KR20180061572A - Negative photosensitive resin composition, film and electronic device - Google Patents

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KR20180061572A
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이대원
유충열
허선희
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김부경
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조용정
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안상엽
변지훈
이슬기
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Abstract

The present invention provides: a negative photosensitive resin composition, which not only has excellent pattern adhesion but also is excellent process characteristics and pattern formation; a film; and an electronic device.

Description

네거티브 감광성 수지 조성물, 필름 및 전자장치{NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, FILM AND ELECTRONIC DEVICE}[0001] NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, FILM AND ELECTRONIC DEVICE [0002]

본 발명은 네거티브 감광성 수지 조성물, 필름 및 전자장치에 관한 것이다. The present invention relates to negative photosensitive resin compositions, films and electronic devices.

컬러 필터나 유기 EL (electro-Luminescence) 소자의 화소부에 사용되는 유기절연막의 재료로는 여러 재료들이 있으나, 감광성을 가지며, 내열성을 갖는 재료로는 감광성 폴리이미드가 잘 알려져 있다. There are various materials for an organic insulating film used for a pixel portion of a color filter or an organic EL (electro-luminescence) element, but a photosensitive polyimide is known as a photosensitive material having heat resistance.

감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 형태로 사용되고 있으며, 도포가 용이하며, 상기 폴리이미드 전구체 조성물을 반도체 장치 상에 도포한 후, 자외선에 의한 패터닝, 현상, 열 이미드화 처리 등을 실시하여 표면 보호막, 층간 절연막 등을 쉽게 형성시킬 수 있다. The polyimide precursor composition is applied on a semiconductor device and then subjected to patterning by ultraviolet rays, development, thermal imidization, and the like to form a surface protective film, an interlayer insulating film And the like can be easily formed.

상기 감광성 폴리이미드 물질들은 재료 자체에 감광성이 있어 비감광성의 재료를 패터닝 할 때에 필요로 하는 제조 공정수를 줄일 수 있다는 장점과 수율이 향상된다는 점 등, 생산성의 향상을 기대할 수 있다. 또 용매의 사용량을 삭감할 수 있는 등 환경 부하가 낮은 공정이 되기 때문에 주목을 모으고 있다. The photosensitive polyimide materials can be expected to be improved in productivity, such as being capable of reducing the number of manufacturing steps required when patterning a non-photosensitive material due to photosensitivity of the material itself, and improving the yield. In addition, the use of the solvent can be reduced, and the process with low environmental burden becomes a focus.

감광 특성은 네거티브형과 포지티브형으로 나눌 수 있다. 네거티브형은 광이 조사된 부분의 감광 재료가 불용화된다, 현상액의 유기 용매에 의해 가용인 부분(비감광 부분)을 제고하고, 가열 처리함으로써, 패턴이 형성된 수지막이 얻어진다. 포지티브형은 광이 조사된 부분이 현상액에 가용화 된다. 네거티브형의 경우와 마찬가지로 현상액에 가용인 부분을 제거하고, 가열 처리하면 패턴이 형성된 수지막이 얻어진다. 상기 네거티브형 및 포지티브형에 사용되는 현상액으로는 일반적으로 알칼리 수용액이 많이 사용된다. The photosensitive characteristics can be divided into a negative type and a positive type. In the negative type, the photosensitive material of the portion irradiated with light is insoluble. A soluble portion (non-photosensitive portion) is raised by the organic solvent of the developing solution, and a heat treatment is performed to obtain a patterned resin film. In the positive type, the portion irradiated with light is solubilized in the developer. As in the case of the negative type, a portion soluble in the developer is removed, and a heat treatment is performed to obtain a resin film having a pattern formed thereon. In general, an alkali aqueous solution is often used as the developer for the positive and negative types.

감광성 유기절연막은 감광성 수지 조성물을 기판에 도포하여 포토리소그래피 기술에 의해 형성하는 방법이 알려져 있다. A photosensitive organic insulating film is known that a photosensitive resin composition is applied to a substrate and formed by photolithography.

종래 감광성 수지 조성물의 도포는 스핀 코팅법을 사용하여 실시되고 있다. 기판의 대형화에 수반하여, 스핀 코팅법에 의한 도포가 곤란해져, 슬릿 코팅법에 의한 도포 방법이 제안되어 있다. Conventionally, the application of the photosensitive resin composition is carried out by using a spin coating method. As the substrate becomes larger, coating by the spin coating method becomes difficult, and a coating method by the slit coating method has been proposed.

감광성 조성물을 슬릿 코팅법으로 기판 표면에 도포하는 경우, 도포 속도에 따라 다르기도 하지만, 양호한 막 두께의 균일성을 얻기 위해, 감광성 수지 조성물의 점도는 3.5 mPas 미만이 바람직하다. 감광성 수지 조성물의 점도가 높은 경우, 슬릿 노즐로부터 공급되는 감광성 수지 조성물이 높은 점도로 인해 원활히 공급되지 않아, 기판의 표면에 코팅되지 않는 부분이 발생한다. When the photosensitive composition is applied to the surface of the substrate by the slit coating method, the viscosity of the photosensitive resin composition is preferably less than 3.5 mPas in order to obtain a uniform film thickness uniformity although it may vary depending on the application speed. When the viscosity of the photosensitive resin composition is high, the photosensitive resin composition supplied from the slit nozzle is not smoothly supplied due to high viscosity, and a portion not coated on the surface of the substrate is generated.

또한 감광성 수지 조성물을 슬릿 코팅법으로 도포하는 경우, 반복 사용하는 동안에 슬릿 노즐에 부착 또는 잔류하는 감광성 수지 조성물의 고형화된 물질을 도포전에 세정하는 공정이 필요하다. 이 고형화된 물질의 감광성 수지 조성물에 대한 재용해성이 낮은 경우, 노즐 부분에 잔류한 고형화된 물질이 돌기가 되어 남게되고, 기판에 감광성 수지 조성물을 도포했을 때에 노즐의 진행 방향에 대해 줄이 발생하는 문제점 및 감광성 수지 조성물의 고형화된 물질이 떨어져서 기판에 부착되어 결국 수율을 저하시킨다는 문제점을 갖고 있다. Also, when the photosensitive resin composition is applied by a slit coating method, there is a need for a step of cleaning the solidified material of the photosensitive resin composition adhering to or remaining in the slit nozzle during repeated use before application. When the solubility of the solidified material in the photosensitive resin composition is low, the solidified material remaining in the nozzle portion remains as protrusions, and when the photosensitive resin composition is applied to the substrate, There is a problem that the solidified material of the photosensitive resin composition falls away and adheres to the substrate, thereby lowering the yield.

네거티브형 수지 조성물의 경우 주로 칼러필터 공정에 주로 사용되고 있으며, 포지티브형 수지 조성물의 경우 TFT 공정에 주로 사용되고 있다. In the case of the negative type resin composition, it is mainly used in the color filter process, and in the case of the positive type resin composition, it is mainly used in the TFT process.

칼라필터의 픽셀 사이에는 콘트라스트를 향상시킬 목적으로 블랙 매트릭스 라고 불리는 격자상의 흑색 패턴을 배치하는 것이 일반적이다. 종래의 블랙 매트릭스에서는 안료로서 크롬(Cr)을 유리 기판 전체에 증착 및 에칭시켜 패턴을 형성하는 방식을 이용하였으나, 공저상 고비용이 요구되고, 크롬의 고반사율 문제, 크롬 폐액에 의한 환경오염 등의 문제가 발생하였다. Between the pixels of the color filter, a lattice-shaped black pattern called a black matrix is generally disposed for the purpose of improving the contrast. In the conventional black matrix, chromium (Cr) is used as a pigment to deposit and etch the entire glass substrate to form a pattern. However, high costs are required for the co-deposition, and problems such as high reflectivity of chromium, environmental pollution A problem has occurred.

이와 같은 이유로 미세가공이 가능한 안료 분산법에 의한 블랙 매트릭스의 연구가 활발히 이루어지고 있으며, 카본블랙 이외의 착색 안료로 흑색 조성물을 제조하는 연구도 진행되고 있다. 그러나, 카본블랙 이외의 착색 안료는 차광성이 약하기 때문에 그 배합량을 극히 많은 양으로 늘려야 하고, 그 결과 조성물의 점도가 증가하여 취급이 곤란해지거나, 형성된 피막의 강도 또는 기판에 대한 밀착성이 현저하게 저하되는 문제가 있었다. For this reason, studies of black matrix by pigment dispersion method capable of micromachining have been actively carried out, and studies for producing a black composition using colored pigments other than carbon black are also under way. However, color pigments other than carbon black have a low light shielding property, and therefore the amount thereof should be increased to an extremely large amount, and as a result, the viscosity of the composition is increased and handling becomes difficult, or the strength of the formed film or the adhesion to the substrate becomes remarkable There was a problem of deterioration.

현재, 업계는 지속적인 성능 향상에 대한 요청에 따라 감광성 수지 조성물에 대한 많은 연구들이 진행되고 있다. 예를 들어 감도향상을 위해 새롭게 개발된 바인더를 적용한 칼라필터 조성물, 고감도 광중합 개시제를 사용하여 감도를 향상시킨 블랙 매트릭스 수지 조성물, 광중합 기새제 및 유기 인산 화합물을 조성물에 도입함으로서 감도를 향상시킨 블랙 매트릭스 수지 조성물 등 다양하다. At present, there is a lot of research on the photosensitive resin composition in accordance with the demand for continuous performance improvement. For example, a color filter composition using a newly developed binder for improving sensitivity, a black matrix resin composition having improved sensitivity using a high-sensitivity photopolymerization initiator, a new photopolymerizer, and a black matrix having improved sensitivity by introducing organic phosphoric acid compounds into the composition And resin compositions.

본 발명은 패턴 밀착성이 우수할 뿐만 아니라, 공정 특성 및 패턴 형성이 우수한 네가티브형 감광성 수지 조성물, 필름 및 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a negative photosensitive resin composition, a film, and an electronic device which are excellent in pattern adhesion, and are excellent in process characteristics and pattern formation.

일 측면에서, 본 발명은 하기 화학식1로 나타내는 1종 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 네가티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다..In one aspect, the present invention provides a negative photosensitive resin composition comprising at least one compound represented by the following formula (1).

Figure pat00001
Figure pat00001

다른 측면에서, 본 발명은 하기 화학식1로 나타내는 1종 이상의 고분자 물질을 포함하는 감광성 수지 조성물, 필름 및 전자장치를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a photosensitive resin composition, film, and electronic device comprising at least one polymeric material represented by the following formula (1).

본 발명에 따른 폴리아믹산, 이 폴리아믹산을 이용한 감광성 수지 조성물, 필름 및 전자장치는 패턴 밀착성이 우수할 뿐만 아니라, 공정 특성 및 패턴 형성이 우수한 효과가 있다.The photosensitive resin composition, film, and electronic device using the polyamic acid, the polyamic acid, and the polyamic acid according to the present invention have not only excellent pattern adhesion but also excellent process characteristics and pattern formation.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.It should be noted that, in adding reference numerals to the constituent elements of the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference symbols as possible even if they are shown in different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 구성 요소가 다른 구성 요소 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 경우, 이는 다른 구성 요소 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 구성 요소가 있는 경우도 포함할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반대로, 어떤 구성 요소가 다른 부분 "바로 위에" 있다고 하는 경우에는 중간에 또 다른 부분이 없는 것을 뜻한다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, the terms first, second, A, B, (a), (b), and the like can be used. These terms are intended to distinguish the constituent elements from other constituent elements, and the terms do not limit the nature, order or order of the constituent elements. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected to or connected to the other component, It should be understood that an element may be "connected," "coupled," or "connected." In addition, when an element such as a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" or "on" another element, And the like. On the contrary, when an element is referred to as being "directly on " another element, it should be understood that it does not have another element in the middle.

본 명세서 및 첨부된 청구의 범위에서 사용된 바와 같이, 달리 언급하지 않는 한, 하기 용어의 의미는 하기와 같다.As used in this specification and the appended claims, unless stated otherwise, the following terms have the following meanings:

본 명세서에서 사용된 용어 "할로" 또는 "할로겐"은 다른 설명이 없는 한 불소(F), 브롬(Br), 염소(Cl) 또는 요오드(I)이다.The term " halo "or" halogen ", as used herein, unless otherwise indicated, is fluorine (F), bromine (Br), chlorine (Cl) or iodine (I).

본 발명에 사용된 용어 "알킬" 또는 "알킬기"는 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수의 단일결합을 가지며, 직쇄 알킬기, 분지쇄 알킬기, 사이클로알킬(지환족)기, 알킬-치환된 사이클로알킬기, 사이클로알킬-치환된 알킬기를 비롯한 포화 지방족 작용기의 라디칼을 의미한다.As used herein, the term "alkyl" or "alkyl group " refers to a straight or branched Quot; means a radical of a saturated aliphatic group, including an alkyl group, a cycloalkyl-substituted alkyl group.

본 발명에 사용된 용어 "할로알킬기" 또는 "할로겐알킬기"는 다른 설명이 없는 한 할로겐으로 치환된 알킬기를 의미한다.The term "haloalkyl group" or "halogenalkyl group" as used in the present invention means an alkyl group substituted with halogen unless otherwise stated.

본 발명에 사용된 용어 "알켄일기" 또는 "알킨일기"는 다른 설명이 없는 한 각각 2 내지 60의 탄소수의 이중결합 또는 삼중결합을 가지며, 직쇄형 또는 측쇄형 사슬기를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.The term "alkenyl group" or "alkynyl group ", as used herein, unless otherwise indicated, each have a double bond or triple bond of from 2 to 60 carbon atoms and include straight chain or branched chain groups, It is not.

본 발명에 사용된 용어 "시클로알킬"은 다른 설명이 없는 한 3 내지 60의 탄소수를 갖는 고리를 형성하는 알킬을 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.The term "cycloalkyl" as used herein, unless otherwise specified, means alkyl which forms a ring having from 3 to 60 carbon atoms, but is not limited thereto.

본 발명에 사용된 용어 "알콕시기" 또는 "알킬옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알킬기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.As used herein, the term "alkoxy group" or "alkyloxy group" refers to an alkyl radical attached to an oxygen radical and, unless otherwise stated, has from 1 to 60 carbon atoms, but is not limited thereto.

본 발명에 사용된 용어 "아릴옥실기" 또는 "아릴옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 아릴기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.As used herein, the term "aryloxyl group" or "aryloxy group" refers to an aryl group attached to an oxygen radical and, unless otherwise stated, has a carbon number of 6 to 60, but is not limited thereto.

본 발명에 사용된 용어 "플루오렌일기" 또는 "플루오렌일렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하기 구조에서 R, R' 및 R"이 모두 수소인 1가 또는 2가 작용기를 의미하며, "치환된 플루오렌일기" 또는 "치환된 플루오렌일렌기"는 치환기 R, R', R" 중 적어도 하나가 수소 이외의 치환기인 것을 의미하며, R과 R'이 서로 결합되어 이들이 결합된 탄소와 함께 스파이로 화합물을 형성한 경우를 포함한다.The term "fluorenyl group" or "fluorenylene group" used in the present invention means a monovalent or divalent functional group in which R, R 'and R & Substituted fluorenyl group "or" substituted fluorenylene group "means that at least one of the substituents R, R 'and R" is a substituent other than hydrogen, and R and R' Together with a spy compound.

Figure pat00002
Figure pat00002

본 발명에 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일고리형, 고리접합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함한다.The terms "aryl group" and "arylene group ", as used herein, unless otherwise specified, each have 6 to 60 carbon atoms, but are not limited thereto. In the present invention, the aryl group or the arylene group includes a single ring type, a ring bonding compound, a plurality of bonded ring systems, a spiro compound, and the like.

본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는 "헤테로아릴기"또는 "헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 고리를 의미하나 여기에 제한되는 것은 아니다. 본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타내며, 헤테로고리기는 헤테로원자를 포함하는 단일고리형, 고리접합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 의미한다.The term "heterocyclic group" as used herein includes not only aromatic rings such as "heteroaryl group" or "heteroarylene group ", but also nonaromatic rings, Means a ring of 2 to 60 rings, but is not limited thereto. The term "heteroatom ", as used herein, unless otherwise indicated, refers to N, O, S, P, or Si, wherein the heterocyclic group includes a single ring, ring junction, And the like.

또한 "헤테로고리기"는, 고리를 형성하는 탄소 대신 SO2를 포함하는 고리도 포함할 수 있다. 예컨대, "헤테로고리기"는 다음 화합물을 포함한다.The "heterocyclic group" may also include a ring containing SO 2 in place of the carbon forming the ring. For example, the "heterocyclic group" includes the following compounds.

Figure pat00003
Figure pat00003

본 발명에서 사용된 용어 "고리"는 단일환 및 다환을 포함하며, 탄화수소고리는 물론 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리를 포함하고, 방향족 및 비방향족 고리를 포함한다.As used herein, the term "ring" includes monocyclic and polycyclic rings, including hydrocarbon rings as well as heterocycles containing at least one heteroatom and including aromatic and non-aromatic rings.

본 발명에서 사용된 용어 "다환"은 바이페닐, 터페닐 등과 같은 고리 집합체(ring assemblies), 접합된(fused) 여러 고리계 및 스파이로 화합물을 포함하며, 방향족뿐만 아니라 비방향족도 포함하고, 탄화수소고리는 물론 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리를 포함한다.As used herein, the term "polycyclic" includes ring assemblies such as biphenyl, terphenyl, and the like, as well as various fused ring systems and spiro compounds, including aromatic as well as non- The ring includes, of course, a heterocycle containing at least one heteroatom.

본 발명에서 사용된 용어 "고리 집합체(ring assemblies)"는 둘 또는 그 이상의 고리계(단일고리 또는 접합된 고리계)가 단일결합이나 또는 이중결합을 통해서 서로 직접 연결되어 있고 이와 같은 고리 사이의 직접 연결의 수가 이 화합물에 들어 있는 고리계의 총 수보다 1개가 적은 것을 의미한다. 고리 집합체는 동일 또는 상이한 고리계가 단일결합이나 이중결합을 통해 서로 직접 연결될 수 있다.As used herein, the term "ring assemblies" means that two or more ring systems (a single ring or a fused ring system) are directly connected to each other through a single bond or a double bond, Means that the number of linkages is one less than the total number of rings in the compound. The ring assemblies may be directly connected to each other through a single bond or a double bond.

본 발명에서 사용된 용어 "접합된 여러 고리계"는 적어도 두개의 원자를 공유하는 접합된(fused) 고리 형태를 의미하며, 둘 이상의 탄화수소류의 고리계가 접합된 형태 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리계가 적어도 하나 접합된 형태 등을 포함한다. 이러한 접합된 여러 고리계는 방향족고리, 헤테로방향족고리, 지방족 고리 또는 이들 고리의 조합일 수 있다.As used herein, the term " conjugated ring system "refers to a fused ring form sharing at least two atoms, in which the ring system of two or more hydrocarbons is conjugated and contains at least one heteroatom And at least one hetero ring system bonded thereto. Such conjugated ring systems may be aromatic rings, heteroaromatic rings, aliphatic rings or a combination of these rings.

본 발명에서 사용된 용어 "스파이로 화합물"은 '스파이로 연결(spiro union)'을 가지며, 스파이로 연결은 2개의 고리가 오로지 1개의 원자를 공유함으로써 이루어지는 연결을 의미한다. 이때, 두 고리에 공유된 원자를 '스파이로 원자'라 하며, 한 화합물에 들어 있는 스파이로 원자의 수에 따라 이들을 각각 '모노스파이로-', '다이스파이로-', '트라이스파이로-' 화합물이라 한다. The term "spiro compound" used in the present invention has a 'spiro union', and a spiro connection means a connection in which two rings share only one atom. At this time, atoms shared in two rings are called 'spyro atoms', and they are referred to as 'monospyros,' 'di spyroses,' and 'tri-spyros', depending on the number of spyro atoms contained in a compound. 'Compounds.

또한, 접두사가 연속으로 명명되는 경우 먼저 기재된 순서대로 치환기가 나열되는 것을 의미한다. 예를 들어, 아릴알콕시기의 경우 아릴기로 치환된 알콕시기를 의미하며, 알콕시카르보닐기의 경우 알콕시기로 치환된 카르보닐기를 의미하며, 또한 아릴카르보닐알켄일기의 경우 아릴카르보닐기로 치환된 알켄일기를 의미하며 여기서 아릴카르보닐기는 아릴기로 치환된 카르보닐기이다.Also, if the prefixes are named consecutively, it means that the substituents are listed in the order listed first. Means, for example, an alkoxy group substituted with an aryl group in the case of an arylalkoxy group, a carbonyl group substituted with an alkoxy group in the case of an alkoxycarbonyl group, and an alkenyl group substituted with an arylcarbonyl group in the case of an arylcarbonylalkenyl group, The arylcarbonyl group is a carbonyl group substituted with an aryl group.

또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용된 용어 "치환 또는 비치환된"에서 "치환"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-C20의 알킬기, C1-C20의 알콕시기, C1-C20의 알킬아민기, C1-C20의 알킬티오펜기, C6-C20의 아릴티오펜기, C2-C20의 알켄일기, C2-C20의 알킨일기, C3-C20의 시클로알킬기, C6-C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기, C8-C20의 아릴알켄일기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, 및 O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환됨을 의미하며, 이들 치환기에 제한되는 것은 아니다.In addition, a no explicit description, the terms used in this invention in the "unsubstituted or substituted", "substituted" is an alkyl group of deuterium, a halogen, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 -C 20, C 1 -C 20 alkoxy group, C 1 -C 20 alkyl amine group, C 1 -C 20 alkyl thiophene group, C 6 -C 20 aryl thiophene group, C 2 -C 20 alkenyl, C 2 -C of 20 alkynyl, C 3 -C 20 cycloalkyl group, C 6 -C 20 aryl group, of a C 6 -C 20 aryl group substituted with a heavy hydrogen, C 8 -C 20 aryl alkenyl group, a silane group, a boron And a C 2 -C 20 heterocyclic group containing at least one heteroatom selected from the group consisting of O, N, S, Si, and P, with the proviso that at least one substituent And is not limited to these substituents.

또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에 의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.Unless otherwise expressly stated, the formula used in the present invention is applied in the same manner as the definition of the substituent by the definition of the index of the following formula.

Figure pat00004
Figure pat00004

여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하며, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 각각 다음과 같이 결합하며 이때 R1은 서로 동일하거나 다를 수 있으며, a가 4 내지 6의 정수인 경우 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, 한편 벤젠 고리를 형성하는 탄소에 결합된 수소의 표시는 생략한다.When a is an integer of 0, substituent R 1 is absent. When a is an integer of 1, one substituent R 1 is bonded to any one of carbon atoms forming a benzene ring, and when a is an integer of 2 or 3 each coupled as follows: and wherein R 1 may be the same or different from each other, a is the case of 4 to 6 integer, and bonded to the carbon of the benzene ring in a similar way, while the display of the hydrogen bonded to the carbon to form a benzene ring Is omitted.

Figure pat00005
Figure pat00005

고분자 화합물Polymer compound

본 발명은 하기 화학식1로 나타내는 1종 이상의 화합물을 포함하는 네가티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.The present invention provides a negative photosensitive resin composition comprising at least one compound represented by the following general formula (1).

Figure pat00006
Figure pat00006

여기서, X 는 독립적으로 단일결합, O, S, CRaRb , NR, CH2, C=O, SO2, C(CF3)2로 이루어진 군에서 선택되며,Wherein X is independently selected from the group consisting of a single bond, O, S, CR a R b , NR, CH 2 , C = O, SO 2 , C (CF 3 ) 2 ,

Ra, Rb, R, R1, R2, R3 및 Ar1는, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C3~C60의 사이클로알킬기; C2~C60의 알켄일기; C2~C60의 알킨일기; C1~C60의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 에스테르기, 에테르기; 하이드록시기; CF3;로 이루어진 군에서 선택되며, Ra와 Rb는 서로 결합하여 스파이로 화합물을 형성할 수 있고, R a , R b , R, R 1 , R 2 , R 3 and Ar 1 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; A C 6 to C 60 aryl group; A fluorenyl group; A C 2 to C 60 heterocyclic group containing at least one heteroatom selected from O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 60 and an aromatic ring of C 6 to C 60 ; An alkyl group having 1 to 60 carbon atoms; A C 3 to C 60 cycloalkyl group; An alkenyl group having 2 to 60 carbon atoms; An alkynyl group of C 2 to C 60 ; A C 1 to C 60 alkoxyl group; An aryloxy group of C 6 to C 30 ; Ester group, ether group; A hydroxyl group; CF 3 ; R a and R b may combine with each other to form a spiro compound,

L은 각각 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C1~C60의 알킬렌기;로 이루어진 군에서 선택되며,L each independently represents a single bond; An arylene group having 6 to 60 carbon atoms; A fluorenylene group; A fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 60 and an aromatic ring of C 6 to C 60 ; And O, N, S, a heterocyclic C 2 ~ containing at least one hetero atom of Si and P C 60 group; A C 1 to C 60 alkylene group,

n는 2~1000의 정수이며,n is an integer of 2 to 1000,

a, b는 독립적으로 1~3의 정수이며,a, b 가 각각 2 이상일 경우, 각각의 R2와 R3은 결합하여 고리를 형성할 수 있고, a and b are independently an integer of 1 to 3, and when a and b are each 2 or more, each of R 2 and R 3 may combine to form a ring,

Ar1은 C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C1~C60의 알킬렌기; C2~C60의 알켄일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 화학식 2-1 또는 화학식 2-2;로 이루어진 군에서 선택되며, Ar 1 is a C 6 to C 60 arylene group; A fluorenylene group; An alkylene group of C 1 to C 60 ; An alkenylene group having 2 to 60 carbon atoms; A C 2 to C 60 heterocyclic group containing at least one heteroatom selected from O, N, S, Si and P; Is selected from the group consisting of formulas (2-1) and (2-2)

Figure pat00007
Figure pat00007

여기서,here,

X1 는 독립적으로 단일결합, O, S, CO, CR'R”, SO2로 이루어진 군에서 선택되며,X1 is selected from a single bond, O, S, the group consisting of CO, CR'R ", SO 2, each independently,

R4, R5, R6, R' 및 R”는,독립적으로 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C3~C60의 사이클로알킬기; C2~C60의 알켄일기; C2~C60의 알킨일기; C1~C60의 알콕실기; C6~C60의 아릴옥시기; 에스테르기, 에테르기; 아미드기, 이미드기; 로 이루어진 군에서 선택되며,R 4 , R 5 , R 6 , R ', and R "are independently and independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; A C 6 to C 60 aryl group; A fluorenyl group; A C 2 to C 60 heterocyclic group containing at least one heteroatom selected from O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 60 and an aromatic ring of C 6 to C 60 ; An alkyl group having 1 to 60 carbon atoms; A C 3 to C 60 cycloalkyl group; An alkenyl group having 2 to 60 carbon atoms; An alkynyl group of C 2 to C 60 ; A C 1 to C 60 alkoxyl group; An aryloxy group of C 6 to C 60 ; Ester group, ether group; Amide group, imide group; , ≪ / RTI >

a'~b'는 1~4의 정수이며, a 'to b' are integers of 1 to 4,

c'는 1~6의 정수이다. and c 'is an integer of 1 to 6.

이때, 상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 알킬기, 사이클로알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기, 아릴옥시기, 알킬렌기, 아릴렌기, 알킬렌기, 플루오렌일렌기, 알켄일렌기, 에스테르기, 에테르기, 아미드기, 이미드기는 각각 중수소, 할로겐, 실란기, 실록산기, 붕소기, 시아노기, C1-C20의 알킬싸이오기, C1-C20의 알콕실기, C1-C20의 알킬기, C2-C20의 알켄일기, C2-C20의 알킨일기, C6-C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기, 플루오렌일기, C2-C20의 헤테로고리기, C3-C20의 시클로알킬기, C7-C20의 아릴알킬기, C8-C20의 아릴알켄일기, 카르보닐기, 에테르기, C2-C20의 알콕실카르보닐기, C6-C30의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있다. The aryl group may be substituted with at least one substituent selected from the group consisting of an aryl group, a fluorenyl group, a heterocyclic group, a fused ring group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxyl group, an aryloxy group, an alkylene group, an arylene group, the alkenyl group, an ester group, an ether group, amide group, imide groups are each deuterium, a halogen, a silane group, a siloxane group, a boron group, a cyano group, an alkylthio import of C 1 -C 20, C 1 -C 20 alkoxyl an aryl group of group, C 1 -C 20 alkyl, C 2 -C 20 alkenyl, C 2 -C 20 alkynyl, C 6 -C 20 substituted with a C 6 aryl group, a heavy hydrogen of -C 20 of a, C 2 -C 20 cycloalkyl group, C 7 -C 20 arylalkyl group, C 8 -C 20 arylalkenyl group, carbonyl group, ether group, C 2 -C 20 heterocyclic group, C 3 -C 20 cycloalkyl group, An alkoxycarbonyl group of C 20 , and an aryloxy group of C 6 -C 30 .

여기서, 상기 아릴기인 경우 탄소수는 6~60, 바람직하게는 탄소수 6~40, 보다 바람직하게는 탄소수 6~30의 아릴기일 수 있으며, 상기 헤테로고리기인 경우 탄소수는 2~60, 바람직하게는 탄소수 2~30, 보다 바람직하게는 탄소수 2~20의 헤테로고리일 수 있으며, 상기 알킬기인 경우 탄소수는 1~50, 바람직하게는 탄소수 1~30, 보다 바람직하게는 탄소수 1~20, 특히 바람직하게는 탄소수 1~10의 알킬기일 수 있다. The aryl group may be an aryl group having 6 to 60 carbon atoms, preferably 6 to 40 carbon atoms, more preferably 6 to 30 carbon atoms, and the heterocyclic group may have 2 to 60 carbon atoms, preferably 2 carbon atoms More preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, and in the case of the alkyl group, the number of carbon atoms is 1 to 50, preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, May be an alkyl group of 1 to 10 carbon atoms.

상기 전술한 아릴기 또는 아릴렌기일 경우, 구체적으로 아릴기 또는 아릴렌기는 서로 독립적으로 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트릴기 또는 페닐렌기, 비페닐렌기, 터페닐렌기, 나프틸렌기 또는 페난트릴렌기 등일 수 있다.Specifically, when the aryl group or the arylene group is the aryl group or the arylene group, the aryl group or the arylene group may be independently selected from the group consisting of a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a naphthyl group, a phenanthryl group or a phenylene group, a biphenylene group, Or a phenanthrylene group.

상기 화학식 1은 하기 화학식 3 내지 화학식 8 중 어느 하나로 표시될 수 있다. The formula (1) may be represented by any one of the following formulas (3) to (8).

Figure pat00008
Figure pat00008

R1, R2, R3, Ar1, A1, a, b 및 n은 화학식 1에 정의된 것과 동일하다.R 1 , R 2 , R 3 , Ar 1 , A 1, a, b and n are the same as defined in the formula (1).

보다 구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나일 수 있으며, 하기 화합물에만 한정하는 것은 아니다.More specifically, the compound represented by Formula 1 may be any one of the following compounds, but is not limited to the following compounds.

Figure pat00009
Figure pat00009

Figure pat00010
Figure pat00010

Figure pat00011
Figure pat00011

Figure pat00012
Figure pat00012

Figure pat00013
Figure pat00013

Figure pat00014
Figure pat00014

Figure pat00015
Figure pat00015

Figure pat00016
Figure pat00016

Figure pat00017
Figure pat00017

Figure pat00018
Figure pat00018

Figure pat00019
Figure pat00019

이하에서, 본 발명에 따른 네가티브형 감광성 수지 조성물에 포함되는 화학식1로 나타내는 1종 이상의 화합물의 합성예 및 제조예에 관하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the synthesis examples and the production examples of the at least one compound represented by the formula (1) contained in the negative-type photosensitive resin composition according to the present invention will be concretely described by way of examples, but the present invention is limited to the following examples It is not.

[[ 합성예1Synthesis Example 1 ]]

합성예, 실시예에 있어서 폴리이미드 원료의 약호를 다음과 같이 사용한다.Synthesis Examples In the Examples, the abbreviations of the polyimide raw materials are used as follows.

BPDA: 3,3’,4,4’-Biphenyltetracarboxylic dianhydride BPDA: 3,3 ', 4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride

6FDA: 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride 6FDA: 4,4 '- (hexafluoroisopropylidene) diphthalic anhydride

ODPA: 4,4’-Oxydiphthalic anhydrideODPA: 4,4'-Oxydiphthalic anhydride

NDA: naphthalene-1,4-diamineNDA: naphthalene-1,4-diamine

TFDB: 2,2’-bis(trifluoromethyl)-[1,1’-biphenyl]-4,4’-diamine TFDB: 2,2'-bis (trifluoromethyl) - [1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine

ODA: 4,4’-oxydianilineODA: 4,4'-oxydianiline

TDA: 4,4’-thiodianilineTDA: 4,4'-thiodianiline

MDA: 4,4’-methylenedianilineMDA: 4,4'-methylenedianiline

HEA: 2-hydroxyethyl acrylateHEA: 2-hydroxyethyl acrylate

HEMA: 2-hydoxyethyl methacrylateHEMA: 2-hydoxyethyl methacrylate

GLM: Glycidyl methacrylateGLM: Glycidyl methacrylate

NMP: N-methyl-2-pyrrolidoneNMP: N-methyl-2-pyrrolidone

GBL: γ-butyloractoneGBL: γ-butyloractone

DCC: N,N’-DicyclohexylcarbodiimideDCC: N, N'-Dicyclohexylcarbodiimide

Figure pat00020
Figure pat00020

구체적 화합물의 합성예는 다음과 같다. 이때 Ar1, R1, n 및 X은 상기 화학식 1에서 정의된 것과 동일하다.Examples of the synthesis of specific compounds are as follows. Wherein Ar 1 , R 1 , n and X are the same as defined in the above formula (1).

1. P1-1 1. P1-1 합성예Synthetic example

Figure pat00021
Figure pat00021

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 6FDA 22.21g (0.05mol), HEMA 14.31g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 에 70℃ 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가한 후 Ice-base 하에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입후 2시간 교반한 후, benzidine 9.21g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 Ice-base 하에서 1시간, 상온에서 8시간 교반후 얻어진 용액을 실온으로 냉각시키고 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 45g 의 폴리아믹에스터 수지를 얻었다.In a nitrogen-atmosphere atmosphere, 22.21 g (0.05 mol) of 6FDA, 14.31 g (0.11 mol) of HEMA, 17.40 g (0.22 mol) of pyridine and 0.2 g (0.002 mol) of hydroquinone were added to 30 g of NMP in a 250 ml three- Lt; / RTI > The solution was cooled to room temperature, and 25 g of NMP was added. After 20.633 g (0.1 mol) of DCC was added under ice-base and stirred for 2 hours, 9.21 g (0.05 mol) of benzidine was dissolved in 25 g of NMP, The resulting solution was stirred at room temperature for 1 hour and then cooled to room temperature. The solution was slowly added to a mixed solution of ethanol and water at a ratio of 1: 1 to solidify the solution. The resulting solution was dried in a vacuum drying oven at 50 ° C for one day. M-ester resin.

2. P1-6 2. P1-6 합성예Synthetic example

Figure pat00022
Figure pat00022

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 6FDA 22.21g (0.05mol), GLM 15.64g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 에 70℃ 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가한 후 Ice-base 하에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입후 2시간 교반한 후, NDA 9.21g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 Ice-base 하에서 1시간, 상온에서 8시간 교반후 얻어진 용액을 실온으로 냉각시키고 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 45g 의 폴리아믹에스터 수지를 얻었다.In a nitrogen-atmosphere atmosphere, 22.21 g (0.05 mol) of 6FDA, 15.64 g (0.11 mol) of GLM, 17.40 g (0.22 mol) of pyridine and 0.2 g (0.002 mol) of hydroquinone were added to 30 g of NMP in a 250 ml three- Lt; / RTI > The solution was cooled to room temperature, and 25 g of NMP was added. After 20.633 g (0.1 mol) of DCC was added under ice-base, the solution was stirred for 2 hours and then 9.21 g (0.05 mol) of NDA was dissolved in 25 g of NMP. The resulting solution was stirred at room temperature for 1 hour and then cooled to room temperature. The solution was slowly added to a mixed solution of ethanol and water at a ratio of 1: 1 to solidify the solution. The resulting solution was dried in a vacuum drying oven at 50 ° C for one day. M-ester resin.

3. P1-29 3. P1-29 합성예Synthetic example

Figure pat00023
Figure pat00023

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 4,4’-Isopropylidenediphthalic anhydride 16.81g (0.05mol), HEA 12.77g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 에 70℃ 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가한 후 Ice-base 하에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입후 2시간 교반한 후, ODA 10.01g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 Ice-base 하에서 1시간, 상온에서 8시간 교반후 얻어진 용액을 실온으로 냉각시키고 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 39g 의 폴리아믹에스터 수지를 얻었다.In a 250 ml three-necked flask, 16.81 g (0.05 mol) of 4,4'-Isopropylidenediphthalic anhydride, 12.77 g (0.11 mol) of HEA, 17.40 g (0.22 mol) of pyridine and 0.2 g The mixture was heated to 70 ° C and stirred for 10 hours. The solution was cooled to room temperature, and 25 g of NMP was added. After 20.633 g (0.1 mol) of DCC was added under ice-base, the solution was stirred for 2 hours. Then, 10.01 g (0.05 mol) of ODA was dissolved in 25 g of NMP, The resulting solution was stirred at room temperature for 1 hour and then cooled to room temperature. The resulting solution was slowly added to a mixture of ethanol and water at a ratio of 1: 1 to solidify it. The resulting solution was dried in a vacuum drying oven at 50 캜 for one day. M-ester resin.

4. P1-38 4. P1-38 합성예Synthetic example

Figure pat00024
Figure pat00024

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 4,4’-Isopropylidenediphthalic anhydride 16.81g (0.05mol), HEMA 14.31g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 에 70℃ 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가한 후 Ice-base 하에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입후 2시간 교반한 후, TFDB 16.01g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 Ice-base 하에서 1시간, 상온에서 8시간 교반후 얻어진 용액을 실온으로 냉각시키고 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 45g 의 폴리아믹에스터 수지를 얻었다.In a nitrogen-atmosphere 250 ml three-necked flask, 16.81 g (0.05 mol) of 4,4'-Isopropylidenediphthalic anhydride, 14.31 g (0.11 mol) of HEMA, 17.40 g (0.22 mol) of pyridine and 0.2 g The mixture was heated to 70 ° C and stirred for 10 hours. The solution was cooled to room temperature, and 25 g of NMP was added. After 20.633 g (0.1 mol) of DCC was added under ice-base, the solution was stirred for 2 hours and then 16.01 g (0.05 mol) of TFDB was dissolved in 25 g of NMP. The resulting solution was stirred at room temperature for 1 hour and then cooled to room temperature. The solution was slowly added to a mixed solution of ethanol and water at a ratio of 1: 1 to solidify the solution. The resulting solution was dried in a vacuum drying oven at 50 ° C for one day. M-ester resin.

5. P1-54 5. P1-54 합성예Synthetic example

Figure pat00025
Figure pat00025

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 5,5’-thiobis(isobenzofuran-1,3-dione) 16.31g (0.05mol), HEMA 14.31g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 에 70℃ 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가한 후 Ice-base 하에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입후 2시간 교반한 후, TDA 10.81g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 Ice-base 하에서 1시간, 상온에서 8시간 교반후 얻어진 용액을 실온으로 냉각시키고 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 40g 의 폴리아믹에스터 수지를 얻었다.In a 250 ml three-necked flask, 16.31 g (0.05 mol) of 5,5'-thiobis (isobenzofuran-1,3-dione), 14.31 g (0.11 mol) of HEMA, 17.40 g (0.22 mol) of pyridine, 0.2 g (0.002 mol) were heated to 30 g of NMP at 70 DEG C and stirred for 10 hours. The solution was cooled to room temperature, and 25 g of NMP was added. After 20.633 g (0.1 mol) of DCC was added under ice-base, the solution was stirred for 2 hours and then 10.81 g (0.05 mol) of TDA was dissolved in 25 g of NMP. The resulting solution was stirred at room temperature for 1 hour under ice-base, cooled to room temperature, slowly added to a mixed solution of ethanol and water = 1: 1, solidified, and dried in a vacuum drying oven at 50 ° C for a day to obtain 40 g of poly M-ester resin.

6. P1-80 6. P1-80 합성예Synthetic example

Figure pat00026
Figure pat00026

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 ODPA 15.51g (0.05mol), GLM 15.64g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 에 70℃ 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가한 후 Ice-base 하에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입후 2시간 교반한 후, MDA 9.91g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 Ice-base 하에서 1시간, 상온에서 8시간 교반후 얻어진 용액을 실온으로 냉각시키고 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 40g 의 폴리아믹에스터 수지를 얻었다.In a nitrogen-atmosphere atmosphere, 15.51 g (0.05 mol) of ODPA, 15.64 g (0.11 mol) of GLM, 17.40 g (0.22 mol) of pyridine and 0.2 g (0.002 mol) of hydroquinone were heated in 30 g of NMP to 70 ° C. in a 250 ml three- Lt; / RTI > After completely adding 25 g of NMP, 20.633 g (0.1 mol) of DCC was added under ice-base. After stirring for 2 hours, 9.91 g (0.05 mol) of MDA was dissolved in 25 g of NMP, The resulting solution was stirred at room temperature for 1 hour under ice-base, cooled to room temperature, slowly added to a mixed solution of ethanol and water = 1: 1, solidified, and dried in a vacuum drying oven at 50 ° C for a day to obtain 40 g of poly M-ester resin.

7. P1-90 7. P1-90 합성예Synthetic example

Figure pat00027
Figure pat00027

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 BPDA 14.71g (0.05mol), HEMA 14.31g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 에 70℃ 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가한 후 Ice-base 하에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입후 2시간 교반한 후, [1,1’-biphenyl]-3,3’-diamine 9.21g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 Ice-base 하에서 1시간, 상온에서 8시간 교반후 얻어진 용액을 실온으로 냉각시키고 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 38g 의 폴리아믹에스터 수지를 얻었다.In a nitrogen-atmosphere atmosphere, 14.71 g (0.05 mol) of BPDA, 14.31 g (0.11 mol) of HEMA, 17.40 g (0.22 mol) of pyridine and 0.2 g (0.002 mol) of hydroquinone were added to 30 g of NMP in a 250 ml three- Lt; / RTI > After completely dissolved, the solution was cooled to room temperature, and 25 g of NMP was added. After 20.633 g (0.1 mol) of DCC was added under ice-base, the mixture was stirred for 2 hours and then 1,1'-biphenyl] -3,3'-diamine (0.05 mol) was dissolved in 25 g of NMP and slowly added. The mixture was stirred under ice-base for 1 hour and at room temperature for 8 hours. The resulting solution was cooled to room temperature, slowly added to a mixture of ethanol and water (1: 1) And dried in a vacuum oven at 50 캜 for one day to obtain 38 g of polyamic ester resin.

[[ 비교예Comparative Example ]]

비교예의 화합물은 하기 반응식으로 합성된다.The compounds of the comparative examples are synthesized by the following reaction formula.

1. One. 비교예1Comparative Example 1

Figure pat00028
Figure pat00028

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 ODA 10g (0.05mol) 를 NMP 40g을 넣어 상온에서 완전히 용해시킨다. 용해된 용액을 Ice-base 하에서 bis(4-aminophenyl)methanone 10.61g (0.05mol) 을 서서히 투입후 추가 NMP 40g 넣고 3시간 교반한다. 상기 혼합 용액에 NMP 95g을 추가 투입후 실온에서 10시간 추가 교반 후 최종 점도가 100~5000cps (25℃에서 측정)인 바니시를 195g을 얻었다.In a nitrogen atmosphere, 10 g (0.05 mol) of ODA is added to a 250 ml three-necked flask, and 40 g of NMP is completely dissolved at room temperature. Add slowly 10.61 g (0.05 mol) of bis (4-aminophenyl) methanone under ice-base, add 40 g of additional NMP and stir for 3 hours. 95 g of NMP was further added to the mixed solution, and further stirred at room temperature for 10 hours to obtain 195 g of a varnish having a final viscosity of 100 to 5000 cps (measured at 25 캜).

2. 2. 비교예2Comparative Example 2

Figure pat00029
Figure pat00029

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 benzidine 9.21g (0.05mol) 를 NMP 30g을 넣어 상온에서 완전히 용해시킨다. 용해된 용액을 Ice-base 하에서 BPDA 14.7 (0.05molmolmol히 투입후 추가 NMP 30g 넣고 3시간 교반한다. 상기 혼합 용액에 NMP 35 추가 투입후 실온에서 10시간 추가 교반 후 최종 점도가 100~5000cps (25℃에서 측정)인 바니시를 199g을 얻었다.In a nitrogen atmosphere, 9.21 g (0.05 mol) of benzidine and 30 g of NMP are added to a 250 ml three-necked flask and completely dissolved at room temperature. After the addition of NMP 35 to the mixed solution, the resulting solution was further stirred for 10 hours at room temperature, and the final viscosity was 100 to 5000 cps (25 ° C Quot;) was obtained.

감광성 수지Photosensitive resin

한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 전술한 화학식 1 등으로 표시되는 1종 이상의 고분자 물질을 포함한 고분자 수지; 아크릴산 및 메타아크릴산, 그 유도체 중 적어도 하나를 주성분으로 하는 아크릴 수지 또는 아크릴 바이더; 광가교제; 유기 용매; 및 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물이 제공될 수 있다. 감광성 수지 조성물은 증감제를 포함할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 이때 감광성 수지 조성물은 네거티브 감광성 수지 조성물로 사용되는 감광성 수지 조성물일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, a polymer resin containing at least one polymeric substance represented by the above-mentioned general formula (1) or the like; An acrylic resin or an acrylic binder containing at least one of acrylic acid, methacrylic acid and derivatives thereof as a main component; Photo-crosslinking agent; Organic solvent; And a photopolymerization initiator can be provided. The photosensitive resin composition may include, but is not limited to, sensitizers. The photosensitive resin composition may be a photosensitive resin composition used as a negative photosensitive resin composition.

이때 폴리아믹산은 0.1 내지 50 mol%을 포함하고, 제 1항에 있어서, 중량 평균 분자량이 5,000내지 200,000일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. Wherein the polyamic acid comprises 0.1 to 50 mol%, and the weight average molecular weight may be 5,000 to 200,000, but is not limited thereto.

상기 광가교제는 다관능 메타아크릴레이트 화합물, 에폭시 화합물, 하이드록시메틸기 치환페놀 화합물, 알콕시 알킬화된 아미노기를 갖는 화합물 중 하나를 포함할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. The photo-crosslinking agent may include, but is not limited to, one of a polyfunctional methacrylate compound, an epoxy compound, a hydroxymethyl-substituted phenol compound, and a compound having an alkoxyalkylated amino group.

상기 광중합 개시제는 아세토페논계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 트리아진계 화합물 및 옥심계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. The photopolymerization initiator may include, but is not limited to, one or more compounds selected from the group consisting of an acetophenone-based compound, a nonimidazole-based compound, a triazine-based compound, and an oxime-based compound.

(A) 아크릴 수지 또는 아크릴 바이더(A) an acrylic resin or an acrylic binder

감광성 수지 조성물을 알칼리 현상용으로 사용할 경우, 알칼리 현상액에서의 패턴 가공 성능을 향상시키며 부족한 현상성을 보완하기 위해, 카르복실기 구조를 가지는 다른 폴리머를 혼합하여 사용할 수 있으며 이는 아크릴레이트 수지에 한정되지 않는다. 아크릴레이트 수지의 카르복실기 농도는 구조 단위에 대하여 30~130몰%인 것이 바람직하며 이보다 작을 경우 알칼리 현상액으로서의 용해성이 거의 없고 이보다 크면 현상시의 막 두께가 커지므로 주의가 필요하다. When the photosensitive resin composition is used for alkali development, other polymers having a carboxyl group structure may be mixed and used in order to improve pattern processing performance in an alkaline developer and to compensate for insufficient developability, which is not limited to an acrylate resin. The carboxyl group concentration of the acrylate resin is preferably from 30 to 130 mol% based on the structural unit, and if it is smaller, the solubility as an alkali developer is almost zero, and if it is larger than this, the film thickness at the time of development becomes large.

A-1: 비 반응성 아크릴레이트 수지 (Acid value: 110, Mw: 11000)A-1: Non-reactive acrylate resin (Acid value: 110, Mw: 11000)

(B) 광가교제(B) Photocrosslinking agent

광가교제는 열이나 산의 작용에 의해 수지 등의 배합 조성물이나 다른 가교제 분자와의 결합을 형성하는 화합물이다. The photo-crosslinking agent is a compound which forms a bond with a compounding composition such as a resin or another crosslinking agent molecule by the action of heat or acid.

구체적인 예로서는 다관능 메타아크릴레이트 화합물, 에폭시 화합물, 하이드록시메틸기 치환페놀 화합물, 알콕시 알킬화된 아미노기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서 메타아크릴레이트 화합물을 갖는 화합물이 바람직하다. 또한 이들 가교제는 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 가교제의 함유 비율은 감광성 수지 조성물에 의해 형성되는 막이 충분히 경화되는 양이 되도록 적절히 사용된다.Specific examples thereof include a polyfunctional methacrylate compound, an epoxy compound, a hydroxymethyl-substituted phenol compound, and a compound having an alkoxyalkylated amino group. Of these, compounds having a methacrylate compound are preferred. These crosslinking agents may be used alone or in combination of two or more. The content of the cross-linking agent is suitably used so that the film formed by the photosensitive resin composition can be sufficiently cured.

M-1: Dipentaerythritol Hexaacrylate (디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트)M-1: Dipentaerythritol hexaacrylate (dipentaerythritol hexaacrylate)

Figure pat00030
Figure pat00030

(C) 광개시제, 광증감제(C) photoinitiator, photosensitizer

현상 후의 패턴에 있어서 높은 감도, 높은 해상도를 얻기 위하여, 아래 화학식으로 표시되는 광 개시제 및/또는 광증감제를 함유하는 것이 바람직하고 이를, 두 가지 이상을 사용하는 등 방법은 한정되지 않는다.In order to obtain a high sensitivity and a high resolution in a pattern after development, it is preferable to contain a photoinitiator and / or a photosensitizer represented by the following chemical formula, and the method such as using two or more thereof is not limited.

I-1: 1-[4-(phenylthio)phenyl]-2-(O-benzoyloxime)-1,2-octanedioneI-1: 1- [4- (phenylthio) phenyl] -2- ( O- benzoyloxy) -1,2-octanedione

Figure pat00031
Figure pat00031

E-1: benzanthrone (벤즈 안트론)E-1: benzanthrone (benzanthrone)

Figure pat00032
Figure pat00032

(D) 기타 첨가제(D) Other additives

본 발명의 감광성 수지 조성물의 도막 또는 가열 처리 후의 폴리이미드 피막과 지지체와의 접착성을 향상시키기 위해 적당한 접착조제를 첨가하여 사용할 수 있다. In order to improve the adhesion between the coating film of the photosensitive resin composition of the present invention or the polyimide coating film after the heat treatment and the support, a suitable adhesive aid may be added and used.

접착조제로서는 아미노프로필에톡시실란, 글리시독시 프로필트리메톡시실란, 옥시 프로필트리메톡시실란 등의 유기 규소 화합물을 주로 사용하며, 이외 알루미늄 킬레이트 화합물 혹은 티타늄 킬레이트 화합물 등을 사용할 수 있으며 접착조제의 양은 폴리머에 따라 0.01 ~20 wt. % 첨가하는 것이 바람직하다. 추가적으로 조성물에는 도포성, 소포성, 레벨링성 등의 여러 특성을 향상시킬 목적으로 계면 활성제를 함유시킬 수 있다. 계면 활성제의 종류로는 불소계나 실리콘계를 사용할 수 있으며, 두 가지 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.As the adhesion aid, an organic silicon compound such as aminopropyl ethoxysilane, glycidoxypropyltrimethoxysilane, or oxypropyltrimethoxysilane is mainly used, and other aluminum chelate compounds or titanium chelate compounds can be used. The amount varies from 0.01 to 20 wt. %. In addition, the composition may contain a surfactant for the purpose of improving various properties such as coatability, defoaming property and leveling property. As the surfactant, fluorine or silicon surfactants may be used, or two or more surfactants may be used in combination.

(E) 용매(E) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 점도나 보존 안정성을 조절하기 위해, 필요에 따라 유기계의 용제를 함유시킬 수 있다. The photosensitive resin composition of the present invention may contain an organic solvent if necessary in order to control viscosity and storage stability.

용매가 유기 용매인 경우 상기 폴리아믹산, 광가교제, 광중합 개시제 또는 선택적으로 추가의 첨가제들을 용해하기 쉬운 것으로 사용할 수 있으며, 특별히 코팅 공정시 쉽게 건조될 수 있는 용매가 바람직하다.When the solvent is an organic solvent, the polyamic acid, the photo-crosslinking agent, the photopolymerization initiator or the optional additional additives may be easily dissolved, and a solvent which can be easily dried during the coating process is preferable.

함유시킬 수 있는 용제의 종류는 특별히 한정되지 않지만 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, 디메틸설폭사이드 등은 비양자성 용제가 일부 사용된다.The type of the solvent that can be contained is not particularly limited, but N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone,? -Butyrolactone, dimethylsulfoxide, Some magnetic solvents are used.

또한, 상기 용매 대신에 또는 상기 용매와 함께 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트등의 유기 용제를 함유함으로써 코팅성을 향상시킬 수 있다.In addition, an organic solvent such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, or propylene glycol monobutyl ether acetate may be contained in place of or in addition to the solvent to improve the coating property .

이들 용제는 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 용제는 통상적으로 함유 비율이 1 내지 80질량%가 되도록 사용된다.These solvents may be used alone or in combination of two or more. The solvent is usually used so that the content thereof is 1 to 80% by mass.

S-1: PGMEA (프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)S-1: PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate)

S-2: NMP (N-메틸-2-피롤리돈)S-2: NMP (N-methyl-2-pyrrolidone)

한편, 상기 감광성 수지 조성물은 열가교제, 경화 촉진제, 광가교 증감제, 경화 촉진제, 인계 난연제, 소포제, 레벨링제, 겔 방지제 또는 이들의 혼합물을 더 포함할 수 있다. 이러한 첨가제로는 감광성 수지 조성물에 사용될 수 있는 것으로 알려진 것이면 별 다른 제한 없이 사용할 수 있으며, 제조되는 감광성 수지 조성물 또는 이로부터 얻어지는 필름의 물성 등을 고려하여 적절한 양으로 사용할 수 있다.Meanwhile, the photosensitive resin composition may further include a heat crosslinking agent, a curing accelerator, a photo-crosslinking sensitizer, a curing accelerator, a phosphorus flame retardant, a defoaming agent, a leveling agent, an antigelling agent or a mixture thereof. Such an additive may be used without limitation as long as it can be used in a photosensitive resin composition. The additive may be used in an appropriate amount in consideration of the physical properties of the photosensitive resin composition or the film obtained therefrom.

감광성 수지 조성물의 제조평가Evaluation of production of photosensitive resin composition

실시예1~5: 합성예1~5를 통하여 제조한 폴리이미드 전구체를 아크릴수지, 가교제, 광개시제, 증감제, 용매를 표1의 비율에 따라 혼합하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다. 기타 첨가제인 접착제 및 계면활성제의 양은 질량 %기준 0.001~ 1% 내외로 혼합하였다.Examples 1 to 5: The photosensitive resin composition was prepared by mixing the polyimide precursor prepared in Synthesis Examples 1 to 5 with an acrylic resin, a crosslinking agent, a photoinitiator, a sensitizer, and a solvent in the proportions shown in Table 1. The amount of the adhesive and the surfactant, which are other additives, was mixed in the range of 0.001 to 1% by mass%.

비교예1~2: 상기 합성예6~7에서 합성한 폴리이미드 전구체를 표1의 비율에 따라 혼합 감광성 수지 조성물을 제조하였으며 기타 첨가제의 비율은 실시예와 동일하게 혼합하였다.Comparative Examples 1 and 2: The photosensitive resin composition was prepared according to the ratios of the polyimide precursors synthesized in Synthesis Examples 6 to 7 according to the ratios shown in Table 1, and the ratios of the other additives were the same as in Examples.

Figure pat00033
Figure pat00033

상기 표 1의 투입량은 질량%기준이며 감광성 수지 조성물의 물성을 아래와 같은 방법으로 물성을 평가한 후, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The charge amounts in Table 1 are based on mass%, and the physical properties of the photosensitive resin composition were evaluated by the following methods, and the results are shown in Table 2 below.

1. 해상력 평가1. Evaluation of Resolution

100*100mm 유리가판에 상기 실시예 및 비교예에서 제조된 감광성 수지 조성물을 스핀 코팅하고, Hot plate상에서 100℃에서 60초간 가열하여 10㎛ 두께의 감광성 수지층을 형성하였다. 감광성 수지층이 코팅된 유리기판을 포토마스크에 진공 밀착 시킨 후, i-line 노광기를 사용하여 30mJ/cm2 ~ 150mJ/cm2까지 각각 노광 하였다. 노광 완료 후, 2.38wt% 수산화테트라메틸암모늄 수용액에 23℃에서 60초간 현상하고, DI-water로 30초간 세정하여 노광부가 선명하게 남아있는 패턴을 얻었다. 이후, 베이킹 오븐을 이용하여 230℃에서 60분간 최종 열처리하여 패터닝 공정을 완료하였다. 열처리가 완료된 패턴은 SEM 분석을 통하여 각 실시예와 비교예의 해상력을 측정 하였다.The photosensitive resin compositions prepared in the above Examples and Comparative Examples were spin-coated on a 100 * 100 mm glass plate and heated on a hot plate at 100 DEG C for 60 seconds to form a photosensitive resin layer having a thickness of 10 mu m. After the vacuum in close contact with the glass substrate is a photosensitive resin layer coated on a photo mask, i-line by using the exposure device 30mJ / cm 2 ~ 150mJ / cm 2 were respectively exposed. After completing the exposure, the resist film was developed in a 2.38 wt% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 23 DEG C for 60 seconds and washed with DI-water for 30 seconds to obtain a pattern in which the exposed portion remained clearly. Thereafter, the patterning process was completed by a final heat treatment at 230 DEG C for 60 minutes using a baking oven. The pattern of heat treatment was analyzed by SEM analysis and the resolving power of each example and comparative example was measured.

2. 2. 잔막률Residual film ratio 평가 evaluation

유리기판에 감광성 수지조성물을 코팅하고 노광 및 열처리 하는 방법은 상기 해상력 평가와 동일하고, 최종 열처리 공정을 거치지 않은 패턴과 최종 열처리 공정을 거친 패턴의 두께를 SEM 분석, 비교하여 잔막률을 평가 하였다.The method of coating a photosensitive resin composition on a glass substrate and exposing and heat-treating the same was the same as the resolution evaluation described above, and the remaining film ratio was evaluated by SEM analysis and comparison of the thickness of the pattern that was not subjected to the final heat treatment and the final heat treatment.

잔막률 = 최종 열처리 전 패턴의 두께 / 최종 열처리 후 패턴의 두께 X 100Remaining film ratio = thickness of pattern before final heat treatment / thickness of pattern after final heat treatment X 100

각각의 평가 결과는 다음 표2과 같다.The results of each evaluation are shown in Table 2 below.

Figure pat00034
Figure pat00034

해상력 평가에서 실시예1은 30mJ/cm2 에서 패턴이 모두 떨어졌고 50mJ/cm2 에서 10㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성 되었다. 80, 100, 120mJ/cm2 에서 5㎛를 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성되었으며, 150mJ/cm2 에서 5㎛를 포함한 그 이하 크기의 패턴에서 패턴끼리 서로 연결되어 엉겨 붙는 결과를 확인 하였고 그 보다 큰 크기의 패턴이 형성된 것을 확인하였다.In the evaluation of resolution, Example 1 was evaluated at 30 mJ / cm < 2 > Lt; / RTI >< RTI ID = 0.0 > A pattern with an oversize size including a 10 탆 pattern was formed. 80, 100, 120 mJ / cm < 2 > , And the pattern of smaller size including 150 mJ / cm 2 to 5 탆 was connected to each other, and it was confirmed that the pattern was clumped together, and that a larger size pattern was formed Respectively.

실시예2는 30mJ/cm2 에서 패턴이 모두 떨어졌고 50, 80, 100mJ/cm2 에서 5㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성 되었다. 120, 150mJ/cm2 에서 10㎛를 포함한 그 이하 크기의 패턴에서 패턴끼리 서로 연결되어 엉겨 붙는 결과를 확인하였고 그 보다 큰 크기의 패턴이 형성된 것을 확인하였다.Example 2 30mJ / cm 2 The patterns were all dropped at 50, 80, 100 mJ / cm < 2 > A pattern with an oversized size including a 5 탆 pattern was formed. 120, 150 mJ / cm 2 The pattern was observed to be connected to each other in a pattern having a size smaller than 10 .mu.m, and it was confirmed that a larger size pattern was formed.

실시예3은 30~80mJ/cm2 에서 5㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성되었다. 100mJ/cm2 에서 10㎛를 포함한 그 이하의 패턴에서 120, 150mJ/cm2 에서 15㎛를 포함한 그 이하 크기의 패턴에서 패턴끼리 서로 연결되어 엉겨 붙는 결과를 확인하였고 그 보다 큰 크기의 패턴이 형성된 것을 확인하였다.Example 3 has a density of 30 to 80 mJ / cm < 2 > A pattern with an oversized size including a 5 탆 pattern was formed. In the pattern of the lower, including 10㎛ at 100mJ / cm 2 120, 150mJ / cm 2 The pattern was observed to be connected to each other in the pattern of less than 15 탆 including the size of 15 탆, and it was confirmed that a larger size pattern was formed.

실시예4는 50~100mJ/cm2 에서 5㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성되었다. 120, 150mJ/cm2 에서 10㎛를 포함한 그 이하 크기의 패턴에서 패턴끼리 서로 연결되어 엉겨 붙는 결과를 확인하였으며, 그 보다 큰 크기의 패턴이 형성된 것을 확인하였다.Example 4 was used in the range of 50 to 100 mJ / cm < 2 > A pattern with an oversized size including a 5 탆 pattern was formed. 120, 150 mJ / cm 2 The patterns were connected to each other in a pattern having a size smaller than 10 탆 and confirmed to be clumped, and it was confirmed that a larger size pattern was formed.

실시예5는 30mJ/cm2 에서 패턴이 모두 떨어졌고 50, 80, 100mJ/cm2 에서 5㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성 되었다. 120, 150mJ/cm2 에서 10㎛를 포함한 그 이하 크기의 패턴에서 패턴끼리 서로 연결되어 엉겨 붙는 결과를 확인하였고 그 보다 큰 크기의 패턴이 형성된 것을 확인하였다.Example 5 has a transmittance of 30 mJ / cm < 2 > The patterns were all dropped at 50, 80, 100 mJ / cm < 2 > A pattern with an oversized size including a 5 탆 pattern was formed. 120, 150 mJ / cm 2 The pattern was observed to be connected to each other in a pattern having a size smaller than 10 .mu.m, and it was confirmed that a larger size pattern was formed.

비교예1은 120mJ/cm2 이상에서 20㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성되었으며, 그 이하의 광량에서는 패턴이 떨어졌다.In Comparative Example 1, 120 mJ / cm < 2 > In the above, a pattern having an oversized size including a 20-μm pattern was formed, and a pattern was dropped at a light amount smaller than that.

비교예2는 150mJ/cm2 이상에서 20㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성되었으며, 그 이하의 광량에서는 패턴이 떨어졌다.In Comparative Example 2, 150 mJ / cm < 2 > In the above, a pattern having an oversized size including a 20-μm pattern was formed, and a pattern was dropped at a light amount smaller than that.

잔막률 평가에서 실시예1,2,4,5는 83~85%의 잔막률을 확인하였고, 실시예3의 잔막률은 91%로 확인되었다. 이는 실시예3의 관능기가 Acrylate로서 Methacrylate계열은 실시예1,2,4,5 보다 노광시 더 단단하게 가교가 형성되었기 때문이다. In the residual film ratio evaluation, Examples 1, 2, 4, and 5 were confirmed to have a residual film ratio of 83 to 85%, and the residual film ratio of Example 3 was found to be 91%. This is because the functional group of Example 3 is acrylate and the methacrylate series is more rigidly crosslinked at exposure than Examples 1, 2, 4, and 5.

비교예1,2는 관능기가 포함되어 있지 않아 분자간의 낮은 입체장애 효과로 최종 열처리 후 막의 두께가 감소된 것을 확인하였다.In Comparative Examples 1 and 2, since the functional groups were not included, it was confirmed that the thickness of the film after the final heat treatment was reduced due to the low steric hindrance effect between the molecules.

본 발명은 저광량에서 고해상도 패터닝이 가능한 네가티브 감광성 수지 조성물로 패턴 밀착성이 우수하며, 미세한 패터닝이 가능하고, 경화막 특성이 우수한 것을 확인할 수 있었다. The present invention is a negative photosensitive resin composition capable of high-resolution patterning at a low light quantity, has excellent pattern adhesion, enables fine patterning, and has excellent cured film characteristics.

필름 및 전자장치Film and electronic devices

한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 전술한 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 필름을 제공한다. 구체적으로, 이 필름은 전술한 감광성 수지 조성물이 건조되어 얻어진 필름상 또는 감광성 수지 조성물이 광경화되거나 열경화물된 필름상을 의미한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a film comprising a cured product of the above-mentioned photosensitive resin composition. Specifically, the film refers to a film obtained by drying the photosensitive resin composition described above, or a photosensitive resin composition that is photo-cured or thermally cured.

전술한 필름은 지지체 상에 감광성 수지 조성물을 공지의 방법으로 도포하고 건조하는 것에 의해 제조할수 있다. 상기 지지체는 감광성 수지 조성물층을 박리할 수 있고, 또한 광의 투과성이 양호한 것이 바람직하다. 또한, 표면의 평활성이 양호한 것이 바람직하다.The above-mentioned film can be produced by applying a photosensitive resin composition on a support by a known method and drying it. It is preferable that the support can peel off the photosensitive resin composition layer and has good light transmittance. It is also preferable that the surface smoothness is good.

상기 지지체의 구체적인 예로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 3초산 셀룰로오스, 2초산 셀룰로오스, 폴리(메타)아크릴산 알킬에스테르, 폴리(메타)아크릴산 에스테르공중합체, 폴리염화비닐, 폴리비닐알콜, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 셀로판, 폴리염화비닐리덴 공중합체, 폴리아미드, 폴리이미드, 염화비닐-초산비닐 공중합체, 폴리테트라플루오로에틸렌, 및 폴리트리플루오로에틸렌 등의 각종의 플라스틱 필름을 들 수 있다. 또한 이들의 2종 이상으로 이루어지는 복합재료도 사용할 수 있으며, 광투과성이 우수한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 특히 바람직하다. 상기 지지체의 두께는 5 내지 150㎛이고 더 구체적으로 10 내지 50㎛일 수 있다. Specific examples of the support include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, polyethylene, cellulose triacetate, cellulose diacetate, alkyl (meth) acrylates, poly (meth) acrylate copolymers, polyvinyl chloride, poly Various plastic films such as polyvinyl alcohol, polycarbonate, polystyrene, cellophane, polyvinylidene chloride copolymer, polyamide, polyimide, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polytetrafluoroethylene and polytrifluoroethylene, . A composite material composed of two or more of these materials may also be used, and a polyethylene terephthalate film having excellent light transmittance is particularly preferable. The thickness of the support may be 5 to 150 탆, and more specifically 10 to 50 탆.

상기 감광성 수지 조성물의 도포방법은 특별히 한정되지 않고, 예를들어 스프레이법, 롤코팅법, 회전도포법, 슬릿코팅법, 압출코팅법, 커튼코팅법, 다이코팅법, 와이어바코팅법 또는 나이프코팅법 등의 방법을 사용할 수 있다. 상기 감광성 수지 조성물의 건조는 각 구성 성분이나 유기 용매의 종류, 및 함량비에 따라 다르지만 60 내지 100 ℃에서 30초 내지 15분간 수행할 수 있다. The method of applying the photosensitive resin composition is not particularly limited and may be selected from the group consisting of a spray method, a roll coating method, a rotary coating method, a slit coating method, an extrusion coating method, a curtain coating method, a die coating method, Method can be used. The drying of the photosensitive resin composition may be carried out at 60 to 100 占 폚 for 30 seconds to 15 minutes although it depends on the kind of each constituent component, the kind of organic solvent, and the content ratio.

건조 및 경화 후의 드라이 필름의 막 두께가 5 내지 95 ㎛이고, 더욱 구체적으로 10 내지 50 ㎛이다. The dry film after drying and curing has a film thickness of 5 to 95 탆, more specifically 10 to 50 탆.

이때 필름은 표시장치용 기판의 베이스 필름, 표시장치용 기판의 절연층, 표시패널용 층간 절연막, 표시패널용 화소정의막 또는 뱅크층, 표시패널용 솔더 레지스터, 표시패널용 블랙 매트릭스, 표시패널용 컬러필터 기판, 회로 기판용 보호 필름, 회로 기판의 베이스 필름, 회로 기판의 절연층, 반도체의 층간 절연막 또는 솔더 레지스트 중 하나로 사용될 수 있다. In this case, the film may be a base film of a substrate for a display device, an insulating layer of a substrate for a display device, an interlayer insulating film for a display panel, a pixel defining film or bank layer for a display panel, a solder resistor for a display panel, a black matrix for a display panel, A color filter substrate, a protective film for a circuit board, a base film of a circuit board, an insulating layer of a circuit board, an interlayer insulating film of a semiconductor, or a solder resist.

한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 전술한 필름을 포함하는 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치 및 디스플레이장치를 구동하는 제어부를 포함하는 전자장치를 제공한다. 전술한 필름이 유기전기소자의 각 화소를 정의하는 표시패널용 화소정의막 또는 뱅크로 사용되는 것을 예시적으로 설명하나 본 발명은 이에 제한되지 않는다. According to another embodiment of the present invention, there is provided an electronic device including a display device including an organic electronic device including the above-mentioned film and a control unit for driving the display device. It is exemplified that the above-described film is used as a pixel defining film or bank for a display panel defining each pixel of an organic electronic device, but the present invention is not limited thereto.

표시패널용 화소정의막로 사용되는 필름은 필름 또는 그 필름의 가공물, 예를 들어 일정한 기판에 라미네이션(lamination)된 가공물 또는 광반응물 등을 포함하는 의미이다.The film used as the pixel defining film for a display panel is meant to include a film or a workpiece of the film, for example, a work piece or a photoreaction material laminated on a certain substrate.

상기 필름을 표시패널의 형성면 위에 평면 압착 또는 롤 압착 등의 방법으로 20 내지 50 ℃의 온도에서 프리-라미네이션(pre-lamination)한 후, 60 내지 90℃에서 진공 라미네이션(vacumn lamination) 하여 감광성 피막을 형성할 수 있다. The film is pre-laminated on the formation surface of the display panel at a temperature of 20 to 50 ° C by a method such as a planar pressing or a roll pressing method and then vacuum laminated at 60 to 90 ° C to form a photosensitive film Can be formed.

또한, 상기 필름은 미세 구성이나 미세 폭 라인을 형성하기 위하여 포토마스크를 이용하여 노광함으로서 패턴의 형성이 가능하다. 노광량은 UV 노광에 사용되는 광원의 종류과 필름 막의 두께에 따라 적절히 조절될 수 있으며, 예를 들어 100 내지 1200 m/㎠일 수 있고 더 구체적으로, 100 내지 500 m/㎠일 수 있으나 이에 제한되지 않는.In addition, the film can be patterned by exposure using a photomask to form a fine structure or a fine-width line. The exposure amount can be appropriately adjusted according to the type of the light source used in the UV exposure and the thickness of the film film, and can be, for example, from 100 to 1200 m / cm2, and more specifically, from 100 to 500 m / .

사용 가능한 활성 광선으로는 전자선, 자외선, X-ray 등이 있으며, 바람직하게는 자외선을 사용할 수 있다. 그리고, 사용 가능한 광원으로는 고압 수은등, 저압 수은등 또는 할로겐 램프 등을 광원으로 사용할 수 있다.Examples of the active light rays usable include electron beams, ultraviolet rays, and X-rays. Preferably, ultraviolet rays can be used. As the usable light source, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, a halogen lamp, or the like can be used as a light source.

노광 후 현상시에는 일반적으로 스프레이법을 사용하게 되며, 상기 감광성 수지 조성물은 탄산 나트륨 수용액 등의 알칼리 수용액을 사용하여 현상하고, 물로 세척하게 된다. 그후, 가열 처리 과정을 통하여 현상에 의해 얻어진 패턴에 따라 폴리아믹산이 폴리이미드로 변하게 되면, 가열 처리 온도는 이미드화에 필요한 100 내지 250℃일 수 있다. 이때 가열 온도는 적절한 온도 프로파일을 가지고 2 내지 4단계에 걸쳐 연속적으로 승온하는 것이 효과적이나, 경우에 따라 일정한 온도에서 경화할 수도 있다. 상술한 단계를 통하여 표시패널용 화소정의막 등을 얻을 수 있다.In the post-exposure development, a spray method is generally used. The photosensitive resin composition is developed using an aqueous alkali solution such as an aqueous solution of sodium carbonate and then washed with water. Thereafter, when the polyamic acid is changed to polyimide according to the pattern obtained by the development through the heat treatment process, the heat treatment temperature may be 100 to 250 ° C, which is necessary for imidization. At this time, it is effective to continuously raise the heating temperature in two to four steps with an appropriate temperature profile, but it may be cured at a constant temperature in some cases. The pixel defining film for a display panel and the like can be obtained through the above-described steps.

또한, 본 발명에 따른 유기전기소자는 유기전기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(유기 TFT), 단색 또는 백색 조명용 소자 중 하나일 수 있다.The organic electroluminescent device according to the present invention may be one of an organic electroluminescent (OLED), an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), an organic transistor (organic TFT), and a monochromatic or white illumination device.

본 발명에 따른 유기전기소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic electroluminescent device according to the present invention may be of a top emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used.

WOLED(White Organic Light Emitting Device)는 고해상도 실현이 용이하고 공정성이 우수한 한편, 기존의 LCD의 칼라필터 기술을 이용하여 제조될 수 있는 이점이 있다. 주로 백라이트 장치로 사용되는 백색 유기발광소자에 대한 다양한 구조들이 제안되고 특허화되고 있다. 대표적으로, R(Red), G(Green), B(Blue) 발광부들을 상호평면적으로 병렬배치(side-by-side) 방식, R, G, B 발광층이 상하로 적층되는 적층(stacking) 방식이 있고, 청색(B) 유기발광층에 의한 전계발광과 이로부터의 광을 이용하여 무기형광체의 자발광(photo-luminescence)을 이용하는 색변환물질(color conversion material, CCM) 방식 등이 있는데, 본 발명은 이러한 WOLED에도 적용될 수 있을 것이다.WOLED (White Organic Light Emitting Device) has advantages of high resolution realization and fairness, and can be manufactured using existing color filter technology of LCD. Various structures for a white organic light emitting device mainly used as a backlight device have been proposed and patented. Typically, a stacking method in which R (Red), G (Green) and B (Blue) light emitting parts are arranged side by side, and R, G and B light emitting layers are stacked up and down , And a color conversion material (CCM) method using photo-luminescence of an inorganic phosphor by using electroluminescence by a blue (B) organic light emitting layer and light from the electroluminescent material. Can be applied to such WOLED.

본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함한다.Another embodiment of the present invention can include an electronic device including a display device including the above-described organic electronic device of the present invention and a control unit for controlling the display device. The electronic device may be a current or future wired or wireless communication terminal and includes all electronic devices such as a mobile communication terminal such as a mobile phone, a PDA, an electronic dictionary, a PMP, a remote controller, a navigation device, a game machine, various TVs, and various computers.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아나라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing description is merely illustrative of the present invention, and various modifications may be made without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed herein are for the purpose of limiting the present invention and are not to be construed as limiting the spirit and scope of the present invention. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all the techniques within the scope of the same should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (10)

하기 화학식1로 나타내는 1종 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 네가티브형 감광성 수지 조성물.
Figure pat00035

여기서, X 는 독립적으로 단일결합, O, S, CRaRb , NR, CH2, C=O, SO2, C(CF3)2로 이루어진 군에서 선택되며,
Ra, Rb, R, R1, R2, R3 및 Ar1는, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C3~C60의 사이클로알킬기; C2~C60의 알켄일기; C2~C60의 알킨일기; C1~C60의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 에스테르기, 에테르기; 하이드록시기; CF3;로 이루어진 군에서 선택되며, Ra와 Rb는 서로 결합하여 스파이로 화합물을 형성할 수 있고,
L은 각각 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C1~C60의 알킬렌기;로 이루어진 군에서 선택되며,
n는 2~1000의 정수이며,
a, b는 독립적으로 1~3의 정수이며,a, b 가 각각 2 이상일 경우, 각각의 R2와 R3은 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
Ar1은 C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C1~C60의 알킬렌기; C2~C60의 알켄일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 화학식 2-1 또는 화학식 2-2;로 이루어진 군에서 선택되며,
Figure pat00036

여기서,
X1 는 독립적으로 단일결합, O, S, CO, CR'R”, SO2로 이루어진 군에서 선택되며,
R4, R5, R6, R' 및 R”는,독립적으로 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C3~C60의 사이클로알킬기; C2~C60의 알켄일기; C2~C60의 알킨일기; C1~C60의 알콕실기; C6~C60의 아릴옥시기; 에스테르기, 에테르기; 아미드기, 이미드기; 로 이루어진 군에서 선택되며,
a'~b'는 1~4의 정수이며,
c'는 1~6의 정수이며,
상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 알킬기, 사이클로알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기, 아릴옥시기, 알킬렌기, 아릴렌기, 알킬렌기, 플루오렌일렌기, 알켄일렌기, 에스테르기, 에테르기, 아미드기, 이미드기는 각각 중수소, 할로겐, 실란기, 실록산기, 붕소기, 시아노기, C1-C20의 알킬싸이오기, C1-C20의 알콕실기, C1-C20의 알킬기, C2-C20의 알켄일기, C2-C20의 알킨일기, C6-C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기, 플루오렌일기, C2-C20의 헤테로고리기, C3-C20의 시클로알킬기, C7-C20의 아릴알킬기, C8-C20의 아릴알켄일기, 카르보닐기, 에테르기, C2-C20의 알콕실카르보닐기, C6-C30의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있다.
1. A negative-working photosensitive resin composition comprising at least one compound represented by the following formula (1).
Figure pat00035

Wherein X is independently selected from the group consisting of a single bond, O, S, CR a R b , NR, CH 2 , C = O, SO 2 , C (CF 3 ) 2 ,
R a , R b , R, R 1 , R 2 , R 3 and Ar 1 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; A C 6 to C 60 aryl group; A fluorenyl group; A C 2 to C 60 heterocyclic group containing at least one heteroatom selected from O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 60 and an aromatic ring of C 6 to C 60 ; An alkyl group having 1 to 60 carbon atoms; A C 3 to C 60 cycloalkyl group; An alkenyl group having 2 to 60 carbon atoms; An alkynyl group of C 2 to C 60 ; A C 1 to C 60 alkoxyl group; An aryloxy group of C 6 to C 30 ; Ester group, ether group; A hydroxyl group; CF 3 ; R a and R b may combine with each other to form a spiro compound,
L each independently represents a single bond; An arylene group having 6 to 60 carbon atoms; A fluorenylene group; A fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 60 and an aromatic ring of C 6 to C 60 ; And O, N, S, a heterocyclic C 2 ~ containing at least one hetero atom of Si and P C 60 group; A C 1 to C 60 alkylene group,
n is an integer of 2 to 1000,
a and b are independently an integer of 1 to 3, and when a and b are each 2 or more, each of R 2 and R 3 may combine to form a ring,
Ar 1 is a C 6 to C 60 arylene group; A fluorenylene group; An alkylene group of C 1 to C 60 ; An alkenylene group having 2 to 60 carbon atoms; A C 2 to C 60 heterocyclic group containing at least one heteroatom selected from O, N, S, Si and P; Is selected from the group consisting of formulas (2-1) and (2-2)
Figure pat00036

here,
X1 is selected from a single bond, O, S, the group consisting of CO, CR'R ", SO 2, each independently,
R 4 , R 5 , R 6 , R ', and R "are independently and independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; A C 6 to C 60 aryl group; A fluorenyl group; A C 2 to C 60 heterocyclic group containing at least one heteroatom selected from O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 60 and an aromatic ring of C 6 to C 60 ; An alkyl group having 1 to 60 carbon atoms; A C 3 to C 60 cycloalkyl group; An alkenyl group having 2 to 60 carbon atoms; An alkynyl group of C 2 to C 60 ; A C 1 to C 60 alkoxyl group; An aryloxy group of C 6 to C 60 ; Ester group, ether group; Amide group, imide group; , ≪ / RTI >
a 'to b' are integers of 1 to 4,
c 'is an integer of 1 to 6,
A heterocyclic group, a fused ring group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxyl group, an aryloxy group, an alkylene group, an arylene group, an alkylene group, a fluorenylene group, an alkenyl group alkoxyl group group, an ester group, an ether group, amide group, imide groups are each deuterium, a halogen, a silane group, a siloxane group, a boron group, a cyano group, an alkylthio import of C 1 -C 20, C 1 -C 20, an aryl group of C 1 -C 20 alkyl, C 2 -C 20 alkenyl, C 2 -C 20 alkynyl, C 6 -C 20 substituted with a C 6 aryl group, a heavy hydrogen of -C 20 of the, fluorene A C 2 -C 20 heterocyclic group, a C 3 -C 20 cycloalkyl group, a C 7 -C 20 arylalkyl group, a C 8 -C 20 arylalkenyl group, a carbonyl group, an ether group, a C 2 -C 20 An alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms, and an aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms.
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 3 내지 화학식 8 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 네가티브형 감광성 수지 조성물.

Figure pat00037

R1, R2, R3, Ar1, A1, a, b 및 n은 상기 제1항에 정의된 것과 동일하다.
The method according to claim 1,
Wherein the formula (1) is represented by any one of the following formulas (3) to (8).

Figure pat00037

R 1 , R 2 , R 3 , Ar 1 , A 1, a, b and n are the same as defined in the above 1.
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식들 중 어느 하나로 표시되는 네가티브형 감광성 수지 조성물.
Figure pat00038

Figure pat00039

Figure pat00040

Figure pat00041

Figure pat00042

Figure pat00043

Figure pat00044

Figure pat00045

Figure pat00046

Figure pat00047

Figure pat00048
The method according to claim 1,
Wherein the formula (1) is represented by any one of the following formulas.
Figure pat00038

Figure pat00039

Figure pat00040

Figure pat00041

Figure pat00042

Figure pat00043

Figure pat00044

Figure pat00045

Figure pat00046

Figure pat00047

Figure pat00048
제 1항에 있어서,
중량 평균 분자량이 5,000내지 200,000인 것을 특징으로 하는 네가티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
And a weight average molecular weight of 5,000 to 200,000.
제1항 내지 제4항 중 어느 한항의 고분자 물질을 포함한 고분자 수지;
아크릴산 및 메타아크릴산, 그 유도체 중 적어도 하나를 주성분으로 하는 아크릴 수지;
광가교제;
유기용매; 및
광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물.
A polymeric resin comprising the polymeric material of any one of claims 1 to 4;
An acrylic resin containing at least one of acrylic acid, methacrylic acid and derivatives thereof as a main component;
Photo-crosslinking agent;
Organic solvent; And
A photosensitive resin composition comprising a photopolymerization initiator.
제5항에 있어서,
네거티브 감광성 수지 조성물로 사용되는 감광성 수지 조성물.
6. The method of claim 5,
A photosensitive resin composition used as a negative photosensitive resin composition.
제6항의 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 필름A film comprising a cured product of the photosensitive resin composition of claim 6 제7항에 있어서,
표시장치용 기판의 베이스 필름, 표시장치용 기판의 절연층, 표시패널용 층간 절연막, 표시패널용 화소정의막 또는 뱅크층, 표시패널용 솔더 레지스터, 표시패널용 블랙 매트릭스, 표시패널용 컬러필터 기판, 회로 기판용 보호 필름, 회로 기판의 베이스 필름, 회로 기판의 절연층, 반도체의 층간 절연막 또는 솔더 레지스트 중 하나로 사용되는 필름.
8. The method of claim 7,
A base film of a substrate for a display device, an insulating layer of a substrate for a display device, an interlayer insulating film for a display panel, a pixel defining film or bank layer for a display panel, a solder resistor for a display panel, a black matrix for a display panel, , A protective film for a circuit board, a base film of a circuit board, an insulating layer of a circuit board, an interlayer insulating film of a semiconductor, or a solder resist.
제8항의 필름을 포함하는 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및
상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치.
A display device comprising an organic electronic device comprising the film of claim 8; And
And a control unit for driving the display device.
제 9항에 있어서,
상기 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터 및 단색 또는 백색 조명용 소자 중 하나인 전자장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the organic electronic device is one of an organic electroluminescent device, an organic solar cell, an organophotoreceptor, an organic transistor, and a device for monochromatic or white illumination.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019107824A1 (en) * 2017-11-28 2019-06-06 (주)덕산테코피아 Negative photosensitive resin composition and electronic device having organic insulating film using same
CN109904212A (en) * 2019-03-28 2019-06-18 昆山国显光电有限公司 A kind of organic light emitting display panel and preparation method thereof
WO2020111522A1 (en) * 2018-11-28 2020-06-04 (주)덕산테코피아 Photosensitive resin composition, film, and electronic device
US20210364919A1 (en) * 2019-01-23 2021-11-25 Microcosm Technology Co., Ltd. Photosensitive resin composition and application thereof
US20220106477A1 (en) * 2020-10-06 2022-04-07 Duk San Neolux Co., Ltd. Resin, resin composition, and display device using same
US12019373B2 (en) 2018-11-28 2024-06-25 Duksan Techopia Co. Ltd. Photosensitive resin composition, film, and electronic device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019107824A1 (en) * 2017-11-28 2019-06-06 (주)덕산테코피아 Negative photosensitive resin composition and electronic device having organic insulating film using same
WO2020111522A1 (en) * 2018-11-28 2020-06-04 (주)덕산테코피아 Photosensitive resin composition, film, and electronic device
US12019373B2 (en) 2018-11-28 2024-06-25 Duksan Techopia Co. Ltd. Photosensitive resin composition, film, and electronic device
US20210364919A1 (en) * 2019-01-23 2021-11-25 Microcosm Technology Co., Ltd. Photosensitive resin composition and application thereof
CN109904212A (en) * 2019-03-28 2019-06-18 昆山国显光电有限公司 A kind of organic light emitting display panel and preparation method thereof
US20220106477A1 (en) * 2020-10-06 2022-04-07 Duk San Neolux Co., Ltd. Resin, resin composition, and display device using same
US11920025B2 (en) * 2020-10-06 2024-03-05 Duk San Neolux Co., Ltd. Resin, resin composition, and display device using same

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