JP5561613B2 - エンドトキシンの濃度検出方法及びエンドトキシン検出用電極チップ - Google Patents
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Description
実施形態に係るエンドトキシンの検出方法について説明する。当該エンドトキシンの検出方法は、下記(i)、(ii)のステップを含んで構成され得る。
(i)エンドトキシンを含む被検体と、C因子、B因子、凝固酵素前駆体、及び色素が結合したペプチドを含む試薬を接触させ、カスケード反応とペプチドからの色素の遊離反応とを生じさせるステップ。
(ii)遊離反応後の、被検体及び試薬の混合物に対して、ディファレンシャルパルスボルタンメトリを適用し、測定される電流値に基づいてエンドトキシンを定量するステップ。
以下、(i)、(ii)について詳述する。
カスケード反応は、図1に示すように、エンドトキシンを含む被検体をC因子に作用させることにより、C因子から活性型C因子を、B因子から活性型B因子を、凝固酵素前駆体から活性型凝固酵素を次々に発生させ、当該活性型凝固酵素により、色素が結合したペプチドから色素を遊離させる反応である。
(ii)遊離反応後、上記被検体及び上記試薬の混合物に対して、ディファレンシャルパルスボルタンメトリを適用し、測定される電流値に基づいてエンドトキシンを定量する。すなわち、反応後の上記被検体及び上記試薬の混合物には、ペプチドから遊離した色素が存在しており、特定の電位において、当該色素が酸化及び還元反応する。この酸化又は還元反応に由来する電流ピークのピーク電流値と、色素の濃度、すなわち、エンドトキシンの濃度との間には相関が成り立ち、当該相関を利用して、色素の濃度を定量する。
以下、エンドトキシン検出用電極チップの製造方法について説明する。エンドトキシン検出用電極チップは、下記(a)〜(e)のステップを含む方法により製造し得る。
(a)基板の洗浄
導電性DLC基板の表面を、アセトン、2−プロパノール、超純水等を用いて洗浄する。さらに、O2プラズマアッシング処理を行ってもよい。
(b)フォトレジストパターニング
炭素電極を形成するエッチング工程に先立ち、ウェル6内部に配置される電極になる部分をフォトレジストで覆う。フォトレジストは、スピンコータ等でフォトレジスト前駆体を塗布し、75〜110℃、60〜120秒間のプレベークの後、水銀ランプ等で露光し現像する。フォトレジストとしては、ナフトキノンアジド系アルカリ可溶性シリコーンポリマー等を使用できる。
(c)エッチング
例えば、O2プラズマアッシング装置により、DLCのエッチングを行う。さらに、O2エッチングの終了した基板を、ガラスとDLCの間に介在する金属等から構成される中間層をエッチングする。
(d)導線部の作製
炭素電極の対になる端子7及び導線4を形成するために、スパッタリング装置で、所望の金属のスパッタリングを行う。金スパッタの場合、ガラスとの密着性を向上させる観点から、金スパッタの前に、TiあるいはCrスパッタ及びPdスパッタを行うことが好ましい。
(e)絶縁膜パターニング
導線4を被覆する目的で、絶縁膜のパターニングを行う。絶縁膜の前駆体を塗布した後、75〜110℃で1〜30分間べークした後、フォトマスクを用い、水銀ランプを露光し、露光部の架橋反応を行うために80〜120℃で3〜120分間ポストべークする。現像し、リンスを行った後、150〜200℃で30〜120分間ハードべークを行うことによって、絶縁膜を得ることができる。絶縁膜の材料としては、エポキシ系フォトレジスト、ポリイミドレジスト等を使用できる。
上記電極チップを用いたエンドトキシンの検出法においては、上記ウェル6中に、エンドトキシンを含む被検体溶液と、C因子、B因子、凝固酵素前駆体及び色素が結合したペプチド(合成基質)を含む試薬とを混合した液を収容し、一定時間反応させる。次に電極を配置し、時間変化に伴って電位を一定方向に走査しながら複数のパルス電位を印加する。複数のパルス電位は、パルス幅ΔEが互いに等しく、かつ、第1のパルス電位の電位ステップΔE1が終了した直後の電位E1,eと、当該第1のパルスのすぐ後の第2のパルス電位の電位ステップΔE2が開始する直前の電位E2,sとが等しく、第1の電位ステップが開始する直前の電流値I(t1,s)と、当該第1の電位ステップが終了する直前の電流値I(t1,e)との差を測定することにより、エンドトキシンの濃度を算出すことができる。
[試薬]
1)標準エンドトキシン溶液:エンドトキシン標準品はPyroGene(登録商標)キット添付のE.coli055:B5由来Control standardを用いた。PyroGene(登録商標)キットはCambrex社又はLonza社より購入した。標準エンドトキシン溶液は、PyroGene(登録商標)キット添付のエンドトキシンフリー水を用いて調製し、使用の直前に15分間以上ボルテックスミキサーで激しく攪拌した。なお、エンドトキシン濃度は測定溶液中の最終濃度で示した。
2)50mM NaClを含む100mM Tris−Ac緩衝液(pH 7.5):混入エンドトキシンを除去するためにMustang(登録商標)membren付きAcrodisc(登録商標)units(Pall Corporation USA)でフィルタリングした。
3)LAL酵素溶液としては、C因子、B因子および凝固酵素前駆体を含むライセート試薬と、合成基質のBoc−Leu−Gly−Arg−pNA(LGR−pNA)が凍結乾燥状態で1テスト分ずつ専用の試験管に封入されている、エンドスペシー(登録商標)ES−24Sセットの試薬を用いた。
4)rFC(組み換えC因子)酵素溶液としてはPyroGene(登録商標)キットの試薬を用いた。合成基質のBoc−Val−Pro−Arg−pNA(VPR−pNA;渡辺化学工業社製)をジメチルスルホキシド(DMSO)に溶解し、10mMのストック溶液として−20℃で保管した。VPR−pNAの希釈には上記Tris−Ac緩衝液を用いた。試薬の調製はエンドトキシンのコンタミネーションを防ぐためにクリンベンチ内で行った。
5)LGR−pNA(BACHEM社製)及びpNA(和光純薬工業社製):ジメチルスルホキシド(DMSO)に溶解し、10mMのストック溶液として−20℃で保管した。LGR−pNA及びpNAの希釈にはエンドスペシー(登録商標)に添付されている緩衝液を用いた。
[装置及び測定法]
1) 測定装置:ポテンショスタット(Ivium Technologies社製、CompactStat)
2) 電極:96ウェルを用いる測定;作用極には直径1mmのグラッシーカーボン(GC)ディスク電極(BAS株式会社製)を、対極にはAuシートを、参照極にはAg/AgClをそれぞれ用いた。作用極表面の状態を一定に保つため、1回の測定ごとにGC電極表面を0.05μmのアルミナスラリー(Buehler)で1分以上研磨した。電極チップを用いる測定;チップ上の直径1.0mmの炭素電極を作用極として使用し、Ag/AgCl参照極とPt対極(φ=200μmのPt線)をウェルへ挿入して測定を行った。
3)測定法:ライナースィープボルタンメトリ(LSV);走査速度20mV/sで行った。ディファレンシャルパルスボルタンメトリ(DPV);パルス時間70ms、パルス幅50mV、電位ステップ5mV、走査速度5mV/sで行った。電位はすべてAg/AgCl参照電極を基準にした。
ライセート試薬、LGR−pNAおよび緩衝液は、エンドスペシー(登録商標)添付の試薬を用いた。ライセート試薬および基質の凍結乾燥試薬の入った試験管へ、緩衝液200μLおよびエンドトキシン標準溶液200μLを添加して撹拌し、200μLを96ウェルプレートへ移した。エンドトキシンがC因子への結合する反応がトリガーとなり、B因子、凝固酵素を次々に活性化してLALカスケード反応が進む。室温で1時間または2時間後、凝固酵素によりLGR−pNAから遊離したpNAを直径1mmのGC電極でDPVにより検出した。
[電極チップの作製]
炭素電極チップは、下記に示した方法で電極が形成される導電性DLC基板と、貫通孔が形成されたポリジメチルシロキサンプレートとから構成される。
(導電性DLC基板への電極の形成)
(a)基板の切り落としと洗浄
基板には、ナノテック株式会社製のDLCがガラス基板の表面に製膜された、導電性DLC基板を用いた。基板をガラスカッターで2.0cm×3.0cmに切り出し、表面をアセトン、2−プロパノール、超純水の順に用いて洗浄した。さらに30秒間O2プラズマアッシング処理を行って、表面を清浄化した。
(b)フォトレジストパターニング
ナフトキノンアジド系フォトレジストでアルカリ可溶性シリコーンポリマーを含有するポジ型フォトレジストのFH−SP(富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製)を5000rpmでDLC表面に30秒間スピンコートした。90℃、90秒間プレべークの後、水銀ランプで30秒間露光した。主成分がTMAHである専用現像液FHD−5(富士フィルムエレクトロニクス)で現像し、蒸留水中でリンスした。
(c)エッチング
O2プラズマアッシング装置(ヤナコ社製、LTA−101)を用いて導電性DLC基板のエッチングを行った。100Wで約60分間アッシングを行うと、導電性DLCのパターンが作製された。さらに、ガラスと導電性DLCの中間層であるバインダー金属をエッチングするために、所定のエッチング液へ、O2エッチングの終了した基板を浸漬し、溶液をパドルしながら約1時間反応させた。
(d)導線4及び端子7の作製
高周波マグネトロンスパッタリング装置(キヤノンアネルバ社製、L−332S−FH)を用いた。バインダーとしてTiとPdを用いた。スパッタリング条件は下記の通りである。
Ar流量:10cm3/min
チャンバー内圧:10Pa
チャンバー内温度:100℃
RF出力:200W
Ti析出時間:7分間、Pd析出時間:4分間、Au析出時間:7分間
(e)絶縁膜パターニング
導線4を被覆する目的で、ガラス基板表面に下記の方法でSU−8絶縁膜のパターニングを行った。
疎水化剤としてMICROPOSITPRIMERを3000rpmで10秒間スピンコートした後、エポキシ系のネガ型フォトレジストSU−8 3010(マイクロケム社製)を3000rpmで30秒間スピンコートした。次に、レジストの溶媒を蒸発させるため、95℃で5分間べークした後、フォトマスクを用い、水銀ランプ(ミカサ社製、MA−20)を30秒間露光した。露光部の架橋反応を行うために、95℃で5分間ポストべークした。室温まで冷却後、SU−8developer(有効成分:1−メトキシ−2−プロピルアセトン;ミクロケム社製)で現像した。リンスは2−プロパノールで行った。さらに、180℃で30分間ハードべークを行うことによって、架橋反応を進めた。
内径3.0mm、深さ5.0mmの貫通孔が6個形成されたポリジメチルシロキサンプレートを準備した。
電極チップの評価を下記のとおり行った。ウェルが形成されたポリジメチルシロキサンプレートを取り付けた電極チップを30秒間プラズマアッシング処理し、ウェルへ4mMフェロシアン化カリウム水溶液(0.1M KCl含む)を40μL添加した。Ag/AgCl参照極とPt対極(φ=200μm Pt線)をウェルへ挿入し、サイクリックボルタンメトリーによる測定を行った。電位は100mV/sで−0.5V→1.0V→−0.5Vと走査した。6チャネルの測定結果を図3に示す。チャネル1が他のピークと比較して少しピークセパレーションが広く、ボルタモグラム全体が還元方向にシフトした形状となったが、その他のピークはほぼ同じ形状になった。下記式(2)に示す可逆系のボルタモグラムのピーク電流の式から電極直径を計算した。
(1)LSVに対するDPVの有用性の評価
LGR−pNAとpNAの混合溶液(エンドスペシー(登録商標)に添付されている緩衝液溶液、LGR−pNAとpNAの濃度合計:100μM)に対して、LSVとDPVを行った。測定の結果を図4に示す。LSVのボルタモグラムには−0.65V付近と−0.84V付近に(図4(A)参照)、また、DPVのボルタモグラムには−0.60V付近と−0.77V付近(図4(B)参照)にピークがみられ、それぞれLGR−pNAとpNAのピークであることがわかった。LSVのピークと比較して、DPVのピークは二つのピークが明確に分離され、ピークの大きさと対応する分子種の濃度の相関が良好であった。すなわち、グラフ(a)〜(f)に対応するLGR−pNAとpNAの濃度比(MLGR−pNA:MpNA)は、(a)100μM:0μM、(b)90μM:10μM、(c)75μM:25μM、(d)50μM:50μM、(e)25μM:75μM、(f)0μM:100μMであった。
これらの結果から、LGR−pNAとpNAの混合溶液からpNAを定量検出するには、DPVが適当であるとわかった。
実施例1
ライセート試薬および基質の凍結乾燥試薬の入った試験管へ、緩衝液200μLおよびエンドトキシン標準溶液200μLを添加して撹拌し、200μLを96ウェルプレートへ移した。室温で1時間または2時間反応し、直径1mmのGC電極でDPV測定を行った。結果を図5に示した(図5(A)は反応時間1時間後、図5(B)は反応時間2時間後)。LGR−pNA及びpNA由来のピークがそれぞれ−0.64Vと−0.75V付近に観察された。LGR−pNAのピークには−0.6V付近にみられる別のピークが重なっていた。エンドトキシンの濃度は、(a)0EU/L、(b)0.5EU/L、(c)5EU/L、(d)50EU/L、(e)500EU/Lであり、エンドトキシンの濃度が高くなるに従って−0.64V付近のLGR−pNA由来のピークが減少し、−0.75V付近のpNA由来のピークが増大した。
0EU/Lの電流値を基準とした−0.75V付近のピーク電流値をシグナルに採用し、エンドトキシン濃度に対してプロットしたグラフを図6に示す。それぞれの点は5回の繰り返し実験の平均値であり、エラーバーは±標準偏差を示す。DPVのシグナルはエンドトキシン濃度および反応時間に依存した.本手法によって反応時間1時間では5EU/L以上のエンドトキシンの検出が可能であり、反応時間2時間では0.5EU/L以上の検出が可能であった。カスケード反応を利用しない、後述のrFC分析(図8及び9)と比較するとLALのカスケード反応を利用することによって、約1万倍の感度上昇効果を得ることができたことが分かった。
実施例2
炭素電極チップによるエンドトキシンの検出を行った。エンドスペシー(登録商標)の凍結乾燥試薬を緩衝液で溶解した反応試薬とエンドトキシン水溶液をそれぞれ20μLずつ各ウェルへ入れて混合し、1時間反応させた後にDPVで測定したボルタモグラムを図7(A)に示す。エンドトキシンの濃度は、(a)0EU/L、(b)0.5EU/L、(c)5EU/L、(d)50EU/L、(e)500EU/Lであり、エンドトキシンの濃度が高くなるに従って、−0.63Vのピークが減少し、−0.85Vから−0.8Vに新たなピークが出現した。このことから、−0.63VのピークはLGR−pNA由来であり、−0.85Vから−0.8VのピークはpNA由来であると分かる。
検量線の作製には、0EU/Lのサンプルを3回測定したときの−0.85Vの平均電流値(−0.209μA)とそれぞれのサンプルについて−0.85Vから−0.8Vに現れるピーク電流値との差を用いた。作製した検量線を図7(B)に示す.ドットは3回の繰り返し実験の平均値,エラーバーは3回の測定の±標準偏差を表す.この検量線から、本手法によって5EU/L以上のエンドトキシンが1時間の反応時間で検出できることがわかった。炭素電極チップを用いた本結果は、実施例1の結果とほぼ同じであった。
(4)rFCを用いるエンドトキシンの電気化学検出
エンドトキシンを含む被検体と、C因子(994アミノ酸残基をもつ109648Daの組み換えC因子:rCF)及び色素が結合したペプチドを含む試薬と、を接触させて、C因子から活性型C因子を発生させ、色素が結合したペプチドから色素を遊離させた。遊離反応後の、被検体及び試薬の混合物に対して、ディファレンシャルパルスボルタンメトリを適用し、エンドトキシンの検出を行った。96ウェルプレートにTris−Ac緩衝液、rFC酵素溶液、VPR−pNA溶液、エンドトキシン標準溶液を入れて37℃で1時間あるいは3時間反応させ、遊離したpNAを直径1mmのGC電極でDPVにより検出した。DPV法によるエンドトキシンの検出の(A)反応1時間後、(B)反応3時間後のボルタモグラムを図8に示す。エンドトキシンの濃度は、(a)0EU/L、(b)10EU/L、(c)100EU/L、(d)1000EU/L、(e)5000EU/L、(f)10000EU/Lであり、100EU/Lから10,000EU/Lの範囲で、エンドトキシン濃度が高くなるに従ってVPR−pNA由来の−0.60V付近のピークが減少し、pNA由来の−0.75V付近のピークが増大した。0EU/Lの電流値を基準とした−0.75V付近のピーク電流値をシグナルに採用し、エンドトキシン濃度に対してプロットしたグラフを図9に示す。それぞれの点は5回の繰り返し実験の平均値、エラーバーは±標準偏差を表す。DPVのシグナルはエンドトキシン濃度および反応時間に依存することが分かった。
本手法によって反応時間1時間では5,000EU/L以上のエンドトキシンの検出が可能であり、反応時間3時間では1,000EU/L以上の検出が可能であった。しかし、一般的なエンドトキシン検出法であるLAL法は30分で10EU/Lの検出が可能であり、また、長期透析液の管理など医療現場では30分で1EU/Lの検出法が求められていることから、実用化には大幅な感度の改善が必要である。
Claims (5)
- エンドトキシンを含む被検体と、
C因子、B因子、凝固酵素前駆体、及び色素が結合したペプチドを含む試薬を接触させて、
前記C因子から活性型C因子を、前記B因子から活性型B因子を、前記凝固酵素前駆体から活性型凝固酵素を次々に発生させるカスケード反応と、当該活性型凝固酵素による、前記ペプチドからの前記色素の遊離反応と、を生じさせて、
前記遊離反応後の、前記被検体及び前記試薬の混合物に対して、ディファレンシャルパルスボルタンメトリを適用し、測定される電流値に基づいてエンドトキシンを定量する、エンドトキシンの濃度検出方法。 - 前記ペプチドは、一端に前記色素が結合し、他端にペプチド保護基が結合したオリゴペプチドである、請求項1記載の濃度検出方法。
- ディファレンシャルパルスボルタンメトリにより測定される、遊離した前記色素の還元反応に由来するピーク電流値と、エンドトキシン濃度との相関に基づいて、エンドトキシンを定量する、請求項1又は2記載の濃度検出方法。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の濃度検出方法に適用する、エンドトキシン検出用電極チップであって、
基板に形成された、前記被検体及び前記試薬を収容する複数のウェルと、
前記複数のウェル内にそれぞれ配置され、前記カスケード反応後の前記混合物に対して電圧を印加するための電極と、を備える、電極チップ。 - 前記ウェルの容量は1〜200mm3である、請求項4記載のエンドトキシン検出用電極チップ。
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