KR101847364B1 - Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern - Google Patents

Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern Download PDF

Info

Publication number
KR101847364B1
KR101847364B1 KR1020177018749A KR20177018749A KR101847364B1 KR 101847364 B1 KR101847364 B1 KR 101847364B1 KR 1020177018749 A KR1020177018749 A KR 1020177018749A KR 20177018749 A KR20177018749 A KR 20177018749A KR 101847364 B1 KR101847364 B1 KR 101847364B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
film
photosensitive resin
conductive
photosensitive
Prior art date
Application number
KR1020177018749A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170084345A (en
Inventor
히로시 야마자키
요시미 이가라시
Original Assignee
히타치가세이가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히타치가세이가부시끼가이샤 filed Critical 히타치가세이가부시끼가이샤
Publication of KR20170084345A publication Critical patent/KR20170084345A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101847364B1 publication Critical patent/KR101847364B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0003Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables for feeding conductors or cables
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/093Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antistatic means, e.g. for charge depletion

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

감광성 도전 필름(10)은, 필름 지지체(1), 유기 도전재료를 함유하는 도전층(2), 및 감광성 수지층(3)이 이 순서로 적층된 구조를 가진다. 감광성 도전 필름(10)에 있어서, 유기 도전재료는 티오펜 유도체의 폴리머이면 바람직하고, 감광성 수지층(3)은, 바인더 폴리머, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, 및 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 것이면 바람직하다. The photosensitive conductive film 10 has a structure in which a film support 1, a conductive layer 2 containing an organic conductive material, and a photosensitive resin layer 3 are laminated in this order. In the photosensitive conductive film 10, the organic conductive material is preferably a polymer of a thiophene derivative, and the photosensitive resin layer 3 is preferably a photosensitive polymer containing a binder polymer, a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, It is preferable that it is made of a resin composition.

Description

감광성 도전 필름, 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법{PHOTOSENSITIVE CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE MEMBRANE, AND METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE PATTERN}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive conductive film, a method of forming a conductive film, and a method of forming a conductive pattern,

본 발명은, 감광성 도전 필름, 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법에 관한 것으로서, 특히는 액정 표시 소자 등의 플랫 패널 디스플레이나 터치스크린, 태양전지, 유기 EL 등의 장치에 설치되는 전극 배선 등의 도전 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a photosensitive conductive film, a method of forming a conductive film, and a method of forming a conductive pattern. More particularly, the present invention relates to a method of forming a conductive film, such as a flat panel display such as a liquid crystal display element or an electrode wiring provided in an apparatus such as a touch screen, To a method of forming a conductive pattern.

PC나 텔레비전 등의 대형 전자기기, 카 내비게이션(car navigation), 휴대 전화, 전자사전 등의 소형 전자기기, OAㆍFA 기기 등의 표시 기기에서는, 액정 표시 소자나 터치 스크린을 구비한 것이 보급되어 있다. 액정 표시 소자나 터치 스크린에서는, 투명 전극 등 투명성이 요구되는 곳에 투명한 도전막이 이용되고 있다. 태양전지 등에서도 마찬가지이다.In a display device such as a large electronic device such as a PC or a television, a small electronic device such as a car navigation device, a mobile phone, or an electronic dictionary, or an OA / FA device, a device equipped with a liquid crystal display device or a touch screen is popular . In a liquid crystal display element or a touch screen, a transparent conductive film such as a transparent electrode is used where transparency is required. The same is true for solar cells.

투명한 도전막을 형성할 수 있는 재료로서는, ITO(Indium-Tin-Oxide), 산화인듐이나 산화주석 등이 알려져 있다. 이들의 재료는, 가시광에 대해서 높은 투과율을 나타내고, 액정 표시 소자용 기판 등의 투명 전극을 형성하는 재료로서 주류로 되어 있다.As a material capable of forming a transparent conductive film, indium-tin-oxide (ITO), indium oxide, tin oxide and the like are known. These materials exhibit a high transmittance with respect to visible light and serve as a mainstream material for forming a transparent electrode such as a substrate for a liquid crystal display element.

액정표시장치에 있어서는, 배선, 화소 전극, 단자 등의 일부를 투명 도전막으로 형성하는 경우가 있다. 이 경우, 투명 도전막을 소정의 형상으로 하는 것이 필요로 된다. 투명 도전막의 패터닝 방법으로서는, 투명 도전막을 형성한 후, 이 위에 포토리소그래피법에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 웨트에칭에 의해 도전막을 패터닝하는 방법이 이용된다. 에칭액으로서는, ITO막이나 산화인듐막에 대해서는, 염산과 염화제2철의 2액으로 이루어지는 혼합액이 잘 이용되고 있다.In a liquid crystal display device, a part of a wiring, a pixel electrode, a terminal, and the like may be formed of a transparent conductive film. In this case, it is necessary to set the transparent conductive film to a predetermined shape. As a method of patterning the transparent conductive film, a method is available in which a transparent conductive film is formed, a resist pattern is formed thereon by photolithography, and the conductive film is patterned by wet etching. As the etching solution, a mixture of two solutions of hydrochloric acid and ferric chloride is well used for the ITO film and the indium oxide film.

한편, ITO 이외의 재료를 이용하여 투명한 도전막을 형성하는 것이 검토되고 있다. 예를 들면, 하기 특허문헌 1에는, 폴리티오펜, 폴리아닐린 등의 유기 도전성 폴리머를 함유하는 방사선 경화형 도전성 조성물을 기재 표면에 도포하여 경화하는 것에 의해, 도전성을 갖는 투명한 경화 피막을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 또한, 하기 특허문헌 2에는, 지지체상에, 디아조설포늄계 등의 레지스트 재료를 도포하고, 더욱이 그 위에 티오펜계 유기 도전재를 도포하고, 그 후 노광 및 현상에 의해 도전성 패턴을 형성하는 방법이 개시되어 있다.On the other hand, it has been studied to form a transparent conductive film using a material other than ITO. For example, the following Patent Document 1 discloses a method of forming a transparent cured coating having conductivity by applying a radiation curable conductive composition containing an organic conductive polymer such as polythiophene, polyaniline, . Patent Document 2 discloses a method in which a resist material such as a diazosulfonium-based material is coated on a support, a thiophene organic conductive material is further coated thereon, and a conductive pattern is formed by exposure and development .

특허문헌 1:일본국 특허공개공보 2005-170996호Patent Document 1: JP-A-2005-170996 특허문헌 2:일본국 특허공표공보 2004-504693호Patent Document 2: Japanese Patent Publication No. 2004-504693

그런데, ITO막이나 산화주석막은 일반적으로 스패터법에 의해 형성되지만, 스패터 방식의 상위, 스패터 파워나 가스압, 기판 온도, 분위기 가스의 종류 등에 의해 막의 성질이 변하기 쉽다. 스패터 조건의 변동에 의한 투명 도전막의 막질의 차이는, 막을 웨트에칭 할 때의 에칭 속도의 불균형일 원인으로 되고, 투명 도전막의 패터닝 불량이 발생하여, 제품의 수율 저하를 초래하기 쉽다. 그 때문에, ITO 등을 이용하는 방법은, 스패터와 레지스트 형성 및 에칭과 공정이 길고, 비용면에서도 큰 부담으로 된다. 또한, 이러한 방법은 패터닝 정도의 균일성을 얻는 것이 어렵다.Although the ITO film and the tin oxide film are generally formed by the sputtering method, the properties of the film are likely to change depending on the sputtering method, the sputtering power, the gas pressure, the substrate temperature, and the kind of atmosphere gas. The difference in the film quality of the transparent conductive film due to the fluctuation of the spatter condition is caused by the unevenness of the etching rate when the film is wet-etched and the patterning of the transparent conductive film is defective and the product yield tends to be lowered. For this reason, the method using ITO or the like is long in sputtering and resist formation, etching and processing, and is also a great burden on cost. In addition, in this method, it is difficult to obtain the uniformity of the patterning degree.

한편, 유기 도전재료에 의한 도전 패턴의 형성에 관해서는, 이하와 같은 문제가 있다. 상기 특허문헌 1에는, 도전 패턴의 형성에 관한 개시는 없다. 마스크를 이용한 에칭에 의해서 패터닝하는 것이 고려되지만, 적절한 에칭액이 없기 때문에 플라즈마 에칭이나 레이저를 이용하여 가공할 필요가 있다.On the other hand, the formation of the conductive pattern by the organic conductive material has the following problems. Patent Document 1 does not disclose the formation of a conductive pattern. It is considered that patterning is performed by etching using a mask, but since there is no suitable etching solution, it is necessary to perform processing using plasma etching or a laser.

특허문헌 2에는, 유기 도전재료와 디아조 화합물의 감광 재료를 혼합한 액을 지지체에 도포하여 패터닝하는 방법이나, 지지체와 유기 도전재료 및 감광재료로 이루어지는 층과의 사이에 감광 재료를 더 배치하는 방법이 제안되고 있다. 그러나, 이들의 방법에서는, 소망한 기판상에 도전 패턴을 설치하려고 했을 경우의 도전 패턴과 기판과의 접착성에 관해서는 고려되지 않아, 기판의 표면 처리 등이 필요했다. Patent Document 2 discloses a method of applying a liquid obtained by mixing a photosensitive material of an organic conductive material and a diazo compound to a support and patterning the same, or a method of arranging a photosensitive material between a support, a layer formed of an organic conductive material and a photosensitive material A method has been proposed. However, in these methods, the adhesion between the conductive pattern and the substrate when the conductive pattern is intended to be provided on a desired substrate is not considered, and the surface treatment of the substrate is required.

본 발명은, 상기 종래 기술이 가지는 문제를 감안하여 이루어진 것이고, 기판상에, 기판과의 접착성이 충분하고, 유기 도전재료를 포함하여 이루어지는 도전 패턴을 충분한 해상도로 간편하게 형성하는 것을 가능하게 하는 감광성 도전 필름, 및, 이 감광성 도전 필름을 이용한 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the prior art described above, and it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device, which is capable of easily forming a conductive pattern including an organic conductive material, And a method of forming a conductive film using the photosensitive conductive film and a method of forming a conductive pattern.

상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은, 지지체, 유기 도전재료를 함유하는 도전층, 및 감광성 수지층이 이 순서로 적층된 구조를 가지는 감광성 도전 필름을 제공한다. In order to solve the above problems, the present invention provides a photosensitive conductive film having a structure in which a support, a conductive layer containing an organic conductive material, and a photosensitive resin layer are laminated in this order.

본 발명의 감광성 도전 필름에 의하면, 상기 구성을 가지는 것에 의해, 감광성 도전 필름을 기판상에 감광성 수지층이 밀착하도록 첩부하고, 이것을 노광, 현상하는 간편한 공정으로, 기판과의 접착성이 충분하고, 충분한 투명성을 가지는 소망한 도전 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.According to the photosensitive conductive film of the present invention, the photosensitive conductive film is attached to the substrate so that the photosensitive resin layer is in close contact with the photosensitive conductive film, and the exposed conductive film is exposed and developed. A desired conductive pattern having sufficient transparency can be easily formed.

또한, 본 발명의 감광성 도전 필름에 의하면, 감광성 도전 필름을 기판상에 감광성 수지층이 밀착하도록 첩부하고, 이것을 노광하는 것에 의해, 충분한 투명성과 기재에 대한 양호한 접착성을 겸비하는 도전막을 형성할 수 있다.Further, according to the photosensitive conductive film of the present invention, a conductive film having satisfactory transparency and good adhesiveness to a substrate can be formed by attaching the photosensitive conductive film to a substrate so that the photosensitive resin layer is in close contact with the substrate, have.

본 발명의 감광성 도전 필름에 있어서, 투명성과 도전성의 관점에서, 상기 유기 도전재료가, 티오펜 유도체의 폴리머인 것이 바람직하다.In the photosensitive conductive film of the present invention, from the viewpoints of transparency and conductivity, it is preferable that the organic conductive material is a thiophene derivative polymer.

또한, 도전막의 패터닝성과 기재에 대한 접착성을 더욱 향상시키는 관점에서, 상기 감광성 수지층이, 바인더 폴리머, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, 및 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 것인 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving the patterning of the conductive film and the adhesion to the substrate, the photosensitive resin layer is preferably a photosensitive resin composition containing a binder polymer, a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and a photopolymerization initiator .

본 발명의 감광성 도전 필름은, 제조로부터 사용까지의 기간에 있어서의 이물 부착이나 손상의 방지의 점에서, 상기 감광성 수지층의 도전층측과는 반대측에 보호 필름이 더 적층되어 있는 것이 바람직하다. 이 보호 필름은 감광성 도전 필름을 사용할 때에 제거할 수 있다.It is preferable that the photosensitive conductive film of the present invention further has a protective film laminated on the side opposite to the conductive layer side of the photosensitive resin layer in terms of prevention of adherence or damage during the period from preparation to use. This protective film can be removed when using the photosensitive conductive film.

본 발명은, 또한, 상기 본 발명의 감광성 도전 필름의 상기 감광성 수지층을 기재에 첩부하여 기재상에 적어도 감광성 수지층 및 도전층을 이 순서로 적층하고, 적층된 상기 감광성 수지층을 노광하는 것을 특징으로 하는 도전막의 형성 방법을 제공한다.The present invention is also characterized in that the above photosensitive resin layer of the photosensitive conductive film of the present invention is attached to a base material, at least a photosensitive resin layer and a conductive layer are laminated on the base material in this order and the photosensitive resin layer thus laminated is exposed Thereby forming a conductive film.

본 발명의 도전막의 형성 방법에 의하면, 기재에 본 발명의 감광성 도전 필름의 감광성 수지층을 첩부하는 것에 의해 기재상에 감광성 수지층 및 도전층을 이 순서로 설치하고, 이것을 노광한다고 하는 간편한 공정으로, 기재상에 상기 도전층으로 이루어지는 도전막을 용이하게 형성할 수 있다. 이 도전막은, 상기 감광성 수지층이 노광에 의해 경화함으로써, 기재상에 충분히 접착된다.According to the method of forming a conductive film of the present invention, a photosensitive resin layer of the photosensitive conductive film of the present invention is attached to a base material, and a photosensitive resin layer and a conductive layer are provided in this order on the base material. , A conductive film made of the conductive layer can be easily formed on a substrate. The conductive film is sufficiently adhered to the substrate by curing the photosensitive resin layer by exposure.

본 발명은, 또한, 상기 본 발명의 감광성 도전 필름의 상기 감광성 수지층을 기재에 첩부하여 기재상에 적어도 감광성 수지층 및 도전층을 이 순서로 적층하고, 적층된 감광성 수지층을 노광, 현상하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴의 형성 방법을 제공한다.The present invention is also characterized in that the photosensitive resin layer of the photosensitive conductive film of the present invention is attached to a base material, at least a photosensitive resin layer and a conductive layer are laminated on the base material in this order, and the laminated photosensitive resin layer is exposed and developed And a conductive pattern formed on the conductive pattern.

본 발명의 도전 패턴의 형성 방법에 의하면, 기재에 본 발명의 감광성 도전 필름의 감광성 수지층을 첩부하는 것에 의해 기재상에 감광성 수지층 및 도전층을 이 순서로 설치하고, 이것을 노광, 현상한다고 하는 간편한 공정으로, 기재상에 상기 도전층이 패터닝되어 이루어지는 도전 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 이 도전 패턴은, 상기 감광성 수지층이 노광에 의해 경화함으로써, 기재상에 충분히 접착된다. According to the method for forming a conductive pattern of the present invention, the photosensitive resin layer of the photosensitive conductive film of the present invention is applied to a substrate to form a photosensitive resin layer and a conductive layer on the substrate in this order, A conductive pattern in which the conductive layer is patterned on a substrate can be easily formed by a simple process. This conductive pattern is sufficiently adhered to the substrate by curing the photosensitive resin layer by exposure.

본 발명은, 또한, 기판과, 그 기판상에 상기 본 발명의 도전막의 형성 방법에 의해 형성된 도전막을 구비하는 도전막 기판을 제공한다. The present invention also provides a conductive film substrate comprising a substrate and a conductive film formed on the substrate by the method for forming the conductive film of the present invention.

본 발명은, 또한, 기판과, 그 기판상에 상기 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법에 의해 형성된 도전 패턴을 구비하는 도전막 기판을 제공한다. The present invention also provides a conductive film substrate comprising a substrate and a conductive pattern formed by the method of forming the conductive pattern of the present invention on the substrate.

발명을 실시하기Carrying out the invention 위한 형태 Form for

이하, 본 발명의 적절한 실시 형태에 관하여 상세하게 설명한다. 또, 본 명세서에 있어서의 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 또는 그것에 대응하는 「메타크릴레이트」를 의미한다. 동일하게 「(메타)아크릴」이란, 「아크릴」 또는 그것에 대응하는 「메타크릴」을 의미하고, 「(메타)아크릴로일」이란 「아크릴로일」 또는 그것에 대응하는 「메타크릴로일」을 의미한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail. In the present specification, "(meth) acrylate" means "acrylate" or "methacrylate" corresponding thereto. Similarly, the term "(meth) acrylic" means "acrylic" or "methacrylic" corresponding thereto, and "(meth) acryloyl" means "acryloyl" or "methacryloyl" it means.

도 1은, 본 발명의 감광성 도전 필름의 적절한 일실시 형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1에 나타내는 감광성 도전 필름(10)은, 필름상의 지지체(1), 유기 도전재료를 함유하는 도전층(2), 감광성 수지층(3), 및 보호 필름(4)이 이 순서로 적층되어 이루어진다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing a suitable embodiment of the photosensitive conductive film of the present invention. Fig. The photosensitive conductive film 10 shown in Fig. 1 is obtained by laminating a film-like support 1, a conductive layer 2 containing an organic conductive material, a photosensitive resin layer 3 and a protective film 4 in this order .

이하, 본 실시 형태에 관련되는 감광성 도전 필름(10)을 구성하는 필름상의 지지체(이하 「필름 지지체」라고 하는 경우도 있다. ), 도전층, 감광성 수지층 및 보호 필름의 각각에 관하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the film-like support constituting the photosensitive conductive film 10 according to the present embodiment (hereinafter also referred to as "film support" in some cases), the conductive layer, the photosensitive resin layer and the protective film are described in detail do.

필름 지지체(1)로서는, 투명한 지지 필름인 것이 바람직하다. 여기에서 투명이란, 기재에 전사 후의 노광 공정에 있어서의 노광 광선에 투과성을 가지는 것을 의미하고, 본 실시 형태에 있어서는, 자외선(300~400nm) 영역에서 투과성을 가지는 것이 바람직하다.The film support 1 is preferably a transparent support film. The term "transparent" as used herein means that the substrate has transparency to the exposure light in the exposure step after transfer, and in the present embodiment, it is preferable that it has transparency in the ultraviolet (300 to 400 nm) region.

투명한 지지 필름으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리카보네이트 필름 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체 필름을 들 수 있다. 이들 중, 투명성이나 내열성의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 이용하는 것이 바람직하다. 또, 이들의 중합체 필름은, 후에 감광성 수지층(3)을 현상할 때나, 형성된 도전막을 노출시키기 위해서 제거되므로, 제거가 불가능하게 되는 표면 처리가 실시된 것이거나, 재질이거나 되어서는 안된다.Examples of the transparent support film include a polymer film having heat resistance and solvent resistance such as a polyethylene terephthalate film, a polypropylene film, and a polycarbonate film. Of these, it is preferable to use a polyethylene terephthalate film from the viewpoints of transparency and heat resistance. Further, these polymer films are not subjected to surface treatment or made of a material which can not be removed because the polymer film is removed later when developing the photosensitive resin layer 3 or exposing the conductive film formed.

상기 지지 필름의 두께는, 5~300㎛인 것이 바람직하고, 20~300㎛인 것이 보다 바람직하다. 지지 필름의 두께가, 5㎛ 미만이면, 기계적 강도가 저하하고, 도전층을 형성할 때나 감광성 수지층을 형성할 때, 혹은 감광성 수지층의 현상 전에 지지 필름을 박리하는 경우에, 지지 필름이 찢어지기 쉬워지게 되는 경향이 있고, 한편, 300㎛를 넘으면, 지지 필름을 개재시켜 활성 광선을 감광성 수지층에 조사하는 경우에 해상도가 저하하는 경향이 있고, 또한 가격이 비싸지게 되는 경향이 있다.The thickness of the support film is preferably 5 to 300 占 퐉, more preferably 20 to 300 占 퐉. When the thickness of the support film is less than 5 占 퐉, the mechanical strength is lowered. When the support film is peeled off when the conductive layer is formed or when the photosensitive resin layer is formed or before development of the photosensitive resin layer, On the other hand, when the thickness exceeds 300 mu m, the resolution tends to decrease and the cost tends to become higher when the photosensitive resin layer is irradiated with the active rays through the support film.

도전층(2)에 포함되는 유기 도전재료로서는, 예를 들면, 티오펜 혹은 티오펜 유도체의 폴리머나 아닐린 혹은 아닐린 유도체의 폴리머를 들 수 있다. 구체적으로는, 폴리에틸렌디옥시티오펜, 폴리헥실티오펜, 폴리아닐 린등을 이용할 수 있다. 또한, 「크레비오스P」(에이치ㆍ시ㆍ스탈크(H℃. Starck)사제, 상품명), 「세프루지다OC-U1」(신에츠 폴리머 주식회사제, 상품명) 등의 시판품을 이용할 수 있다.Examples of the organic conductive material contained in the conductive layer 2 include polymers of thiophene or thiophene derivatives, and polymers of aniline or aniline derivatives. Specifically, polyethylene dioxythiophene, polyhexylthiophene, polyaniline and the like can be used. Commercially available products such as " CLEVIOS P " (trade name, manufactured by H-C. Starck) and Cefurozida OC-U1 (manufactured by Shin-Etsu Polymer Co., Ltd.) can be used.

도전층(2)에 포함되는 유기 도전재료가, 광조사에 의해 패턴을 형성할 수 있는 재료인 것이 바람직하다. 또한, 유기 도전재료는, 본 발명의 효과가 얻어지는 범위이면, 광조사에 의해 패턴을 형성할 수 있는 재료와 병용하여 도전층(2)에 함유시켜도 된다. It is preferable that the organic conductive material contained in the conductive layer 2 is a material capable of forming a pattern by light irradiation. The organic conductive material may be contained in the conductive layer 2 in combination with a material capable of forming a pattern by light irradiation as long as the effect of the present invention can be obtained.

티오펜 혹은 티오펜 유도체의 폴리머로서는, 하기식(1)로 표시될 수 있는 반복 단위를 가지는 폴리머를 들 수 있다. Examples of the polymer of thiophene or thiophene derivative include polymers having repeating units represented by the following formula (1).

[화1]However,

Figure 112017064770703-pat00001
Figure 112017064770703-pat00001

식(1) 중, R1 및 R2는 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~20의 할로알킬기, 탄소수 1~20의 알콕시기, 탄소수 6~40의 아릴아미노기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~40의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 핵탄소수 2~40의 복소환기를 나타내고, 서로 이웃이 되는 치환기끼리는 서로 결합하여 환을 형성해도 된다. 또한, 폴리머의 말단기로서는 각각, 수소 원자, 또는 치환 혹은 무치환의 1가의 기를 들 수 있다. In formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, Or a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 40 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 40 ring carbon atoms and the neighboring substituents are bonded to each other to form a ring do. Each of the terminal groups of the polymer may be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted monovalent group.

상기식(1)의 R1 및 R2에 있어서, 할로겐 원자로서는, 예를 들면, 불소, 염소, 브롬, 및 요오드 등을 들 수 있다.In R 1 and R 2 of the above formula (1), examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine, and iodine.

탄소수 1~20의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-부틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기, 3,5-테트라메틸시클로헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-부틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기, 및 3,5-테트라메틸시클로헥실기를 들 수 있다. Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, s-butyl, isobutyl, N-heptyl group, n-heptyl group, n-heptyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, neopentyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-pentylhexyl group, 1-butylpentyl group, Methylpentyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclooctyl group, 3,5-tetramethylcyclohexyl group, and the like. Of these, preferable are a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, an isobutyl group, a t- n-pentyl group, n-hexadecyl group, n-hexadecyl group, n-hexadecyl group, n-hexadecyl group, pentylhexyl group, 1-butylpentyl group, 1-heptyloctyl group, cyclohexyl group, cyclooctyl group, and 3-methylpentyl group. , And 5-tetramethylcyclohexyl group.

탄소수 1~20의 할로알킬기로서는, 예를 들면, 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 및 펜타플루오로에틸기 등을 들 수 있다. 이들 중, 바람직하게는, 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기이다.The haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms includes, for example, a fluoromethyl group, a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, and a pentafluoroethyl group. Of these, fluoromethyl, difluoromethyl and trifluoromethyl groups are preferred.

탄소수 1~20의 알콕시기로서는, 예를 들면, -OY로 표시되고, Y가 상기의 알킬기로 설명한 것과 같은 것을 들 수 있고, 바람직한 예도 동일하다.Examples of the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include, for example, those represented by -OY, wherein Y is as defined above for the alkyl group, and preferred examples are also the same.

탄소수 6~40의 아릴아미노기로서는, 예를 들면, 디페닐아미노기 등, 또는 디페닐아미노기나 아미노기를 치환기로서 가지는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 플루오란테닐기, 비페닐기 등을 들 수 있다. 이들 중, 바람직하게는, 다페닐아미노기나 아미노기를 치환기로서 가지는, 페닐기, 나프틸기이다.Examples of the arylamino group having 6 to 40 carbon atoms include a diphenylamino group and the like, or a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, a triphenylenyl group, a fluoranthenyl group, a biphenyl group And the like. Of these, phenyl group and naphthyl group preferably having a diphenylamino group or an amino group as a substituent.

핵탄소수 6~40의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기를 들 수 있다. 치환기로서는, 메틸기, 에틸기, 시클로헥실기, 이소프로필기, 부틸기, 페닐기 등을 들 수 있다. 이들 중, 바람직하게는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 나프틸기, 비페닐기이다.Examples of the aryl group having 6 to 40 nuclear carbon atoms include a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, an anthracenyl group and a triphenylenyl group. Examples of the substituent include a methyl group, an ethyl group, a cyclohexyl group, an isopropyl group, a butyl group, and a phenyl group. Of these, preferred are a substituted or unsubstituted phenyl group, a naphthyl group and a biphenyl group.

치환 또는 무치환의 탄소수 2~40의 복소환기로서는, 예를 들면, 1-피롤릴기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라지닐기, 2-피리디닐기, 1-이미다졸릴기, 2-이미다졸릴기, 1-피라졸릴기, 1-인돌리디닐기, 2-인돌리디닐기, 3-인돌리디닐기, 5-인돌리디닐기, 6-인돌리디닐기, 7-인돌리디닐기, 8-인돌리디닐기, 2-이미다조피리디닐기, 3-이미다조피리디닐기, 5-이미다조피리디닐기, 6-이미다조피리디닐기, 7-이미다조피리디닐기, 8-이미다조피리디닐기, 3-피리디닐기, 4-피리디닐기, 1-인돌릴기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-이소인돌릴기, 2-이소인돌릴기, 3-이소인돌릴기, 4-이소인돌릴기, 5-이소인돌릴기, 6-이소인돌릴기, 7-이소인돌릴기, 2-푸릴기, 3-푸릴기, 2-벤조푸라닐기, 3-벤조푸라닐기, 4-벤조푸라닐기, 5-벤조푸라닐기, 6-벤조푸라닐기, 7-벤조푸라닐기, 1-이소벤조푸라닐기, 3-이소벤조푸라닐기, 4-이소벤조푸라닐기, 5-이소벤조푸라닐기, 6-이소벤조푸라닐기, 7-이소벤조푸라닐기, 2-퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-이소퀴놀릴기, 3-이소퀴놀릴기, 4-이소퀴놀릴기, 5-이소퀴놀릴기, 6-이소퀴놀릴기, 7-이소퀴놀릴기, 8-이소퀴놀릴기, 2-퀴노퀴살리닐기, 5-퀴노퀴살리닐기, 6-퀴노퀴살리닐기, 1-카르바졸릴기, 2-카르바졸릴기, 3-카르바졸릴기, 4-카르바졸릴기, 9-카르바졸릴기, β-카르볼린-1-일, β-카르볼린-3-일, β-카르볼린-4-일, β-카르볼린-5-일, β-카르볼린-6-일, β-카르볼린-7-일, β-카르볼린-8-일, β-카르볼린-9-일, 1-페난트리디닐기, 2-페난트리디닐기, 3-페난트리디닐기, 4-페난트리디닐기, 6-페난트리디닐기, 7-페난트리디닐기, 8-페난트리디닐기, 9-페난트리디닐기, 10-페난트리디닐기, 1-아크리디닐기, 2-아크리디닐기, 3-아크리디닐기, 4-아크리디닐기, 9-아크리디닐기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린 4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나디닐기, 2-페나디닐기, 1- 페노티아지닐기, 2-페노티아지닐기, 3-페노티아지닐기, 4-페노티아지닐기, 10-페노티아지닐기, 1-페녹사지닐기, 2-페녹사지닐기, 3-페녹사지닐기, 4-페녹사지닐기, 10-페녹사지닐기, 2-옥사조릴기, 4-옥사조릴기, 5-옥사조릴기, 2-옥사디아조릴기, 5-옥사디아조릴기, 3-푸라자닐기, 2-티에닐기, 3-티에닐기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-부틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-부틸-1-인돌릴기, 4-t-부틸-1-인돌릴기, 2-t-부틸-3-인돌릴기, 4-t-부틸-3-인돌릴기, 1-디벤조푸라닐기, 2-디벤조푸라닐기, 3-디벤조푸라닐기, 4-디벤조푸라닐기, 1-디벤조티오페닐기, 2-디벤조티오페닐기, 3-디벤조티오페닐기, 4-디벤조티오페닐기, 1-실라플루오레닐기, 2-실라플루오레닐기, 3-실라플루오레닐기, 4-실라플루오레닐기, 1-겔마플루오레닐기, 2-겔마플루오레닐기, 3-겔마플루오레닐기, 및 4-겔마플루오레닐기 등을 들 수 있다.Examples of the substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 40 carbon atoms include 1-pyrrolyl, 2-pyrrolyl, 3-pyrrolyl, pyrazinyl, 2-pyridinyl, An indolizinyl group, a 5-indolyl group, a 6-indolyl group, a 7-indolyl group, a 8-indolyl group, a 2-indolyl group, Imidazopyridinyl, 3-imidazopyridinyl, 5-imidazopyridinyl, 6-imidazopyridinyl, 7-imidazopyridinyl, 8-imidazopyridinyl, Indolyl group, 3-pyridinyl group, 4-pyridinyl group, 4-pyridinyl group, 1-indolyl group, 2- Isoindolyl group, 2-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4-isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 2-benzofuranyl, 3-benzofuranyl, 4-benzofuranyl, 5-benzofuranyl, 6-benzofuranyl, An isobenzofuranyl group, a 5-isobenzofuranyl group, a 6-isobenzofuranyl group, a 6-isobenzofuranyl group, a 4-isobenzofuranyl group, Quinolyl group, 8-quinolyl group, 1-isoquinolyl group, 3-quinolyl group, 3-quinolyl group, 4-quinolyl group, An isoquinolyl group, a 5-isoquinolyl group, a 6-isoquinolyl group, a 7-isoquinolyl group, an 8-isoquinolyl group, Quinoxalinyl group, a 1-carbazolyl group, a 2-carbazolyl group, a 3-carbazolyl group, a 4-carbazolyl group, a 9-carbazolyl group, Carbolin-5-yl, beta -carboline-6-yl, beta -carboline-7-yl ,? -carboline-8-yl,? -carboline-9-yl, 1-phenanthridinyl, 2-phenanthridinyl, A tridinyl group, a 7-phenanthridinyl group, a 8-phenanthryl group Acryidinyl group, a 4-acridinyl group, a 9-acridinyl group, a 1,7-naphthyridinyl group, a 1-adamantyl group, A phenanthroline-2-yl group, a 1,7-phenanthroline-3-yl group, a 1,7-phenanthroline-4-yl group, 6-yl group, a 1,7-phenanthroline-8-yl group, a 1,7-phenanthroline-9-yl group, a 1,7-phenanthroline- A 1,8-phenanthroline-4-yl group, a 1,8-phenanthroline-5-yl group, a 1,8-phenanthroline- Dienes, 1,8-phenanthroline-7-yl groups, 1,8-phenanthroline-9-yl groups, 1,8-phenanthroline- A 1,9-phenanthroline-6-yl group, a 1,9-phenanthroline-4-yl group, A 1,9-phenanthroline-10-yl group, a 1,10-phenanthroline-2-yl group, a 1,10-phenanthroline- Phenanthroline-3-yl group, 1,10-phenanthroline-4-yl group, 1,10-phenan Yl group, a 2,9-phenanthroline-4-yl group, a 2,9-phenanthroline-1-yl group, 6-yl group, 2,9-phenanthroline-7-yl group, 2,9-phenanthroline-8-yl group, 2,9-phenanthroline- A 2,8-phenanthroline-1-yl group, a 2,8-phenanthroline-3-yl group, a 2,8-phenanthroline- A 2,8-phenanthroline-10-yl group, a 2, 8-phenanthroline-6-yl group, A 2,7-phenanthroline-4-yl group, a 2,7-phenanthroline-5-yl group, a 2,7-phenanthroline- 6-yl group, 2,7-phenanthroline-8-yl group, 2,7-phenanthroline-9-yl group, 2,7-phenanthroline-10-yl group, 1-phenanediyl group, 2 Phenothiazinyl group, 2-phenothiazinyl group, 3-phenothiazinyl group, 4-phenothiazinyl group, 10-phenothiazinyl group, Oxazinyl group, 3-phenoxazinyl group, 4-phenoxazinyl group, 10- Oxazyl group, 2-oxazoyl group, 5-oxadiazolyl group, 5-oxadiazolyl group, 3-furazanyl group, 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-methylpyrrol-1-yl group, 3-methylpyrrol-1-yl group, 3-methylpyrrol-1-yl group, Methylpyrrol-4-yl group, 3- (2-phenylpropyl) pyrrol-1-yl group, 2- Indolyl group, 4-methyl-1-indolyl group, 4-methyl-1- 4-t-butyl-3-indolyl group, 1-dibenzofuranyl group, 2-dibenzofuranyl group, 3-dibenzofuranyl group, 4-t- A dibenzothiophenyl group, a 3-dibenzothiophenyl group, a 4-dibenzothiophenyl group, a 1-silafluorenyl group, a 2-silafluorenyl group, a 3- A silafluorenyl group, a 4-silafluorenyl group, a 1-germafluorenyl group, 2-germafluorenyl group, 3-germafluorenyl group, and 4-germafluorenyl group.

이들 중에서도 바람직하게는, 2-피리디닐기, 1-인돌리디닐기, 2-인돌리디닐기, 3-인돌리디닐기, 5-인돌리디닐기, 6-인돌리디닐기, 7-인돌리디닐기, 8-인돌리디닐기, 2-이미다조피리디닐기, 3-이미다조피리디닐기, 5-이미다조피리디닐기, 6-이미다조피리디닐기, 7-이미다조피리디닐기, 8-이미다조피리디닐기, 3-피리디닐기, 4-피리디닐기, 1-인돌릴기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-이소인돌릴기, 2-이소인돌릴기, 3-이소인돌릴기, 4-이소인돌릴기, 5-이소인돌릴기, 6-이소인돌릴기, 7-이소인돌릴기, 1-카르바졸릴기, 2-카르바졸릴기, 3-카르바졸릴기, 4-카르바졸릴기, 9-카르바졸릴기, 1-디벤조푸라닐기, 2-디벤조푸라닐기, 3-디벤조푸라닐기, 4-디벤조푸라닐기, 1-디벤조티오페닐기, 2-디벤조티오페닐기, 3-디벤조티오페닐기, 4-디벤조티오페닐기, 1-실라플루오레닐기, 2-실라플루오레닐기, 3-실라플루오레닐기, 4-실라플루오레닐기, 1-겔마플루오레닐기, 2-겔마플루오레닐기, 3-겔마플루오레닐기, 4-겔마플루오레닐기이다. Of these, preferred are a 2-pyridinyl group, a 1-indolyldiyl group, a 2-indolyldiyl group, a 3-indolyldiyl group, a 5-indolyldiyl group, a 6-indolyldiyl group, Imidazopyridinyl, 2-imidazopyridinyl, 3-imidazopyridinyl, 5-imidazopyridinyl, 6-imidazopyridinyl, 7-imidazopyridinyl, Indolyl group, 1-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5-indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group, 1-indolyl group, Isoindolyl group, 3-isoindolinyl group, 4-isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, Carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 9-carbazolyl group, 1-dibenzofuranyl group, 2-dibenzofuranyl group, 3- Benzopyranyl group, 4-dibenzofuranyl group, 1-dibenzothiophenyl group, 2-dibenzothiophenyl group, 3-dibenzothiophenyl group, 4- There may be mentioned 1 to 3 substituents selected from the group consisting of a benzothiophenyl group, a 1-silafluorenyl group, a 2-silafluorenyl group, a 3-silafluorenyl group, a 4-silafluorenyl group, a 1-germafluorenyl group, a 2-germafluorenyl group, An o-aryl group, and a 4-germafluorenyl group.

또, 치환기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 시클로헥실기, 이소프로필기, 부틸기, 및 페닐기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent include a methyl group, an ethyl group, a cyclohexyl group, an isopropyl group, a butyl group, and a phenyl group.

R1 및 R2는 서로 결합하여 환을 형성해도 된다. 환으로서는, 예를 들면, 디옥산환, 벤젠환, 시클로헥실환, 나프틸환이 바람직하다.R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring. As the ring, for example, a dioxane ring, a benzene ring, a cyclohexyl ring and a naphthyl ring are preferable.

식(1)의 Y1 및 Y2는, 바람직하게는, 각각 독립하여 수소 원자, 탄소수 1~20의 알킬기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~40의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 핵탄소수 2~40의 복소환기이다. 알킬기, 아릴기 또는 복소환기에 관해서는, R1, R2와 동일한 것을 들 수 있다. Y 1 and Y 2 in the formula (1) are preferably each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 nuclear carbon atoms, or a substituted or unsubstituted nucleus And is a heterocyclic group having 2 to 40 carbon atoms. Examples of the alkyl group, aryl group or heterocyclic group include the same ones as R 1 and R 2 .

식(1)로 표시되는 폴리티오펜 또는 폴리티오펜 유도체는, 시판의 제품, 또는 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수 있다. 폴리티오펜 또는 폴리티오펜 유도체의 분자량은, 일반적으로, 수평균 분자량으로서, 1,000~100,000의 범위의 것을 이용한다. 분자량이 이것보다 작으면 π전자공역계에 근거하는 충분한 도전성이 발휘되지 않고, 다른 한편, 분자량이 지나치케 크면 점조로 되어 박막 형성이 곤란해진다. 반복 단위는 인접하는 반복 단위와, 헤드테일, 헤드-헤드 또는 테일-테일의 양식으로 결합하여 폴리머를 형성하고 있다. 티오펜환의 3위치를 치환하는 알킬기 또는 알콕시기는, 너무 장쇄의 것을 이용하면, 분자의 입체 구조의 규칙에 혼란이 생겨서 이동도를 손상할 염려가 있으므로, 탄소수 20 이하의 것이 바람직하다.The polythiophene or polythiophene derivative represented by the formula (1) may be a commercially available product or a product synthesized by a known method. The molecular weight of the polythiophene or polythiophene derivative is generally in the range of 1,000 to 100,000 as the number average molecular weight. When the molecular weight is smaller than this range, sufficient conductivity based on the? -Electro-conjugated system is not exhibited. On the other hand, if the molecular weight is excessively large, it becomes difficult to form a thin film. The repeating unit forms a polymer by bonding with adjacent repeating units in the form of head tail, head-head, or tail-tail. When the alkyl or alkoxy group substituted at the 3-position of the thiophene ring is too long, there is a possibility that the conformation of the three-dimensional structure of the molecule may be confused and the mobility may be impaired, so that the number of carbon atoms is preferably 20 or less.

도전층(2)는, 예를 들면, 필름 지지체(1)상에, 상술한 유기 도전재료를 물 및/또는 유기용제, 필요에 따라서 계면활성제 등의 분산 안정제 등을 더한 도전층 형성용 분산액을 도공한 후, 건조하는 것에 의해 형성할 수 있다. 도공은, 예를 들면, 롤 코트법, 콤마 코트법, 그라비아 코트법, 에어 나이프 코트법, 다이코트법, 바 코트법, 스프레이 코트법 등의 공지의 방법으로 행할 수 있다. 또한, 건조는, 30~150℃에서 1~30분간 정도, 열풍 대류식 건조기 등으로 행할 수 있다.The conductive layer 2 can be formed, for example, on a film support 1 by dispersing a conductive layer forming dispersion in which the aforementioned organic conductive material is added with water and / or an organic solvent, and if necessary, a dispersion stabilizer such as a surfactant, After coating, it can be formed by drying. The coating can be performed by a known method such as a roll coating method, a comma coating method, a gravure coating method, an air knife coating method, a die coating method, a bar coating method, and a spray coating method. The drying can be carried out at 30 to 150 ° C for about 1 to 30 minutes in a hot air convection type dryer or the like.

도전층(2)의 두께는, 본 발명의 감광성 도전 필름을 이용하여 형성되는 도전막 혹은 도전 패턴의 용도나 구해지는 도전성에 따라서도 다르지만, 1㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.01㎛~0.5㎛인 것이 보다 바람직하고, 0.01㎛~0.3㎛인 것이 특히 바람직하다. 도전층(2)의 두께가 1㎛ 이하이면, 광의 투과성을 확보하기 쉬워진다. The thickness of the conductive layer 2 is preferably 1 占 퐉 or less, more preferably 0.01 占 퐉 to 0.5 占 퐉, though it depends on the use of the conductive film or the conductive pattern formed using the photosensitive conductive film of the present invention or the conductivity to be obtained More preferably 0.01 탆 to 0.3 탆. When the thickness of the conductive layer 2 is 1 占 퐉 or less, light transmittance can be easily ensured.

감광성 수지층(3)으로서는, 바인더 폴리머, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물 및 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다.The photosensitive resin layer 3 is preferably composed of a photosensitive resin composition containing a binder polymer, a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond and a photopolymerization initiator.

바인더 폴리머로서는, 예를 들면, 아크릴 수지, 스티렌 수지, 에폭시 수지, 아미드 수지, 아미드에폭시 수지, 알키드 수지, 및 페놀 수지 등을 들 수 있다. 알칼리 현상성이 뛰어난 관점에서, 아크릴 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합시켜 이용할 수 있다.Examples of the binder polymer include an acrylic resin, a styrene resin, an epoxy resin, an amide resin, an amide epoxy resin, an alkyd resin, and a phenol resin. From the viewpoint of excellent alkali developability, it is preferable to use an acrylic resin. These may be used singly or in combination of two or more.

상기의 바인더 폴리머는, 예를 들면, 중합성 단량체를 라디칼 중합시키는 것에 의해 제조할 수 있다. 상기 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 스티렌, 비닐톨루엔, α-메틸스티렌 등의 α-위치 혹은 방향족환에 있어서 치환되고 있는 중합 가능한 스티렌 유도체, 디아세톤아크릴아미드 등의 아크릴아미드, 아크릴로니트릴, 비닐-n-부틸에테르 등의 비닐알코올의 에테르류, (메타)아크릴산알킬에스테르, (메타)아크릴산테트라히드로푸르푸릴에스테르, (메타)아크릴산디메틸아미노에틸에스테르, (메타)아크릴산디에틸아미노에틸에스테르, (메타)아크릴산글리시딜에스테르, 2,2,2-트리플루오로에틸(메타)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산, α-브로모(메타)아크릴산, α-클로르(메타)아크릴산, β-푸릴(메타)아크릴산, β-스티릴(메타)아크릴산, 말레산, 말레산무수물, 말레산모노메틸, 말레산모노에틸, 말레산모노이소프로필 등의 말레산모노에스테르, 푸마르산, 계피산, α-시아노계피산, 이타콘산, 크로톤산 및 프로피올산 등을 들 수 있다. The above-mentioned binder polymer can be produced, for example, by radical polymerization of a polymerizable monomer. Examples of the polymerizable monomer include polymerizable styrene derivatives substituted in an? -Position or aromatic ring such as styrene, vinyltoluene and? -Methylstyrene, acrylamides such as diacetone acrylamide, acrylonitrile, (Meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid tetrahydrofurfuryl ester, (meth) acrylic acid dimethylaminoethyl ester, diethylaminoethyl ester of (meth) acrylic acid, (Meth) acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, (Meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, maleic acid monomethyl, maleic acid monoethyl, maleic acid, maleic acid, San Monoiso Maleic acid monoester, fumaric acid, cinnamic acid, α- cyano-cinnamic acid, itaconic acid, crotonic acid and propionic olsan such as ropil.

상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들면, 하기 일반식(2)로 표시되는 화합물, 이들의 화합물의 알킬기에 수산기, 에폭시기, 할로겐기 등이 치환한 화합물을 들 수 있다. Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include compounds represented by the following general formula (2), compounds in which the alkyl group of these compounds is substituted with a hydroxyl group, an epoxy group, a halogen group and the like.

[화2][Figure 2]

Figure 112017064770703-pat00002
Figure 112017064770703-pat00002

일반식(2) 중, R21은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R22는 탄소수 1~12의 알킬기를 나타낸다. 상기 탄소수 1~12의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 및 이들의 구조 이성체를 들 수 있다.In the general formula (2), R 21 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 22 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, Isomers.

상기 일반식(2)로 표시되는 화합물로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산메틸에스테르, (메타)아크릴산에틸에스테르, (메타)아크릴산프로필에스테르, (메타)아크릴산부틸에스테르, (메타)아크릴르산펜틸에스테르, (메타)아크릴산헥실에스테르, (메타)아크릴산헵틸에스테르, (메타)아크릴산옥틸에스테르, (메타)아크릴산2-에틸헥실에스테르, (메타)아크릴산노닐에스테르, (메타)아크릴산데실에스테르, (메타)아크릴산운데실에스테르, (메타)아크릴산도데실에스테르를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.Examples of the compound represented by the general formula (2) include (meth) acrylic acid methyl ester, (meth) acrylic acid ethyl ester, (meth) acrylic acid propyl ester, (meth) acrylic acid butyl ester, (Meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, heptyl Acrylic acid undecyl ester, and (meth) acrylic acid dodecyl ester. These may be used singly or in combination of two or more.

또한, 본 발명에서 이용되는 바인더 폴리머는, 알칼리 현상성을 보다 양호하게 하는 관점에서, 카르복실기를 가지는 것이 바람직하다. 이와 같은 바인더 폴리머는, 예를 들면, 카르복실기를 가지는 중합성 단량체와 그 외의 중합성 단량체를 라디칼 중합시키는 것에 의해 제조할 수 있다. 상기 카르복실기를 가지는 중합성 단량체로서는, 상술한 바와 같은(메타)아크릴산이 바람직하다.Further, the binder polymer used in the present invention preferably has a carboxyl group from the viewpoint of improving the alkali developing property. Such a binder polymer can be produced, for example, by radical polymerization of a polymerizable monomer having a carboxyl group and other polymerizable monomers. As the polymerizable monomer having a carboxyl group, (meth) acrylic acid as described above is preferable.

바인더 폴리머가 가지는 카르복실기의 비율은, 사용하는 전체 중합성 단량체에 대한 카르복실기를 가지는 중합성 단량체의 비율로서, 알칼리 현상성과 알칼리 내성의 밸런스를 도모하는 관점에서, 12~50중량%인 것이 바람직하고, 12~40중량%인 것이 보다 바람직하고, 15~30중량%인 것이 특히 바람직하고, 15~25중량%인 것이 극히 바람직하다. 이 카르복실기를 가지는 중합성 단량체의 비율이 12중량% 미만에서는 알칼리 현상성이 뒤떨어지는 경향이 있고, 50중량%를 넘으면 알칼리 내성이 뒤떨어지는 경향이 있다. The proportion of the carboxyl group possessed by the binder polymer is preferably from 12 to 50% by weight from the viewpoint of balance of the alkali developability and the alkali resistance, as the ratio of the polymerizable monomer having a carboxyl group to the entire polymerizable monomer to be used, More preferably 12 to 40% by weight, particularly preferably 15 to 30% by weight, particularly preferably 15 to 25% by weight. When the proportion of the polymerizable monomer having a carboxyl group is less than 12% by weight, the alkali developability tends to be poor, while when it exceeds 50% by weight, the alkali resistance tends to be poor.

바인더 폴리머의 중량 평균 분자량은, 기계 강도 및 알칼리 현상성의 밸런스를 도모하는 관점에서, 20000~300000인 것이 바람직하고, 40000~150000인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이, 20000 미만에서는 내현상액성이 저하하는 경향이 있고, 300000을 넘으면 현상 시간이 길어지게 되는 경향이 있다. 또, 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔퍼미에이션크로마토그래피법(GPC)에 의해 측정되고, 표준 폴리스티렌을 이용하여 작성한 검량선에 의해 환산된 값이다.The weight average molecular weight of the binder polymer is preferably 20,000 to 300,000, and more preferably 40,000 to 150,000 from the viewpoint of balance between mechanical strength and alkali developability. When the weight average molecular weight is less than 20,000, the resistance to developing is liable to decrease. When the weight average molecular weight is more than 300,000, the developing time tends to be prolonged. The weight average molecular weight in the present invention is a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted by a calibration curve prepared using standard polystyrene.

이들의 바인더 폴리머는, 1종을 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다. 2종류 이상을 조합하여 사용하는 경우의 바인더 폴리머로서는, 예를 들면, 다른 공중합 성분으로 이루어지는 2종류 이상의 바인더 폴리머, 다른 중량 평균 분자량의 2종류 이상의 바인더 폴리머, 다른 분산도의 2종류 이상의 바인더 폴리머를 들 수 있다.These binder polymers may be used singly or in combination of two or more. As the binder polymer when two or more kinds are used in combination, for example, two or more kinds of binder polymers composed of other copolymerization components, two or more kinds of binder polymers having different weight average molecular weights and two or more kinds of binder polymers having different degrees of dispersion .

다음에, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물에 관하여 설명한다. 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물로서는, 예를 들면, 다가 알코올에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물, 2,2-비스(4-((메타)아크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴옥시폴리프로폭시)페닐)프로판, 2,2- 비스(4-((메타)아크릴옥시폴리에톡시폴리프로폭시)페닐)프로판 등의 비스페놀 A계 (메타)아크릴레이트 화합물, 글리시딜기 함유 화합물에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물, 우레탄 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물 등의 우레탄 모노머, γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-(메타)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시에틸-β'-(메타)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시프로필-β'-(메타)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, (메타)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.Next, a photopolymerizable compound having an ethylenic unsaturated bond will be described. Examples of the photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond include a compound obtained by reacting a polyhydric alcohol with an?,? - unsaturated carboxylic acid, a compound obtained by reacting a 2,2-bis (4 - ((meth) acryloxypolyethoxy) Bis (4 - ((meth) acryloxypolyethoxypolypropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis A urethane monomer such as a urethane monomer-containing (meth) acrylate compound having a urethane bond, a urea monomer such as 慣 -chloro (meth) acrylate, (meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate,? -hydroxyethyl-? '- (meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate,? -hydroxypropyl -β '- (meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, alkyl (meth) acrylate, and the like The. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 다가 알코올에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물로서는 예를 들면, 에틸렌기의 수가 2~14인 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌기의수가 2~14인 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 에틸렌기의 수가 2~14이고, 프로필렌기의 수가 2~14인 폴리에틸렌폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판디(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판디에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판테트라에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판펜타에톡시트리(메타)아크릴레이트 등의 트리메티롤프로판(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄트리(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄테트라(메타)아크릴레이트 등의 테트라메티롤메탄(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨알콕시트리(메타)아크릴레이트 등의 펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨알콕시펜타(메타)아크릴레이트 등의 디펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트를 들 수 있다.Examples of the compound obtained by reacting the polyhydric alcohol with an alpha, beta -unsaturated carboxylic acid include polyethylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups, polypropylene glycol having 2 to 14 propylene groups Di (meth) acrylate, polyethylene polypropylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 14 propylene groups, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane Acrylate, trimethylol propane triethoxy tri (meth) acrylate, trimethylol propane triethoxy tri (meth) acrylate, trimethylol propane tri (meth) acrylate, trimethylol propane triethoxy tri (meth) Trimethylol propane (meth) acrylate such as propane tetraethoxy tri (meth) acrylate and trimethylol propane pentaethoxy tri (meth) acrylate, tetramethylol methane (Meth) acrylate such as tetramethylolmethane (meth) acrylate and tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol alkoxy (Meth) acrylate such as pentaerythritol (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (metha) acrylate and dipentaerythritol alkoxypenta (Meth) acrylate.

상기 중에서도, 투명성, 접착성이 뛰어나다는 점에서는, 트리메티롤프로판(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.Of these, from the viewpoint of transparency and adhesiveness, it is preferable to use a copolymer of trimethylol propane (meth) acrylate, tetramethylol methane (meth) acrylate, pentaerythritol (meth) acrylate, dipentaerythritol It is preferable to include at least one species selected.

상기 우레탄 모노머로서는, 예를 들면, β위치에 히드록실기를 가지는 (메타)아크릴 모노머와 이소포론디이소시아네이트, 2,6-톨루엔디이소시아네이트, 2,4- 톨루엔디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트 화합물과의 부가 반응물, 트리스[(메타)아크릴옥시테트라에틸렌글리콜이소시아네이트]헥사메틸렌이소시아누레이트, EO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트, EO, PO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또, 「EO」는 에틸렌옥사이드를 나타내고, EO변성된 화합물은 에틸렌옥사이드기의 블록 구조를 가진다. 또한, 「PO」는 프로필렌옥사이드를 나타내고, PO변성된 화합물은 프로필렌옥사이드기의 블록 구조를 가진다. EO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 「UA-11」(신나카무라화학공업주식회사제, 상품명)을 들 수 있다. 또한, EO, PO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 「UA-13」(신나카무라화학공업주식회사제, 상품명)이 들 수 있다. Examples of the urethane monomer include a (meth) acrylic monomer having a hydroxyl group at the? -Position and an isophorone diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2,4-toluene diisocyanate, 1,6-hexamethylene (Meth) acryloxy tetraethylene glycol isocyanate] hexamethylene isocyanurate, EO-modified urethane di (meth) acrylate, EO, PO-modified urethane di (meth) acrylate, and diisocyanate compounds such as diisocyanate and tris Acrylate, and the like. Further, " EO " represents ethylene oxide, and the EO-modified compound has a block structure of ethylene oxide group. Further, "PO" represents propylene oxide, and the PO-modified compound has a block structure of propylene oxide group. As the EO-modified urethane di (meth) acrylate, for example, "UA-11" (trade name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) can be mentioned. As the EO, PO-modified urethane di (meth) acrylate, for example, "UA-13" (trade name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) can be mentioned.

광중합성 화합물의 함유 비율은, 바인더 폴리머 및 광중합성 화합물의 총량 100중량부에 대해서, 30~80중량부인 것이 바람직하고, 40~70중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 함유 비율이 30중량부 미만이면 광경화가 불충분하게 되고, 전사한 도전막의 경화성이 불충분하게 되는 경향이 있고, 80중량부를 넘으면 필름으로서 권취한 경우, 보관이 곤란하게 되는 경향이 있다.The content of the photopolymerizable compound is preferably 30 to 80 parts by weight, more preferably 40 to 70 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the binder polymer and the photopolymerizable compound. If the content is less than 30 parts by weight, the photocuring tends to be insufficient, and the cured property of the transferred conductive film tends to become insufficient. When the content exceeds 80 parts by weight, storage tends to be difficult when the film is wound as a film.

다음에, 광중합 개시제에 관하여 설명한다. 광중합 개시제로서는, 예를 들면, 벤조페논, N,N'-테트라메틸-4,4'-디아미노벤조페논(미힐러케톤), N,N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 2-벤질-2-디메틸 아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로파논-1 등의 방향족 케톤, 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라키논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라키논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난타라퀴논, 2-메틸1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논 등의 퀴논류, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인페닐에테르 등의 벤조인에테르 화합물, 벤조인, 메틸벤조인, 에틸벤조인 등의 벤조인 화합물, 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(o-벤조일옥심)], 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(o-아세틸옥심) 등의 옥심에스테르 화합물, 벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체 등의 2,4,5-트리아릴이미다졸이량체, 9-페닐아크리딘, 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)헵탄 등의 아크리딘 유도체, N-페닐글리신, N-페닐글리신 유도체, 쿠마린계 화합물, 옥사졸계 화합물을 들 수 있다. 또한, 2개의 2,4,5-트리아릴이미다졸의 아릴기의 치환기는 동일하고 대상인 화합물을 주어도 되고, 상위하여 비대칭인 화합물을 주어도 된다. 또한, 디에틸티오크산톤과 디메틸아미노벤조산의 조합과 같이, 티오크산톤계 화합물과 3급 아민 화합물을 조합이어도 된다. 이들 중에서도, 투명성의 견지에서는, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논 1 등의 방향족 케톤 화합물이나 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(o-벤조일 옥심)] 등의 옥심에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 이들은, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.Next, the photopolymerization initiator will be described. Examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, N, N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone (Michler's ketone), N, N'-tetraethyl-4,4'-diaminobenzo Phenanone, 4-methoxy-4'-dimethylaminobenzophenone and 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) Methylthio) phenyl] -2-morpholino-propanone-1, aromatic ketones such as 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-tert-butyl anthraquinone, octamethylanthraquinone, Quinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone, 2-methyl anthraquinone, 1,4-naphthoquinone, Quinones such as tetraquinone, 2-methyl 1,4-naphthoquinone and 2,3-dimethyl anthraquinone, benzoin ether compounds such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin phenyl ether, Benzoin compounds such as methyl benzoin and ethyl benzoin, 1,2-octanedione, 1- [4- (phenyl ) -, 2- (o-benzoyloxime)], ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H- ), Benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) (Methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) Triarylimidazole dimer such as a dimer dimer and a 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 9-phenylacridine, 1, Acridine derivatives such as 7-bis (9,9'-acridinyl) heptane, N-phenylglycine, N-phenylglycine derivatives, coumarin compounds and oxazole compounds. In addition, the substituents of the aryl groups of the two 2,4,5-triarylimidazole are the same and may be given as the compound of interest, and asymmetric compounds may be given. In addition, a thioxanthone compound and a tertiary amine compound may be used in combination, such as a combination of diethylthioxanthone and dimethylaminobenzoic acid. Among them, from the viewpoint of transparency, aromatic ketone compounds such as 1-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) Phenylthio) -, and 2- (o-benzoyloxime)] are more preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

광중합 개시제의 함유 비율은, 바인더 폴리머 및 광중합성 화합물의 총량 100중량부에 대해서, 0.1~30중량부인 것이 바람직하고, 1~10중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 함유 비율이 0.1중량부 미만에서는 광감도가 불충분하게 되는 경향이 있고, 30중량부를 넘으면 노광할 때에 조성물의 표면에서의 흡수가 증대하여 내부의 광경화가 불충분하게 되는 경향이 있다.The content of the photopolymerization initiator is preferably 0.1 to 30 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the binder polymer and the photopolymerizable compound. When the content is less than 0.1 parts by weight, the photosensitivity tends to be insufficient. When the content is more than 30 parts by weight, absorption on the surface of the composition increases upon exposure, and the inside of the photopolymerization tends to become insufficient.

감광성 수지층(3)에는, 필요에 따라서, p-톨루엔설폰아미드 등의 가소제, 충전제, 소포제, 난연제, 안정제, 밀착성 부여제, 레벨링제, 박리촉진제, 산화 방지제, 향료, 이메징제, 열가교제 등의 첨가제를, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 함유시킬 수 있다. 이들의 첨가제의 첨가량은, 바인더 폴리머 및 광중합성 화합물의 총량 100중량부에 대해서 각각 0.01~20중량부인 것이 바람직하다.To the photosensitive resin layer 3, a plasticizer, filler, defoamer, flame retardant, stabilizer, adhesion imparting agent, leveling agent, peeling promoter, antioxidant, fragrance, emulsion, thermal crosslinking agent May be used alone or in combination of two or more. The amount of these additives to be added is preferably 0.01 to 20 parts by weight per 100 parts by weight of the total amount of the binder polymer and the photopolymerizable compound.

감광성 수지층(3)은, 도전층(2)를 형성한 투명한 필름 지지체(1)상에, 필요에 따라서, 메탄올, 에탄올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 톨루엔, N,N-디메틸포름아미드, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 용제 또는 이들의 혼합용제에 용해한, 고형분 10~60중량% 정도의 감광성 수지 조성물의 용액을 도포하는 것이 바람직하다. 단, 이 경우, 건조 후의 감광성 수지층 중의 잔존 유기용제량은, 후의 공정에서의 유기용제의 확산을 방지하기 위해서, 2중량% 이하인 것이 바람직하다. The photosensitive resin layer 3 is formed on the transparent film support 1 on which the conductive layer 2 is formed by using methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, , N, N-dimethylformamide, and propylene glycol monomethyl ether, or a mixed solvent thereof, preferably in the range of 10 to 60% by weight of the solid content of the photosensitive resin composition. In this case, the amount of the residual organic solvent in the photosensitive resin layer after drying is preferably 2% by weight or less in order to prevent the diffusion of the organic solvent in the subsequent step.

감광성 수지 조성물의 도포는, 예를 들면, 롤 코트법, 콤마 코트법, 그라비아 코트법, 에어나이프 코트법, 다이코트법, 바 코트법, 스프레이 코트법 등의 공지의 방법으로 행할 수 있다. 또한, 건조는, 70~150℃에서 5~30분간 정도에서 행할 수 있다.The application of the photosensitive resin composition can be carried out by a known method such as roll coating, comma coating, gravure coating, air knife coating, die coating, bar coating, spray coating and the like. The drying can be carried out at 70 to 150 DEG C for about 5 to 30 minutes.

감광성 수지층(3)의 두께는, 용도에 따라 다르지만, 건조 후의 두께로 1~50㎛인 것이 바람직하고, 1~20㎛인 것이 보다 바람직하고, 1~10㎛인 것이 특히 바람직하다. 이 두께가 1㎛ 미만에서는 공업적으로 도공이 곤란하게 되는 경향이 있고, 50㎛를 넘으면 광투과의 저하에 의한 감도가 불충분하게 되어 감광성 수지층의 광경화성이 저하하는 경향이 있다. 또한, 접착성, 패터닝이 뛰어난 점에서는, 감광성 수지층(3)의 두께는 1㎛ 이상인 것이 바람직하다.The thickness of the photosensitive resin layer 3 varies depending on the application, but is preferably 1 to 50 占 퐉, more preferably 1 to 20 占 퐉, and particularly preferably 1 to 10 占 퐉 in thickness after drying. When the thickness is less than 1 mu m, the coating tends to become difficult industrially. When the thickness exceeds 50 mu m, the sensitivity due to the decrease in light transmission tends to be insufficient and the photocurability of the photosensitive resin layer tends to decrease. From the viewpoint of excellent adhesion and patterning, the thickness of the photosensitive resin layer 3 is preferably 1 占 퐉 or more.

다음에, 보호 필름에 관하여 설명한다. 본 발명의 감광성 도전 필름에 있어서는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 감광성 수지층(3)의 필름 지지체(1)측과는 반대측의 면에 보호 필름을 적층할 수 있다.Next, the protective film will be described. In the photosensitive conductive film of the present invention, as shown in Fig. 1, a protective film can be laminated on the surface of the photosensitive resin layer 3 opposite to the film support 1 side.

보호 필름으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌 필름 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체 필름을 이용할 수 있다. 보호 필름으로서 상술한 필름 지지체와 동일한 중합체 필름을 이용해도 된다. As the protective film, for example, a polymer film having heat resistance and solvent resistance such as a polyethylene terephthalate film, a polypropylene film, and a polyethylene film can be used. As the protective film, the same polymer film as the above-mentioned film support may be used.

보호 필름과 감광성 수지층과의 사이의 접착력은, 보호 필름을 감광성 수지층으로부터 박리하기 쉽게 하기 위해서, 도전층(2) 및 감광성 수지층(3)과 필름 지지체(1)과의 사이의 접착력보다 작은 것이 바람직하다.The adhesive force between the protective film and the photosensitive resin layer is lower than the adhesive force between the conductive layer 2 and the photosensitive resin layer 3 and the film support 1 in order to facilitate the peeling of the protective film from the photosensitive resin layer Small is preferable.

또한, 보호 필름은, 저피쉬아이의 필름인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 보호 필름 중에 포함되는 직경 80㎛ 이상의 피쉬아이 수가 5개/㎡ 이하인 것이 바람직하다. 또, 「피쉬아이」는, 재료를 열용융하고, 혼련, 압출, 2축 연신, 캐스팅법 등에 의해 필름을 제조할 때에, 재료의 이물, 미용해물, 산화 열화물 등이 필름 중에 받아들여진 것이다.The protective film is preferably a film of low fish eye. Specifically, it is preferable that the number of fish eyes having a diameter of 80 mu m or more contained in the protective film is 5 pieces / m < 2 > In addition, the "fish eye" is a film in which a foreign matter, an undissolved product, and an oxidized heat storage material are received in the film when the film is produced by heat melting the material, and kneading, extruding, biaxially stretching or casting.

보호 필름의 두께는, 1~100㎛인 것이 바람직하고, 5~50㎛인 것이 보다 바람직하고, 5~30㎛인 것이 더욱 바람직하고, 15~30㎛인 것이 특히 바람직하다. 보호 필름의 두께가 1㎛ 미만에서는 라미네이트할 때, 보호 필름이 찢어지기 쉬워지는 경향이 있고, 100㎛를 넘으면 가격이 비싸게 되는 경향이 있다.The thickness of the protective film is preferably 1 to 100 占 퐉, more preferably 5 to 50 占 퐉, still more preferably 5 to 30 占 퐉, and particularly preferably 15 to 30 占 퐉. If the thickness of the protective film is less than 1 탆, the protective film tends to be torn when laminated. If the thickness exceeds 100 탆, the protective film tends to be expensive.

감광성 도전 필름은, 필름 지지체상에 접착층, 가스 배리어층 등의 층를 더 가지고 있어도 된다. The photosensitive conductive film may further have a layer such as an adhesive layer or a gas barrier layer on the film support.

감광성 도전 필름은, 예를 들면, 그대로의 평판상의 형태로, 또는, 원통상 등의 권심에 감아 롤상의 형태로 저장할 수 있다. 또, 이 때, 필름 지지체가 가장 외측으로 되도록 감기는 것이 바람직하다.The photosensitive conductive film can be wound, for example, in the form of a flat plate as it is, or around a core such as a cylindrical shape, and stored in the form of a roll. At this time, it is preferable that the film support is rolled so as to be the outermost side.

또한, 감광성 도전 필름이 보호 필름을 가지지 않은 경우, 이러한 감광성 도전 필름은, 그대로의 평판상의 형태로 저장할 수 있다.When the photosensitive conductive film does not have a protective film, such a photosensitive conductive film can be stored in the form of a flat plate.

권심으로서는, 종래 이용되고 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리염화비닐 수지, ABS 수지(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체) 등의 플라스틱을 들 수 있다. 또한 롤상으로 권취된 감광성 도전 필름의 단면에는, 단면 보호의 관점에서 단면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하고, 더하여 내에지퓨젼의 관점에서 방습 단면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 감광성 도전 필름을 곤포할 때에는, 투습성이 작은 블랙 시트에 싸서 포장하는 것이 바람직하다.The core is not particularly limited as long as it is conventionally used. For example, plastic such as a polyethylene resin, a polypropylene resin, a polystyrene resin, a polyvinyl chloride resin, an ABS resin (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer) . In addition, it is preferable that a cross-section separator is provided on the end face of the photosensitive conductive film wound in the form of a roll in view of protection of the cross section, and furthermore, a moisture-proof cross- When the photosensitive conductive film is wrapped, it is preferable to wrap the photosensitive conductive film wrapped in a black sheet having low moisture permeability.

본 실시 형태의 감광성 도전 필름은, 필름 지지체상에, 도전층 형성용 분산액을 도공하여 도전층을 형성하고, 뒤이어 감광성 수지 조성물을 도공하여 감광성 수지층을 형성한 것인 것이 바람직하다. 필름 지지체상에 도전층 형성용 분산액을 도공하는 것에 의해, 균일한 도전층을 형성하는 것이 용이하게 된다.It is preferable that the photosensitive conductive film of the present embodiment is formed by forming a conductive layer by coating a dispersion for forming a conductive layer on a film support and then coating the photosensitive resin composition to form a photosensitive resin layer. It is easy to form a uniform conductive layer by coating a dispersion for forming a conductive layer on the film support.

본 실시 형태의 감광성 도전 필름에 의하면, 도전 패턴이 필요하게 되는 기재상에, 감광성 수지층 및 도전층을 전사하고, 노광 및 현상을 행하는 것에 의해, 투명하고, 양호한 패턴을 가지는 도전막을 용이하게 형성할 수 있다.According to the photosensitive conductive film of the present embodiment, a photosensitive resin layer and a conductive layer are transferred onto a substrate on which a conductive pattern is required, and exposure and development are carried out to easily form a conductive film having a transparent and good pattern can do.

또한, 본 실시 형태의 감광성 도전 필름으로부터 형성되는 도전막 혹은 도전 패턴은 유연성이 풍부하기 때문에, 플렉서블 디스플레이의 전극 등으로서 적절하다. 더욱이, 형성되는 도전막 혹은 도전 패턴은 유기물로 구성할 수 있기 때문에, 바이어스 전압을 인가하는 전자기기의 전극으로서 이용하는 경우에는 마이그레이션을 충분히 억제할 수 있다고 하는 효과를 가진다. In addition, the conductive film or conductive pattern formed from the photosensitive conductive film of this embodiment is suitable as an electrode of a flexible display or the like because of its flexibility. Furthermore, since the conductive film or conductive pattern to be formed can be composed of an organic material, when the conductive film or the conductive pattern is used as an electrode of an electronic device to which a bias voltage is applied, migration can be sufficiently suppressed.

본 발명의 도전막의 형성 방법의 일실시 형태로서는, 상기의 본 실시 형태의 감광성 도전 필름을, 기재상에 감광성 수지층이 밀착하도록 라미네이트하는 라미네이트 공정과, 기재상의 감광성 수지층에 활성 광선을 조사하는 노광 공정을 구비하는 방법을 들 수 있다. 감광성 도전 필름이 보호 필름을 가지고 있는 경우는, 보호 필름을 박리 한 감광성 도전 필름을, 기재상에 감광성 수지층측으로부터 라미네이트한다. 상기 라미네이트 공정에 의해, 기재상에, 감광성 수지층, 도전층 및 지지체가 이 순서로 적층된다.As one embodiment of the method for forming a conductive film of the present invention, there is a laminate process in which the photosensitive conductive film of the present embodiment is laminated so that the photosensitive resin layer is in contact with the base material, and a laminate process in which the photosensitive resin layer on the substrate is irradiated with an actinic ray And a method comprising an exposure process. When the photosensitive conductive film has a protective film, the photosensitive conductive film from which the protective film is peeled is laminated from the side of the photosensitive resin layer on the substrate. The photosensitive resin layer, the conductive layer, and the support are laminated in this order on the substrate by the lamination process.

기재로서는, 예를 들면, 유리 기판, 폴리카보네이트 등의 플라스틱 기판 등을 들 수 있다. Examples of the substrate include a glass substrate, a plastic substrate such as polycarbonate, and the like.

라미네이트 공정은, 예를 들면, 감광성 도전 필름을, 보호 필름이 있는 경우는 그것을 제거한 후, 가열하면서 감광성 수지층측을 기재에 압착하는 것에 의해 적층하는 방법에 의해 행해진다. 또, 이 작업은, 밀착성 및 추종성의 견지에서 감압하에서 적층하는 것이 바람직하다. 감광성 도전 필름의 적층은, 감광성 수지층 및/또는 기판을 70~130℃로 가열하는 것이 바람직하고, 압착 압력은, 0.1~1.OMPa 정도(1~10kgf/c㎡ 정도)로 하는 것이 바람직하지만, 이들의 조건에는 특별히 제한은 없다. 또한, 감광성 수지층을 상기와 같이 70~130℃로 가열하면, 미리 기재를 예열 처리하는 것은 필요하지 않지만, 적층성을 더욱 향상시키기 위해서 기재의 예열 처리를 행할 수도 있다. The lamination step is performed, for example, by laminating a photosensitive conductive film by removing the protective film, if there is a protective film, and pressing the photosensitive resin layer side against the substrate while heating. In addition, this work is preferably laminated under reduced pressure in view of adhesion and followability. It is preferable to heat the photosensitive resin layer and / or the substrate to 70 to 130 占 폚 for the lamination of the photosensitive conductive film, and the pressing pressure is preferably about 0.1 to 1.OMPa (about 1 to 10 kgf / c m2) , These conditions are not particularly limited. When the photosensitive resin layer is heated to 70 to 130 DEG C as described above, it is not necessary to preheat the substrate in advance, but the substrate may be preheated to further improve the lamination property.

노광 공정에서는, 활성 광선을 조사하는 것에 의해서 조사된 부분의 감광성 수지층이 경화되고, 이 경화물에 의해서 도전층이 고정됨으로써, 기재상에 도전막이 형성된다. 활성 광선의 광원으로서는, 공지의 광원, 예를 들면, 카본 아크등, 수은 증기 아크등, 초고압 수은등, 고압 수은등, 크세논 램프 등의 자외선, 가시광 등을 유효하게 방사하는 것이 이용된다. 또한, Ar이온 레이저, 반도체 레이저 등의 자외선, 가시광 등을 유효하게 방사하는 것도 이용된다. 또한, 사진용 플래드 전구, 태양 램프 등의 가시광을 유효하게 방사하는 것도 이용된다. In the exposure step, the photosensitive resin layer of the portion irradiated with the actinic light is cured, and the conductive layer is fixed by the cured product to form a conductive film on the substrate. As the light source of the active light ray, a known light source such as a carbon arc, a mercury vapor arc, or the like, which effectively emits ultraviolet rays or visible light such as an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, or a xenon lamp is used. It is also possible to effectively radiate ultraviolet rays or visible light such as Ar ion lasers and semiconductor lasers. In addition, it is also effective to radiate visible light such as a photographic plate lamp or a solar lamp.

도전층상의 필름 지지체가 활성 광선에 대해서 투명한 경우에는, 필름 지지체를 통해 활성 광선을 조사할 수 있고, 지지체가 차광성인 경우에는, 필름 지지체를 제거한 후에 감광성 수지층에 활성 광선을 조사한다.When the film support on the conductive layer is transparent to the actinic ray, the actinic ray can be irradiated through the film support. When the support is shielded, the actinic ray is irradiated to the photosensitive resin layer after removing the film support.

또한, 기재가 활성 광선에 대해서 투명한 경우에는, 기재측으로부터 기재를 통하여 활성 광선을 조사할 수 있지만, 해상도의 점에서, 도전층측으로부터 도전층 및 감광성 수지층에 활성 광선을 조사하는 것이 바람직하다.When the base material is transparent to the active ray, it is preferable to irradiate the active layer with the conductive layer and the photosensitive resin layer from the side of the conductive layer in terms of resolution, although the active ray can be irradiated from the base side through the base.

상기의 공정을 거치는 것에 의해, 기재상에 도전막을 구비하는 도전막 부착 기재가 얻어진다. 본 실시 형태의 도전막의 형성 방법에 있어서는, 형성된 도전막을, 필름 지지체의 박리 후, 필요에 따라서, 60~250℃ 정도의 가열 또는 0.2~10J/c㎡ 정도의 노광을 행하는 것에 의해 더욱 경화해도 된다. 가열과 노광의 양자를 행하여 더욱 경화해도 된다.By passing through the above-described process, a substrate with a conductive film having a conductive film on a substrate is obtained. In the method for forming a conductive film of the present embodiment, the formed conductive film may be further cured by heating at about 60 to 250 ° C or by exposure at about 0.2 to 10 J / cm 2, if necessary, after peeling off the film support . Both of heating and exposure may be performed to further cure.

이와 같이, 본 발명의 도전막의 형성 방법에 의하면, 유리나 플라스틱 등 기판상에 용이하게 투명한 도전막을 형성하는 것이 가능하다.As described above, according to the method for forming a conductive film of the present invention, it is possible to easily form a transparent conductive film on a substrate such as glass or plastic.

다음에, 도면을 참조하면서, 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법에 관하여 설명한다.Next, a method of forming a conductive pattern according to the present invention will be described with reference to the drawings.

본 실시 형태에 관련되는 도전 패턴의 형성 방법은, 상술한 감광성 도전 필름(10)을, 기판(20)상에 감광성 수지층(3)이 밀착하도록 라미네이트하는 공정(도 2의 (a))과, 기판(20)상의 감광성 수지층(3)의 소정 부분에 활성 광선을 조사하는 노광 공정(도 2의 (b))과, 노광한 감광성 수지층(3)을 현상하는 것에 의해 도전 패턴을 형성하는 현상 공정을 구비한다. 이들의 공정을 거치는 것에 의해, 기판(20)상에 패터닝된 도전막(도전 패턴)(2a)를 구비하는 도전막 부착 기판(40)이 얻어진다(도 2의(c)).The method of forming a conductive pattern according to the present embodiment includes the steps of laminating the above-described photosensitive conductive film 10 so that the photosensitive resin layer 3 is in close contact with the substrate 20 (Fig. 2 (a)) and An exposure step (FIG. 2 (b)) of irradiating a predetermined portion of the photosensitive resin layer 3 on the substrate 20 with an actinic ray and a step of developing the exposed photosensitive resin layer 3 to form a conductive pattern And a development step of Through these steps, a conductive film-attached substrate 40 having a patterned conductive film (conductive pattern) 2a on the substrate 20 is obtained (FIG. 2 (c)).

라미네이트 공정은, 예를 들면, 감광성 도전 필름(10)을, 보호 필름이 있는 경우는 그것을 제거한 후, 가열하면서 감광성 수지층(3)측을 기판에 압착하는 적층 방법에 의해 행해진다. 또, 이 작업은, 밀착성 및 추종성의 견지에서 감압하에서 적층하는 것이 바람직하다. 감광성 도전 필름(10)의 적층은, 감광성 수지층(3) 및/또는 기판(20)을 70~130℃로 가열하는 것이 바람직하고, 압착 압력은, 0.1~1.OMPa 정도(1~10kgf/c㎡정도)로 하는 것이 바람직하지만, 이들의 조건에는 특별히 제한은 없다. 또한, 감광성 수지층(3)을 상기와 같이 70~130℃로 가열하면, 미리 기판을 예열 처리하는 것은 필요하지 않지만, 적층성을 더욱 향상시키기 위해서 기판의 예열처리를 행할 수도 있다.The lamination process is performed, for example, by a lamination method in which the photosensitive conductive film 10 is pressed on the substrate while removing the protective film, if there is a protective film, while heating the side. In addition, this work is preferably laminated under reduced pressure in view of adhesion and followability. It is preferable to heat the photosensitive resin layer 3 and / or the substrate 20 to 70 to 130 占 폚 and the pressing pressure to be about 0.1 to 1.OMPa (1 to 10 kgf / c m2), but the conditions are not particularly limited. When the photosensitive resin layer 3 is heated to 70 to 130 캜 as described above, it is not necessary to preheat the substrate in advance, but the substrate may be preheated to further improve the lamination property.

노광 공정에서의 노광 방법으로서는, 아트워크(artwork)로 불리는 네거티브 또는 포지티브 마스크 패탄을 통하여 활성 광선을 화상상으로 조사하는 방법(마스크 노광법)을 들 수 있다. 활성 광선의 광원으로서는, 공지의 광원, 예를 들면, 카본 아크등, 수은 증기 아크등, 초고압 수은등, 고압 수은등, 크세논 램프 등의 자외선, 가시광 등을 유효하게 방사하는 것이 이용된다. 또한, Ar 이온 레이저, 반도체 레이저 등의 자외선, 가시광 등을 유효하게 방사하는 것도 이용된다. 또한, 사진용 플래드 전구, 태양 램프 등의 가시광을 유효하게 방사하는 것도 이용된다. 또한, 레이저 노광법 등을 이용한 직접 묘화법에 의해 활성 광선을 화상상으로 조사하는 방법을 채용해도 된다.Examples of the exposure method in the exposure step include a method (mask exposure method) of irradiating an actinic ray on a picture image through a negative or positive mask pattern called an artwork. As the light source of the active light ray, a known light source such as a carbon arc, a mercury vapor arc, or the like, which effectively emits ultraviolet rays or visible light such as an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, or a xenon lamp is used. It is also possible to effectively radiate ultraviolet rays or visible light such as Ar ion lasers and semiconductor lasers. In addition, it is also effective to radiate visible light such as a photographic plate lamp or a solar lamp. Further, a method of irradiating an active ray on an image plane by a direct drawing method using a laser exposure method or the like may be employed.

도전층(2)상의 필름 지지체(1)이 활성 광선에 대해서 투명한 경우에는, 필름 지지체(1)을 통해 활성 광선을 조사할 수 있고, 필름 지지체(1)이 차광성인 경우에는, 필름 지지체(1)을 제거한 후에 감광성 수지층(3)에 활성 광선을 조사한다.When the film support 1 on the conductive layer 2 is transparent to the active ray, it is possible to irradiate the active ray through the film support 1, and when the film support 1 is shielded from light, The photosensitive resin layer 3 is irradiated with an actinic ray.

또한, 기판(피착물)(20)이 활성 광선에 대해서 투명인 경우에는, 기판(20)측으로부터 기판(20)을 통해 활성 광선을 조사할 수 있지만, 해상도의 점에서, 도전층(2)측으로부터 도전층(2) 및 감광성 수지층(3)에 활성 광선을 조사하는 것이 바람직하다. When the substrate (adherend) 20 is transparent to the active ray, it is possible to irradiate the active ray through the substrate 20 from the substrate 20 side, but in view of the resolution, It is preferable to irradiate the conductive layer 2 and the photosensitive resin layer 3 with an actinic ray.

본 실시 형태의 현상 공정에서는, 감광성 수지층(3)의 노광부 이외의 부분이 제거된다. 구체적으로는, 도전층(2)상에 필름 지지체(1)이 존재하고 있는 경우에는, 우선 필름 지지체(1)을 제거하고, 그 후, 웨트 현상에 의해 감광성 수지층(3)의 노광부 이외의 부분을 제거한다. 이것에 의해, 소정의 패턴을 가지는 수지 경화층(3a)상에 유기 도전재료를 함유하는 도전층(2a)가 남아, 도전 패턴이 형성된다.In the developing step of this embodiment, portions other than the exposed portion of the photosensitive resin layer 3 are removed. Specifically, when the film support 1 is present on the conductive layer 2, the film support 1 is first removed, and thereafter, the wet film is removed from the exposed portion of the photosensitive resin layer 3 . As a result, the conductive layer 2a containing the organic conductive material remains on the resin cured layer 3a having a predetermined pattern, and a conductive pattern is formed.

웨트 현상은, 예를 들면, 알칼리성 수용액, 수계 현상액, 유기용제계 현상액 등의 감광성 수지에 대응한 현상액을 이용하여, 스프레이, 요동 침지, 브러싱, 스크래핑 등의 공지의 방법에 의해 행해진다. The wet phenomenon is performed by a known method such as spraying, swinging dipping, brushing, scraping, or the like using a developer corresponding to a photosensitive resin such as an alkaline aqueous solution, an aqueous developer, or an organic solvent developer.

현상액으로서는, 알칼리성 수용액 등의 안전하고 또한 안정하며, 조작성이 양호한 것이 이용된다. 상기 알칼리성 수용액의 염기로서는, 예를 들면, 리튬, 나트륨 또는 칼륨의 수산화물 등의 수산화알칼리, 리튬, 나트륨, 칼륨 혹은 암모늄의 탄산염 또는 중탄산염 등의 탄산알칼리, 인산칼륨, 인산나트륨 등의 알칼리 금속 인산염, 피로인산나트륨, 피로인산칼륨 등의 알칼리 금속 피로인산염 등이 이용된다. As the developer, an alkaline aqueous solution or the like, which is safe, stable, and has good operability, is used. Examples of the base of the alkaline aqueous solution include alkaline hydroxides such as hydroxides of lithium, sodium or potassium, alkali metal carbonates such as carbonates or bicarbonates of lithium, sodium, potassium or ammonium, alkali metal phosphates such as potassium phosphate, sodium phosphate, Alkali metal pyrophosphate such as sodium pyrophosphate, potassium pyrophosphate and the like are used.

또한, 현상에 이용하는 알칼리성 수용액으로서는, 0.1~5중량% 탄산나트륨 수용액, 0.1~5중량% 탄산칼륨 수용액, 0.1~5중량% 수산화나트륨 수용액, 0.1~5중량% 4붕산나트륨 수용액 등이 바람직하다. 또한, 현상에 이용하는 알칼리성 수용액의 pH는 9~11의 범위로 하는 것이 바람직하고, 그 온도는, 감광성 수지층의 현상성에 맞추어 조절된다. 또한, 알칼리성 수용액 중에는, 표면 활성제, 소포제, 현상을 촉진시키기 위한 소량의 유기용제 등을 혼입시켜도 된다.The alkaline aqueous solution used for development is preferably an aqueous solution of 0.1 to 5 wt% of sodium carbonate, an aqueous solution of 0.1 to 5 wt% of potassium carbonate, an aqueous solution of sodium hydroxide of 0.1 to 5 wt%, and an aqueous solution of sodium tetraborate of 0.1 to 5 wt%. The pH of the alkaline aqueous solution used for development is preferably in the range of 9 to 11, and the temperature is adjusted in accordance with developability of the photosensitive resin layer. In the alkaline aqueous solution, a surface active agent, a defoaming agent, and a small amount of an organic solvent for promoting development may be mixed.

또한, 물 또는 알칼리 수용액과 1종 이상의 유기용제로 이루어지는 수계 현상액을 이용할 수 있다. 여기에서, 알칼리 수용액에 포함되는 염기로서는, 상술한 염기 이외에, 예를 들면, 붕사나 메타규산나트륨, 수산화테트라메틸암모늄, 에탄올아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 2-아미노-2-히드록시메틸-1,3-프로판디올, 1,3-디아미노프로판올-2, 모르폴린을 들 수 있다.Further, an aqueous developer containing water or an aqueous alkali solution and at least one organic solvent may be used. Here, examples of the base contained in the aqueous alkali solution include, in addition to the above-mentioned base, borax or sodium metasilicate, tetramethylammonium hydroxide, ethanolamine, ethylenediamine, diethylenetriamine, Methyl-1,3-propanediol, 1,3-diaminopropanol-2, and morpholine.

유기용제로서는, 예를 들면, 3-아세톤알코올, 아세톤, 아세트산에틸, 탄소수 1~4의 알콕시기를 가지는 알콕시 에탄올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, 부틸알코올, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.Examples of the organic solvent include organic solvents such as 3-acetone alcohol, acetone, ethyl acetate, alkoxyethanol having an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol mono Ethyl ether, and diethylene glycol monobutyl ether. These may be used singly or in combination of two or more.

수계 현상액은, 유기용제의 농도를 2~90중량%로 하는 것이 바람직하고, 그 온도는, 현상성에 맞추어 조정할 수 있다. 더욱이, 수계 현상액의 pH는, 레지스트의 현상이 충분히 가능한 범위에서 가급적 작게 하는 것이 바람직하고, pH8~12로 하는 것이 바람직하고, pH9~10으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 수계 현상액 중에는, 계면활성제, 소포제 등을 소량 첨가할 수도 있다.In the aqueous developing solution, the concentration of the organic solvent is preferably 2 to 90% by weight, and the temperature can be adjusted according to developability. Further, the pH of the aqueous developer is preferably as small as possible within a range where the development of the resist is sufficiently possible, and the pH is preferably 8 to 12, more preferably 9 to 10. Further, a small amount of a surfactant, defoaming agent or the like may be added to the aqueous developing solution.

유기용제계 현상액으로서는, 예를 들면, 1,1,1-트리클로로에탄, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, 시클로헥사논, 메틸이소부틸케톤, γ-부티로락톤 등을 들 수 있다. 이들의 유기 용제는, 인화 방지를 위해서, 1~20중량%의 범위에서 물을 첨가하는 것이 바람직하다.Examples of the organic solvent-based developer include organic solvents such as 1,1,1-trichloroethane, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, cyclohexanone, methylisobutylketone, . In order to prevent the occurrence of flammability, water is preferably added to the organic solvent in an amount of 1 to 20% by weight.

상술한 현상액은, 필요에 따라서, 2종 이상을 병용해도 된다.The developer may be used in combination of two or more thereof, if necessary.

현상의 방식으로서는, 예를 들면, 딥 방식, 배틀 방식, 스프레이 방식, 블러싱, 슬래핑 등을 들 수 있다. 이들 중, 고압 스프레이 방식을 이용하는 것이, 해상도 향상의 관점에서 바람직하다.Examples of the developing method include a dip method, a battle method, a spray method, blushing, and slapping. Of these, it is preferable to use a high-pressure spraying method from the viewpoint of resolution improvement.

본 실시 형태에 있어서는, 소정의 패턴으로 노광한 후의 감광성 수지층(3)을 현상하여 미노광 부분을 제거하는 것에 의해, 미노광 부분의 감광성 수지층상의 도전층은 함께 제거되고, 노광 부분의 감광성 수지층상의 도전층은 남아, 도전 패턴이 형성된다. 현상시에는, 현상액이 도전층(2)에 스며들어 미노광의 감광성 수지층을 팽윤시키거나 감광성 수지층의 단부로부터 현상액이 스며들어 감광성 수지층을 팽윤시키거나 하는 것에 의해서, 감광성 수지층이 용해, 분산하여 패턴이 형성된다. 도전층(2)의 층두께가 0.5㎛로 얇은 경우에는, 현상액이 도전층(2)를 개재시켜 감광성 수지층(3)으로 도달하기 쉬워져, 현상성이 향상한다.In the present embodiment, by removing the unexposed portion by developing the photosensitive resin layer 3 after exposure in a predetermined pattern, the conductive layer on the photosensitive resin layer of the unexposed portion is removed together, and the photosensitive portion of the exposed portion The conductive layer on the resin layer remains, and a conductive pattern is formed. At the time of development, the developer is permeated into the conductive layer 2 to swell the photosensitive resin layer of unexposed light, or the developer is allowed to swell from the end of the photosensitive resin layer to swell the photosensitive resin layer, Thereby forming a pattern. When the thickness of the conductive layer 2 is as thin as 0.5 占 퐉, the developer easily reaches the photosensitive resin layer 3 via the conductive layer 2, and the developing property is improved.

본 실시 형태의 도전 패턴의 형성 방법에 있어서는, 현상 후에 필요에 따라서, 60~250℃ 정도의 가열 또는 0.2~10J/c㎡ 정도의 노광을 행하는 것에 의해 도전 패턴을 더욱 경화해도 된다. 가열과 노광의 양자를 행하여 더 경화해도 된다.In the method for forming a conductive pattern according to the present embodiment, after the development, the conductive pattern may be further cured by heating at about 60 to 250 DEG C or by about 0.2 to 10 J / cm2. Both of heating and exposure may be performed and further cured.

이와 같이, 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법에 의하면, ITO 등의 무기막과 같이 에칭 레지스트를 형성하는 일 없이, 유리나 플라스틱 등 기판상에 용이하게 투명한 도전 패턴을 형성하는 것이 가능하다.As described above, according to the conductive pattern forming method of the present invention, it is possible to easily form a transparent conductive pattern on a substrate such as glass or plastic without forming an etching resist like an inorganic film such as ITO.

본 발명에 관련되는 도전막 부착 기판은, 상술한 도전막의 형성 방법이나 도전 패턴의 형성 방법에 의해 얻어지지지만, 투명 전극으로서 유효하게 활용할 수 있는 관점에서, 도전막 또는 도전 패턴의 표면 저항율이 10000Ω/□ 이하인 것이 바람직하고, 5000Ω/□ 이하인 것이 보다 바람직하고, 2000Ω/□ 이하인 것이 특히 바람직하다. 표면 저항율은, 예를 들면, 유기 도전재료를 포함하는 분산액의 농도 또는 도공량에 의해서 조정할 수 있다. 분산액의 농도를 높게 할수록, 또한, 도공량을 많게 하여 두께를 두껍게 할수록, 표면 저항율은 저하하는 경향이 있다. 또한, 도핑 처리에 의해서도 조정할 수 있다.The substrate with a conductive film according to the present invention can be obtained by the method for forming a conductive film or the method for forming a conductive pattern as described above. However, from the viewpoint that the conductive film or the conductive pattern can be effectively utilized as a transparent electrode, / &Amp; squ &, more preferably 5000 OMEGA / or less, and particularly preferably 2000 OMEGA / or less. The surface resistivity can be adjusted, for example, by the concentration or the coating amount of the dispersion containing the organic conductive material. The surface resistivity tends to decrease as the concentration of the dispersion increases, and as the thickness increases as the coating amount increases. It can also be adjusted by doping.

이상, 본 발명의 적절한 실시 형태에 관하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 제한되는 것은 아니다. While the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto.

본 발명에 의하면, 기판상에, 기판과의 접착성이 충분하고, 유기 도전재료를 포함하여 이루어지는 도전 패턴을 충분한 해상도로 간편하게 형성하는 것을 가능하게 하는 감광성 도전 필름, 및, 이것을 이용한 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법을 제공할 수 있다. According to the present invention, there is provided a photosensitive conductive film which is capable of easily forming a conductive pattern having sufficient adhesiveness to a substrate and containing an organic conductive material on a substrate with sufficient resolution, and a method of forming a conductive film using the same And a method of forming a conductive pattern.

도 1은 본 발명의 감광성 도전 필름의 일실시 형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 2는 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법의 일실시 형태를 설명하기 위한 모식 단면도이다.
1 is a schematic sectional view showing one embodiment of the photosensitive conductive film of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view for explaining an embodiment of a method of forming a conductive pattern according to the present invention.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.

<도전층 형성용 도액의 조제>&Lt; Preparation of coating liquid for forming conductive layer &

(도전층 형성용 도액(1)(유기 도전재료 용액))(Conductive layer forming liquid (1) (organic conductive material solution))

폴리에틸렌디옥시티오펜의 알코올 용액인 「세푸루지다OC-U1」(신에츠폴리머 주식회사제, 광패터닝 도료, 상품명)을 메탄올 10배로 희석하고, 이것을 도전층 형성용 도액(1)으로 했다. &Quot; Sephulizide OC-U1 &quot; (photo patterning paint, trade name, manufactured by Shin-Etsu Polymer Co., Ltd.) as an alcohol solution of polyethylene dioxythiophene was diluted with methanol 10 times and used as a conductive layer-forming liquid (1).

(도전층 형성용 도액 2(유기 도전재료 용액))(Conductive layer forming liquid 2 (organic conductive material solution))

폴리에틸렌디옥시티오펜의 수용액인 「크레비오스 P」(에이치·시·스탈크(H.C.Starck)사제, 상품명)을 물로 5배로 희석하고, 이것을 도전층 형성용 도액 2로 했다. (Trade name, product of HC Starck Co., Ltd.) as an aqueous solution of polyethylene dioxythiophene was diluted 5-fold with water to prepare a conductive layer-forming coating solution 2.

<감광성 수지 조성물의 용액의 조제>&Lt; Preparation of solution of photosensitive resin composition >

[아크릴 수지의 합성][Synthesis of acrylic resin]

교반기, 환류 냉각기, 온도계, 적하 로트 및 질소 가스 도입관을 구비한 플라스크에, 메틸셀로솔브와 톨루엔과의 혼합액(메틸셀로솔브/톨루엔=3/2(중량비), 이하, 「용액 s」라 한다) 400g을 더하고, 질소가스를 불어 넣으면서 교반하여, 80℃까지 가열했다. 한편, 단량체로서 메타크릴산 100g, 메타크릴산메틸 250g, 아크릴산에틸 100g 및 스티렌 50g과, 아조비스이소부티로니트릴 0.8g을 혼합한 용액(이하, 「용액 a」라 한다)을 준비했다. 다음에, 80℃로 가열된 용액 s에 용액 a를 4시간 걸려 적하한 후, 80℃에서 교반하면서 2시간 보온했다. 더욱이, 100g의 용액 s에 아조비스이소부티로니트릴 1.2g을 용해한 용액을, 10분 걸려 플라스크 내에 적하했다. 그리고, 적하 후의 용액을 교반하면서 80℃에서 3시간 보온한 후, 30분간 걸려 90℃로 가열했다. 90℃에서 2시간 보온한 후, 냉각하여 바인더 폴리머 용액을 얻었다. 이 바인더 폴리머 용액에, 아세톤을 더하여 불휘발 성분(고형분)이 50중량%로 되도록 조제하여, 바인더 폴리머 용액을 얻었다. 얻어진 바인더 폴리머의 중량 평균 분자량은 80000이었다. 이것을 아크릴 폴리머 A로 했다.(Methylcellosolve / toluene = 3/2 (weight ratio), hereinafter referred to as "solution s") was added to a flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen gas introducing tube, ) Were added, and the mixture was stirred while blowing nitrogen gas, and heated to 80 占 폚. On the other hand, a solution prepared by mixing 100 g of methacrylic acid, 250 g of methyl methacrylate, 100 g of ethyl acrylate and 50 g of styrene and 0.8 g of azobisisobutyronitrile as a monomer (hereinafter referred to as "solution a") was prepared. Then, the solution a heated to 80 캜 was dropped for 4 hours, and then kept at 80 캜 for 2 hours while being stirred. Further, a solution obtained by dissolving 1.2 g of azobisisobutyronitrile in 100 g of the solution s was dropped into the flask over 10 minutes. Then, after the dropwise addition, the solution was kept at 80 DEG C for 3 hours while stirring, and then heated at 90 DEG C for 30 minutes. The mixture was kept at 90 DEG C for 2 hours and then cooled to obtain a binder polymer solution. Acetone was added to this binder polymer solution so that the non-volatile component (solid content) became 50% by weight to obtain a binder polymer solution. The weight average molecular weight of the obtained binder polymer was 80,000. This was designated as Acrylic Polymer A.

표 1에 나타낸 재료를 동표에 나타내는 배합량(단위:중량부)으로 배합하여, 감광성 수지 조성물의 용액을 조제했다. The materials shown in Table 1 were compounded in the amount (unit: parts by weight) shown in the table to prepare a solution of the photosensitive resin composition.

Figure 112017064770703-pat00003
Figure 112017064770703-pat00003

1) 메타크릴산:메타크릴산메틸:아크릴산에틸:및 스티렌=20:50:20:10의 중량비율의 아크릴 폴리머1) acrylic polymer having a weight ratio of methacrylic acid: methyl methacrylate: ethyl acrylate: and styrene = 20: 50: 20: 10

<감광성 도전 필름의 제작>&Lt; Preparation of photosensitive conductive film >

(실시예 1)(Example 1)

도전층 형성용 도액(1)을, 지지 필름(필름 지지체)인 50㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름, 테이진주식회사제, 상품명 「G2-50」) 상에 25g/㎡로 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 3분간 건조하여, 도전층을 형성했다. 또 도전층의 건조 후의 막두께는, 약 0.1㎛이었다.The conductive layer forming coating liquid 1 was uniformly applied to a polyethylene terephthalate film (PET film, trade name: "G2-50" manufactured by Teijin Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm as a support film (film support) at 25 g / And dried in a hot air convection type drier at 100 ° C for 3 minutes to form a conductive layer. The thickness of the conductive layer after drying was about 0.1 mu m.

다음에, 지지 필름의 도전층이 설치되어 있는 측에, 상기 감광성 수지 조성물의 용액을 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 10분간 건조하여, 감광성 수지층을 형성했다. 감광성 수지층의 건조 후의 막두께는, 5㎛이었다. 또한, 감광성 수지층을, 폴리에틸렌제의 보호 필름(타마폴리주식회사제, 상품명 「NF-13」)으로 덮고, 감광성 도전 필름을 얻었다.Next, the solution of the photosensitive resin composition was uniformly coated on the side of the support film on which the conductive layer was provided, and dried by a hot air convection type drier at 100 캜 for 10 minutes to form a photosensitive resin layer. The thickness of the photosensitive resin layer after drying was 5 占 퐉. Further, the photosensitive resin layer was covered with a protective film made of polyethylene (manufactured by Tama Poly Co., Ltd., trade name &quot; NF-13 &quot;) to obtain a photosensitive conductive film.

(실시예 2)(Example 2)

도전층 형성용 도액 2를, 지지 필름인 50㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름, 테이진주식회사제, 상품명 「G2-50」) 상에 25g/㎡로 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 3시간 건조하여, 도전층을 형성했다. 또, 건조 후의 도전층의 막두께는, 약 0.1㎛이었다.The coating solution 2 for forming a conductive layer was uniformly coated on a polyethylene terephthalate film (PET film, trade name &quot; G2-50 &quot;, manufactured by Teijin Co., Ltd.) having a thickness of 50 mu m as a supporting film at 25 g / m & Followed by drying with a convection type drier for 3 hours to form a conductive layer. The film thickness of the conductive layer after drying was about 0.1 mu m.

다음에, 지지 필름의 도전층이 설치되어 있는 측에, 상기 감광성 수지 조성물의 용액을 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 10분간 건조하여, 감광성 수지층을 형성했다. 감광성 수지층의 건조 후의 막두께는, 5㎛이었다. 또한, 감광성 수지층을, 폴리에틸렌제의 보호 필름(타마폴리주식회사제, 상품명 「NF-13」)로 덮고, 감광성 도전 필름을 얻었다. Next, the solution of the photosensitive resin composition was uniformly coated on the side of the support film on which the conductive layer was provided, and dried by a hot air convection type drier at 100 캜 for 10 minutes to form a photosensitive resin layer. The thickness of the photosensitive resin layer after drying was 5 占 퐉. Further, the photosensitive resin layer was covered with a protective film made of polyethylene (manufactured by Tama Poly Co., Ltd., trade name &quot; NF-13 &quot;) to obtain a photosensitive conductive film.

<도전막의 형성>&Lt; Formation of conductive film &

0.7mm 두께의 소다 유리판을 80℃로 가온하고, 그 표면상에 실시예 1, 2에서 얻어진 감광성 도전 필름을, 보호 필름을 박리하면서 감광성 수지층을 기판에 대향시켜, 120℃, 0.4MPa의 조건에서 라미네이트했다. 라미네이트 후, 기판을 냉각하여 기판의 온도가 23℃로 된 시점에서 PET필름면에 고압 수은등 램프를 가지는 노광기(주식회사 오크제작소제, 상품명 「HMW-201B」)를 이용하여, 1000mJ/c㎡의 노광량으로 도전층 및 감광성 수지층을 노광했다. 노광 후, 실온(25℃)에서 15분간 방치하고, 뒤이어, 지지체인 PET 필름을 박리함으로써, 실시예에서 제작한 도전막을 소다 유리판상에 형성했다. 실시예 1, 2의 필름을 이용하여 형성한 것의 표면 저항은, 각각 2000Ω/□, 2800Ω/□이고, 650nm의 광에 대한 투과율은 90%, 85%이었다. 결과를 표 1에 나타냈다. A 0.7 mm thick soda glass plate was heated to 80 deg. C, and the photosensitive conductive film obtained in Examples 1 and 2 was placed on the surface of the glass substrate so that the photosensitive resin layer was opposed to the substrate while peeling the protective film. Laminated in. After the laminating, the substrate was cooled and exposed to light having an exposure amount of 1000 mJ / cm &lt; 2 &gt; using an exposure machine (trade name "HMW-201B" available from Oak Production Co., Ltd.) having a high pressure mercury lamp on the surface of the PET film at a temperature of 23 [ To expose the conductive layer and the photosensitive resin layer. After exposure, the film was allowed to stand at room temperature (25 DEG C) for 15 minutes, and then the PET film as a support was peeled off to form the conductive film produced in the examples on a soda glass plate. The surface resistances of the films formed using the films of Examples 1 and 2 were 2,000? / ?, 2800? / ?, respectively, and the transmittances to light of 650 nm were 90% and 85%, respectively. The results are shown in Table 1.

또, 상기의 표면 저항은, 저저항율계(미츠비시화학주식회사제, 로레스타 GP)를 이용하고, 4탐침법에 의해 JIS K 7194에 준거하여 측정한 표면 저항율이다. 또한, 상기의 투과율은, 분광 광도계(주식회사 히타치하이테크노로지즈제, 상품명 「U-3310」)을 이용하여 측정한, 450~650nm의 파장역에 있어서의 최소 광투과율이다. 결과를 표 1에 나타냈다. The surface resistivity is a surface resistivity measured by a 4-probe method in accordance with JIS K 7194 using a low resistivity meter (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Loresta GP). The transmittance is the minimum light transmittance in a wavelength range of 450 to 650 nm as measured using a spectrophotometer (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation, trade name &quot; U-3310 &quot;). The results are shown in Table 1.

<도전 패턴의 형성><Formation of Conductive Pattern>

1mm 두께의 폴리카보네이트 기판을 80℃로 가온하고, 그 표면상에, 실시예 1,2로 얻어진 감광성 도전 필름을, 보호 필름을 박리하면서 감광성 수지층을 기판에 대향시키고, 120℃, 0.4MPa의 조건에서 라미네이트했다. 래미네이트 후, 기판을 냉각하여 기판의 온도가 23℃가 된 시점에서, 지지체인 PET 필름면에 라인폭/스페이스폭이 100/100㎛에서 길이가 100mm인 배선 패턴을 가지는 포토마스크(photomask)를 밀착시켰다. 그리고, 고압 수은등 램프를 가지는 노광기(주식회사 오크제작소제, 상품명 「HMW-201B」)를 이용하여, 200mJ/c㎡의 노광량으로 도전층 및 감광성 수지층을 노광했다. A 1 mm thick polycarbonate substrate was heated to 80 deg. C and the photosensitive conductive film obtained in Examples 1 and 2 was placed on the surface of the polycarbonate substrate so that the photosensitive resin layer was opposed to the substrate while the protective film was being peeled off. Laminated under the conditions. After the laminating, the substrate was cooled and a photomask having a wiring pattern with a line width / space width of 100/100 mu m and a length of 100 mm was formed on the surface of the support PET film at a temperature of 23 DEG C Respectively. Then, the conductive layer and the photosensitive resin layer were exposed with an exposure amount of 200 mJ / cm 2 using an exposure machine (trade name: "HMW-201B", manufactured by Oak Production Co., Ltd.) having a high pressure mercury lamp.

노광 후, 실온(25℃)에서 15분간 방치하고, 뒤이어, 지지체인 PET 필름을 박리하여, 30℃에서 1중량% 탄산나트륨 수용액을 30초간 스프레이하는 것에 의해 현상했다. 현상 후, 라인폭/스페이스폭이 약 100/100㎛인 도전 패턴을 폴리카보네이트 기판상에 형성했다. 각각의 도전 패턴은 양호하게 형성되어 있는 것이 확인되었다. After exposure, the film was allowed to stand at room temperature (25 DEG C) for 15 minutes. Thereafter, the supporting PET film was peeled off and developed by spraying a 1 wt% sodium carbonate aqueous solution at 30 DEG C for 30 seconds. After development, a conductive pattern having a line width / space width of about 100/100 mu m was formed on the polycarbonate substrate. It was confirmed that each conductive pattern was well formed.

Figure 112017064770703-pat00004
Figure 112017064770703-pat00004

1…필름 지지체, 2…도전층, 2a…도전 패턴, 3…감광성 수지층, 3a…경화물층, 4…보호 필름, 10…감광성 도전 필름, 20…기판, 30…아트워크, 40…도전막 부착 기판,One… Film support, 2 ... Conductive layer, 2a ... Conductive pattern, 3 ... Photosensitive resin layer, 3a ... Cured layer, 4 ... Protective film, 10 ... Photosensitive conductive film, 20 ... Substrate, 30 ... Artwork, 40 ... A substrate with a conductive film,

Claims (6)

지지체, 유기 도전재료를 함유하는 도전층, 및 감광성 수지층이 이 순서로 적층된 구조를 가지고,
상기 유기 도전재료가, 수평균 분자량이 1000∼100000인, 티오펜 유도체의 폴리머이고,
상기 도전층의 두께가, 0.01∼0.5㎛이고,
알칼리성 수용액에 의한 웨트 현상용이고,
투명한 도전 패턴을 형성하기 위한, 전사형 감광성 도전 필름.
A support, a conductive layer containing an organic conductive material, and a photosensitive resin layer laminated in this order,
Wherein the organic conductive material is a thiophene derivative polymer having a number average molecular weight of 1000 to 100000,
The thickness of the conductive layer is 0.01 to 0.5 mu m,
For wet developing with an alkaline aqueous solution,
A transfer-type photosensitive conductive film for forming a transparent conductive pattern.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지층이, 바인더 폴리머, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, 및 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 것인, 전사형 감광성 도전 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the photosensitive resin layer is composed of a photosensitive resin composition containing a binder polymer, a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and a photopolymerization initiator.
제2항에 있어서,
상기 바인더 폴리머가, 카르복실기를 가지는, 전사형 감광성 도전 필름.
3. The method of claim 2,
Wherein the binder polymer has a carboxyl group.
제2항에 있어서,
상기 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물이, 트리메티롤프로판(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트, 및 디펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 전사형 감광성 도전 필름.
3. The method of claim 2,
Wherein the photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond is at least one selected from the group consisting of trimethylol propane (meth) acrylate, tetramethylol methane (meth) acrylate, pentaerythritol (meth) acrylate, and dipentaerythritol (meth) And at least one selected from the group consisting of the photosensitive resin composition and the photosensitive resin composition.
제2항에 있어서,
상기 광중합 개시제가, 방향족 케톤 화합물 또는 옥심에스테르 화합물을 포함하는, 전사형 감광성 도전 필름.
3. The method of claim 2,
Wherein the photopolymerization initiator comprises an aromatic ketone compound or an oxime ester compound.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 수지층의 상기 도전층측과는 반대측에 보호 필름이 더 적층되어 있는, 전사형 감광성 도전 필름.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein a protective film is further laminated on the side opposite to the conductive layer side of the photosensitive resin layer.
KR1020177018749A 2010-05-13 2011-05-10 Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern KR101847364B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010111064 2010-05-13
JPJP-P-2010-111064 2010-05-13
PCT/JP2011/060770 WO2011142360A1 (en) 2010-05-13 2011-05-10 Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167010483A Division KR20160052754A (en) 2010-05-13 2011-05-10 Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170084345A KR20170084345A (en) 2017-07-19
KR101847364B1 true KR101847364B1 (en) 2018-04-09

Family

ID=44914415

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167010483A KR20160052754A (en) 2010-05-13 2011-05-10 Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern
KR1020157012532A KR20150061006A (en) 2010-05-13 2011-05-10 Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern
KR1020177018749A KR101847364B1 (en) 2010-05-13 2011-05-10 Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern
KR1020127022338A KR20120120372A (en) 2010-05-13 2011-05-10 Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167010483A KR20160052754A (en) 2010-05-13 2011-05-10 Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern
KR1020157012532A KR20150061006A (en) 2010-05-13 2011-05-10 Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127022338A KR20120120372A (en) 2010-05-13 2011-05-10 Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP5582189B2 (en)
KR (4) KR20160052754A (en)
CN (2) CN108008602A (en)
TW (1) TWI547756B (en)
WO (1) WO2011142360A1 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9253892B2 (en) 2012-04-13 2016-02-02 Wistron Corporation Peripheral circuit of touch panel and manufacturing method thereof
US9929379B2 (en) 2013-06-11 2018-03-27 Konica Minolta, Inc. Method for producing organic electroluminescent element
CN103433189A (en) * 2013-09-02 2013-12-11 中环高科(天津)股份有限公司 Process for forming film on surface of PET (Polyethylene Terephthalate) substrate by adopting conductive macromolecular coating
CN104375382A (en) * 2014-03-31 2015-02-25 中能柔性光电(滁州)有限公司 Graphical manufacturing method for flexible conducting film
KR20170041809A (en) * 2014-08-07 2017-04-17 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. Conductive multilayer sheet for thermal forming applications
JP6027633B2 (en) * 2015-01-13 2016-11-16 日本写真印刷株式会社 Method for manufacturing touch input sensor and photosensitive conductive film
JP6150021B2 (en) 2015-04-21 2017-06-21 東レ株式会社 Method for manufacturing conductive pattern forming member
CN107093494B (en) * 2017-03-22 2021-07-13 中山大学 Transferable patterned conductive film and preparation and patterning method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003346575A (en) * 2002-05-29 2003-12-05 Konica Minolta Holdings Inc Process for forming conductive pattern
JP4281324B2 (en) * 2002-10-23 2009-06-17 コニカミノルタホールディングス株式会社 ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR SHEET
WO2010021224A1 (en) * 2008-08-22 2010-02-25 日立化成工業株式会社 Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, method for forming conductive pattern, and conductive film substrate

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4122889B2 (en) * 2002-08-08 2008-07-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 Conductive path or electrode and method for forming them
JP4666961B2 (en) * 2004-06-29 2011-04-06 Tdk株式会社 Object provided with transparent conductive layer, and conductive film for transfer
CN1940723B (en) * 2005-09-28 2011-11-09 旭化成电子材料株式会社 Photosensitive resin composition and laminating article thereof
CN101297242A (en) * 2005-10-25 2008-10-29 日立化成工业株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element comprising the same, method of forming resist pattern, and process for producing printed wiring board
CN101075090A (en) * 2006-05-19 2007-11-21 旭化成电子材料元件株式会社 Dry film corrosion resisting agent
JP4258532B2 (en) * 2006-06-30 2009-04-30 カシオ計算機株式会社 Thin film device substrate and manufacturing method thereof
JP4826803B2 (en) * 2007-03-20 2011-11-30 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition, spacer for liquid crystal display element and production method thereof
JP5588597B2 (en) * 2007-03-23 2014-09-10 富士フイルム株式会社 Manufacturing method and manufacturing apparatus of conductive material
JP5277679B2 (en) * 2007-03-30 2013-08-28 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element, resist pattern forming method and printed wiring board manufacturing method
CN101486837A (en) * 2008-01-18 2009-07-22 郑州泰达电子材料科技有限公司 Conductive macromolecular solution, conductive polymer coated film and solid electrolyte
JP5569144B2 (en) * 2010-02-24 2014-08-13 日立化成株式会社 Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, and method for forming conductive pattern

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003346575A (en) * 2002-05-29 2003-12-05 Konica Minolta Holdings Inc Process for forming conductive pattern
JP4281324B2 (en) * 2002-10-23 2009-06-17 コニカミノルタホールディングス株式会社 ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR SHEET
WO2010021224A1 (en) * 2008-08-22 2010-02-25 日立化成工業株式会社 Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, method for forming conductive pattern, and conductive film substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160052754A (en) 2016-05-12
KR20150061006A (en) 2015-06-03
TW201214032A (en) 2012-04-01
KR20120120372A (en) 2012-11-01
CN102859612A (en) 2013-01-02
TWI547756B (en) 2016-09-01
WO2011142360A1 (en) 2011-11-17
JP2014199814A (en) 2014-10-23
JP5582189B2 (en) 2014-09-03
JP5871029B2 (en) 2016-03-01
CN108008602A (en) 2018-05-08
JPWO2011142360A1 (en) 2013-07-22
KR20170084345A (en) 2017-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101847364B1 (en) Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern
KR101316977B1 (en) Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, method for forming conductive pattern, and conductive film substrate
KR20140058394A (en) Method for forming conductive pattern, conductive pattern substrate, and touch panel sensor
KR102689183B1 (en) Photosensitive resin composition, film and electronic device
KR102680126B1 (en) Negative photosensitive resin composition, film and electronic device
JP5569144B2 (en) Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, and method for forming conductive pattern
KR102417834B1 (en) Egative photosensitive resin composition and electronic device having organic insulating film using same
JP2017156510A (en) Photosensitive conductive film, method for forming conductive pattern, conductive pattern substrate, and touch panel

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant