JP5579397B2 - 真空処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、複数の処理室を備え、各処理室内で半導体ウエハ等の試料を処理する真空処理装置に係り、特に、各処理室を含む複数のモジュールがその内部に有する機器を通信可能に連絡した入出力装置を備えていて、これらの間の通信によりモジュールの動作を制御するようにした真空処理装置に関する。

半導体ウエハを対象とした真空処理装置に関しては、処理室を含むモジュールと試料を搬送するモジュールなどの複数のモジュールが着脱可能に連結されて構成された真空処理装置が知られている(例えば特許文献１等参照)。
そして、このような従来技術の場合、各モジュールに配置された機器の動作は各々のモジュール毎に制御されるようになっているのが通例である。

このとき、各モジュールに配置された機器は制御機器と呼称されるが、この制御機器と、当該機器の制御に関する指令信号を発信するコントローラの間でのインターフェースは、入出力基板を介して取られているのが一般的であり、更に、このとき各機器に含まれるセンサからの信号も、対応するインターフェースを介してモジュールコントローラに送信され、この信号に基づいて得られた指令が各機器にフイードバックされ、上記した制御が実行されるようになっているのが一般的である。

そして、これらの信号の送受信について、従来技術の場合、イーサネット(登録商標)ケープル等の汎用ケーブルを用いたり、制御機器毎に応じて定めた特定の規格のケーブルを用いて行なわれるようにするのが通例であり、このとき用いられる信号も特定の規格によるものが用いられていた。

特開２００３−５９９９９号公報

しかしながら、上記従来技術においては、モジュール内部の構成やモジュールに配置されている制御機器の位置に変更があった場合、制御機器のインターフェースに直接接続されている入出力基板も変更に応じて構成を変え、位置を移動させなければならない。
ここでモジュール内部の構成やモジュールに配置されている制御機器の位置に変更が生じるのは、モジュールの仕様を変更した場合やモジュールに対して制御機器が追加された場合などである。

従って、従来技術の場合、モジュールの仕様変更やモジュールに対する機器の追加に制限が生じ、この結果、拡張性が損なわれたり、装置の保守性が損なわれるといった問題があり、従って、これの解決が課題になってしまうのである。
本発明の目的は、入出力基板の構成や位置を変えずに制御機器の追加や変更に対応できるようにした真空処理装置を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本発明は、真空容器内の処理室に配置されたウエハを前記処理室内で処理する真空処理装置であって、前記真空処理装置の一部を構成する複数の制御対象の機器、及びこれらの複数の制御対象の機器の少なくとも１種と通信可能に接続された入出力基板を備えた制御ユニットと、この制御ユニットと通信可能に接続され当該制御ユニットと信号を送受信するコントローラと、前記入出力基板とコントローラとの問の信号の送受信を専有する第１のインターフェースと、前記入出力基板と前記制御対象の機器との間で信号が送受信される第２のインターフェースと、を備えた真空処理装置であり、前記入出力基板は前記第２のインターフェースを介し通信するための接続を複数の種類の前記制御対象の機器の間で変更可能に構成され、前記コントローラにおいて前記制御対象の機器に対する動作指令及びこの動作指令の受信先の制御対象の機器の情報を含む信号が生成され前記第１のインターフェースを介して前記入出力基板に発信され、前記入出力基板において前記第１のインターフェースからの前記信号に含まれる前記動作指令に係る信号が前記第２のインターフェースを介して前記制御対象の機器に送信されることを特徴とする。

上記構成においては、各モジュールに属する機器及びインターフェースが、他のインターフェース及びモジュールコントローラと接続可能にされ、これらの問で通信の送受信を可能にされている。そして、このような構成に加えて、モジュールコントローラにおいて、制御対象となる機器との通信を自身が持つインターフェースドライバをアクセスするだけで可能にし、つながれる機器の追加・変更を容易に行える構成を備えたものである。

本発明によれば、入出力基板と制御対象となる機器の間でのインターフェースが、モジュールコントローラと入出力基板の間のインターフェースとは別のインターフェースになっているので、モジュールコントローラ自身の持つ制御機器に対応したドライバをアクセスするだけで制御対象となる制御機器の操作及びモニタが可能になるため、入出力基板の位置や構成を変えることなく接続される機器の追加・変更が可能となる。

本発明に係る真空処理装置の一実施の形態を示すブロック構成図である。 本発明の一実施の形態における制御通信系を示すブロック構成図である。 本発明の一実施の形態におけるプロセスモジュールの詳細説明図である。 本発明の一実施の形態におけるユニットの構成図である。 本発明の一実施の形態におけるモジュールコントローラと入出力基板のプログラム処理のブロック図である。

以下、本発明に係る真空処理装置について、図示の実施の形態により詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態である真空処理装置の全体的な構成を概略ブロックで示したもので、この場合、装置は搬送モジュール１０１とプロセスモジュール１１０に大別される。
まず、搬送モジュール１０１は試料の搬送を行うモジュールで、これは、更に、大気圧から減圧された圧力下で試料の搬送を行う真空搬送部１０２と、大気圧下で試料の搬送を行う大気搬送部１０３とで構成されている。

そして、まず、真空搬送部１０２は、平面形状が略多角形状(ここでは５角形状)の真空搬送容器１０４と、この真空搬送容器１０４と大気搬送部１０３との間に配置され、試料を大気側と真空側との間でやりとりする２基のロック室１０５、１０５’を備えている。このとき、真空搬送容器１０４は、内部が減圧されて高い真空度に維持可能に作られているのは勿論である。

次に、大気搬送部１０３は、内部に大気側搬送ロボット１０９を備えた略直方体形状の筐体１０６を有し、この筐体１０６の前面側(図では右側)に複数のカセット台１０７−１〜１０７−３が取付けられ、これらカセット台１０７−１〜１０７−３の上に処理用又はクリーニング用の試料が収納されているカセットが載置されるようになっている。

一方、プロセスモジュール１１０は、真空圧下で試料の処理等を行うためのモジュールで、この実施形態では、４基のプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４が備えられているが、これらのプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４は、それぞれ真空搬送容器１０４の壁面に取り付けられ、真空状態で開閉可能なバルブ(扉)により、真空搬送容器１０４内と任意に連通できるように作られている。

そして、これらのプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４は、コントローラ１１３−１〜１１３−４により制御される。
このため、これらコントローラ１１３−１〜１１３−４は、ユーザインターフェース装置１１１に接続され、その上で信号線１１５を介してホスト１１２に接続されている。

ここで、真空搬送容器１０４は搬送室として機能し、その中央には、真空下で試料をロック室１０５とプロセスモジュール１１０内の処理室との間で搬送する真空搬送ロボット１０８が配置されている。
そして、この真空搬送ロボット１０８のアーム上に試料が載置され、プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の処理室内に配置された試料台の上と、何れかのロック室１０５の中の試料台との問で試料の搬入と搬出が行えるようになっている。

このため、これらプロセスモジュール１１０と真空搬送容器１０４の間、及び真空搬送容器１０４とロック室１０５の間には、各々気密に閉塞、開放可能なバルブ(扉)が設けられている。
そこで、このバルブ(扉)を開放することにより双方の内部が連通され、これにより試料の搬送が相互に可能になっている。

そして、このときの真空搬送容器１０４におけるバルブ(扉)の開閉処理や真空搬送ロボット１０８による試料の搬送に関する処理は、コントローラ１１３−０により制御される。
そこで、このコントローラ１１３−０もユーザインターフェース装置１１１に接続され、その上で、更に信号線１１５を介してホスト１１２に接続されている。

このとき半導体試料等の処理対象となる試料は、複数枚まとめてカセットに収納された状態でカセット台１０７の何れかの上に載せられる。
それを、真空処理装置の動作を調節するユーザインターフェース装置１１１が判断し、又は真空処理装置が設置されている製造ラインのホスト１１２等からの指令を受け、試料の処理が開始され、ロック室１０５、１０５’では、搬送された試料を収納した状態でバルブ(扉)が閉塞され、密封された上で所定の圧力まで減圧される。

その後、真空搬送容器１０４内の搬送室に面した側のバルブが開放されてロック室１０５内と筐体１０６の搬送室内とが達通され、真空搬送ロボット１０８のアームがロック室１０５内に伸張して、内部の試料を搬出する。真空搬送ロボット１０８上のアームに載せられた試料は、カセットから取り出される際に予め定められたプロセスモジュール１１０の何れかのうち、真空にされた処理室内に搬入される。

試料が何れかのプロセスモジュール１１０内の処理室に搬送された後、この処理室内と搬送室との間を開放、遮蔽するバルブが閉じられて処理室が封止される。この後、処理室内に処理用のガスが導入されプラズマが処理室内に形成されて試料が処理される。
試料の処理が終了したことが検出されると、前記バルブが開放され、真空搬送ロボット１０８により、処理室内に搬入された場合と反対に、ロック室１０５に向けて試料が搬出される。

ロック室１０５の何れかに試料が搬送されると、このロック室１０５内と搬送室とを連通する通路を開閉するバルブが閉じられて内部が密封され、ロック室１０５内の圧力が大気圧まで上昇させられる。
この後、筐体１０６内側のバルブが開放され、ロック室１０５内と筐体１０６の搬送室内が連通され、大気側搬送ロボット１０９によりロック室１０５から元のカセットに試料が搬送され、カセット内の元の位置に戻される。

図２は、図１に示した真空処理装置の動作に要する信号の送受信の構成を模式的に示すブロック図で、図示のように、ホスト１１２とユーザインターフェース装置１１１、各モジュールコントローラ１１３(１１３−０〜１１３−４)、それに入出力基板２０１とでネットワークが構成されており、ホスト１１２とユーザインターフェース装置１１１及びモジュールコントローラ１１３は信号線１１５で接続され、モジュールコントローラ１１３と入出力基板２０１は信号線２０２で接続されている。

ここで、信号線１１５及び信号線２０２はＬＡＮケーブルで接続されているが、信号線１１５はＴＣＰ／ＩＰにより通信が行なわれるようにしてあり、信号線２０２はＰＲＯＦＩＮＥＴにより通信が行なわれるようにしてある。
なお、この実施形態では、信号線２０２の通信がＰＲＯＦＩＮＥＴで行なわれるものとしているが、高速・大容量通信が可能なネットワークプロトコルであれば種類は問わない。

ホスト１１２は半導体製造ラインを管理する制御部で、ＣＰＵによりユーザインターフェース装置１１１に処理の開始を指示する。
他方、ユーザインターフェース装置１１１はエッチング装置を操作するためのもので、ディスプレイ等のデータの表示手段と、キーボード、マウス等の入力手段とを備え、ホスト１１２からの指示、若しくはインターフェース装置１１１自身が操作されることにより、エッチング処理の開始を各モジュールコントローラ１１３に通知し、エッチング条件など、このときの処理に必要な他のデータを送信する。

そこで、ホスト１１２から処理の開始が指示され、若しくはインターフェース装置１１１を操作することで処理の開始が指示されると、ユーザインターフェース装置１１１は、搬送モジュール１０１のモジュールコントローラ１１４に試料の搬送と、このとき試料を処理するプロセスモジュール１１０が何れであるかを通知する。

また、試料を処理するプロセスモジュール１１０のモジュールコントローラ１１３には、このときのエッチング条件データを送信する。
このとき、搬送モジュール１０１のモジュールコントローラ１１３−０は搬送部１０３及び真空搬送部１０２の制御を行い、試料をユーザインターフェース装置１１１により指示されたプロセスモジュール１１０に搬送させる。

そこで、プロセスモジュール１１０(１１０−１〜１１０−４)のモジュールコントローラ１１３(１１３−１〜１１３−４)は、試料の搬入完了後、インターフェース装置１１１から受信したエッチング条件に従い、入出力基板２０１へ各制御機器の制御信号を入出力基板２０１(２０１−１〜２０１−４)に送信し、これにより各入出力基板２０１−１〜２０１−４は、受信した制御信号を対応した制御機器に送信する。

次に、プロセスモジュール１１０の詳細について、図３により説明する。
ここで、この図３は、図１のプロセスモジュール１１０の中で、特に真空搬送容器１０４の後ろ側(図１の左側)に配置されたプロセスモジュール１１０−２、１１０−３の何れかに対応するものを示したもので、この実施形態では、これらのプロセスモジュール１１０−２、１１０−３は、試料の表面に形成した膜を、プラズマを用いてエッチング処理するエッチング処理モジュールとなっている。

従って、この図３のプロセスモジュール１１０(１１０−２ or １１０−３)は、真空容器ユニット３０１、ガス供給ユニット３０２、夏空容器ユニット３０１の上部に配置されたプラズマ形成ユニット３０３、それに真空容器ユニット３０１の下部に配置された排気ユニット３０４を備えている。

そして、まず、真空容器ユニット３０１は、内部で試料を処理する処理室３１４と試料を配置する試料台３１５及び試料台３１５を上下に移動させる駆動機構３１６を備え、プラズマ形成ユニット３０３により発生させたプラズマにより、試料に対してエッチング処理が行えるようになっていて、このときのプラズマに必要なガスは、ガス供給ユニット３０２から供給されるようになっている。

ガス供給ユニット３０２は、ガス供給源３０５、ガス流量を一定に保つための流量制御機器３０６、ガス供給源３０５から流れるガスを遮断するバルブ３０７、ガス供給源からガスを流すガス導入ライン３０８、ガス導入ライン３０８を２系統に分流するための分流器３０９、分流器３０９によって２系統に分岐されたガスを流すための第１ガス導入ライン３２０−１と第２ガス導入ライン３２０−２、ガスライン３２０に流れるガスを遮断するためのバルブ３１０を備え、エッチング処理に必要なガスの流量と分流比を流量制御機器３０６と分流器３０９に設定し、処理室３１４に、第１ガス導入ライン３２０−１と第２ガス導入ライン３２０−２を介してプロセスガスを導入する。

プラズマ形成ユニット３０３は、マイクロ波発生源３１１、マイクロ波を導入するアンテナ３１２及び磁場を発生するソレノイドコイル３１３を備え、アンテナ３１２によってユニット内に導入されたマイクロ波とソレノイドコイル３１３による磁界の作用により、ガス供給ユニット３０２から導入されているガスにエネルギーを与え、プラズマが形成されるようにする。

排気ユニット３０４は、ガスライン３２０を排気するための第１排気ライン３２１−１と第２排気ライン３２１−２及びこれら排気ライン３２１−１、３２１−２を遮断するためのバルブ３１７−１、３１７−２と、処理室３１４を排気するための処理室排気ライン３２２及び処理室俳気ライン３２２を遮断するための処理室排気バルブ３１８、それに排気ポンプ３１９とを備え、排気ポンプ３１９を駆動させ、排気バルブ３１７及び処理室排気バルブ３１８を制御することにより、ガスライン３２０内と処理室３１４内を真空状態にする働きをする。

このとき、各プロセスユニット内の各制御機器は、各ユニットの入出力基板２０１から供給される信号によって制御される。このため、入出力基板２０１と制御機器は、例えばＬＡＮ、シリアル回線など、各々の制御機器に対応した回線３００によって接続されている。

次に、図４を用い、この実施形態におけるモジュール内での制御信号の送受信について説明する。ここで、この図４は、図３のプロセスモジュールにおける制御信号の送受信に必要な構成を詳細に示した図で、まず、図示のように、真空容器ユニット３０１、ガス導入ユニット３０２、プラズマ形成ユニット３０３、排気ユニット３０４はモジュールコントローラ１１３によって制御される。

また、各ユニットは、それぞれ複数の制御機器３０５〜３１９を持ち、制御機器に信号を伝達するため、入出力基板２０１がモジュールコントローラ１１３と制御機器との間に存在する。
ここで、モジュールコントローラ１１３と各ユニットの入出力基板２０１との問はスター形式に接続され、ユニット内に入出力基板２０１が複数接続される場合はデイジーチェ−ン形式に接続される。

モジュールコントローラ１１３は、ユーザインターフェース装置１１１から通知されるエッチング条件などのデータから、対象となる制御機器に応じた回線用フォーマットで制御信号を作成し、対象となる制御機器に接続されている入出力基板２０１にＰＲＯＦＩＮＥＴ回線を介して伝達すると共に、入出力基板２０１から伝達される制御機器各々のモニタ信号を受信し、前記制御信号へのフイードバック、及びユーザインターフェース装置１１１へのモニタ信号の送信を行う。

このため、入出力基板２０１は、モジュールコントローラ１１３から受信した制御信号を対象となる制御機器に対して分配し、送信すると共に、接続されている制御機器からのモニタ信号を受信し、モジュールコントローラへ送信する。

次に、図５を用い、この実施形態におけるモジュールコントローラ１１３と入出力基板２０１による処理及び本発明の詳細について説明する。
ここで、本発明においては、モジュールコントローラと入出力基板の間のインターフェースを第１のインターフェースとし、入出力基板と制御機器の間のインターフェースを第２のインターフェースとしたものであるが、このとき、この実施形態では、入出力基板２０１と制御機器とのインターフェース、つまり第２のインターフェースとしてＡＩＯ／ＤＩＯ、ＲＳ−２３２Ｃ、ＴＣＰ／ＩＰを用いている。

図５において、モジュールコントローラ１１３は、プログラムとして、制御機器の制御を行うアプリケーション５０１と、制御機器とのインターフェースに対応したドライバ５０２〜５０４と、信号の集約・分配を行う集約・分配プログラム５０５と、入出力基板２０１とｐＲＯＦＩＮＥＴ通信を行うための通信プログラム５０６とを備えている。

アプリケーション５０１は、ユーザインターフェース装置１１３から受信したエッチング条件及びドライバ５０２〜５０４から受け取ったモニタ信号から、制御機器の制御のための指令信号及び信号の受信先機器等のデータをヘッダとして作成し、制御機器のインターフェースに対応したドライバ５０２〜５０４へ指令信号及びヘッダを渡す。
一方、異常信号などのアプリケーションデータの送受信を行いたい場合には、直接、集約・分配プログラム５０５にアクセスすることによりアプリケーションデータの送受信が可能な構成となっている。

ドライバ５０２〜５０４は、対象となる制御機器への指令信号をアプリケーション５０１から受け取り、対象となる制御機器のインターフェースに対応した信号へと変換すると共に、集約・分配プログラム５０５から分配されたモニタ信号を再生し、アプリケーション５０１へと伝達する。

集約・分配プログラム５０５は、アプリケーション５０１及びドライバ５０２〜５０４で作成されたアプリケーションデータ及び指令信号を、前述のヘッダに応じて集約し、ＰＲＯＦＩＮＥＴパケットに変換して通信プログラム５０６へと渡すと共に、通信プログラム５０６から受け取ったＰＲＯＦＩＮＥＴパケットをアプリケーションデータ及びモニタ信号に分解し、アプリケーション５０１及びドライバ５０２〜５０４へと分配する。

通信プログラム５０６は、集約・分配プログラム５０５で生成されたＰＲＯＦＩＮＥＴパケットを受け取り、ＰＲＯＦＩＮＥＴ回線を介して入出力基板２０１へパケットを送信すると共に、入出力基板２０１から送信されたＰＲＯＦＩＮＥＴパケットを受信し、集約・分配プログラムヘ渡す。
従って、ここでのＰＲＯＦＩＮＥＴ回線を介して行なわれるインターフェースが前述の第１のインターフェースに相当する。

次に、図５において、入出力基板２０１のプログラムは、ＰＲＯＦＩＮＥＴの通信プログラム６０１と、モジュールコントローラ１１３のものと同様の働きをする集約・分配プログラム６０２と、制御機器に対応したインターフェース用のドライバ０３〜６０５と、入出力基板２０１でのアプリケーション６０６と、実際に制御機器と接続されるポート６０７〜６０９とを備えている。

通信プログラム６０１は、モジュールコントローラ１１３から送信されたＰＲＯＦＩＮＥＴパケットを受信し、集約・分配プログラム６０２へ渡すと共に、集約・分配プログラム６０２からモニタ信号等を集約したＰＲＯＦＩＮＥＴパケットを受け取り、モジュールコントローラ１１３へ送信する。

集約・分配プログラム６０２は、通信プログラム６０１から受け取ったＰＲＯＦＩＮＥＴパケット内のヘッダを解析し、対応するドライバには指令信号を、入出力基板のアプリケーション６０６にはアブリケーションデータを分配すると共に、それらからモジュールコントローラ１１３へ送信するモニタ信号及びアプリケーションデータを受け取り、集約してＰＲＯＦＩＮＥＴパケットを生成し、通信プログラム６０１へ渡す。

各種ドライバ６０３〜６０５は、集約・分配プログラム６０２から指令信号を受け取り、制御機器が接続されている各々のポート６０７〜６０９を介して制御機器に指令信号を通知すると共に、各々のポート６０７〜６０９を介して制御機器から通知されるモニタ信号を集約・分配プログラム６０２ヘ渡す。

まず、入出力基板でのアプリケーション６０６は、モジュールコントローラからアプリケーションデータの通知があった場合には、異常処理や動作ログの採取等を行い、処理結果やログデータを集約・分配プログラム６０２へと通知する。
ここで、前述の指令信号はモジュールコントローラ１１３のアプリケーション５０１で作成された後は制御機器に通知されるまで何れの変換及び操作も行われない。

以上により、この実施形態においては、モジュールコントローラ１１３のアプリケーション５０１からは自身のドライバ５０２〜５０４を操作するだけで制御対象となる制御機器の操作が可能となり、この結果、入出力基板２０１の位置や構成を変えることなく接続される機器の追加や変更に対応することができる。

１０１ 搬送モジュール
１０２ 真空搬送部
１０３ 大気搬送部
１０４ 真空搬送容器
１０５ ロック室
１０６ 大気搬送容器
１０７ カセット台
１０８ 真空搬送ロボット
１０９ 大気搬送ロボット
１１０ プロセスモジュール
１１１ ユーザインターフェース装置
１１２ ホスト
１１３ モジュールコントローラ
１１５ 信号線１
２０１ 入出力基板
２０２ 信号線２
３００ 信号線３
３０１ 真空容器ユニット
３０２ ガス供給ユニット
３０３ プラズマ形成ユニット
３０４ 排気ユニット
３０５ ガス供給源
３０６ 流量制御器
３０７ ガス遮断バルブ
３０８ ガス導入ライン
３０９ 分流器
３１０−１ ガス導入バルブ１
３１０−２ ガス導入バルブ２
３１１ マイクロ波発生源
３１２ アンテナ
３１３ ソレノイドコイル
３１４ 処理室
３１５ 試料台
３１６ 試料台駆動機構
３１７−１ ガスライン排気バルブ１
３１７−２ ガスライン排気バルブ２
３１８ 処理室排気バルブ
３１９ 排気ポンプ
３２０−１ ガス導入ライン１
３２０−２ ガス導入ライン２
３２１−１ ガス排気ライン
３２１−２ ガス排気ライン２
３２２ 処理室排気ライン
５０１ アプリケーション(モジュールコントローラ)
５０２ ＡＩＯ／ＤＩＯドライバ(モジュールコントローラ)
５０３ シリアルドライバ(モジュールコントローラ)
５０４ ＴＣＰ／ＩＰドライバ(モジュールコントローラ)
５０５ 集約・分配プログラム(モジュールコントローラ)
５０６ 通信プログラム(モジュールコントローラ)
６０１ 通信プログラム(入出力基板)
６０２ 集約・分配プログラム(入出力基板)
６０３ ＡＩＯ／ＤＩＯドライバ(入出力基板)
６０４ シリアルドライバ(入出力基板)
６０５ ＴＣＰ／ＩＰドライバ(入出力基板)
６０６ アプリケーション(入出力基板)
６０７ ＡＩＯ／ＤＩＯ端子
６０８ シリアルポート
６０９ ＴＣＰ／ＩＰポート

Claims (4)

1. 真空容器内の処理室に配置されたウエハを前記処理室内で処理する真空処理装置であって、
   前記真空処理装置の一部を構成する複数の制御対象の機器、及びこれらの複数の制御対象の機器の少なくとも１種と通信可能に接続された入出力基板を備えた制御ユニットと、この制御ユニットと通信可能に接続され当該制御ユニットと信号を送受信するコントローラと、前記入出力基板とコントローラとの問の信号の送受信を専有する第１のインターフェースと、前記入出力基板と前記制御対象の機器との間で信号が送受信される第２のインターフェースと、を備えた真空処理装置であり、
   前記入出力基板は前記第２のインターフェースを介し通信するための接続を複数の種類の前記制御対象の機器の間で変更可能に構成され、
   前記コントローラにおいて前記制御対象の機器に対する動作指令及びこの動作指令の受信先の制御対象の機器の情報を含む信号が生成され前記第１のインターフェースを介して前記入出力基板に発信され、
   前記入出力基板において前記第１のインターフェースからの前記信号に含まれる前記動作指令に係る信号が前記第２のインターフェースを介して前記制御対象の機器に送信される
   ことを特徴とする真空処理装置。
2. 請求項１に記載の真空処理装置であって、
   前記第１のインターフェースから受信された前記動作指令に係る信号は前記第２のインターフェースを介し前記制御対象の機器で受信されるまでの間では信号の変換を行われないように構成されていることを特徴とする真空処理装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の真空処理装置であって、
   前記コントローラは前記制御対象の機器の動作を検出するセンサの出力信号を前記入出力基板から受信した結果に基づいて前記信号を生成することを特徴とする真空処理装置。
4. 請求項３に記載の真空処理装置であって、
   前記コントローラは、前記入出力基板に属する前記制御対象の機器の動作を排他的に制御するものであることを特徴とする真空処理装置。
   

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