JP5578517B2 - ナノ集合体 - Google Patents
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R1〜R2は、独立してC1-6アルキル基を示し;
R3は、水素原子、C1-6アルキル基または(C1-6アルコキシ)カルボニル基を示し;
R4は、水素原子、または、C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C2-7アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基からなる群より選択される1以上の置換基を示し;
R5は、水素原子、または、C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C2-7アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有していてもよいC6-12アリール基、アリール基上に置換基を有していてもよいC7-13アラルキル基、置換基を有していてもよいC6-12アリールオキシ基、アリール基上に置換基を有していてもよいC7-13アラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいC6-12アリールオキシカルボニル基、およびアリール基上に置換基を有していてもよいC7-13アラルキルオキシカルボニル基からなる群より選択される1以上の置換基を示し(これらアリール基上の置換基は、C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C2-7アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基からなる群より選択される1以上の置換基である);
mは、0以上、4以下の整数を示し;
nは、0以上、4以下の整数を示す]
1H-NMR(400MHz,CDCl3):δ3.04(s,6H),5.64(s,2H),6.48(d,1H,J=6.83Hz),6.69-6.76(m,3H),7.14-7.18(m,2H),7.33(d,1H,J=8.80Hz),7.39(d,1H,J=9.04Hz),7.51(t,1H,J=7.56Hz),7.59-7.64(m,2H),7.70(t,1H, J=7.56Hz),7.95(d,1H,J=7.56Hz),8.05(d,1H,J=7.08Hz),8.20(d,1H,J=8.32Hz),8.55(d,1H,J=9.28Hz)
FAB-MS(m/z)[(M+H)+] 理論値(C33H25N2O6):545.1713,実測値:545.1736
1H-NMR(400MHz,CDCl3):δ3.06(s,6H),4.00(s,6H),5.66(s,2H),6.50(dd,1H,J=2.44,8.80Hz),6.69-6.72(m,2H),6.77(d,1H,J=8.80Hz),7.18(d,1H,J=6.36Hz),7.24(d,1H,J=2.44Hz),7.36(d,1H,J=8.80Hz),7.41-7.44(m,2H),7.61-7.67(m,2H),7.82(s,1H),8.07(d,1H,J=6.60Hz),8.57(d,1H,J=9.28Hz)
ESI-TOF-MS(m/z)[(M+H)+] 理論値(C35H29N2O8):605.1924,実測値:605.1931
1H-NMR(400MHz,CDCl3):δ3.04(s,6H),5.65(s,2H),5.83(s,2H),6.60-6.83(m,4H),7.31-7.35(m,2H),7.42-7.47(m,2H),7.56-7.64(m,3H),7.84-8.19(m,3H),8.17-8.19(m,2H),8.35-8.41(m,1H),8.59(t,1H,J=9.24Hz),8.71(m,1H)
ESI-TOF-MS(m/z)[(M+H)+] 理論値(C41H30N3O10):724.2,実測値:724.1
上記実施例1〜3で製造したSNARF誘導体をDMSOに溶解し、濃度2mMの溶液とした。10mMTris−HEPES−Acetate広域緩衝液へ、各SNARF誘導体の濃度が10μMとなるように上記溶液を添加することにより、集合体を形成させた。
上記実施例1〜2で製造したSNARF誘導体の2mM DMSO溶液を、SNARF誘導体の濃度が20μMとなるようミリQ水に添加し、集合体を形成させた。得られた集合体分散液へ、180Wのトランスイルミネーターにて紫外線を30分間照射した。次に、Sephadex(登録商標)G25ゲル(Pharmacia社製)に各分散液を添加し、ミリQ水にて溶出させ、集合体の分画を分取した。得られた分画のpHを、5.0、7.0または9.0に調整し、蛍光を観察した。上記実施例1のSNARF誘導体からなる集合体の場合では、さらにそのpHを11.0に調整した。また、比較のためSNARF自体も同様に処理し、蛍光を観察した。
Claims (5)
- 下記式(I)で表されるSNARF誘導体からなることを特徴とするナノ集合体。
R1〜R2は、独立してC1-6アルキル基を示し;
R3は、水素原子、C1-6アルキル基または(C1-6アルコキシ)カルボニル基を示し;
R4は、水素原子、または、C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C2-7アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基からなる群より選択される1以上の置換基を示し;
R5は、水素原子、または、C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C2-7アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有していてもよいC6-12アリール基、アリール基上に置換基を有していてもよいC7-13アラルキル基、置換基を有していてもよいC6-12アリールオキシ基、アリール基上に置換基を有していてもよいC7-13アラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいC6-12アリールオキシカルボニル基、およびアリール基上に置換基を有していてもよいC7-13アラルキルオキシカルボニル基からなる群より選択される1以上の置換基を示し(これらアリール基上の置換基は、C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C2-7アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基からなる群より選択される1以上の置換基である);
mは、0以上、4以下の整数を示し;
nは、0以上、4以下の整数を示す] - 個数平均粒子径が10nm以上、1000nm以下である請求項1に記載のナノ集合体。
- 下記式(I)または(I’)で表されるSNARF誘導体を水系溶媒に添加する工程を含むことを特徴とするナノ集合体の製造方法。
R1〜R2は、独立してC1-6アルキル基を示し;
R3は、水素原子、C1-6アルキル基または(C1-6アルコキシ)カルボニル基を示し;
R4は、水素原子、または、C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C2-7アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基からなる群より選択される1以上の置換基を示し;
R5は、水素原子、または、C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C2-7アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有していてもよいC6-12アリール基、アリール基上に置換基を有していてもよいC7-13アラルキル基、置換基を有していてもよいC6-12アリールオキシ基、アリール基上に置換基を有していてもよいC7-13アラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいC6-12アリールオキシカルボニル基、およびアリール基上に置換基を有していてもよいC7-13アラルキルオキシカルボニル基からなる群より選択される1以上の置換基を示し(これらアリール基上の置換基は、C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C2-7アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基からなる群より選択される1以上の置換基である);
mは、0以上、4以下の整数を示し;
nは、0以上、4以下の整数を示す] - 水系溶媒の塩濃度を調節することによりナノ集合体の個数平均粒子径を調節する請求項3に記載の製造方法。
- 下記式(I)または(I’)で表されることを特徴とするSNARF誘導体。
R1〜R2は、独立してC1-6アルキル基を示し;
R3は、水素原子、C1-6アルキル基または(C1-6アルコキシ)カルボニル基を示し;
R4は、水素原子、または、C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C2-7アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基からなる群より選択される1以上の置換基を示し;
R5は、水素原子、または、C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C2-7アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有していてもよいC6-12アリール基、アリール基上に置換基を有していてもよいC7-13アラルキル基、置換基を有していてもよいC6-12アリールオキシ基、アリール基上に置換基を有していてもよいC7-13アラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいC6-12アリールオキシカルボニル基、およびアリール基上に置換基を有していてもよいC7-13アラルキルオキシカルボニル基からなる群より選択される1以上の置換基を示し(これらアリール基上の置換基は、C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C2-7アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基からなる群より選択される1以上の置換基である);
mは、0以上、4以下の整数を示し;
nは、0以上、4以下の整数を示す]
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