JP5554322B2 - 放射線画像検出器 - Google Patents
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Description
放射線画像検出器は、放射線利用技術の重要な位置を占める要素技術であって、放射線利用技術の発展に伴い、検出感度、放射線の入射位置に対する位置分解能、或いは計数率特性について、より高度な性能が求められている。また、放射線利用技術の普及に伴い、放射線画像検出器の低コスト化、及び有感領域の大面積化も求められている。
その結果、光電変換物質、ガス電子増幅器、及びピクセル型電極より構成されるガス増幅型紫外線画像検出器を用いて、シンチレーターより生じた紫外線を光電変換物質で電子に変換し、次いで当該電子をガス電子増幅器によって増幅した後、ピクセル型電極を用いて検出することにより、放射線を感度良く検出できることを見出した。また、当該シンチレーターとガス増幅型紫外線画像検出器を組み合わせてなる放射線画像検出器によって、放射線画像を取得することに成功し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明によれば、
入射した放射線を紫外線に変換するシンチレーター、及びガス増幅型紫外線画像検出器を具備してなる放射線画像検出器であって、ガス増幅型紫外線画像検出器が、光電変換物質、ガス電子増幅器、及びピクセル型電極より構成され、光電変換物資、ガス電子増幅器、及びピクセル電極が、電子増幅用ガスが充填されたチャンバー内に設置され、該光電変換物質の薄膜がチャンバーの紫外線入射窓の内面に形成又はガス電子増幅器の紫外線入射窓に対向する面上に形成され、ガス電子増幅器が複数枚存在することを特徴とする放射線画像検出器が提供される。
上記放射線画像検出器の発明において、
(1)シンチレーターが、ネオジム、プラセオジウム、ツリウム、またはエルビウムを含有する金属フッ化物結晶であること
(2)光電変換物質が、ヨウ化セシウムまたはテルル化セシウムであること
が好適である。
本発明の放射線画像検出器の動作原理について、図1を用いて説明する。まず、入射した放射線をシンチレーター1によって紫外線に変換する。次いで、生じた紫外線を光電変換物質2によって一次電子3に変換する。当該一次電子3を、高電場下におけるガス電子雪崩現象による増幅作用を利用したガス電子増幅器4で増幅し、二次電子5を得た後、二次電子5をピクセル型電極6でさらに増幅しながら検出する。このピクセル型電極で検出された電子に基づく信号を外部回路で処理することにより、放射線の入射位置を特定することができ、放射線画像を得ることが可能となる。以下、本発明の放射線画像検出器についてより詳細に説明する。
本発明の放射線画像検出器の構成要素であるシンチレーターは、放射線の入射によって紫外線を生じるシンチレーターであれば、特に制限無く使用できるが、光電変換物質における紫外線から電子への光電変換効率に鑑みて、紫外線の中でも波長が200nm以下の真空紫外線を生じるシンチレーターを用いることが特に好ましい。
検出対象となる放射線の種類に応じて、用いるシンチレーターを選択することにより、X線、α線、β線、γ線、或いは中性子線等の何れの放射線も検出可能となる。特に、原子量の大きい化学物質からなるシンチレーターは、放射線の中でも、硬X線やγ線等の高エネルギーの光子を効率よく検出できるので好ましい。
放射線の入射によって生じた紫外線を、シンチレーター自身が吸収することなく出射せしめるためには、紫外線を吸収し難いシンチレーターを使用することが好ましい。かかる紫外線を吸収し難いシンチレーターとしては、後述する金属フッ化物;アルミナ(Al2O3)、アルミン酸イットリウム(YAlO3)、アルミン酸ルテチウム(Lu3Al5O12)等の金属酸化物;リン酸ルテチウム(LuPO4)、リン酸イットリウム(YPO4)等の金属リン酸化物;或いは一部の金属ホウ酸化物等からなるシンチレーターが挙げられる。
これらシンチレーターの形態は特に限定されず、結晶、ガラス、またはセラミック等の形態のものが適宜使用できる。放射線から紫外線への変換効率の観点から、結晶を使用することが好ましい。
該金属フッ化物の種類は特に限定されず、真空紫外線を生じるシンチレーターとして従来公知の金属フッ化物を任意に用いることができる。具体的には、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化スカンジウム、フッ化チタン、フッ化クロム、フッ化マンガン、フッ化鉄、フッ化コバルト、フッ化ニッケル、フッ化銅、フッ化亜鉛、フッ化ガリウム、フッ化ゲルマニウム、フッ化アルミニウム、フッ化ストロンチウム、フッ化イットリウム、フッ化ジルコニウム、フッ化バリウム、フッ化ランタン、フッ化セリウム、フッ化プラセオジム、フッ化ネオジム、フッ化ユーロピウム、フッ化ガドリニウム、フッ化テルビウム、フッ化エルビウム、フッ化ツリウム、フッ化イッテルビウム、フッ化ルテシウム、フッ化ハフニウム、フッ化タンタル、フッ化鉛などの金属フッ化物が例示される。
発光中心元素を含有するシンチレーターの好ましいものを例示すれば、前出の金属フッ化物、金属酸化物、或いは金属リン酸化物からなる結晶であって、前記5d−4f遷移発光を呈する発光中心元素を含む結晶が挙げられる。
有効原子番号=(ΣWiZi 4)1/4 〔1〕
(式中、Wi及びZiは、それぞれシンチレーターを構成する元素のうち
のi番目の元素の質量分率及び原子番号を表す。)
紫外線出射面の形状は限定されず、一辺の長さが数mm〜数百mm角の四角形、直径が数mm〜数百mmの円形など、用途に応じた形状を適宜選択することができる。シンチレーターの放射線入射方向に対する厚さは、検出対象とする放射線の種類及びエネルギーによって異なるが、一般に数百μm〜数百mmである。
また、ガス増幅型紫外線画像検出器に対向しない面に、アルミニウム或いはテフロン等からなる紫外線反射膜を施すことは、シンチレーターで生じた紫外線の散逸を防止することができる点で好ましい。更にかかる紫外線反射膜が施されたシンチレーターを多数配列して用いることにより、放射線画像検出器の位置分解能を顕著に高めることができる。
金属フッ化物結晶の製造に際して、熱歪等に起因する結晶欠陥を除去する目的で、結晶の製造後にアニール操作を行っても良い。得られた金属フッ化物結晶は良好な加工性を有しており、所望の形状に加工してシンチレーターとして用いる。加工に際しては、公知のブレードソー、ワイヤーソー等の切断機、研削機、或いは研磨盤を何ら制限無く用いる事ができる。
光電変換物質は、シンチレーターより生じた紫外線を一次電子に変換する働きをなす。この機能を有するものであれば、その種類は特に制限されない。具体的には、ヨウ化セシウム(CsI)、テルル化セシウム(CsTe)などを例示することができる。これらの中でも、紫外線を電子に変換する際の光電変換効率、及び化学的安定性の観点から、ヨウ化セシウムが好ましい。
光電変換物質は、紫外線から変換された一次電子を効率よく取り出すため、薄膜とすることが好ましい。また、後述するように紫外線入射窓の内面に形成するか、或いは、ガス電子増幅器の紫外線入射窓に対向する面上に形成することが好ましい。
次いで、上記光電変換物質より生じた一次電子をガス電子増幅器によって増幅する。当該ガス電子増幅器は、1997年にSauliによって開発され、Gas Electron Multiplier(GEM)として知られている。本発明において、当該ガス電子増幅器としては、例えば、特開2006−302844号公報、或いは特開2007−234485号公報に記載の技術が好適に使用できる。以下、本発明で使用するガス電子増幅器について、図5を用いて詳細に説明する。
ガス電子増幅器は、樹脂製の板状絶縁層12とこの板状絶縁層の両面に被覆された平面状の金属層13とにより構成された板状多層体と、この板状多層体に設けられた、金属層の平面に垂直な内壁を有する貫通孔14により構成される。当該ガス電子増幅器においては、金属層に所定の印加電圧を印加し、貫通孔の内部に電界を発生させることにより、貫通孔構造の内部に侵入した一次電子が加速され、電子雪崩現象を生じて、位置情報を保持したまま、多数の二次電子へと増幅される。板状絶縁層の材質は、加工性及び機械的強度に鑑みて、ポリイミド或いは液晶高分子等であることが好ましい。
貫通孔の直径(図5中のd)は、特に制限されず、貫通孔の内部に生じる電界の強さと加工の容易さ等を考慮して、適宜選択される。かかる直径を具体的に例示すれば、一般に50〜100μmである。なお、貫通孔は、生成される電界の一様性を高めるため、板状多層体の全面に所定のピッチ(図5中のP)で設けることが好ましい。当該ピッチは、板状絶縁層の材質や厚さ、及び貫通孔の直径にもよるが、一般には貫通孔の直径の約2倍程度である。また、貫通孔を設ける際には、図5に示すように、正三角形を配列した配置とすることが好ましい。かかる配置とすることによって、板状多層体の面積に対する貫通孔の開口率を高めることができるため、高い増幅率を得ることができ、更に後述するイオンフィードバックを抑制することができる。
ガス電子増幅器によって増幅された二次電子は、ピクセル型電極を用いてさらに増幅されて検出される。ピクセル型電極については、前記特許文献1に詳細に開示されているので、これに開示された技術に準じて作製すればよい。
具体的には、ピクセル型電極は、両面基板の裏面に形成される陽極ストリップと、この陽極ストリップに植設されるとともに、その上端面が前記両面基板の表面に露出する円柱状陽極電極と、この円柱状陽極電極の上端面の回りに穴が形成されるストリップ状陰極電極とを具備している。陽極ストリップは200μm〜400μmの幅を有することが好ましく、さらに、陽極ストリップが400μm間隔で配置され、ストリップ状陰極電極には、一定間隔で直径200〜300μmの穴が形成され、円柱状陽極電極は直径40〜60μm、高さ50μm〜150μmの形状であることが特に好ましい。
以下、前記光電変換物質、ガス電子増幅器、及びピクセル型電極を用いて、ガス増幅型紫外線画像検出器を構成する際の好適な態様について、図1を用いて詳細に説明する。
シンチレーター1より生じた紫外線を入射するための開口部を有するチャンバー7内に、開口部に近い側から光電変換物質2、ガス電子増幅器4、及びピクセル型電極6が設置され、開口部は紫外線入射窓8で封止されている。この紫外線入射窓の材料としては、紫外線に対して高い透過性を有するフッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF2)、或いはフッ化カルシウム(CaF2)を用いることが好ましい。
チャンバー内には、所定のガスが充填されている。この電子増幅用のガスとしては、一般に希ガスとクエンチャーガスの組合せが使用される。希ガスとしては、例えばヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、キセノン(Xe)等がある。また、クエンチャーガスとしては、例えば、二酸化炭素(CO2)、メタン(CH4)、エタン(C2H6)、四フッ化メタン(CF4)等が挙げられる。希ガス中へのクエンチャーガスの混合量は、5〜30%が好適である。
光電変換物質の薄膜を紫外線入射窓の内面に形成する場合には、当該薄膜に電子を効率よく供給するため、且つ当該薄膜とガス電子増幅器との間に一様な電界を与えるため、薄膜上の外周部に金属層からなる電極9を設けることが好ましい。光電変換物質の薄膜をガス電子増幅器の紫外線入射窓に対向する面上に形成する場合には、ガス電子増幅器の金属層と光電変換物質との反応を避けるため、当該金属層の材質を金とすることが好ましい。さらに、板状絶縁層へ積層する際の容易さや製作コストに鑑みて、金属層を板状絶縁層に近い側から、銅、ニッケル及び金の順で積層された、多層の金属層とすることが最も好ましい。
上記G1、G2、及びG3に生じせしめる電界の大きさは、特に制限されず、所期の増幅率、イオンフィードバックの抑制効果、及び電荷の収集効率に鑑みて適宜選択することができる。当該電界の大きさの好ましい範囲を具体的に例示すれば、一般に0.3〜10kV/cmである。かかる電界の大きさとすることによって、高い増幅率と前記イオンフィードバックの抑制を同時に達成することができる。
本発明の放射線画像検出器において、前記光電変換物質、ガス電子増幅器、及びピクセル型電極には、それぞれ電圧を印加するための高圧電源が接続され、ピクセル型電極には信号の読み出し及び2次元画像を得るための信号処理回路が接続されている。なお、ピクセル型電極より信号を読み出し2次元画像を得る際に、アンガーロジックに基づくアンガー型信号処理回路を用いることによって、位置分解能を特に向上することができる。アンガーロジックとは、放射線の入射によって生じたシンチレーション光が、空間的な拡がりを以って検出された場合に、当該シンチレーション光の重心位置を求めることによって、放射線の入射位置を特定する手法である。
図1に示すように、シンチレーターの紫外線出射面以外の面に紫外線反射膜10を設け、シンチレーターの紫外線出射面とガス増幅型紫外線画像検出器の紫外線入射窓とを密接して設置し、好ましくは、紫外線出射面と紫外線入射窓の間にグリース11を充填する。グリースを充填することにより、シンチレーター内部より紫外線射出面に到達した紫外線を、紫外線射出面で反射させること無く外部に導出でき、ガス増幅型紫外線画像検出器への入射効率を高めることができる。当該グリースとしては、屈折率が高く、また紫外線に対する透明性が高いフッ素系グリースを用いることが好ましく、例えば、デュポン社製「クライトックス」等が好適に使用できる。
〈シンチレーターの作製〉
本実施例において、シンチレーターは発光中心元素としてネオジムを含有するフッ化ランタン結晶を用いた。当該ネオジムを含有するフッ化ランタン結晶は、チョクラルスキー法による結晶製造装置を用いて製造した。原料としては、純度が99.99%以上のフッ化ランタン及びフッ化ネオジムを用いた。まず、フッ化ランタン2700g及びフッ化ネオジム300gをそれぞれ秤量し、よく混合して坩堝に充填した。
次いで、上記原料を充填した坩堝を結晶製造装置のチャンバー内にセットし、真空排気装置を用いてチャンバー内を1.0×10−3Pa以下まで真空排気した後、高純度の四フッ化メタンとアルゴンからなる混合ガスをチャンバー内に導入してガス置換を行った。ガス置換後のチャンバー内の圧力は大気圧とした。 ガス置換操作を行った後、ヒーターで原料を加熱して溶融せしめ、溶融した原料の融液に種結晶を接触せしめた。次いで種結晶を回転させながら引き上げ、結晶の育成を開始した。
タングステンをターゲットとする封入式X線管球を用いて、X線をシンチレーターに照射した。なお、封入式X線管球よりX線を発生させる際の管電圧及び管電流はそれぞれ60kV及び40mAとした。シンチレーターの紫外線出射面より生じた紫外線を集光ミラーで集光し、分光器にて単色化し、各波長の強度を記録してシンチレーターより生じた紫外線のスペクトルを得た。測定の結果、このシンチレーターは、入射した放射線を波長が173nmの真空紫外線に変換することが確認された。
本発明の放射線画像検出器の構成要素であるガス増幅型紫外線画像検出器を以下の方法によって作製した。
図1に示すように、開口部を有するチャンバー内に、開口部に近い側から2枚のガス電子増幅器、及びピクセル型電極をそれぞれ平行に設置し、開口部を紫外線入射窓で封止した。紫外線入射窓と初段のガス電子増幅器との距離は2.5mm、初段のガス電子増幅器と後段のガス電子増幅器との距離は2mm、後段のガス電子増幅器とピクセル型電極との距離は2mmとした。
ガス電子増幅器は、厚さが50μmのポリイミド製の板状絶縁層の両側に、金属層として5μmの厚さで銅を蒸着して板状多層体とし、当該板状多層体の全面に、直径が70μmの円柱状の貫通孔を、140μmのピッチで、正三角形を配列した配置にて設けたものを用いた。
ピクセル型電極は、厚さが100μmのポリイミド基板を用い、当該基板の裏面に幅が300μmの陽極ストリップを設け、この陽極ストリップに植設され、基板の表面に露出する円柱状陽極電極を400μm間隔で配置し、この円柱状陽極電極の上端面の回りに直径が260μmの穴が形成されたストリップ状陰極電極を設けたものを用いた。円柱状陽極電極の直径は、基板内に埋設された部分を50μmとし、基板の表面に露出した部分を70μmとした。円柱状陽極電極の高さは110μmとし、上端部10μmが表面に露出した構造とした。
前記チャンバー内には、10%のC2H6を混合したArガスを充填し、本発明の構成要素であるガス増幅型紫外線画像検出器を得た。
上記印加電圧下において、2枚のガス電子増幅器とピクセル型電極によって得られる総合的な増幅率は6.7×105に達し、かかる高い増幅率においても、ガス電子増幅器の表裏での放電やピクセル型電極における放電は生じず、長期間安定に動作することが確認された。
上述の方法で作製したシンチレーターの紫外線出射面と、ガス増幅型紫外線画像検出器の紫外線入射窓とを図1に示すように密接して設置し、本発明の放射線画像検出器を得た。なお、前記紫外線出射面と紫外線入射窓の間にはフッ素系グリースとしてデュポン社製「クライトックス」を充填した。
放射線画像検出器の性能を評価するため、2.6MBqの放射能を有する
241Am同位体を放射線源とし、該放射線源より生じる放射線に対する放射線画像検出器の応答を評価した。放射線源をシンチレーターに近接して設置し、放射線源より生じるα線をシンチレーター近接面に照射した。ピクセル型電極に接続された信号処理回路を用いて、ピクセル型電極の各陽極電極から出力される信号を取得し、2次元画像を構成した。その結果、図6に示すように、シンチレーターの形状を画像としてとらえることができ、本発明の放射線画像検出器が充分な感度と優れた位置分解能を有することが確認された。なお、2.6MBqの頻度での放射線の入射に対しても動作に支障はなく、従って、計数率特性にも優れていることが確認された。
〈シンチレーター〉
シンチレーターは、実施例1で製造した、発光中心元素としてネオジムを含有するフッ化ランタン結晶を用いた。
ガス増幅型紫外線画像検出器を以下の方法によって作製した。
図2に示すように、開口部を有するチャンバー内に、開口部に近い側から2枚のガス電子増幅器、及びピクセル型電極をそれぞれ平行に設置し、開口部を紫外線入射窓で封止した。紫外線入射窓と初段のガス電子増幅器との距離は2.5mm、初段のガス電子増幅器と後段のガス電子増幅器との距離は2mm、後段のガス電子増幅器とピクセル型電極との距離は2mmとした。初段のガス電子増幅器は、厚さが100μmの液晶高分子製の板状絶縁層(クラレ製、ベクスター)の両側に、多層の金属層を被覆した板状多層体を用いた。多層の金属層は、板状絶縁層に近い側から順に、銅、ニッケル、及び金をそれぞれ5μm、2μm、及び0.2μmの厚さで蒸着して製作した。板状多層体の全面に、直径が70μmの円柱状の貫通孔を、140μmのピッチで、正三角形を配列した配置にて設けて、ガス電子増幅器とした。後段のガス電子増幅器は、実施例1と同様のものを用いた。
本実施例においては、図2に示すように、初段のガス電子増幅器の紫外線入射窓に対向する面上に、光電変換物質としてヨウ化セシウムの薄膜を設けた。ピクセル型電極には、実施例1と同様のものを用い、前記紫外線入射窓には、直径が70mm、厚さが5mmのMgF2を用いた。
前記初段のガス電子増幅器の両面、後段のガス電子増幅器の両面、及びピクセル型電極の陽極電極と陰極電極には、印加電圧を印加するための高圧電源を接続し、ピクセル型電極の陽極電極と陰極電極には、信号の読み出し、及び2次元画像を得るための信号処理回路を接続した。チャンバー内に10%のC2H6を混合したArガスを充填し、本発明の構成要素であるガス増幅型紫外線画像検出器を得た。
上記印加電圧下において、2枚のガス電子増幅器とピクセル型電極によって得られる総合的な増幅率は1.3×105に達した。かかる高い増幅率においても、ガス電子増幅器の表裏での放電やピクセル型電極における放電は生じず、長期間安定に動作することが確認された。
作製したシンチレーターの紫外線出射面と、ガス増幅型紫外線画像検出器の紫外線入射窓とを図2に示すように密接して設置し、本発明の放射線画像検出器を得た。なお、前記紫外線出射面と紫外線入射窓の間にはフッ素系グリースとしてデュポン社製「クライトックス」を充填した。
放射線画像検出器の性能の評価は、実施例1と同様に2.6MBqの放射能を有する241Am同位体を放射線源とし、該放射線源より生じる放射線に対する放射線画像検出器の応答を評価することにより行った。その結果、図7に示すように、シンチレーターの形状を画像としてとらえることができ、本発明の放射線画像検出器が充分な感度と優れた位置分解能を有することが確認された。なお、2.6MBqの頻度での放射線の入射に対しても動作に支障はなく、従って計数率特性にも優れることが確認された。
〈シンチレーターの作製〉
シンチレーターは、実施例1で製造した、発光中心元素としてネオジムを含有するフッ化ランタン結晶を用いた。このシンチレーターを、ダイヤモンドワイヤーを備えたワイヤーソーによって、3×3×10mm3の直方体状に加工した後、全面に光学研磨を施した。当該光学研磨された面の内、3×3mm2の一面を紫外線出射面とし、当該紫外線出射面及びその対面を除く4面にテフロンからなる紫外線反射膜を施した。かかるシンチレーターを9個用意し、各々のシンチレーターを、その紫外線出射面が同一面内に配置するように並べ、3×3配列のシンチレーターアレイを作製した。
ガス増幅型紫外線画像検出器を実施例1と同様の方法によって作製した。
当該ガス増幅型紫外線画像検出器において、前記ヨウ化セシウム薄膜上の外周部に設けられたアルミニウム層からなる電極に−1250Vを印加し、2枚のガス電子増幅器のそれぞれについて、両面の金属層間に300Vを印加し、ピクセル型電極の陽極電極と陰極電極との間に400Vを印加した。なお、紫外線入射窓と初段のガス電子増幅器の間の電界が0.8kV/cm、初段のガス電子増幅器と後段のガス電子増幅器の間の電界が1.25kV/cm、後段のガス電子増幅器とピクセル型電極の間の電界が3.0kV/cmとなるように印加電圧を調整した。
上記印加電圧下において、2枚のガス電子増幅器とピクセル型電極によって得られる総合的な増幅率は6.0×105に達した。かかる高い増幅率においても、ガス電子増幅器の表裏での放電やピクセル型電極における放電は生じず、長期間安定に動作することが確認された。
シンチレーターアレイの紫外線出射面と、ガス増幅型紫外線画像検出器の紫外線入射窓とを図3のように密接して設置し、本発明の放射線画像検出器を得た。なお、前記紫外線出射面と紫外線入射窓の間にはフッ素系グリースとしてデュポン社製「クライトックス」を充填した。
本発明の放射線画像検出器の性能を評価するため、8kBqの放射能を有する241Am同位体を放射線源とし、該放射線源より生じる放射線に対する放射線画像検出器の応答を評価した。放射線源をシンチレーターに近接して設置し、放射線源より生じるα線をシンチレーター近接面に照射した。本実施例においては、3×3配列のシンチレーターアレイの内、左下、中央、及び右上に位置するシンチレーターに、個別にα線を照射して評価を行った。すなわち、シンチレーターアレイを遮蔽体で覆い、当該遮蔽体の内、照射の対象とするシンチレーターの箇所のみに開口部を設け、当該開口部を通じて照射の対象とするシンチレーターのみにα線を照射した。ピクセル型電極に接続された信号処理回路を用いて、ピクセル型電極の各陽極電極から出力される信号を取得し、2次元画像を構成した。
3×3配列のシンチレーターアレイの内、左上、中央、及び右下に位置するシンチレーターに個別に照射した場合の結果を、それぞれ図8、9、及び10に示す。なお、これらの図において、破線部(四角線)はシンチレーターアレイを設置した位置を示す。放射線の検出頻度が最も高かったピクセルを白、最も低かったピクセルを黒とし、256階調のグレースケールにて画像を構成した。これらの結果から本発明の放射線画像検出器によれば、シンチレーターの位置、すなわち放射線の入射位置を識別可能であることが分かる。
また、図8、9、及び10の一点鎖線(水平直線)に沿った放射線検出頻度のプロファイルを、図11に示す。当該放射線検出頻度のプロファイルからシンチレーターの位置を明確に識別でき、本発明の放射線画像検出器が充分な感度と優れた位置分解能を有することを確認できる。
2 光電変換物質
3 一次電子
4 ガス電子増幅器
5 二次電子
6 ピクセル型電極
7 チャンバー
8 紫外線入射窓
9 電極
10 紫外線反射膜
11 グリース
12 板状絶縁層
13 金属層
14 貫通孔
Claims (3)
- 入射した放射線を紫外線に変換するシンチレーター、及びガス増幅型紫外線画像検出器を具備してなる放射線画像検出器であって、ガス増幅型紫外線画像検出器が、光電変換物質、ガス電子増幅器、及びピクセル型電極より構成され、光電変換物資、ガス電子増幅器、及びピクセル電極が、電子増幅用ガスが充填されたチャンバー内に設置され、該光電変換物質の薄膜がチャンバーの紫外線入射窓の内面に形成又はガス電子増幅器の紫外線入射窓に対向する面上に形成され、ガス電子増幅器が複数枚存在することを特徴とする放射線画像検出器。
- シンチレーターが、ネオジム、プラセオジウム、ツリウム、またはエルビウムを含有する金属フッ化物結晶であることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像検出器。
- 光電変換物質が、ヨウ化セシウムまたはテルル化セシウムであることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像検出器。
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