JP5541123B2 - 外乱磁場低減装置及び磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

Description

本発明は、外乱磁場低減装置及び磁気共鳴イメージング装置に関し、より詳細には、例えば、核磁気共鳴現象を利用して被撮像体の検査部位の断層像を得る磁気共鳴イメージング装置に適用することができる外乱磁場低減装置、及び磁気共鳴イメージング装置に関する。

磁気共鳴イメージング装置（以下、「ＭＲＩ装置」と呼ぶ。）は、被撮像体の組織を構成する原子核スピンが発生するＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）信号（「エコー信号」とも呼ばれる）を計測する装置である。ＭＲＩ装置は、被撮像体の頭部、腹部、四肢等の形態及び機能を二次元的又は三次元的に画像化することができる。撮像において、ＮＭＲ信号には傾斜磁場によって異なる位置情報が付与され、ディジタル信号として計測される。計測されたディジタル信号は、所定の信号処理が施され、断層画像が生成される。

ＭＲＩ装置は、撮像時に、人間、動物等の被撮像体から発せられるＮＭＲ信号に対して傾斜磁場を印加することによりＮＭＲ信号に位置情報を付与している。そのため、計測空間である静磁場空間の静磁場は、空間的に均一な磁場強度であって、且つ、時間的に安定な磁場強度を有する必要がある。静磁場が空間的に不均一又は時間的に不安定で変動した場合、被撮像体から得られる断層画像の画質は劣化する。

計測空間である静磁場の時間的安定性は、ＭＲＩ装置が有する静磁場磁石の性能とは別に、ＭＲＩ装置の外で発生する外乱によっても乱される場合がある。例えば、静磁場磁石の近くで自動車、エレベータ等の磁性を有する物体が移動した場合、周囲の地磁気が乱れることによって、静磁場磁石により生じる磁力線の分布が変動する。鉄道の場合、車両の移動、又は架線とレール間に流れる電流により磁場が発生することによっても同様の現象が起きる。

そこで、静磁場に変動を及ぼす外乱磁場を低減するために様々な手法が採られている。例えば、静磁場磁石を設置しようとする場所の磁場変動が、設置環境条件として規定された磁場変動量を超えないことを設置前に試験し、設置環境条件を満たす場所に静磁場磁石を設置することが行われている。また、設置場所が設置環境条件を満たさない場合、シールドルームで撮像室を覆い、磁場シールドを施すことにより外部で発生した外乱磁場を遮断することが行われている（例えば、特許文献１）。また、磁場センサ、増幅器、補正磁場コイル等を用いて外乱磁場の方向とは逆方向の補正用磁場を発生し、その補正用磁場を静磁場空間に加えることにより外乱磁場をキャンセルすることが行われている（例えば、特許文献２）。

特開２００３−２７３５６６号公報 特許第３３３７７１２号

シールドルームにより外乱磁場を遮断する手法は、シールドルームの設置費用が高額となり、かつ、その重量も大きいため、小型のＭＲＩ装置を用いた測定システムには不向きである。

外乱磁場を低減する手法では、磁場センサをＭＲＩ装置の外部に設置する必要がある。その理由は、静磁場空間内には強力な直流磁場が存在するため、静磁場空間内に設置された磁場センサは磁場飽和を起こし、磁場センサとしての機能を果たさなくなるからである。また、静磁場空間内には、傾斜磁場、及び高周波コイルから放射される電磁波が放射されているため、それらが磁場センサに与える影響も大きい。
また、計測空間である静磁場空間に磁気センサが設置されている場合、磁気センサが被撮像体を検査する際に邪魔になることもある。
静磁場空間は多くの磁石及びヨーク等の磁性体により取り囲まれているため、ＭＲＩ装置の外部に設置された磁場センサにより測定される外乱磁場の強さは、静磁場空間内の実際の外乱磁場の強さとは異なる。そのため、ＭＲＩ装置の外部に設置された磁場センサにより測定された外乱磁場の強さから、静磁場空間内の外乱磁場を低減するために必要な補正用磁場の強さを推定する。次いで、その強さに基づいて磁気センサの出力信号を増幅器で増幅して補正用コイルに流し、補正用磁場を発生する。そして、その補正用磁場を静磁場空間に印加することにより静磁場空間内の外乱磁場を低減する。

一方、ＭＲＩ装置周辺の温度、外乱磁場の発生位置、外乱磁場の強さ、外乱磁場の発生源、ＭＲＩ装置近傍の磁性体の存在等の外部環境は変化する。それに対して、上述の補正用磁場の強さを推定することはフィードバックのない制御であるため、外部環境が変化する度に増幅器の増幅率を調整しなければならないため調整作業が煩雑になる。

そこで、本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、低コストで簡易に外乱磁場を低減する外乱磁場低減装置及び磁気共鳴イメージング装置を提供することを目的とする。

本発明の外乱磁場低減装置は、磁場発生源の外部から加わる外乱磁場を低減する外乱磁場低減装置において、外乱磁場の強さを検知する第一コイルと、該第一コイルと交差し、該第一コイルが検知した外乱磁場の強さに基づいて、前記外乱磁場を低減する磁場を発生する第二コイルとを備えることを特徴とする。

本発明の外乱磁場低減装置は、前記第一コイル及び第二コイルは環状であり、略同一平面上に配置され、該第一コイル及び第二コイル夫々により囲まれる領域の一部が平面視において重なっていることを特徴とする。

本発明の外乱磁場低減装置は、前記第一コイル又は前記第二コイルの少なくとも一方は前記同一平面上を移動できるようにしてあることを特徴とする。

本発明の外乱磁場低減装置は、前記第一コイルと前記第二コイルとの結合係数を可変にしてあることを特徴とする。

本発明の磁気共鳴イメージング装置は、磁場発生源と、該磁場発生源を間にして対向する二つのヨークとを備える磁気共鳴イメージング装置において、前記外乱磁場低減装置を備え、前記第一コイル及び第二コイルは、前記二つのヨークのうち一方のヨークの非対向側に設けられていることを特徴とする。

本発明にあっては、第一コイル（センスコイル）及び第二コイル（補正磁場発生コイル）を磁場発生源の近傍にて交差するようにしてあるため、第二コイルは外乱磁場を低減する磁場を発生できる。

本発明にあっては、第一コイル及び第二コイルが略同一平面状に配置され、第一コイル及び第二コイル夫々により囲まれる領域の一部が平面視において重なり合うようにされているため、第二コイルは、重なりの程度に応じて外乱磁場を低減する磁場を発生できる。

本発明にあっては、第一コイル及び第二コイルの少なくとも一方が同一平面上を移動できるようにしてあるため、第一コイル及び第二コイルの重なりの程度を変えることができる。

本発明にあっては、第一コイルと第二コイルとの結合係数を可変にしてあるため、第二コイルは、その結合係数に応じて、外乱磁場を低減する磁場を発生できる。

本発明にあっては、磁気共鳴イメージング装置に適用することができる。

本発明によれば、第一コイル及び第二コイルが交差するようにしてあるため、第二コイルは、外乱磁場を低減する磁場を発生することができる。

ＭＲＩ装置の内部構成の全体概要を示すブロック図である。 ＭＲＩ装置の内部構成の要部を示すブロック図である。 ＭＲＩ装置内の磁気回路、センスコイル及び補正磁場発生コイルの外観の模式図である。 外乱磁場低減装置及び磁場を模式的に表した説明図である。 マグネットユニット並びにマグネットユニット上に配置されたセンスコイル及び補正磁場発生コイルを示す模式的平面図である。 実施の形態１に係る回路構成を示す説明図である。 実施の形態２に係る回路構成を示す説明図である。

実施の形態１
以下、図面を参照して実施の形態１を具体的に説明する。
図１は、ＭＲＩ装置１の内部構成の全体概要を示すブロック図である。
ＭＲＩ装置１は、大別すると、静磁場発生部２、傾斜磁場発生部３、シーケンサ４、電磁波発生部５、電磁波検出部６、信号処理部８及び操作部１８を有する。

静磁場発生部２は、例えば、人間、動物、人間又は動物の部位等の被撮像体１００の下側に永久磁石方式、常電導方式又は超電導方式の静磁場磁石（図示せず）を有し、被撮像体１００に対してＭＲＩ装置１の下部から上部に向けて静磁場をかける。

傾斜磁場発生部３は、ＭＲＩ装置１の座標系（静止座標系）であるＸ、Ｙ、Ｚの３軸方向に巻かれた傾斜磁場コイル９ａ及び９ｂ、及び傾斜磁場コイル９ａ及び９ｂを駆動する傾斜磁場電源１０を有する。Ｚ軸方向は静磁場方向、Ｘ軸方向は電磁波発生部５から電磁波検出部６への方向、Ｙ軸方向はＸ軸方向及びＺ軸方向と互いに直交する方向である。傾斜磁場発生部３は、シーケンサ４からの指令に従って傾斜磁場コイル９ａの傾斜磁場電源１０を駆動することにより、Ｘ、Ｙ、Ｚの３軸方向の傾斜磁場Ｇｘ，Ｇｙ，Ｇｚを被撮像体１００に印加する。被撮像体１００の撮像時、傾斜磁場発生部３は、撮像断面に直交する方向にスライス方向傾斜磁場パルス（Ｇｓ）を印加することにより、被撮像体１００に対する撮像断面を設定する。

シーケンサ４は、信号処理部８からの指示に従い、被撮像体１００の断層画像のデータ収集に必要な種々の命令を傾斜磁場発生部３、電磁波発生部５及び電磁波検出部６に与える。

電磁波発生部５は、高周波発振器１１、変調器１２、高周波増幅器１３及び高周波送信コイル１４ａを有し、被撮像体１００の生体組織を構成する原子の原子核スピンに核磁気共鳴を起こさせるため、被撮像体１００に高周波磁場パルスを照射する。
変調器１２は、シーケンサ４からの指令に従って、高周波発振器１１から与えられた高周波パルスを所定のタイミングで振幅変調し、振幅変調した高周波パルスを高周波増幅器１３に与える。
高周波増幅器１３は、与えられた高周波パルスを増幅し、被撮像体１００に近接する高周波送信コイル１４ａに与える。高周波送信コイル１４ａは、増幅された高周波パルスを被撮像体１００に照射する。

電磁波検出部６は、高周波受信コイル１４ｂ、信号増幅器１５、直交位相検波器１６及びＡ／Ｄ変換器１７を有し、被撮像体１００の生体組織を構成する原子核スピンの核磁気共鳴により被撮像体１００から放射される電磁波、即ち、ＮＭＲ信号を検出する。被撮像体１００は、高周波送信コイル１４ａから照射される電磁波によって核磁気共鳴を起こし、ＮＭＲ信号を発信する。高周波受信コイル１４ｂは、被撮像体１００に近接し、被撮像体１００から発信されたＮＭＲ信号を検出し、検出したＮＭＲ信号を信号増幅器１５に与える。信号増幅器１５は、与えられたＮＭＲ信号を増幅し、直交位相検波器１６に与える。直交位相検波器１６は、シーケンサ４からの指令に従い、信号増幅器１５から与えられたＮＭＲ信号を２系統の信号に分割し、各信号をＡ／Ｄ変換器１７でディジタル信号に変換し、信号処理部８に与える。

信号処理部８は、図示しないＣＰＵ、ＲＯＭ及びＲＡＭを有し、Ａ／Ｄ変換器１７から受け取ったディジタル信号に対して信号処理を施し、その処理結果を出力、保存等する。具体的には、信号処理部８は、電磁波検出部６からディジタル信号が与えられた場合、ディジタル信号に対してフーリエ変換、補正係数計算、画像再構成等の処理を施し、被撮像体１００の断層画像を生成する。

操作部１８は、ディスプレイ２０、トラックボール又はマウス２３及びキーボード２４を有する。操作部１８は、オペレータによる操作を受けて、ＭＲＩ装置１の全体制御を行うのに必要なデータ、及び信号処理部８が処理するデータを受け付け、断層画像の生成用データを信号処理部８に与える。また、操作部１８は、オペレータによる操作を受けて、信号処理部８が生成した断層画像をディスプレイ２０に表示させ、又は、外部記憶装置（図示せず）に記憶させる。

図２は、ＭＲＩ装置の内部構成の要部を示すブロック図である。
ＭＲＩ装置１は、支柱ヨーク４０ａ及び４０ｂ、ベースヨーク４１ａ及び４１ｂ、静磁場磁石４２ａ及び４２ｂ、傾斜磁場コイル９ａ及び９ｂ、高周波送信コイル１４ａ、高周波受信コイル１４ｂ、操作部１８及び制御部１９を有する。

静磁場磁石４２ａ及び４２ｂは、ベースヨーク４１ａ及び４１ｂの内側面に対向して配置され、さらにその内側面に傾斜磁場コイル９ａ及び９ｂが対向して配置される。また、高周波送信コイル１４ａ、高周波受信コイル１４ｂ、及び傾斜磁場コイル９ａ及び９ｂは静磁場空間を形成し、その静磁場空間内に被撮像体１００が置かれる。静磁場磁石４２ａ及び４２ｂと、支柱ヨーク４０ａ及び４０ｂと、ベースヨーク４１ａ及び４１ｂとは磁気的に連結されており、これらの磁性体によってＭＲI装置１の内部に磁気回路が形成される。

本実施の形態に係るセンスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２は、磁気回路の一部であるベースヨーク４１ａの上面近傍に配置される。センスコイル２１０は外乱磁場を検出する機能を有し、補正磁場発生コイル２１２は外乱磁場に対向する磁場を発生する機能を有する。センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２は、制御部１９を介して電気的に接続される。

制御部１９は、検出器２１３及び増幅器２１４を有する。検出器２１３はセンスコイル２１０に発生した電圧を検出し、増幅器２１４は検出器２１３が検出した電圧を増幅し、交流電流を補正磁場発生コイル２１２に供給する。

図３は、ＭＲＩ装置内の磁気回路、センスコイル及び補正磁場発生コイルの外観の模式図である。
磁気回路３０は、マグネットユニット２０１及び２０２及び支柱ヨーク４０ａ及び４０ｂから形成される。マグネットユニット２０１及び２０２は略円柱であり、支柱ヨーク４０ａ及び４０ｂを介して水平方向に設置される。即ち、マグネットユニット２０２の水平面から垂直に立てられた支柱ヨーク４０ａ及び４０ｂは、マグネットユニット２０２を土台としてマグネットユニット２０１を支持するように設置される。支柱ヨーク４０ａ及び４０ｂの形状は、例えば円柱、直方体等である。静磁場空間２２０は、マグニットユニット２０１及び２０２及び支柱ヨーク４０ａ及び４０ｂによって囲まれる。支柱ヨーク４０ａ及び４０ｂは、共に、マグネットユニット２０２の水平面の内の１つの半面の外周に沿った場所に所定の間隔をもって立てられる。具体的には、支柱ヨーク４０ａ及び４０ｂは、平面視で９時位置と６時位置に立てられる。これらの位置に支柱ヨーク４０ａ及び４０ｂを立てることによって、マグネットユニット２０１とマグネットユニット２０２との間に測定空間として広い静磁場空間２２０が形成される。測定時、被撮像体は、静磁場空間２２０の中に置かれる。
尚、上述した支柱ヨーク４０ａ及び４０ｂの設置位置は一例であって、これに限定されるものではない。

図示しないが、マグネットユニット２０１は、その内部に、図２に示したベースヨーク４１ａ、静磁場磁石４２ａ及び傾斜磁場コイル９ａを含む。同様に、マグネットユニット２０２は、その内部に、図２に示したベースヨーク４１ｂ、静磁場磁石４２ｂ及び傾斜磁場コイル９ｂを含む。センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２は、図２に示す制御部１９に接続される。

センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２は、外乱磁場を低減したい静磁場空間２２０の上部に設けられたマグネットユニット２０１の上面近傍であって、おおよそ静磁場空間２２０の上部に配置される。また、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２は、ＭＲＩ装置１の磁場発生軸に対して略垂直方向の平面上であって略同一の平面上に配置される。即ち、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２は、同一平面上に配置されてもよいし、又は、少し離れた２つの平面上にそれぞれが配置されてもよい。また、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２は、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２により囲まれる平面領域の一部が重なるように配置される。また、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２は交差していればよい。交差している場合とは、両者が接触した状態で交差して配置されている場合、離間した状態で交差して配置されている場合又は一方のコイルが他方のコイルに対して傾いて配置されている場合等を含む。

図４は、外乱磁場低減装置及び磁場を模式的に表した説明図である。
外乱磁場低減装置２００は、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２の他にセンスコイル２１０の電圧を検出する検出器２１３、検出電圧を増幅し、交流電流を補正磁場発生コイル２１２に供給する増幅器２１４を有する。図４にて、実線の矢印は垂直方向の外乱磁場の磁束を表し、破線の矢印は補正磁場発生コイル２１２が発生する磁場の磁束を表す。図からわかるように、補正磁場発生コイル２１２が発生する磁束の方向は、外乱磁場の磁束の方向と逆向きである。

センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２は、可変の結合係数で結合され、センスコイル２１０に発生する交流電圧が略ゼロになるように、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２が配置されている。即ち、補正磁場発生コイル２１２が発生する磁場の一部がセンスコイル２１０を鎖交し、センスコイル２１０における外乱磁場による鎖交磁束と補正磁場発生コイル２１２が発生する磁場の鎖交磁束との和が略ゼロになるようにされている。

本実施の形態では、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２の結合係数を可変にするため、センスコイル２１０又は補正磁場発生コイル２１２のいずれか一方を移動させ、略同一平面上での両者の位置関係を変化させることができるようにしている。例えば、補正磁場発生コイル２１２をマグネットユニット２０１上に固定する一方、センスコイル２１０の設置場所を変えることができるようにする。

図５は、マグネットユニット並びにマグネットユニット上に配置されたセンスコイル及び補正磁場発生コイルを示す模式的平面図である。
センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２は、マグネットユニット２０１上に配置される。補正磁場発生コイル２１２は、複数の留め具５ａによってマグネットユニット２０１上に固定される。留め具５ａは、金具又はテープ等である。一方、センスコイル２１０は、補正磁場発生コイル２１２の上に配置され、例えばスライダーにより動かせるようになっている。センスコイル２１０は移動後に留め具（図示せず）によりマグネットユニット２０１上に固定される。センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２をマグネットユニット２０１上に留め具で固定する理由は、安定した測定を実現するためである。しかし、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２を安定させてマグネットユニット上に設置することができれば、留め具を用いなくともよい。

本実施の形態では、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２を磁気回路３０の近傍に設置することができるため、センスコイルを磁気回路から遠ざけなければならない構成と比べて、装置全体の設置エリアを小さくできる。また、本実施の形態では、センスコイル２１０と補正磁場発生コイル２１２との結合係数が可変であるため、結合係数を変えることによって外乱磁場の数倍の磁場を発生させ補正磁場の届きにくい場所での外乱磁場をちょうどキャンセルすることが可能である。その結果、断層画像の画質を向上させることができ、画像診断の精度を高めることができる。

センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２の重なりの上下関係は問わない。また、センスコイル２１０と補正磁場発生コイル２１２との結合係数が０．１程度になるようにセンスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２を配置するのが好ましいが、０．１以下でもよい。また、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２は、環状である。具体的には、センスコイル２１０の形状は例えば略円形であればよい。一方、補正磁場発生コイル２１２の形状は略円形に限らず、例えば略三角形又は半円形等の他の形状であってもよい。また、センスコイル２１０をファラデーシールドで覆ってもよい。また、補正磁場発生コイル２１２はセンスコイル２１０よりも大きい方が好ましい。更に、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２は、マグネットユニット２０１の上面に接するように配置されているのが好ましい。

実施の形態２
次に、実施の形態２について説明する。実施の形態２は、センスコイル２１０と補正磁場発生コイル２１２の結合係数を可変にする結合係数可変部をセンスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２に接続した形態である。ここでは、実施の形態２が実施の形態１と異なる点を明確にするため、実施の形態１に係る回路構成を比較例として示し、実施の形態２について説明する。

図６は、実施の形態１に係る回路構成を示す説明図であり、図７は、実施の形態２に係る回路構成を示す説明図である。図６と図７とを対比すると、実施の形態２は結合係数可変部２３０をセンスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２に接続している点で実施の形態１とは異なり、他の構成は実施の形態１と同様である。
図６に示した実施の形態１に係る回路では、センスコイル２１０の両端は検出器２１３に接続され、補正磁場発生コイル２１２の入力端は増幅器２１４の出力端に接続され、補正磁場発生コイル２１２の出力端はグラウンドに接地される。これに対して、図７に示した実施の形態２に係る回路では、センスコイル２１０には巻線２２ａが直列に接続され、補正磁場発生コイル２１２には巻線２２ｂが直列に接続され、巻線２２ａと巻線２２ｂは可変の結合係数で結合している。センスコイル２１０及び巻線２２ａから成る回路の両端は、検出器２１３の入力端に接続される。補正磁場発生コイル２１２及び巻線２２ｂから成る回路の補正磁場発生コイル２１２側の入力端は、増幅器２１４の出力端に接続され、巻線２２ｂ側の出力端は、グラウンドに接地される。
このように、実施の形態２では、結合係数可変部２３０を構成する巻線２２ａ及び巻線２２ｂを調整することによって、補正磁場発生コイル２１２が発生した磁場がセンスコイル２１０を鎖交する程度、即ち、センスコイル２１０と補正磁場発生コイル２１２との結合の強さを変える。
実施の形態２によれば、結合係数可変部２３０を用いているため、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２の結合係数を微調整することができる。

上述した実施の形態では、センスコイル２１０及び補正磁場発生コイル２１２をマグネットユニット２０１の上面近傍に設けた形態を示したが、マグネットユニット２０２の下面近傍に設けてもよい。
また、上述した実施の形態では、設置面に対して略水平に且つ上下に対向して設けられた２つのマグネットユニットを含む縦置き型のＭＲＩ装置に適用した形態を示したが、例えば、設置面に対して略垂直に且つ対向して設けられた２つのマグネットユニットを含む横置き型のＭＲＩ装置に適用してもよい。
本発明は、上記の様に、設置面に対して磁場の向きが垂直であっても水平であっても適用できる。
また、上述した実施の形態に係わる外乱磁場低減装置は、ＭＲＩ装置の他にシールドルーム又は脳磁計や電子顕微鏡等に適用することができる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ ＭＲＩ装置
２ 静磁場発生部
３ 傾斜磁場発生部
４ シーケンサ
５ 電磁波発生部
６ 電磁波検出部
９ａ 傾斜磁場コイル
９ｂ 傾斜磁場コイル
１４ａ 高周波送信コイル
１４ｂ 高周波受信コイル
１９ 制御部
４０ａ 支柱ヨーク
４０ｂ 支柱ヨーク
４１ａ ベースヨーク
４１ｂ ベースヨーク
４２ａ 静磁場磁石
４２ｂ 静磁場磁石
１００ 被撮像体
２０１ マグネットユニット
２０２ マグネットユニット
２１０ センスコイル
２１２ 補正磁場発生コイル
２１３ 検出器
２１４ 増幅器
２３０ 結合係数可変部

Claims (5)

1. 磁場発生源の外部から加わる外乱磁場を低減する外乱磁場低減装置において、
   外乱磁場の強さを検知する第一コイルと、
   該第一コイルと交差し、該第一コイルが検知した外乱磁場の強さに基づいて、前記外乱磁場を低減する磁場を発生する第二コイルと
   を備えることを特徴とする外乱磁場低減装置。
2. 前記第一コイル及び第二コイルは環状であり、略同一平面上に配置され、該第一コイル及び第二コイル夫々により囲まれる領域の一部が平面視において重なっていることを特徴とする請求項１記載の外乱磁場低減装置。
3. 前記第一コイル又は前記第二コイルの少なくとも一方は前記同一平面上を移動できるようにしてあることを特徴とする請求項２記載の外乱磁場低減装置。
4. 前記第一コイルと前記第二コイルとの結合係数を可変にしてあることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の外乱磁場低減装置。
5. 磁場発生源と、該磁場発生源を間にして対向する二つのヨークとを備える磁気共鳴イメージング装置において、
   請求項１から請求項４のいずれか１項記載の外乱磁場低減装置
   を備え、
   前記第一コイル及び第二コイルは、前記二つのヨークのうち一方のヨークの非対向側に設けられている
   ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。

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