JP5576927B2 - チオスピネルの薄膜を製造するための方法 - Google Patents
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Description
Mは、V、Nb、TaまたはMoを表し、Xは、SまたはSeを表す)の少なくとも1種の化合物の薄膜を製造するための方法であって、
i)少なくとも1種の不活性ガスを含む雰囲気下で式AM4X8の少なくとも1種の化合物を含有する標的をマグネトロンスパッタリングすることにより、式AM4X8の少なくとも1種の化合物の薄膜を形成するステップと、
ii)ステップi)で形成された薄膜を熱処理によってアニーリングするステップとを含み、
ここで、ステップi)および/またはステップii)は、XがSを表す場合は硫黄の存在下で、またはXがSeを表す場合はセレニウムの存在下で行われる方法に関する。
ステップi) 化合物GaV4S8の薄膜は、化合物の化学量論的標的を使用してアルゴンプラズマのRFマグネトロン・カソードスプレー法またはカソード蒸着法によって得られた。
実施例1に記載した実験プロトコルを用い、本発明の方法によって得られた薄膜を分析した。
エネルギー分散型X線分光法(EDS)による分析は、本発明による方法のステップi)で形成された化合物GaV4S8の薄膜が、このステップi)が硫黄の存在下で行われていなかった場合は硫黄欠損性であることを示した。
実施例1に記載した実験プロトコルに従い、本発明による方法のステップi)およびステップii)で得られた薄膜をX線回折によって分析し、得られたグラフを化合物GaV4S8の多結晶粉末(z)についてのグラフと比較した。
実施例1に記載した実験プロトコルに従い、本発明による方法のステップi)およびii)で得られた薄膜を走査型電子顕微鏡によって分析した(図1(b)、(c)、(d))。
光電子分光法を使用して、単結晶形にある化合物GaV4S8(w)、本発明による方法のステップi)で形成された化合物GaV4S8の薄膜(x)、本発明による方法のステップii)で得られた化合物GaV4S8のアニーリング後の薄膜(y)の化学組成および価電子帯を分析した(図2(a))。
多結晶形にある化合物GaV4S8(z)、および本発明による方法のステップii)
で得られた化合物GaV4S8のアニーリングされた薄膜(y)の温度の関数としての磁気感受率は、1,000ガウスの応用場を用いて分析した(図2(b))。
上述したこれら全ての分析(II.1〜II.5)は、本発明の方法によって得られた化合物GaV4S8の薄膜が、単結晶形にある化合物GaV4S8と同一の電子特性を有することを示している。
図1に記載した実験プロトコルにしたがって本発明の方法によって得られた薄膜を、電気抵抗の2つの状態間での不揮発性および可逆性電気パルス誘導性抵抗スイッチング(EPIRS)の現象に関して分析した。
Claims (8)
- 式AM4X8(式中、Aは、GaまたはGeを表し、Mは、V、Nb、TaまたはMoを表し、Xは、SまたはSeを表す)の少なくとも1種の化合物の薄膜を製造するための方法であって、
i)少なくとも1種の不活性ガスを含む雰囲気下で式AM4X8の少なくとも1種の化合物を含有する標的をマグネトロンスパッタリングすることにより、式AM4X8の少なくとも1種の化合物の薄膜を形成するステップと、
ii)ステップi)で形成された薄膜を熱処理によってアニーリングするステップとを含み、ここで、前記ステップi)および/または前記ステップii)は、XがSを表す場合は硫黄の存在下で、またはXがSeを表す場合はセレニウムの存在下で行われる、方法。 - 前記ステップi)および/または前記ステップii)が、XがSを表す場合は少なくとも1種の硫黄前駆体ガスを含む雰囲気下で、またはXがSeを表す場合は少なくとも1種のセレニウム前駆体ガスを含む雰囲気下で行われることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記ステップi)および/または前記ステップii)が、XがSを表す場合は硫黄前駆体ガスフロー下もしくは硫黄飽和雰囲気下で、またはXがSeを表す場合はセレニウム前駆体ガスフロー下もしくはセレニウム飽和雰囲気下で行われることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記ステップii)が、200〜850℃の温度で行われることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ステップii)が、1分間〜200時間にわたって行われることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ステップi)が、総ガス圧が1〜100mTorrの雰囲気下で行われることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ステップi)が、標的の表面積の0.1mW/cm 2 〜20W/cm 2 の出力を生じさせる電力発生装置の存在下で行われることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記標的が、式AM4S8(式中、Aは、GaまたはGeを表し、Mは、V、Nb、TaまたはMoを表す)の少なくとも1種の化合物、特には式GaV4S8の少なくとも1種の化合物を含有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
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