JP5564347B2 - プローブ装置 - Google Patents

プローブ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5564347B2
JP5564347B2 JP2010158502A JP2010158502A JP5564347B2 JP 5564347 B2 JP5564347 B2 JP 5564347B2 JP 2010158502 A JP2010158502 A JP 2010158502A JP 2010158502 A JP2010158502 A JP 2010158502A JP 5564347 B2 JP5564347 B2 JP 5564347B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe card
probe
semiconductor wafer
light source
halogen lamp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010158502A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012023120A (ja
JP2012023120A5 (ja
Inventor
親臣 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Electronic Materials Corp
Original Assignee
Japan Electronic Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Electronic Materials Corp filed Critical Japan Electronic Materials Corp
Priority to JP2010158502A priority Critical patent/JP5564347B2/ja
Publication of JP2012023120A publication Critical patent/JP2012023120A/ja
Publication of JP2012023120A5 publication Critical patent/JP2012023120A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5564347B2 publication Critical patent/JP5564347B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、プローブ装置に係り、さらに詳しくは、半導体ウエハ上に形成された電子回路の電気的特性を検査するために、検査対象の電子回路にプローブカード上のプローブを接触させるプローブ装置の改良に関する。
一般に、半導体装置を製造する場合、半導体ウエハ上に形成された各電子回路について、半導体ウエハのダイシング前に電気的特性の検査が行われる。この検査は、テスター装置を用いて、検査対象となる電子回路に電源及び検査信号を供給し、その応答信号を検出することによって行われる。このとき、半導体ウエハ上に形成された多数の微少電極と、テスター装置の多数の信号端子とを導通させるために、プローブカードが用いられる。
プローブカードは、半導体ウエハ上の電子回路に形成された微小電極に接触させるための複数のプローブと、当該プローブとテスター装置とを導通させるための配線基板からなる。この様なプローブカード上のプローブを半導体ウエハ上の電子回路に接触させる際には、プローブ装置が用いられる。プローブ装置は、半導体ウエハを保持するウエハチャック、プローブカードを保持するプローブカードホルダ、ウエハチャックを移動させるチャック駆動部などにより構成される。
電子回路の検査には、高温試験及び低温試験があり、半導体ウエハ周囲の雰囲気を一定温度に保持することにより、半導体ウエハが雰囲気と熱平衡状態にあるときに、これらの試験が行われる。一般に、電子回路の電極間の間隔は、半導体ウエハの温度変化の影響により、高温試験時に膨張し、低温試験時に収縮する。このため、半導体ウエハの温度変化にプローブカードの温度がすみやかに追従できなければ、プローブカード上のプローブ間の間隔と電子回路の電極間の間隔とにずれが生じ、プローブを電子回路の電極に正しく当接させられない場合が発生するという問題があった。通常、ウエハチャックには、半導体ウエハを加熱するためのヒーターが搭載されるが、半導体ウエハを取り替える際には、ウエハチャックが検査位置から退避位置に移動する。この様なウエハチャックの退避時に、熱源としてのウエハチャックが遠ざかり、プローブカードの温度が低下してしまうことがあった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体ウエハの温度変化にプローブカードの温度をすみやかに追従させ、プローブカード上のプローブ間の間隔が半導体ウエハ上の電極間の間隔に対して大きくずれることを抑制することができるプローブ装置を提供することを目的としている。
第1の本発明によるプローブ装置は、電子回路が形成された半導体ウエハを、上記電子回路の形成面を上方に向けて保持するウエハチャックと、プローブが形成されたプローブカードを、上記プローブの形成面を下方に向けて保持するプローブカード保持手段と、上記半導体ウエハを検査するための検査位置から、上記検査位置よりも水平方向に離間した退避位置へ上記ウエハチャックを移動させるチャック移動手段と、上記プローブカードを加熱するための放射光を生成する光源ユニットとを備え、上記光源ユニットが、上記放射光の光軸を上方向に向け、かつ、上記プローブカードの下面と対向する状態で固定され、上記ウエハチャックが上記退避位置へ移動した際に、上記放射光を生成するように構成される。
また、第2の本発明によるプローブ装置は、上記構成に加え、上記光源ユニットが、上記放射光を上方に向けて反射させる反射板を備えて構成される。
この様な構成によれば、光源ユニットによりプローブカードが局所加熱されるので、ウエハチャックが退避位置に移動した際に、プローブカードの温度が低下することを抑制することができる。また、ウエハチャックが退避位置にある場合に、プローブカードを所望の温度に保持することもできる。従って、半導体ウエハの温度変化にプローブカードの温度をすみやかに追従させることができ、これにより、プローブカード上のプローブ間の間隔が半導体ウエハ上の電極間の間隔に対して大きくずれることを抑制することができる。また、放射熱を利用してプローブカードを局所加熱するので、プローブカードだけを効率的に加熱することができる。
本発明によるプローブ装置によれば、光源ユニットによりプローブカードが局所加熱されるので、ウエハチャックが退避位置に移動した際に、プローブカードの温度が低下することを抑制することができる。また、ウエハチャックの退避時に、プローブカードを所望の温度に保持することもできる。従って、半導体ウエハの温度変化にプローブカードの温度をすみやかに追従させることができ、これにより、プローブカード上のプローブ間の間隔が半導体ウエハ上の電極間の間隔に対して大きくずれることを抑制することができる。
本発明の実施の形態によるプローブ装置を含むプローバーシステム1の概略構成の一例を模式的に示した説明図であり、検査時の様子が示されている。 図1のプローバーシステム1の動作の一例を示した図であり、ウエハチャック21の退避時にプローブカード12が加熱される様子が示されている。 図2のプローバー13を示した平面図であり、プローバー13内を上方から見た様子が示されている。 図1のプローバー13の要部における構成例を示したブロック図であり、プローブカード12の温度調整を行うためのコントロールユニットが示されている。
<プローバーシステム>
図1及び図2は、本発明の実施の形態によるプローブ装置を含むプローバーシステム1の概略構成の一例を模式的に示した説明図であり、プローバー13を垂直面により切断した場合の切断面の様子が示されている。図1には、プローブカード12上のプローブ121を接触させて半導体ウエハ11上の電子回路を検査する際の様子が示されている。図2には、ウエハチャック21の退避時に、ハロゲンランプ25によりプローブカード12が加熱される様子が示されている。また、図3は、図2のプローバー13を示した平面図であり、プローバー13内を上方から見た様子が示されている。
このプローバーシステム1は、電子回路が形成された半導体ウエハ11と、複数のプローブ121が形成されたプローブカード12と、プローブカード12上のプローブ121を半導体ウエハ11上の電子回路に接触させるプローバー13と、テスター装置14及びインターポーザ15からなる。
半導体ウエハ11は、シリコンなどの半導体からなる基板であり、複数の電子回路が予め形成されている。プローブカード12は、電子回路内の微小電極に接触させる複数のプローブ121と、これらのプローブ121が配設されるプローブ基板122と、プローブ基板122が下面に固着され、プローバー13により保持されるメイン基板123からなる。
メイン基板123は、プローバー13に着脱可能に取り付けられる配線基板であり、例えば、円形形状のPCB(プリント回路基板)からなる。プローブ基板122は、メイン基板123上に配設されるサブ基板である。プローブ121は、微小な電極に接触させるための探針であり、検査対象とする電子回路の端子電極の配置に対応付けて整列配置される。
プローバー13は、ウエハチャック21、プローブカードホルダ22、チャック垂直駆動部23、チャック水平駆動部24、ハロゲンランプ25、温度センサ26、光源ユニット取付部27及び光源ユニット水平駆動部28からなるプローブ装置である。
ウエハチャック21は、半導体ウエハ11を水平に保持するためのウエハ保持部であり、半導体ウエハ11が載置される水平な載置台(ステージ)、半導体ウエハ11を挟む爪部などからなる。ウエハチャック21のステージ内には、半導体ウエハ11を加熱するための抵抗体からなる電熱線ヒーター(図示せず)が配置される。半導体ウエハ11は、ウエハチャック21により電子回路の形成面を上方に向けた状態で保持される。
プローブカードホルダ22は、プローブカード12を水平に保持するためのプローブカード保持部であり、メイン基板123の周縁部が支持される。プローブカード12は、プローブカードホルダ22により、プローブ121の形成面を下方に向けた状態で保持される。
チャック垂直駆動部23は、半導体ウエハ11の上下方向の位置決めを行うために、ウエハチャック21を上下方向(垂直方向)へ移動させるウエハチャック21の移動手段である。チャック垂直駆動部23により、ウエハチャック21を上方向へ移動させれば、プローブ121を電子回路の端子電極に当接させることができる。
チャック水平駆動部24は、半導体ウエハ11を検査するための検査位置A1から退避位置A2へウエハチャック21を移動させるウエハチャック21の移動手段である。検査位置A1は、プローブカード12の直下において、半導体ウエハ11がプローブカード12の下面と対向する位置である。退避位置A2は、検査位置A1よりもプローブカード12から遠い位置である。
ここでは、ウエハチャック21の退避位置A2が、プローブカード12の直下の検査位置A1から水平方向に離間した位置に形成され、チャック水平駆動部24は、ウエハチャック21及びチャック垂直駆動部23を水平方向へ移動させる水平軸方向の駆動機構からなる。
ハロゲンランプ25は、プローブカード12を加熱するための放射光2を生成する光源ユニットである。また、ハロゲンランプ25は、電球内に封入される窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスに微量のハロゲンガス、例えば、ヨウ素ガス又は臭素ガスを混入させた電球と、電球の放射光の一部を前方に向けて反射する反射板により構成される。
このハロゲンランプ25は、放射光2の光軸を上方向に向けた状態で光源ユニット取付部27に固着され、放射光2として、波長が近赤外線領域の900nmから、1600nm程度である電磁波が出射される。プローブカード12は、ハロゲンランプ25の放射光2が照射された際に、放射熱を吸収することにより加熱される。
温度センサ26は、法線方向から入射した放射熱3を吸収する検出面26aを有し、放射熱3に基づいて、プローブカード12の温度を検出する温度検出装置である。温度センサ26の検出素子には、例えば、熱電対が用いられる。この温度センサ26は、検出面26aを上方向に向けた状態で光源ユニット取付部27に固着され、プローブカード12から放射された放射熱3が入射される。このプローバー13では、温度センサ26の検出温度に基づいて、ハロゲンランプ25に対する電力供給が制御される。
光源ユニット取付部27は、ハロゲンランプ25及び温度センサ26が取り付けられ、プローブカード側へ移動する共通の可動部である。光源ユニット水平駆動部28は、光源ユニット取付部27を水平軸方向へ移動させることにより、プローブカード12に放射光2を照射するための照射位置と、照射位置よりもプローブカード12から遠い退避位置との間で、ハロゲンランプ25を移動させる光源ユニットの移動手段である。照射位置は、プローブカード12の直下において、ハロゲンランプ25がプローブカード12の下面と対向する位置である。
光源ユニット水平駆動部28では、半導体ウエハ11の検査時に、照射位置から退避位置へハロゲンランプ25を移動させ、また、ウエハチャック21の退避時に、退避位置から照射位置へハロゲンランプ25を移動させる。すなわち、ウエハチャック21が退避位置A2にある場合、ハロゲンランプ25は照射位置にあり、ハロゲンランプ25及び温度センサ26の検出面26aがプローブカード12の下面と対向する。一方、ウエハチャック21が検査位置A1にある場合、ハロゲンランプ25は退避位置にあり、ハロゲンランプ25及び温度センサ26の検出面26aはプローブカード12の直下から遠い位置にある。
光源ユニット水平駆動部28では、例えば、ウエハチャック21が退避位置A2に移動した後、光源ユニット取付部27を移動させてハロゲンランプ25を照射位置へ案内する動作が行われる。一方、退避位置A2のウエハチャック21は、ハロゲンランプ25が退避位置に移動した後、検査位置A1へ移動する。このプローバー13では、ハロゲンランプ25が照射位置にあってプローブカード12と対向する状態で、ハロゲンランプ25を点灯させ、また、ハロゲンランプ25が照射位置になければ消灯させる制御が行われる。
この例では、ウエハチャック21が検査位置A1にある場合、半導体ウエハ11がプローブカード12のプローブ基板122と対向している。これに対し、ウエハチャック21が退避位置A2にあり、ハロゲンランプ25がプローブカード12の直下にある場合には、ハロゲンランプ25及び温度センサ26の検出面26aがプローブ基板122と対向している。
テスター装置14は、半導体ウエハ11上の電子回路を検査するための検査信号を生成し、電子回路からの応答信号を解析する検査装置であり、テスターヘッド14a及び伝送ケーブル14bを備えている。テスターヘッド14aは、プローブカード12のメイン基板123に対し、インターポーザ15などの中継基板を介して、検査信号や応答信号を入出力するための入出力ユニットであり、プローバー13上に取り付けられている。このテスターヘッド14aは、伝送ケーブル14bを介して本体ユニットに接続されている。
<コントロールユニット>
図4は、図1のプローバー13の要部における構成例を示したブロック図であり、プローブカード12の温度調整を行うためのコントロールユニットが示されている。このコントロールユニットは、温度調整部31及び目標温度記憶部32により構成され、ハロゲンランプ25が照射位置にある場合に、温度センサ26により検出された温度に基づいて、ハロゲンランプ25に対する電力供給を制御する。
温度調整部31は、ハロゲンランプ25に対する電力供給を制御することにより、ハロゲンランプ25の発光量を調整し、これにより、プローブカード12の温度調整を行っている。具体的には、温度センサ26の検出温度が、目標温度記憶部32に予め保持された目標温度に近づくように、発光量の調整が行われる。
本実施の形態によれば、ハロゲンランプ25によりプローブカード12が局所加熱されるので、ウエハチャック21が退避位置A2に移動した際に、プローブカード12の温度が低下することを防止することができる。また、ウエハチャック21が退避位置A2にある場合に、プローブカード12を所望の温度に保持することもできる。従って、半導体ウエハ11の温度変化にプローブカード12の温度を追従させることができ、これにより、プローブカード12上のプローブ121間の間隔が半導体ウエハ11上の電極間の間隔に対して大きくずれることを抑制することができる。また、放射熱を利用してプローブカード12を局所加熱するので、プローブカード12だけを効率的に加熱することができる。
また、ウエハチャック21が退避位置A2にあるか、或いは、検査位置A1にあるかに応じて、光源ユニットを退避位置から照射位置へ移動させ、或いは、照射位置から退避位置へ移動させることができる。さらに、放射熱3に基づいてプローブカード12の温度を検出する温度センサ26が、光源ユニットと共通の可動部に配置されるので、検出面26aがプローブカード12の下面と対向する位置まで、温度センサ26を移動させる構成を簡素化することができる。また、放射熱3を利用してプローブカード12の温度を検出するので、プローブカード12から離間した位置でプローブカード12の温度を検出することができる。また、温度センサ26の検出温度に基づいて、ハロゲンランプ25の発光量が調整されるので、プローブカード12の温度を目標温度にすみやかに到達させることができる。
なお、本実施の形態では、ウエハチャック21の退避時に、光源ユニット取付部27を水平方向へ移動させてハロゲンランプ25をプローブカード12に近づける場合の例について説明したが、本発明は光源ユニットが固定式のものにも適用することができる。すなわち、ハロゲンランプ25は、プローブカード12の下面と対向する状態で固定され、ウエハチャック21が退避位置A2にある場合に、ハロゲンランプ25を点灯させ、また、ウエハチャック21が検査位置A1にある場合に、消灯させるような構成であっても良い。
また、本実施の形態では、プローブカード12の直下の検査位置A1から水平方向に離間した位置に退避位置A2が形成され、ウエハチャック21の退避時に、光源ユニット取付部27を水平方向へ移動させてハロゲンランプ25をプローブカード12に近づける場合の例について説明した。しかし、本発明は、ウエハチャック21の退避のさせ方や、ハロゲンランプ25の近づけ方を上記構成に限定するものではない。
例えば、プローブカード12の直下から下方向に離間した位置を退避位置とし、ウエハチャック21がその退避位置へ移動した際に、ハロゲンランプ25がプローブカード12と対向する位置まで、光源ユニット取付部27を水平方向へ移動させるような構成であっても良い。或いは、プローブカード12の直下から水平方向に離間した退避位置A2へ、ウエハチャック21が移動した際に、ハロゲンランプ25がプローブカード12の近傍まで近づくように、光源ユニット取付部27を上方向へ移動させるような構成であっても良い。
また、本実施の形態では、ウエハチャック21が退避位置A2に移動した後、光源ユニット取付部27を移動させる場合の例について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、ウエハチャック21の水平方向の移動手段と、ハロゲンランプ25の水平方向の移動手段とを共通化し、ウエハチャック21の退避位置への移動とハロゲンランプ25の移動とが連動するようなものであっても良い。
また、本実施の形態では、プローブカード12を局所加熱する光源ユニットとしてハロゲンランプ25が用いられる場合の例について説明したが、放射熱を利用して局所加熱を行う光源ユニットはハロゲンランプ25に限定されるものではない。例えば、発熱体の材料として炭素繊維が用いられるカーボンヒーターや、発熱体として、ニッケル(Ni)及びクロム(Cr)を主成分とする合金線が用いられる電熱線ヒーターを光源ユニットとして用いるものも本発明には含まれる。
1 プローバーシステム
2 放射光
3 放射熱
11 半導体ウエハ
12 プローブカード
121 プローブ
122 プローブ基板
123 メイン基板
13 プローバー
14 テスター装置
14a テスターヘッド
14b 伝送ケーブル
15 インターポーザ
21 ウエハチャック
22 プローブカードホルダ
23 チャック垂直駆動部
24 チャック水平駆動部
25 ハロゲンランプ
26 温度センサ
26a 検出面
27 光源ユニット取付部
28 光源ユニット水平駆動部
31 温度調整部
32 目標温度記憶部
A1 検査位置
A2 退避位置

Claims (2)

  1. 電子回路が形成された半導体ウエハを、上記電子回路の形成面を上方に向けて保持するウエハチャックと、
    プローブが形成されたプローブカードを、上記プローブの形成面を下方に向けて保持するプローブカード保持手段と、
    上記半導体ウエハを検査するための検査位置から、上記検査位置よりも水平方向に離間した退避位置へ上記ウエハチャックを移動させるチャック移動手段と、
    上記プローブカードを加熱するための放射光を生成する光源ユニットとを備え、
    上記光源ユニットは、上記放射光の光軸を上方向に向け、かつ、上記プローブカードの下面と対向する状態で固定され、上記ウエハチャックが上記退避位置へ移動した際に、上記放射光を生成することを特徴とするプローブ装置。
  2. 上記光源ユニットは、上記放射光を上方に向けて反射させる反射板を備えたことを特徴とする請求項1に記載のプローブ装置。
JP2010158502A 2010-07-13 2010-07-13 プローブ装置 Active JP5564347B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010158502A JP5564347B2 (ja) 2010-07-13 2010-07-13 プローブ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010158502A JP5564347B2 (ja) 2010-07-13 2010-07-13 プローブ装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012023120A JP2012023120A (ja) 2012-02-02
JP2012023120A5 JP2012023120A5 (ja) 2013-07-25
JP5564347B2 true JP5564347B2 (ja) 2014-07-30

Family

ID=45777164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010158502A Active JP5564347B2 (ja) 2010-07-13 2010-07-13 プローブ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5564347B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6418118B2 (ja) 2015-09-24 2018-11-07 三菱電機株式会社 半導体装置の評価装置及び評価方法
JP6406221B2 (ja) 2015-11-17 2018-10-17 三菱電機株式会社 半導体装置の評価装置及び評価方法
JP7426157B1 (ja) 2023-06-06 2024-02-01 ハイソル株式会社 加熱ステージおよび温度特性計測システム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138268A (ja) * 1998-11-04 2000-05-16 Hitachi Chem Co Ltd 半導体回路の検査方法及び検査装置
JP2004266206A (ja) * 2003-03-04 2004-09-24 Nec Yamagata Ltd プローバ装置、プローブカードのプリヒート方法およびそのプログラム
JP2006278414A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Seiko Epson Corp 半導体検査装置、半導体装置の検査方法、及び半導体装置の製造方法
JP2008300655A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Fujitsu Microelectronics Ltd ウエハの試験装置及び試験方法
JP2009070874A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Tokyo Electron Ltd 検査装置
JP5074878B2 (ja) * 2007-10-15 2012-11-14 東京エレクトロン株式会社 検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012023120A (ja) 2012-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3550313B1 (en) Electronic device inspecting apparatus
US8680880B2 (en) Method and apparatus for testing integrated circuit
KR102387504B1 (ko) 검사 장치
JP5535492B2 (ja) 半導体集積回路の検査装置及び半導体集積回路の検査方法
US8278965B2 (en) Inspection apparatus
JP6441435B1 (ja) プローバ装置およびウェハチャック
JP5564347B2 (ja) プローブ装置
JP5294954B2 (ja) プローブカードの製造方法
JP2012185016A (ja) 加熱冷却試験方法および加熱冷却試験装置
KR20210072820A (ko) 검사 장치 및 검사 방법
US11525856B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
JP4999775B2 (ja) プローバ
JP2016099300A (ja) プローブカード、プローバー装置、及び、半導体装置の試験方法
WO2020095699A1 (ja) 検査装置及び検査方法
JP2006294958A (ja) 電子部品のハンダ付け、取り外し装置
JP2011112518A (ja) 加熱冷却試験方法および装置
JP2011007671A (ja) 試験装置
JP2014107483A (ja) Obirch検査方法及びobirch装置
KR100811117B1 (ko) 전자회로기판 수리장치
JP4474405B2 (ja) 試料検査装置及び試料検査方法
TW202120907A (zh) 具有加熱功能之光學檢測設備
TW202318004A (zh) 電性檢測裝置
JP2002318258A (ja) 回路基板の検査装置および検査方法
EP3882644B1 (en) Substrate support, test device, and method of adjusting temperature of substrate support
KR102665977B1 (ko) 검사 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130606

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130606

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140121

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140317

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140610

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140616

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5564347

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250