JP5563997B2 - 制御回路 - Google Patents
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Description
△T≦π×{√(L×C)}/{Vo/(Vo−Vin)}
例えば、Vin=141V,Vo=390V,L=200uH,C=220pFの場合、時間差△Tは420[ns]程度となる。
本実施形態に係る制御回路は、図1に示すように、複数のコンバータが多段接続されたインターリーブ型スイッチング電源に用いられるものであり、図1のような構成において、制御回路60aと制御回路60bの関係は、制御回路60aが基準コンバータ側制御回路となり、制御回路60bが非基準コンバータ側制御回路となって、主従関係を有する。また、制御回路60bと制御回路60cの関係は、制御回路60bが基準コンバータ側制御回路となり、制御回路60cが非基準コンバータ側制御回路となって、主従関係を有する。そのため、以下では、説明をわかりやすくするために、制御回路60aと制御回路60bの関係に注目して説明する。
図2を用いて、非基準コンバータ側制御回路60bの構成について説明する。
非基準コンバータ側制御回路の具体的な回路構成は、図3のようになっている。なお、各部の回路構成についての詳細については、後述することとし、ここでは、図4のタイミングチャートを用いて、非基準コンバータ側制御回路全体の動作について説明する。
基準動作検出部は、図5に示すように、一方の端子に基準コンバータ発振波形が入力され、他方の端子に基準コンバータ発振波形をインバータIC101により反転しコンデンサC101により時定数を持たせた信号を入力し、立下り信号を出力するNOR回路IC102と、一方の端子に基準コンバータ発振波形が入力され、他方の端子に基準コンバータ発振波形をインバータIC103により反転しコンデンサC102により時定数を持たせた信号を入力し、立上り信号を出力するAND回路IC104と、から構成されている。
容量部200は、図6に示すように、容量素子であるコンデンサC201と電源VDC1とから構成されている。充電時には、後述する充電部300の定電流源IDC1からコンデンサC201に電流I1が流れ込みコンデンサC201を充電する(図6のd点電圧の充電時波形を参照)。
充電部300は、図7に示すように、定電流源IDC1とスイッチ素子Q301とフリップフロップIC301とから構成され、スイッチ素子Q301は、容量部200のコンデンサC201に並列に接続されている。
放電部は、図8に示すように、定電流源IDC2とスイッチ素子Q401とフリップフロップIC401とから構成されている。
放電終了検出部500は、図9に示すように、コンパレータIC501と、NOR回路IC502と、インバータIC503と、フリップフロップIC504と、スイッチ素子Q501およびQ502と、コンデンサC501と、電源VDC2およびVDC3から構成されている。
オンオフ制御部600は、図10に示すように、フリップフロップIC601で構成されている。
図11を用いて、一例としての充電部および放電部における定電流源IDC1,IDC2の詳細な回路構成を説明する。
20;トランス
50;出力電圧検出回路
60a、60b、60c;制御回路
100;基準動作検出部
200;容量部
300;充電部
400;放電部
500;放電終了検出部
600;オンオフ制御部
C1、C2;平滑コンデンサ
C101;コンデンサ
C102;コンデンサ
C201;コンデンサ
C501;コンデンサ
D1、D2、D3;平滑ダイオード
IC101;インバータ
IC102;NOR回路
IC103;インバータ
IC104;AND回路
IC301;フリップフロップ
IC401;フリップフロップ
IC501;コンパレータ
IC502;NOR回路
IC503;インバータ
IC504;フリップフロップ
IC601;フリップフロップ
IDC1;定電流源
IDC2;定電流源
L1、L3、L4;チョークコイル
L2;制御巻線
M1〜M7;半導体素子
OP1;オペアンプ
Q1;スイッチング素子
Q2;スイッチング素子
Q3;スイッチング素子
Q301;スイッチ素子
Q401;スイッチ素子
Q501;スイッチ素子
Q502;スイッチ素子
R1、R2、R3、R10;抵抗
SW1、SW2;スイッチ
Vc;基準電圧
Vcc;制御回路電源電圧
VDC1;電源
VDC2;電源
VDC3;電源
Vref;制御回路基準電圧
Claims (5)
- 商用電源の整流出力を昇圧チョッピングする複数のコンバータで構成され、前記複数のコンバータが主従関係を有し、1の主となるコンバーターに着目し、そのコンバータを基準コンバータとしたときに、前記基準コンバータの有するスイッチング素子を基準スイッチング素子とし、前記基準コンバータに対し、従なる関係を有するコンバータは、多くとも1つだけ存在し、また、従となるコンバータにとっては主となるコンバータは1つだけであり、この従となるコンバータを前記基準コンバータに対する非基準コンバータとするとともに、前記非基準コンバータのスイッチング素子を非基準スイッチング素子、と関係付けして、前記基準スイッチング素子のスイッチング動作に対し所定の位相差で前記非基準スイッチング素子がスイッチングするよう位相制御するインターリーブ電源用の制御回路において、
前記基準スイッチング素子のオンタイミングおよびオフタイミングを検出し、前記基準スイッチング素子のオンタイミング情報およびオフタイミング情報を得る基準動作検出部と、
充電と放電とがなされる容量素子を有する容量部と、
所定の定電流を前記容量素子に供給する第1定電流源を有し、前記基準動作検出部が検出した前記基準スイッチング素子の前記オンタイミング情報に基づいて前記第1定電流源が前記容量素子に定電流供給を開始し、前記容量素子への充電を行う充電部と、
前記基準動作検出部が検出した前記基準スイッチング素子のオフタイミング情報に基づいて、前記容量素子の電荷放電を開始し、前記充電部が前記容量素子への充電を開始してから前記容量素子の電荷放電が開始されるまでの時間と略同じ時間で前記容量素子の電荷放電を行う放電部と、
前記容量素子の電圧を検出し、前記放電部が前記容量素子の電荷放電を開始した後の前記容量素子の電圧が、前記充電部による前記容量素子の充電開始時における前記容量素子の電圧と略同じ電圧値になるタイミング情報を得る放電終了検出部と、
前記基準動作検出部により検出して得られた前記基準スイッチング素子のオフタイミング情報に基づいて前記非基準スイッチング素子をオンさせ、前記放電終了検出部により検出して得られた前記放電終了情報に基づいて前記非基準スイッチング素子をオフさせるオンオフ制御部と、
を備えたことを特徴とする制御回路。 - 前記放電部は、前記充電部による前記容量素子への充電電荷を供給源とし前記第1定電流源に対して略2倍の値の定電流を流す第2定電流源を有し、前記第2定電流源により前記容量素子の電荷を放電することを特徴とする請求項1に記載の制御回路。
- 前記第1定電流源および前記第2定電流源は同種の半導体素子からなるミラー回路で構成され、前記第1定電流源から前記第2定電流源を生成する回路ブロックが前記同種の半導体素子を並列に接続して構成されていることを特徴とする請求項2に記載の制御回路。
- 前記放電終了検出部が前記放電終了情報を得た後、前記容量素子への充電開始まで前記容量素子への充電及び放電を中止し、前記容量素子の充電開始時電圧を放電終了時の値と常に略同じにすることを特徴とする請求項1に記載の制御回路。
- 前記放電終了検出部は前記容量素子の充電開始時電圧と略同じ値に設定された閾値のコンパレータを有し、前記閾値は、前記コンパレータの放電終了検出と同時にコンパレータが誤検出しない値まで上昇し、前記容量素子への充電開始までに前記閾値を前記容量素子の充電開始時電圧に戻すことを特徴とする請求項4に記載の制御回路。
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