KR102417834B1 - Egative photosensitive resin composition and electronic device having organic insulating film using same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 패턴 밀착성이 우수할 뿐만 아니라, 공정 특성 및 패턴 형성이 우수한 네거티브형 감광성 수지 조성물과 이를 사용한 유기절연막을 갖는 전자장치를 제공한다.The present invention provides a negative photosensitive resin composition having excellent pattern adhesion as well as excellent process characteristics and pattern formation, and an electronic device having an organic insulating film using the same.

Description

네거티브 감광성 수지 조성물, 이를 사용한 유기절연막을 갖는 전자장치{EGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE HAVING ORGANIC INSULATING FILM USING SAME}EGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE HAVING ORGANIC INSULATING FILM USING SAME

본 발명은 네거티브형 감광성 수지 조성물, 이것을 사용한 유기절연막을 갖는 광학 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a negative photosensitive resin composition and an optical element having an organic insulating film using the same.

컬러 필터나 유기 EL (electro-Luminescence) 소자의 화소부에 사용되는 유기절연막의 재료로는 여러 재료들이 있으나, 감광성을 가지며, 내열성을 갖는 재료로는 감광성 폴리이미드가 잘 알려져 있다. There are various materials as a material for an organic insulating film used in a color filter or a pixel portion of an organic EL (electro-luminescence) device, but photosensitive polyimide is well known as a material having photosensitivity and heat resistance.

감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 형태로 사용되고 있으며, 도포가 용이하며, 상기 폴리이미드 전구체 조성물을 반도체 장치 상에 도포한 후, 자외선에 의한 패터닝, 현상, 열 이미드화 처리 등을 실시하여 표면 보호막, 층간 절연막 등을 쉽게 형성 시킬 수 있다. It is used in the form of a photosensitive polyimide precursor composition and is easy to apply, and after the polyimide precursor composition is applied on a semiconductor device, patterning by ultraviolet rays, development, thermal imidization, etc. are performed to provide a surface protection film and an interlayer insulating film The back can be easily formed.

상기 감광성 폴리이미드 물질들은 재료 자체에 감광성이 있어 비감광성의 재료를 패터닝 할 때에 필요로 하는 제조 공정수를 줄일 수 있다는 장점과 수율이 향상된다는 점 등, 생산성의 향상을 기대할 수 있다. 또 용매의 사용량을 삭감할 수 있는 등 환경 부하가 낮은 공정이 되기 때문에 주목을 모으고 있다. Since the photosensitive polyimide materials have photosensitivity in the material itself, productivity can be expected to be improved, such as reducing the number of manufacturing steps required when patterning a non-photosensitive material and improving yield. Moreover, it is attracting attention because it becomes a process with low environmental load, such as being able to reduce the usage-amount of solvent.

감광 특성은 네거티브형과 포지티브형으로 나눌 수 있다. 네거티브형은 광이 조사된 부분의 감광 재료가 불용화된다, 현상액의 유기 용매에 의해 가용인 부분(비감광 부분)을 제고하고, 가열 처리함으로써, 패턴이 형성된 수지막이 얻어진다 (특허문헌 1~4 참조). 포지티브형은 광이 조사된 부분이 현상액에 가용화 된다. 네거티브형의 경우와 마찬가지로 현상액에 가용인 부분을 제거하고, 가열 처리하면 패턴이 형성된 수지막이 얻어진다. (특허문헌 5~8 참조) 상기 네거티브형 및 포지티브형에 사용되는 현상액으로는 일반적으로 알칼리 수용액이 많이 사용된다. The photosensitive characteristic can be divided into a negative type and a positive type. In the negative type, the photosensitive material in the portion irradiated with light is insolubilized. By removing the soluble portion (non-photosensitive portion) with the organic solvent of the developer and heat-treating it, a resin film with a pattern is obtained (Patent Documents 1 to see 4). In the positive type, the portion irradiated with light is solubilized in the developer. As in the case of the negative type, a portion soluble in a developer is removed and heat-treated to obtain a resin film with a pattern formed thereon. (See Patent Documents 5 to 8) As a developer used for the negative and positive types, an aqueous alkali solution is generally used.

특허문헌 1 : 일본 특허공보 소-55-030207호Patent Document 1: Japanese Patent Publication No.-55-030207

특허문헌 2 : 일본 특허공보 소 55-041422호Patent Document 2: Japanese Patent Publication No. 55-041422

특허문헌 3 : 일본 공개특허공보 소 54-145794호Patent Document 3: Japanese Patent Application Laid-Open No. 54-145794

특허문헌 4 : 일본 공개특허공보 소 59-160140호Patent Document 4: Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-160140

특허문헌 5 : 일본 공개특허공보 소 62-145239호Patent Document 5: Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-145239

특허 문헌 6 : 미국 특허 제 4093461호Patent Document 6: US Patent No. 4093461

특허 문헌 7 : 미국 특허 제 4845183호Patent Document 7: US Patent No. 4845183

특허문헌 일본 공개특허공보 소 63-096162호 Patent Literature Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-096162

감광성 유기절연막은 감광성 수지 조성물을 기판에 도포하여 포토리소그래피 기술에 의해 형성하는 방법이 알려져 있다. A method of forming the photosensitive organic insulating film by applying a photosensitive resin composition to a substrate by photolithography is known.

종래 감광성 수지 조성물의 도포는 스핀 코팅법을 사용하여 실시되고 있다. 기판의 대형화에 수반하여, 스핀 코팅법에 의한 도포가 곤란해져, 슬릿 코팅법에 의한 도포 방법이 제안되어 있다. Conventionally, application|coating of the photosensitive resin composition is performed using the spin coating method. As the size of the substrate increases, application by the spin coating method becomes difficult, and a coating method by the slit coating method has been proposed.

감광성 조성물을 슬릿 코팅법으로 기판 표면에 도포하는 경우, 도포 속도에 따라 다르기도 하지만, 양호한 막 두께의 균일성을 얻기 위해, 감광성 수지 조성물의 점도는 3.5 mPas 미만이 바람직하다. 감광성 수지 조성물의 점도가 높은 경우, 슬릿 노즐로부터 공급되는 감광성 수지 조성물이 높은 점도로 인해 원활히 공급되지 않아, 기판의 표면에 코팅되지 않는 부분이 발생한다. When the photosensitive composition is applied to the substrate surface by the slit coating method, the viscosity of the photosensitive resin composition is preferably less than 3.5 mPas in order to obtain good film thickness uniformity, although it may depend on the application rate. When the viscosity of the photosensitive resin composition is high, the photosensitive resin composition supplied from the slit nozzle is not smoothly supplied due to the high viscosity, resulting in an uncoated portion on the surface of the substrate.

또한 감광성 수지 조성물을 슬릿 코팅법으로 도포하는 경우, 반복 사용하는 동안에 슬릿 노즐에 부착 또는 잔류하는 감광성 수지 조성물의 고형화된 물질을 도포전에 세정하는 공정이 필요하다. 이 고형화된 물질의 감광성 수지 조성물에 대한 재용해성이 낮은 경우, 노즐 부분에 잔류한 고형화된 물질이 돌기가 되어 남게되고, 기판에 감광성 수지 조성물을 도포했을 때에 노즐의 진행 방향에 대해 줄이 발생하는 문제점 및 감광성 수지 조성물의 고형화된 물질이 떨어져서 기판에 부착되어 결국 수율을 저하시킨다는 문제점을 갖고 있다. In addition, when the photosensitive resin composition is applied by the slit coating method, it is necessary to wash the solidified material of the photosensitive resin composition that adheres or remains on the slit nozzle during repeated use before application. When the resolubility of this solidified material in the photosensitive resin composition is low, the solidified material remaining in the nozzle part remains as a protrusion, and when the photosensitive resin composition is applied to the substrate, streaks are generated in the direction of the nozzle. There is a problem in that the solidified material of the photosensitive resin composition falls off and adheres to the substrate, thereby reducing the yield.

네거티브형 수지 조성물의 경우 주로 칼러필터 공정에 주로 사용되고 있으며, 포지티브형 수지 조성물의 경우 TFT 공정에 주로 사용되고 있다. In the case of a negative resin composition, it is mainly used in a color filter process, and in the case of a positive resin composition, it is mainly used in a TFT process.

칼라필터의 픽셀 사이에는 콘트라스트를 향상시킬 목적으로 블랙 매트릭스 라고 불리는 격자상의 흑색 패턴을 배치하는 것이 일반적이다. 종래의 블랙 매트릭스에서는 안료로서 크롬(Cr)을 유리 기판 전체에 증착 및 에칭시켜 패턴을 형성하는 방식을 이용하였으나, 공저상 고비용이 요구되고, 크롬의 고반사율 문제, 크롬 폐액에 의한 환경오염 등의 문제가 발생하였다. It is common to arrange a grid-like black pattern called a black matrix between the pixels of a color filter for the purpose of improving the contrast. In the conventional black matrix, a method of forming a pattern by depositing and etching chromium (Cr) as a pigment on the entire glass substrate was used. A problem has occurred.

이와 같은 이유로 미세가공이 가능한 안료 분산법에 의한 블랙 매트릭스의 연구가 활발히 이루어지고 있으며, 카본블랙 이외의 착색 안료로 흑색 조성물을 제조하는 연구도 진행되고 있다. 그러나 카본블랙 이외의 착색 안료는 차광성이 약하기 때문에 그 배합량을 극히 많은 양으로 늘려야 하고, 그 결과 조성물의 점도가 증가하여 취급이 곤란해지거나, 형성된 피막의 강도 또는 기판에 대한 밀착성이 현저하게 저하되는 문제가 있었다. For this reason, research on a black matrix by a pigment dispersion method capable of micro-processing is being actively conducted, and research on preparing a black composition with a color pigment other than carbon black is also in progress. However, since color pigments other than carbon black have weak light-shielding properties, the blending amount must be increased to an extremely large amount. there was a problem with

현재, 업계는 지속적인 성능 향상에 대한 요청에 따라 감광성 수지 조성물에 대한 많은 연구들이 진행되고 있다. 예를 들어 감도향상을 위해 새롭게 개발된 바인더를 적용한 칼라필터 조성물, 고감도 광중합 개시제를 사용하여 감도를 향상시킨 블랙 매트릭스 수조 조성물, 광중합 기새제 및 유기 인산 화합물을 조성물에 도입함으로서 감도를 향상시킨 블랙 매트릭스 수지 조성물 등 다양하다. Currently, in the industry, many studies on photosensitive resin compositions are being conducted in response to requests for continuous performance improvement. For example, a color filter composition to which a newly developed binder is applied to improve sensitivity, a black matrix tank composition with improved sensitivity using a high-sensitivity photopolymerization initiator, a black matrix with improved sensitivity by introducing a photopolymerization repellent and an organic phosphoric acid compound into the composition resin composition and the like.

본 발명에서는 패턴 밀착성이 우수할 뿐만 아니라, 공정 특성 및 패턴 형성이 우수한 네거티브형 감광성 수지 조성물, 유기절연막 및 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a negative photosensitive resin composition, an organic insulating film, and an electronic device having excellent pattern adhesion and excellent process characteristics and pattern formation.

일 측면에서, 본 발명은 하기 화학식 1로 나타내는 1종 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.In one aspect, the present invention provides a negative photosensitive resin composition comprising at least one compound represented by the following formula (1).

Figure 112017118421784-pat00001
Figure 112017118421784-pat00001

다른 측면에서, 본 발명은 하기 화학식 1로 나타내는 1종 이상의 고분자 물질을 포함하는 감광성 수지 조성물, 유기절연막 및 전자장치를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a photosensitive resin composition, an organic insulating film, and an electronic device comprising at least one polymer material represented by the following formula (1).

본 발명에 따른 폴리아믹산, 이 폴리아믹산을 이용한 감광성 수지 조성물, 필름 및 전자장치는 패턴 밀착성이 우수할 뿐만 아니라, 공정 특성 및 패턴 형성이 우수한 효과가 있다.The polyamic acid according to the present invention, a photosensitive resin composition using the polyamic acid, a film, and an electronic device have excellent pattern adhesion, as well as excellent process characteristics and pattern formation.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.In adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components are given the same reference numerals as much as possible even though they are indicated on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 구성 요소가 다른 구성 요소 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 경우, 이는 다른 구성 요소 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 구성 요소가 있는 경우도 포함할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반대로, 어떤 구성 요소가 다른 부분 "바로 위에" 있다고 하는 경우에는 중간에 또 다른 부분이 없는 것을 뜻한다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the elements from other elements, and the essence, order, or order of the elements are not limited by the terms. When it is described that a component is “connected”, “coupled” or “connected” to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but another component is formed between each component. It should be understood that elements may also be “connected,” “coupled,” or “connected.” Further, when a component, such as a layer, membrane, region, plate, etc., is said to be “on” or “on” another component, this means not only when it is “directly above” another component, but also when another component is in between. It should be understood that cases may be included. Conversely, when it is said that an element is "on top of" another part, it should be understood to mean that there is no other part in the middle.

본 명세서 및 첨부된 청구의 범위에서 사용된 바와 같이, 달리 언급하지 않는 한, 하기 용어의 의미는 하기와 같다.As used in this specification and the appended claims, unless otherwise indicated, the following terms have the following meanings.

본 명세서에서 사용된 용어 "할로" 또는 "할로겐"은 다른 설명이 없는 한 불소(F), 브롬(Br), 염소(Cl) 또는 요오드(I)이다.As used herein, the term “halo” or “halogen” refers to fluorine (F), bromine (Br), chlorine (Cl) or iodine (I), unless otherwise specified.

본 발명에 사용된 용어 "알킬" 또는 "알킬기"는 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수의 단일결합을 가지며, 직쇄 알킬기, 분지쇄 알킬기, 사이클로알킬(지환족)기, 알킬-치환된 사이클로알킬기, 사이클로알킬-치환된 알킬기를 비롯한 포화 지방족 작용기의 라디칼을 의미한다.The term "alkyl" or "alkyl group" as used herein, unless otherwise specified, has a single bond of 1 to 60 carbon atoms, a straight chain alkyl group, a branched chain alkyl group, a cycloalkyl (alicyclic) group, an alkyl-substituted cyclo means a radical of saturated aliphatic functional groups including alkyl groups and cycloalkyl-substituted alkyl groups.

본 발명에 사용된 용어 "할로알킬기" 또는 "할로겐알킬기"는 다른 설명이 없는 한 할로겐으로 치환된 알킬기를 의미한다.As used herein, the term “haloalkyl group” or “halogenalkyl group” refers to an alkyl group substituted with halogen unless otherwise specified.

본 발명에 사용된 용어 "알켄일기" 또는 "알킨일기"는 다른 설명이 없는 한 각각 2 내지 60의 탄소수의 이중결합 또는 삼중결합을 가지며, 직쇄형 또는 측쇄형 사슬기를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.The term "alkenyl group" or "alkynyl group" used in the present invention, unless otherwise specified, has a double or triple bond of 2 to 60 carbon atoms, respectively, and includes a straight or branched chain group, and is limited thereto it is not

본 발명에 사용된 용어 "시클로알킬"은 다른 설명이 없는 한 3 내지 60의 탄소수를 갖는 고리를 형성하는 알킬을 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.As used herein, the term “cycloalkyl” refers to an alkyl forming a ring having 3 to 60 carbon atoms, unless otherwise specified, and is not limited thereto.

본 발명에 사용된 용어 "알콕시기" 또는 "알킬옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알킬기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.As used herein, the term “alkoxy group” or “alkyloxy group” refers to an alkyl group to which an oxygen radical is attached, and has 1 to 60 carbon atoms unless otherwise specified, but is not limited thereto.

본 발명에 사용된 용어 "아릴옥실기" 또는 "아릴옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 아릴기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.As used herein, the term “aryloxyl group” or “aryloxy group” refers to an aryl group to which an oxygen radical is attached, and has 6 to 60 carbon atoms unless otherwise specified, but is not limited thereto.

본 발명에 사용된 용어 "플루오렌일기" 또는 "플루오렌일렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하기 구조에서 R, R' 및 R"이 모두 수소인 1가 또는 2가 작용기를 의미하며, "치환된 플루오렌일기" 또는 "치환된 플루오렌일렌기"는 치환기 R, R', R" 중 적어도 하나가 수소 이외의 치환기인 것을 의미하며, R과 R'이 서로 결합되어 이들이 결합된 탄소와 함께 스파이로 화합물을 형성한 경우를 포함한다.As used herein, the term "fluorenyl group" or "fluorenylene group" means a monovalent or divalent functional group in which R, R' and R" are all hydrogen in the following structures, respectively, unless otherwise specified, " A substituted fluorenyl group" or "substituted fluorenylene group" means that at least one of the substituents R, R', and R" is a substituent other than hydrogen, and R and R' are bonded to each other to It includes the case of forming a compound as a spy together.

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본 발명에 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일고리형, 고리접합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함한다.The terms "aryl group" and "arylene group" used in the present invention have 6 to 60 carbon atoms, respectively, unless otherwise specified, and are not limited thereto. In the present invention, the aryl group or the arylene group includes a monocyclic type, a ring conjugate, a fused multiple ring system, a spiro compound, and the like.

본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는 "헤테로아릴기"또는 "헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 고리를 의미하나 여기에 제한되는 것은 아니다. 본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타내며, 헤테로고리기는 헤테로원자를 포함하는 단일고리형, 고리접합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 의미한다.The term "heterocyclic group" as used in the present invention includes not only aromatic rings such as "heteroaryl group" or "heteroarylene group" but also non-aromatic rings, and unless otherwise specified, the number of carbon atoms each containing at least one heteroatom It means a ring of 2 to 60, but is not limited thereto. As used herein, the term "heteroatom" refers to N, O, S, P or Si, unless otherwise specified, and the heterocyclic group is a monocyclic group containing a heteroatom, a ring conjugate, a fused multiple ring system, a spy means a compound or the like.

또한 "헤테로고리기"는, 고리를 형성하는 탄소 대신 SO2를 포함하는 고리도 포함할 수 있다. 예컨대, "헤테로고리기"는 다음 화합물을 포함한다.In addition, the "heterocyclic group" may include a ring containing SO 2 instead of carbon forming the ring. For example, "heterocyclic group" includes the following compounds.

Figure 112017118421784-pat00003
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본 발명에서 사용된 용어 "고리"는 단일환 및 다환을 포함하며, 탄화수소고리는 물론 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리를 포함하고, 방향족 및 비방향족 고리를 포함한다.As used herein, the term "ring" includes monocyclic and polycyclic rings, and includes hydrocarbon rings as well as heterocycles containing at least one heteroatom, and includes aromatic and non-aromatic rings.

본 발명에서 사용된 용어 "다환"은 바이페닐, 터페닐 등과 같은 고리 집합체(ring assemblies), 접합된(fused) 여러 고리계 및 스파이로 화합물을 포함하며, 방향족뿐만 아니라 비방향족도 포함하고, 탄화수소고리는 물론 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리를 포함한다.As used herein, the term "polycyclic" includes ring assemblies such as biphenyl, terphenyl, etc., fused multiple ring systems and spiro compounds, and includes aromatic as well as non-aromatic, hydrocarbon Rings include, of course, heterocycles containing at least one heteroatom.

본 발명에서 사용된 용어 "고리 집합체(ring assemblies)"는 둘 또는 그 이상의 고리계(단일고리 또는 접합된 고리계)가 단일결합이나 또는 이중결합을 통해서 서로 직접 연결되어 있고 이와 같은 고리 사이의 직접 연결의 수가 이 화합물에 들어 있는 고리계의 총 수보다 1개가 적은 것을 의미한다. 고리 집합체는 동일 또는 상이한 고리계가 단일결합이나 이중결합을 통해 서로 직접 연결될 수 있다.As used herein, the term "ring assemblies" refers to two or more ring systems (single or fused ring systems) directly connected to each other through a single bond or a double bond, and a direct connection between such rings It means that the number of linkages is one less than the total number of ring systems in the compound. In a ring aggregate, the same or different ring systems may be directly linked to each other through single or double bonds.

본 발명에서 사용된 용어 "접합된 여러 고리계"는 적어도 두개의 원자를 공유하는 접합된(fused) 고리 형태를 의미하며, 둘 이상의 탄화수소류의 고리계가 접합된 형태 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리계가 적어도 하나 접합된 형태 등을 포함한다. 이러한 접합된 여러 고리계는 방향족고리, 헤테로방향족고리, 지방족 고리 또는 이들 고리의 조합일 수 있다.As used herein, the term “fused multiple ring system” refers to a fused ring type sharing at least two atoms, and includes a fused ring system of two or more hydrocarbons and at least one heteroatom. and a form in which at least one heterocyclic system is fused. The fused multiple ring system may be an aromatic ring, a heteroaromatic ring, an aliphatic ring, or a combination of these rings.

본 발명에서 사용된 용어 "스파이로 화합물"은 '스파이로 연결(spiro union)'을 가지며, 스파이로 연결은 2개의 고리가 오로지 1개의 원자를 공유함으로써 이루어지는 연결을 의미한다. 이때, 두 고리에 공유된 원자를 '스파이로 원자'라 하며, 한 화합물에 들어 있는 스파이로 원자의 수에 따라 이들을 각각 '모노스파이로-', '다이스파이로-', '트라이스파이로-' 화합물이라 한다. The term "spiro compound" used in the present invention has a 'spiro union', and the spiro linkage means a connection formed by sharing only one atom in two rings. At this time, the atoms shared by the two rings are called 'spiro atoms', and they are respectively 'monospiro-', 'dispiro-', 'trispiro-', depending on the number of spiro atoms in a compound. ' It's called a compound.

또한, 접두사가 연속으로 명명되는 경우 먼저 기재된 순서대로 치환기가 나열되는 것을 의미한다. 예를 들어, 아릴알콕시기의 경우 아릴기로 치환된 알콕시기를 의미하며, 알콕시카르보닐기의 경우 알콕시기로 치환된 카르보닐기를 의미하며, 또한 아릴카르보닐알켄일기의 경우 아릴카르보닐기로 치환된 알켄일기를 의미하며 여기서 아릴카르보닐기는 아릴기로 치환된 카르보닐기이다.Also, when prefixes are named consecutively, it is meant that the substituents are listed in the order listed first. For example, an arylalkoxy group means an alkoxy group substituted with an aryl group, an alkoxycarbonyl group means a carbonyl group substituted with an alkoxy group, and an arylcarbonylalkenyl group means an alkenyl group substituted with an arylcarbonyl group, where The arylcarbonyl group is a carbonyl group substituted with an aryl group.

또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용된 용어 "치환 또는 비치환된"에서 "치환"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-C20의 알킬기, C1-C20의 알콕시기, C1-C20의 알킬아민기, C1-C20의 알킬티오펜기, C6-C20의 아릴티오펜기, C2-C20의 알켄일기, C2-C20의 알킨일기, C3-C20의 시클로알킬기, C6-C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기, C8-C20의 아릴알켄일기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, 및 O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환됨을 의미하며, 이들 치환기에 제한되는 것은 아니다.In addition, unless otherwise explicitly stated, in the term "substituted or unsubstituted" as used herein, "substitution" means deuterium, halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 Alkoxy group, C 1 -C 20 Alkylamine group, C 1 -C 20 Alkylthiophene group, C 6 -C 20 Arylthiophene group, C 2 -C 20 Alkenyl group, C 2 -C 20 alkynyl group, C 3 -C 20 cycloalkyl group, C 6 -C 20 aryl group, C 6 -C 20 aryl group substituted with deuterium, C 8 -C 20 arylalkenyl group, silane group, boron group, germanium group, and O, N, S, Si and P containing at least one heteroatom selected from the group consisting of C 2 -C 20 heterocyclic group means substituted with one or more substituents selected from the group consisting of and is not limited to these substituents.

또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에 의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.In addition, unless there is an explicit explanation, the formula used in the present invention applies the same as the definition of the substituent by the exponential definition of the following formula.

Figure 112017118421784-pat00004
Figure 112017118421784-pat00004

여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하며, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 각각 다음과 같이 결합하며 이때 R1은 서로 동일하거나 다를 수 있으며, a가 4 내지 6의 정수인 경우 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, 한편 벤젠 고리를 형성하는 탄소에 결합된 수소의 표시는 생략한다.Here, when a is an integer of 0, the substituent R 1 is absent, and when a is an integer of 1, one substituent R 1 is bonded to any one carbon of the carbons forming the benzene ring, and when a is an integer of 2 or 3 Each is bonded as follows, where R 1 may be the same or different from each other, and when a is an integer of 4 to 6, it is bonded to the carbon of the benzene ring in a similar manner, while the hydrogen bonded to the carbon forming the benzene ring is omitted.

Figure 112017118421784-pat00005
Figure 112017118421784-pat00005

이하에서, 본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물의 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다. Hereinafter, each component of the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

고분자 화합물high molecular compound

본 발명은 하기 화학식 1로 나타내는 1종 이상의 화합물을 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.The present invention provides a negative photosensitive resin composition comprising at least one compound represented by the following formula (1).

Figure 112017118421784-pat00006
Figure 112017118421784-pat00006

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

A1은 수소 또는

Figure 112017118421784-pat00007
로 이루어진 군에서 어느 하나로 선택되고,A 1 is hydrogen or
Figure 112017118421784-pat00007
selected from the group consisting of

X는 단일결합, O, S, CRaRb , NR, CH2, C=O, SO2, C(CF3)2로 이루어진 군에서 어느 하나로 선택되고,X is a single bond, O, S, CR a R b , NR, CH 2 , C=O, SO 2 , C(CF 3 ) 2 is selected from the group consisting of any one,

R, Ra, Rb, R1, R2, R3는 각각 독립적으로 동일하거나 상이하며, 수소; 중수소; 할로겐; CF3; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C3~C60의 사이클로알킬기; C2~C60의 알켄일기; C2~C60의 알킨일기; C1~C60의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 에스테르기, 에테르기; 하이드록시기;로 이루어진 군에서 선택되며, Ra와 Rb는 서로 결합하여 스파이로 화합물을 형성할 수 있고, R2와 R3는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,R, R a , R b , R 1 , R 2 , R 3 are each independently the same as or different from hydrogen; heavy hydrogen; halogen; CF 3 ; C 6 ~ C 60 Aryl group; fluorenyl group; O, N, S, Si and P containing at least one heteroatom C 2 ~ C 60 A heterocyclic group; C 3 ~ C 60 A fused ring group of an aliphatic ring and a C 6 ~ C 60 aromatic ring; C 1 ~ C 60 Alkyl group; C 3 ~ C 60 A cycloalkyl group; C 2 ~ C 60 Alkenyl group; C 2 ~ C 60 Alkynyl group; C 1 ~ C 60 Alkoxy group; C 6 ~ C 30 Aryloxy group; an ester group, an ether group; a hydroxyl group; selected from the group consisting of, R a and R b may combine with each other to form a spiro compound, R 2 and R 3 may combine with each other to form a ring,

L은 C6~C60의 아릴렌기, C1~C60의 알킬렌기로 이루어진 군에서 어느 하나로 선택되고,L is selected from the group consisting of C 6 ~ C 60 arylene group, C 1 ~ C 60 alkylene group,

n은 2 내지 100,000의 정수 중 어느 하나로 선택되며,n is selected from any integer from 2 to 100,000,

a 및 b는 각각 독립적으로 동일하거나 상이하며, 1 내지 3의 정수 중 어느 하나로 선택되고,a and b are each independently the same or different, and are selected from any one of an integer of 1 to 3,

Ar1 내지 Ar3는 각각 서로 독립적으로 동일하거나 상이하며, C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C1~C60의 알킬렌기; C2~C60의 알켄일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 하기 화학식 (2-1) 또는 하기 화학식 (2-2);로 이루어진 군에서 선택되며, Ar 1 To Ar 3 Are each independently the same as or different from each other, C 6 ~ C 60 Arylene group; fluorenylene group; C 1 ~ C 60 Alkylene group; C 2 ~ C 60 Alkenylene group; O, N, S, Si and P containing at least one heteroatom C 2 ~ C 60 A heterocyclic group; It is selected from the group consisting of the following formula (2-1) or the following formula (2-2);

Figure 112017118421784-pat00008
Figure 112017118421784-pat00008

상기 화학식 (2-1)과 화학식 (2-2)에서,In the above formulas (2-1) and (2-2),

R4, R5, R6, R', R''은 각각 서로 독립적으로 동일하거나 상이하며, 수소, 중수소, 할로겐, CN, CF3, C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C3~C60의 사이클로알킬기; C2~C60의 알켄일기; C2~C60의 알킨일기; C1~C60의 알콕시기; C6~C60의 아릴옥시기; 에스테르기, 에테르기; 아미드기, 이미드기; 로 이루어진 군에서 선택되고, R'과 R''은 서로 결합하여 스파이로 화합물을 형성할 수 있고,R 4 , R 5 , R 6 , R′, R′′ are each independently the same as or different from each other, and are hydrogen, deuterium, halogen, CN, CF 3 , a C 6 ~ C 60 aryl group; fluorenyl group; O, N, S, Si and P containing at least one heteroatom C 2 ~ C 60 A heterocyclic group; C 3 ~ C 60 A fused ring group of an aliphatic ring and a C 6 ~ C 60 aromatic ring; C 1 ~ C 60 Alkyl group; C 3 ~ C 60 A cycloalkyl group; C 2 ~ C 60 Alkenyl group; C 2 ~ C 60 Alkynyl group; C 1 ~ C 60 Alkoxy group; C 6 ~ C 60 Aryloxy group; an ester group, an ether group; an amide group, an imide group; It is selected from the group consisting of, R' and R'' can combine with each other to form a spiro compound,

X1은 단일결합, O, S, CO, CR'R”, SO2로 이루어진 군에서 선택되며,X 1 is a single bond, O, S, CO, CR'R ”, SO 2 is selected from the group consisting of,

a' 및 b'은 각각 서로 독립적으로 동일하거나 상이하며, 1 내지 4의 정수 중 어느 하나로 선택되고, a' and b' are each independently the same as or different from each other, and are selected from any one of an integer of 1 to 4,

c'은 1 내지 6의 정수 중 어느 하나로 선택된다.c' is selected as any one of an integer from 1 to 6.

상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 알킬기, 사이클로알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬렌기, 아릴렌기, 알킬렌기, 플루오렌일렌기, 알켄일렌기, 에스테르기, 에테르기, 아미드기, 이미드기는 각각 중수소, 할로겐, 실란기, 실록산기, 붕소기, 시아노기, C1-C20의 알킬싸이오기, C1-C20의 알콕시기, C1-C20의 알킬기, C2-C20의 알켄일기, C2-C20의 알킨일기, C6-C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기, 플루오렌일기, C2-C20의 헤테로고리기, C3-C20의 시클로알킬기, C7-C20의 아릴알킬기, C8-C20의 아릴알켄일기, 카르보닐기, 에테르기, C2-C20의 알콕실카르보닐기, C6-C30의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있다. The aryl group, fluorenyl group, heterocyclic group, fused ring group, alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, aryloxy group, alkylene group, arylene group, alkylene group, fluorenylene group, alkenyl group Rene group, ester group, ether group, amide group, and imide group are each deuterium, halogen, silane group, siloxane group, boron group, cyano group, C 1 -C 20 alkylthio group, C 1 -C 20 alkoxy group, C 1 -C 20 Alkyl group, C 2 -C 20 alkenyl group, C 2 -C 20 alkynyl group, C 6 -C 20 aryl group, C 6 -C 20 aryl group substituted with deuterium, fluorene Diyl, C 2 -C 20 Heterocyclic group, C 3 -C 20 Cycloalkyl group, C 7 -C 20 Arylalkyl group, C 8 -C 20 Arylalkenyl group, carbonyl group, ether group, C 2 -C 20 It may be further substituted with one or more substituents selected from the group consisting of an alkoxylcarbonyl group, C 6 -C 30 aryloxy group.

여기서, 상기 아릴기인 경우 탄소수는 6~60, 바람직하게는 탄소수 6~40, 보다 바람직하게는 탄소수 6~30의 아릴기일 수 있으며, 상기 헤테로고리기인 경우 탄소수는 2~60, 바람직하게는 탄소수 2~30, 보다 바람직하게는 탄소수 2~20의 헤테로고리일 수 있으며, 상기 알킬기인 경우 탄소수는 1~50, 바람직하게는 탄소수 1~30, 보다 바람직하게는 탄소수 1~20, 특히 바람직하게는 탄소수 1~10의 알킬기일 수 있다. Here, in the case of the aryl group, it may be an aryl group having 6 to 60 carbon atoms, preferably 6 to 40 carbon atoms, more preferably 6 to 30 carbon atoms, and in the case of the heterocyclic group, 2 to 60 carbon atoms, preferably having 2 carbon atoms. ~30, more preferably may be a heterocyclic ring having 2 to 20 carbon atoms, in the case of the alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably carbon number It may be an alkyl group of 1-10.

상기 전술한 아릴기 또는 아릴렌기일 경우, 구체적으로 아릴기 또는 아릴렌기는 서로 독립적으로 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트릴기 또는 페닐렌기, 비페닐렌기, 터페닐렌기, 나프틸렌기 또는 페난트릴렌기 등일 수 있다.In the case of the above-described aryl group or arylene group, specifically, the aryl group or the arylene group is independently of each other a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a naphthyl group, a phenanthryl group or a phenylene group, a biphenylene group, a terphenylene group, a naphthyl group It may be a ren group or a phenanthrylene group.

상기 화학식 1은 화학식 3 내지 화학식 8 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Formula 1 may be represented by any one of Formulas 3 to 8.

Figure 112017118421784-pat00009
Figure 112017118421784-pat00009

상기 화학식 3 내지 화학식 8에서,In Formulas 3 to 8,

R2, R3, Ra, Rb, R, A1, Ar1, Ar2, Ar3, a, b, n은 상기 청구항 1항에 정의 된 R2, R3, Ra, Rb, R, A1, Ar1, Ar2, Ar3, a, b, n과 동일하다.R 2 , R 3 , R a , R b , R , A 1 , Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , a, b, n are R 2 , R 3 , R a , R b as defined in claim 1 above. , R, A 1 , Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , a, b, n.

보다 구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나일 수 있으며, 하기 화합물에만 한정하는 것은 아니다.More specifically, the compound represented by Formula 1 may be any one of the following compounds, but is not limited thereto.

Figure 112017118421784-pat00010
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Figure 112017118421784-pat00011
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Figure 112017118421784-pat00013
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Figure 112017118421784-pat00030
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이하에서, 본 발명에 따른 네거티브형 감광성 수지 조성물에 포함되는 화학식1로 나타내는 1종 이상의 화합물의 합성예 및 제조예에 관하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, Synthesis Examples and Preparation Examples of one or more compounds represented by Formula 1 included in the negative photosensitive resin composition according to the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is limited to the following Examples it is not

합성예, 실시예에 있어서 폴리이미드 원료의 약호를 다음과 같이 사용한다.In Synthesis Examples and Examples, the abbreviation of the polyimide raw material is used as follows.

BPDA: 3,3’,4,4’-Biphenyltetracarboxylic dianhydride BPDA: 3,3’,4,4’-Biphenyltetracarboxylic dianhydride

6FDA: 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride 6FDA: 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride

ODPA: 4,4’-Oxydiphthalic anhydrideODPA: 4,4'-Oxydiphthalic anhydride

HEA: 2-hydroxyethyl acrylateHEA: 2-hydroxyethyl acrylate

HEMA: 2-hydoxyethyl methacrylateHEMA: 2-hydoxyethyl methacrylate

GLM: Glycidyl methacrylateGLM: Glycidyl methacrylate

NMP: N-methyl-2-pyrrolidoneNMP: N-methyl-2-pyrrolidone

GBL: γ-butyloractoneGBL: γ-butyloractone

DCC: N,N'-DicyclohexylcarbodiimideDCC: N,N'-Dicyclohexylcarbodiimide

[[ 합성예Synthesis example ]]

본 발명에 따른 화합물 (final products)은 하기 반응식 1의 반응으로 합성되며, 이에 한정되는 것은 아니다.The compound (final products) according to the present invention is synthesized by the reaction of Scheme 1 below, but is not limited thereto.

Figure 112017118421784-pat00031
Figure 112017118421784-pat00031

상기 반응식 1에서 Ar1, Ar2, Ar3, R1, n, L 및 X는 상기 화학식 1에서 정의된 Ar1, Ar2, Ar3, R1, n, L 및 X와 동일하다.In Scheme 1, Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , R 1 , n, L and X are the same as Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , R 1 , n, L and X defined in Formula 1 above.

본 발명의 구체적 화합물의 합성예는 다음과 같다.Synthesis examples of specific compounds of the present invention are as follows.

1. P1-1의 1. P1-1 합성예Synthesis example

Figure 112017118421784-pat00032
Figure 112017118421784-pat00032

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 6FDA 22.21g (0.05mol), HEMA 14.31g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 과 함께 넣고, 70℃로 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가 후 얼음물로 냉각, 0℃ 에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입 후 2시간 교반한 후, 4',4'''-(6-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(([1,1'-biphenyl]-4-amine)) 28.38g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 0℃ 에서 1시간 추가 반응하고, 상온에서 8시간 반응한다. 교반 후 얻어진 용액을 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 61.6g의 powder를 얻었다.6FDA 22.21g (0.05mol), HEMA 14.31g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol) together with 30g NMP in a 250ml 3-neck flask in a nitrogen atmosphere, and heated to 70℃ The temperature was raised and stirred for 10 hours. After cooling the completely dissolved solution at room temperature, adding 25 g of NMP, cooling with ice water, adding 20.633 g (0.1 mol) of DCC at 0 ° C., and stirring for 2 hours, 4',4'''-(6-([ 1,1'-biphenyl]-4-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(([1,1'-biphenyl]-4-amine)) 28.38 g (0.05 mol) was dissolved in 25 g of NMP and slowly added, reacted for 1 hour at 0°C, and reacted at room temperature for 8 hours. After stirring, the obtained solution was slowly added dropwise to a mixture of ethanol: water = 1:1 to solidify, and then dried in a vacuum drying oven at 50° C. for one day to obtain 61.6 g of powder.

2. P1-6의 2. of P1-6 합성예Synthesis example

Figure 112017118421784-pat00033
Figure 112017118421784-pat00033

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 6FDA 22.21g (0.05mol), GLM 15.64g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 과 함께 넣고, 70℃로 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가 후 얼음물로 냉각, 0℃ 에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입 후 2시간 교반한 후, 4,4'-(6-(naphthalen-1-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(naphthalen-1-amine) 24.47g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 0℃ 에서 1시간 추가 반응하고, 상온에서 8시간 반응한다. 교반 후 얻어진 용액을 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 59.2g의 powder를 얻었다.6FDA 22.21g (0.05mol), GLM 15.64g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol) together with 30g NMP in a 250ml 3-neck flask in a nitrogen atmosphere, and heated to 70℃ The temperature was raised and stirred for 10 hours. After cooling the completely dissolved solution at room temperature, adding 25 g of NMP, cooling with ice water, adding 20.633 g (0.1 mol) of DCC at 0° C., and stirring for 2 hours, 4,4'-(6-(naphthalen-1-) yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(naphthalen-1-amine) 24.47 g (0.05 mol) was dissolved in 25 g of NMP, slowly added dropwise, reacted at 0 ° C for 1 hour, and then at room temperature reaction for 8 hours. After stirring, the obtained solution was slowly added dropwise to a mixture of ethanol: water = 1:1 to solidify, and then dried in a vacuum drying oven at 50° C. for one day to obtain 59.2 g of powder.

3. P1-29의 3. of P1-29 합성예Synthesis example

Figure 112017118421784-pat00034
Figure 112017118421784-pat00034

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 4,4'-Isopropylidenediphthalic anhydride 16.81g (0.05mol), HEA 12.77g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 과 함께 넣고, 70℃로 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가 후 얼음물로 냉각, 0℃ 에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입 후 2시간 교반한 후, 3-(4-(4-(4-(4-aminophenoxy)phenyl)-6-(4-phenoxyphenyl)-1,3,5-triazin-2-yl)phenoxy)aniline 29.48g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 0℃ 에서 1시간 추가 반응하고, 상온에서 8시간 반응한다. 교반 후 얻어진 용액을 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 56.1g의 powder를 얻었다.4,4'-Isopropylidenediphthalic anhydride 16.81g (0.05mol), HEA 12.77g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol) in a 250ml 3-neck flask in a nitrogen atmosphere with 30g NMP Put together, the temperature was raised to 70 ℃ and stirred for 10 hours. After cooling the completely dissolved solution at room temperature, adding 25 g of NMP, cooling with ice water, adding 20.633 g (0.1 mol) of DCC at 0 ° C., and stirring for 2 hours, 3-(4-(4-(4-(4) -aminophenoxy)phenyl)-6-(4-phenoxyphenyl)-1,3,5-triazin-2-yl)phenoxy)aniline 29.48g (0.05mol) was dissolved in 25g of NMP and slowly added dropwise at 0℃ for 1 hour and reacted at room temperature for 8 hours. After stirring, the obtained solution was slowly added dropwise to a mixture of ethanol:water = 1:1 to solidify, and then dried in a vacuum drying oven at 50° C. for one day to obtain 56.1 g of powder.

4. P1-38의 4. of P1-38 합성예Synthesis example

Figure 112017118421784-pat00035
Figure 112017118421784-pat00035

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 4,4'-Isopropylidenediphthalic anhydride 16.81g (0.05mol), HEMA 14.31g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 과 함께 넣고, 70℃로 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가한 후 얼음물로 냉각, 0℃ 에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입 후 2시간 교반한 후, 4',4'''-(6-(2,2'-bis(trifluoromethyl)-[1,1'-biphenyl]-4-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(2,2'-bis(trifluoromethyl)-[1,1'-biphenyl]-4-amine) 48.78g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 0℃ 에서 1시간 추가 반응하고, 상온에서 8시간 반응한다. 교반 후 얻어진 용액을 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 75.9g의 powder를 얻었다.4,4'-Isopropylidenediphthalic anhydride 16.81g (0.05mol), HEMA 14.31g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol) in a 250ml 3-neck flask in a nitrogen atmosphere with 30g NMP Put together, the temperature was raised to 70 ℃ and stirred for 10 hours. After cooling the completely dissolved solution at room temperature, adding 25 g of NMP, cooling with ice water, adding 20.633 g (0.1 mol) of DCC at 0 ° C., and stirring for 2 hours, 4',4'''-(6-( 2,2'-bis(trifluoromethyl)-[1,1'-biphenyl]-4-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(2,2'-bis(trifluoromethyl)- [1,1'-biphenyl]-4-amine) 48.78 g (0.05 mol) was dissolved in 25 g of NMP, slowly added dropwise, reacted for 1 hour at 0° C., and reacted at room temperature for 8 hours. After stirring, the obtained solution was slowly added dropwise to a mixture of ethanol: water = 1:1 to solidify, and then dried in a vacuum drying oven at 50° C. for one day to obtain 75.9 g of powder.

5. P1-54의 5. of P1-54 합성예Synthesis example

Figure 112017118421784-pat00036
Figure 112017118421784-pat00036

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 5,5'-thiobis(isobenzofuran-1,3-dione) 16.31g (0.05mol), HEMA 14.31g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 과함께 넣고, 70℃ 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가한 후 얼음물로 냉각, 0℃ 에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입 후 2시간 교반한 후, 4,4'-(((6-(4-(phenylthio)phenyl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(sulfanediyl))dianiline 33.19g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 0℃ 에서 1시간 추가 반응하고, 상온에서 8시간 반응한다. 교반 후 얻어진 용액을 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 60.6g의 powder를 얻었다.5,5'-thiobis(isobenzofuran-1,3-dione) 16.31g (0.05mol), HEMA 14.31g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g in a 250ml 3-neck flask in a nitrogen atmosphere (0.002 mol) was added together with 30 g of NMP, and the temperature was raised to 70° C. and stirred for 10 hours. After cooling the completely dissolved solution at room temperature, adding 25 g of NMP, cooling with ice water, adding 20.633 g (0.1 mol) of DCC at 0 ° C., and stirring for 2 hours, 4,4'-(((6-(4) -(phenylthio)phenyl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(sulfanediyl))dianiline 33.19g (0.05mol) dissolved in 25g NMP and slowly added and reacted for 1 hour at 0°C, and reacted for 8 hours at room temperature. After stirring, the obtained solution was slowly added dropwise to a mixture of ethanol: water = 1:1 to solidify, and then dried in a vacuum drying oven at 50° C. for one day to obtain 60.6 g of powder.

6. P1-80 6. P1-80 합성예Synthesis example

Figure 112017118421784-pat00037
Figure 112017118421784-pat00037

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 ODPA 15.51g (0.05mol), GLM 15.64g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 과 함께 넣고, 70℃ 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가한 후 얼음물로 냉각, 0℃ 에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입 후 2시간 교반한 후, 3,3'-(((6-(4-benzylphenyl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(methylene))dianiline 30.48g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 0℃ 에서 1시간 추가 반응하고, 상온에서 8시간 반응한다. 교반 후 얻어진 용액을 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 58.5g의 powder를 얻었다.ODPA 15.51g (0.05mol), GLM 15.64g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol) together with 30g NMP in a 250ml 3-neck flask in a nitrogen atmosphere, and the temperature was raised to 70℃ and stirred for 10 hours. After cooling the completely dissolved solution at room temperature, adding 25 g of NMP, cooling with ice water, adding 20.633 g (0.1 mol) of DCC at 0 ° C., and stirring for 2 hours, 3,3'-(((6-(4) -benzylphenyl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(methylene))dianiline 30.48g (0.05mol) was dissolved in 25g of NMP and slowly added to 0℃ 1 hour additional reaction at room temperature and 8 hours at room temperature. After stirring, the obtained solution was slowly added dropwise to a mixture of ethanol:water = 1:1 to solidify, and then dried in a vacuum drying oven at 50° C. for one day to obtain 58.5 g of powder.

7. P1-90 7. P1-90 합성예Synthesis example

Figure 112017118421784-pat00038
Figure 112017118421784-pat00038

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 BPDA 14.71g (0.05mol), HEMA 14.31g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol)을 NMP 30g 과 함께 넣고, 70℃ 승온시켜서 10시간동안 교반한다. 완전히 용해된 용액을 상온에서 식히고, NMP 25g을 추가한 후 얼음물로 냉각, 0℃ 에서 DCC 20.633g (0.1mol) 을 투입 후 2시간 교반한 후 3',3'''-(6-([1,1'-biphenyl]-3-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(([1,1'-biphenyl]-4-amine)) 28.38g (0.05mol)을 NMP 25g에 용해시켜 천천히 적제하여 0℃ 에서 1시간 추가 반응하고, 상온에서 8시간 반응한다. 교반 후 얻어진 용액을 에탄올: 물 = 1:1 혼합액에 천천히 적제하여 고형화시킨 뒤, 50℃ 진공 건조 오븐에서 하루 동안 건조시켜 54.5g의 powder를 얻었다.BPDA 14.71g (0.05mol), HEMA 14.31g (0.11mol), pyridine 17.40g (0.22mol), hydroquinone 0.2g (0.002mol) together with 30g NMP in a 250ml 3-neck flask in a nitrogen atmosphere, and the temperature was raised to 70℃ and stirred for 10 hours. After cooling the completely dissolved solution at room temperature, adding 25 g of NMP, cooling with ice water, adding 20.633 g (0.1 mol) of DCC at 0° C., and stirring for 2 hours, 3',3'''-(6-([ 1,1'-biphenyl]-3-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(([1,1'-biphenyl]-4-amine)) 28.38 g (0.05 mol) was dissolved in 25 g of NMP and slowly added, reacted for 1 hour at 0°C, and reacted at room temperature for 8 hours. After stirring, the obtained solution was slowly added dropwise to a mixture of ethanol: water = 1:1 to solidify, and then dried in a vacuum drying oven at 50° C. for one day to obtain 54.5 g of powder.

[[ 비교예comparative example ]]

비교예의 화합물은 하기 반응식으로 합성된다.The compound of Comparative Example is synthesized by the following reaction scheme.

1. One. 비교예comparative example 1 One

Figure 112017118421784-pat00039
Figure 112017118421784-pat00039

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 ODA 10g (0.05mol) 를 NMP 20g을 넣어 상온에서 완전히 용해시킨다. 용해된 용액을 얼음물로 냉각 후, 0℃에서 bis(4-aminophenyl)methanone 10.61g (0.05mol) 을 서서히 투입 후 추가 NMP 28g을 넣고 3시간 교반한다. 상기 혼합 용액에 NMP 34.4g을 추가 투입 후 상온에서 10시간 추가 교반 후 최종 점도가 100~10,000cps (25℃에서 측정)인 바니시를 103g을 얻었다.Put ODA 10g (0.05mol) in a 250ml three-necked flask in a nitrogen atmosphere and NMP 20g to completely dissolve it at room temperature. After cooling the dissolved solution with ice water, 10.61 g (0.05 mol) of bis(4-aminophenyl)methanone was slowly added at 0° C., and 28 g of additional NMP was added thereto, followed by stirring for 3 hours. After adding 34.4 g of NMP to the mixed solution, and after additional stirring at room temperature for 10 hours, 103 g of a varnish having a final viscosity of 100 to 10,000 cps (measured at 25° C.) was obtained.

2. 2. 비교예comparative example 2 2

Figure 112017118421784-pat00040
Figure 112017118421784-pat00040

질소 분위기 내에서 250ml 3구 플라스크에 benzidine 9.21g (0.05mol) 를 NMP 25g을 넣어 상온에서 완전히 용해시킨다. 용해된 용액을 얼음물로 냉각 후, 0℃에서 BPDA 14.7g (0.05mol) 을 서서히 투입 후 추가 NMP 30.79g을 넣고 3시간 교반한다. 상기 혼합 용액에 NMP 39g을 추가 투입 후 상온에서 10시간 추가 교반 후 최종 점도가 100~10,000cps (25℃에서 측정)인 바니시를 119.5g을 얻었다.Put 9.21 g (0.05 mol) of benzidine in a 250 ml 3-neck flask in a nitrogen atmosphere and 25 g of NMP to completely dissolve it at room temperature. After cooling the dissolved solution with ice water, 14.7 g (0.05 mol) of BPDA was slowly added at 0° C., then 30.79 g of NMP was added and stirred for 3 hours. After adding 39 g of NMP to the mixed solution, and after stirring at room temperature for 10 hours, 119.5 g of a varnish having a final viscosity of 100 to 10,000 cps (measured at 25° C.) was obtained.

감광성 수지 조성물photosensitive resin composition

한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 전술한 화학식 1등으로 표시되는 1종 이상의 고분자 물질(또는 고분자 화합물)을 포함한 고분자 수지; 아크릴 바인더(또는 아크릴 수지); 광가교제; 유기용매; 증감제; 및 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조정물이 제공될 수 있다. 이때 감광성 수지 조성물은 네거티브 감광성 수지 조성물로 사용되는 감광성 수지 조성물일 수 있다.On the other hand, according to another embodiment of the invention, a polymer resin including at least one polymer material (or polymer compound) represented by the above formula (1); acrylic binder (or acrylic resin); photocrosslinking agent; organic solvents; sensitizer; and a photosensitive resin preparation comprising a photopolymerization initiator. In this case, the photosensitive resin composition may be a photosensitive resin composition used as a negative photosensitive resin composition.

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 1의 반복 단위 0.1 내지 50 mol%을 포함할 수 있으며, 중량 평균 분자량이 5,000 내지 200,000일 수 있다. The negative photosensitive resin composition of the present invention may include 0.1 to 50 mol% of the repeating unit of Formula 1, and may have a weight average molecular weight of 5,000 to 200,000.

상기 네거티브형 감광성 수지의 반복 단위 및 중량 평균 분자량이 상기 범위 내 일 경우 차광 층 제조 시 잔사 없이 패턴 형성이 잘되며, 현상 시 막 두께의 손실이 없고, 양호한 패턴을 얻을 수 있다. 상기 네거티브형 감광성 수지는 상기 감광성 수지 조성물 총량에 대하여 1 내지 30 중량%, 더 바람직하게는 3 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 수지가 상기 범위 내로 포함되는 경우 우수한 감도, 현상성 및 부착성 또는 밀착성을 얻을 수 있다.When the repeating unit and the weight average molecular weight of the negative photosensitive resin are within the above ranges, a pattern can be formed without a residue when the light blocking layer is manufactured, there is no loss of film thickness during development, and a good pattern can be obtained. The negative photosensitive resin may be included in an amount of 1 to 30 wt%, more preferably 3 to 20 wt%, based on the total amount of the photosensitive resin composition. When the resin is included within the above range, excellent sensitivity, developability, and adhesion or adhesion may be obtained.

전술한 감광성 수지 조성물에 포함되는 아크릴 바인더, 광가교제, 증감제 및 광중합 개시제 등의 구성은 하기와 같을 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The composition of the acrylic binder, the photocrosslinking agent, the sensitizer and the photopolymerization initiator included in the above-described photosensitive resin composition may be as follows, but the present invention is not limited thereto.

(A) 아크릴 바인더(Acrylbinder)(A) Acrylbinder

조성물을 알칼리 현상용으로 사용할 경우, 알칼리 현상액에서의 패턴 가공 성능을 향상시키며 부족한 현상성을 보완하기 위해, 카르복실기 구조를 가지는 다른 폴리머를 혼합하여 사용할 수 있으며 이는 아크릴레이트 수지에 한정되지 않는다. 아크릴레이트 수지의 카르복실기 농도는 구조 단위에 대하여 30~130몰%인 것이 바람직하며 이보다 작을 경우 알칼리 현상액으로서의 용해성이 거의 없고 이보다 크면 현상시의 막 두께가 커지므로 주의가 필요하다. When the composition is used for alkali development, other polymers having a carboxyl group structure may be mixed and used to improve pattern processing performance in an alkaline developer and to compensate for insufficient developability, but is not limited to acrylate resins. The carboxyl group concentration of the acrylate resin is preferably 30 to 130 mol% with respect to the structural unit. If it is less than this, it has little solubility as an alkali developer, and if it is greater than this, the film thickness during development increases, so caution is required.

A-1: 비 반응성 아크릴레이트 수지 (Acid value: 110, Mw: 11000)A-1: Non-reactive acrylate resin (Acid value: 110, Mw: 11000)

(B) 광가교제(B) Photocrosslinking agent

광가교제는 열이나 산의 작용에 의해 수지 등의 배합 조성물이나 다른 가교제 분자와의 결합을 형성하는 화합물이다. 구체적인 예로서는 다관능 메타아크릴레이트 화합물, 에폭시 화합물, 하이드록시메틸기 치환페놀 화합물, 알콕시 알킬화된 아미노기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서 메타아크릴레이트 화합물을 갖는 화합물이 바람직하다. 또한 이들 가교제는 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 광가교제의 함유 비율은 감광성 수지 조성물에 의해 형성되는 막이 충분히 경화되는 양이 되도록 적절히 사용된다.A photocrosslinking agent is a compound that forms a bond with a compounding composition such as a resin or other crosslinking agent molecules by the action of heat or acid. Specific examples include a polyfunctional methacrylate compound, an epoxy compound, a hydroxymethyl group-substituted phenol compound, and a compound having an alkoxyalkylated amino group. Among these, the compound which has a methacrylate compound is preferable. Moreover, these crosslinking agents can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. The content ratio of the photocrosslinking agent is appropriately used so that the film formed of the photosensitive resin composition is sufficiently cured.

M-1: Dipentaerythritol Hexaacrylate (디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트)M-1: Dipentaerythritol Hexaacrylate

Figure 112017118421784-pat00041
Figure 112017118421784-pat00041

(C) 광개시제, 증감제(C) photoinitiators, sensitizers

현상 후의 패턴에 있어서 높은 감도, 높은 해상도를 얻기 위하여, 광개시제, 증감제(또는 광증감제)를 함유하는 것이 바람직하고 이를, 두 가지 이상을 사용하는 등 방법은 한정되지 않는다.In order to obtain high sensitivity and high resolution in the pattern after development, it is preferable to contain a photoinitiator and a sensitizer (or a photosensitizer), and the method is not limited, such as using two or more of them.

I-1: 1-[4-(phenylthio)phenyl]-2-(O-benzoyloxime)-1,2-octanedioneI-1: 1-[4-(phenylthio)phenyl]-2-( O -benzoyloxime)-1,2-octanedione

Figure 112017118421784-pat00042
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E-1: benzanthrone (벤즈 안트론)E-1: benzanthrone

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(D) 기타 첨가제(D) other additives

본 발명의 조성물의 도막 또는 가열 처리 후의 폴리이미드 피막과 지지체와의 접착성을 향상시키기 위해 적당한 접착조제를 첨가하여 사용할 수 있다. 접착조제로서는 아미노프로필에톡시실란, 글리시독시 프로필트리메톡시실란, 옥시 프로필트리메톡시실란 등의 유기 규소 화합물을 주로 사용하며, 이외 알루미늄 킬레이트 화합물 혹은 티타늄 킬레이트 화합물 등을 사용할 수 있으며 접착조제의 양은 폴리머에 따라 0.01 ~20 wt. % 첨가하는 것이 바람직하다. 추가적으로 조성물에는 도포성, 소포성, 레벨링성 등의 여러 특성을 향상시킬 목적으로 계면 활성제를 함유시킬 수 있다. 계면 활성제의 종류로는 불소계나 실리콘계를 사용할 수 있으며, 두 가지 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.In order to improve the adhesion between the coating film of the composition of the present invention or the polyimide film after heat treatment and the support, an appropriate adhesion aid may be added and used. As an adhesion aid, organosilicon compounds such as aminopropylethoxysilane, glycidoxypropyltrimethoxysilane, and oxypropyltrimethoxysilane are mainly used. In addition, aluminum chelate compounds or titanium chelate compounds can be used. The amount varies from 0.01 to 20 wt. % is preferably added. Additionally, the composition may contain a surfactant for the purpose of improving various properties such as applicability, defoaming property, and leveling property. As the type of surfactant, fluorine-based or silicone-based surfactants may be used, and two or more types of surfactants may be mixed and used.

(E) 용매(E) solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 점도나 보존 안정성을 조절하기 위해, 필요에 따라 유기계의 용제를 함유시킬 수 있다. 함유시킬 수 있는 용제의 종류는 특별히 한정되지 않지만 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, 디메틸설폭사이드 등은 비양자성 용제가 일부 사용된다.The photosensitive resin composition of this invention can be made to contain the organic solvent as needed in order to adjust a viscosity and storage stability. The type of solvent that can be contained is not particularly limited, but N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, dimethyl sulfoxide, etc. Some magnetic solvents are used.

또한, 상기 용매 대신에 또는 상기 용매와 함께 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트등의 유기 용제를 함유함으로써 코팅성을 향상시킬 수 있다.In addition, by containing an organic solvent such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate instead of or together with the solvent, coating properties can be improved. can

이들 용제는 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 용제는 통상적으로 함유 비율이 1 내지 80질량%가 되도록 사용된다.These solvents can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Moreover, a solvent is used normally so that a content rate may become 1-80 mass %.

S-1: PGMEA (프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)S-1: PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate)

S-2: NMP (N-메틸-2-피롤리돈)S-2: NMP (N-methyl-2-pyrrolidone)

한편, 상기 감광성 수지 조성물은 열가교제, 경화 촉진제, 인계 난연제, 소포제, 레벨링제, 겔 방지제 또는 이들의 혼합물을 더 포함할 수 있다. 이러한 첨가제로는 감광성 수지 조성물에 사용될 수 있는 것으로 알려진 것이면 별 다른 제한 없이 사용할 수 있으며, 제조되는 감광성 수지 조성물 또는 이로부터 얻어지는 필름의 물성 등을 고려하여 적절한 양으로 사용할 수 있다.Meanwhile, the photosensitive resin composition may further include a thermal crosslinking agent, a curing accelerator, a phosphorus-based flame retardant, an antifoaming agent, a leveling agent, an anti-gelling agent, or a mixture thereof. Such additives may be used without particular limitation as long as they are known to be usable in the photosensitive resin composition, and may be used in an appropriate amount in consideration of the physical properties of the photosensitive resin composition to be prepared or a film obtained therefrom.

감광성 수지 조성물의 제조평가Production evaluation of photosensitive resin composition

실시예1~5: 합성예1~5를 통하여 제조한 폴리이미드 전구체를 아크릴수지, 가교제, 광개시제, 증감제, 용매를 하기 표1의 비율에 따라 혼합하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다. 기타 첨가제인 접착제 및 계면활성제의 양은 질량 %기준 0.001~ 1% 내외로 혼합하였다.Examples 1-5: A photosensitive resin composition was prepared by mixing the polyimide precursor prepared in Synthesis Examples 1-5 with an acrylic resin, a crosslinking agent, a photoinitiator, a sensitizer, and a solvent according to the ratios shown in Table 1 below. Adhesives and surfactants, which are other additives, were mixed in an amount of 0.001 to 1% based on mass%.

비교예1~2: 상기 합성예6~7에서 합성한 폴리이미드 전구체를 표1의 비율에 따라 혼합 감광성 수지 조성물을 제조하였으며 기타 첨가제의 비율은 실시예와 동일하게 혼합하였다.Comparative Examples 1-2: A photosensitive resin composition was prepared by mixing the polyimide precursor synthesized in Synthesis Examples 6 to 7 according to the ratio in Table 1, and the ratio of other additives was mixed in the same manner as in Examples.

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상기 표 1의 투입량은 질량% 기준이며 감광성 수지 조성물의 물성을 아래와 같은 방법으로 물성을 평가한 후, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The input amount in Table 1 is based on mass%, and after evaluating the physical properties of the photosensitive resin composition in the following manner, the results are shown in Table 2 below.

1. 해상력 평가1. Resolution evaluation

100*100mm 유리가판에 상기 실시예 및 비교예에서 제조된 감광성 수지 조성물을 스핀 코팅하고, Hot plate상에서 100℃에서 60초간 가열하여 10㎛ 두께의 감광성 수지층을 형성하였다. 감광성 수지층이 코팅된 유리기판을 포토마스크에 진공 밀착 시킨 후, i-line 노광기를 사용하여 30mJ/cm2 ~ 150mJ/cm2까지 각각 노광 하였다. 노광 완료 후, 2.38wt% 수산화테트라메틸암모늄 수용액에 23℃에서 60초간 현상하고, DI-water로 30초간 세정하여 노광부가 선명하게 남아있는 패턴을 얻었다. 이후, 베이킹 오븐을 이용하여 230℃에서 60분간 최종 열처리하여 패터닝 공정을 완료하였다. 열처리가 완료된 패턴은 SEM 분석을 통하여 각 실시예와 비교예의 해상력을 측정하였다..The photosensitive resin composition prepared in Examples and Comparative Examples was spin-coated on a 100*100 mm glass plate, and heated at 100° C. for 60 seconds on a hot plate to form a photosensitive resin layer with a thickness of 10 μm. The glass substrate coated with the photosensitive resin layer was vacuum-adhered to the photomask, and then exposed to 30 mJ/cm 2 to 150 mJ/cm 2 using an i-line exposure machine. After the exposure was completed, it was developed in a 2.38 wt% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 23° C. for 60 seconds, and washed with DI-water for 30 seconds to obtain a pattern in which the exposed part remained clearly. Thereafter, a final heat treatment was performed at 230° C. for 60 minutes using a baking oven to complete the patterning process. For the pattern on which the heat treatment was completed, the resolution of each Example and Comparative Example was measured through SEM analysis.

2. 2. 잔막률remaining film rate 평가 evaluation

유리기판에 감광성 수지조성물을 코팅하고 노광 및 열처리하는 방법은 상기 해상력 평가와 동일하고, 최종 열처리 공정을 거치지 않은 패턴과 최종 열처리 공정을 거친 패턴의 두께를 SEM 분석, 비교하여 잔막률을 평가하였다..The method of coating the photosensitive resin composition on a glass substrate, exposure and heat treatment is the same as the above resolution evaluation, and the thickness of the pattern that has not undergone the final heat treatment process and the thickness of the pattern that has undergone the final heat treatment process is analyzed and compared to evaluate the remaining film rate. .

잔막률 = 최종 열처리 전 패턴의 두께 / 최종 열처리 후 패턴의 두께 X 100Remaining film rate = thickness of pattern before final heat treatment / thickness of pattern after final heat treatment X 100

각각의 평가 결과는 다음 표2와 같다.Each evaluation result is shown in Table 2 below.

Figure 112017118421784-pat00045
Figure 112017118421784-pat00045

해상력 평가에서 실시예1은 30mJ/cm2 에서 패턴이 모두 떨어졌고 50, 80mJ/cm2 에서 10㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성되었다. 100, 120mJ/cm2 에서 5㎛를 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성되었으며, 150mJ/cm2 에서 5㎛를 포함한 그 이하 크기의 패턴에서 패턴끼리 서로 연결되어 엉겨 붙는 결과를 확인 하였고 그 보다 큰 크기의 패턴이 형성된 것을 확인하였다.Example 1 in the resolution evaluation is 30mJ/cm 2 All of the patterns were dropped from the , and a pattern with a size larger than 10 μm was formed at 50 and 80 mJ/cm 2 . Patterns of sizes larger than 100 and 120 mJ/cm 2 including 5 μm were formed, and patterns with sizes smaller than 150 mJ/cm 2 and 5 μm were connected to each other and entangled. It was confirmed that the pattern of

실시예2는 30mJ/cm2 에서 패턴이 모두 떨어졌고 50, 80, 100mJ/cm2 에서 5㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성되었다. 120, 150mJ/cm2 에서 10㎛를 포함한 그 이하 크기의 패턴에서 패턴끼리 서로 연결되어 엉겨 붙는 결과를 확인하였고 그 보다 큰 크기의 패턴이 형성된 것을 확인하였다.Example 2 is 30mJ/cm 2 The patterns all dropped at 50, 80, and 100 mJ/cm 2 A pattern larger than that including a 5 μm pattern was formed. 120, 150 mJ/cm 2 In the patterns of sizes smaller than 10 μm, it was confirmed that the patterns were connected to each other and entangled, and it was confirmed that a larger size pattern was formed.

실시예3은 30~80mJ/cm2 에서 5㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성되었다. 100mJ/cm2 에서 10㎛를 포함한 그 이하의 패턴에서 120, 150mJ/cm2 에서 15㎛를 포함한 그 이하 크기의 패턴에서 패턴끼리 서로 연결되어 엉겨 붙는 결과를 확인하였고 그 보다 큰 크기의 패턴이 형성된 것을 확인하였다.Example 3 is 30-80mJ/cm 2 A pattern larger than that including a 5 μm pattern was formed. 120 , 150mJ/cm2 for patterns of 100mJ /cm2 to 10㎛ and smaller In the patterns with a size smaller than 15 μm, it was confirmed that the patterns were connected to each other and entangled, and it was confirmed that a larger size pattern was formed.

실시예4는 50~100mJ/cm2 에서 5㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성되었다. 120, 150mJ/cm2 에서 10㎛를 포함한 그 이하 크기의 패턴에서 패턴끼리 서로 연결되어 엉겨 붙는 결과를 확인하였으며, 그 보다 큰 크기의 패턴이 형성된 것을 확인하였다.Example 4 is 50-100 mJ/cm 2 A pattern larger than that including a 5 μm pattern was formed. 120, 150 mJ/cm 2 It was confirmed that the patterns of sizes smaller than 10 μm were connected to each other and entangled, and it was confirmed that a larger size pattern was formed.

실시예5는 30, 50, 80, 100mJ/cm2 에서 5㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성되었다. 120, 150mJ/cm2 에서 10㎛를 포함한 그 이하 크기의 패턴에서 패턴끼리 서로 연결되어 엉겨 붙는 결과를 확인하였고 그 보다 큰 크기의 패턴이 형성된 것을 확인하였다.Example 5 is 30, 50, 80, 100mJ / cm 2 A pattern larger than that including a 5 μm pattern was formed. 120, 150 mJ/cm 2 In the patterns of sizes smaller than 10 μm, it was confirmed that the patterns were connected to each other and entangled, and it was confirmed that a larger size pattern was formed.

비교예1은 120mJ/cm2 이상에서 20㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성되었으며, 그 이하의 광량에서는 패턴이 떨어졌다.Comparative Example 1 is 120mJ/cm 2 In the above, a pattern having a size larger than that including a 20 μm pattern was formed, and the pattern fell at a light quantity of less than that.

비교예2는 150mJ/cm2 이상에서 20㎛패턴을 포함한 그 이상 크기의 패턴이 형성되었으며, 그 이하의 광량에서는 패턴이 떨어졌다.Comparative Example 2 is 150mJ/cm 2 In the above, a pattern having a size larger than that including a 20 μm pattern was formed, and the pattern fell at a light quantity of less than that.

잔막률 평가에서 실시예1,2는 82~85%의 잔막률을 확인하였고, 실시예3,4,5의 잔막률은 90~93%로 확인되었다. 이는 실시예1,2의 경우 최종 열처리 시 분자간의 낮은 입체장애 효과로 분자간의 거리가 실시예3,4,5에 비하여 더 가까워졌기 때문이다.In the evaluation of the remaining film rate, Examples 1 and 2 confirmed a remaining film rate of 82 to 85%, and Examples 3, 4 and 5 had a remaining film rate of 90 to 93%. This is because in the case of Examples 1 and 2, the distance between molecules became closer than in Examples 3, 4 and 5 due to the low steric hindrance effect between molecules during the final heat treatment.

비교예1,2는 관능기가 포함되어 있지 않아 분자간의 낮은 입체장애 효과로 최종 열처리 후 막의 두께가 감소된 것을 확인하였다..Comparative Examples 1 and 2 did not contain a functional group, so it was confirmed that the thickness of the film was reduced after the final heat treatment due to the low steric hindrance effect between molecules.

본 발명은 저광량에서 고해상도 패터닝이 가능한 네거티브 감광성 수지 조성물로 고감도이고 경화막 특성이 뛰어나다.The present invention is a negative photosensitive resin composition capable of high-resolution patterning at low light intensity, and has high sensitivity and excellent cured film properties.

유기절연막 및 전자장치Organic Insulation Film and Electronic Devices

한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 전술한 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 유기절연막을 제공한다. 구체적으로, 이 유기절연막은 전술한 감광성 수지 조성물이 건조되어 얻어진 유기절연막 또는 감광성 수지 조성물이 광경화되거나 열경화물된 유기절연막을 의미한다.Meanwhile, according to another embodiment of the present invention, there is provided an organic insulating film including a cured product of the above-described photosensitive resin composition. Specifically, the organic insulating film means an organic insulating film obtained by drying the above-described photosensitive resin composition or an organic insulating film obtained by photocuring or thermosetting the photosensitive resin composition.

전술한 유기절연막은 지지체 상에 감광성 수지 조성물을 공지의 방법으로 도포하고 건조하는 것에 의해 제조할 수 있다. 상기 지지체는 감광성 수지 조성물층을 박리할 수 있고, 또한 광의 투과성이 양호한 것이 바람직하다. 또한, 표면의 평활성이 양호한 것이 바람직하다.The above-described organic insulating film can be prepared by coating the photosensitive resin composition on a support by a known method and drying. It is preferable that the said support body can peel the photosensitive resin composition layer, and the thing with the good transmittance|permeability of light. Moreover, it is preferable that the smoothness of the surface is favorable.

상기 지지체의 구체적인 예로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 3초산 셀룰로오스, 2초산 셀룰로오스, 폴리(메타)아크릴산 알킬에스테르, 폴리(메타)아크릴산 에스테르공중합체, 폴리염화비닐, 폴리비닐알콜, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 셀로판, 폴리염화비닐리덴 공중합체, 폴리아미드, 폴리이미드, 염화비닐-초산비닐 공중합체, 폴리테트라플루오로에틸렌, 및 폴리트리플루오로에틸렌 등의 각종의 플라스틱 필름을 들 수 있다. 또한 이들의 2종 이상으로 이루어지는 복합재료도 사용할 수 있으며, 광투과성이 우수한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 특히 바람직하다. 상기 지지체의 두께는 5 내지 150㎛이고 더 구체적으로 10 내지 50㎛일 수 있다. As specific examples of the support, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, polyethylene, cellulose triacetate, cellulose diacetate, poly(meth)acrylic acid alkyl ester, poly(meth)acrylic acid ester copolymer, polyvinyl chloride, poly Various plastic films such as vinyl alcohol, polycarbonate, polystyrene, cellophane, polyvinylidene chloride copolymer, polyamide, polyimide, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polytetrafluoroethylene, and polytrifluoroethylene can be heard In addition, a composite material composed of two or more thereof can be used, and a polyethylene terephthalate film having excellent light transmittance is particularly preferable. The thickness of the support may be 5 to 150 μm, and more specifically, 10 to 50 μm.

상기 감광성 수지 조성물의 도포방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 스프레이법, 롤코팅법, 회전도포법, 슬릿코팅법, 압출코팅법, 커튼코팅법, 다이코팅법, 와이어바코팅법 또는 나이프코팅법 등의 방법을 사용할 수 있다. 상기 감광성 수지 조성물의 건조는 각 구성 성분이나 유기 용매의 종류, 및 함량비에 따라 다르지만 60 내지 100 ℃에서 30초 내지 15분간 수행할 수 있다. The coating method of the photosensitive resin composition is not particularly limited, and for example, a spray method, a roll coating method, a rotation coating method, a slit coating method, an extrusion coating method, a curtain coating method, a die coating method, a wire bar coating method or a knife A method such as a coating method can be used. The drying of the photosensitive resin composition may be performed at 60 to 100° C. for 30 seconds to 15 minutes, although it varies depending on the type and content ratio of each component or organic solvent.

건조 및 경화 후의 유기절연막의 두께가 5 내지 95 ㎛이고, 더욱 구체적으로 10 내지 50 ㎛이다. The thickness of the organic insulating film after drying and curing is 5 to 95 μm, more specifically, 10 to 50 μm.

이때 유기절연막은 표시장치용 기판의 베이스 필름, 표시장치용 기판의 절연층, 표시패널용 층간 절연막, 표시패널용 화소정의막 또는 뱅크층, 표시패널용 솔더 레지스터, 표시패널용 블랙 매트릭스, 표시패널용 컬러필터 기판, 회로 기판용 보호 필름, 회로 기판의 베이스 필름, 회로 기판의 절연층, 반도체의 층간 절연막 또는 솔더 레지스트 중 하나로 사용될 수 있다. In this case, the organic insulating film is a base film of a substrate for a display device, an insulating layer of a substrate for a display device, an interlayer insulating film for a display panel, a pixel defining film or bank layer for a display panel, a solder resistor for a display panel, a black matrix for a display panel, a display panel It can be used as one of a color filter substrate for a circuit board, a protective film for a circuit board, a base film for a circuit board, an insulating layer for a circuit board, an interlayer insulating film for a semiconductor, or a solder resist.

한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 전술한 유기절연막을 포함하는 디스플레이장치 및 디스플레이장치를 구동하는 제어부를 포함하는 전자장치를 제공한다. 전술한 디스플레이장치는 액정 디스플레이 장치 또는 유기전기소자를 포함하는 디스플레이 장치일 수 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 또한, 전술한 유기절연막은 표시패널용 블랙 매트릭스로 사용되는 것을 예시적으로 설명하나 본 발명이 이에 국한되는 것은 아니다.Meanwhile, according to another embodiment of the present invention, there is provided an electronic device including a display device including the above-described organic insulating film and a control unit for driving the display device. The above-described display device may be a liquid crystal display device or a display device including an organic electric device, but the present invention is not limited thereto. In addition, although the above-described organic insulating layer is used as a black matrix for a display panel by way of example, the present invention is not limited thereto.

상기 유기절연막을 표시패널의 형성 면 위에 평면 압착 또는 롤 압착 등의 방법으로 20 내지 50 ℃의 온도에서 프리-라미네이션(pre-lamination)한 후, 60 내지 90℃에서 진공 라미네이션(vacumn lamination) 하여 감광성 피막을 형성할 수 있다. After pre-lamination of the organic insulating film at a temperature of 20 to 50°C by a method such as flat pressing or roll pressing on the forming surface of the display panel, vacuum lamination at 60 to 90°C to achieve photosensitivity A film can be formed.

또한, 상기 유기절연막은 미세 구성이나 미세 폭 라인을 형성하기 위하여 포토마스크를 이용하여 노광함으로서 패턴의 형성이 가능하다. 노광량은 UV 노광에 사용되는 광원의 종류과 필름 막의 두께에 따라 적절히 조절될 수 있으며, 예를 들어 100 내지 1200 m/㎠일 수 있고 더 구체적으로, 100 내지 500 m/㎠일 수 있으나 이에 제한되지 않는.In addition, the organic insulating layer is exposed to light using a photomask to form a fine structure or a fine width line to form a pattern. The exposure amount may be appropriately adjusted according to the type of light source used for UV exposure and the thickness of the film film, for example, 100 to 1200 m/cm 2 and more specifically, 100 to 500 m/cm 2 , but not limited thereto .

사용 가능한 활성 광선으로는 전자선, 자외선, X-ray 등이 있으며, 바람직하게는 자외선을 사용할 수 있다. 그리고, 사용 가능한 광원으로는 고압 수은등, 저압 수은등 또는 할로겐 램프 등을 광원으로 사용할 수 있다.Active rays that can be used include electron beams, ultraviolet rays, X-rays, and the like, and preferably ultraviolet rays. In addition, as a usable light source, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, or a halogen lamp may be used as the light source.

노광 후 현상시에는 일반적으로 스프레이법을 사용하게 되며, 상기 감광성 수지 조성물은 탄산나트륨 수용액 등의 알칼리 수용액을 사용하여 현상하고, 물로 세척하게 된다. 그 후, 가열 처리 과정을 통하여 현상에 의해 얻어진 패턴에 따라 폴리아믹산이 폴리이미드로 변하게 되면, 가열 처리 온도는 이미드화에 필요한 100 내지 250℃일 수 있다. 이때 가열 온도는 적절한 온도 프로파일을 가지고 2 내지 4단계에 걸쳐 연속적으로 승온하는 것이 효과적이나, 경우에 따라 일정한 온도에서 경화할 수도 있다. 상술한 단계를 통하여 표시패널용 블랙 매트릭스 등을 얻을 수 있다.A spray method is generally used for development after exposure, and the photosensitive resin composition is developed using an aqueous alkali solution such as an aqueous sodium carbonate solution, and then washed with water. After that, if the polyamic acid is changed to polyimide according to the pattern obtained by development through the heat treatment process, the heat treatment temperature may be 100 to 250° C. required for imidization. At this time, it is effective to continuously increase the heating temperature over 2 to 4 steps with an appropriate temperature profile, but in some cases, curing may be performed at a constant temperature. Through the above-described steps, a black matrix for a display panel and the like can be obtained.

또한, 본 발명에 따른 유기전기소자는 유기전기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(유기 TFT), 단색 또는 백색 조명용 소자 중 하나일 수 있다.In addition, the organic electric device according to the present invention may be one of an organic electroluminescent device (OLED), an organic solar cell, an organic photoreceptor (OPC), an organic transistor (organic TFT), and a single color or white lighting device.

본 발명에 따른 유기전기소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic electric device according to the present invention may be a top emission type, a back emission type, or a double side emission type depending on the material used.

WOLED(White Organic Light Emitting Device)는 고해상도 실현이 용이하고 공정성이 우수한 한편, 기존의 LCD의 칼라필터 기술을 이용하여 제조될 수 있는 이점이 있다. 주로 백라이트 장치로 사용되는 백색 유기발광소자에 대한 다양한 구조들이 제안되고 특허화되고 있다. 대표적으로, R(Red), G(Green), B(Blue) 발광부들을 상호평면적으로 병렬배치(side-by-side) 방식, R, G, B 발광층이 상하로 적층되는 적층(stacking) 방식이 있고, 청색(B) 유기발광층에 의한 전계발광과 이로부터의 광을 이용하여 무기형광체의 자발광(photo-luminescence)을 이용하는 색변환물질(color conversion material, CCM) 방식 등이 있는데, 본 발명은 이러한 WOLED에도 적용될 수 있을 것이다.WOLED (White Organic Light Emitting Device) has the advantage of being easy to realize high resolution and excellent in processability, and can be manufactured using the existing color filter technology of LCD. Various structures for a white organic light emitting diode mainly used as a backlight device have been proposed and patented. Typically, a side-by-side method in which R (Red), G (Green), and B (Blue) light emitting units are mutually planar, and a stacking method in which R, G, and B light emitting layers are stacked up and down There is a color conversion material (CCM) method using electroluminescence by the blue (B) organic light emitting layer and photo-luminescence of an inorganic phosphor using the light therefrom, and the present invention could also be applied to such WOLEDs.

본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함한다.Another embodiment of the present invention may include a display device including the organic electric device of the present invention described above, and an electronic device including a control unit for controlling the display device. In this case, the electronic device may be a current or future wired/wireless communication terminal, and includes all electronic devices such as a mobile communication terminal such as a mobile phone, a PDA, an electronic dictionary, a PMP, a remote control, a navigation system, a game machine, various TVs, and various computers.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above description is merely illustrative of the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to make various modifications without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present specification are intended to illustrate, not to limit the present invention, and the spirit and scope of the present invention are not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the claims, and all technologies within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (11)

하기 화학식 1로 나타내는 1종 이상의 폴리머나 올리고머를 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112017118421784-pat00046

상기 화학식 1에서,
A1은 수소 또는
Figure 112017118421784-pat00047
로 이루어진 군에서 어느 하나로 선택되고,
X는 단일결합, O, S, CRaRb , NR, CH2, C=O, SO2, C(CF3)2로 이루어진 군에서 어느 하나로 선택되고,
R, Ra, Rb, R1, R2, R3는 각각 독립적으로 동일하거나 상이하며, 수소; 중수소; 할로겐; CF3; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C3~C60의 사이클로알킬기; C2~C60의 알켄일기; C2~C60의 알킨일기; C1~C60의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 에스테르기, 에테르기; 하이드록시기;로 이루어진 군에서 선택되며, Ra와 Rb는 서로 결합하여 스파이로 화합물을 형성할 수 있고, R2와 R3는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
L은 C6~C60의 아릴렌기, C1~C60의 알킬렌기로 이루어진 군에서 어느 하나로 선택되고,
n은 2 내지 100,000의 정수 중 어느 하나로 선택되며,
a 및 b는 각각 독립적으로 동일하거나 상이하며, 1 내지 3의 정수 중 어느 하나로 선택되고,
Ar1 내지 Ar3는 각각 서로 독립적으로 동일하거나 상이하며, C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C1~C60의 알킬렌기; C2~C60의 알켄일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 하기 화학식 (2-1) 또는 하기 화학식 (2-2);로 이루어진 군에서 선택되며,
Figure 112017118421784-pat00048

상기 화학식 (2-1)과 화학식 (2-2)에서,
R4, R5, R6, R', R''은 각각 서로 독립적으로 동일하거나 상이하며, 수소, 중수소, 할로겐, CN, CF3, C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C3~C60의 사이클로알킬기; C2~C60의 알켄일기; C2~C60의 알킨일기; C1~C60의 알콕시기; C6~C60의 아릴옥시기; 에스테르기, 에테르기; 아미드기, 이미드기; 로 이루어진 군에서 선택되고, R'과 R''은 서로 결합하여 스파이로 화합물을 형성할 수 있고,
X1은 단일결합, O, S, CO, CR'R”, SO2로 이루어진 군에서 선택되며,
a' 및 b'은 각각 서로 독립적으로 동일하거나 상이하며, 1 내지 4의 정수 중 어느 하나로 선택되고,
c'은 1 내지 6의 정수 중 어느 하나로 선택된다.
상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 알킬기, 사이클로알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬렌기, 아릴렌기, 알킬렌기, 플루오렌일렌기, 알켄일렌기, 에스테르기, 에테르기, 아미드기, 이미드기는 각각 중수소, 할로겐, 실란기, 실록산기, 붕소기, 시아노기, C1-C20의 알킬싸이오기, C1-C20의 알콕시기, C1-C20의 알킬기, C2-C20의 알켄일기, C2-C20의 알킨일기, C6-C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기, 플루오렌일기, C2-C20의 헤테로고리기, C3-C20의 시클로알킬기, C7-C20의 아릴알킬기, C8-C20의 아릴알켄일기, 카르보닐기, 에테르기, C2-C20의 알콕실카르보닐기, C6-C30의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있다.
A negative photosensitive resin composition comprising at least one polymer or oligomer represented by the following formula (1).
Figure 112017118421784-pat00046

In Formula 1,
A 1 is hydrogen or
Figure 112017118421784-pat00047
selected from the group consisting of
X is a single bond, O, S, CR a R b , NR, CH 2 , C=O, SO 2 , C(CF 3 ) 2 is selected from the group consisting of any one,
R, R a , R b , R 1 , R 2 , R 3 are each independently the same as or different from hydrogen; heavy hydrogen; halogen; CF 3 ; C 6 ~ C 60 Aryl group; fluorenyl group; O, N, S, Si and P containing at least one heteroatom C 2 ~ C 60 A heterocyclic group; C 3 ~ C 60 A fused ring group of an aliphatic ring and a C 6 ~ C 60 aromatic ring; C 1 ~ C 60 Alkyl group; C 3 ~ C 60 A cycloalkyl group; C 2 ~ C 60 Alkenyl group; C 2 ~ C 60 Alkynyl group; C 1 ~ C 60 Alkoxy group; C 6 ~ C 30 Aryloxy group; an ester group, an ether group; a hydroxyl group; selected from the group consisting of, R a and R b may combine with each other to form a spiro compound, R 2 and R 3 may combine with each other to form a ring,
L is selected from the group consisting of C 6 ~ C 60 arylene group, C 1 ~ C 60 alkylene group,
n is selected from any integer from 2 to 100,000,
a and b are each independently the same or different, and are selected from any one of an integer of 1 to 3,
Ar 1 To Ar 3 Are each independently the same as or different from each other, C 6 ~ C 60 Arylene group; fluorenylene group; C 1 ~ C 60 Alkylene group; C 2 ~ C 60 Alkenylene group; O, N, S, Si and P containing at least one heteroatom C 2 ~ C 60 A heterocyclic group; It is selected from the group consisting of the following formula (2-1) or the following formula (2-2);
Figure 112017118421784-pat00048

In the above formulas (2-1) and (2-2),
R 4 , R 5 , R 6 , R′, R′′ are each independently the same as or different from each other, and are hydrogen, deuterium, halogen, CN, CF 3 , a C 6 ~ C 60 aryl group; fluorenyl group; O, N, S, Si and P containing at least one heteroatom C 2 ~ C 60 A heterocyclic group; C 3 ~ C 60 A fused ring group of an aliphatic ring and a C 6 ~ C 60 aromatic ring; C 1 ~ C 60 Alkyl group; C 3 ~ C 60 A cycloalkyl group; C 2 ~ C 60 Alkenyl group; C 2 ~ C 60 Alkynyl group; C 1 ~ C 60 Alkoxy group; C 6 ~ C 60 Aryloxy group; an ester group, an ether group; an amide group, an imide group; It is selected from the group consisting of, R' and R'' can combine with each other to form a spiro compound,
X 1 is a single bond, O, S, CO, CR'R ”, SO 2 is selected from the group consisting of,
a' and b' are each independently the same as or different from each other, and are selected from any one of an integer of 1 to 4,
c' is selected as any one of an integer from 1 to 6.
The aryl group, fluorenyl group, heterocyclic group, fused ring group, alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, aryloxy group, alkylene group, arylene group, alkylene group, fluorenylene group, alkenyl group Rene group, ester group, ether group, amide group, and imide group are each deuterium, halogen, silane group, siloxane group, boron group, cyano group, C 1 -C 20 alkylthio group, C 1 -C 20 alkoxy group, C 1 -C 20 Alkyl group, C 2 -C 20 alkenyl group, C 2 -C 20 alkynyl group, C 6 -C 20 aryl group, C 6 -C 20 aryl group substituted with deuterium, fluorene Diyl, C 2 -C 20 Heterocyclic group, C 3 -C 20 Cycloalkyl group, C 7 -C 20 Arylalkyl group, C 8 -C 20 Arylalkenyl group, carbonyl group, ether group, C 2 -C 20 It may be further substituted with one or more substituents selected from the group consisting of an alkoxylcarbonyl group, C 6 -C 30 aryloxy group.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1이 하기 화학식 3 내지 화학식 8과 같이 나타내는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112022016592494-pat00049

상기 화학식 3 내지 화학식 8에서,
R2, R3, Ra, Rb, R, A1, Ar1, Ar2, Ar3, a, b, n은 상기 제1항에 정의된 R2, R3, Ra, Rb, R, A1, Ar1, Ar2, Ar3, a, b, n과 동일하다.
According to claim 1,
A negative photosensitive resin composition, characterized in that Formula 1 is represented by the following Formulas 3 to 8.
Figure 112022016592494-pat00049

In Formulas 3 to 8,
R 2 , R 3 , R a , R b , R, A 1 , Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , a, b, n are R 2 , R 3 , R a , R b as defined in claim 1 above. , R, A 1 , Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , a, b, n.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식들 중 어느 하나로 표시되는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112017118421784-pat00050

Figure 112017118421784-pat00051

Figure 112017118421784-pat00052

Figure 112017118421784-pat00053

Figure 112017118421784-pat00054

Figure 112017118421784-pat00055

Figure 112017118421784-pat00056

Figure 112017118421784-pat00057

Figure 112017118421784-pat00058

Figure 112017118421784-pat00059

Figure 112017118421784-pat00060

Figure 112017118421784-pat00061

Figure 112017118421784-pat00062

Figure 112017118421784-pat00063

Figure 112017118421784-pat00064

Figure 112017118421784-pat00065

Figure 112017118421784-pat00066

Figure 112017118421784-pat00067

Figure 112017118421784-pat00068

Figure 112017118421784-pat00069

Figure 112017118421784-pat00070
According to claim 1,
Chemical Formula 1 is a negative photosensitive resin composition represented by any one of the following Chemical Formulas.
Figure 112017118421784-pat00050

Figure 112017118421784-pat00051

Figure 112017118421784-pat00052

Figure 112017118421784-pat00053

Figure 112017118421784-pat00054

Figure 112017118421784-pat00055

Figure 112017118421784-pat00056

Figure 112017118421784-pat00057

Figure 112017118421784-pat00058

Figure 112017118421784-pat00059

Figure 112017118421784-pat00060

Figure 112017118421784-pat00061

Figure 112017118421784-pat00062

Figure 112017118421784-pat00063

Figure 112017118421784-pat00064

Figure 112017118421784-pat00065

Figure 112017118421784-pat00066

Figure 112017118421784-pat00067

Figure 112017118421784-pat00068

Figure 112017118421784-pat00069

Figure 112017118421784-pat00070
제1항에 있어서,
상기 화학식 1의 반복 단위 0.1 내지 50 mol%을 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
A negative photosensitive resin composition comprising 0.1 to 50 mol% of the repeating unit of Formula 1 above.
제1항에 있어서,
중량 평균 분자량이 5,000내지 200,000인 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
A negative photosensitive resin composition having a weight average molecular weight of 5,000 to 200,000.
제1항에 있어서,
화학식 1로 표시되는 네거티브형 감광성 수지 조성물을 포함한 고분자 수지;
아크릴 수지;
광가교제;
유기용매;
증감제; 및
광중합 개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
A polymer resin including a negative photosensitive resin composition represented by Formula 1;
acrylic resin;
photocrosslinking agent;
organic solvents;
sensitizer; and
A negative photosensitive resin composition comprising a photoinitiator.
제1항의 감광성 수지 조성물을 포함하는 유기절연막.An organic insulating film comprising the photosensitive resin composition of claim 1. 제7항에 있어서,
표시장치용 기판의 베이스 필름, 표시장치용 기판의 절연층, 표시패널용 층간 절연막, 표시패널용 화소정의막 또는 뱅크층, 표시패널용 솔더 레지스터, 표시패널용 블랙 매트릭스, 표시패널용 컬러필터 기판, 회로 기판용 보호 필름, 회로 기판의 베이스 필름, 회로 기판의 절연층, 반도체의 층간 절연막 또는 솔더 레지스트 중 하나로 사용되는 유기절연막.
8. The method of claim 7,
Base film for display device substrate, insulating layer for display device substrate, interlayer insulating film for display panel, pixel defining film or bank layer for display panel, solder resistor for display panel, black matrix for display panel, color filter substrate for display panel , an organic insulating film used as one of a protective film for a circuit board, a base film for a circuit board, an insulating layer for a circuit board, an interlayer insulating film for a semiconductor, or a solder resist.
제8항의 유기절연막을 포함하는 디스플레이장치; 및
상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치.
A display device comprising the organic insulating film of claim 8; and
An electronic device comprising a; a control unit for driving the display device.
제 9항에 있어서,
상기 디스플레이장치는 액정 디스플레이 장치 또는 유기전기소자를 포함하는 전자장치.
10. The method of claim 9,
The display device is an electronic device including a liquid crystal display device or an organic electric device.
제10항에 있어서,
상기 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터 및 단색 또는 백색 조명용 소자 중 하나인 전자장치.
11. The method of claim 10,
The organic electroluminescent device is an organic electroluminescent device, an organic solar cell, an organic photoreceptor, an organic transistor, and one of monochromatic or white lighting devices.
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