JP5582189B2 - Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, and method for forming conductive pattern - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 77
- -1 aromatic ketone compound Chemical class 0.000 claims description 289
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 92
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 92
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 40
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- 229940059574 pentaerithrityl Drugs 0.000 claims description 13
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 10
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 8
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 7
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 claims description 7
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 5
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 177
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 132
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 61
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 24
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 18
- 238000011161 development Methods 0.000 description 16
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 16
- 239000002585 base Substances 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 12
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 9
- 229940113165 trimethylolpropane Drugs 0.000 description 9
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 8
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L sodium carbonate Substances [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 5
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 150000007934 α,β-unsaturated carboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 2-methylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3C(=O)C2=C1 NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWDGNKGKLOBESZ-UHFFFAOYSA-N 2-oxooctanal Chemical compound CCCCCCC(=O)C=O MWDGNKGKLOBESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MJVAVZPDRWSRRC-UHFFFAOYSA-N Menadione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(C)=CC(=O)C2=C1 MJVAVZPDRWSRRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NPKSPKHJBVJUKB-UHFFFAOYSA-N N-phenylglycine Chemical compound OC(=O)CNC1=CC=CC=C1 NPKSPKHJBVJUKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 2
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M lithium hydroxide Inorganic materials [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 2
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 2
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDUQMGQIHYISOP-RMKNXTFCSA-N (e)-2-cyano-3-phenylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(\C#N)=C\C1=CC=CC=C1 CDUQMGQIHYISOP-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- FWUIHQFQLSWYED-ARJAWSKDSA-N (z)-4-oxo-4-propan-2-yloxybut-2-enoic acid Chemical compound CC(C)OC(=O)\C=C/C(O)=O FWUIHQFQLSWYED-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHXSXTIIDBZEKB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5,6,7,8-octamethylanthracene-9,10-dione Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C2C(=O)C3=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C3C(=O)C2=C1C XHXSXTIIDBZEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(CC)C(CC)=CC=C3SC2=C1 GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940008841 1,6-hexamethylene diisocyanate Drugs 0.000 description 1
- LMGYOBQJBQAZKC-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethylphenyl)-2-hydroxy-2-phenylethanone Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 LMGYOBQJBQAZKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INUMMPHTUPBOEU-UHFFFAOYSA-N 1-phenylacridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12 INUMMPHTUPBOEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001462 1-pyrrolyl group Chemical group [*]N1C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIJPZYXCIHZVGP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C(C)C(C)=C2 KIJPZYXCIHZVGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCSGWEMRGIONEW-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chlorophenyl)-4,5-bis(2-methoxyphenyl)-1h-imidazole Chemical class COC1=CC=CC=C1C1=C(C=2C(=CC=CC=2)OC)NC(C=2C(=CC=CC=2)Cl)=N1 UCSGWEMRGIONEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHRWPYOTGCOJP-UHFFFAOYSA-N 2-(2-fluorophenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class FC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 UIHRWPYOTGCOJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIOGJAPOAUEYJO-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyphenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class COC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 XIOGJAPOAUEYJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNFCQJAJPFWBDJ-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methoxyphenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class C1=CC(OC)=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 SNFCQJAJPFWBDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVVXXHVHGGWWPE-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)benzoic acid Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1C(O)=O DVVXXHVHGGWWPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004182 2-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(Cl)=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004808 2-ethylhexylester Substances 0.000 description 1
- 125000002941 2-furyl group Chemical group O1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- VZMLJEYQUZKERO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(2-methylphenyl)-2-phenylethanone Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 VZMLJEYQUZKERO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- NTZCFGZBDDCNHI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylanthracene-9,10-dione Chemical compound C=1C=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=CC=1C1=CC=CC=C1 NTZCFGZBDDCNHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000389 2-pyrrolyl group Chemical group [H]N1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3C(=O)C2=C1 YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003682 3-furyl group Chemical group O1C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005917 3-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001397 3-pyrrolyl group Chemical group [H]N1C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001541 3-thienyl group Chemical group S1C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 9,10-phenanthroquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBESUYWLQBSMLH-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)OC(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)OC(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=CC=CC=C1 NBESUYWLQBSMLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYMOEINVGRTEX-ARJAWSKDSA-N Ethyl hydrogen fumarate Chemical compound CCOC(=O)\C=C/C(O)=O XLYMOEINVGRTEX-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N acrylic acid acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N acrylic acid methyl ester Natural products COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910001854 alkali hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000318 alkali metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229940027998 antiseptic and disinfectant acridine derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000008365 aromatic ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- LHMRXAIRPKSGDE-UHFFFAOYSA-N benzo[a]anthracene-7,12-dione Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C(=O)C1=CC=CC=C1C2=O LHMRXAIRPKSGDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- FWLDHHJLVGRRHD-UHFFFAOYSA-N decyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCOC(=O)C=C FWLDHHJLVGRRHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000007857 degradation product Substances 0.000 description 1
- 150000008049 diazo compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- OBISXEJSEGNNKL-UHFFFAOYSA-N dinitrogen-n-sulfide Chemical compound [N-]=[N+]=S OBISXEJSEGNNKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000532 dioxanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound [Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- XLYMOEINVGRTEX-UHFFFAOYSA-N fumaric acid monoethyl ester Natural products CCOC(=O)C=CC(O)=O XLYMOEINVGRTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKHAVTQWNUWKEO-UHFFFAOYSA-N fumaric acid monomethyl ester Natural products COC(=O)C=CC(O)=O NKHAVTQWNUWKEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012216 imaging agent Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005956 isoquinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940086559 methyl benzoin Drugs 0.000 description 1
- NKHAVTQWNUWKEO-IHWYPQMZSA-N methyl hydrogen fumarate Chemical compound COC(=O)\C=C/C(O)=O NKHAVTQWNUWKEO-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- OMNKZBIFPJNNIO-UHFFFAOYSA-N n-(2-methyl-4-oxopentan-2-yl)prop-2-enamide Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C OMNKZBIFPJNNIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- ULDDEWDFUNBUCM-UHFFFAOYSA-N pentyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCOC(=O)C=C ULDDEWDFUNBUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000007686 potassium Nutrition 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UORVCLMRJXCDCP-UHFFFAOYSA-N propynoic acid Chemical compound OC(=O)C#C UORVCLMRJXCDCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000015424 sodium Nutrition 0.000 description 1
- FQENQNTWSFEDLI-UHFFFAOYSA-J sodium diphosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O FQENQNTWSFEDLI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 229940048086 sodium pyrophosphate Drugs 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000019818 tetrasodium diphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001577 tetrasodium phosphonato phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Description
本発明は、感光性導電フィルム、導電膜の形成方法及び導電パターンの形成方法に関し、特には液晶表示素子などのフラットパネルディスプレイやタッチスクリーン、太陽電池、有機EL等の装置に設けられる電極配線などの導電パターンを形成する方法に関する。 The present invention relates to a photosensitive conductive film, a method for forming a conductive film, and a method for forming a conductive pattern, and in particular, an electrode wiring provided in a device such as a flat panel display such as a liquid crystal display element, a touch screen, a solar cell, or an organic EL. The present invention relates to a method for forming a conductive pattern.
パソコンやテレビ等の大型電子機器、カーナビゲーション、携帯電話、電子辞書等の小型電子機器、OA・FA機器等の表示機器では、液晶表示素子やタッチスクリーンを備えるものが普及している。液晶表示素子やタッチスクリーンでは、透明電極など透明性が求められるところに透明な導電膜が利用されている。太陽電池などでも同様である。 Among large electronic devices such as personal computers and televisions, small electronic devices such as car navigation systems, mobile phones, and electronic dictionaries, and display devices such as OA / FA devices, those equipped with a liquid crystal display element and a touch screen are widely used. In liquid crystal display elements and touch screens, transparent conductive films are used where transparency is required, such as transparent electrodes. The same applies to solar cells.
透明な導電膜を形成できる材料としては、ITO(Indium−Tin−Oxide)、酸化インジュウムや酸化スズなどが知られている。これらの材料は、可視光に対して高い透過率を示し、液晶表示素子用基板等の透明電極を形成する材料として主流になっている。 Known materials that can form a transparent conductive film include ITO (Indium-Tin-Oxide), indium oxide, tin oxide, and the like. These materials show high transmittance with respect to visible light, and have become mainstream as materials for forming transparent electrodes such as substrates for liquid crystal display elements.
液晶表示装置においては、配線、画素電極、端子などの一部を透明導電膜で形成することがある。この場合、透明導電膜を所定の形状にすることが必要となる。透明導電膜のパターニング方法としては、透明導電膜を形成した後、この上にフォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成し、ウエットエッチングにより導電膜をパターニングする方法が用いられる。エッチング液としては、ITO膜や酸化インジュウム膜に対しては、塩酸と塩化第二鉄の2液よりなる混合液がよく用いられている。 In a liquid crystal display device, a part of a wiring, a pixel electrode, a terminal, or the like may be formed using a transparent conductive film. In this case, the transparent conductive film needs to have a predetermined shape. As a method for patterning the transparent conductive film, a method is used in which after forming the transparent conductive film, a resist pattern is formed thereon by photolithography, and the conductive film is patterned by wet etching. As an etching solution, a mixed solution composed of two solutions of hydrochloric acid and ferric chloride is often used for an ITO film or an indium oxide film.
一方で、ITO以外の材料を用いて透明な導電膜を形成することが検討されている。例えば、下記特許文献1には、ポリチオフェン、ポリアニリンなどの有機導電性ポリマーを含有する放射線硬化型導電性組成物を基材表面に塗布し硬化することにより、導電性を有し透明な硬化被膜を形成する方法が開示されている。また、下記特許文献2には、支持体上に、ジアゾスルホニウム系等のレジスト材料を塗布し、さらにその上にチオフェン系有機導電材を塗布し、その後露光及び現像により導電性パターンを形成する方法が開示されている。
On the other hand, it has been studied to form a transparent conductive film using a material other than ITO. For example, in Patent Document 1 below, a conductive and transparent cured film is formed by applying a radiation curable conductive composition containing an organic conductive polymer such as polythiophene or polyaniline to a substrate surface and curing the composition. A method of forming is disclosed.
ところで、ITO膜や酸化スズ膜は一般にスパッタ法により形成されるが、スパッタ方式の違い、スパッタパワーやガス圧、基板温度、雰囲気ガスの種類等により膜の性質が変わりやすい。スパッタ条件の変動による透明導電膜の膜質の違いは、膜をウエットエッチングする際のエッチング速度のばらつきの原因となり、透明導電膜のパターンニング不良が発生し、製品の歩留り低下を招きやすい。そのため、ITOなどを用いる方法は、スパッタとレジスト形成並びにエッチングと工程が長く、コスト面でも大きな負担となる。また、係る方法はパターニング精度の均一性を得ることが難しい。 Incidentally, an ITO film or a tin oxide film is generally formed by a sputtering method, but the properties of the film are likely to change depending on the difference in sputtering method, sputtering power, gas pressure, substrate temperature, type of atmospheric gas, and the like. Differences in the film quality of the transparent conductive film due to variations in sputtering conditions cause variations in the etching rate when the film is wet-etched, resulting in patterning defects in the transparent conductive film, which tends to reduce product yield. For this reason, the method using ITO or the like requires a long time for sputtering, resist formation, etching, and cost, and is a heavy burden in terms of cost. In addition, it is difficult for such a method to obtain patterning accuracy uniformity.
一方、有機導電材料による導電パターンの形成については、以下のような問題がある。上記特許文献1には、導電パターンの形成についての開示はない。マスクを用いたエッチングによってパターニングすることが考えられるが、適切なエッチング液がないためプラズマエッチングやレーザーを用いて加工する必要がある。 On the other hand, the formation of a conductive pattern using an organic conductive material has the following problems. Patent Document 1 does not disclose the formation of a conductive pattern. It is conceivable to perform patterning by etching using a mask. However, since there is no appropriate etching solution, it is necessary to process using plasma etching or laser.
特許文献2には、有機導電材料とジアゾ化合物の感光材料を混合した液を支持体に塗布しパターニングする方法や、支持体と有機導電材料及び感光材料からなる層との間に感光材料を更に配置する方法が提案されている。しかし、これらの方法では、所望の基板上に導電パターンを設けようとした場合の導電パターンと基板との接着性ついては考慮されておらず、基板の表面処理などが必要であった。
本発明は、上記従来技術が有する問題に鑑みてなされたものであり、基板上に、基板との接着性が十分であり、有機導電材料を含んでなる導電パターンを十分な解像度で簡便に形成することを可能とする感光性導電フィルム、並びに、この感光性導電フィルムを用いた導電膜の形成方法及び導電パターンの形成方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and on a substrate, the adhesiveness with the substrate is sufficient, and a conductive pattern containing an organic conductive material is easily formed with sufficient resolution. It is an object of the present invention to provide a photosensitive conductive film that can be performed, a method for forming a conductive film using the photosensitive conductive film, and a method for forming a conductive pattern.
上記課題を解決するために本発明は、支持体、有機導電材料を含有する導電層、及び感光性樹脂層がこの順に積層された構造を有する感光性導電フィルムを提供する。 In order to solve the above problems, the present invention provides a photosensitive conductive film having a structure in which a support, a conductive layer containing an organic conductive material, and a photosensitive resin layer are laminated in this order.
本発明の感光性導電フィルムによれば、上記構成を有することにより、感光性導電フィルムを基板上に感光性樹脂層が密着するように貼り付け、これを露光、現像する簡便な工程で、基板との接着性が十分であり、十分な透明性を有する所望の導電パターンを容易に形成することができる。 According to the photosensitive conductive film of the present invention, by having the above configuration, the photosensitive conductive film is attached so that the photosensitive resin layer is in close contact with the substrate, and is exposed and developed in a simple process. And a desired conductive pattern having sufficient transparency can be easily formed.
また、本発明の感光性導電フィルムによれば、感光性導電フィルムを基板上に感光性樹脂層が密着するように貼り付け、これを露光することにより、十分な透明性と、基材に対する良好な接着性とを併せ持つ導電膜を形成することができる。 In addition, according to the photosensitive conductive film of the present invention, the photosensitive conductive film is attached on the substrate so that the photosensitive resin layer is in close contact, and is exposed to light so that sufficient transparency and good for the base material are obtained. It is possible to form a conductive film having both excellent adhesiveness.
本発明の感光性導電フィルムにおいて、透明性と導電性の観点から、上記有機導電材料が、チオフェン誘導体のポリマーであることが好ましい。 In the photosensitive conductive film of the present invention, the organic conductive material is preferably a polymer of a thiophene derivative from the viewpoints of transparency and conductivity.
また、導電膜のパターニング性と基材に対する接着性とを更に向上させる観点から、上記感光性樹脂層が、バインダーポリマー、エチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物、及び光重合開始剤、を含有する感光性樹脂組成物からなるものであることが好ましい。 Further, from the viewpoint of further improving the patterning property of the conductive film and the adhesion to the substrate, the photosensitive resin layer comprises a binder polymer, a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and a photopolymerization initiator. It is preferable that it consists of the photosensitive resin composition to contain.
本発明の感光性導電フィルムは、製造から使用までの期間における異物付着や傷の防止の点で、上記感光性樹脂層の導電層側とは反対側に保護フィルムが更に積層されていることが好ましい。この保護フィルムは感光性導電フィルムを使用するときに除去することができる。 In the photosensitive conductive film of the present invention, a protective film may be further laminated on the side opposite to the conductive layer side of the photosensitive resin layer in terms of preventing foreign matter adhesion and scratches during the period from manufacture to use. preferable. This protective film can be removed when the photosensitive conductive film is used.
本発明は、また、上記本発明の感光性導電フィルムの上記感光性樹脂層を基材に貼り付けて基材上に少なくとも感光性樹脂層及び導電層をこの順に積層し、積層された上記感光性樹脂層を露光することを特徴とする導電膜の形成方法を提供する。 In the present invention, the photosensitive resin layer of the photosensitive conductive film of the present invention is attached to a base material, and at least the photosensitive resin layer and the conductive layer are laminated in this order on the base material. The conductive resin layer is exposed, and a method for forming a conductive film is provided.
本発明の導電膜の形成方法によれば、基材に本発明の感光性導電フィルムの感光性樹脂層を貼り付けることにより基材上に感光性樹脂層及び導電層をこの順に設け、これを露光するという簡便な工程で、基材上に上記導電層からなる導電膜を容易に形成することができる。この導電膜は、上記感光性樹脂層が露光により硬化することで、基材上に十分接着される。 According to the method for forming a conductive film of the present invention, a photosensitive resin layer and a conductive layer are provided on a base material in this order by attaching the photosensitive resin layer of the photosensitive conductive film of the present invention to the base material. With a simple process of exposing, a conductive film made of the conductive layer can be easily formed on the substrate. This conductive film is sufficiently bonded onto the base material when the photosensitive resin layer is cured by exposure.
本発明は、また、上記本発明の感光性導電フィルムの上記感光性樹脂層を基材に貼り付けて基材上に少なくとも感光性樹脂層及び導電層をこの順に積層し、積層された感光性樹脂層を露光、現像することを特徴とする導電パターンの形成方法を提供する。 In the present invention, the photosensitive resin layer of the photosensitive conductive film of the present invention is attached to a substrate, and at least the photosensitive resin layer and the conductive layer are laminated in this order on the substrate, and the laminated photosensitive property Provided is a method for forming a conductive pattern, which comprises exposing and developing a resin layer.
本発明の導電パターンの形成方法によれば、基材に本発明の感光性導電フィルムの感光性樹脂層を貼り付けることにより基材上に感光性樹脂層及び導電層をこの順に設け、これを露光、現像するという簡便な工程で、基材上に上記導電層がパターンニングされてなる導電パターンを容易に形成することができる。この導電パターンは、上記感光性樹脂層が露光により硬化することで、基材上に十分接着される。 According to the method for forming a conductive pattern of the present invention, a photosensitive resin layer and a conductive layer are provided on a base material in this order by attaching the photosensitive resin layer of the photosensitive conductive film of the present invention to the base material. A conductive pattern obtained by patterning the conductive layer on a substrate can be easily formed by a simple process of exposure and development. This conductive pattern is sufficiently adhered onto the substrate by curing the photosensitive resin layer by exposure.
本発明は、また、基板と、該基板上に上記本発明の導電膜の形成方法により形成された導電膜とを備える導電膜基板を提供する。 The present invention also provides a conductive film substrate comprising a substrate and a conductive film formed on the substrate by the conductive film formation method of the present invention.
本発明は、また、基板と、該基板上に上記本発明の導電パターンの形成方法により形成された導電パターンとを備える導電膜基板を提供する。 The present invention also provides a conductive film substrate comprising a substrate and a conductive pattern formed on the substrate by the conductive pattern forming method of the present invention.
本発明によれば、基板上に、基板との接着性が十分であり、有機導電材料を含んでなる導電パターンを十分な解像度で簡便に形成することを可能とする感光性導電フィルム、並びに、これを用いた導電膜の形成方法及び導電パターンの形成方法を提供することができる。 According to the present invention, a photosensitive conductive film that has sufficient adhesion to a substrate on a substrate and that can easily form a conductive pattern containing an organic conductive material with sufficient resolution, and A conductive film forming method and a conductive pattern forming method using the same can be provided.
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書における「(メタ)アクリレート」とは、「アクリレート」又はそれに対応する「メタクリレート」を意味する。同様に「(メタ)アクリル」とは、「アクリル」又はそれに対応する「メタクリル」を意味し、「(メタ)アクリロイル」とは「アクリロイル」又はそれに対応する「メタクリロイル」を意味する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. In the present specification, “(meth) acrylate” means “acrylate” or “methacrylate” corresponding thereto. Similarly, “(meth) acryl” means “acryl” or “methacryl” corresponding thereto, and “(meth) acryloyl” means “acryloyl” or “methacryloyl” corresponding thereto.
図1は、本発明の感光性導電フィルムの好適な一実施形態を示す模式断面図である。図1に示す感光性導電フィルム10は、フィルム状の支持体1、有機導電材料を含有する導電層2、感光性樹脂層3、及び保護フィルム4がこの順に積層されてなる。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of the photosensitive conductive film of the present invention. A photosensitive
以下、本実施形態に係る感光性導電フィルム10を構成するフィルム状の支持体(以下「フィルム支持体」という場合もある。)、導電層、感光性樹脂層及び保護フィルムのそれぞれについて詳細に説明する。
Hereinafter, each of the film-like support (hereinafter sometimes referred to as “film support”), the conductive layer, the photosensitive resin layer, and the protective film constituting the photosensitive
フィルム支持体1としては、透明な支持フィルムであることが好ましい。ここで透明とは、基材に転写後の露光工程における露光光線に透過性を有することを意味し、本実施形態においては、紫外線(300〜400nm)領域で透過性を有することが好ましい。 The film support 1 is preferably a transparent support film. Transparent here means having transparency to the exposure light beam in the exposure step after transfer to the substrate, and in this embodiment, it is preferable to have transparency in the ultraviolet (300 to 400 nm) region.
透明な支持フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムが挙げられる。これらのうち、透明性や耐熱性の観点から、ポリエチレンテレフタレートフィルムを用いることが好ましい。なお、これらの重合体フィルムは、後に感光性樹脂層3を現像するときや、形成された導電膜を露出させるために除去されるので、除去が不可能となるような表面処理が施されたものであったり、材質であったりしてはならない。
Examples of the transparent support film include polymer films having heat resistance and solvent resistance such as polyethylene terephthalate film, polypropylene film, and polycarbonate film. Among these, it is preferable to use a polyethylene terephthalate film from the viewpoint of transparency and heat resistance. These polymer films were removed when developing the
上記支持フィルムの厚みは、5〜300μmであることが好ましく、20〜300μmであることがより好ましい。支持フィルムの厚みが、5μm未満であると、機械的強度が低下し、導電層を形成するときや感光性樹脂層を形成するとき、或いは感光性樹脂層の現像前に支持フィルムを剥離する場合に、支持フィルムが破れやすくなる傾向があり、一方、300μmを超えると、支持フィルムを介して活性光線を感光性樹脂層に照射する場合に解像度が低下する傾向があり、また価格が高くなる傾向にある。 The thickness of the support film is preferably 5 to 300 μm, and more preferably 20 to 300 μm. When the thickness of the support film is less than 5 μm, the mechanical strength decreases, and when the conductive film is formed, when the photosensitive resin layer is formed, or when the support film is peeled off before the development of the photosensitive resin layer In addition, the support film tends to be easily broken. On the other hand, when the thickness exceeds 300 μm, the resolution tends to decrease when the actinic ray is irradiated to the photosensitive resin layer through the support film, and the price tends to increase. It is in.
導電層2に含まれる有機導電材料としては、例えば、チオフェン若しくはチオフェン誘導体のポリマーやアニリン若しくはアニリン誘導体のポリマーが挙げられる。具体的には、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリアニリンなどを用いることができる。また、「クレビオスP」(エイチ・シー・スタルク(H.C.Starck)社製、商品名)、「セプルジーダOC−U1」(信越ポリマー株式会社製、商品名)などの市販品を用いることができる。
Examples of the organic conductive material contained in the
導電層2に含まれる有機導電材料が、光照射によりパターンを形成できる材料であることが好ましい。また、有機導電材料は、本発明の効果が得られる範囲であれば、光照射によりパターンを形成できる材料と併用して導電層2に含有させてもよい。
The organic conductive material included in the
チオフェン若しくはチオフェン誘導体のポリマーとしては、下記式(1)で表すことができる反復単位を有するポリマーが挙げられる。 Examples of the polymer of thiophene or a thiophene derivative include a polymer having a repeating unit that can be represented by the following formula (1).
式(1)中、R1及びR2はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のハロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数6〜40のアリールアミノ基、置換又は無置換の核炭素数6〜40のアリール基、又は置換又は無置換の核炭素数2〜40の複素環基を表し、隣り合う置換基同士は互いに結合し環を形成してもよい。なお、ポリマーの末端基としてはそれぞれ、水素原子、又は置換あるいは無置換の一価の基が挙げられる。In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an alkoxy having 1 to 20 carbon atoms. Group, an arylamino group having 6 to 40 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 nuclear carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 40 nuclear carbon atoms, and adjacent substituents They may be bonded to each other to form a ring. In addition, as a terminal group of a polymer, a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted monovalent group is mentioned, respectively.
上記式(1)のR1及びR2において、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素等が挙げられる。In R 1 and R 2 of the above formula (1), examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine, and iodine.
炭素数1〜20のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、ネオペンチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、1−ペンチルヘキシル基、1−ブチルペンチル基、1−ヘプチルオクチル基、3−メチルペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、3,5−テトラメチルシクロヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、ネオペンチル基、1−メチルペンチル基、1−ペンチルヘキシル基、1−ブチルペンチル基、1−ヘプチルオクチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、及び3,5−テトラメチルシクロヘキシル基が挙げられる。 Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n- Hexyl, n-heptyl, n-octyl, n-nonyl, n-decyl, n-undecyl, n-dodecyl, n-tridecyl, n-tetradecyl, n-pentadecyl, n- Hexadecyl, n-heptadecyl, n-octadecyl, neopentyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 1-pentylhexyl, 1-butylpentyl, 1-heptyloctyl, 3-methylpentyl Group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclooctyl group, 3,5-tetramethylcyclohexyl group and the like. Among these, a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group are preferable. N-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group N-octadecyl group, neopentyl group, 1-methylpentyl group, 1-pentylhexyl group, 1-butylpentyl group, 1-heptyloctyl group, cyclohexyl group, cyclooctyl group, and 3,5-tetramethylcyclohexyl group Can be mentioned.
炭素数1〜20のハロアルキル基としては、例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、及びペンタフルオロエチル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基である。 Examples of the haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms include a fluoromethyl group, a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, and a pentafluoroethyl group. Of these, a fluoromethyl group, a difluoromethyl group, and a trifluoromethyl group are preferable.
炭素数1〜20のアルコキシ基としては、例えば、−OYと表され、Yが上記のアルキル基で説明したものと同様のものが挙げられ、好ましい例も同様である。 Examples of the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include those represented by -OY, wherein Y is the same as described for the alkyl group, and preferred examples are also the same.
炭素数6〜40のアリールアミノ基としては、例えば、ジフェニルアミノ基等、又はジフェニルアミノ基やアミノ基を置換基として有する、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、トリフェニレニル基、フルオランテニル基、ビフェニル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、ジフェニルアミノ基やアミノ基を置換基として有する、フェニル基、ナフチル基である。 Examples of the arylamino group having 6 to 40 carbon atoms include a diphenylamino group or the like, or a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, a triphenylenyl group, a fluoranthenyl group, a biphenyl having a diphenylamino group or an amino group as a substituent. Groups and the like. Of these, a phenyl group and a naphthyl group having a diphenylamino group or an amino group as a substituent are preferable.
核炭素数6〜40のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラセニル基、トリフェニレニル基が挙げられる。置換基としては、メチル基、エチル基、シクロヘキシル基、イソプロピル基、ブチル基、フェニル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、置換又は無置換のフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基である。 Examples of the aryl group having 6 to 40 nuclear carbon atoms include a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, an anthracenyl group, and a triphenylenyl group. Examples of the substituent include a methyl group, an ethyl group, a cyclohexyl group, an isopropyl group, a butyl group, and a phenyl group. Of these, a substituted or unsubstituted phenyl group, naphthyl group, and biphenyl group are preferable.
置換又は無置換の炭素数2〜40の複素環基としては、例えば、1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、1−イミダゾリル基、2−イミダゾリル基、1−ピラゾリル基、1−インドリジニル基、2−インドリジニル基、3−インドリジニル基、5−インドリジニル基、6−インドリジニル基、7−インドリジニル基、8−インドリジニル基、2−イミダゾピリジニル基、3−イミダゾピリジニル基、5−イミダゾピリジニル基、6−イミダゾピリジニル基、7−イミダゾピリジニル基、8−イミダゾピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、β−カルボリン−1−イル、β−カルボリン−3−イル、β−カルボリン−4−イル、β−カルボリン−5−イル、β−カルボリン−6−イル、β−カルボリン−7−イル、β−カルボリン−6−イル、β−カルボリン−9−イル、1−フェナントリジニル基、2−フェナントリジニル基、3−フェナントリジニル基、4−フェナントリジニル基、6−フェナントリジニル基、7−フェナントリジニル基、8−フェナントリジニル基、9−フェナントリジニル基、10−フェナントリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナントロリン−2−イル基、1,7−フェナントロリン−3−イル基、1,7−フェナントロリン−4−イル基、1,7−フェナントロリン−5−イル基、1,7−フェナントロリン−6−イル基、1,7−フェナントロリン−8−イル基、1,7−フェナントロリン−9−イル基、1,7−フェナントロリン−10−イル基、1,8−フェナントロリン−2−イル基、1,8−フェナントロリン−3−イル基、1,8−フェナントロリン−4−イル基、1,8−フェナントロリン−5−イル基、1,8−フェナントロリン−6−イル基、1,8−フェナントロリン−7−イル基、1,8−フェナントロリン−9−イル基、1,8−フェナントロリン−10−イル基、1,9−フェナントロリン−2−イル基、1,9−フェナントロリン−3−イル基、1,9−フェナントロリン−4−イル基、1,9−フェナントロリン−5−イル基、1,9−フェナントロリン−6−イル基、1,9−フェナントロリン−7−イル基、1,9−フェナントロリン−8−イル基、1,9−フェナントロリン−10−イル基、1,10−フェナントロリン−2−イル基、1,10−フェナントロリン−3−イル基、1,10−フェナントロリン−4−イル基、1,10−フェナントロリン−5−イル基、2,9−フェナントロリン−1−イル基、2,9−フェナントロリン−3−イル基、2,9−フェナントロリン−4−イル基、2,9−フェナントロリン−5−イル基、2,9−フェナントロリン−6−イル基、2,9−フェナントロリン−7−イル基、2,9−フェナントロリン−8−イル基、2,9−フェナントロリン−10−イル基、2,8−フェナントロリン−1−イル基、2,8−フェナントロリン−3−イル基、2,8−フェナントロリン−4−イル基、2,8−フェナントロリン−5−イル基、2,8−フェナントロリン−6−イル基、2,8−フェナントロリン−7−イル基、2,8−フェナントロリン−9−イル基、2,8−フェナントロリン−10−イル基、2,7−フェナントロリン−1−イル基、2,7−フェナントロリン−3−イル基、2,7−フェナントロリン−4−イル基、2,7−フェナントロリン−5−イル基、2,7−フェナントロリン−6−イル基、2,7−フェナントロリン−8−イル基、2,7−フェナントロリン−9−イル基、2,7−フェナントロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル−1−インドリル基、4−t−ブチル−1−インドリル基、2−t−ブチル−3−インドリル基、4−t−ブチル−3−インドリル基、1−ジベンゾフラニル基、2−ジベンゾフラニル基、3−ジベンゾフラニル基、4−ジベンゾフラニル基、1−ジベンゾチオフェニル基、2−ジベンゾチオフェニル基、3−ジベンゾチオフェニル基、4−ジベンゾチオフェニル基、1−シラフルオレニル基、2−シラフルオレニル基、3−シラフルオレニル基、4−シラフルオレニル基、1−ゲルマフルオレニル基、2−ゲルマフルオレニル基、3−ゲルマフルオレニル基、及び4−ゲルマフルオレニル基等が挙げられる。 Examples of the substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 40 carbon atoms include 1-pyrrolyl group, 2-pyrrolyl group, 3-pyrrolyl group, pyrazinyl group, 2-pyridinyl group, 1-imidazolyl group, and 2-imidazolyl. Group, 1-pyrazolyl group, 1-indolidinyl group, 2-indolidinyl group, 3-indolidinyl group, 5-indolidinyl group, 6-indolidinyl group, 7-indolidinyl group, 8-indolidinyl group, 2-imidazopyridinyl group, 3-Imidazopyridinyl group, 5-Imidazopyridinyl group, 6-Imidazopyridinyl group, 7-Imidazopyridinyl group, 8-Imidazopyridinyl group, 3-Pyridinyl group, 4-Pyridinyl group, 1-indolyl group, 2-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5-indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group 1-isoindolyl group, 2-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4-isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group, 2-furyl group, 3-furyl group, 2-benzofuranyl group, 3-benzofuranyl group, 4-benzofuranyl group, 5-benzofuranyl group, 6-benzofuranyl group, 7-benzofuranyl group, 1-isobenzofuranyl group, 3-isobenzofuranyl group, 4-isobenzofuranyl group, 5 -Isobenzofuranyl group, 6-isobenzofuranyl group, 7-isobenzofuranyl group, 2-quinolyl group, 3-quinolyl group, 4-quinolyl group, 5-quinolyl group, 6-quinolyl group, 7- Quinolyl group, 8-quinolyl group, 1-isoquinolyl group, 3-isoquinolyl group, 4-isoquinolyl group, 5-isoquinolyl group, 6 Isoquinolyl group, 7-isoquinolyl group, 8-isoquinolyl group, 2-quinoxalinyl group, 5-quinoxalinyl group, 6-quinoxalinyl group, 1-carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 9- Carbazolyl group, β-carbolin-1-yl, β-carbolin-3-yl, β-carbolin-4-yl, β-carbolin-5-yl, β-carbolin-6-yl, β-carbolin-7-yl Β-carbolin-6-yl, β-carbolin-9-yl, 1-phenanthridinyl group, 2-phenanthridinyl group, 3-phenanthridinyl group, 4-phenanthridinyl group, 6 -Phenanthridinyl group, 7-phenanthridinyl group, 8-phenanthridinyl group, 9-phenanthridinyl group, 10-phenanthridinyl group, 1- Cridinyl group, 2-acridinyl group, 3-acridinyl group, 4-acridinyl group, 9-acridinyl group, 1,7-phenanthrolin-2-yl group, 1,7-phenanthroline-3-yl group, 1,7-phenanthroline -4-yl group, 1,7-phenanthroline-5-yl group, 1,7-phenanthroline-6-yl group, 1,7-phenanthroline-8-yl group, 1,7-phenanthroline-9-yl group, 1,7-phenanthroline-10-yl group, 1,8-phenanthroline-2-yl group, 1,8-phenanthroline-3-yl group, 1,8-phenanthroline-4-yl group, 1,8-phenanthroline- 5-yl group, 1,8-phenanthroline-6-yl group, 1,8-phenanthroline-7-yl group, 1,8-phenanthroline-9-yl group, 1,8-phenanthroline-10-yl group, 1,9-phenanthroline-2-yl group, 1,9-phenanthroline-3-yl group, 1,9-phenanthroline-4-yl group, 1,9-phenanthroline- 5-yl group, 1,9-phenanthroline-6-yl group, 1,9-phenanthroline-7-yl group, 1,9-phenanthroline-8-yl group, 1,9-phenanthroline-10-yl group, 1 , 10-phenanthroline-2-yl group, 1,10-phenanthroline-3-yl group, 1,10-phenanthroline-4-yl group, 1,10-phenanthroline-5-yl group, 2,9-phenanthroline-1 -Yl group, 2,9-phenanthroline-3-yl group, 2,9-phenanthroline-4-yl group, 2,9-phenanthroline-5-yl group, 2,9- Enanthroline-6-yl group, 2,9-phenanthroline-7-yl group, 2,9-phenanthroline-8-yl group, 2,9-phenanthroline-10-yl group, 2,8-phenanthroline-1-yl group 2,8-phenanthroline-3-yl group, 2,8-phenanthroline-4-yl group, 2,8-phenanthroline-5-yl group, 2,8-phenanthroline-6-yl group, 2,8-phenanthroline -7-yl group, 2,8-phenanthroline-9-yl group, 2,8-phenanthroline-10-yl group, 2,7-phenanthroline-1-yl group, 2,7-phenanthroline-3-yl group, 2,7-phenanthroline-4-yl group, 2,7-phenanthroline-5-yl group, 2,7-phenanthroline-6-yl group, 2,7-phenanthroline 8-yl group, 2,7-phenanthroline-9-yl group, 2,7-phenanthroline-10-yl group, 1-phenazinyl group, 2-phenazinyl group, 1-phenothiazinyl group, 2-phenothiazinyl group, 3 -Phenothiazinyl group, 4-phenothiazinyl group, 10-phenothiazinyl group, 1-phenoxazinyl group, 2-phenoxazinyl group, 3-phenoxazinyl group, 4-phenoxazinyl group, 10-phenoxazinyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group Group, 5-oxazolyl group, 2-oxadiazolyl group, 5-oxadiazolyl group, 3-furazanyl group, 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-methylpyrrol-1-yl group, 2-methylpyrrol-3-yl Group, 2-methylpyrrol-4-yl group, 2-methylpyrrol-5-yl group, 3-methyl group, Tilpyrrol-1-yl group, 3-methylpyrrol-2-yl group, 3-methylpyrrol-4-yl group, 3-methylpyrrol-5-yl group, 2-t-butylpyrrol-4-yl group, 3 -(2-phenylpropyl) pyrrol-1-yl group, 2-methyl-1-indolyl group, 4-methyl-1-indolyl group, 2-methyl-3-indolyl group, 4-methyl-3-indolyl group, 2-t-butyl-1-indolyl group, 4-t-butyl-1-indolyl group, 2-t-butyl-3-indolyl group, 4-t-butyl-3-indolyl group, 1-dibenzofuranyl group 2-dibenzofuranyl group, 3-dibenzofuranyl group, 4-dibenzofuranyl group, 1-dibenzothiophenyl group, 2-dibenzothiophenyl group, 3-dibenzothiophenyl group, 4-dibenzothiopheny Group, 1-silafluorenyl group, 2-silafluorenyl group, 3-silafluorenyl group, 4-silafluorenyl group, 1-germafluorenyl group, 2-germafluorenyl group, 3-germafluorenyl group, and 4-germa A fluorenyl group etc. are mentioned.
これらの中でも好ましくは、2−ピリジニル基、1−インドリジニル基、2−インドリジニル基、3−インドリジニル基、5−インドリジニル基、6−インドリジニル基、7−インドリジニル基、8−インドリジニル基、2−イミダゾピリジニル基、3−イミダゾピリジニル基、5−イミダゾピリジニル基、6−イミダゾピリジニル基、7−イミダゾピリジニル基、8−イミダゾピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−ジベンゾフラニル基、2−ジベンゾフラニル基、3−ジベンゾフラニル基、4−ジベンゾフラニル基、1−ジベンゾチオフェニル基、2−ジベンゾチオフェニル基、3−ジベンゾチオフェニル基、4−ジベンゾチオフェニル基、1−シラフルオレニル基、2−シラフルオレニル基、3−シラフルオレニル基、4−シラフルオレニル基、1−ゲルマフルオレニル基、2−ゲルマフルオレニル基、3−ゲルマフルオレニル基、4−ゲルマフルオレニル基である。 Among these, 2-pyridinyl group, 1-indolidinyl group, 2-indolidinyl group, 3-indolidinyl group, 5-indolidinyl group, 6-indolidinyl group, 7-indolidinyl group, 8-indolidinyl group, 2-imidazopyr Zinyl group, 3-Imidazopyridinyl group, 5-Imidazopyridinyl group, 6-Imidazopyridinyl group, 7-Imidazopyridinyl group, 8-Imidazopyridinyl group, 3-Pyridinyl group, 4 -Pyridinyl group, 1-indolyl group, 2-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5-indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group, 1-isoindolyl group, 2-isoindolyl group, 3 -Isoindolyl group, 4-isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group 1-carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 9-carbazolyl group, 1-dibenzofuranyl group, 2-dibenzofuranyl group, 3-dibenzofuranyl group, 4-dibenzo Furanyl group, 1-dibenzothiophenyl group, 2-dibenzothiophenyl group, 3-dibenzothiophenyl group, 4-dibenzothiophenyl group, 1-silafluorenyl group, 2-silafluorenyl group, 3-silafluorenyl group, 4-silafluorenyl Group, 1-germafluorenyl group, 2-germafluorenyl group, 3-germafluorenyl group, 4-germafluorenyl group.
なお、置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、シクロヘキシル基、イソプロピル基、ブチル基、及びフェニル基等が挙げられる。 Examples of the substituent include a methyl group, an ethyl group, a cyclohexyl group, an isopropyl group, a butyl group, and a phenyl group.
R1及びR2は互いに結合し環を形成してもよい。環としては、例えば、ジオキサン環、ベンゼン環、シクロヘキシル環、ナフチル環が好ましい。R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring. As the ring, for example, a dioxane ring, a benzene ring, a cyclohexyl ring, and a naphthyl ring are preferable.
式(1)のY1及びY2は、好ましくは、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、置換又は無置換の核炭素数6〜40のアリール基、又は置換又は無置換の核炭素数2〜40の複素環基である。アルキル基、アリール基又は複素環基については、R1、R2と同様のものが挙げられる。Y 1 and Y 2 in formula (1) are preferably each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 nuclear carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group. A heterocyclic group having 2 to 40 nuclear carbon atoms. Examples of the alkyl group, aryl group, or heterocyclic group include the same groups as R 1 and R 2 .
式(1)で表されるポリチオフェン又はポリチオフェン誘導体は、市販の製品、又は公知の方法にて合成したものを使用できる。ポリチオフェン又はポリチオフェン誘導体の分子量は、一般に、数平均分子量として、1,000〜100,000の範囲のものを用いる。分子量がこれより小さいと、π電子共役系に基づく充分な導電性が発揮されず、他方、分子量が大きすぎると粘稠になり薄膜形成が困難となる。反復単位は隣接する反復単位と、ヘッド−テイル、ヘッド−ヘッドまたはテイル−テイルの様式で結合してポリマーを形成している。チオフェン環の3位を置換するアルキル基またはアルコキシ基は、あまり長鎖のものを用いると、分子の立体構造の規則に乱れが生じ移動度を損なうおそれがあるので、炭素数20以下のものが好ましい。 As the polythiophene or polythiophene derivative represented by the formula (1), commercially available products or those synthesized by a known method can be used. The molecular weight of the polythiophene or polythiophene derivative is generally in the range of 1,000 to 100,000 as the number average molecular weight. When the molecular weight is smaller than this, sufficient conductivity based on the π-electron conjugated system is not exhibited. On the other hand, when the molecular weight is too large, the film becomes viscous and difficult to form a thin film. Repeat units are bonded to adjacent repeat units in a head-tail, head-head or tail-tail manner to form a polymer. If the alkyl group or alkoxy group substituted at the 3-position of the thiophene ring is too long, the steric structure of the molecule may be disturbed and the mobility may be impaired. preferable.
導電層2は、例えば、フィルム支持体1上に、上述した有機導電材料を水及び/又は有機溶剤、必要に応じて界面活性剤などの分散安定剤などを加えた導電層形成用分散液を塗工した後、乾燥することにより形成することができる。塗工は、例えば、ロールコート法、コンマコート法、グラビアコート法、エアーナイフコート法、ダイコート法、バーコート法、スプレーコート法等の公知の方法で行うことができる。また、乾燥は、30〜150℃で1〜30分間程度、熱風対流式乾燥機等で行うことができる。
The
導電層2の厚みは、本発明の感光性導電フィルムを用いて形成される導電膜若しくは導電パターンの用途や求められる導電性によっても異なるが、1μm以下であることが好ましく、0.01μm〜0.5μmであることがより好ましく、0.01μm〜0.3μmであることが特に好ましい。導電層2の厚みが1μm以下であると、光の透過性を確保しやすくなる。
The thickness of the
感光性樹脂層3としては、バインダーポリマー、エチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物及び光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物からなるものが好ましい。
The
バインダーポリマーとしては、例えば、アクリル樹脂、スチレン樹脂、エポキシ樹脂、アミド樹脂、アミドエポキシ樹脂、アルキド樹脂、及びフェノール樹脂等が挙げられる。アルカリ現像性に優れる観点から、アクリル樹脂を用いることが好ましい。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the binder polymer include acrylic resin, styrene resin, epoxy resin, amide resin, amide epoxy resin, alkyd resin, and phenol resin. From the viewpoint of excellent alkali developability, it is preferable to use an acrylic resin. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
上記のバインダーポリマーは、例えば、重合性単量体をラジカル重合させることにより製造することができる。上記重合性単量体としては、例えば、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン等のα−位若しくは芳香族環において置換されている重合可能なスチレン誘導体、ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド、アクリロニトリル、ビニル−n−ブチルエーテル等のビニルアルコールのエーテル類、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、(メタ)アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、(メタ)アクリル酸グリシジルエステル、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、2,2,3,3−テトラフルオロプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸、α−ブロモ(メタ)アクリル酸、α−クロル(メタ)アクリル酸、β−フリル(メタ)アクリル酸、β−スチリル(メタ)アクリル酸、マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸モノエステル、フマール酸、ケイ皮酸、α−シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸及びプロピオール酸等が挙げられる。 The binder polymer can be produced, for example, by radical polymerization of a polymerizable monomer. Examples of the polymerizable monomer include polymerizable styrene derivatives substituted at the α-position or aromatic ring such as styrene, vinyl toluene, α-methylstyrene, acrylamide such as diacetone acrylamide, acrylonitrile, vinyl, and the like. -Ethers of vinyl alcohol such as n-butyl ether, (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid tetrahydrofurfuryl ester, (meth) acrylic acid dimethylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid diethylaminoethyl ester, ( (Meth) acrylic acid glycidyl ester, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, α-bromo (meth) acryl Acid, α-chloro ( T) Acrylic acid, β-furyl (meth) acrylic acid, β-styryl (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, monomethyl maleate, monoethyl maleate, monoisopropyl maleate and the like, Examples include fumaric acid, cinnamic acid, α-cyanocinnamic acid, itaconic acid, crotonic acid, and propiolic acid.
上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、下記一般式(2)で表される化合物、これらの化合物のアルキル基に水酸基、エポキシ基、ハロゲン基等が置換した化合物が挙げられる。 Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include compounds represented by the following general formula (2), and compounds in which the alkyl group of these compounds is substituted with a hydroxyl group, an epoxy group, a halogen group, or the like.
一般式(2)中、R21は水素原子又はメチル基を示し、R22は炭素数1〜12のアルキル基を示す。上記炭素数1〜12のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基及びこれらの構造異性体が挙げられる。In General Formula (2), R 21 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 22 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group and These structural isomers are mentioned.
上記一般式(2)で表される化合物としては、例えば、(メタ)アクリル酸メチルエステル、(メタ)アクリル酸エチルエステル、(メタ)アクリル酸プロピルエステル、(メタ)アクリル酸ブチルエステル、(メタ)アクリル酸ペンチルエステル、(メタ)アクリル酸ヘキシルエステル、(メタ)アクリル酸ヘプチルエステル、(メタ)アクリル酸オクチルエステル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシルエステル、(メタ)アクリル酸ノニルエステル、(メタ)アクリル酸デシルエステル、(メタ)アクリル酸ウンデシルエステル、(メタ)アクリル酸ドデシルエステルが挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the compound represented by the general formula (2) include (meth) acrylic acid methyl ester, (meth) acrylic acid ethyl ester, (meth) acrylic acid propyl ester, (meth) acrylic acid butyl ester, (meth) ) Acrylic acid pentyl ester, (meth) acrylic acid hexyl ester, (meth) acrylic acid heptyl ester, (meth) acrylic acid octyl ester, (meth) acrylic acid 2-ethylhexyl ester, (meth) acrylic acid nonyl ester, (meth) ) Acrylic acid decyl ester, (meth) acrylic acid undecyl ester, (meth) acrylic acid dodecyl ester. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
また、本発明で用いられるバインダーポリマーは、アルカリ現像性をより良好にする観点から、カルボキシル基を有することが好ましい。このようなバインダーポリマーは、例えば、カルボキシル基を有する重合性単量体とその他の重合性単量体をラジカル重合させることにより製造することができる。上記カルボキシル基を有する重合性単量体としては、上述したような(メタ)アクリル酸が好ましい。 Moreover, it is preferable that the binder polymer used by this invention has a carboxyl group from a viewpoint of making alkali developability more favorable. Such a binder polymer can be produced, for example, by radical polymerization of a polymerizable monomer having a carboxyl group and another polymerizable monomer. As the polymerizable monomer having a carboxyl group, (meth) acrylic acid as described above is preferable.
バインダーポリマーが有するカルボキシル基の比率は、使用する全重合性単量体に対するカルボキシル基を有する重合性単量体の割合として、アルカリ現像性とアルカリ耐性のバランスを図る観点から、12〜50質量%であることが好ましく、12〜40質量%であることがより好ましく、15〜30質量%であることが特に好ましく、15〜25質量%であることが極めて好ましい。このカルボキシル基を有する重合性単量体の割合が12質量%未満ではアルカリ現像性が劣る傾向があり、50質量%を超えるとアルカリ耐性が劣る傾向がある。 The ratio of the carboxyl group of the binder polymer is 12 to 50% by mass from the viewpoint of balancing alkali developability and alkali resistance as the ratio of the polymerizable monomer having a carboxyl group to the total polymerizable monomer used. It is preferable that it is 12-40 mass%, It is especially preferable that it is 15-30 mass%, It is very preferable that it is 15-25 mass%. When the ratio of the polymerizable monomer having a carboxyl group is less than 12% by mass, the alkali developability tends to be inferior, and when it exceeds 50% by mass, the alkali resistance tends to be inferior.
バインダーポリマーの重量平均分子量は、機械強度及びアルカリ現像性のバランスを図る観点から、20000〜300000であることが好ましく、40000〜150000であることがより好ましい。重量平均分子量が、20000未満では耐現像液性が低下する傾向があり、300000を超えると現像時間が長くなる傾向がある。なお、本発明における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)により測定され、標準ポリスチレンを用いて作成した検量線により換算された値である。 The weight average molecular weight of the binder polymer is preferably 20,000 to 300,000, more preferably 40000 to 150,000, from the viewpoint of balancing the mechanical strength and alkali developability. When the weight average molecular weight is less than 20000, the developer resistance tends to decrease, and when it exceeds 300,000, the development time tends to be long. In addition, the weight average molecular weight in this invention is a value measured by the gel permeation chromatography method (GPC), and converted with the analytical curve created using standard polystyrene.
これらのバインダーポリマーは、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。2種類以上を組み合わせて使用する場合のバインダーポリマーとしては、例えば、異なる共重合成分からなる2種類以上のバインダーポリマー、異なる重量平均分子量の2種類以上のバインダーポリマー、異なる分散度の2種類以上のバインダーポリマーが挙げられる。 These binder polymers are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. As a binder polymer in the case of using two or more types in combination, for example, two or more types of binder polymers comprising different copolymerization components, two or more types of binder polymers having different weight average molecular weights, and two or more types of binder polymers having different degrees of dispersion are used. A binder polymer is mentioned.
次に、エチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物について説明する。エチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物としては、例えば、多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシポリプロポキシ)フェニル)プロパン等のビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物、グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を反応させで得られる化合物、ウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物等のウレタンモノマー、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β’−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、β−ヒドロキシエチル−β’−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、β−ヒドロキシプロピル−β’−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、(メタ)アクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。 Next, the photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond will be described. Examples of the photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond include a compound obtained by reacting a polyhydric alcohol with an α, β-unsaturated carboxylic acid, 2,2-bis (4-((meth) acryloxy). Polyethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolypropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxypolypropoxy) phenyl) propane Such as bisphenol A (meth) acrylate compounds, compounds obtained by reacting glycidyl group-containing compounds with α, β-unsaturated carboxylic acids, urethane monomers such as (meth) acrylate compounds having a urethane bond, γ-chloro- β-hydroxypropyl-β ′-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxyethyl- β '-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxypropyl-β'-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, (meth) acrylic acid alkyl ester, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
上記多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物としては例えば、エチレン基の数が2〜14であるポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレン基の数が2〜14であるポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレン基の数が2〜14であり、プロピレン基の数が2〜14であるポリエチレンポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジエトキシトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリエトキシトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンテトラエトキシトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンペンタエトキシトリ(メタ)アクリレート等のトリメチロールプロパン(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート等のテトラメチロールメタン(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールアルコキシトリ(メタ)アクリレート等のペンタエリスリトール(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールアルコキシペンタ(メタ)アクリレート等のジペンタエリスリトール(メタ)アクリレートが挙げられる。 Examples of the compound obtained by reacting the polyhydric alcohol with an α, β-unsaturated carboxylic acid include polyethylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 14 propylene groups. Polypropylene glycol di (meth) acrylate, having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 14 propylene groups, polypropylene polypropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, tri Methylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane ethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropane diethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropane triethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropane tetraethoxy Tetramethylolmethane (meta) such as citri (meth) acrylate, trimethylolpropane (meth) acrylate such as trimethylolpropane pentaethoxytri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, etc. ) Acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol alkoxytri (meth) acrylate, etc., pentaerythritol (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa ( Dipentaerythritol (meth) such as (meth) acrylate and dipentaerythritol alkoxypenta (meth) acrylate Acrylate, and the like.
上記の中でも、透明性、接着性に優れる点では、トリメチロールプロパン(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタン(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトール(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトール(メタ)アクリレートから選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。 Among the above, at least one selected from trimethylolpropane (meth) acrylate, tetramethylolmethane (meth) acrylate, pentaerythritol (meth) acrylate, and dipentaerythritol (meth) acrylate is excellent in transparency and adhesiveness. It is preferable to contain.
上記ウレタンモノマーとしては、例えば、β位にヒドロキシル基を有する(メタ)アクリルモノマーとイソホロンジイソシアネート、2,6−トルエンジイソシアネート、2,4−トルエンジイソシアネート、1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート等のジイソシアネート化合物との付加反応物、トリス[(メタ)アクリロキシテトラエチレングリコールイソシアネート]ヘキサメチレンイソシアヌレート、EO変性ウレタンジ(メタ)アクリレート、EO,PO変性ウレタンジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。なお、「EO」はエチレンオキサイドを示し、EO変性された化合物はエチレンオキサイド基のブロック構造を有する。また、「PO」はプロピレンオキサイドを示し、PO変性された化合物はプロピレンオキサイド基のブロック構造を有する。EO変性ウレタンジ(メタ)アクリレートとしては、例えば、「UA−11」(新中村化学工業株式会社製、商品名)が挙げられる。また、EO,PO変性ウレタンジ(メタ)アクリレートとしては、例えば、「UA−13」(新中村化学工業株式会社製、商品名)が挙げられる。 Examples of the urethane monomer include a (meth) acryl monomer having a hydroxyl group at the β-position and a diisocyanate compound such as isophorone diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2,4-toluene diisocyanate, and 1,6-hexamethylene diisocyanate. Addition reaction product, tris [(meth) acryloxytetraethylene glycol isocyanate] hexamethylene isocyanurate, EO-modified urethane di (meth) acrylate, EO, PO-modified urethane di (meth) acrylate, and the like. “EO” represents ethylene oxide, and an EO-modified compound has a block structure of an ethylene oxide group. “PO” represents propylene oxide, and the PO-modified compound has a block structure of a propylene oxide group. Examples of the EO-modified urethane di (meth) acrylate include “UA-11” (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name). Examples of the EO and PO-modified urethane di (meth) acrylate include “UA-13” (trade name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.).
光重合性化合物の含有割合は、バインダーポリマー及び光重合性化合物の総量100質量部に対して、30〜80質量部であることが好ましく、40〜70質量部であることがより好ましい。この含有割合が30質量部未満では光硬化が不十分となり、転写した導電膜の硬化性が不十分となる傾向があり、80質量部を超えるとフィルムとして巻き取った場合、保管が困難となる傾向がある。 The content ratio of the photopolymerizable compound is preferably 30 to 80 parts by mass, and more preferably 40 to 70 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the binder polymer and the photopolymerizable compound. If this content is less than 30 parts by mass, the photocuring will be insufficient, and the curability of the transferred conductive film tends to be inadequate, and if it exceeds 80 parts by mass, storage becomes difficult when the film is wound as a film. Tend.
次に、光重合開始剤について説明する。光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、N,N’−テトラメチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、N,N’−テトラエチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4−メトキシ−4’−ジメチルアミノベンゾフェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−プロパノン−1等の芳香族ケトン、2−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ベンズアントラキノン、2−フェニルアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−メチルアントラキノン、1,4−ナフトキノン、9,10−フェナンタラキノン、2−メチル1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物、1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニルチオ)−,2−(o−ベンゾイルオキシム)]、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(o−アセチルオキシム)等のオキシムエステル化合物、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体、N−フェニルグリシン、N−フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物、オキサゾール系化合物が挙げられる。また、2つの2,4,5−トリアリールイミダゾールのアリール基の置換基は同一で対象な化合物を与えてもよいし、相違して非対称な化合物を与えてもよい。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と3級アミン化合物とを組み合わせてもよい。これらの中でも、透明性の見地からは、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1等の芳香族ケトン化合物や1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニルチオ)−,2−(o−ベンゾイルオキシム)]等のオキシムエステル化合物がより好ましい。これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。 Next, the photopolymerization initiator will be described. Examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone, 4-methoxy-4. '-Dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propanone-1 Aromatic ketones such as 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-tert-butylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone 1-chloroanthraquinone Quinones such as 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenantharaquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylanthraquinone, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin phenyl ether Benzoin ether compounds such as benzoin, benzoin compounds such as benzoin, methylbenzoin, and ethylbenzoin, 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio)-, 2- (o-benzoyloxime)], ethanone, 1- [ Oxime ester compounds such as 9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (o-acetyloxime), benzyl derivatives such as benzyldimethyl ketal, 2- (o- Chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazo Dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o -Methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4,5-triarylimidazole dimer such as 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 9- Examples thereof include acridine derivatives such as phenylacridine and 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane, N-phenylglycine, N-phenylglycine derivatives, coumarin compounds, and oxazole compounds. Further, the substituents of the aryl groups of two 2,4,5-triarylimidazoles may be the same to give the target compound, or differently give an asymmetric compound. Moreover, you may combine a thioxanthone type compound and a tertiary amine compound like the combination of diethyl thioxanthone and dimethylaminobenzoic acid. Among these, from the viewpoint of transparency, aromatic ketone compounds such as 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1, 1,2-octanedione, 1- [4 An oxime ester compound such as — (phenylthio)-, 2- (o-benzoyloxime)] is more preferable. These are used alone or in combination of two or more.
光重合開始剤の含有割合は、バインダーポリマー及び光重合性化合物の総量100質量部に対して、0.1〜30質量部であることが好ましく、1〜10質量部であることがより好ましい。この含有割合が0.1質量部未満では光感度が不十分となる傾向があり、30質量部を超えると露光の際に組成物の表面での吸収が増大して内部の光硬化が不十分となる傾向がある。 The content ratio of the photopolymerization initiator is preferably 0.1 to 30 parts by mass and more preferably 1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the binder polymer and the photopolymerizable compound. If this content is less than 0.1 parts by mass, the photosensitivity tends to be insufficient, and if it exceeds 30 parts by mass, the absorption at the surface of the composition increases during exposure and the internal photocuring is insufficient. Tend to be.
感光性樹脂層3には、必要に応じて、p−トルエンスルホンアミド等の可塑剤、充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤等の添加剤を、単独で又は2種類以上を組み合わせて含有させることができる。これらの添加剤の添加量は、バインダーポリマー及び光重合性化合物の総量100質量部に対して各々0.01〜20質量部であることが好ましい。
For the
感光性樹脂層3は、導電層2を形成した透明なフィルム支持体1上に、必要に応じて、メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、N,N−ジメチルホルムアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル等の溶剤又はこれらの混合溶剤に溶解した、固形分10〜60質量%程度の感光性樹脂組成物の溶液を塗布することが好ましい。但し、この場合、乾燥後の感光性樹脂層中の残存有機溶剤量は、後の工程での有機溶剤の拡散を防止するため、2質量%以下であることが好ましい。
The
感光性樹脂組成物の塗布は、例えば、ロールコート法、コンマコート法、グラビアコート法、エアーナイフコート法、ダイコート法、バーコート法、スプレーコート法等の公知の方法で行うことができる。また、乾燥は、70〜150℃で5〜30分間程度で行うことができる。 The photosensitive resin composition can be applied by a known method such as a roll coating method, a comma coating method, a gravure coating method, an air knife coating method, a die coating method, a bar coating method, or a spray coating method. Moreover, drying can be performed at 70-150 degreeC for about 5 to 30 minutes.
感光性樹脂層3の厚みは、用途により異なるが、乾燥後の厚みで1〜50μmであることが好ましく、1〜20μmであることがより好ましく、1〜10μmであることが特に好ましい。この厚みが1μm未満では工業的に塗工が困難となる傾向があり、50μmを超えると光透過の低下による感度が不十分となり感光性樹脂層の光硬化性が低下する傾向がある。また、接着性、パターニングに優れる点では、感光性樹脂層3の厚みは1μm以上であることが好ましい。
Although the thickness of the
次に、保護フィルムについて説明する。本発明の感光性導電フィルムにおいては、図1に示すように、感光性樹脂層3のフィルム支持体1側とは反対側の面に保護フィルムを積層することができる。
Next, the protective film will be described. In the photosensitive conductive film of this invention, as shown in FIG. 1, a protective film can be laminated | stacked on the surface on the opposite side to the film support body 1 side of the
保護フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムを用いることができる。保護フィルムとして上述のフィルム支持体と同様の重合体フィルムを用いてもよい。 As the protective film, for example, a polymer film having heat resistance and solvent resistance such as a polyethylene terephthalate film, a polypropylene film, and a polyethylene film can be used. You may use the polymer film similar to the above-mentioned film support body as a protective film.
保護フィルムと感光性樹脂層との間の接着力は、保護フィルムを感光性樹脂層から剥離しやすくするために、導電層2及び感光性樹脂層3とフィルム支持体1との間の接着力よりも小さいことが好ましい。
The adhesive force between the protective film and the photosensitive resin layer is such that the
また、保護フィルムは、低フィッシュアイのフィルムであることが好ましい。具体的には、保護フィルム中に含まれる直径80μm以上のフィッシュアイ数が5個/m2以下であることが好ましい。なお、「フィッシュアイ」とは、材料を熱溶融し、混練、押し出し、2軸延伸、キャスティング法等によりフィルムを製造する際に、材料の異物、未溶解物、酸化劣化物等がフィルム中に取り込まれたものである。The protective film is preferably a low fish eye film. Specifically, the number of fish eyes having a diameter of 80 μm or more contained in the protective film is preferably 5 / m 2 or less. "Fish eye" means that when a material is melted by heat, kneaded, extruded, biaxially stretched, casting method, etc., foreign materials, undissolved materials, oxidized degradation products, etc. It is taken in.
保護フィルムの厚みは、1〜100μmであることが好ましく、5〜50μmであることがより好ましく、5〜30μmであることが更に好ましく、15〜30μmであることが特に好ましい。保護フィルムの厚みが1μm未満ではラミネートの際、保護フィルムが破れやすくなる傾向があり、100μmを超えると価格が高くなる傾向がある。 The thickness of the protective film is preferably 1 to 100 μm, more preferably 5 to 50 μm, still more preferably 5 to 30 μm, and particularly preferably 15 to 30 μm. When the thickness of the protective film is less than 1 μm, the protective film tends to be broken during lamination, and when it exceeds 100 μm, the price tends to increase.
感光性導電フィルムは、フィルム支持体上に接着層、ガスバリア層等の層を更に有していてもよい。 The photosensitive conductive film may further have layers such as an adhesive layer and a gas barrier layer on the film support.
感光性導電フィルムは、例えば、そのままの平板状の形態で、又は、円筒状などの巻芯に巻きとりロール状の形態で貯蔵することができる。なお、この際、フィルム支持体が最も外側になるように巻き取られることが好ましい。 The photosensitive conductive film can be stored, for example, in the form of a flat plate as it is or in the form of a roll wound around a cylindrical core. In addition, it is preferable to wind up in this case so that a film support body may become the outermost side.
また、感光性導電フィルムが保護フィルムを有してない場合、かかる感光性導電フィルムは、そのままの平板状の形態で貯蔵することができる。 Moreover, when the photosensitive conductive film does not have a protective film, this photosensitive conductive film can be stored as it is in the form of a flat plate.
巻芯としては、従来用いられているものであれば特に限定されず、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ABS樹脂(アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体)等のプラスチックが挙げられる。またロール状に巻き取られた感光性導電フィルムの端面には、端面保護の観点から端面セパレータを設置することが好ましく、加えて耐エッジフュージョンの観点から防湿端面セパレータを設置することが好ましい。また、感光性導電フィルムを梱包する際には、透湿性の小さいブラックシートに包んで包装することが好ましい。 The core is not particularly limited as long as it is conventionally used. For example, plastic such as polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, polyvinyl chloride resin, ABS resin (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer), etc. Is mentioned. Moreover, it is preferable to install an end face separator on the end face of the photosensitive conductive film wound up in a roll shape from the viewpoint of end face protection, and in addition, it is preferable to install a moisture-proof end face separator from the viewpoint of edge fusion resistance. Moreover, when packing a photosensitive conductive film, it is preferable to wrap and wrap in a black sheet with small moisture permeability.
本実施形態の感光性導電フィルムは、フィルム支持体上に、導電層形成用分散液を塗工して導電層を形成し、次いで感光性樹脂組成物を塗工して感光性樹脂層を形成したものであることが好ましい。フィルム支持体上に導電層形成用分散液を塗工することにより、均一な導電層を形成することが容易となる。 In the photosensitive conductive film of this embodiment, a conductive layer forming dispersion is applied on a film support to form a conductive layer, and then a photosensitive resin composition is applied to form a photosensitive resin layer. It is preferable that By applying the dispersion for forming a conductive layer on the film support, it is easy to form a uniform conductive layer.
本実施形態の感光性導電フィルムによれば、導電パターンが必要とされる基材上に、感光性樹脂層及び導電層を転写し、露光及び現像を行うことにより、透明で、良好なパターンを有する導電膜を容易に形成できる。 According to the photosensitive conductive film of the present embodiment, a photosensitive resin layer and a conductive layer are transferred onto a substrate on which a conductive pattern is required, and exposure and development are performed, thereby forming a transparent and good pattern. The conductive film can be easily formed.
また、本実施形態の感光性導電フィルムから形成される導電膜或いは導電パターンは柔軟性に富むことから、フレキシブルディスプレイの電極などとして好適である。さらに、形成される導電膜或いは導電パターンは有機物から構成できることから、バイアス電圧を印加する電子機器の電極として利用する場合にはマイグレーションを十分抑制できるという効果を有する。 Moreover, since the electrically conductive film or electrically conductive pattern formed from the photosensitive electrically conductive film of this embodiment is rich in flexibility, it is suitable as an electrode of a flexible display. Furthermore, since the conductive film or conductive pattern to be formed can be made of an organic material, migration can be sufficiently suppressed when used as an electrode of an electronic device to which a bias voltage is applied.
本発明の導電膜の形成方法の一実施形態としては、上記の本実施形態の感光性導電フィルムを、基材上に感光性樹脂層が密着するようにラミネートするラミネート工程と、基材上の感光性樹脂層に活性光線を照射する露光工程とを備える方法が挙げられる。感光性導電フィルムが保護フィルムを有している場合は、保護フィルムを剥離した感光性導電フィルムを、基材上に感光性樹脂層側からラミネートする。上記ラミネート工程により、基材上に、感光性樹脂層、導電層及び支持体がこの順に積層される。 As one embodiment of the method for forming a conductive film of the present invention, a laminate step of laminating the photosensitive conductive film of the present embodiment as described above so that the photosensitive resin layer is in close contact with the substrate, And an exposure step of irradiating the photosensitive resin layer with actinic rays. When the photosensitive conductive film has a protective film, the photosensitive conductive film from which the protective film has been peeled is laminated on the substrate from the photosensitive resin layer side. By the laminating step, the photosensitive resin layer, the conductive layer, and the support are laminated in this order on the base material.
基材としては、例えば、ガラス基板、ポリカーボネート等のプラスチック基板などが挙げられる。 Examples of the base material include a glass substrate and a plastic substrate such as polycarbonate.
ラミネート工程は、例えば、感光性導電フィルムを、保護フィルムがある場合はそれを除去した後、加熱しながら感光性樹脂層側を基材に圧着することにより積層する方法により行なわれる。なお、この作業は、密着性及び追従性の見地から減圧下で積層することが好ましい。感光性導電フィルムの積層は、感光性樹脂層及び/又は基板を70〜130℃に加熱することが好ましく、圧着圧力は、0.1〜1.0MPa程度(1〜10kgf/cm2程度)とすることが好ましいが、これらの条件には特に制限はない。また、感光性樹脂層を上記のように70〜130℃に加熱すれば、予め基材を予熱処理することは必要ではないが、積層性をさらに向上させるために基材の予熱処理を行うこともできる。The laminating step is performed, for example, by a method of laminating the photosensitive conductive film by removing the protective film, if any, and then pressing the photosensitive resin layer side against the substrate while heating. In addition, it is preferable to laminate | stack this operation under pressure reduction from the viewpoint of adhesiveness and followable | trackability. In the lamination of the photosensitive conductive film, the photosensitive resin layer and / or the substrate is preferably heated to 70 to 130 ° C., and the pressure is about 0.1 to 1.0 MPa (about 1 to 10 kgf / cm 2 ). However, these conditions are not particularly limited. In addition, if the photosensitive resin layer is heated to 70 to 130 ° C. as described above, it is not necessary to pre-heat the base material in advance, but the base material is pre-heated in order to further improve the lamination property. You can also.
露光工程では、活性光線を照射することによって照射された部分の感光性樹脂層が硬化され、この硬化物によって導電層が固定されることで、基材上に導電膜が形成される。活性光線の光源としては、公知の光源、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線、可視光などを有効に放射するものが用いられる。また、Arイオンレーザ、半導体レーザ等の紫外線、可視光などを有効に放射するものも用いられる。更に、写真用フラッド電球、太陽ランプ等の可視光を有効に放射するものも用いられる。 In the exposure step, the portion of the photosensitive resin layer irradiated by irradiation with actinic rays is cured, and the conductive layer is fixed by the cured product, whereby a conductive film is formed on the substrate. As the active light source, a known light source, for example, a carbon arc lamp, a mercury vapor arc lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a xenon lamp, or the like that effectively emits ultraviolet light, visible light, or the like is used. Also, an Ar ion laser, a semiconductor laser, or the like that effectively emits ultraviolet light, visible light, or the like is used. Further, those that effectively radiate visible light, such as photographic flood bulbs and solar lamps, are also used.
導電層上のフィルム支持体が活性光線に対して透明である場合には、フィルム支持体を通して活性光線を照射することができ、支持体が遮光性である場合には、フィルム支持体を除去した後に感光性樹脂層に活性光線を照射する。 When the film support on the conductive layer is transparent to actinic light, it can be irradiated with actinic light through the film support, and when the support is light-shielding, the film support is removed. Later, the photosensitive resin layer is irradiated with actinic rays.
また、基材が活性光線に対して透明である場合には、基材側から基材を通して活性光線を照射することができるが、解像度の点で、導電層側から導電層及び感光性樹脂層に活性光線を照射することが好ましい。 In addition, when the substrate is transparent to actinic rays, actinic rays can be irradiated from the substrate side through the substrate, but in terms of resolution, the conductive layer and the photosensitive resin layer from the conductive layer side. It is preferable to irradiate actinic rays.
上記の工程を経ることにより、基材上に導電膜を備える導電膜付基材が得られる。本実施形態の導電膜の形成方法においては、形成された導電膜を、フィルム支持体のはく離後、必要に応じて、60〜250℃程度の加熱又は0.2〜10J/cm2程度の露光を行うことにより更に硬化してもよい。加熱と露光の両者を行い更に硬化してもよい。By passing through said process, a base material with an electrically conductive film provided with an electrically conductive film on a base material is obtained. In the method for forming a conductive film of the present embodiment, the formed conductive film is heated to about 60 to 250 ° C. or exposed to about 0.2 to 10 J / cm 2 as necessary after the film support is peeled off. Further curing may be performed by performing the above. Further curing may be performed by both heating and exposure.
このように、本発明の導電膜の形成方法によれば、ガラスやプラスチックなど基板上に容易に透明な導電膜を形成することが可能である。 Thus, according to the method for forming a conductive film of the present invention, it is possible to easily form a transparent conductive film on a substrate such as glass or plastic.
次に、図面を参照しつつ、本発明の導電パターンの形成方法について説明する。 Next, the method for forming a conductive pattern of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施形態に係る導電パターンの形成方法は、上述した感光性導電フィルム10を、基板20上に感光性樹脂層3が密着するようにラミネートする工程(図2の(a))と、基板20上の感光性樹脂層3の所定部分に活性光線を照射する露光工程(図2の(b))と、露光した感光性樹脂層3を現像することにより導電パターンを形成する現像工程とを備える。これらの工程を経ることにより、基板20上にパターニングされた導電膜(導電パターン)2aを備える導電膜付基板40が得られる(図2の(c))。
The conductive pattern forming method according to the present embodiment includes a step of laminating the above-described photosensitive
ラミネート工程は、例えば、感光性導電フィルム10を、保護フィルムがある場合はそれを除去した後、加熱しながら感光性樹脂層3側を基板に圧着する積層方法により行なわれる。なお、この作業は、密着性及び追従性の見地から減圧下で積層することが好ましい。感光性導電フィルム10の積層は、感光性樹脂層3及び/又は基板20を70〜130℃に加熱することが好ましく、圧着圧力は、0.1〜1.0MPa程度(1〜10kgf/cm2程度)とすることが好ましいが、これらの条件には特に制限はない。また、感光性樹脂層3を上記のように70〜130℃に加熱すれば、予め基板を予熱処理することは必要ではないが、積層性をさらに向上させるために基板の予熱処理を行うこともできる。The laminating step is performed, for example, by a laminating method in which the photosensitive
露光工程での露光方法としては、アートワークと呼ばれるネガ又はポジマスクパターンを通して活性光線を画像状に照射する方法(マスク露光法)が挙げられる。活性光線の光源としては、公知の光源、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線、可視光などを有効に放射するものが用いられる。また、Arイオンレーザ、半導体レーザ等の紫外線、可視光などを有効に放射するものも用いられる。更に、写真用フラッド電球、太陽ランプ等の可視光を有効に放射するものも用いられる。また、レーザ露光法などを用いた直接描画法により活性光線を画像状に照射する方法を採用してもよい。 Examples of the exposure method in the exposure step include a method of irradiating an actinic ray in an image form through a negative or positive mask pattern called an artwork (mask exposure method). As the active light source, a known light source, for example, a carbon arc lamp, a mercury vapor arc lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a xenon lamp, or the like that effectively emits ultraviolet light, visible light, or the like is used. Also, an Ar ion laser, a semiconductor laser, or the like that effectively emits ultraviolet light, visible light, or the like is used. Further, those that effectively radiate visible light, such as photographic flood bulbs and solar lamps, are also used. Alternatively, a method of irradiating actinic rays in an image form by a direct drawing method using a laser exposure method or the like may be employed.
導電層2上のフィルム支持体1が活性光線に対して透明である場合には、フィルム支持体1を通して活性光線を照射することができ、フィルム支持体1が遮光性である場合には、フィルム支持体1を除去した後に感光性樹脂層3に活性光線を照射する。
When the film support 1 on the
また、基板(被着物)20が活性光線に対して透明である場合には、基板20側から基板20を通して活性光線を照射することができるが、解像度の点で、導電層2側から導電層2及び感光性樹脂層3に活性光線を照射することが好ましい。
Further, when the substrate (adherent) 20 is transparent to actinic rays, actinic rays can be irradiated from the
本実施形態の現像工程では、感光性樹脂層3の露光部以外の部分が除去される。具体的には、導電層2上にフィルム支持体1が存在している場合には、まずフィルム支持体1を除去し、その後、ウェット現像により感光性樹脂層3の露光部以外の部分を除去する。これにより、所定のパターンを有する樹脂硬化層3a上に有機導電材料を含有する導電層2aが残り、導電パターンが形成される。
In the development process of the present embodiment, portions other than the exposed portion of the
ウェット現像は、例えば、アルカリ性水溶液、水系現像液、有機溶剤系現像液等の感光性樹脂に対応した現像液を用いて、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング、スクラッピング等の公知の方法により行われる。 The wet development is performed by a known method such as spraying, rocking immersion, brushing, or scraping, using a developer corresponding to a photosensitive resin such as an alkaline aqueous solution, an aqueous developer, or an organic solvent developer. .
現像液としては、アルカリ性水溶液等の安全かつ安定であり、操作性が良好なものが用いられる。上記アルカリ性水溶液の塩基としては、例えば、リチウム、ナトリウム又はカリウムの水酸化物等の水酸化アルカリ、リチウム、ナトリウム、カリウム若しくはアンモニウムの炭酸塩又は重炭酸塩等の炭酸アルカリ、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム等のアルカリ金属リン酸塩、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム等のアルカリ金属ピロリン酸塩などが用いられる。 As the developing solution, a safe and stable solution having good operability such as an alkaline aqueous solution is used. Examples of the base of the alkaline aqueous solution include alkali hydroxides such as lithium, sodium, or potassium hydroxide, alkali carbonates such as lithium, sodium, potassium, or ammonium carbonate or bicarbonate, potassium phosphate, and phosphoric acid. Alkali metal phosphates such as sodium and alkali metal pyrophosphates such as sodium pyrophosphate and potassium pyrophosphate are used.
また、現像に用いるアルカリ性水溶液としては、0.1〜5質量%炭酸ナトリウム水溶液、0.1〜5質量%炭酸カリウム水溶液、0.1〜5質量%水酸化ナトリウム水溶液、0.1〜5質量%四ホウ酸ナトリウム水溶液等が好ましい。また、現像に用いるアルカリ性水溶液のpHは9〜11の範囲とすることが好ましく、その温度は、感光性樹脂層の現像性に合わせて調節される。また、アルカリ性水溶液中には、表面活性剤、消泡剤、現像を促進させるための少量の有機溶剤等を混入させてもよい。 Moreover, as alkaline aqueous solution used for image development, 0.1-5 mass% sodium carbonate aqueous solution, 0.1-5 mass% potassium carbonate aqueous solution, 0.1-5 mass% sodium hydroxide aqueous solution, 0.1-5 mass % Sodium tetraborate aqueous solution and the like are preferable. Moreover, it is preferable to make pH of the alkaline aqueous solution used for image development into the range of 9-11, and the temperature is adjusted according to the developability of the photosensitive resin layer. In the alkaline aqueous solution, a surfactant, an antifoaming agent, a small amount of an organic solvent for accelerating development, and the like may be mixed.
また、水又はアルカリ水溶液と一種以上の有機溶剤とからなる水系現像液を用いることができる。ここで、アルカリ水溶液に含まれる塩基としては、上述の塩基以外に、例えば、ホウ砂やメタケイ酸ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、エタノールアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、2−アミノ−2−ヒドロキシメチル−1,3−プロパンジオール、1,3−ジアミノプロパノール−2、モルホリンが挙げられる。 Further, an aqueous developer composed of water or an aqueous alkali solution and one or more organic solvents can be used. Here, as the base contained in the alkaline aqueous solution, in addition to the above-mentioned bases, for example, borax, sodium metasilicate, tetramethylammonium hydroxide, ethanolamine, ethylenediamine, diethylenetriamine, 2-amino-2-hydroxymethyl-1 , 3-propanediol, 1,3-diaminopropanol-2, morpholine.
有機溶剤としては、例えば、3−アセトンアルコール、アセトン、酢酸エチル、炭素数1〜4のアルコキシ基をもつアルコキシエタノール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。 Examples of the organic solvent include 3-acetone alcohol, acetone, ethyl acetate, alkoxyethanol having an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono Butyl ether is mentioned. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
水系現像液は、有機溶剤の濃度を2〜90質量%とすることが好ましく、その温度は、現像性にあわせて調整することができる。さらに、水系現像液のpHは、レジストの現像が十分にできる範囲でできるだけ小さくすることが好ましく、pH8〜12とすることが好ましく、pH9〜10とすることがより好ましい。また、水系現像液中には、界面活性剤、消泡剤等を少量添加することもできる。 The aqueous developer preferably has an organic solvent concentration of 2 to 90% by mass, and the temperature can be adjusted according to the developability. Furthermore, the pH of the aqueous developer is preferably as low as possible within the range where the resist can be sufficiently developed, preferably pH 8-12, more preferably pH 9-10. In addition, a small amount of a surfactant, an antifoaming agent, or the like can be added to the aqueous developer.
有機溶剤系現像液としては、例えば、1,1,1−トリクロロエタン、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。これらの有機溶剤は、引火防止のため、1〜20質量%の範囲で水を添加することが好ましい。 Examples of the organic solvent developer include 1,1,1-trichloroethane, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, and γ-butyrolactone. These organic solvents preferably add water in the range of 1 to 20% by mass in order to prevent ignition.
上述した現像液は、必要に応じて、2種以上を併用してもよい。 Two or more of the above-described developing solutions may be used in combination as necessary.
現像の方式としては、例えば、ディップ方式、バトル方式、スプレー方式、ブラッシング、スラッピング等が挙げられる。これらのうち、高圧スプレー方式を用いることが、解像度向上の観点から好ましい。 Examples of the development method include a dip method, a battle method, a spray method, brushing, and slapping. Among these, it is preferable to use a high-pressure spray system from the viewpoint of improving the resolution.
本実施形態においては、所定のパターンで露光した後の感光性樹脂層3を現像して未露光部分を除去することにより、未露光部分の感光性樹脂層上の導電層は一緒に除去され、露光部分の感光性樹脂層上の導電層は残り、導電パターンが形成される。現像時には、現像液が導電層2に染込み未露光の感光性樹脂層を膨潤させたり、感光性樹脂層の端部から現像液が染込み感光性樹脂層を膨潤させたりすることによって、感光性樹脂層が溶解、分散してパターンが形成される。導電層2の層厚が0.5μmと薄い場合には、現像液が導電層2を介して感光性樹脂層3へと到達しやすくなり、現像性が向上する。
In this embodiment, by developing the
本実施形態の導電パターンの形成方法においては、現像後に必要に応じて、60〜250℃程度の加熱又は0.2〜10J/cm2程度の露光を行うことにより導電パターンを更に硬化してもよい。加熱と露光の両者を行い更に硬化してもよい。In the method for forming a conductive pattern of the present embodiment, the conductive pattern may be further cured by heating at about 60 to 250 ° C. or exposure at about 0.2 to 10 J / cm 2 as necessary after development. Good. Further curing may be performed by both heating and exposure.
このように、本発明の導電パターンの形成方法によれば、ITOなどの無機膜のようにエッチングレジストを形成することなく、ガラスやプラスチックなど基板上に容易に透明な導電パターンを形成することが可能である。 Thus, according to the method for forming a conductive pattern of the present invention, a transparent conductive pattern can be easily formed on a substrate such as glass or plastic without forming an etching resist like an inorganic film such as ITO. Is possible.
本発明に係る導電膜付基板は、上述した導電膜の形成方法や導電パターンの形成方法により得られるが、透明電極として有効に活用できる観点から、導電膜又は導電パターンの表面抵抗率が10000Ω/□以下であることが好ましく、5000Ω/□以下であることがより好ましく、2000Ω/□以下であることが特に好ましい。表面抵抗率は、例えば、有機導電材料を含む分散液の濃度又は塗工量によって調整することができる。分散液の濃度を高くするほど、また、塗工量を多くして厚みを厚くするほど表面抵抗率は低下する傾向にある。また、ドーピング処理によっても調整することができる。 The conductive film-attached substrate according to the present invention can be obtained by the conductive film formation method and the conductive pattern formation method described above. From the viewpoint of being able to be effectively used as a transparent electrode, the surface resistivity of the conductive film or the conductive pattern is 10,000 Ω / □ or less is preferable, 5000 Ω / □ or less is more preferable, and 2000 Ω / □ or less is particularly preferable. The surface resistivity can be adjusted by, for example, the concentration of the dispersion liquid containing the organic conductive material or the coating amount. The surface resistivity tends to decrease as the concentration of the dispersion is increased and as the coating amount is increased and the thickness is increased. It can also be adjusted by doping treatment.
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はこれに制限されるものではない。 As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not restrict | limited to this.
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
<導電層形成用塗液の調製> <Preparation of conductive layer forming coating solution>
(導電層形成用塗液1(有機導電材料溶液))
ポリエチレンジオキシチオフェンのアルコール溶液である「セプルジーダOC−U1」(信越ポリマー株式会社製、光パターニング塗料、商品名)をメタノールで10倍に希釈し、これを導電層形成用塗液1とした。(Coating layer forming coating solution 1 (organic conductive material solution))
“Sepulzida OC-U1” (manufactured by Shin-Etsu Polymer Co., Ltd., photo-patterning paint, trade name), which is an alcohol solution of polyethylene dioxythiophene, was diluted 10 times with methanol, and this was used as a coating solution 1 for forming a conductive layer.
(導電層形成用塗液2(有機導電材料溶液))
ポリエチレンジオキシチオフェンの水溶液である「クレビオスP」(エイチ・シー・スタルク(H.C.Starck)社製、商品名)を水で5倍に希釈し、これを導電層形成用塗液2とした。(Coating layer forming coating liquid 2 (organic conductive material solution))
“Clevios P” (trade name, manufactured by HC Starck Co., Ltd.), which is an aqueous solution of polyethylene dioxythiophene, is diluted 5 times with water. did.
<感光性樹脂組成物の溶液の調製>
[アクリル樹脂の合成]
撹拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロート及び窒素ガス導入管を備えたフラスコに、メチルセロソルブとトルエンとの混合液(メチルセロソルブ/トルエン=3/2(質量比)、以下、「溶液s」という)400gを加え、窒素ガスを吹き込みながら撹拌して、80℃まで加熱した。一方、単量体としてメタクリル酸100g、メタクリル酸メチル250g、アクリル酸エチル100g及びスチレン50gと、アゾビスイソブチロニトリル0.8gとを混合した溶液(以下、「溶液a」という)を用意した。次に、80℃に加熱された溶液sに溶液aを4時間かけて滴下した後、80℃で撹拌しながら2時間保温した。さらに、100gの溶液sにアゾビスイソブチロニトリル1.2gを溶解した溶液を、10分かけてフラスコ内に滴下した。そして、滴下後の溶液を撹拌しながら80℃で3時間保温した後、30分間かけて90℃に加熱した。90℃で2時間保温した後、冷却してバインダーポリマー溶液を得た。このバインダーポリマー溶液に、アセトンを加えて不揮発成分(固形分)が50質量%になるように調製し、バインダーポリマー溶液を得た。得られたバインダーポリマーの重量平均分子量は80000であった。これをアクリルポリマーAとした。<Preparation of solution of photosensitive resin composition>
[Synthesis of acrylic resin]
In a flask equipped with a stirrer, reflux condenser, thermometer, dropping funnel and nitrogen gas introduction tube, a mixture of methyl cellosolve and toluene (methyl cellosolve / toluene = 3/2 (mass ratio), hereinafter “solution s 400 g) was added, stirred while blowing nitrogen gas, and heated to 80 ° C. On the other hand, a solution (hereinafter referred to as “solution a”) prepared by mixing 100 g of methacrylic acid, 250 g of methyl methacrylate, 100 g of ethyl acrylate and 50 g of styrene as a monomer and 0.8 g of azobisisobutyronitrile was prepared. . Next, the solution a was added dropwise to the solution s heated to 80 ° C. over 4 hours, and then kept at 80 ° C. with stirring for 2 hours. Further, a solution obtained by dissolving 1.2 g of azobisisobutyronitrile in 100 g of the solution s was dropped into the flask over 10 minutes. And the solution after dripping was heat-retained at 80 degreeC for 3 hours, stirring, Then, it heated at 90 degreeC over 30 minutes. The mixture was kept at 90 ° C. for 2 hours and then cooled to obtain a binder polymer solution. Acetone was added to the binder polymer solution to prepare a non-volatile component (solid content) of 50% by mass to obtain a binder polymer solution. The obtained binder polymer had a weight average molecular weight of 80,000. This was designated as acrylic polymer A.
表1に示した材料を同表に示す配合量(単位:質量部)で配合し、感光性樹脂組成物の溶液を調製した。 The material shown in Table 1 was mix | blended with the compounding quantity (unit: mass part) shown in the same table, and the solution of the photosensitive resin composition was prepared.
1)メタクリル酸:メタクリル酸メチル:アクリル酸エチル:及びスチレン=20:50:20:10の質量比率のアクリルポリマー。
1) An acrylic polymer having a mass ratio of methacrylic acid: methyl methacrylate: ethyl acrylate: and styrene = 20: 50: 20: 10.
<感光性導電フィルムの作製>
(実施例1)
導電層形成用塗液1を、支持フィルム(フィルム支持体)である50μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム、帝人株式会社製、商品名「G2−50」)上に25g/m2で均一に塗布し、100℃の熱風対流式乾燥機で3分間乾燥し、導電層を形成した。なお導電層の乾燥後の膜厚は、約0.1μmであった。<Preparation of photosensitive conductive film>
Example 1
Conductive layer forming coating solution 1 is uniformly applied at 25 g / m 2 on a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film (PET film, manufactured by Teijin Ltd., trade name “G2-50”) which is a support film (film support). It was applied and dried for 3 minutes with a hot air convection dryer at 100 ° C. to form a conductive layer. The thickness of the conductive layer after drying was about 0.1 μm.
次に、支持フィルムの導電層が設けられている側に、上記感光性樹脂組成物の溶液を均一に塗布し、100℃の熱風対流式乾燥機で10分間乾燥し、感光性樹脂層を形成した。感光性樹脂層の乾燥後の膜厚は、5μmであった。更に、感光性樹脂層を、ポリエチレン製の保護フィルム(タマポリ株式会社製、商品名「NF−13」)で覆い、感光性導電フィルムを得た。 Next, the photosensitive resin composition solution is uniformly applied to the side of the support film where the conductive layer is provided, and dried for 10 minutes in a 100 ° C. hot air convection dryer to form a photosensitive resin layer. did. The film thickness after drying of the photosensitive resin layer was 5 μm. Furthermore, the photosensitive resin layer was covered with a protective film made of polyethylene (manufactured by Tamapoly Co., Ltd., trade name “NF-13”) to obtain a photosensitive conductive film.
(実施例2)
導電層形成用塗液2を、支持フィルムである50μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム、帝人株式会社製、商品名「G2−50」)上に25g/m2で均一に塗布し、100℃の熱風対流式乾燥機で3間乾燥し、導電層を形成した。なお、乾燥後の導電層の膜厚は、約0.1μmであった。(Example 2)
The
次に、支持フィルムの導電層が設けられている側に、上記感光性樹脂組成物の溶液を均一に塗布し、100℃の熱風対流式乾燥機で10分間乾燥し、感光性樹脂層を形成した。感光性樹脂層の乾燥後の膜厚は、5μmであった。更に、感光性樹脂層を、ポリエチレン製の保護フィルム(タマポリ株式会社製、商品名「NF−13」)で覆い、感光性導電フィルムを得た。 Next, the photosensitive resin composition solution is uniformly applied to the side of the support film where the conductive layer is provided, and dried for 10 minutes in a 100 ° C. hot air convection dryer to form a photosensitive resin layer. did. The film thickness after drying of the photosensitive resin layer was 5 μm. Furthermore, the photosensitive resin layer was covered with a protective film made of polyethylene (manufactured by Tamapoly Co., Ltd., trade name “NF-13”) to obtain a photosensitive conductive film.
<導電膜の形成>
0.7mm厚のソーダガラス板を80℃に加温し、その表面上に実施例1、2で得られた感光性導電フィルムを、保護フィルムを剥離しながら感光性樹脂層を基板に対向させて、120℃、0.4MPaの条件でラミネートした。ラミネート後、基板を冷却し基板の温度が23℃になった時点でPETフィルム面に高圧水銀灯ランプを有する露光機(株式会社オーク製作所製、商品名「HMW−201B」)を用いて、1000mJ/cm2の露光量で導電層及び感光性樹脂層を露光した。露光後、室温(25℃)で15分間放置し、続いて、支持体であるPETフィルムを剥離することで、実施例で作製した導電膜をソーダガラス板上に形成した。実施例1、2のフィルムを用い形成したものの表面抵抗は、それぞれ2000Ω/□、2800Ω/□であり、650nmの光に対する透過率は90%、85%であった。結果を表2に示す。
<Formation of conductive film>
A 0.7 mm thick soda glass plate is heated to 80 ° C., and the photosensitive conductive film obtained in Examples 1 and 2 is placed on the surface of the soda glass plate with the photosensitive resin layer facing the substrate while peeling off the protective film. And laminated under the conditions of 120 ° C. and 0.4 MPa. After lamination, when the substrate is cooled and the temperature of the substrate reaches 23 ° C., using an exposure machine (trade name “HMW-201B” manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.) having a high-pressure mercury lamp lamp on the PET film surface, 1000 mJ / The conductive layer and the photosensitive resin layer were exposed with an exposure amount of cm 2 . After the exposure, the film was left at room temperature (25 ° C.) for 15 minutes, and then the PET film as the support was peeled off to form the conductive film produced in the example on the soda glass plate. The surface resistances of the films formed using the films of Examples 1 and 2 were 2000Ω / □ and 2800Ω / □, respectively, and the transmittance for light at 650 nm was 90% and 85%. The results are shown in Table 2 .
なお、上記の表面抵抗は、低抵抗率計(三菱化学株式会社製、ロレスタGP)を用い、4探針法によりJIS K 7194に準拠して測定した表面抵抗率である。また、上記の透過率は、分光光度計(株式会社日立ハイテクノロジーズ製、商品名「U−3310」)を用いて測定した、450〜650nmの波長域における最小光透過率である。結果を表2に示す。 In addition, said surface resistance is the surface resistivity measured based on JISK7194 by the 4-probe method using the low resistivity meter (the Mitsubishi Chemical Corporation make, Loresta GP). Moreover, said transmittance | permeability is the minimum light transmittance in the 450-650 nm wavelength range measured using the spectrophotometer (The Hitachi High-Technologies Corporation make, brand name "U-3310"). The results are shown in Table 2 .
<導電パターンの形成>
1mm厚のポリカーボネート基板を80℃に加温し、その表面上に、実施例1、2で得られた感光性導電フィルムを、保護フィルムを剥離しながら感光性樹脂層を基板に対向させて、120℃、0.4MPaの条件でラミネートした。ラミネート後、基板を冷却し基板の温度が23℃になった時点で、支持体であるPETフィルム面にライン幅/スペース幅が100/100μmで長さが100mmの配線パターンを有するフォトマスクを密着させた。そして、高圧水銀灯ランプを有する露光機(株式会社オーク製作所製、商品名「HMW−201B」)を用いて、200mJ/cm2の露光量で導電層及び感光性樹脂層を露光した。<Formation of conductive pattern>
A 1 mm thick polycarbonate substrate was heated to 80 ° C., and the photosensitive conductive film obtained in Examples 1 and 2 was placed on the surface of the polycarbonate substrate with the photosensitive resin layer facing the substrate while peeling off the protective film. Lamination was performed at 120 ° C. and 0.4 MPa. After lamination, when the substrate is cooled and the temperature of the substrate reaches 23 ° C., a photomask having a wiring pattern with a line width / space width of 100/100 μm and a length of 100 mm is adhered to the PET film surface as a support I let you. And the conductive layer and the photosensitive resin layer were exposed with the exposure amount of 200 mJ / cm < 2 > using the exposure machine (Oak Seisakusho make, brand name "HMW-201B") which has a high pressure mercury lamp lamp.
露光後、室温(25℃)で15分間放置し、続いて、支持体であるPETフィルムを剥離し、30℃で1質量%炭酸ナトリウム水溶液を30秒間スプレーすることにより現像した。現像後、ライン幅/スペース幅が約100/100μmである導電パターンをポリカーボネート基板上に形成した。それぞれの導電パターンは良好に形成されていることが確認された。 After the exposure, the film was allowed to stand at room temperature (25 ° C.) for 15 minutes. Subsequently, the PET film as a support was peeled off, and developed by spraying a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C. for 30 seconds. After development, a conductive pattern having a line width / space width of about 100/100 μm was formed on the polycarbonate substrate. It was confirmed that each conductive pattern was well formed.
1…フィルム支持体、2…導電層、2a…導電パターン、3…感光性樹脂層、3a…硬化物層、4…保護フィルム、10…感光性導電フィルム、20…基板、30…アートワーク、40…導電膜付基板。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film support body, 2 ... Conductive layer, 2a ... Conductive pattern, 3 ... Photosensitive resin layer, 3a ... Hardened | cured material layer, 4 ... Protective film, 10 ... Photosensitive conductive film, 20 ... Substrate, 30 ... Artwork, 40 ... Substrate with conductive film.
Claims (14)
若しくはアニリン誘導体のポリマーである、請求項1に記載の導電膜の形成方法。Alternatively, the method for forming a conductive film according to claim 1, wherein the conductive film is a polymer of an aniline derivative.
若しくはアニリン誘導体のポリマーである、請求項8に記載の導電パターンの形成方法。Alternatively, the conductive pattern forming method according to claim 8, which is a polymer of an aniline derivative.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012514808A JP5582189B2 (en) | 2010-05-13 | 2011-05-10 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, and method for forming conductive pattern |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010111064 | 2010-05-13 | ||
JP2010111064 | 2010-05-13 | ||
JP2012514808A JP5582189B2 (en) | 2010-05-13 | 2011-05-10 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, and method for forming conductive pattern |
PCT/JP2011/060770 WO2011142360A1 (en) | 2010-05-13 | 2011-05-10 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014106379A Division JP5871029B2 (en) | 2010-05-13 | 2014-05-22 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, and method for forming conductive pattern |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011142360A1 JPWO2011142360A1 (en) | 2013-07-22 |
JP5582189B2 true JP5582189B2 (en) | 2014-09-03 |
Family
ID=44914415
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012514808A Expired - Fee Related JP5582189B2 (en) | 2010-05-13 | 2011-05-10 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, and method for forming conductive pattern |
JP2014106379A Expired - Fee Related JP5871029B2 (en) | 2010-05-13 | 2014-05-22 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, and method for forming conductive pattern |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014106379A Expired - Fee Related JP5871029B2 (en) | 2010-05-13 | 2014-05-22 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, and method for forming conductive pattern |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5582189B2 (en) |
KR (4) | KR20160052754A (en) |
CN (2) | CN108008602A (en) |
TW (1) | TWI547756B (en) |
WO (1) | WO2011142360A1 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9253892B2 (en) | 2012-04-13 | 2016-02-02 | Wistron Corporation | Peripheral circuit of touch panel and manufacturing method thereof |
US9929379B2 (en) | 2013-06-11 | 2018-03-27 | Konica Minolta, Inc. | Method for producing organic electroluminescent element |
CN103433189A (en) * | 2013-09-02 | 2013-12-11 | 中环高科(天津)股份有限公司 | Process for forming film on surface of PET (Polyethylene Terephthalate) substrate by adopting conductive macromolecular coating |
CN104375382A (en) * | 2014-03-31 | 2015-02-25 | 中能柔性光电(滁州)有限公司 | Graphical manufacturing method for flexible conducting film |
KR20170041809A (en) * | 2014-08-07 | 2017-04-17 | 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. | Conductive multilayer sheet for thermal forming applications |
JP6027633B2 (en) * | 2015-01-13 | 2016-11-16 | 日本写真印刷株式会社 | Method for manufacturing touch input sensor and photosensitive conductive film |
JP6150021B2 (en) | 2015-04-21 | 2017-06-21 | 東レ株式会社 | Method for manufacturing conductive pattern forming member |
CN107093494B (en) * | 2017-03-22 | 2021-07-13 | 中山大学 | Transferable patterned conductive film and preparation and patterning method thereof |
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Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4281324B2 (en) * | 2002-10-23 | 2009-06-17 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR SHEET |
JP4666961B2 (en) * | 2004-06-29 | 2011-04-06 | Tdk株式会社 | Object provided with transparent conductive layer, and conductive film for transfer |
CN1940723B (en) * | 2005-09-28 | 2011-11-09 | 旭化成电子材料株式会社 | Photosensitive resin composition and laminating article thereof |
CN101297242A (en) * | 2005-10-25 | 2008-10-29 | 日立化成工业株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive element comprising the same, method of forming resist pattern, and process for producing printed wiring board |
CN101075090A (en) * | 2006-05-19 | 2007-11-21 | 旭化成电子材料元件株式会社 | Dry film corrosion resisting agent |
JP4258532B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-04-30 | カシオ計算機株式会社 | Thin film device substrate and manufacturing method thereof |
JP4826803B2 (en) * | 2007-03-20 | 2011-11-30 | Jsr株式会社 | Radiation-sensitive resin composition, spacer for liquid crystal display element and production method thereof |
JP5588597B2 (en) * | 2007-03-23 | 2014-09-10 | 富士フイルム株式会社 | Manufacturing method and manufacturing apparatus of conductive material |
CN101486837A (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-22 | 郑州泰达电子材料科技有限公司 | Conductive macromolecular solution, conductive polymer coated film and solid electrolyte |
CN102789131A (en) * | 2008-08-22 | 2012-11-21 | 日立化成工业株式会社 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, method for forming conductive pattern, and conductive film substrate |
JP5569144B2 (en) * | 2010-02-24 | 2014-08-13 | 日立化成株式会社 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, and method for forming conductive pattern |
-
2011
- 2011-05-10 KR KR1020167010483A patent/KR20160052754A/en active Application Filing
- 2011-05-10 JP JP2012514808A patent/JP5582189B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-10 KR KR1020157012532A patent/KR20150061006A/en active Search and Examination
- 2011-05-10 KR KR1020177018749A patent/KR101847364B1/en active IP Right Grant
- 2011-05-10 KR KR1020127022338A patent/KR20120120372A/en active Application Filing
- 2011-05-10 WO PCT/JP2011/060770 patent/WO2011142360A1/en active Application Filing
- 2011-05-10 CN CN201711435988.4A patent/CN108008602A/en active Pending
- 2011-05-10 CN CN2011800185182A patent/CN102859612A/en active Pending
- 2011-05-13 TW TW100116765A patent/TWI547756B/en not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-05-22 JP JP2014106379A patent/JP5871029B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160052754A (en) | 2016-05-12 |
KR20150061006A (en) | 2015-06-03 |
TW201214032A (en) | 2012-04-01 |
KR20120120372A (en) | 2012-11-01 |
CN102859612A (en) | 2013-01-02 |
TWI547756B (en) | 2016-09-01 |
WO2011142360A1 (en) | 2011-11-17 |
JP2014199814A (en) | 2014-10-23 |
KR101847364B1 (en) | 2018-04-09 |
JP5871029B2 (en) | 2016-03-01 |
CN108008602A (en) | 2018-05-08 |
JPWO2011142360A1 (en) | 2013-07-22 |
KR20170084345A (en) | 2017-07-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140630 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |