JP5588683B2 - Manufacturing method of multilayer printed wiring board - Google Patents

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Description

本発明は、多層プリント配線板の製造方法、特に接着フィルムを用いた多層プリント配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a multilayer printed wiring board, and more particularly to a method for producing a multilayer printed wiring board using an adhesive film.

従来、多層プリント配線板の製造技術として、コア基板上に絶縁層と導体層を交互に積み重ねるビルトアップ方式による製造方法が知られている。例えば、絶縁層形成には、プラスチックフィルム上に熱硬化性樹脂層が形成された接着フィルムを使用し、接着フィルムを内層回路基板にラミネート（積層）し、熱硬化性樹脂を熱硬化する方法が知られている。また絶縁層には無機充填材が含有される場合がある。   Conventionally, as a manufacturing technique of a multilayer printed wiring board, a manufacturing method by a built-up method in which insulating layers and conductor layers are alternately stacked on a core substrate is known. For example, an insulating layer is formed by using an adhesive film in which a thermosetting resin layer is formed on a plastic film, laminating (laminating) the adhesive film on an inner circuit board, and thermosetting the thermosetting resin. Are known. The insulating layer may contain an inorganic filler.

近年の電子機器や電子部品の小型化、高機能化等のニーズにより、多層プリント配線板においては、薄型化、配線の高密度化が要求される傾向にある。多層プリント配線板の薄型化の要求の中で、同時に機械強度を維持するためには、例えば、層間絶縁層を形成する材料としてシリカ等の無機充填材を多く含有させて、層間絶縁層の弾性率を高くすることが有効と考えられる。   Due to recent needs for downsizing and high functionality of electronic devices and electronic parts, multilayer printed wiring boards tend to be required to be thinner and have higher wiring density. In order to maintain the mechanical strength at the same time in the demand for thinning the multilayer printed wiring board, for example, a large amount of an inorganic filler such as silica is contained as a material for forming the interlayer insulating layer, and the elasticity of the interlayer insulating layer is It is considered effective to increase the rate.

また、配線が高密度化された多層プリント配線板では、銅配線と絶縁層との熱膨張係数の違いによるクラック発生等の問題が生じやすくなるが、シリカ等の無機充填材を絶縁層に多く含有させることは、かかる銅配線と絶縁層との熱膨張係数の違いによるクラック発生の防止対策としても有効である。すなわち、層間絶縁層の形成材料に熱膨張率の低い無機充填材を多く含有させることで、絶縁層の熱膨張率を低く抑えることができ、銅配線と絶縁層との熱膨張係数の差を減少させて、クラックの発生を抑制することができる。   Also, multilayer printed wiring boards with high-density wiring tend to cause problems such as cracking due to the difference in thermal expansion coefficient between the copper wiring and the insulating layer, but many inorganic fillers such as silica are used in the insulating layer. The inclusion is also effective as a countermeasure for preventing the occurrence of cracks due to the difference in thermal expansion coefficient between the copper wiring and the insulating layer. That is, by including a large amount of an inorganic filler having a low coefficient of thermal expansion in the formation material of the interlayer insulating layer, the coefficient of thermal expansion of the insulating layer can be kept low, and the difference in coefficient of thermal expansion between the copper wiring and the insulating layer can be reduced. It is possible to reduce the occurrence of cracks.

特許文献１、２は、接着フィルムを使用した多層プリント配線板の製造方法が記載され、特許文献１には、離型層を有する支持ベースフィルムと熱硬化性樹脂組成物からなる接着フィルムを使用して、コア基板に該接着フィルムを積層し、支持ベースフィルムの付いた状態で熱硬化後、支持ベースフィルムの付いたままで、或いは、剥離後にレーザー又はドリルにより孔開けする工法が開示されている。また、特許文献２には、金属箔の片面に絶縁層、さらにその絶縁層表面に引き剥がし可能な有機フィルムを積層し、有機フィルム面側からレーザー加工する工法が開示されている。
特開２００１−１９６７４３号公報 特許第３８９９５４４号公報 Patent Documents 1 and 2 describe a method for producing a multilayer printed wiring board using an adhesive film, and Patent Document 1 uses a support base film having a release layer and an adhesive film made of a thermosetting resin composition. Then, a method of laminating the adhesive film on the core substrate and thermally curing it with the support base film attached, or with the support base film attached, or after peeling is disclosed with a laser or drill method is disclosed. . Patent Document 2 discloses a method of laminating an insulating layer on one surface of a metal foil and further peeling a peelable organic film on the surface of the insulating layer, and laser processing from the organic film surface side.
JP 2001-196743 A Japanese Patent No. 3899544

絶縁層に無機充填材が多く含有される場合、ブラインドビア（ビアホール）の形成に課題が生じる。ブラインドビアの形成には、例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを使用する方法が考えられるが、ＵＶ−ＹＡＧレーザーは無機充填材の加工性は良好であるものの、コストや加工速度の観点から、必ずしも満足のいくものではない。一方、炭酸ガスレーザーは加工速度やコストの面でＵＶ−ＹＡＧレーザーより優れるものの、無機充填材を多く含有する絶縁層に炭酸ガスレーザーを照射してブラインドビアを形成した場合には加工性が低下し、ビア底径がトップ径に比べて小さく、テーパの強い形状となり、ブラインドビアの導通信頼性を低下させる要因となる。ビア底径をトップ径に近い形状とするには、強いエネルギーで加工を行えばよいが、炭酸ガスレーザーのエネルギーを高くした場合、絶縁層表面に加わるダメージが増大し、孔周辺の凹凸の程度が大きくなり、微細配線化に不都合になるなどの問題があることが分かった。かかる問題は、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に、ブラインドビアの孔径（トップ径）が１００μｍ以下となるような高密度のプリント配線板を製造する際に顕在化する。一方、上記２つの文献に記載のレーザー加工は、孔径（トップ径）が１００μｍを超えるビアを形成する加工であるため、大きな問題とはならない。   When the insulating layer contains a large amount of inorganic filler, a problem arises in the formation of blind vias (via holes). For the formation of the blind via, for example, a method using a UV-YAG laser can be considered, but although the UV-YAG laser has good workability of the inorganic filler, it is not always satisfactory from the viewpoint of cost and processing speed. It's not going. On the other hand, the carbon dioxide laser is superior to the UV-YAG laser in terms of processing speed and cost, but when the blind via is formed by irradiating the insulating layer containing a large amount of inorganic filler with the carbon dioxide laser, the workability is lowered. However, the via bottom diameter is smaller than the top diameter and has a strong taper, which causes a reduction in the conduction reliability of the blind via. In order to make the via bottom diameter close to the top diameter, processing should be performed with strong energy. However, when the energy of the carbon dioxide laser is increased, the damage applied to the surface of the insulating layer increases and the degree of unevenness around the hole. It has been found that there are problems such as inconvenience in making fine wiring. Such a problem becomes apparent when a high-density printed wiring board having a blind via hole diameter (top diameter) of 100 μm or less is manufactured in an insulating layer containing 35% by mass or more of an inorganic filler. On the other hand, the laser processing described in the above two documents is not a big problem because it is a processing for forming a via having a hole diameter (top diameter) exceeding 100 μm.

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その解決しようとする課題は、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に対して、炭酸ガスレーザーにより、トップ径が１００μｍ以下のブラインドビアを生産性よく形成することができ、かつ、ビア周辺の絶縁層表面に大きな凹凸を生じさせず、トップ径とビア底径との差が小さい良好な孔形状のブラインドビアを形成することができる、多層プリント配線板の製造方法を提供することである。   This invention is made | formed in view of said situation, The subject which it is going to solve the top diameter is 100 micrometers or less with a carbon dioxide laser with respect to the insulating layer containing 35 mass% or more of inorganic fillers. Can be formed with high productivity, and the formation of a favorable hole-shaped blind via with a small difference between the top diameter and the via bottom diameter without causing large irregularities on the surface of the insulating layer around the via. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer printed wiring board.

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に対し、絶縁層表面に密着させたプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射すると、加工性を良好とするのに十分な、高いエネルギーの炭酸ガスレーザーを照射した場合でも、絶縁層表面のダメージが抑制され、ビア底径がトップ径に近いブラインドビアを形成できることを見出し、本発明を完成するに到った。すなわち、本発明は以下の内容を含むものである。   As a result of diligent research to solve the above problems, the inventors of the present invention irradiate a carbon dioxide laser from a plastic film in close contact with the insulating layer surface with respect to the insulating layer containing 35% by mass or more of an inorganic filler. The present invention has found that even when irradiated with a high-energy carbon dioxide laser sufficient to improve workability, damage to the surface of the insulating layer is suppressed, and a blind via having a bottom diameter close to the top diameter can be formed. It came to complete. That is, the present invention includes the following contents.

［１］回路基板の両面又は片面に形成された、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に、該絶縁層表面に密着させたプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、トップ径が１００μｍ以下のブラインドビアを形成する工程を含むことを特徴とする、多層プリント配線板の製造方法。
［２］無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層が、無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化したものである、上記［１］記載の多層プリント配線板の製造方法。
［３］プラスチックフィルム上に無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物層を形成した接着フィルムを、該熱硬化性樹脂組成物層が回路基板の両面又は片面に接するように回路基板に積層し、該熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層を形成後、プラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射する、上記［２］記載の方法。
［４］無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層が、無機充填材を３５〜７０質量％含有する絶縁層である、上記［１］〜［３］のいずれか一つに記載の方法。
［５］無機充填材がシリカである、上記［１］〜［４］のいずれか一つに記載の方法。
［６］プラスチックフィルムがポリエチレンテレフタレートフィルムである、上記［１］〜［５］のいずれか一つに記載の方法。
［７］プラスチックフィルムの厚みが２０〜５０μｍであり、絶縁層の厚みが１５〜１００μｍである、上記［１］〜［６］のいずれか一つに記載の方法。
［８］炭酸ガスレーザーのエネルギーが１ｍＪ以上である、上記［１］〜［７］のいずれか一つ記載の方法。
［９］炭酸ガスレーザーのエネルギーが１〜５ｍＪである、上記［１］〜［７］のいずれか一つに記載の方法。
［１０］炭酸ガスレーザーのショット数が１又は２である、上記［１］〜［９］のいずれか一つに記載の方法。
［１１］ビアの開口率（底径／トップ径）が７０％以上である、上記［１］〜［１０］のいずれか一つに記載の方法。
［１２］プラスチックフィルムを絶縁層から剥離する剥離工程をさらに含む、上記［１］〜［１１］のいずれか一つに記載の方法。
［１３］絶縁層を粗化処理する粗化工程、粗化された絶縁層表面にメッキにより導体層を形成するメッキ工程、及び導体層に回路を形成する回路形成工程をさらに含む、上記［１２］記載の方法。[1] An insulating layer containing 35% by mass or more of an inorganic filler formed on both sides or one side of a circuit board is irradiated with a carbon dioxide laser from a plastic film in close contact with the surface of the insulating layer, and the top diameter The manufacturing method of a multilayer printed wiring board characterized by including the process of forming a blind via | veer of 100 micrometers or less.
[2] The multilayer print according to [1], wherein the insulating layer containing 35% by mass or more of the inorganic filler is obtained by thermosetting a thermosetting resin composition layer containing 35% by mass or more of the inorganic filler. A method for manufacturing a wiring board.
[3] An adhesive film in which a thermosetting resin composition layer containing 35% by mass or more of an inorganic filler is formed on a plastic film so that the thermosetting resin composition layer is in contact with both sides or one side of the circuit board. Laminating on a circuit board, thermosetting the thermosetting resin composition layer to form an insulating layer containing 35% by mass or more of an inorganic filler, and then irradiating a carbon dioxide laser on the plastic film [2] The method described.
[4] The method according to any one of [1] to [3], wherein the insulating layer containing 35% by mass or more of the inorganic filler is an insulating layer containing 35 to 70% by mass of the inorganic filler. .
[5] The method according to any one of [1] to [4], wherein the inorganic filler is silica.
[6] The method according to any one of [1] to [5], wherein the plastic film is a polyethylene terephthalate film.
[7] The method according to any one of [1] to [6] above, wherein the plastic film has a thickness of 20 to 50 μm and the insulating layer has a thickness of 15 to 100 μm.
[8] The method according to any one of [1] to [7], wherein the energy of the carbon dioxide laser is 1 mJ or more.
[9] The method according to any one of [1] to [7] above, wherein the energy of the carbon dioxide laser is 1 to 5 mJ.
[10] The method according to any one of [1] to [9], wherein the number of shots of the carbon dioxide laser is 1 or 2.
[11] The method according to any one of [1] to [10] above, wherein the via opening ratio (bottom diameter / top diameter) is 70% or more.
[12] The method according to any one of [1] to [11], further including a peeling step of peeling the plastic film from the insulating layer.
[13] The above [12], further comprising a roughening step of roughening the insulating layer, a plating step of forming a conductor layer by plating on the surface of the roughened insulating layer, and a circuit forming step of forming a circuit on the conductor layer. ] The method of description.

本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に対して、加工性を良好とするのに十分な高いエネルギーの炭酸ガスレーザーを使用した場合でも、ビア周辺の絶縁層表面に大きなダメージを与えることなく、トップ径が１００μｍ以下のブラインドビアを形成することができ、信頼性の高い高密度の多層配線の形成が可能になる。
また、上記のトップ径が１００μｍ以下のブラインドビアを、ビアの開口率（底径／トップ径）がトップ径とビア底径との差が小さい良好な孔形状に形成できるので、導通信頼性に優れるブラインドビアの形成が可能になる。According to the method for producing a multilayer printed wiring board of the present invention, when a carbon dioxide gas laser having a sufficiently high energy is used for an insulating layer containing 35% by mass or more of an inorganic filler, the workability is good. However, it is possible to form a blind via having a top diameter of 100 μm or less without damaging the insulating layer surface around the via, and it is possible to form a highly reliable high-density multilayer wiring.
In addition, blind vias having a top diameter of 100 μm or less can be formed into a favorable hole shape with a small difference between the top diameter and the via bottom diameter in terms of via opening ratio (bottom diameter / top diameter). An excellent blind via can be formed.

以下、本発明をその好適な実施形態に即して説明する。
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、回路基板の両面又は片面に形成された、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に、該絶縁層表面に密着させたプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、トップ径１００μｍ以下のブラインドビアを形成する工程を含むことが主たる特徴である。Hereinafter, the present invention will be described with reference to preferred embodiments thereof.
The method for producing a multilayer printed wiring board according to the present invention comprises carbon dioxide from a plastic film that is formed on both sides or one side of a circuit board and is in close contact with the surface of the insulating layer containing an inorganic filler of 35% by mass or more. The main feature is that it includes a step of irradiating a gas laser to form a blind via having a top diameter of 100 μm or less.

本発明において、「無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層」は、多層プリント配線板の絶縁層として使用される樹脂組成物において、無機充填材を３５質量％以上含有する樹脂組成物により形成された絶縁層である。特に無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物の硬化物で形成されるのが好ましい。シリカ等の無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層は、高弾性率と低熱膨張性を示し、例えば、弾性率が４ＧＰａ以上及び／又は熱膨張係数（室温〜１５０℃）が５０ｐｐｍ／℃以下の絶縁層を達成し得る。よって、かかる絶縁層の使用により、機械強度に優れ、かつ熱膨張係数の差によるクラック発生も抑制された多層プリント配線板を製造することが可能になる。   In the present invention, the “insulating layer containing 35% by mass or more of an inorganic filler” is a resin composition used as an insulating layer of a multilayer printed wiring board, and includes a resin composition containing 35% by mass or more of an inorganic filler. It is the formed insulating layer. In particular, it is preferably formed of a cured product of a thermosetting resin composition containing 35% by mass or more of an inorganic filler. An insulating layer containing 35% by mass or more of an inorganic filler such as silica exhibits a high elastic modulus and low thermal expansion, for example, an elastic modulus of 4 GPa or higher and / or a thermal expansion coefficient (room temperature to 150 ° C.) of 50 ppm / ° C. The following insulating layers can be achieved. Therefore, the use of such an insulating layer makes it possible to produce a multilayer printed wiring board that is excellent in mechanical strength and in which cracking due to a difference in thermal expansion coefficient is suppressed.

本発明でいう「無機充填材の含有量」とは、絶縁層を構成する樹脂組成物全体の不揮発成分を１００質量％とした時の無機充填材の占める質量分率である。例えば、熱硬化性樹脂組成物の硬化物により絶縁層が形成される場合、硬化前の樹脂組成物全体の不揮発成分を１００質量％とした時の無機充填材の占める質量分率で算出される値が採用される。なお、「無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層」において、無機充填材の含有量が多すぎると、後工程において絶縁層上に形成される導体層との密着強度を確保することが困難となる傾向となるため、無機充填材の含有量は７０質量％以下が好ましい。すなわち、無機充填材の含有量が３５〜７０質量％が好ましく、より好ましくは３５〜６０質量％である。また、本発明において、「無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層」の厚みは１５〜１００μｍであるのが好ましく、２０〜７０μｍがより好ましい。絶縁層の厚みが１５μｍ未満であると、回路基板に平坦に積層させることが困難となる傾向にあり、１００μｍを超えると、多層プリント配線板の薄型化に不向きである。   The “content of the inorganic filler” in the present invention is a mass fraction occupied by the inorganic filler when the nonvolatile component of the entire resin composition constituting the insulating layer is 100% by mass. For example, when the insulating layer is formed from a cured product of the thermosetting resin composition, it is calculated as a mass fraction occupied by the inorganic filler when the nonvolatile component of the entire resin composition before curing is 100 mass%. Value is adopted. In addition, in the “insulating layer containing 35% by mass or more of the inorganic filler”, if the content of the inorganic filler is too large, it is possible to ensure the adhesion strength with the conductor layer formed on the insulating layer in the subsequent step. Since it tends to be difficult, the content of the inorganic filler is preferably 70% by mass or less. That is, the content of the inorganic filler is preferably 35 to 70% by mass, and more preferably 35 to 60% by mass. Moreover, in this invention, it is preferable that the thickness of "the insulating layer containing 35 mass% or more of inorganic fillers" is 15-100 micrometers, and 20-70 micrometers is more preferable. If the thickness of the insulating layer is less than 15 μm, it tends to be difficult to laminate it flat on the circuit board, and if it exceeds 100 μm, it is not suitable for thinning the multilayer printed wiring board.

本発明において、無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、雲母、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタン等が挙げられる。中でも、高弾性率、低熱膨張率、低誘電正接の点から、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ等のシリカが好ましい。またシリカは球状のものが好ましい。無機充填材は、シランカップリング剤等の表面処理剤で表面処理されたものを用いることが好ましい。シランカップリング剤としてははアミノシラン、アリルシラン、アルキルシラン、アルコキシシラン、フェニルシラン、エポキシシランなど公知のものを使用出来る。   In the present invention, examples of the inorganic filler include silica, alumina, mica, mica, silicate, barium sulfate, magnesium hydroxide, and titanium oxide. Among these, silica such as amorphous silica, fused silica, crystalline silica, and synthetic silica is preferable from the viewpoint of high elastic modulus, low thermal expansion coefficient, and low dielectric loss tangent. Silica is preferably spherical. It is preferable to use an inorganic filler that has been surface-treated with a surface treatment agent such as a silane coupling agent. As the silane coupling agent, known ones such as amino silane, allyl silane, alkyl silane, alkoxy silane, phenyl silane, and epoxy silane can be used.

また、無機充填材は絶縁層の絶縁信頼性の観点から、平均粒径が３μｍ以下であるのが好ましく、平均粒径が１．５μｍ以下であるのがより好ましい。なお、平均粒径の下限は特に限定はされないが、取り扱い性、コスト等の観点から、０．１μｍ以上が好ましい。   The inorganic filler preferably has an average particle size of 3 μm or less, more preferably 1.5 μm or less, from the viewpoint of insulation reliability of the insulating layer. The lower limit of the average particle size is not particularly limited, but is preferably 0.1 μm or more from the viewpoints of handleability and cost.

上記の無機充填材の平均粒径はミー（Mie）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折式粒度分布測定装置としては、株式会社堀場製作所製 ＬＡ−５００等を使用することができる。   The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be created on a volume basis by a laser diffraction particle size distribution measuring device, and the median diameter can be measured as the average particle diameter. As the measurement sample, an inorganic filler dispersed in water by ultrasonic waves can be preferably used. As a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus, LA-500 manufactured by Horiba Ltd. can be used.

本発明において、「無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層」を、無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成する場合、ベース成分となる熱硬化性樹脂組成物としては、多層プリント配線板の絶縁層に適するものであれば、特に制限なく使用でき、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ビニルベンジル樹脂等の熱硬化性樹脂にその硬化剤を少なくとも配合した組成物が使用され、好ましくは、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を含有する組成物であり、例えば、エポキシ樹脂、熱可塑性樹脂および硬化剤を含有する組成物は特に好ましいものである。   In the present invention, when the “insulating layer containing 35% by mass or more of the inorganic filler” is composed of a cured product of a thermosetting resin composition containing 35% by mass or more of the inorganic filler, thermosetting serving as a base component The conductive resin composition can be used without particular limitation as long as it is suitable for an insulating layer of a multilayer printed wiring board. For example, epoxy resin, cyanate ester resin, phenol resin, bismaleimide-triazine resin, polyimide resin, acrylic resin , A composition in which at least the curing agent is blended with a thermosetting resin such as vinylbenzyl resin is used, and preferably a composition containing an epoxy resin as the thermosetting resin, such as an epoxy resin or a thermoplastic resin. And a composition containing a curing agent is particularly preferred.

上記のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、ビスフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のグリシジルエーテル化物、及びアルコール類のジグリシジルエーテル化物、並びにこれらのエポキシ樹脂のアルキル置換体、ハロゲン化物及び水素添加物等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂はいずれか１種を使用するか２種以上を混合して用いてもよい。   Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phosphorus-containing epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, and alicyclic type. Epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, epoxy resin having butadiene structure, diglycidyl etherified product of bisphenol, diglycidyl etherified product of naphthalenediol , Glycidyl ethers of phenols, and diglycidyl ethers of alcohols, and alkyl-substituted products, halides and hydrogenated products of these epoxy resins And the like. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂は、これらの中でも、耐熱性、絶縁信頼性、金属膜との密着性の観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。具体的には、例えば、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）、ナフタレン型２官能エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ］）、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ４７００」）、ナフトール型エポキシ樹脂（東都化成（株）製「ＥＳＮ−４７５Ｖ」）、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂（ダイセル化学工業（株）製「ＰＢ−３６００」）、ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂(日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」、ジャパンエポキシレジン（株）製「ＹＸ４０００」）などが挙げられる。   Among these, the epoxy resin has a bisphenol A type epoxy resin, a naphthol type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, and a butadiene structure from the viewpoint of heat resistance, insulation reliability, and adhesion to a metal film. Epoxy resins are preferred. Specifically, for example, liquid bisphenol A type epoxy resin (“Epicoat 828EL” manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), naphthalene type bifunctional epoxy resin (“HP4032”, “HP4032D” manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) ), Naphthalene type tetrafunctional epoxy resin ("HP4700" manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), naphthol type epoxy resin ("ESN-475V" manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), epoxy resin having a butadiene structure (Daicel Chemical) "PB-3600" manufactured by Kogyo Co., Ltd.), epoxy resins having a biphenyl structure ("NC3000H", "NC3000L" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., "YX4000" manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), and the like.

また、上記の熱可塑性樹脂は、硬化後の組成物に適度な可撓性を付与する等の目的で配合されるものであり、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン等が挙げられる。これらはいずれか１種を単独で使用しても２種以上を併用してもよい。当該熱可塑性樹脂は熱硬化性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．５〜６０質量％の割合で配合するのが好ましく、より好ましくは３〜５０質量％である。   The thermoplastic resin is blended for the purpose of imparting appropriate flexibility to the cured composition, for example, phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyimide, polyamideimide, polyether. Examples include sulfone and polysulfone. These may be used alone or in combination of two or more. The thermoplastic resin is preferably blended at a rate of 0.5 to 60% by mass, more preferably 3 to 50% by mass, when the nonvolatile component of the thermosetting resin composition is 100% by mass.

フェノキシ樹脂の具体例としては、例えば、ジャパンエポキシレジン（株）製１２５６、４２５０などのビスフェノールＡ骨格を有するもの、ジャパンエポキシレジン製ＹＸ８１００などのビスフェノールＳ骨格を有するもの、ジャパンエポキシレジン製ＹＸ６９５４などのビスフェノールアセトフェノン骨格を有するもの、東都化成（株）製ＦＸ２８０、ＦＸ２９３などのビスフェノールフルオレノン骨格を有するもの、ジャパンエポキシレジン（株）製ＹＬ７５５３などのビスクレゾールフルオレノン骨格を有するもの、ジャパンエポキシレジン（株）製ＹＬ６７９４などのテルペン骨格を有するもの、ジャパンエポキシレジン（株）製ＹＬ７２１３、ＹＬ７２９０などのトリメチルシクロヘキサン骨格を有するもの等が挙げられる。   Specific examples of the phenoxy resin include those having a bisphenol A skeleton such as 1256 and 4250 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., those having a bisphenol S skeleton such as YX8100 manufactured by Japan Epoxy Resin, and YX6954 manufactured by Japan Epoxy Resin. Those having a bisphenol acetophenone skeleton, those having a bisphenol fluorenone skeleton such as FX280 and FX293 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., those having a biscresol fluorenone skeleton such as YL7553 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. Examples thereof include those having a terpene skeleton such as YL6794 and those having a trimethylcyclohexane skeleton such as YL7213 and YL7290 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.

ポリビニルアセタール樹脂はポリビニルブチラール樹脂が好ましく、ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業(株)製、電化ブチラール４０００−２、５０００−Ａ、６０００−Ｃ、６０００−ＥＰ、積水化学工業（株）製エスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。   The polyvinyl acetal resin is preferably a polyvinyl butyral resin, and specific examples of the polyvinyl acetal resin include those manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., Electric Butyral 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP, Sekisui Chemical Co., Ltd. ) Made S-Rec BH series, BX series, KS series, BL series, BM series and the like.

ポリイミドの具体例としては、新日本理化（株）製のポリイミド「リカコートＳＮ２０」および「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。また、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のもの）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報、特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のもの）等の変性ポリイミドが挙げられる。   Specific examples of polyimide include polyimide “Rika Coat SN20” and “Rika Coat PN20” manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd. Also, a linear polyimide obtained by reacting a bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride (as described in JP 2006-37083 A), a polysiloxane skeleton-containing polyimide (JP 2002-2002). And modified polyimides such as those described in JP-A No. 12667 and JP-A No. 2000-319386.

ポリアミドイミドの具体例としては、東洋紡績（株）製のポリアミドイミド「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」および「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。また、日立化成工業（株）製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。   Specific examples of the polyamideimide include polyamideimides “Vilomax HR11NN” and “Vilomax HR16NN” manufactured by Toyobo Co., Ltd. In addition, modified polyamideimides such as polysiloxane skeleton-containing polyamideimides “KS9100” and “KS9300” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. may be mentioned.

ポリエーテルスルホンの具体例としては、住友化学（株）社製のポリエーテルスルホン「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。   Specific examples of the polyethersulfone include polyethersulfone “PES5003P” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.

ポリスルホンの具体例としては、ソルベンアドバンストポリマーズ（株）社製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。   Specific examples of the polysulfone include polysulfone “P1700” and “P3500” manufactured by Solven Advanced Polymers Co., Ltd.

また、上記の硬化剤としては、例えば、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はこれらのエポキシアダクトやマイクロカプセル化したもの、シアネートエステル樹脂等を挙げることができる。中でも、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、シアネートエステル樹脂が好ましい。なお、本発明において、硬化剤は１種であっても２種以上を併用してもよい。   Examples of the curing agent include amine curing agents, guanidine curing agents, imidazole curing agents, phenol curing agents, naphthol curing agents, acid anhydride curing agents, or epoxy adducts and microcapsules thereof. And cyanate ester resins. Of these, phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, and cyanate ester resins are preferable. In addition, in this invention, a hardening | curing agent may be 1 type, or may use 2 or more types together.

フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、ＭＥＨ−７７００、ＭＥＨ−７８１０、ＭＥＨ−７８５１（明和化成（株）製）、ＮＨＮ、ＣＢＮ、ＧＰＨ（日本化薬（株）製）、ＳＮ１７０、ＳＮ１８０、ＳＮ１９０、ＳＮ４７５、ＳＮ４８５、ＳＮ４９５、ＳＮ３７５、ＳＮ３９５（東都化成（株）製）、ＬＡ７０５２、ＬＡ７０５４、ＬＡ３０１８、ＬＡ１３５６（大日本インキ化学工業（株）製）等が挙げられる。   Specific examples of the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent include, for example, MEH-7700, MEH-7810, MEH-7851 (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.), NHN, CBN, GPH (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) ), SN170, SN180, SN190, SN475, SN485, SN495, SN375, SN395 (manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), LA7052, LA7054, LA3018, LA1356 (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), and the like.

また、シアネートエステル樹脂の具体例としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、ビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。市販されているシアネートエステル樹脂としては、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製「ＰＴ３０」、シアネート当量１２４）やビスフェノールＡジシアネートの一部または全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー（ロンザジャパン（株）製「ＢＡ２３０」、シアネート当量２３２）等が挙げられる。   Specific examples of the cyanate ester resin include, for example, bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4′-methylenebis (2,6-dimethylphenyl cyanate), 4,4′-ethylidenediphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4-cyanatephenylmethane), bis (4-cyanate-3, Bifunctional cyanate resins such as 5-dimethylphenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4-cyanatephenyl) thioether, bis (4-cyanatephenyl) ether , Phenol novolac Examples include polyfunctional cyanate resins derived from cresol novolac, prepolymers in which these cyanate resins are partially triazines, etc. Commercially available cyanate ester resins include phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resins (Lonza Japan ( "PT30" manufactured by Co., Ltd., cyanate equivalent 124), and prepolymers obtained by triazine formation of some or all of bisphenol A dicyanate ("BA230" manufactured by Lonza Japan Co., Ltd., cyanate equivalent 232) and the like. It is done.

熱硬化性樹脂と硬化剤の配合比率は、熱硬化性樹脂、硬化剤の種類等によって適宜選択されるが、例えば、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合、エポキシ樹脂と硬化剤の配合比率は、フェノール系硬化剤またはナフトール系硬化剤の場合、エポキシ樹脂のエポキシ当量１に対してこれら硬化剤のフェノール性水酸基当量が０．４〜２．０の範囲となる比率が好ましく、０．５〜１．０の範囲となる比率がより好ましい。シアネートエステル樹脂の場合は、エポキシ当量１に対してシアネート当量が０．３〜３．３の範囲となる比率が好ましく、０．５〜２の範囲となる比率がより好ましい。   The mixing ratio of the thermosetting resin and the curing agent is appropriately selected depending on the type of the thermosetting resin and the curing agent. For example, when the thermosetting resin is an epoxy resin, the mixing ratio of the epoxy resin and the curing agent. In the case of a phenol-based curing agent or a naphthol-based curing agent, the ratio in which the phenolic hydroxyl group equivalent of these curing agents is in the range of 0.4 to 2.0 with respect to the epoxy equivalent 1 of the epoxy resin is preferably 0.5. A ratio in the range of -1.0 is more preferable. In the case of a cyanate ester resin, a ratio in which the cyanate equivalent is in the range of 0.3 to 3.3 with respect to the epoxy equivalent 1 is preferable, and a ratio in the range of 0.5 to 2 is more preferable.

なお、当該熱硬化性樹脂組成物には、硬化剤に加え、硬化促進剤をさらに配合することができ、このような硬化促進剤としては、イミダゾール系化合物、有機ホスフィン系化合物等が挙げられ、具体例としては、例えば、２−メチルイミダゾール、トリフェニルホスフィンなどを挙げることができる。硬化促進剤を用いる場合、エポキシ樹脂に対して０．１〜３．０質量％の範囲で用いるのが好ましい。なお、エポキシ樹脂硬化剤にシアネートエステル樹脂を使用する場合には、硬化時間を短縮する目的で、従来からエポキシ樹脂組成物とシアネート化合物とを併用した系で硬化触媒として用いられている有機金属化合物を添加してもよい。有機金属化合物としては、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅化合物、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛化合物、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト化合物などが挙げられる。有機金属化合物の添加量は、シアネートエステル樹脂に対し、金属換算で通常１０〜５００ｐｐｍ、好ましくは２５〜２００ｐｐｍの範囲である。   In addition to the curing agent, the thermosetting resin composition can further contain a curing accelerator. Examples of such a curing accelerator include imidazole compounds and organic phosphine compounds. Specific examples include 2-methylimidazole and triphenylphosphine. When using a hardening accelerator, it is preferable to use in 0.1-3.0 mass% with respect to an epoxy resin. In the case of using a cyanate ester resin as an epoxy resin curing agent, an organometallic compound conventionally used as a curing catalyst in a system in which an epoxy resin composition and a cyanate compound are used together for the purpose of shortening the curing time. May be added. Examples of organometallic compounds include organic copper compounds such as copper (II) acetylacetonate, organic zinc compounds such as zinc (II) acetylacetonate, and organic compounds such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate. A cobalt compound etc. are mentioned. The addition amount of the organometallic compound is usually in the range of 10 to 500 ppm, preferably 25 to 200 ppm in terms of metal with respect to the cyanate ester resin.

本発明において、無機充填材含有熱硬化性樹脂組成物には、無機充填材以外に、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等の難燃剤、シリコンパウダー、ナイロンパウダー、フッ素パウダー等の有機充填剤、オルベン、ベントン等の増粘剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系の消泡剤又はレベリング剤、イミダゾール系、チアゾール系、トリアゾール系、シラン系カップリング剤等の密着性付与剤、フタロシアニン・ブルー、フタロシアニン・グリーン、アイオジン・グリーン、ジスアゾイエロー、カーボンブラック等の着色剤等を挙げることができる。   In the present invention, the inorganic filler-containing thermosetting resin composition may contain other components as needed in addition to the inorganic filler. Examples of other components include organic phosphorus flame retardants, organic nitrogen-containing phosphorus compounds, nitrogen compounds, silicone flame retardants, flame retardants such as metal hydroxides, and organic fillings such as silicon powder, nylon powder, and fluorine powder. Agents, thickeners such as olben, benton, etc., silicone-based, fluorine-based, polymer-based antifoaming agents or leveling agents, imidazole-based, thiazole-based, triazole-based, silane-based coupling agents, etc., phthalocyanine -Coloring agents such as blue, phthalocyanine green, iodin green, disazo yellow, carbon black and the like can be mentioned.

本発明では、回路基板の両面又は片面に、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層を形成し、該絶縁層の表面にプラスチックフィルムを密着させ、該プラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、ブラインドビアを形成する。無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層にプラスチックフィルムを密着させる手段としては、例えば、回路基板に、無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物層を積層し、その際にプラスチックフィルムも同時に積層して、その後、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する方法等が挙げられるが、工業的生産に最も適した方法としては、支持フィルムとしてプラスチックフィルムを使用して、該プラスチックフィルム上に無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物層を形成した接着フィルムを調製し、該接着フィルムを回路基板に積層し、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化する方法が挙げられる。   In the present invention, an insulating layer containing 35% by mass or more of an inorganic filler is formed on both sides or one side of a circuit board, a plastic film is brought into close contact with the surface of the insulating layer, and a carbon dioxide laser is irradiated from above the plastic film. Then, blind vias are formed. As a means for closely attaching the plastic film to the insulating layer containing 35% by mass or more of the inorganic filler, for example, a thermosetting resin composition layer containing 35% by mass or more of the inorganic filler is laminated on the circuit board, At the same time, a method of laminating a plastic film at the same time and then thermosetting the thermosetting resin composition layer to form an insulating layer, etc. can be mentioned, but the most suitable method for industrial production is as a support film Using a plastic film, an adhesive film in which a thermosetting resin composition layer containing 35% by mass or more of an inorganic filler is formed on the plastic film is prepared, the adhesive film is laminated on a circuit board, and thermosetting is performed. And a method of thermosetting the conductive resin composition layer.

上記のプラスチックフィルム上に無機充填材含有熱硬化性樹脂組成物層を形成した接着フィルムは、当業者に公知の方法、例えば、有機溶剤に熱硬化性樹脂組成物を溶解するとともに無機充填材を分散させた樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて、支持フィルム上に塗布し、加熱あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。   The adhesive film in which the inorganic filler-containing thermosetting resin composition layer is formed on the plastic film is prepared by a method known to those skilled in the art, for example, by dissolving the thermosetting resin composition in an organic solvent and using an inorganic filler. By preparing a dispersed resin varnish, applying the resin varnish on a support film using a die coater or the like, and drying the organic solvent by heating or hot air blowing to form a resin composition layer Can be manufactured.

本発明でいう、「プラスチックフィルム」としては、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル系樹脂、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。中でも、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等）が好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートフィルムが特に好ましい。また、プラスチックフィルムは、ブラックカーボン等のレーザー吸収性成分を含むものを使用してもよい。なお、接着フィルムの支持フィルムに使用するプラスチックフィルムには、熱硬化性樹脂組成物層の加熱硬化後にプラスチックフィルムを剥離可能とするために、その熱硬化性樹脂組成物層の被形成面に離型層を設けた、離型層付きプラスチックフィルムを使用するのが好ましい。離型層に使用する離型剤としては、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化した後にプラスチックフィルムが剥離可能であれば特に限定されず、例えば、シリコーン系離型剤、アルキッド樹脂系離型剤等が挙げられる。なお、市販されている離型層付きプラスチックフィルムを用いてもよく、好ましいものとしては、例えば、アルキッド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック（株）製のＳＫ−１、ＡＬ−５、ＡＬ−７などが挙げられる。また、プラスチックフィルムの熱硬化性樹脂組成物層の被形成面にはマッド処理、コロナ処理を施してあってもよく、離型層を有する場合、当該処理面上に離型層が形成される。   In the present invention, the “plastic film” includes polyesters such as polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”) and polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PEN”), polycarbonate ( Hereinafter, it may be abbreviated as “PC”), acrylic resins such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide (PES), polyether ketone, polyimide, and the like. It is done. Among them, polyester (polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, etc.) is preferable, and an inexpensive polyethylene terephthalate film is particularly preferable. Moreover, you may use the plastic film containing laser absorptive components, such as black carbon. It should be noted that the plastic film used for the support film of the adhesive film is separated from the surface on which the thermosetting resin composition layer is formed so that the plastic film can be peeled off after the thermosetting resin composition layer is heated and cured. It is preferable to use a plastic film with a release layer provided with a mold layer. The release agent used for the release layer is not particularly limited as long as the plastic film can be peeled after the thermosetting resin composition layer is thermally cured. For example, silicone release agent, alkyd resin release agent Agents and the like. A commercially available plastic film with a release layer may be used, and a preferable one is, for example, a PET film having a release layer mainly composed of an alkyd resin release agent, Lintec Corporation. Examples include SK-1, AL-5, and AL-7. Further, the formation surface of the thermosetting resin composition layer of the plastic film may be subjected to mud treatment or corona treatment, and when it has a release layer, the release layer is formed on the treated surface. .

本発明において、プラスチックフィルムの厚み（離型層付きプラスチックフィルムの場合は離型層も含む総厚み）は、２０〜５０μｍの範囲が好ましく、２０〜４５μｍの範囲がより好ましく、２３〜４０μｍの範囲がより好ましい。プラスチックフィルムの厚みが２０μｍ未満では、絶縁層の回路上の平坦性が低下する傾向となり、５０μｍを越えると、コスト高の傾向となり、好ましくない。またプラスチックフィルムの厚みがこの範囲内であれば、ビア周辺の絶縁層表面のダメージ抑制等の本発明の効果がより顕著に発揮される。なお、離型層付きプラスチックフィルムにおける離型層の厚みは通常０．０５〜２μｍ程度である。   In the present invention, the thickness of the plastic film (total thickness including the release layer in the case of a plastic film with a release layer) is preferably in the range of 20 to 50 μm, more preferably in the range of 20 to 45 μm, and in the range of 23 to 40 μm. Is more preferable. If the thickness of the plastic film is less than 20 μm, the flatness of the insulating layer on the circuit tends to decrease, and if it exceeds 50 μm, the cost tends to increase, which is not preferable. Moreover, if the thickness of the plastic film is within this range, the effects of the present invention such as the suppression of damage on the surface of the insulating layer around the via are exhibited more remarkably. In addition, the thickness of the mold release layer in a plastic film with a mold release layer is about 0.05-2 micrometers normally.

本発明で使用する接着フィルムは、回路基板への積層を行うまでは、無機充填材含有熱硬化性樹脂組成物層を保護するための保護フィルムを有しているのが好ましい。保護フィルムは、無機充填材含有熱硬化性樹脂組成物層の表面を物理的ダメージから守り、またゴミ等の異物付着を防止するなどの利点がある。このような保護フィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ＰＥＴ、ＰＥＮ等のポリエステル、ＰＣ、ポリイミド等のフィルムを挙げることができる。なお、保護フィルムにも、支持フィルムに使用するプラスチックフィルムと同様、マッド処理、コロナ処理の他、離型処理が施してあってもよい。保護フィルムの厚みは５〜３０μｍの範囲であるのが好ましい。   The adhesive film used in the present invention preferably has a protective film for protecting the inorganic filler-containing thermosetting resin composition layer until it is laminated on the circuit board. The protective film has advantages such as protecting the surface of the inorganic filler-containing thermosetting resin composition layer from physical damage and preventing adhesion of foreign matters such as dust. Examples of such a protective film include polyolefin films such as polyethylene, polypropylene, and polyvinyl chloride, polyester films such as PET and PEN, PC, and polyimide films. In addition, the protective film may be subjected to a release treatment in addition to the mud treatment and the corona treatment, similarly to the plastic film used for the support film. The thickness of the protective film is preferably in the range of 5 to 30 μm.

本発明において、接着フィルムを回路基板に積層し、接着フィルムの熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する作業は従来の方法に準じて行うことができる。例えば、回路基板の片面または両面に接着フィルムを重ね、ＳＵＳ鏡板等の金属板を用いて、加熱および加圧し、積層プレスを行う。この際の圧力は、好ましくは５〜４０ｋｇｆ／ｃｍ２（４９×１０４〜３９２×１０４Ｎ／ｍ２）、温度は好ましくは１２０〜１８０℃、プレス時間は好ましくは２０〜１００分で行うことができる。加熱および加圧は、加熱されたＳＵＳ鏡板等の金属板をプラスチックフィルム側からプレスすることにより行うことができるが、金属板を直接プレスするのではなく、回路基板の回路凹凸に接着シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスを行うのが好ましい。また、真空ラミネーターを使用して製造することもできる。この場合、接着フィルムを、減圧下で、加熱および加圧し、回路基板に接着フィルムをラミネートする。ラミネートは、温度が好ましくは７０〜１４０℃、圧力が好ましくは１〜１１ｋｇｆ／ｃｍ２（９．８×１０４〜１０７．９×１０４Ｎ／ｍ２）の範囲で行われる。空気圧は好ましくは２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下で行われる。ラミネート工程の後に、好ましくは、金属板による熱プレスにより、ラミネートされた接着フィルムの平滑化を行う。該平滑化工程は、常圧下（大気圧下）で、加熱されたＳＵＳ鏡板等の金属板により、接着シートを加熱および加圧することにより行われる。加熱および加圧条件は、上記ラミネート工程と同様の条件を用いることができる。上記ラミネート工程および平滑化工程は、市販されている真空ラミネーターによって連続的に行うことができる。市販されている真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製 真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製 バキュームアップリケーター等が挙げられる。In this invention, the operation | work which laminates | stacks an adhesive film on a circuit board, thermosets the thermosetting resin composition layer of an adhesive film, and forms an insulating layer can be performed according to the conventional method. For example, an adhesive film is stacked on one side or both sides of a circuit board, heated and pressed using a metal plate such as a SUS mirror plate, and a lamination press is performed. The pressure at this time is preferably 5 to 40 kgf / cm 2 (49 × 10 4 to 392 × 10 4 N / m 2 ), the temperature is preferably 120 to 180 ° C., and the press time is preferably 20 to 100 minutes. be able to. Heating and pressurization can be performed by pressing a heated metal plate such as a SUS mirror plate from the plastic film side. However, instead of directly pressing the metal plate, an adhesive sheet is sufficient for circuit irregularities on the circuit board. It is preferable to press through an elastic material such as heat-resistant rubber so as to follow. It can also be produced using a vacuum laminator. In this case, the adhesive film is heated and pressurized under reduced pressure, and the adhesive film is laminated on the circuit board. Lamination is preferably performed at a temperature of 70 to 140 ° C. and a pressure of preferably 1 to 11 kgf / cm 2 (9.8 × 10 4 to 107.9 × 10 4 N / m 2 ). The air pressure is preferably reduced under a reduced pressure of 20 mmHg (26.7 hPa) or less. After the laminating step, the laminated adhesive film is preferably smoothed by hot pressing with a metal plate. The smoothing step is performed by heating and pressurizing the adhesive sheet with a metal plate such as a heated SUS mirror plate under normal pressure (under atmospheric pressure). As heating and pressurizing conditions, the same conditions as in the laminating step can be used. The laminating step and the smoothing step can be continuously performed by a commercially available vacuum laminator. Examples of the commercially available vacuum laminator include a vacuum pressure laminator manufactured by Meiki Seisakusho, a vacuum applicator manufactured by Nichigo Morton, and the like.

ラミネート工程の後、または平滑化工程の後、熱硬化工程を行う。熱硬化工程においては、樹脂組成物を熱硬化し、絶縁層を形成する。熱硬化条件は熱硬化性樹脂組成物の種類等によっても異なるが、一般に硬化温度が１７０〜１９０℃、硬化時間が１５〜６０分である。   After the laminating process or the smoothing process, a thermosetting process is performed. In the thermosetting step, the resin composition is thermoset to form an insulating layer. The thermosetting conditions vary depending on the type of the thermosetting resin composition, but generally the curing temperature is 170 to 190 ° C. and the curing time is 15 to 60 minutes.

本発明においては、絶縁層表面に密着させたプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、トップ径１００μｍ以下のブラインドビアを形成する。多層プリント配線板の薄型化、配線の高密度化に対応するため、ブラインドビアのトップ径は１００μｍ以下とし、好ましくは９０μｍ以下とし、より好ましくは８０μｍ以下とする。   In the present invention, a blind via having a top diameter of 100 μm or less is formed by irradiating a carbon dioxide laser from a plastic film in close contact with the insulating layer surface. The top diameter of the blind via is set to 100 μm or less, preferably 90 μm or less, and more preferably 80 μm or less in order to cope with the thinning of the multilayer printed wiring board and the high density of the wiring.

照射する炭酸ガスレーザーには、一般に９．３〜１０．６μｍの波長のレーザーが使用される。また、ショット数は、形成すべきブラインドビアの深さ、孔径によっても異なるが、通常１〜５ショットの間で選択される。ブラインドビアの加工速度を速め、多層プリント配線板の生産性を向上させる観点から、ショット数は少ない方が好ましく、ショット数は１又は２が好ましい。ショット数を少なくするためには、炭酸ガスレーザーのエネルギーを一定値以上に高く設定するのが好ましく、特に、絶縁層中に無機充填材を３５質量％以上含有する本発明においては加工性が低下する傾向にあるため、炭酸ガスレーザーのエネルギーは好ましくは１ｍＪ以上に設定され、より好ましくは２ｍＪ以上に設定される。   In general, a laser having a wavelength of 9.3 to 10.6 μm is used as the carbon dioxide laser to be irradiated. The number of shots is usually selected from 1 to 5 shots, although it varies depending on the depth and hole diameter of the blind via to be formed. From the viewpoint of increasing the processing speed of the blind via and improving the productivity of the multilayer printed wiring board, the number of shots is preferably small, and the number of shots is preferably 1 or 2. In order to reduce the number of shots, it is preferable to set the energy of the carbon dioxide laser to be higher than a certain value. Particularly, in the present invention in which the insulating layer contains 35% by mass or more of inorganic filler, workability is lowered. Therefore, the energy of the carbon dioxide laser is preferably set to 1 mJ or more, more preferably 2 mJ or more.

炭酸ガスレーザーのエネルギーが低すぎると、加工性の低下により、ビア底の径がトップ径に比べて小さい、テーパの強い形状となり、導通信頼性を低下させる要因となる。特にトップ径が小さなブラインドビアでは、ビア底径がトップ径に比べ小さくなりすぎると、導通信頼性の低下が顕著な問題となるため、トップ径とビア底径の差を小さくするのが好ましい。すなわち、トップ径が１００μｍ以下のブラインドビアではその開口率（底径／トップ径）が７０％以上であるのが好ましい。   If the energy of the carbon dioxide laser is too low, due to a decrease in workability, the via bottom diameter is smaller than the top diameter, resulting in a strongly tapered shape, which causes a decrease in conduction reliability. In particular, in a blind via having a small top diameter, if the via bottom diameter is too small compared to the top diameter, a decrease in conduction reliability becomes a significant problem. Therefore, it is preferable to reduce the difference between the top diameter and the via bottom diameter. That is, the blind via having a top diameter of 100 μm or less preferably has an opening ratio (bottom diameter / top diameter) of 70% or more.

一方、炭酸ガスレーザーのエネルギーが高すぎるとブラインドビアの下地導体層がダメージを受けやすくなる。従って、ショット数や形成すべきプラインドビアの深さ等にもよるが、炭酸ガスレーザーのエネルギーの上限は５ｍＪ以下が好ましく、４．５ｍＪ以下がより好ましく、４ｍＪ以下がさらに一層好ましく、３．５ｍＪ以下がとりわけ好ましい。   On the other hand, if the energy of the carbon dioxide laser is too high, the underlying conductor layer of the blind via is easily damaged. Accordingly, the upper limit of the energy of the carbon dioxide laser is preferably 5 mJ or less, more preferably 4.5 mJ or less, even more preferably 4 mJ or less, and even more preferably 3.5 mJ or less, depending on the number of shots and the depth of the via to be formed. Is particularly preferred.

なお、複数のショットで加工する場合、連続的なショットであるバーストモードは孔内に加工熱がこもるため、無機充填材と熱硬化性樹脂組成物の加工性に差が生じやすく、ビアのテーパが大きくなる傾向にあるため、時間的間隔を持たせた複数ショットである、サイクルモードが好ましい。   Note that when processing with multiple shots, the burst mode, which is a continuous shot, traps the processing heat in the holes, so there is a tendency for differences in workability between the inorganic filler and the thermosetting resin composition, and the taper of the vias. Therefore, the cycle mode, which is a plurality of shots with a time interval, is preferable.

炭酸ガスレーザーのパルス幅は特に限定されず、２８μｓのミドルレンジから４μｓ程度の短パルスまで広い範囲で選択可能であるが、一般的に高エネルギーの場合、短パルスの方がビア加工形状に優れるとされている。   The pulse width of the carbon dioxide laser is not particularly limited, and can be selected in a wide range from a middle range of 28 μs to a short pulse of about 4 μs. Generally, in the case of high energy, the short pulse is superior in the via processing shape. It is said that.

なお、炭酸ガスレーザーのエネルギーとは、１ショットあたりの絶縁層表面でのレーザーのエネルギー値であり、炭酸ガスレーザー装置における、発振機の出力、コリメーションレンズ（エネルギー調整用レンズ）、マスク径によって調整することができる。マスク径は、実際には、加工するブラインドビアの径に応じて選択される。エネルギー値は、レーザー加工を行う台座上に、測定器（パワーセンサ）を置いて、加工される回路基板の絶縁層表面高さにおけるエネルギーを実測することにより測定することができる。なお、市販されている炭酸ガスレーザー装置には測定装置が装備されており、照射対象表面におけるエネルギーを容易に測定することができる。市販されている炭酸ガスレーザー装置としては、例えば、三菱電機（株）ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ、日立ビアメカニクス（株）LC-Gシリーズ、松下溶接システム（株）基板穴あけレーザ加工機などが挙げられる。   The energy of the carbon dioxide gas laser is the energy value of the laser on the surface of the insulating layer per shot, and is adjusted by the output of the oscillator, collimation lens (energy adjustment lens), and mask diameter in the carbon dioxide laser device. can do. The mask diameter is actually selected according to the diameter of the blind via to be processed. The energy value can be measured by placing a measuring device (power sensor) on a pedestal that performs laser processing and actually measuring the energy at the surface height of the insulating layer of the circuit board to be processed. Note that a commercially available carbon dioxide laser device is equipped with a measuring device, and the energy on the irradiation target surface can be easily measured. Examples of commercially available carbon dioxide laser apparatuses include Mitsubishi Electric Corporation ML605GTWII, Hitachi Via Mechanics Corporation LC-G series, Matsushita Welding System Co., Ltd. substrate drilling laser processing machine, and the like.

本発明で製造する多層プリント配線板には、必要により、絶縁層が形成された回路基板に貫通孔（スルーホール）を形成してもよい。貫通孔形成は従来公知の方法を用いることができる。多層プリント配線板においては、貫通孔の形成は一般にコア基板において行われ、ビルドアップされた絶縁層は一般にはブラインドビアにより導通が行われる。また貫通孔形成は、一般に機械ドリルが用いられる。レーザーでコア基板に貫通孔を形成する方法も知られているが、その場合銅箔がレーザーを反射するため、通常、銅箔表面を化学的に加工した後、レーザーを照射する方法が用いられる。また、レーザーエネルギーの吸収を向上させる成分を含む穴あけ用補助シートを銅箔表面に設置してレーザー照射する方法も知られている。炭酸ガスレーザーで貫通孔を形成する場合、より大きなエネルギーが必要となり、銅箔やコア基板の厚みにもよるが、例えば１０〜６０ｍＪのエネルギーが採用される。薄型の回路基板においては、例えば本発明におけるブラインドビアの形成のように、絶縁層表面に密着されたプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、貫通孔を形成させる等、ビルトアップされた絶縁層上からレーザーにより貫通孔を形成してもよい。   In the multilayer printed wiring board manufactured by the present invention, if necessary, a through hole (through hole) may be formed in a circuit board on which an insulating layer is formed. A conventionally well-known method can be used for through-hole formation. In a multilayer printed wiring board, formation of a through hole is generally performed in a core substrate, and a built-up insulating layer is generally conducted by a blind via. Moreover, a mechanical drill is generally used for forming the through hole. A method of forming a through-hole in a core substrate with a laser is also known, but in this case, since the copper foil reflects the laser, a method of irradiating a laser after chemically processing the copper foil surface is usually used. . There is also known a method in which a drilling auxiliary sheet containing a component that improves absorption of laser energy is placed on the surface of a copper foil and laser irradiation is performed. When forming a through-hole with a carbon dioxide laser, a larger energy is required, and an energy of, for example, 10 to 60 mJ is employed, depending on the thickness of the copper foil or the core substrate. In a thin circuit board, for example, as in the formation of a blind via in the present invention, a built-up insulation such as a through hole is formed by irradiating a carbon dioxide laser from a plastic film in close contact with the surface of the insulating layer. You may form a through-hole with a laser from on a layer.

本発明の多層プリント配線板の製造方法では、ブラインドビアの形成後に絶縁層からプラスチックフィルムを剥離する。プラスチックフィルムの剥離は、手動で剥離してもよく、自動剥離装置により機械的に剥離してもよい。なお、貫通孔を形成する場合は、ブラインドビアと貫通孔の形成後にプラスチックフィルムを剥離する。   In the manufacturing method of the multilayer printed wiring board of this invention, a plastic film is peeled from an insulating layer after formation of a blind via. The plastic film may be peeled manually or mechanically by an automatic peeling device. In addition, when forming a through-hole, a plastic film is peeled after formation of a blind via and a through-hole.

本発明の多層プリント配線板の製造方法においては、絶縁層表面を粗化処理する粗化工程、粗化された絶縁層表面にメッキにより導体層を形成するメッキ工程、及び導体層に回路を形成する回路形成工程をさらに含んでもよい。これらの工程は、多層プリント配線板の製造に用いられている従来公知の各種方法に従って行うことができる。   In the method for producing a multilayer printed wiring board of the present invention, a roughening step for roughening the surface of the insulating layer, a plating step for forming a conductor layer by plating on the roughened insulating layer surface, and forming a circuit on the conductor layer A circuit forming step may be further included. These steps can be performed according to various conventionally known methods used in the production of multilayer printed wiring boards.

絶縁層表面を粗化処理する粗化工程は、例えば、絶縁層表面をアルカリ性過マンガン酸水溶液等の酸化剤で処理することにより行うことができる。また、該粗化工程は、ブラインドビア、貫通孔等の孔内残渣（スミア）を除去するデスミア工程を兼ねる場合がある。なお、アルカリ性過マンガン酸水溶液で粗化処理をする場合、粗化処理に先立って膨潤液による膨潤処理を行うのが好ましい。膨潤液には、例えば、アトテックジャパン株式会社製のスウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ（Swelling Dip Securiganth P）、スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ（Swelling Dip Securiganth SBU）等を挙げることができる。膨潤処理は、通常６０〜８０℃程度に加熱した膨潤液に絶縁層を５〜１０分程度付すことで行われる。アルカリ性過マンガン酸水溶液としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解した溶液を挙げることができる。アルカリ性過マンガン酸水溶液による粗化処理は、通常６０〜８０℃のアルカリ性過マンガン酸水溶液に１０〜３０分程度絶縁層を付すことで行われる。アルカリ性過マンガン酸水溶液は、市販品としては、アトテックジャパン株式会社製のコンセントレート コンパクトＣＰ、ドージングソリューション セキュリガンスＰ、等が挙げられる。   The roughening step for roughening the surface of the insulating layer can be performed, for example, by treating the surface of the insulating layer with an oxidizing agent such as an aqueous alkaline permanganate solution. Further, the roughening process may also serve as a desmear process for removing residual residues (smear) such as blind vias and through holes. In addition, when performing a roughening process by alkaline permanganic acid aqueous solution, it is preferable to perform the swelling process by a swelling liquid prior to a roughening process. Examples of the swelling liquid include Swelling Dip Securiganth P (Swelling Dip Securiganth SBU) and Swelling Dip Securiganth SBU (ABUTEC Japan Co., Ltd.). The swelling treatment is usually performed by attaching an insulating layer to the swelling liquid heated to about 60 to 80 ° C. for about 5 to 10 minutes. Examples of the alkaline permanganate aqueous solution include a solution in which potassium permanganate or sodium permanganate is dissolved in an aqueous solution of sodium hydroxide. The roughening treatment with the alkaline permanganic acid aqueous solution is usually performed by attaching an insulating layer to the alkaline permanganic acid aqueous solution at 60 to 80 ° C. for about 10 to 30 minutes. Examples of commercially available alkaline permanganate aqueous solutions include Concentrate Compact CP, Dosing Solution Securigans P manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., and the like.

メッキ工程は、例えば、粗化処理により凸凹が形成された絶縁層表面に無電解メッキと電解メッキを組み合わせた方法で導体層を形成するか、無電解メッキのみで導体層を形成する。導体層としては、銅、アルミニウム、ニッケル、銀、金等の金属又はこれら金属の合金等で形成できるが、特に銅が好ましい。銅メッキ層は、無電解銅メッキと電解銅メッキを組み合わせた方法か、導体層とは逆パターンのメッキレジストを形成し、無電解銅メッキのみで導体層を形成する。無電解メッキ層の厚みは、好ましくは０．１〜３μｍ、より好ましくは０．３〜２μｍである。一方、電解メッキ層の厚みは、無電解メッキ層の厚みとの合計厚みが好ましくは３〜３５μｍ、より好ましくは５〜２０μｍとなる厚みである。なお、導体層形成後、１５０〜２００℃で２０〜９０分アニール処理することにより、導体層のピール強度をさらに向上、安定化させることができる。   In the plating process, for example, the conductor layer is formed on the surface of the insulating layer on which the unevenness is formed by the roughening treatment by a method combining electroless plating and electrolytic plating, or the conductive layer is formed only by electroless plating. The conductor layer can be formed of a metal such as copper, aluminum, nickel, silver, or gold, or an alloy of these metals, but copper is particularly preferable. The copper plating layer is a method in which electroless copper plating and electrolytic copper plating are combined, or a plating resist having a pattern opposite to that of the conductor layer is formed, and the conductor layer is formed only by electroless copper plating. The thickness of the electroless plating layer is preferably 0.1 to 3 μm, more preferably 0.3 to 2 μm. On the other hand, the thickness of the electrolytic plating layer is such that the total thickness with the thickness of the electroless plating layer is preferably 3 to 35 μm, more preferably 5 to 20 μm. In addition, after the conductor layer is formed, the peel strength of the conductor layer can be further improved and stabilized by annealing at 150 to 200 ° C. for 20 to 90 minutes.

回路形成工程は、例えば、サブトラクティブ法、セミアディディブ法などを用いることができる。ファインライン形成にはセミアディティブ法が好ましく、無電解メッキ層上にパターンレジストを施し、所望の厚みの電解メッキ層（パターンメッキ層）を形成後、パターンレジストを剥離し、無電解メッキ層をフラッシュエッチで除去することにより、回路を形成することができる。   For the circuit formation step, for example, a subtractive method, a semi-additive method, or the like can be used. The semi-additive method is preferable for fine line formation. A pattern resist is applied on the electroless plating layer, an electrolytic plating layer (pattern plating layer) with a desired thickness is formed, the pattern resist is peeled off, and the electroless plating layer is flashed. A circuit can be formed by removing by etching.

本発明の多層プリント配線板の製造に用いる回路基板とは、主として、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板の片面又は両面にパターン加工された導体層（回路）が形成されたものをいう。また、多層プリント配線板を製造する際に、さらに絶縁層および／または導体層が形成されるべき中間製造物の内層回路基板も本発明でいう回路基板に含まれる。なお、導体層（回路）表面は黒化処理等により予め粗化処理が施されていた方が絶縁層の回路基板への密着性の観点から好ましい。   The circuit board used for the production of the multilayer printed wiring board of the present invention is mainly a pattern on one or both sides of a substrate such as a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a thermosetting polyphenylene ether substrate, etc. This means that a processed conductor layer (circuit) is formed. Further, when the multilayer printed wiring board is manufactured, an inner layer circuit board of an intermediate product in which an insulating layer and / or a conductor layer is further formed is also included in the circuit board referred to in the present invention. The surface of the conductor layer (circuit) is preferably subjected to a roughening treatment in advance by a blackening treatment or the like from the viewpoint of adhesion of the insulating layer to the circuit board.

以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明する。なお、以下の記載において「部」は「質量部」を意味する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. In the following description, “part” means “part by mass”.

（熱硬化性樹脂組成物ワニスの製造例１）
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、ジャパンエポキシレジン（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）２８部と、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（エポキシ当量１６３、大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ４７００」）２８部とをメチルエチルケトン１５部とシクロヘキサノン１５部の混合溶媒に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、ナフトール系硬化剤（東都化成（株）製「ＳＮ-４８５」、フェノール性水酸基当量２１５）の固形分５０％のメチルエチルケトン溶液１１０部、硬化触媒（四国化成工業（株）製、「２Ｅ４ＭＺ」）０．１部、球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、「ＳＯ−Ｃ２」アドマテックス社製）７０部、ポリビニルブチラール樹脂溶液（積水化学工業（株）製「ＫＳ-１」の固形分１５％のエタノールとトルエンの１：１溶液）３０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、熱硬化性樹脂組成物ワニスを作製した。当該ワニスの固形分（不揮発成分）全体当たりのシリカ含有量は約３８質量％である。(Production Example 1 of Thermosetting Resin Composition Varnish)
28 parts of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, “Epicoat 828EL” manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) and naphthalene type tetrafunctional epoxy resin (epoxy equivalent 163, “HP4700” manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) 28 parts) was dissolved by heating in a mixed solvent of 15 parts of methyl ethyl ketone and 15 parts of cyclohexanone with stirring. Thereto, 110 parts of a methyl ethyl ketone solution having a solid content of 50% of a naphthol-based curing agent (“SN-485” manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., phenolic hydroxyl group equivalent 215), a curing catalyst (“2E4MZ manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.) ”) 0.1 part, spherical silica (average particle size 0.5 μm,“ SO-C2 ”manufactured by Admatechs) 70 parts, polyvinyl butyral resin solution (“ KS-1 ”manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) 30 parts of 15% ethanol and toluene (1: 1 solution) were mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to prepare a thermosetting resin composition varnish. The silica content per solid content (nonvolatile component) of the varnish is about 38% by mass.

上記ワニスを、総厚みが３８μｍの離型層付きＰＥＴフィルム（リンテック（株）製ＡＬ５）の離型面に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが４０μｍとなるようにダイコーターにて均一に塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で６分間乾燥した（樹脂組成物層中の残留溶媒量：約１．５質量％）。次いで、樹脂組成物層の表面に厚さ１５μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせながらロール状に巻き取った。ロール状の接着フィルムを幅５０７ｍｍにスリットし、５０７×３３６ｍｍサイズのシート状の接着フィルムを得た。この後、該接着フィルムを回路形成（回路導体厚１８μｍ）された、５１０×３４０ｍｍサイズ、厚さ０．２ｍｍの銅張積層板の両面へ仮付けし、（株）名機製作所製真空ラミネーターにより、温度１００℃、圧力７ｋｇｆ／ｃｍ２、気圧５ｍｍＨｇ以下の条件で両面にラミネートし、さらに連続的に温度１００℃、圧力５ｋｇｆ／ｃｍ２の条件でＳＵＳ鏡板による熱プレスを行った。次いで、離型層付きＰＥＴフィルムが付いた状態で１８０℃、３０分の条件で熱硬化させ、回路基板両面に絶縁層を形成した。Uniformly coat the varnish with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying is 40 μm on the release surface of a PET film with a release layer (Lintec Co., Ltd. AL5) having a total thickness of 38 μm. It apply | coated and dried for 6 minutes at 80-120 degreeC (average 100 degreeC) (residual solvent amount in a resin composition layer: about 1.5 mass%). Subsequently, it wound up in roll shape, bonding a 15-micrometer-thick polypropylene film on the surface of a resin composition layer. The roll-like adhesive film was slit to a width of 507 mm to obtain a sheet-like adhesive film having a size of 507 × 336 mm. Thereafter, the adhesive film is temporarily attached to both sides of a copper-clad laminate of 510 × 340 mm size and 0.2 mm thickness formed with a circuit (circuit conductor thickness 18 μm), and a vacuum laminator manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd. The laminate was laminated on both surfaces under the conditions of a temperature of 100 ° C., a pressure of 7 kgf / cm 2 , and an atmospheric pressure of 5 mmHg or less, and was continuously hot pressed with a SUS end plate at a temperature of 100 ° C. and a pressure of 5 kgf / cm 2 . Next, the film was thermally cured at 180 ° C. for 30 minutes with a PET film with a release layer attached, and insulating layers were formed on both sides of the circuit board.

室温まで冷却後、離型層付きＰＥＴフィルムを剥離せず、その上から三菱電機（株）製炭酸ガスレーザー装置（ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ−Ｐ）により、下記表１の実施例１の欄に記載の条件（パルス幅４μｓ）にて孔あけを行い、ブラインドビア（トップ径７０μｍを想定）を形成した。なお、想定トップ径７０μｍを比較例と同じとするため、本例の離型層付きＰＥＴフィルムが接着した状態での孔あけにおけるマスク径は、後掲比較例（離型層付きＰＥＴフィルム無しでの孔あけ）の場合のマスク径（１．０ｍｍ）よりも若干大きい１．１ｍｍとした。   After cooling to room temperature, the PET film with a release layer was not peeled off, and the conditions described in the column of Example 1 of Table 1 below (Mitsubishi Electric Co., Ltd.) using a carbon dioxide gas laser device (ML605GTWII-P) ( Drilling was performed with a pulse width of 4 μs to form blind vias (assuming a top diameter of 70 μm). In addition, in order to make the assumed top diameter 70 μm the same as the comparative example, the mask diameter in the drilling in the state where the PET film with a release layer of this example is adhered is the comparative example (without the PET film with a release layer). In this case, the diameter was 1.1 mm, which is slightly larger than the mask diameter (1.0 mm) in the case of (drilling).

その後、電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてブラインドビアの観察を行い、ビアの開口率（底径／トップ径）を縦、横の平均値で計算し、レーザー加工性の評価を行った。また、デスミア処理を兼ねた絶縁層の表面処理の実施後にも、電子顕微鏡にてブラインドビアの観察を行った。なお、表面処理は、アトテック社の粗化液（スエリングディップ・セキユリガンド Ｐ（膨潤）、コンセントレート コンパクト Ｐ（酸化）、リダクションショリューシ セキュリガント Ｐ（中和）を用いて、膨潤６０℃×５分、酸化８０℃×２０分、中和４０℃×５分の工程を通すことで行った。   Thereafter, blind vias were observed with an electron microscope (SEM), and the aperture ratio (bottom diameter / top diameter) of the vias was calculated as an average value in the vertical and horizontal directions to evaluate laser workability. Further, after the surface treatment of the insulating layer also serving as the desmear treatment, the blind via was observed with an electron microscope. The surface treatment was carried out using Atotech's roughening solution (Swelling Dip Sekiyu Ligand P (Swelling), Concentrate Compact P (Oxidation), Reduction Soryu Securigant P (Neutralization)) Minutes, oxidation 80 ° C. × 20 minutes, neutralization 40 ° C. × 5 minutes.

なお、上記の「ビアの開口率（底径／トップ径）を縦、横の平均値で計算し、」とは、ビアの底径とトップ径のそれぞれについて、ビアの軸線と交差する互い直交する２つの方向（縦方向、横方向）において孔の直径を測定して、その平均値を計算したことを意味する。   Note that “the via aperture ratio (bottom diameter / top diameter) is calculated as an average value in the vertical and horizontal directions” means that each of the via bottom diameter and top diameter is orthogonal to each other and intersects with the via axis. It means that the diameter of the hole was measured in two directions (longitudinal direction and transverse direction) and the average value was calculated.

なお、ビアの底径及びトップ径の測定は（株）日立ハイテクノロジーズ製、走査型電子顕微鏡（型式「ＳＵ−１５００」) にて行った。まずビアトップに焦点を合わせ、縦、横の直径を、観察した倍率にて表示されるスケールより算出し、その平均をトップ径とした。次に、ビア底に焦点を合わせ、縦、横の直径を、観察した倍率にて表示されるスケールより算出し、その平均を底径とした。   The measurement of the bottom diameter and the top diameter of the via was performed with a scanning electron microscope (model “SU-1500”) manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation. First, the top of the via was focused, and the vertical and horizontal diameters were calculated from the scale displayed at the observed magnification, and the average was taken as the top diameter. Next, focusing on the bottom of the via, the vertical and horizontal diameters were calculated from the scale displayed at the observed magnification, and the average was taken as the bottom diameter.

孔あけを表１の実施例２の欄に記載の条件で行った以外は、実施例１と同様の操作を行い、実施例１と同様の評価を行った。   Except that the drilling was performed under the conditions described in the column of Example 2 in Table 1, the same operation as in Example 1 was performed, and the same evaluation as in Example 1 was performed.

＜比較例１、２＞
室温にまで冷却後、離型層付きＰＥＴフィルムを剥離した後、三菱電機（株）製炭酸ガスレーザー（ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ−Ｐ)により、表２の比較例１、２記載の条件にて孔あけを行った（マスク径１．０ｍｍ）。それ以外は実施例１と同様の操作を行い、実施例１と同様の評価を行った。<Comparative Examples 1 and 2>
After cooling to room temperature, the PET film with a release layer was peeled off, and then drilled with a carbon dioxide laser (ML605GTWII-P) manufactured by Mitsubishi Electric Corporation under the conditions described in Comparative Examples 1 and 2 in Table 2. (Mask diameter 1.0 mm). Otherwise, the same operation as in Example 1 was performed, and the same evaluation as in Example 1 was performed.

結果を表１及び表２に示す。   The results are shown in Tables 1 and 2.

（熱硬化性樹脂組成物ワニスの製造例２）
ビスフェノールＡジシアネートのプレポリマー（ロンザジャパン（株）製「ＢＡ２３０Ｓ７５」、シアネート当量約２３２、不揮発分７５質量％のメチルエチルケトン（以下ＭＥＫと略す）溶液）３５質量部、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製「ＰＴ３０」、シアネート当量約１２４）を１０質量部、ナフトール型エポキシ樹脂（東都化成（株）製「ＥＳＮ−４７５Ｖ」、エポキシ当量約３４０の不揮発分６５質量％のＭＥＫ溶液）４０質量部、さらに液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製「８２８ＥＬ」）６質量部、フェノキシ樹脂溶液（東都化成（株）製「ＹＰ−７０」、不揮発分４０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンとの混合溶液）１５質量部、硬化触媒としてのコバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート（東京化成（株）製）の１質量％のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶液４質量部、および球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」をアミノシランで表面処理したもの、平均粒子径０．５μｍ）７５質量部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、熱硬化性樹脂組成物ワニスを作製した。当該ワニスの固形分（不揮発成分）全体当たりのシリカ含有量は約５０質量％である。(Production Example 2 of Thermosetting Resin Composition Varnish)
Prepolymer of bisphenol A dicyanate ("BA230S75" manufactured by Lonza Japan Co., Ltd.), 35 parts by mass of methyl ethyl ketone (hereinafter abbreviated as MEK) solution having a cyanate equivalent of about 232 and a nonvolatile content of 75% by mass, a phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resin ( 10 parts by mass of “PT30” manufactured by Lonza Japan Co., Ltd., cyanate equivalent of about 124), naphthol type epoxy resin (“ESN-475V” manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), MEK solution having a nonvolatile content of 65% by mass with an epoxy equivalent of about 340 ) 40 parts by mass, further 6 parts by mass of liquid bisphenol A type epoxy resin (“828EL” manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), phenoxy resin solution (“YP-70” manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), 40% by mass of non-volatile content Mixed solution of MEK and cyclohexanone) 15 parts by mass, hard 4 parts by mass of a 1% by mass N, N-dimethylformamide (DMF) solution of cobalt (II) acetylacetonate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a catalyst, and spherical silica (“SO-” manufactured by Admatechs Co., Ltd.) 75 parts by mass of C2 "surface-treated with aminosilane (average particle size 0.5 μm) were mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to prepare a thermosetting resin composition varnish. The silica content per solid content (nonvolatile component) of the varnish is about 50% by mass.

上記ワニスを、総厚みが３８μｍの離型層付きＰＥＴフィルム（リンテック（株）製ＡＬ５）の離型面に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが４０μｍとなるようにダイコーターにて均一に塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で６分間乾燥した（樹脂組成物層中の残留溶媒量：約１．４質量％）。次いで、樹脂組成物層の表面に厚さ１５μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせながらロール状に巻き取った。ロール状の接着フィルムを幅５０７ｍｍにスリットし、５０７×３３６ｍｍサイズのシート状の接着フィルムを得た。その後、実施例１と同様の操作を行い、実施例１と同様の評価を行った。ただし、デスミア処理を兼ねた絶縁層の表面処理は、膨潤８０℃×１０分、酸化８０℃×２０分、中和４０℃×５分の工程を通すことで行った。   Uniformly coat the varnish with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying is 40 μm on the release surface of a PET film with a release layer (Lintec Co., Ltd. AL5) having a total thickness of 38 μm. It apply | coated and dried for 6 minutes at 80-120 degreeC (average 100 degreeC) (residual solvent amount in a resin composition layer: about 1.4 mass%). Subsequently, it wound up in roll shape, bonding a 15-micrometer-thick polypropylene film on the surface of a resin composition layer. The roll-like adhesive film was slit to a width of 507 mm to obtain a sheet-like adhesive film having a size of 507 × 336 mm. Thereafter, the same operation as in Example 1 was performed, and the same evaluation as in Example 1 was performed. However, the surface treatment of the insulating layer also serving as the desmear treatment was performed by passing through steps of swelling 80 ° C. × 10 minutes, oxidation 80 ° C. × 20 minutes, and neutralization 40 ° C. × 5 minutes.

孔あけを表３の実施例４の欄に記載の条件で行った以外は、実施例３と同様の操作を行い、実施例３と同様の評価を行った。   Except that the drilling was performed under the conditions described in the column of Example 4 in Table 3, the same operation as in Example 3 was performed, and the same evaluation as in Example 3 was performed.

＜比較例３、４＞
室温にまで冷却後、離型層付きＰＥＴフィルムを剥離した後、三菱電機（株）製炭酸ガスレーザー（ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ−Ｐ）により、表４の比較例３、４記載の条件にて孔あけを行った（マスク径１．０ｍｍ）。それ以外は実施例３と同様の操作を行い、実施例３と同様の評価を行った。
結果を表３及び表４に示す。<Comparative Examples 3 and 4>
After cooling to room temperature, the PET film with a release layer was peeled off, and then drilled with the carbon dioxide laser (ML605GTWII-P) manufactured by Mitsubishi Electric Corporation under the conditions described in Comparative Examples 3 and 4 in Table 4. (Mask diameter 1.0 mm). Otherwise, the same operation as in Example 3 was performed, and the same evaluation as in Example 3 was performed.
The results are shown in Tables 3 and 4.

表１、表３から分かるように、プラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーにより形成されたブラインドビアは、１ｍＪを超える高エネルギーでも、ビア表面付近の樹脂ダメージが少なく、デスミア後、ビア周辺絶縁層も均一な粗面であった。また、高いエネルギーの炭酸ガスレーザーを使用することで、ショット数も少なく、テーパの小さい（すなわち、開口率が大きい）良好なビア形状の加工が可能となっており、本発明の方法が、ビア形成の高速化に適した方法であることが分かる。   As can be seen from Tables 1 and 3, blind vias formed from a plastic film with a carbon dioxide laser have little resin damage near the via surface even at high energy exceeding 1 mJ, and the insulating layer around the via is uniform after desmearing. It was a rough surface. Further, by using a high energy carbon dioxide laser, it is possible to process a good via shape with a small number of shots and a small taper (that is, a large aperture ratio). It can be seen that this method is suitable for speeding up the formation.

一方、プラスチックフィルムを剥離後、絶縁層に直接炭酸ガスレーザーを照射させてブラインドビアを形成した比較例（表２及び表４）では、炭酸ガスレーザーのエネルギーが低い場合（比較例１、３）、トップ径に対してビア底径がより小さくなっており（すなわち、開口率が小さくなっており）、特にシリカ含有量の多い絶縁層ではテーパの大きい（開口率が小さい）形状が顕著となった（比較例３）。また、１ｍＪを超える高エネルギー加工（比較例２、４）では、ビア周辺絶縁層の樹脂ダメージが大きいため、ファインパターン形成の際に支障をきたす三日月状のダメージがビア周辺に顕著に観察される（白矢印で表示）とともに、デスミア後にビアトップ径の広がりも顕著となっている。   On the other hand, in the comparative examples (Tables 2 and 4) in which the insulating film was directly irradiated with a carbon dioxide gas laser after the plastic film was peeled to form a blind via, the energy of the carbon dioxide laser was low (Comparative Examples 1 and 3). The bottom diameter of the via is smaller than the top diameter (that is, the aperture ratio is small), and the shape having a large taper (small aperture ratio) is particularly noticeable in an insulating layer having a high silica content. (Comparative Example 3). Further, in high energy processing exceeding 1 mJ (Comparative Examples 2 and 4), since the resin damage of the via peripheral insulating layer is large, crescent-shaped damage that hinders fine pattern formation is noticeably observed around the via. Along with (indicated by a white arrow), the spread of the via top diameter becomes prominent after desmearing.

本発明によれば、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に、加工性を良好とするのに十分な高いエネルギーの炭酸ガスレーザーを使用した場合でも、ビア周辺の絶縁層表面に大きな凹凸を生じさせずに、トップ径が１００μｍ以下で、ビア底径とトップ径の差が小さい良好な孔形状のブラインドビアを形成することができる。従って、導通信頼性が高く、高密度配線化に適した多層プリント配線板が製造可能であり、特に、無機充填材を多く含有させることにより、絶縁層の機械強度向上や熱膨張率低下等を目的した、多層プリント配線板の製造に好適に用いることができる。   According to the present invention, even when a carbon dioxide laser having a high energy sufficient for improving the workability is used for the insulating layer containing 35% by mass or more of the inorganic filler, the insulating layer surface around the via is large. Without generating irregularities, it is possible to form a blind via having a favorable hole shape with a top diameter of 100 μm or less and a small difference between the via bottom diameter and the top diameter. Therefore, a multilayer printed wiring board with high conduction reliability and suitable for high density wiring can be manufactured, and in particular, by containing a large amount of an inorganic filler, the mechanical strength of the insulating layer is improved and the thermal expansion coefficient is lowered. It can be suitably used for the production of the intended multilayer printed wiring board.

本出願は日本で出願された特願２００７−３０２８３１を基礎としており、その内容は本明細書に全て包含される。   This application is based on Japanese Patent Application No. 2007-302831 filed in Japan, the contents of which are incorporated in full herein.

Claims (14)

厚みが２０〜５０μｍのプラスチックフィルム上に平均粒径が３μｍ以下の無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物層を形成した接着フィルムを、該熱硬化性樹脂組成物層が回路基板の両面又は片面に接するように回路基板に積層し、該熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層を形成後、該絶縁層表面に密着する前記プラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、該絶縁層に、トップ径が１００μｍ以下で、かつ、ビアの開口率（底径／トップ径）が７０％以上のブラインドビアを形成する工程、
前記プラスチックフィルムを前記絶縁層から剥離する剥離工程、
前記絶縁層を粗化処理する粗化工程、および
粗化された絶縁層表面にメッキにより導体層を形成するメッキ工程を含むことを特徴とする、多層プリント配線板の製造方法。 An adhesive film in which a thermosetting resin composition layer containing 35% by mass or more of an inorganic filler having an average particle size of 3 μm or less is formed on a plastic film having a thickness of 20 to 50 μm is formed by the thermosetting resin composition layer. After laminating on the circuit board so as to be in contact with both sides or one side of the circuit board, the thermosetting resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer containing 35% by mass or more of an inorganic filler, and then on the surface of the insulating layer. A carbon dioxide laser is irradiated from above the plastic film to be adhered , and a blind via having a top diameter of 100 μm or less and a via opening ratio (bottom diameter / top diameter) of 70% or more is formed on the insulating layer. Process ,
A peeling step of peeling the plastic film from the insulating layer;
A roughening step of roughening the insulating layer; and
The manufacturing method of a multilayer printed wiring board characterized by including the plating process which forms a conductor layer by plating on the roughened insulating layer surface . 無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層が、無機充填材を３５〜７０質量％含有する絶縁層である、請求項１記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the insulating layer containing 35% by mass or more of the inorganic filler is an insulating layer containing 35 to 70% by mass of the inorganic filler. 無機充填材がシリカである、請求項１または２記載の方法。   The method according to claim 1 or 2, wherein the inorganic filler is silica. プラスチックフィルムがポリエチレンテレフタレートフィルムである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the plastic film is a polyethylene terephthalate film. 絶縁層の厚みが１５〜１００μｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。 The thickness of the insulation layer is 15 to 100 m, The method according to any one of claims 1 to 4. 炭酸ガスレーザーのエネルギーが１ｍＪ以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。   The method according to any one of claims 1 to 5, wherein the energy of the carbon dioxide laser is 1 mJ or more. 炭酸ガスレーザーのエネルギーが１〜５ｍＪである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the energy of the carbon dioxide laser is 1 to 5 mJ. 炭酸ガスレーザーのショット数が１又は２である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。   The method according to any one of claims 1 to 7, wherein the number of shots of the carbon dioxide laser is 1 or 2. 絶縁層を粗化処理する粗化工程がブラインドビアの孔内残渣を除去するデスミア工程を兼ねるものである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。 Roughening step of roughening the insulating layer serves also as a desmear process for removing the holes residue blind vias, the method according to any one of claims 1-8. 導体層に回路を形成する回路形成工程をさらに含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。 Conductor layer further comprising a circuit formation step of forming a circuit, the method according to any one of claims 1-9. 無機充填材の平均粒径が０．１〜３μｍである、請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。 The average particle diameter of the inorganic filler is 0.1 to 3 m, any one method according to claim 1-10. プラスチックフィルムが、離型層付きプラスチックフィルムである、請求項１〜１１のいずれか１項記載の方法。 The method according to any one of claims 1 to 11 , wherein the plastic film is a plastic film with a release layer. ビルドアップ方式による、請求項１〜１２のいずれか１項記載の方法。 By build-up method, any one method according to claim 1-12. 真空ラミネーターを使用する、請求項１〜１３のいずれか１項記載の方法。
Using the vacuum laminator, any one method according to claim 1-13.
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