JP5577277B2 - シンクロトロン - Google Patents
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Description
本実施形態のシンクロトロンは、図1に示す様に、入射器1より低エネルギービーム輸送系2を経由して入射されるイオンビーム(以下、入射ビームという)を所定のエネルギーまで加速し、シンクロトロンとイオンビームを照射する対象(以下、照射対象という)とを繋ぐ高エネルギービーム輸送系3へ取り出すものである。
は渦電流磁場の水平方向の位置による二階微分、Δx(s)は真空ダクト水平方向中心の中心軌道からのずれ量を表す。
本実施形態のシンクロトロンは、第一の実施形態と同様、入射器よりのイオンビームを所定のエネルギーまで加速し、高エネルギービーム輸送系へ取り出すシンクロトロンである。本実施形態のシンクロトロンの構成を図6に示した。本実施形態のシンクロトロンは、図1に示した実施形態1のシンクロトロンと同様の構成を有し、第一の取り出し用デフレクタ16と第二の取り出し用デフレクタ17の間に位置する偏向電磁石の真空ダクト70cは、外側にずらして設置されている。また、本実施形態のシンクロトロンでは、偏向電磁石の真空ダクトのうち一台を内側にずらして設置する代わりに、偏向電磁石の真空ダクト70c以外の偏向電磁石の真空ダクト(真空ダクト70a,70b,70d)を全て内側にずらして設置している。
2 低エネルギービーム輸送系
3 高エネルギービーム輸送系
10a,10b,10c,10d 偏向電磁石
11 四極電磁石
12 六極電磁石
13 高周波加速空胴
14 水平高周波キッカ
15 入射用インフレクタ
16 第一の取り出し用デフレクタ
17 第二の取り出し用デフレクタ
18 シンクロトロン制御装置
20a,20b,20c,20d,70a,70b,70c,70d 偏向電磁石の真空ダクト
21 フランジ
22 直線部の真空ダクト
23 ベローズ
24a,24c,71a 真空ダクトの水平方向中心
40,41,72 真空ダクトの水平方向中心のシンクロトロン中心軌道からのずれ
50,60,80 ダクト渦電流により発生する磁場の強度
51,61,81 真空ダクトの水平方向中心位置
52,62,82 シンクロトロンの中心軌道
53,63,83 周回ビームが受ける四極磁場
Claims (5)
- 荷電粒子ビームを偏向する複数の偏向電磁石と、
前記荷電粒子ビームを通過させる真空ダクトを備えたシンクロトロンであって、
前記偏向電磁石のうち少なくとも一台では前記偏向電磁石中を通過する前記真空ダクトの水平方向の中心位置が前記シンクロトロンの中心軌道よりも外側にあるように該真空ダクトが設置され、前記偏向電磁石のうち少なくとも一台では前記偏向電磁石中を通過する前記真空ダクトの水平方向の中心位置が前記シンクロトロンの中心軌道よりも内側にあるように該真空ダクトが設置されることを特徴とするシンクロトロン。 - 請求項1に記載のシンクロトロンであって、
前記水平方向の中心位置が外側にあるように設置された前記真空ダクトの水平方向の中心位置と前記シンクロトロンの中心軌道との間の距離が、前記水平方向の中心位置が内側にあるように設置された前記真空ダクトの水平方向の中心位置と前記シンクロトロンの中心軌道との間の距離と等しいことを特徴とするシンクロトロン。 - 請求項1に記載のシンクロトロンであって、
前記水平方向の中心位置が外側にあるように設置された前記真空ダクトの水平方向の中心位置と前記シンクロトロンの中心軌道との間の距離が、前記水平方向の中心位置が内側にあるように設置された前記真空ダクトの水平方向の中心位置と前記シンクロトロンの中心軌道との間の距離の合計と等しいことを特徴とするシンクロトロン。 - 請求項1に記載のシンクロトロンであって、前記偏向電磁石を通過する前記真空ダクトの水平方向の中心位置の前記中心軌道からのずれ量の前記シンクロトロン一周での積分値が0であることを特徴とするシンクロトロン。
- 請求項1に記載のシンクロトロンであって、
前記水平方向の中心位置が前記中心軌道の外側にあるように設置された真空ダクトは、前記荷電粒子ビームの加速中に該真空ダクトに発生する渦電流によって前記荷電粒子ビームの水平チューンを低下させるはたらきをもち、前記水平方向の中心位置が前記中心軌道の内側にあるように設置された真空ダクトは、前記荷電粒子ビームの加速中に該真空ダクトに発生する渦電流によって前記荷電粒子ビームの水平チューンを上昇させるはたらきをもつことを特徴とするシンクロトロン。
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JP2011041120A JP5577277B2 (ja) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | シンクロトロン |
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Family Applications (1)
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