JP5578612B2 - 電子放出装置の電流制御装置 - Google Patents
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図9は、引出し電極であるグリッド101を接地する場合の、基本となる従来の電流制御回路を示している。この回路では、グリッド101が接地され、グリッド101と陰極102との間に可変電源PScが接続され、グリッド101と陽極103との間に可変電源PStが接続されている。陰極102側の可変電源PScを調節することにより、陽極に流れる電流Itを変化させることができる。
図11は、陰極102を接地する場合の、基本となる従来の電流制御回路を示している。この回路において、陰極−陽極間電圧Vctは常に一定に保持される。陽極電流Itが一定になるように陰極−グリッド間電圧Vcgが調節される。この回路は、2つの電源を用いる方式であるが、電流制御のために制御する電源が1つで済むという利点がある。
図12は、図11の回路を改変して陽極103を接地する場合の従来の電流制御回路を示している。この回路では、陰極−グリッド間電源PScを陰極102とグリッド101との間に配置したままで、陽極103を接地している。一般に陽極103は電子を受けることにより非常に高温になるので、冷却する必要がある。冷却は、通常、陽極103に放熱板を付設することによって行われる。
(前提技術1)
図13は、本発明に係る電子放出装置の電流制御装置の前提となる第1の装置を示している。この装置は、陽極103を接地することにより、放熱板を用いて陽極103を冷却することができることの利益を享受しつつ、高電圧部分が接地電位から浮いてしまうという状態を回避できる回路を含んでいる。
(1)電源が1つであるので、電流制御回路の全体を小型にでき、しかもコストを低減できる。
(2)陽極103は電子を受けて高熱になる場合があるが、陽極103を接地しておけば、放熱板を付設することによって行う放熱設計が非常に容易になる。
図14は、本発明に係る電子放出装置の電流制御装置の前提となる第2の装置を示して
いる。この装置は、図13の可変抵抗器R1を半導体電流制御素子(例えば、バイポーラトランジスタ)を含む回路104に置き換えて構成された回路を含んでいる。回路104はトランジスタが含まれていることを模式的に示している。
本発明に係る電子放出装置の電流制御装置は、電子を放出する陰極と、電子を引き付ける陽極と、前記陰極に対して正の電位を持った引出し電極とを有する電子放出装置に用いられる電流制御装置であって、前記陽極の端子と前記引出し電極の端子との間に接続された電流コントロールアレイを有しており、当該電流コントロールアレイは、入力端子からの入力信号に応じて電流を制御する互いに直列に接続された複数の半導体電流制御素子と、前記陽極と前記引出し電極との間の電圧を、前記複数の半導体電流制御素子のそれぞれに分圧して加える電圧分圧素子とを有しており、前記陽極は接地されており、端子間を流れる電流に変化があっても端子間電圧は一定である定電圧回路を前記電流コントロールアレイに直列に接続して設けたことを特徴とする。
図1は、本発明に係る電子放出装置の電流制御装置を、X線を発生するためのX線管に適用した場合の実施形態を示している。電子放出装置1はすなわちX線管であり、このX線管1は、陰極であるカソード2と、陽極であるターゲット3と、引出し電極であるグリッド4と、それらを真空状態で包囲するハウジング6とを有している。
図3は、本発明に係る電子放出装置の電流制御装置の他の実施形態を示している。図1に示した実施形態と同じ構成要素は同じ符号で示すことにしてその説明は省略する。図1に示した実施形態ではターゲット3とグリッド4との間に電流コントロールアレイ8だけを設けたが、本実施形態では、図3に示すように、電流コントロールアレイ8の一部分を定電圧負荷アレイ7で置き換えている。
Vc=(R1+R2)/R2×(Vbe+Vdz)+Ib×R1
ここで、「Vbe」はトランジスタのベース−エミッタ間電圧、「Vdz」は定電圧ダイオードに加わる電圧、Ibはトランジスタのベース電流である。
図5は、本発明に係る電子放出装置の電流制御装置のさらに他の実施形態を示している。図1及び図3に示した実施形態と同じ構成要素は同じ符号で示すことにしてその説明は省略する。
トランジスタTr2からトランジスタTr4は十分に高いHfe(電流増幅率)のものが容易に選択可能(100〜200以上)なので、Hfeによる影響は無視できる。高耐圧が要求されるTr1もHfeは50以上であるが計算式の中に組み入れる。回路に流れる電流の98%以上はI1である。
Vb=Vbetr1+Vdz6+Vbetr2+I1×R1
I2=I1×R1÷R3
I3=(Vb−R2×I2−Vbetr4)÷R5
Vc=Vb+R4×(I3+I2+Ibtr1)
=Vb+R4×(I3+I2+I1÷HFEtr1)
=Vbetr1+Vdz6+Vbetr2+I1×R1+R4×((Vbetr1+Vdz6+Vbetr2+I1× R1−R2×I2−Vbetr4)÷R5+I2+I1÷HFEtr1)
=Vbetr1+Vdz6+Vbetr2+I1×R1+R4×((Vbetr1+Vdz6+Vbetr2+I1× R1−R2×(I1×R1÷R3)−Vbetr4)÷R5+(I1×R1÷R3)+I1÷HFEtr1)
=8.8+I1×R1+R4×(8.8+I1×R1−R2×(I1×R1÷R3)−0.65)÷ R5+(I1×R1÷R3)+I1÷HFEtr1)
=8.8+I1×R1+R4×8.8+I1×R1+R4×(I1×R1÷R3)+R4×I 1÷HFEtr1−R4×R2×(I1×R1÷R3)−0.65)÷R5
アンダーラインの項がその前の2項より大きくなるように抵抗値を選べば、Vc はI1の増加で減少する。
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記実施形態では電子放出装置としてX線を発生するX線管を例示したが、電子放出装置はその他の任意の電子利用機器とすることができる。
Claims (5)
- 電子を放出する陰極と、電子を引き付ける陽極と、前記陰極に対して正の電位を持った引出し電極とを有する電子放出装置に用いられる電流制御装置であって、
前記陽極の端子と前記引出し電極の端子との間に接続された電流コントロールアレイを有しており、
当該電流コントロールアレイは、
入力端子からの入力信号に応じて電流を制御する互いに直列に接続された複数の半導体電流制御素子と、
前記陽極と前記引出し電極との間の電圧を、前記複数の半導体電流制御素子のそれぞれに分圧して加える電圧分圧素子と、を有しており、
前記陽極は接地されており、
端子間を流れる電流に変化があっても端子間電圧は一定である定電圧回路を前記電流コントロールアレイに直列に接続して設けた
ことを特徴とする電子放出装置の電流制御装置。 - 前記半導体電流制御素子はPNP型トランジスタであり、前記電圧分圧素子は抵抗であることを特徴とする請求項1記載の電子放出装置の電流制御装置。
- 前記定電圧回路は、NPN型トランジスタとツェナーダイオードとを直列に接続した回路を有することを特徴とする請求項1記載の電子放出装置の電流制御装置。
- 端子間を流れる電流が増えると端子間電圧が減少する特性である負性抵抗特性を有した負性抵抗回路を前記電流コントロールアレイに直列に接続して設けたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の電子放出装置の電流制御装置。
- 前記負性抵抗回路は、1つのNPN型トランジスタとツェナーダイオードとを直列に接続した回路、及び負性抵抗特性をもたらすための複数のNPN型トランジスタを有することを特徴とする請求項4記載の電子放出装置の電流制御装置。
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