JP5567850B2 - 水素製造システム - Google Patents
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Description
図1に示す本実施形態に係る水素製造システム1は、図示しない車両に搭載されている。
水素製造システム1は、内燃機関10と、内燃機関10に燃料を噴射する第1インジェクタ21〜第4インジェクタ24と、車外の空気を内燃機関10に導く吸気系と、内燃機関10で生成した排気ガスを車外に導く排気系と、内燃機関10で生成した改質ガスを水性ガスシフト反応させ水素を生成するシフト反応系と、これらを電子制御する制御手段であるECU60(Electronic Control Unit、電子制御装置)と、を備えている。
また、内燃機関10のリッチ燃焼用の第1気筒11には、改質剤として、空気、酸素富化空気、窒素富化空気、酸素、水蒸気、二酸化炭素、及びEGRガスから選ばれた少なくとも一種が供給される。
内燃機関10は、車両の駆動力を発生する動力源であり、その運転条件(回転速度)は負荷変動に良好に追従する。よって、後記する第1気筒11による改質ガスの生成も、負荷変動に良好に追従する。ここで、本実施形態に係る内燃機関10は、直列4気筒で排気量が2Lのディーゼル内燃機関であり、燃料が筒内に噴射され、圧縮されることで自己着火するものである。
ただし、気筒数、配列、排気量は、これに限定されず変更自由である。また、内燃機関10の種類は、ディーゼル内燃機関に限定されず、公知の内燃機関から適宜選択して使用できる。さらに、内燃機関10における着火方式は、圧縮による自己着火式に限定されず、その他に例えば、点火プラグによる火花点火式でもよい。
ただし、リッチ燃焼用又は通常燃焼用の気筒数、通常燃焼用の気筒数は、これに限定されず変更自由である。
第1インジェクタ21〜第4インジェクタ24は、第1気筒11内〜第4気筒14内に、所望量の燃料を噴射するものである。なお、第1インジェクタ21〜第4インジェクタ24には、燃料タンク(図示しない)の燃料が、燃料ポンプ(図示しない)によって、コモンレール(図示しない)を介して圧送・供給されるようになっている。
そして、本実施形態では、第1インジェクタ21は、第1気筒11においてリッチ燃焼又は通常燃焼が行われるように制御され、第2インジェクタ22〜第4インジェクタ24は、第2気筒12〜第4気筒14において通常燃焼が行われるように制御される。
吸気系は、塵等を除去するエアクリーナ31と、スロットルバルブ32と、混合器33と、下流側が四股に分岐した吸気マニホールド34と、を備えている。エアクリーナ31から下流に向かって、配管31a、スロットルバルブ32、配管32a、混合器33、配管33a、吸気マニホールド34の順に接続されており、吸気マニホールド34の4つの下流端は、第1気筒11〜第4気筒14にそれぞれ接続されている。
なお、配管32aには、後記するシフト反応器51からの配管51aが合流しており、水性ガスシフト反応で生成した水素及び二酸化炭素が、新規に吸気された空気と合流し、混合器33に向かい、内燃機関10に水素添加されるようになっている。
混合器33(ガスミキサ)は、車外から新規に吸気された空気と、シフト反応器51からの水素及び二酸化炭素とを混合し、均一な混合状態とした後、吸気マニホールド34(第1気筒11〜第4気筒14)に供給するものである。このように均一な混合状態となって、第1気筒11等に供給されるので、第1気筒11等における燃焼が安定し、ノッキング等しにくくなる。
具体的には、混合器33は、円筒状の筐体33bと、複数(図2では3つ)の右エレメント33c(右旋回羽根)と、複数(図2では3つ)の左エレメント33d(左旋回羽根)と、を備えている。
図1に戻って説明を続ける。
排気系は、上流側が三股に分岐した排気マニホールド41と、触媒反応器42と、を備えている。そして、第2気筒12、第3気筒13及び第4気筒14は、排気マニホールド41、配管42aを介して触媒反応器42に接続されており、第2気筒12〜第4気筒14で生成した排気ガスは、排気マニホールド41で集合した後、配管42aを通って、触媒反応器42に供給されるようになっている。
触媒反応器42は、排気ガス中のNOxを浄化する三元触媒42cを内蔵している。三元触媒42cは、例えばコージェライト製のハニカム体の内壁面に、ウォッシュコート法等によって担持されている。このような三元触媒42cは、表1に示すように、例えば、(Pt−Pd−Rh+希土類)系で形成され、その反応温度は250〜700(℃)に、空間速度は5000〜100000(h−1)に設計される。なお、三元触媒42cの反応温度とは、三元触媒42cがその触媒機能を良好に発揮する温度であり、空間速度(GHSV:Gas Hourly Space Velocity)とは、1時間当たりにおけるガスの速度である。
シフト反応系は、シフト反応器51と、流量制御弁52〜53と、温度センサ54と、ヒータ55(第1温度制御手段)と、を備えている。そして、第1気筒11は、配管52a、流量制御弁52、配管52bを介して、シフト反応器51に接続されており、第1気筒11におけるリッチ燃焼によって生成した改質ガス(水素、一酸化炭素、水蒸気)は、配管52a等を通って、シフト反応器51に供給されるようになっている。
シフト反応器51は、改質ガス中の一酸化炭素と水蒸気を水性ガスシフト反応させ、水素及び二酸化炭素を生成する水性ガスシフト触媒51cを内蔵している(表1の式(4)参照)。水性ガスシフト触媒51cは、三元触媒42cと同様に、例えばコージェライト製のハニカム体の内壁面に、ウォッシュコート法等によって担持されている。このような水性ガスシフト触媒51cは、表1に示すように、例えば、(Fe−Cr系+Cu−Zn系)で形成され、その反応温度は150〜500(℃)に、空間速度は5000〜100000(h−1)に設計される。つまり、水性ガスシフト触媒51cの反応温度は、三元触媒42cの反応温度よりも低く設計される。
流量制御弁52、53は、ECU60からの指令に従い、0を含めて流量を制御可能な弁であって、例えばニードル弁で構成されている。これにより、流量制御弁52、53の開度を適宜制御することにより、第1気筒11から触媒反応器42又はシフト反応器51に向かう改質ガスの流量を適宜制御できる。具体的に例えば、流量制御弁53を全閉し、流量制御弁52を全開にすれば、高温の改質ガスの全てをシフト反応器51に向かわせることができ、シフト反応器51を速やかに暖めることができる。
ECU60は、水素製造システム1を電子制御する制御装置であり、CPU、ROM、RAM、各種インタフェイス、電子回路などを含んで構成されており、その内部に記憶されたプログラムに従って、各種機能を発揮し、各種機器を制御する。
次に、水素製造システム1の動作・効果について説明する。
水素製造システム1によれば、(1)第1気筒11によって、燃料をリッチ燃焼し、水素、一酸化炭素及び水蒸気を含む改質ガスを連続的に生成し、(2)水性ガスシフト触媒51cによって、一酸化炭素と水蒸気とを、水性ガスシフト反応させ、水素と二酸化炭素とを連続的に生成できる。
さらに、リッチ燃焼により生成した高温の改質ガスがシフト反応器51に供給されるので、水性ガスシフト触媒51cの温度を速やかに高めることができる。
なお、このようにバックグラウンドガスに燃料を噴射する場合、A/Fは、5〜14の範囲内に設定することが好ましい。これは、バックグラウンドガス中の酸素濃度が高くなると、水性ガスシフト反応で生成した水素が、酸素で酸化され、水になってしまい、水素の回収率が低くなる虞があるからである。
ディーゼル内燃機関の気筒内に、A/Fを変化させて軽油を直接噴射し、正常に燃焼するか否かについて試験した。A/Fは10〜18の範囲とした。試験結果を図3〜図4に示す。
なお、図3(a)は、72Nm/1500rpmでリッチ燃焼させた場合におけるクランクアングルに対する気筒内の圧力を示し、図3(b)は、クランクアングルに対する熱発生率を示す。また、図4(a)は、140Nm/1500rpmでリッチ燃焼させた場合におけるクランクアングルに対する気筒内の圧力を示し、図4(b)は、クランクアングルに対する熱発生率を示す。
次に、A/Fと、改質ガス中の水素濃度、一酸化炭素濃度との関係について試験した。A/Fは10〜18の範囲とした。試験結果を図5〜図6に示す。
なお、図5は、72Nm/1500rpmでリッチ燃焼させた場合において、A/Fに対する、改質ガス中の水素濃度、一酸化炭素濃度を示し、図6は、140Nm/1500rpmでリッチ燃焼させた場合において、A/Fに対する、改質ガス中の水素濃度、一酸化炭素濃度を示す。
次に、水性ガスシフト触媒51cを使用して、一酸化炭素と水蒸気(スチーム)とを水性ガスシフト反応させた。
なお、空間速度(GHSV)は10000(h−1)、一酸化炭素と水蒸気との体積比は1:2、水性ガスシフト触媒51cの入口における一酸化炭素と水蒸気との混合ガスの温度は300℃、とした。
以上をまとめると、A/F=10で内燃機関10をリッチ燃焼させると、(1)2mol%の水素、10mol%の一酸化炭素を含む改質ガスが生成し、(2)この改質ガスを水性ガスシフト反応させると、一酸化炭素の70%が水素に変換され、7.1mol%(=10×0.71)の水素を生成するから、(3)水素製造システム1全体としては、9.1mol%(=2+7.1)の水素を得ることが確認され、簡便かつ高収率で水素を製造できることが確認された。
10 内燃機関
21 第1インジェクタ(A/F制御手段)
32 スロットルバルブ(A/F制御手段)
33 混合器
42 触媒反応器
42c 三元触媒
51 シフト反応器
51c 水性ガスシフト触媒
52、53 流量制御弁
55 ヒータ(第1温度制御手段)
70 ECU(制御手段)
Claims (9)
- 車両に搭載される水素製造システムであって、
車両用の燃料をリッチ燃焼し、水素、一酸化炭素及び水蒸気を含む改質ガスを生成する駆動用の内燃機関と、
前記内燃機関からの改質ガスに含まれる一酸化炭素と水蒸気とを、水性ガスシフト反応させることで、水素と二酸化炭素とを生成する水性ガスシフト触媒を内蔵するシフト反応器と、
前記内燃機関に吸気される新規の吸気空気が通流する吸気流路と、
前記シフト反応器で生成した水素を新規の吸気空気と混合するように前記吸気流路に合流させる合流流路と、
を備える
ことを特徴とする水素製造システム。 - 前記内燃機関は、リッチ燃焼用の気筒と、通常燃焼用の気筒とを備える
ことを特徴とする請求項1に記載の水素製造システム。 - 前記内燃機関からの改質ガスが供給され、三元触媒を内蔵する触媒反応器と、
前記内燃機関から前記シフト反応器又は前記触媒反応器に向かう改質ガスの流量を制御する流量制御手段と、
を備える
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の水素製造システム。 - 前記水性ガスシフト触媒の温度を制御する第1温度制御手段を備える
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の水素製造システム。 - 前記内燃機関におけるリッチ燃焼のA/Fを制御するA/F制御手段を備える
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の水素製造システム。 - 前記内燃機関から前記シフト反応器に向かう改質ガスの温度を制御する第2温度制御手段を備える
ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の水素製造システム。 - 前記内燃機関には、改質剤として、空気、酸素富化空気、窒素富化空気、酸素、二酸化炭素、及び、EGRガス、の少なくとも一種が供給される
ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の水素製造システム。 - 前記シフト反応器で生成した水素と新規の吸気空気とを混合し、前記内燃機関に供給する混合器を備える
ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の水素製造システム。 - 前記内燃機関におけるリッチ燃焼と、前記シフト反応器における水性ガスシフト反応とは、連続的に実行される
ことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の水素製造システム。
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