JP5588529B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
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101…真空側ブロック、
102…大気側ブロック、
103,104…真空容器、
105…ロードロック室、
106…アンロードロック室、
107…真空搬送ロボット、
108…大気搬送容器、
109…大気搬送ロボット、
110…カセット、
111…載置台、
112…真空搬送容器、
201…第1の処理容器、
202…第2の処理容器、
203…電波源、
204…導波手段、
205…アンテナ、
206…蓋部材、
207…処理室、
208…シャワープレート、
209…ソレノイドコイル、
210…バッファ室、
211…円筒部材、
212…アース部材、
213…試料台、
214…支持装置、
215…高周波電源、
216…真空室、
217…真空搬送室、
218…ゲートバルブ、
219…ターボ分子ポンプ、
220…処理ガス源、
221,226…マスフローコントローラ、
222…接続配管、
223,228…導入バルブ、
224…処理ガス供給経路、
225…不活性ガス源、
227…接続配管、
229…不活性ガス導入経路、
230…可変バルブ、
231…ターボ分子ポンプ、
232…ドライポンプ、
233…圧力センサ、
234…制御装置、
235…ガス導入孔、
236…集合配管部。
Claims (5)
- 真空容器内に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、該処理室内の下部に配置され試料が載置される試料台と、前記処理室内に試料搬送用ガス、試料処理用ガス、第一の試料異物除去用ガスまたは第二の試料異物除去用ガスの中で少なくとも一つのガスを導入するための導入孔を有し前記処理室の上方に配置されたガス導入機構と、前記真空容器と連結され減圧下で前記処理室内に前記試料を搬送するための搬送容器と、該搬送容器と前記真空容器とを連通する通路を開閉するゲートバルブとを備える真空処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
前記真空容器内に前記試料搬送用ガスを流しながら前記ゲートバルブを開けて前記試料を前記試料台に搬送し、
前記試料搬送後に前記ゲートバルブを閉じた後、前記処理室に前記試料搬送用ガスを流したまま、高真空排気を行わずに、
前記試料の表面に存在する有機物を除去するためのガスである前記第一の試料異物除去用ガスを導入するとともに前記試料搬送用ガスの導入を停止し、
前記処理室内の圧力を所定の圧力に調整した後、前記処理室内にプラズマを形成して前記有機物を除去し、
前記試料の表面に存在する無機物を除去するためのガスである前記第二の試料異物除去用ガスを導入した後、前記処理室内にプラズマを形成して前記無機物を除去し、
前記有機物の除去および前記無機物の除去後、前記試料を前記試料処理用ガスを用いてプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記試料搬送用ガスは、Ar(アルゴン)ガスまたはN2(窒素)ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記無機物は、Si(ケイ素)、SiO2(二酸化ケイ素)、PSG(リンケイ酸塩ガラス膜)、BPSG(ホウリンケイ酸塩ガラス膜)、BSG(ホウケイ酸塩ガラス膜)、SiOF(酸化ケイ素系絶縁膜)、TEOS(テトラオリシリケートシラン)、SiNx(窒化ケイ素)、SiOxNy(酸窒化ケイ素)の何れかであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項3に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の試料異物除去用ガスは、Cl2(塩素)ガス、BCl3(三塩化ホウ素)ガス、CF4(四フッ化炭素)ガス、SF6(六フッ化硫黄)ガス、CHF3(三フッ化メタン)ガスのうちから選ばれる少なくとも1種のガスあるいはCl2(塩素)ガスとBCl3(三塩化ホウ素)ガス、CF4(四フッ化炭素)ガスとSF6(六フッ化硫黄)ガス、CF4(四フッ化炭素)ガスとCHF3(三フッ化メタン)ガス、SF6(六フッ化硫黄)ガスとCHF3(三フッ化メタン)ガスの混合ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一の試料異物除去用ガスは、O2(酸素)ガスに、Cl2(塩素)ガス、SF6(六フッ化硫黄)ガス、HBr(臭化水素)ガス、N2(窒素)ガス、CF4(四フッ化炭素)ガス、CHF3(三フッ化メタン)ガスの中から選ばれる少なくとも1種のガスを添加あるいはこれらの混合ガスにAr(アルゴン)ガス、He(ヘリウム)ガスから選ばれる少なくとも1種のガスを添加あるいはO2(酸素)ガスに、Ar(アルゴン)ガス、He(ヘリウム)ガスから選ばれる少なくとも1種のガスを添加することを特徴とするプラズマ処理方法。
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