とする［１］〜［６］のいずれかに記載の光電変換素子。
［８］
前記光電変換素子が透明基板上に、陽極、陽極バッファ層、活性層、陰極バッファ層および陰極が順に積層された構造を有する［１］〜［７］のいずれかに記載の光電変換素子。
［９］
活性層が活性層（p-層）と活性層（n-層）と活性層（i-層）からなる、または、活性層（p-層）と活性層（n-層）とからなる［１］〜［８］のいずれかに記載の光電変換素子。
［１０］
［１］〜［９］のいずれかに記載の光電変換素子を含む太陽電池。
［１１］
透明基板上に透明陽極を設ける工程、透明陽極上に陽極バッファ層を設ける工程、陽極バッファ層上に活性層を設ける工程、活性層上に陰極バッファ層を設ける工程および陰極バッファ層上に陰極を設ける工程を含み、
陰極バッファ層が下記式（I）で表わされるシンノリン骨格を有する化合物を含む光電変換素子の製造方法。
［１２］
活性層上に陰極バッファ層を設ける工程以降に、基板を５０〜２５０℃の温度範囲で、アニール処理する工程を含む、［１１］に記載の光電変換素子の製造方法。
透明基板上に少なくとも一方が透明である陰極と陽極とを有し、陰極と陽極の間に電子供与体と電子受容体とを含む活性層を有する光電変換素子において、
活性層と陰極との間に、下記式（I）で表わされるシンノリン骨格を有する化合物を含む陰極バッファ層を有する光電変換素子。
［２］
透明基板上に少なくとも一方が透明である陰極と陽極とを有し、陰極と陽極の間に電子供与体と電子受容体とを含む活性層を有する光電変換素子において、
活性層と陰極との間に、下記式（II）で表わされる化合物を含む陰極バッファ層を有する光電変換素子。
（Ｒ1〜Ｒ5はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基または置換基を有してもよい芳香族環基であり、Ｒ6はｎ価の芳香族環基を示し、ｎは２〜４の整数を示す。）
［３］
活性層が、電子供与体として共役系高分子化合物を含有する、［１］または［２］に記載の光電変換素子。
［４］
活性層が、電子供与体として下記式（III）または（IV）で表わされるベンゾポルフィリン化合物を含有する、［１］または［２］に記載の光電変換素子。
（式（III）および（IV）中、Ｚ1a、Ｚ1b、Ｚ2a、Ｚ2b、Ｚ3a、Ｚ3b、Ｚ4aおよびＺ4bはそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基であり、Ｚ1aとＺ1b、Ｚ2aとＺ2b、Ｚ3aとＺ3bまたはＺ4aとＺ4bが結合して環を形成していてもよく；
Ｒ9〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基であり；
Ｍは２価の金属原子または３価以上の金属と他の原子の結合した原子団である。）
［５］
ベンゾポルフィリン化合物が溶解性前駆体からの熱転換により合成される、［４］に記載の光電変換素子。
［６］
溶解性前駆体が下記式（V）または（VI）で表される化合物である、［５］に記載の光電変換素子。
（式（V）および（VI）中、Ｚ1a、Ｚ1b、Ｚ2a、Ｚ2b、Ｚ3a、Ｚ3b、Ｚ4aおよびＺ4bはそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基であり、Ｚ1aとＺ1b、Ｚ2aとＺ2b、Ｚ3aとＺ3bまたはＺ4aとＺ4bが結合して環を形成していてもよく；
Ｒ9〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基であり；
Ｍは２価の金属原子または３価以上の金属と他の原子の結合した原子団であり；
Ｙ1〜Ｙ4は、それぞれ独立して、１価の原子または原子団である。）
［７］
活性層が、電子受容体としてフラーレンまたはフラーレン誘導体を含有することを特徴とする［１］〜［６］のいずれかに記載の光電変換素子。
［８］
前記光電変換素子が透明基板上に、陽極、陽極バッファ層、活性層、陰極バッファ層および陰極が順に積層された構造を有する［１］〜［７］のいずれかに記載の光電変換素子。
［９］
活性層が活性層（p-層）と活性層（n-層）と活性層（i-層）からなる、または、活性層（p-層）と活性層（n-層）とからなる［１］〜［８］のいずれかに記載の光電変換素子。
［１０］
［１］〜［９］のいずれかに記載の光電変換素子を含む太陽電池。
［１１］
透明基板上に透明陽極を設ける工程、透明陽極上に陽極バッファ層を設ける工程、陽極バッファ層上に活性層を設ける工程、活性層上に陰極バッファ層を設ける工程および陰極バッファ層上に陰極を設ける工程を含み、
陰極バッファ層が下記式（I）で表わされるシンノリン骨格を有する化合物を含む光電変換素子の製造方法。
［１２］
活性層上に陰極バッファ層を設ける工程以降に、基板を５０〜２５０℃の温度範囲で、アニール処理する工程を含む、［１１］に記載の光電変換素子の製造方法。
本明細書において、「Ｃ１〜Ｃ３０脂肪族炭化水素基」とは飽和または不飽であってもよく、また、線状でもよいし、分岐状でもよい。「Ｃ１〜Ｃ３０脂肪族炭化水素基」としては、たとえば、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル基、Ｃ２〜Ｃ３０アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ３０アルキニル基、Ｃ４〜Ｃ３０アルキルジエニル基などが挙げられる。
本明細書において、「Ｃ１〜Ｃ３０アルコキシ基」としては、たとえば、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基であることが好ましく、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基であることが更に好ましい。アルコキシ基の例としては、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ等がある。
本明細書において、「芳香族環基」としては、たとえば、芳香族縮合環基等の芳香族炭化水素環基、芳香族縮合環基、芳香族複素環基、芳香族縮合複素環基などが挙げられる。
本明細書において、「芳香族炭化水素環基」は「芳香族縮合環基」を含む基であり、「芳香族炭化水素環基」としては、Ｃ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素環基であることが好ましく、例えば、フェニル、２−ビフェニリル、３−ビフェニリル、４−ビフェニリル、ナフチル、シクロオクタテトラエニルなどのＣ６〜Ｃ１０アリール基が挙げられる。
本明細書において、「芳香族縮合環基」としては、Ｃ７〜Ｃ２０芳香族縮合環基であることが好ましく、たとえば、ナフチル（例、１−ナフチル、２−ナフチル）、アンスリル（例、２−アンスリル、９−アンスリル）、フルオレニル基などのＣ８〜Ｃ２０芳香族縮合環基が挙げられる。
本明細書において、「芳香族複素環基」としては、Ｃ６〜Ｃ２０芳香族複素環基であることが好ましく、例えば、炭素原子以外に窒素原子、硫黄原子および酸素原子から選ばれる１または２種、１〜４個のヘテロ原子を含む５〜１４員、好ましくは５〜１０員、より好ましくは５または６員の芳香族複素環基が用いられる。具体的には、例えば、チエニル（例、２−チエニル、３−チエニル）、フリル（例、２−フリル、３−フリル）、ピリジル（例、２−ピリジル、３−ピリジル、４−ピリジル）、チアゾリル（例、２−チアゾリル、４−チアゾリル、５−チアゾリル）、オキサゾリル（例、２−オキサゾリル、４−オキサゾリル）、ピラジニル、ピリミジニル（例、２−ピリミジニル、４−ピリミジニル）、ピロリル（例、１−ピロリル、２−ピロリル、３−ピロリル）、イミダゾリル（例、１−イミダゾリル、２−イミダゾリル、４−イミダゾリル）、ピラゾリル（例、１−ピラゾリル、３−ピラゾリル、４−ピラゾリル）、ピリダジニル（例、３−ピリダジニル、４−ピリダジニル）、イソチアゾリル（例、３−イソチアゾリル）、イソオキサゾリル（例、３−イソオキサゾリル）、イミダゾリル基などが挙げられる。
本明細書において、「芳香族縮合複素環基」としては、Ｃ７〜Ｃ２０芳香族縮合複素環基であることが好ましく、たとえば、３〜１１個の炭素原子以外に窒素原子、硫黄原子および酸素原子から選ばれる１または２種、１〜４個のヘテロ原子を含む５〜１４員（好ましくは５〜１０員）の２環または３環式の芳香族複素環基、または炭素原子以外に窒素原子、硫黄原子および酸素原子から選ばれる１または２種、１〜４個のヘテロ原子を含む５〜１４員（好ましくは５〜１０員）の７〜１０員芳香族複素架橋環から任意の１個の水素原子を除いてできる１価の基が用いられる。具体的には、例えば、キノリル（例、２−キノリル、３−キノリル、４−キノリル、５−キノリル、８−キノリル）、イソキノリル（例、１−イソキノリル、３−イソキノリル、４−イソキノリル、５−イソキノリル）、インドリル（例、１−インドリル、２−インドリル、３−インドリル）、２−ベンゾチアゾリル、ベンゾ［ｂ］チエニル、（例、２−ベンゾ［ｂ］チエニル、３−ベンゾ［ｂ］チエニル）、ベンゾ［ｂ］フラニル（例、２−ベンゾ［ｂ］フラニル、３−ベンゾ［ｂ］フラニル）などが挙げられる。
本明細書において、「芳香族炭化水素環基」は「芳香族縮合環基」を含む基であり、「芳香族炭化水素環基」としては、Ｃ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素環基であることが好ましく、例えば、フェニル、２−ビフェニリル、３−ビフェニリル、４−ビフェニリル、ナフチル、シクロオクタテトラエニルなどのＣ６〜Ｃ１０アリール基が挙げられる。
本明細書において、「芳香族縮合環基」としては、Ｃ７〜Ｃ２０芳香族縮合環基であることが好ましく、たとえば、ナフチル（例、１−ナフチル、２−ナフチル）、アンスリル（例、２−アンスリル、９−アンスリル）、フルオレニル基などのＣ８〜Ｃ２０芳香族縮合環基が挙げられる。
本明細書において、「芳香族複素環基」としては、Ｃ６〜Ｃ２０芳香族複素環基であることが好ましく、例えば、炭素原子以外に窒素原子、硫黄原子および酸素原子から選ばれる１または２種、１〜４個のヘテロ原子を含む５〜１４員、好ましくは５〜１０員、より好ましくは５または６員の芳香族複素環基が用いられる。具体的には、例えば、チエニル（例、２−チエニル、３−チエニル）、フリル（例、２−フリル、３−フリル）、ピリジル（例、２−ピリジル、３−ピリジル、４−ピリジル）、チアゾリル（例、２−チアゾリル、４−チアゾリル、５−チアゾリル）、オキサゾリル（例、２−オキサゾリル、４−オキサゾリル）、ピラジニル、ピリミジニル（例、２−ピリミジニル、４−ピリミジニル）、ピロリル（例、１−ピロリル、２−ピロリル、３−ピロリル）、イミダゾリル（例、１−イミダゾリル、２−イミダゾリル、４−イミダゾリル）、ピラゾリル（例、１−ピラゾリル、３−ピラゾリル、４−ピラゾリル）、ピリダジニル（例、３−ピリダジニル、４−ピリダジニル）、イソチアゾリル（例、３−イソチアゾリル）、イソオキサゾリル（例、３−イソオキサゾリル）、イミダゾリル基などが挙げられる。
本明細書において、「芳香族縮合複素環基」としては、Ｃ７〜Ｃ２０芳香族縮合複素環基であることが好ましく、たとえば、３〜１１個の炭素原子以外に窒素原子、硫黄原子および酸素原子から選ばれる１または２種、１〜４個のヘテロ原子を含む５〜１４員（好ましくは５〜１０員）の２環または３環式の芳香族複素環基、または炭素原子以外に窒素原子、硫黄原子および酸素原子から選ばれる１または２種、１〜４個のヘテロ原子を含む５〜１４員（好ましくは５〜１０員）の７〜１０員芳香族複素架橋環から任意の１個の水素原子を除いてできる１価の基が用いられる。具体的には、例えば、キノリル（例、２−キノリル、３−キノリル、４−キノリル、５−キノリル、８−キノリル）、イソキノリル（例、１−イソキノリル、３−イソキノリル、４−イソキノリル、５−イソキノリル）、インドリル（例、１−インドリル、２−インドリル、３−インドリル）、２−ベンゾチアゾリル、ベンゾ［ｂ］チエニル、（例、２−ベンゾ［ｂ］チエニル、３−ベンゾ［ｂ］チエニル）、ベンゾ［ｂ］フラニル（例、２−ベンゾ［ｂ］フラニル、３−ベンゾ［ｂ］フラニル）などが挙げられる。
本明細書において、「Ｃ１〜Ｃ３０アルキル基」は、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基であることが好ましく、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基であることが更に好ましい。アルキル基の例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ドデカニル等を挙げることができる。
本明細書において、「Ｃ２〜Ｃ３０アルケニル基」は、Ｃ２〜Ｃ１０アルケニル基であることが好ましく、Ｃ２〜Ｃ６アルケニル基であることが更に好ましい。アルケニル基の例としては、制限するわけではないが、ビニル、アリル、プロペニル、イソプロペニル、２−メチル−１−プロペニル、２−メチルアリル、２−ブテニル等を挙げることができる。
本明細書において、「Ｃ2〜Ｃ３０アルキニル基」は、Ｃ２〜Ｃ１０アルキニル基であることが好ましく、Ｃ２〜Ｃ６アルキニル基であることが更に好ましい。アルキニル基の例としては、制限するわけではないが、エチニル、プロピニル、ブチニル等を挙げることができる。
本明細書において、「Ｃ４〜Ｃ３０アルキルジエニル基」は、Ｃ４〜Ｃ１０アルキルジエニル基であることが好ましく、Ｃ４〜Ｃ６アルキルジエニル基であることが更に好ましい。アルキルジエニル基の例としては、制限するわけではないが、１，３−ブタジエニル等を挙げることができる。
本明細書において、「Ｃ１〜Ｃ６のアルコキシカルボニル基」は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基であることが好ましい。
本明細書において、「ジアルキルアミノ基」は、メフェノキシ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基であることが好ましい。
本明細書において、「ジアラルキルアミノ基」は、ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基であることが好ましい。
本明細書において、「α−ハロアルキル基」は、トリフルオロメチル基であることが好ましい。
本明細書において、「Ｃ６〜Ｃ３０アリールオキシ基」は、Ｃ６〜Ｃ１０アリールオキシ基であることが好ましい。アリールオキシ基の例としては、制限するわけではないが、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等を挙げることができる。
本明細書において、「アルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルキル基を示す。）」及び「アルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルキル基を示す。）」において、Ｙ１及びＹ３は、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基であることが好ましく、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基であることが更に好ましい。アルキル基の例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ドデカニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アリールチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ１８アリール基を示す。）」及び「アリールスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ１８アリール基を示す。）」において、Ｙ２及びＹ４は、Ｃ６〜Ｃ１０アリール基であることが好ましい。アリール基の例としては、制限するわけではないが、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、インデニル、ビフェニリル、アントリル、フェナントリル等を挙げることができる。
本明細書において、「置換基」としては、例えば、オキソ、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のＣ１〜Ｃ６のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のＣ１〜Ｃ６のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のＣ１〜Ｃ６のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基、アセチル基等のアシル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基、シアノ基、ニトロ基、メチレンジオキシ、エチレンジオキシ等のＣ１〜Ｃ３アルキレンジオキシが挙げられる。
本明細書において、「フラーレン」とは、炭素原子が球状またはラグビーボール状に配置して形成される炭素クラスターの総称であり（現代化学２０００年６月号４６頁，Chemical Reviews, 98, 2527(1998)参照）、例えば、フラーレンＣ６０（いわゆるバックミンスター・フラーレン）、フラーレンＣ７０、フラーレンＣ７６、フラーレンＣ７８、フラーレンＣ８２、フラーレンＣ８４、フラーレンＣ９０、フラーレンＣ９４、フラーレンＣ９６等が挙げられる。
本発明の好ましい態様の光電変換素子の陰極バッファ層は耐熱性が高い。それによって、本発明の好ましい態様の太陽電池は高い安定性を有する。
本発明の好ましい態様の光電変換素子では、極めて薄い厚さの陰極バッファ層を設ける場合であっても、均一に成膜できる。
本発明の好ましい態様の光電変換素子は、高い変換効率を有する。その結果、本発明の好ましい態様の光電変換素子を用いる太陽電池は高い変換効率を有し、本発明の好ましい態様の光電変換素子を用いる光センサは高い感度を有する。
本発明の好ましい態様の光電変換素子では、極めて薄い厚さの陰極バッファ層を設ける場合であっても、均一に成膜できる。
本発明の好ましい態様の光電変換素子は、高い変換効率を有する。その結果、本発明の好ましい態様の光電変換素子を用いる太陽電池は高い変換効率を有し、本発明の好ましい態様の光電変換素子を用いる光センサは高い感度を有する。
以下に図面を参照して本発明の光電変換素子およびその製造方法等について説明する。
１ 光電変換素子
本発明の第１の実施形態の光電変換素子は、図１に示すように、透明基板１、透明陽極２、陽極バッファ層３、活性層、陰極バッファ層５および陰極６を有する。
本発明の第２の実施形態の光電変換素子は、図２に示すように、透明基板１、透明陽極２、陽極バッファ層３、活性層（p-層）４ａ、活性層（n-層）４b、陰極バッファ層５および陰極６を有する。
本発明の第３の実施形態の光電変換素子は、図３に示すように、透明基板１、透明陽極２、陽極バッファ層３、活性層（p-層）４ａ、活性層（i-層）４ｃ、活性層（n-層）４b、陰極バッファ層５および陰極６を有する。
本発明の第１の実施形態の光電変換素子は、図１に示すように、透明基板１、透明陽極２、陽極バッファ層３、活性層、陰極バッファ層５および陰極６を有する。
本発明の第２の実施形態の光電変換素子は、図２に示すように、透明基板１、透明陽極２、陽極バッファ層３、活性層（p-層）４ａ、活性層（n-層）４b、陰極バッファ層５および陰極６を有する。
本発明の第３の実施形態の光電変換素子は、図３に示すように、透明基板１、透明陽極２、陽極バッファ層３、活性層（p-層）４ａ、活性層（i-層）４ｃ、活性層（n-層）４b、陰極バッファ層５および陰極６を有する。
１．１ 透明基板
透明基板１は光電変換素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。透明基板１としては、特にガラス板、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂基板を用いることが好ましい。透明基板１は、複数の層からなる多層構造を有してもよい。
透明基板１のガスバリア性が低いと、透明基板１を透過してくる外気により光電変換素子が劣化することがある。そこで、透明基板１のガスバリア性が高いことが好ましい。透明基板１に合成樹脂基板を用いる場合、たとえば、合成樹脂基板のどちらか片側もしくは両側に緻密なシリコン酸化膜等を設けることによって、透明基板１のガスバリア性高めることができる。
また、透明基板１は透光性であれば、有色であっても無色であってもよい。
透明基板１は光電変換素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。透明基板１としては、特にガラス板、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂基板を用いることが好ましい。透明基板１は、複数の層からなる多層構造を有してもよい。
透明基板１のガスバリア性が低いと、透明基板１を透過してくる外気により光電変換素子が劣化することがある。そこで、透明基板１のガスバリア性が高いことが好ましい。透明基板１に合成樹脂基板を用いる場合、たとえば、合成樹脂基板のどちらか片側もしくは両側に緻密なシリコン酸化膜等を設けることによって、透明基板１のガスバリア性高めることができる。
また、透明基板１は透光性であれば、有色であっても無色であってもよい。
１．２ 透明陽極
本発明の光電変換素子では、透明基板１上に透明陽極２が設けられる。
本発明の光電変換素子では、透明基板１上に透明陽極２が設けられる。
透明陽極２は透光性であり、透明基板１を透過した光を活性層に透過させると共に、透明陽極２は活性層で生成した光キャリアである正孔を受け取ることができる。
透明陽極２は、通常、インジウム・スズ酸化物またはインジウム亜鉛酸化物などの金属酸化物などにより構成することができる。
透明陽極２は、たとえば、スパッタリング法、真空蒸着法などによって形成できる。透明陽極２における可視光の透過率は60％以上が好ましく、80％以上がさらに好ましい。透明陽極２の厚みは特に限定されないが、10〜1000nmが好ましく、50〜300nmがさらに好ましい。
また、透明陽極２は透光性であれば、有色であっても無色であってもよい。
透明陽極２は、通常、インジウム・スズ酸化物またはインジウム亜鉛酸化物などの金属酸化物などにより構成することができる。
透明陽極２は、たとえば、スパッタリング法、真空蒸着法などによって形成できる。透明陽極２における可視光の透過率は60％以上が好ましく、80％以上がさらに好ましい。透明陽極２の厚みは特に限定されないが、10〜1000nmが好ましく、50〜300nmがさらに好ましい。
また、透明陽極２は透光性であれば、有色であっても無色であってもよい。
１．３ 陽極バッファ層
本発明の光電変換素子では、透明陽極２と活性層との間に陽極バッファ層３が設けられることが好ましい。
本発明の光電変換素子では、透明陽極２と活性層との間に陽極バッファ層３が設けられることが好ましい。
陽極バッファ層３に用いられる材料は、活性層で生成した正孔を透明陽極２へ輸送できる材料であれば特に限定されないが、正孔移動度が高く導電率が高い材料が好ましく、透明陽極２との間の正孔注入障壁が小さいことが好ましい。また、陽極バッファ層３に用いられる材料は、可視光の光に対する透過率が高いことが好ましい。
陽極バッファ層３の材料として、たとえば、電子受容性化合物を混合したポリチオフェンであるポリ（3, 4-エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホン酸）（略称，PEDOT:PSS）、電子受容性化合物を混合したポリアニリン、ポリピロール等の導電性高分子を用いることができる。
陽極バッファ層３の材料として、たとえば、電子受容性化合物を混合したポリチオフェンであるポリ（3, 4-エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホン酸）（略称，PEDOT:PSS）、電子受容性化合物を混合したポリアニリン、ポリピロール等の導電性高分子を用いることができる。
陽極バッファ層３の形成方法としては、たとえばスピンコートやインクジェット等の湿式塗布法が挙げられる。陽極バッファ層３の膜厚は3〜200nmが好ましく、10〜100nmがさらに好ましい。
１．４ 活性層
本発明の光電変換素子では、透明陽極２と陰極バッファ層５との間に活性層が設けられる。光電変換素子が陽極バッファ層３を有する場合には、陽極バッファ層３と陰極バッファ層５との間に活性層が設けられる。
本発明の光電変換素子では、透明陽極２と陰極バッファ層５との間に活性層が設けられる。光電変換素子が陽極バッファ層３を有する場合には、陽極バッファ層３と陰極バッファ層５との間に活性層が設けられる。
活性層に含まれる材料は、可視から近赤外の光を効率的に吸収でき、光で誘起された正孔または電子を効率よく輸送するために高い移動度を有する材料が好ましい。また、活性層では電子供与体と電子受容体との接触面積が大きいことが好ましく、そのためには、エキシトンの拡散長程度の大きさで相分離構造を形成していることが好ましい。
活性層は、電子供与体と電子受容体とを含む層であれば特に限定されず、電子供与体を含む層（p-層）と電子受容体を含む層（n-層）が個別に形成された構造、電子供与体と電子受容体とを含む混合層（i-層）が形成された構造、または、p-層とn-層とi-層とからなる群から選ばれる１以上の層を選択的に有してもよい。
本発明の光電変換素子を構成する「活性層」の構造は、たとえば以下の３つの構造を有することができる。
(1)活性層（i-層）の１層構造（図１ 第１の態様）
(2)活性層（p-層）、活性層（i-層）および活性層（n-層）からなる３層構造（図３ 第３の態様）
(3)活性層（p-層）および活性層（n-層）からなる２層構造（図２ 第２の態様）
本発明の光電変換素子を構成する「活性層」の構造は、たとえば以下の３つの構造を有することができる。
(1)活性層（i-層）の１層構造（図１ 第１の態様）
(2)活性層（p-層）、活性層（i-層）および活性層（n-層）からなる３層構造（図３ 第３の態様）
(3)活性層（p-層）および活性層（n-層）からなる２層構造（図２ 第２の態様）
具体的には、以下のとおりである。
バルクヘテロ接合型の光電変換素子においては、図１に示すように、電子供与体と電子受容体を混合して活性層（i-層）４ｃを形成するものである（第１の態様）。電子供与体と電子受容体が相分離構造を形成することにより、両者の接触面積を増大させることができる。
また、このバルクへテロ接合素子における電荷分離をさらに高効率に行え得る構造として、図３に示すような、３層構造からなるp-i-n接合素子がある（第３の態様）。p-i-n接合素子においては、電子供与体を含む活性層（p-層）４ａ、電子供与体と電子受容体とを含む活性層（i-層）４ｃおよび電子受容体を含む活性層（n-層）４bが積層される。
ヘテロ接合型の光電変換素子は、図２に示すように、活性層は電子供与体を含む活性層（p-層）４ａと電子受容体を含む活性層（n-層）４bとからなる２層構造を有し、このｐｎ接合界面で電荷分離が行われる（第２の態様）。
バルクヘテロ接合型の光電変換素子においては、図１に示すように、電子供与体と電子受容体を混合して活性層（i-層）４ｃを形成するものである（第１の態様）。電子供与体と電子受容体が相分離構造を形成することにより、両者の接触面積を増大させることができる。
また、このバルクへテロ接合素子における電荷分離をさらに高効率に行え得る構造として、図３に示すような、３層構造からなるp-i-n接合素子がある（第３の態様）。p-i-n接合素子においては、電子供与体を含む活性層（p-層）４ａ、電子供与体と電子受容体とを含む活性層（i-層）４ｃおよび電子受容体を含む活性層（n-層）４bが積層される。
ヘテロ接合型の光電変換素子は、図２に示すように、活性層は電子供与体を含む活性層（p-層）４ａと電子受容体を含む活性層（n-層）４bとからなる２層構造を有し、このｐｎ接合界面で電荷分離が行われる（第２の態様）。
活性層に到達した光の吸収により生成した正孔・電子対の電荷分離を効率良く行うために、本発明の光電変換素子は、たとえば、ヘテロ接合型、バルクへテロ接合型等の構造を有することができる。
以下に、本発明の光電変換素子を構成する活性層に用いられる電子供与体と電子受容体について説明する。
１．４．１ 電子供与体
活性層に用いられる電子供与体としては、電子供与体として機能する化合物であれば特に限定されない。
電子供与体としては、たとえば、ポルフィリン化合物およびフタロシアニン化合物が挙げられるが、これらの化合物はその中心に金属を有していてもよいし、金属を有さない化合物であってもよい。ポルフィリン化合物としては、たとえば、上記式（III）または（IV）で表されるベンゾポルフィリン化合物が挙げられる。
活性層に用いられる電子供与体としては、電子供与体として機能する化合物であれば特に限定されない。
電子供与体としては、たとえば、ポルフィリン化合物およびフタロシアニン化合物が挙げられるが、これらの化合物はその中心に金属を有していてもよいし、金属を有さない化合物であってもよい。ポルフィリン化合物としては、たとえば、上記式（III）または（IV）で表されるベンゾポルフィリン化合物が挙げられる。
上記式（III）および（IV）において、Ｚ1a、Ｚ1b、Ｚ2a、Ｚ2b、Ｚ3a、Ｚ3b、Ｚ4aおよびＺ4bは各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基であり、Ｚ1aとＺ1b、Ｚ2aとＺ2b、Ｚ3aとＺ3bまたはＺ4aとＺ4bが結合して環を形成していてもよい。
Ｚ1a、Ｚ1b、Ｚ2a、Ｚ2b、Ｚ3a、Ｚ3b、Ｚ4aおよびＺ4bにおける１価の有機基としては、たとえば、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基、置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ３０アリールオキシ基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、置換基を有してもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルキル基を示す。）、置換基を有してもよいアリールチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ１８アリール基を示す。）、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルキル基を示す。）、置換基を有してもよいアリールスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ１８アリール基を示す。）、シアノ基、アシル基、置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいジアルキルアミノ基、置換基を有してもよいジアラルキルアミノ基、置換基を有してもよいα−ハロアルキル基、置換基を有してもよい芳香族環基が好ましい。これらの中でも、１価の有機基はＣ１〜Ｃ３０アルキル基またはＣ２〜Ｃ３０アルケニル基が好ましい。
上記式（III）および（IV）において、ＺiaとＺib（i＝１〜４）が結合して環を形成する有機基としては、たとえば、置換基を有していてもよいベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等の芳香族炭化水素環；置換基を有していてもよいピリジン環、キノリン環、フラン環、チオフェン環等の芳香族複素環；シクロヘキサン環等の非芳香族環状炭化水素等が挙げられる
上記式（III）および（IV）において、Ｒ9〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基である。
Ｒ9〜Ｒ12における１価の有機基としては、たとえば、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基、置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ３０アリールオキシ基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、置換基を有してもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルキル基を示す。）、置換基を有してもよいアリールチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ１８アリール基を示す。）、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルキル基を示す。）、置換基を有してもよいアリールスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ１８アリール基を示す。）、シアノ基、アシル基、置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいジアルキルアミノ基、置換基を有してもよいジアラルキルアミノ基、置換基を有してもよいα−ハロアルキル基、置換基を有してもよい芳香族環基が好ましい。
これらの中でも、Ｒ9〜Ｒ12は、化合物の分子の平面性を高めるために、水素原子、ハロゲン原子等の単原子から選ばれることが好ましい。
これらの中でも、Ｒ9〜Ｒ12は、化合物の分子の平面性を高めるために、水素原子、ハロゲン原子等の単原子から選ばれることが好ましい。
上記式（IV）において、Ｍは２価の金属原子または３価以上の金属と他の原子の結合した原子団である。２価の金属原子としては、たとえば、Ｚn、Ｃu、Ｆe、Ｎi、Ｃoが挙げられ、３価以上の金属と他の原子の結合した原子団としては、たとえばＦe−Ｂ1、Ａl−Ｂ2、Ｔi＝Ｏ、Ｓi−Ｂ3Ｂ4、等が挙げられる（これらの式中、Ｂ1、Ｂ2、Ｂ3、Ｂ4はハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基等の１価の基を表す）。
活性層の電子供与体に用いられるベンゾポルフィリン化合物として好ましい化合物の具体例としては、下記の式BP-1〜BP-10で表される化合物、2,3,7,8,12,13,17,18-21H,23H-ポルフィン白金等が挙げられる。なお、ベンゾポルフィリン化合物等の具体例は下記の化合物に限定されるものではない。BP-1〜BP-10で表される化合物は比較的に対称性の良い分子構造を有しているが、部分的な構造の組み合わせによる非対称性の構造を有する化合物も使用できる。
活性層の電子供与体に用いられるフタロシアニン化合物の具体例としては、29H,31H-フタロシアニン、銅フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、スズフタロシアニン、チタンフタロシアニンオキシド、銅,4',4'',4'''-テトラアザ-29H,31H-フタロシアニンなどが挙げられる。
電子供与体として、ポルフィリン化合物およびフタロシアニン化合物以外にも、共役系高分子化合物を用いることができる。共役系高分子化合物の具体例としては、ポリチオエフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリフルオレンを基本骨格とするものが挙げられる。以下に具体例を示す。
（上記式中、ｎは２０〜５０００の整数である）
（上記式中、ｎは２０〜５０００の整数である）
これらの高分子化合物を含む活性層は、たとえば湿式塗布法等により形成することができる。
活性層の電子供与体は２種以上の化合物の混合物であってもよい。
１．４．２ 電子受容体
活性層に用いられる電子受容体としては、電子供与体として機能する化合物であれば特に限定されない。
活性層に用いられる電子受容体は、光吸収に際して電子供与体から効率よく電子を受け取り、陰極バッファ層５を通して陰極６へと効率よく輸送できることが好ましい。このためには、電子受容体と電子供与体の最低空軌道（LUMO）の相対関係が重要であり、電子供与体材料のLUMOが電子受容体材料のLUMOより約0.3eV以上高い、すなわち、電子受容体層材料の電子親和力が電子供与体層材料の電子親和力より0.3eV以上高いことが好ましい。また、電子受容体においては電子の移動度が高いことが好ましく、10-4[cm2/Vs]以上の移動度を有する電子受容体を用いることが好ましい。
活性層に用いられる電子受容体としては、電子供与体として機能する化合物であれば特に限定されない。
活性層に用いられる電子受容体は、光吸収に際して電子供与体から効率よく電子を受け取り、陰極バッファ層５を通して陰極６へと効率よく輸送できることが好ましい。このためには、電子受容体と電子供与体の最低空軌道（LUMO）の相対関係が重要であり、電子供与体材料のLUMOが電子受容体材料のLUMOより約0.3eV以上高い、すなわち、電子受容体層材料の電子親和力が電子供与体層材料の電子親和力より0.3eV以上高いことが好ましい。また、電子受容体においては電子の移動度が高いことが好ましく、10-4[cm2/Vs]以上の移動度を有する電子受容体を用いることが好ましい。
活性層に用いられる好ましい電子受容体材料としては、フラーレンまたはフラーレン誘導体が挙げられ、具体例としては、以下に示すフラーレンまたはフラーレン誘導体が挙げられる。
活性層の電子受容体は２種以上の化合物の混合物であってもよい。
１．４．３ 活性層の形成方法
活性層を形成する方法は限定されず、活性層に含まれる電子受容体および電子供与体等の性質に応じて適した活性層の形成方法が用いられる。活性層（活性層が複数の層からなる場合は、これらを構成する各層）の形成方法としては、活性層を構成する電子受容体、電子供与体またはそれらの混合物を準備し、これらを真空蒸着法または湿式塗布によって設けることが一般的である。
活性層に含まれる材料が昇華性を有する場合には真空蒸着法が適用され、活性層に含まれる材料が適当な溶媒に可溶な場合には、スピンコート、キャスト法、ブレードコート、インクジェット、グラビア印刷等の塗布方法が適用される。薄膜の結晶性および形状を制御する場合、湿式塗布法で形成することが好ましい。
活性層を形成する方法は限定されず、活性層に含まれる電子受容体および電子供与体等の性質に応じて適した活性層の形成方法が用いられる。活性層（活性層が複数の層からなる場合は、これらを構成する各層）の形成方法としては、活性層を構成する電子受容体、電子供与体またはそれらの混合物を準備し、これらを真空蒸着法または湿式塗布によって設けることが一般的である。
活性層に含まれる材料が昇華性を有する場合には真空蒸着法が適用され、活性層に含まれる材料が適当な溶媒に可溶な場合には、スピンコート、キャスト法、ブレードコート、インクジェット、グラビア印刷等の塗布方法が適用される。薄膜の結晶性および形状を制御する場合、湿式塗布法で形成することが好ましい。
図２に示すヘテロ接合素子構造では、電子供与体を含む層である活性層（p-層）４ａと電子受容体を含む層である活性層（n-層）４ｂとをそれぞれ成膜して積層させればよい。図１および図３に示すバルクへテロ接合素子においては、電子供与体と電子受容体とを含む混合層である活性層（i-層）４ｃを形成する必要があるが、真空蒸着法では電子供与体と電子受容体を共蒸着することにより形成することができ、塗布方法では電子供与体と電子受容体を含有する混合溶液を用いて形成することができる。
このように形成される活性層の平均膜厚は、一般的に10〜2000 nmであり、好ましくは20〜1000 nmである。
ベンゾポルフィリン化合物は有機溶媒等に対する溶解度が低いため、湿式塗布法を用いてベンゾポルフィリン化合物を含む活性層（たとえば、活性層（p-層）４ａ、活性層（i-層）４ｃ）を形成する場合、塗布が容易ではない場合がある。したがって、活性層においてベンゾポルフィリン化合物を電子供与体として用いる場合、たとえば、上記式（V）または（VI）で表される可溶性前駆体を塗布した後に、熱転換して目的とする化合物からなる層を形成することが好ましい。
上記式（V）および（VI）中のＺ1a、Ｚ1b、Ｚ2a、Ｚ2b、Ｚ3a、Ｚ3b、Ｚ4a、Ｚ4b、Ｒ9〜Ｒ12およびＭは、それぞれ、式（III）および（IV）と同様である。前記式（V）および（VI）において、Ｙ1〜Ｙ4は、それぞれ独立して、１価の原子または原子団を表す。また、式（III）および（IV）において、Ｙ1〜Ｙ4はそれぞれ４個ずつ存在するが、Ｙ1同士、Ｙ2同士、Ｙ3同士およびＹ4同士はそれぞれ同じでも、互いに異なってもよい。
式（V）および（VI）におけるＹ1〜Ｙ4の例を挙げると、原子としては水素原子、ハロゲン原子などが挙げられ、原子団としては水酸基、１価の有機基などが挙げられる。
Ｙ1〜Ｙ4における１価の有機基としては、たとえば、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基、置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ３０アリールオキシ基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、置換基を有してもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルキル基を示す。）、置換基を有してもよいアリールチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ１８アリール基を示す。）、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルキル基を示す。）、置換基を有してもよいアリールスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ１８アリール基を示す。）、シアノ基、アシル基、置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいジアルキルアミノ基、置換基を有してもよいジアラルキルアミノ基、置換基を有してもよいα−ハロアルキル基、置換基を有してもよい芳香族環基が好ましい。
Ｙ1〜Ｙ4における１価の有機基としては、たとえば、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基、置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ３０アリールオキシ基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、置換基を有してもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルキル基を示す。）、置換基を有してもよいアリールチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ１８アリール基を示す。）、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルキル基を示す。）、置換基を有してもよいアリールスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ１８アリール基を示す。）、シアノ基、アシル基、置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいジアルキルアミノ基、置換基を有してもよいジアラルキルアミノ基、置換基を有してもよいα−ハロアルキル基、置換基を有してもよい芳香族環基が好ましい。
前記ベンゾポルフィリン化合物（テトラベンゾポルフィリン BP-1）を例にとって、湿式塗布成膜による電子供与体層（p-層）を形成する方法を以下に説明する。
ベンゾポルフィリン化合物は、その前駆体として対応するビシクロ化合物を用いて合成することができる。この前駆体は平面構造でないため、溶媒への溶解性が高くかつ結晶化もしにくいため、溶液から塗布することにより、アモルファスまたはアモルファスに近い良好な膜を与える。この膜を加熱処理して脱エチレン反応により、平面性の高いベンゾポルフィリン化合物膜を得ることができる。無置換、無金属体の構造では以下のような化学反応で表される。
ベンゾポルフィリン化合物は、その前駆体として対応するビシクロ化合物を用いて合成することができる。この前駆体は平面構造でないため、溶媒への溶解性が高くかつ結晶化もしにくいため、溶液から塗布することにより、アモルファスまたはアモルファスに近い良好な膜を与える。この膜を加熱処理して脱エチレン反応により、平面性の高いベンゾポルフィリン化合物膜を得ることができる。無置換、無金属体の構造では以下のような化学反応で表される。
上記の反応は100℃以上、好ましくは150℃以上に加熱することにより定量的に進行する。また、前駆体から脱離する化合物がエチレン分子であるため、系内に残りにくく、毒性、安全性の面でも特に問題はなく、上記反応を用いることは好ましい。
１．５ 陰極バッファ層
本発明の光電変換素子は、活性層と陰極６との間に上記式（I）で表されるシンノリン骨格を有する化合物を含む陰極バッファ層５が設けられている。上記式（I）で表される化合物を含む陰極バッファ層５が設けられることによって、活性層で生成した光キャリアである電子を再結合等による失活を抑制し、効率的に陰極６に輸送できるため、結果的に光電変換素子の光電変換特性を向上させることができる。
本発明の光電変換素子は、活性層と陰極６との間に上記式（I）で表されるシンノリン骨格を有する化合物を含む陰極バッファ層５が設けられている。上記式（I）で表される化合物を含む陰極バッファ層５が設けられることによって、活性層で生成した光キャリアである電子を再結合等による失活を抑制し、効率的に陰極６に輸送できるため、結果的に光電変換素子の光電変換特性を向上させることができる。
上記式（I）で表されるシンノリン骨格を有する化合物としては、たとえば、上記式（II）で表される化合物があげられる。
式（II）において、Ｒ1〜Ｒ5はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基、置換基を有してもよい芳香族環基であり、Ｒ6はｎ価の芳香族環基を示し、ｎは２〜４の整数を示す。
上記式（I）で表されるシンノリン骨格を有する化合物および上記式（II）で表される化合物は、公知の方法で合成でき、たとえば、S. F. Vasilevskyら：Liebig Ann.，775-779頁，1995年に記載された方法で合成できる。
上記式（II）で表される化合物としては、以下に示す式（１）〜（２６）で表される化合物を用いることが好ましい。なお、本発明において、式（II）で表される化合物は（１）〜（２６）で表される化合物に限定されるものではない。
本発明の光電変換素子の陰極バッファ層５は、たとえば真空蒸着法または湿式塗布方法により形成できる。
陰極バッファ層５の膜厚が1nm以下の場合、活性層を完全に被覆することが困難となるため開放電圧（Voc）が低下しやすくなる。他方、陰極バッファ層の膜厚が100nm以上の場合、陰極バッファ層５の層自体の直列抵抗が無視できなくなり、フィルファクター（FF）が低下しやすくなる。そこで、陰極バッファ層の膜厚は、1〜100 nmが好ましく、2〜50 nmであることがさらに好ましい。
１．６ 陰極
本発明の光電変換素子では、陰極バッファ層５の上に陰極６が設けられる。
本発明の光電変換素子では、陰極バッファ層５の上に陰極６が設けられる。
陰極６に用いられる材料は、活性層で電荷分離した電子を、陰極バッファ層５を通して受け取ることができる材料であれば特に限定されない。
陰極６に用いられる材料として、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金を用いると、活性層で電荷分離した電子を効率的に受け取ることができるので好ましい。
陰極６の膜厚は特に限定されないが、一般的に50〜300 nmが好ましい。
陰極６に用いられる材料として、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金を用いると、活性層で電荷分離した電子を効率的に受け取ることができるので好ましい。
陰極６の膜厚は特に限定されないが、一般的に50〜300 nmが好ましい。
２ その他の実施形態
図１、図２および図３に基づき本発明の第１〜第３の実施形態の光電変換素子を説明したが、本発明はこれらの実施形態の構成に限定されるものではない。
第１〜第３の実施形態の光電変換素子は、透明基板１上に透明陽極２を設けて活性層に光を透過させる構造を有するが、たとえば、透光性を有する陰極（透明陰極）を透明基板１上に設けて活性層に光を透過させる構造を有してもよい。具体的には、透明基板１の上に、透明陰極、陰極バッファ層５、活性層（活性層（p-層）４ａ、活性層（i-層）４ｃ、活性層（n-層）４b等からなる活性層を含む）、任意の陽極バッファ層３、陽極という順に積層された構造を有することもできる。
図１、図２および図３に基づき本発明の第１〜第３の実施形態の光電変換素子を説明したが、本発明はこれらの実施形態の構成に限定されるものではない。
第１〜第３の実施形態の光電変換素子は、透明基板１上に透明陽極２を設けて活性層に光を透過させる構造を有するが、たとえば、透光性を有する陰極（透明陰極）を透明基板１上に設けて活性層に光を透過させる構造を有してもよい。具体的には、透明基板１の上に、透明陰極、陰極バッファ層５、活性層（活性層（p-層）４ａ、活性層（i-層）４ｃ、活性層（n-層）４b等からなる活性層を含む）、任意の陽極バッファ層３、陽極という順に積層された構造を有することもできる。
３ 光電変換素子の製造
本発明の光電変換素子は、たとえば、透明基板１上に透明陽極２を設ける工程、透明陽極２上に陽極バッファ層３を設ける工程、陽極バッファ層３上に活性層を設ける工程、活性層上に陰極バッファ層５を設ける工程および陰極バッファ層５上に陰極６を設ける工程を経て製造できる。
本発明の光電変換素子を製造する際、活性層上に陰極バッファ層５を設ける工程以降に、素子を５０〜２５０℃の温度範囲でアニール処理すると、得られる光電変換素子の熱安定性を向上させることができる、陰極６と陰極バッファ層５との間の接触を向上させることができる、活性層の構造緩和ができる、活性層の結晶化を促進できる等の効果を得ることができる。
アニール処理するためには、陰極バッファ層５の材料は、耐熱性の指標であるガラス転移温度（Ｔｇ）が、８０℃以上であることが好ましい。
本発明の光電変換素子は、たとえば、透明基板１上に透明陽極２を設ける工程、透明陽極２上に陽極バッファ層３を設ける工程、陽極バッファ層３上に活性層を設ける工程、活性層上に陰極バッファ層５を設ける工程および陰極バッファ層５上に陰極６を設ける工程を経て製造できる。
本発明の光電変換素子を製造する際、活性層上に陰極バッファ層５を設ける工程以降に、素子を５０〜２５０℃の温度範囲でアニール処理すると、得られる光電変換素子の熱安定性を向上させることができる、陰極６と陰極バッファ層５との間の接触を向上させることができる、活性層の構造緩和ができる、活性層の結晶化を促進できる等の効果を得ることができる。
アニール処理するためには、陰極バッファ層５の材料は、耐熱性の指標であるガラス転移温度（Ｔｇ）が、８０℃以上であることが好ましい。
４ 光電変換素子の用途
本発明の光電変換素子は、太陽電池、光スイッチング装置、光センサ等の各種の光電変換装置に用いることができる。
本発明の光電変換素子は、太陽電池、光スイッチング装置、光センサ等の各種の光電変換装置に用いることができる。
次に、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
化合物I（２４０ｍｇ，０．６６５ｍｍｏｌ）と化合物II（５４．４ｍｇ，０．３２８ｍｍｏｌ）の水（０．７７ｍＬ）、エタノール（０．５６ｍＬ）、トルエン（１．８ｍＬ）の混合溶液に、Ｐｄ（ＰＰh）４７５．８ｍｇ（０．０６５６ｍｍｏｌ），炭酸ナトリウム１５３mg（１．４４ｍｍｏｌ）を加え、１２０℃に昇温し、１６時間攪拌した。室温へ放冷後、塩化アンモニウム水溶液を加えた。クロロホルムで抽出し硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、乾燥させることで粗生成物を得た。
当該生成物をトルエンを用いて再結晶することで、上記式（４）で表される化合物（以下、「シンノリン化合物４」という）を収率５１％で得た。同定は、1H NMR、13C NMR、質量分析、元素分析により行った。
融点: 338-339 ℃. 1H NMR (500 MHz, CDCl3中) δ7.26-7.30 (m, 6H), 7.33-7.35 (m, 4H), 7.45-7.47 (m, 6H), 7.53-7.55 (m, 4H), 7.77-7.81 (m, 4H), 7.96-7.98 (m, 4H), 8.05 (s, 4H). 13C NMR (125 MHz, CDCl3中) δ125.0, 126.1, 127.9, 128.0, 128.4, 128.7, 130.56, 130.64, 131.0, 131.2, 131.3, 134.6, 137.6, 141.5, 147.2, 152.6. 質量分析(イオン化法：APCI+): 639 (M+1). 元素分析：計算値（C48H52N2）：C, 86.49; H, 4.73; N, 8.77. 実測値: C, 86.49; H, 4.73; N, 8.77.
［実施例１］
図３に示す構造を有する光電変換素子を以下の方法で作製した。
透明基板１であるガラス基板の上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を 145nm堆積してから（シート抵抗8.4Ω）、通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて 2mm幅のストライプにパターニングして透明陽極２を形成した。このようにＩＴＯ透明導電膜の透明陽極２が形成されたガラス基板を、界面活性剤による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
図３に示す構造を有する光電変換素子を以下の方法で作製した。
透明基板１であるガラス基板の上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を 145nm堆積してから（シート抵抗8.4Ω）、通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて 2mm幅のストライプにパターニングして透明陽極２を形成した。このようにＩＴＯ透明導電膜の透明陽極２が形成されたガラス基板を、界面活性剤による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
得られた基板に、導電性高分子であるPEDOT:PSS（スタルクヴィテック社製、品名CLEVIOS AI 4083）を30nmの膜厚でスピンコートした後、大気中120℃で10分間加熱乾燥後、窒素中180℃で３分間加熱処理して、陽極バッファ層３を形成した。
次に、上記式（17）で表されるテトラベンゾポルフィリン化合物の前駆体を、クロロベンゼンとクロロホルムの混合溶媒（重量比で2：1）に0.5重量％で溶かした溶液を用いて、陽極バッファ層３上にスピンコートによって塗布した。塗布後、ホットプレート上、180℃で20分間加熱処理を行った。この加熱処理により褐色の前駆体膜は緑色のテトラベンゾポルフィリン膜へと熱転換され、結晶性の25nmの平均膜厚を有する活性層（p-層）４ａを形成した。
活性層（p-層）４ａの形成後、活性層４ａの上にテトラベンゾポルフィリン前駆体とフラーレン誘導体（SIMEF）をそれぞれ0.6重量％と1.4重量％で、クロロベンゼンとクロロホルムの混合溶媒（重量比1：1）に溶かした溶液を、上記ベンゾポリフィリンからなる活性層（p-層）４ａの上に、スピンコートによって塗布した。塗布後、180℃で20分間加熱処理を行ない、活性層（i-層）４ｃを形成した。
活性層（i-層）４ｃの形成後、活性層４ｃの上にフラーレン誘導体（SIMEF）のトルエン溶液（1.1重量％）をスピンコートによって塗布した。塗布後、65℃で10分間乾燥処理を行ない、活性層（n-層）４bを形成した。
このようにして、陽極バッファ層３上に活性層（p-層）４ａ、活性層（i-層）４ｃおよび活性層（n-層）４bからなる活性層を形成した。
次に、活性層が形成された上記基板を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が1.4x10−４Paまでクライオポンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたメタルボートに、予めシンノリン化合物４を設置しておき、真空排気後に加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度は1.3x10−４Pa、蒸着速度は0.04nm/秒という条件で、活性層（n-層）４bの上に膜厚5nmの膜の陰極バッファ層５を形成した。
引き続き、上部電極用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、透明陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させた基板を、別の真空蒸着室内に設置して陰極バッファ層形成と同様にして装置内の真空度が2.5x10−4Paまで排気した。
陰極6として、アルミニウムを上記陰極バッファ層５上に膜厚96nm（蒸着速度0.8 nm/秒）で形成した。蒸着時の真空度は3.5x10−４Paであった。
陰極6として、アルミニウムを上記陰極バッファ層５上に膜厚96nm（蒸着速度0.8 nm/秒）で形成した。蒸着時の真空度は3.5x10−４Paであった。
このようにして得られた素子をグローブボックス中に取り出した後、80℃において10分間アニール処理を行なった。アニール処理後、背面ガラス板を用いて素子を光硬化樹脂に貼り合わせて封止した。
以上のようにして、2mmx2mm のサイズの受光面積部分を有する光電変換素子を作製した。
この光電変換素子に、ソーラシュミレーター（AM1.5G）の光を100mW/cm2の照射強度で照射して、電圧-電流特性を測定したところ、開放電圧（Voc）0.77V、短絡電流（Jsc）8.9 mA/cm2、フィルファクター（FF）0.63、エネルギー変換効率（ηp）4.3%、という光電変換特性が得られた。
［実施例２］
陰極バッファ層に、シンノリン化合物４の代わりに上記式（１６）で表される化合物を用いた他は実施例１と同様にして光電変換素子を作製した。
この光電変換素子に、ソーラシュミレーター（AM1.5G）の光を100mW/cm2の照射強度で照射して、電圧-電流特性を測定したところ、開放電圧（Voc）0.76V、短絡電流（Jsc）8.9 mA/cm2、フィルファクター（FF）0.54、エネルギー変換効率（ηp）3.7%、という光電変換特性が得られた。
陰極バッファ層に、シンノリン化合物４の代わりに上記式（１６）で表される化合物を用いた他は実施例１と同様にして光電変換素子を作製した。
この光電変換素子に、ソーラシュミレーター（AM1.5G）の光を100mW/cm2の照射強度で照射して、電圧-電流特性を測定したところ、開放電圧（Voc）0.76V、短絡電流（Jsc）8.9 mA/cm2、フィルファクター（FF）0.54、エネルギー変換効率（ηp）3.7%、という光電変換特性が得られた。
［比較例１］
陰極バッファ層５として下記化合物（ＢＣＰ）を用いた他は実施例１と同じようにして光電変換素子を作製した。
陰極バッファ層５として下記化合物（ＢＣＰ）を用いた他は実施例１と同じようにして光電変換素子を作製した。
この光電変換素子に、ソーラシュミレーター（AM1.5G）の光を100mW/cm2の照射強度で照射して、電圧-電流特性を測定したところ、開放電圧（Voc）0.22V、短絡電流（Jsc）7.8mA/cm2、フィルファクター（FF）0.33、エネルギー変換効率（ηp）0.57%、という光電変換特性が得られた。
［比較例２］
陰極バッファ層５を設けず、活性層（n-層）４bの上に陰極６を形成した他は実施例１と同様にして光電変換素子を作製した。
陰極バッファ層５を設けず、活性層（n-層）４bの上に陰極６を形成した他は実施例１と同様にして光電変換素子を作製した。
この光電変換素子に、ソーラシュミレーター（AM1.5G）の光を100mW/cm2の照射強度で照射して、電圧-電流特性を測定したところ、開放電圧（Voc）0.48V、短絡電流（Jsc）8.5mA/cm2、フィルファクター（FF）0.40、エネルギー変換効率（ηp）1.61%、という光電変換特性が得られた。
本発明の光電変換素子は、たとえば有機薄膜型太陽電池、光センサ等に用いることができる。
１ 透明基板
２ 透明陽極
３ 陽極バッファ層
４ａ 活性層（p-層）
４ｂ 活性層（n-層）
４ｃ 活性層（i-層）
５ 陰極バッファ層
６ 陰極
２ 透明陽極
３ 陽極バッファ層
４ａ 活性層（p-層）
４ｂ 活性層（n-層）
４ｃ 活性層（i-層）
５ 陰極バッファ層
６ 陰極
Claims (11)
- 透明基板上に少なくとも一方が透明である陰極と陽極とを有し、前記陰極と前記陽極の間に電子供与体と電子受容体とを含む活性層を有する光電変換素子において、
前記活性層と前記陰極との間に、下記式（II）で表わされる化合物を含む陰極バッファ層を有する光電変換素子。
（Ｒ1〜Ｒ5はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基または置換基を有してもよい芳香族環基であり、Ｒ6はｎ価の芳香族環基を示し、ｎは２〜４の整数を示す。） - 前記活性層が、前記電子供与体として共役系高分子化合物を含有する、請求項１に記載の光電変換素子。
- 前記活性層が、前記電子供与体として下記式（III）または（IV）で表わされるベンゾポルフィリン化合物を含有する、請求項１または２に記載の光電変換素子。
（式（III）および（IV）中、Ｚ1a、Ｚ1b、Ｚ2a、Ｚ2b、Ｚ3a、Ｚ3b、Ｚ4aおよびＺ4bはそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基であり、Ｚ1aとＺ1b、Ｚ2aとＺ2b、Ｚ3aとＺ3bまたはＺ4aとＺ4bが結合して環を形成していてもよく；
Ｒ9〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基であり；
Ｍは２価の金属原子または３価以上の金属と他の原子の結合した原子団である。） - 前記ベンゾポルフィリン化合物が溶解性前駆体からの熱転換により合成される、請求項３に記載の光電変換素子。
- 前記溶解性前駆体が下記式（V）または（VI）で表される化合物である、請求項４に記載の光電変換素子。
（式（V）および（VI）中、Ｚ1a、Ｚ1b、Ｚ2a、Ｚ2b、Ｚ3a、Ｚ3b、Ｚ4aおよびＺ4bはそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基であり、Ｚ1aとＺ1b、Ｚ2aとＺ2b、Ｚ3aとＺ3bまたはＺ4aとＺ4bが結合して環を形成していてもよく；
Ｒ9〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基または１価の有機基であり；
Ｍは２価の金属原子または３価以上の金属と他の原子の結合した原子団であり；
Ｙ1〜Ｙ4は、それぞれ独立して、１価の原子または原子団である。） - 前記活性層が、電子受容体としてフラーレンまたはフラーレン誘導体を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換素子。
- 前記透明基板上に、前記陽極、陽極バッファ層、前記活性層、前記陰極バッファ層および前記陰極が順に積層された構造を有する請求項１〜６のいずれか１項に記載の光電変換素子。
- 前記活性層が活性層（p-層）と活性層（n-層）と活性層（i-層）からなる、または、活性層（p-層）と活性層（n-層）とからなる請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換素子。
- 請求項１〜８のいずれかに記載の光電変換素子を含む太陽電池。
- 透明基板上に透明陽極を設ける工程、前記透明陽極上に陽極バッファ層を設ける工程、前記陽極バッファ層上に活性層を設ける工程、前記活性層上に陰極バッファ層を設ける工程および前記陰極バッファ層上に陰極を設ける工程を含み、
前記陰極バッファ層が下記式（II）で表わされるシンノリン骨格を有する化合物を含む光電変換素子の製造方法。
（Ｒ 1 〜Ｒ 5 はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有してもよいＣ １ 〜Ｃ ３０ 脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよいＣ １ 〜Ｃ ３０ アルコキシ基または置換基を有してもよい芳香族環基であり、Ｒ 6 はｎ価の芳香族環基を示し、ｎは２〜４の整数を示す。） - 前記活性層上に前記陰極バッファ層を設ける工程以降に、前記透明基板を５０〜２５０℃の温度範囲で、アニール処理する工程を含む、請求項１０に記載の光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010014573A JP5605604B2 (ja) | 2010-01-26 | 2010-01-26 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010014573A JP5605604B2 (ja) | 2010-01-26 | 2010-01-26 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011154822A JP2011154822A (ja) | 2011-08-11 |
| JP5605604B2 true JP5605604B2 (ja) | 2014-10-15 |
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ID=44540656
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5605604B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013110224A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光電変換素子、太陽電池、及び太陽電池モジュール |
| KR101496520B1 (ko) | 2012-11-20 | 2015-02-27 | 주식회사 엘지화학 | 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| KR101496521B1 (ko) * | 2012-11-20 | 2015-02-27 | 주식회사 엘지화학 | 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| WO2017119532A1 (ko) * | 2016-01-06 | 2017-07-13 | 한양대학교 산학협력단 | 전자 직물, 그 제조방법 및 이를 이용한 웨어러블 전기발전기 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8901430D0 (en) * | 1989-01-23 | 1989-03-15 | Smithkline Beckman Intercredit | Compounds |
| JP2005311329A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子及び撮像素子 |
| JP4951224B2 (ja) * | 2005-08-23 | 2012-06-13 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法 |
| JP5243714B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2013-07-24 | 三菱化学株式会社 | 有機光電変換素子の製造方法及び有機光電変換素子 |
| DE102008024182A1 (de) * | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für organische elektronische Vorrichtung |
| KR100999377B1 (ko) * | 2008-06-18 | 2010-12-09 | 한국과학기술원 | 유기기반 태양전지 및 그의 제조방법 |
-
2010
- 2010-01-26 JP JP2010014573A patent/JP5605604B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2011154822A (ja) | 2011-08-11 |
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