JP5539676B2 - フタロシアニン化合物 - Google Patents

Description

本発明は、フタロシアニン化合物に関するものである。詳しくは、本発明は、８００〜１０００ｎｍの近赤外線の波長域に最大吸収波長を有し、かつ６００〜６１０ｎｍの赤色光を特異的に透過することができるフタロシアニン化合物に関するものである。本発明のフタロシアニン化合物は、特に、プラズマディスプレイ用近赤外吸収フィルターに好適に使用できる。

近年、薄型で大画面にできるディスプレイとしてフラットパネルディスプレイが注目されている。なかでも、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等が市場に大きく広がり注目されている。しかしながら、ＰＤＰは、プラズマ放電の際に近赤外線が発生し、この近赤外線が家電用テレビ、クーラー、ビデオデッキ等のリモコン等の周辺電子機器、さらには伝送系光通信の誤動作を誘発することがあり、この近赤外線をカットする近赤外線吸収フィルターを前面に設置することが必要とされる。

上記目的として、可視光線透過率が高く、ディスプレイの鮮明度を損なわず、ディスプレイから出る８００〜１０００ｎｍの比較的長波長域の近赤外線光を効率よくカットできる、すなわち、当該波長域の近赤外線の選択吸収能に優れたフタロシアニン系色素およびこれらを用いた近赤外線吸収フィルターについて、様々な研究がなされてきた（例えば、特許文献１〜３を参照）。

特開２０００−０２６７４８号公報 特開２００１−１０６６８９号公報 特開２００４−３０９６５５号公報

しかしながら、ＰＤＰの放電時には、上述の近赤外線光の他に、ネオンガスへの放電によってオレンジ色光（５９０ｎｍ近傍）が生じる。このオレンジ色光は、ＰＤＰにおいて、色再現性悪化の原因となるので、通常、上述の近赤外線を吸収する色素に加えて、５９０ｎｍ近傍のオレンジ色光を特異的に吸収する色素等を分散したフィルター等を用いてネオンガス由来のオレンジ色光をカットする手法が用いられている。ところが、上述のように５９０ｎｍ近傍のオレンジ色光を特異的に吸収する色素等を用いると、オレンジ色光の吸収と同時に、オレンジ色光と波長が近い赤色光（６００ｎｍ近傍）も一部吸収されてしまい、その結果、赤色の純度が落ちて、色再現性が悪化するという問題点を有していた。より高い色再現性が追及されるＰＤＰにおいては、赤色の純度を高めるために、赤色光（６００〜６１０ｎｍ）の透過率を向上することが求められていた。

したがって、本発明は、上記事情を鑑みてなされ、８００〜１０００ｎｍの近赤外線の波長域に最大吸収波長を有し、かつ６００〜６１０ｎｍの赤色光を特異的に透過することができるフタロシアニン化合物を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、フタロシアニン骨格のα位に−ＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）もしくは−ＯＲ^３を導入し、Ｚ_１、Ｚ_４、Ｚ_５、Ｚ_８、Ｚ_９、Ｚ_１２、Ｚ_１３、およびＺ_１６のうちの少なくとも４個は、ＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）であり、さらにフタロシアニン骨格のβ位に−ＯＲ^３もしくは−ＳＲ^４を導入したフタロシアニン化合物、または、フタロシアニン骨格の４個のα位および該α位に隣接する４個のβ位を−Ｘ−Ａｒ−Ｘ−で環化し、フタロシアニン骨格の残りの４個のα位に−ＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）を導入し、さらに、フタロシアニン骨格の残りの４個のβ位に−ＯＲ^３もしくは−ＳＲ^４を導入したフタロシアニン化合物またはその位置異性体において、Ｒ^１またはＲ^２のいずれか一方に、それぞれ独立して、置換もしくは非置換フェニル基、置換もしくは非置換ナフチル基、または置換もしくは非置換アントリル基を導入し、残りの一方に、炭素原子数１〜４個のアルキル基を導入することによって８００〜１０００ｎｍの近赤外線光の波長域に最大吸収波長を有することを見出した。そして、上記知見に基づいて、本発明を完成するに至った。

すなわち、上記目的を達成するための本発明は、下記式（１）：

（式中、Ｚ_１、Ｚ_４、Ｚ_５、Ｚ_８、Ｚ_９、Ｚ_１２、Ｚ_１３、およびＺ_１６は、それぞれ独立して、ＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）またはＯＲ^３を表し、Ｚ_１、Ｚ_４、Ｚ_５、Ｚ_８、Ｚ_９、Ｚ_１２、Ｚ_１３、およびＺ_１６のうちの少なくとも４個は、ＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）であり、Ｚ_２、Ｚ_３、Ｚ_６、Ｚ_７、Ｚ_１０、Ｚ_１１、Ｚ_１４、およびＺ_１５は、それぞれ独立して、ＯＲ^３またはＳＲ^４を表し、この際、Ｒ^１またはＲ^２のいずれか一方は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換フェニル基、置換もしくは非置換ナフチル基、または置換もしくは非置換アントリル基を表し、残りの一方は、炭素原子数１〜４個のアルキル基を表し、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のアラルキル基、または置換もしくは非置換の炭素原子数１〜２０個のアルキル基を表し、Ｍは、銅（Ｃｕ）またはバナジル（ＶＯ）を表す。）で示されるフタロシアニン化合物。

本発明のフタロシアニン化合物は、８００〜１０００ｎｍの波長域で高い近赤外線カット効率を発揮し、かつ６００〜６１０ｎｍの赤色光を特異的に透過することができる。したがって、本発明のフタロシアニン化合物は、ＰＤＰ用近赤外線吸収フィルターに有用である。

実施例１〜５ならびに比較例１および２の波長域４００〜１１００ｎｍにおける透過率を示すグラフである。

以下、本発明を詳細に説明する。

本発明は、下記式（１）：

（式中、Ｚ_１、Ｚ_４、Ｚ_５、Ｚ_８、Ｚ_９、Ｚ_１２、Ｚ_１３、およびＺ_１６は、それぞれ独立して、ＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）またはＯＲ^３を表し、Ｚ_１、Ｚ_４、Ｚ_５、Ｚ_８、Ｚ_９、Ｚ_１２、Ｚ_１３、およびＺ_１６のうちの少なくとも４個は、ＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）であり、Ｚ_２、Ｚ_３、Ｚ_６、Ｚ_７、Ｚ_１０、Ｚ_１１、Ｚ_１４、およびＺ_１５は、それぞれ独立して、ＯＲ^３またはＳＲ^４を表し、この際、Ｒ^１またはＲ^２のいずれか一方は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換フェニル基、置換もしくは非置換ナフチル基、または置換もしくは非置換アントリル基を表し、残りの一方は、炭素原子数１〜４個のアルキル基を表し、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のアラルキル基、または置換もしくは非置換の炭素原子数１〜２０個のアルキル基を表し、Ｍは、無金属、金属、金属酸化物、または金属ハロゲン化物を表す。）で示されるフタロシアニン化合物または
下記式（２）：

（式中、Ｘは、それぞれ独立して、酸素原子（−Ｏ−）または硫黄原子（−Ｓ−）を表し、Ａｒは、それぞれ独立して、ｏ−フェニレン基、ｏ−ナフチレン基、またはｏ−アントリレン基を表し、Ｚ_４、Ｚ_８、Ｚ_１２、およびＺ_１６は、それぞれ独立して、ＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）を表し、Ｚ_３、Ｚ_７、Ｚ_１１、およびＺ_１５は、それぞれ独立して、ＯＲ^３またはＳＲ^４を表し、この際、Ｒ^１またはＲ^２のいずれか一方は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換フェニル基、置換もしくは非置換ナフチル基、または置換もしくは非置換アントリル基を表し、残りの一方は、炭素原子数１〜４個のアルキル基を表し、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のアラルキル基、または置換もしくは非置換の炭素原子数１〜２０個のアルキル基を表し、Ｍは、無金属、金属、金属酸化物、または金属ハロゲン化物を表す。）で示されるフタロシアニン化合物もしくはその位置異性体に関するものである。

以下、上記式（１）で示されるフタロシアニン化合物について詳細に説明する。

まず、上記式（１）中、Ｚ_１、Ｚ_４、Ｚ_５、Ｚ_８、Ｚ_９、Ｚ_１２、Ｚ_１３、およびＺ_１６（一括して、「α位」とも称する）は、それぞれ独立して、ＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）またはＯＲ^３を表す。この際、Ｚ_１、Ｚ_４、Ｚ_５、Ｚ_８、Ｚ_９、Ｚ_１２、Ｚ_１３およびＺ_１６は、同一であってもあるいは異なるものであってもよく、複数のＲ^１〜Ｒ^３が存在する場合には、これらのＲ^１〜Ｒ^３は、それぞれ、同一であっても異なっていてもよい。

そして、Ｚ_１、Ｚ_４、Ｚ_５、Ｚ_８、Ｚ_９、Ｚ_１２、Ｚ_１３、およびＺ_１６のうちの少なくとも４個（すなわち、Ｚ_１、Ｚ_４、Ｚ_５、Ｚ_８、Ｚ_９、Ｚ_１２、Ｚ_１３、およびＺ_１６のうちの４〜８個）は、ＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）である。このうち、Ｚ_１、Ｚ_４、Ｚ_５、Ｚ_８、Ｚ_９、Ｚ_１２、Ｚ_１３、およびＺ_１６のうちの４〜７個がＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）であることが好ましく、４〜６個がＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）であることがより好ましく、４個または５個がＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）であることがさらに好ましく、４個がＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）であることが特に好ましい。

また、上記式（１）中、Ｚ_２、Ｚ_３、Ｚ_６、Ｚ_７、Ｚ_１０、Ｚ_１１、Ｚ_１４、およびＺ_１５（一括して、「β位」とも称する）は、それぞれ独立して、ＯＲ^３またはＳＲ^４を表す。この際、Ｚ_２、Ｚ_３、Ｚ_６、Ｚ_７、Ｚ_１０、Ｚ_１１、Ｚ_１４、およびＺ_１５は、同一であってもあるいは異なるものであってもよく、複数のＲ^３およびＲ^４が存在する場合には、これらのＲ^３およびＲ^４は、それぞれ、同一であっても異なっていてもよい。

そして、上記Ｒ^１またはＲ^２のいずれか一方は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換フェニル基、置換もしくは非置換ナフチル基、または置換もしくは非置換アントリル基を表す。この際、複数のＲ^１およびＲ^２は、それぞれ、同一であっても異なっていてもよい。このうち、Ｒ^１またはＲ^２のいずれか一方は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換フェニル基であることが好ましく、非置換のフェニル基であることがより好ましい。また、Ｒ^１またはＲ^２の残りの一方は、メチル基であることが好ましい。

さらに、上記Ｒ^１またはＲ^２の残りの一方は、炭素原子数１〜４個のアルキル基を表す。表炭素原子数１〜４個のアルキル基とは、炭素原子数１〜４個の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基のいずれかである。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基等が挙げられる。このうち、メチル基、エチル基、およびｎ−プロピル基が好ましく、メチル基がより好ましい。

また、上記Ｒ^３および上記Ｒ^４は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のアラルキル基、または置換もしくは非置換の炭素原子数１〜２０個のアルキル基を表す。この際、複数のＲ^３およびＲ^４が存在する場合には、これらのＲ^３およびＲ^４は、それぞれ、同一であっても異なっていてもよい。

ここで、アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ジフェニルメチル基等が例示できるが、これらに限定されるものではない。

なお、上記Ｒ^１または上記Ｒ^２における、置換もしくは非置換フェニル基、置換もしくは非置換ナフチル基、または置換もしくは非置換アントリル基、あるいは、上記Ｒ３および上記Ｒ４におけるフェニル基、もしくはアラルキル基に存在しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アシル基、アルキル基、フェニル基、アルコキシル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アルコキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、カルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、アルコキシスルホニル基、アルキルチオ基、カルバモイル基、アリールオキシカルボニル基、オキシアルキルエーテル基、シアノ基等が例示できるが、これらに限定されるものではない。これらの置換基は、フェニル基またはアラルキル基に１〜５個、ナフチル基に１〜７個、アントリル基に１〜９個置換可能であり、これらの置換基の種類も、複数個置換する場合には同種もしくは異種のいずれであってもよい。上記置換基よりその一部をより具体的な例を挙げて以下に示す。

まず、上記フェニル基、ナフチル基、アントリル基、またはアラルキル基に存在しうる置換基のうちハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子である。

また、上記フェニル基、ナフチル基、アントリル基、またはアラルキル基に存在しうる置換基のうちアシル基としては、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ブチルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、ヘキシルカルボニル基、ベンゾイル基、ｐ−ｔ−ブチルベンゾイル基等が挙げられ、これらのうち、エチルカルボニル基が好ましい。

また、上記フェニル基、ナフチル基、アントリル基、またはアラルキル基に存在しうる置換基のうちアルキル基とは、炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２−メチル−１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基等が挙げられる。これらのうち、メチル基およびエチル基が好ましい。

上記フェニル基、ナフチル基、アントリル基、またはアラルキル基に存在しうる置換基のうち、アルコキシル基は、炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシル基である。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、１，２−ジメチル−プロポキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルブトキシ基、１−イソプロピルプロポキシ基等が挙げられる。これらのうち、メトキシ基およびエトキシ基が好ましい。

上記フェニル基、ナフチル基、アントリル基、またはアラルキル基に存在しうる置換基のうち、ハロゲン化アルキル基とは、炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基の一部がハロゲン化されたものである。具体的には、クロロメチル基、ブロモメチル基、トリフルオロメチル基、クロロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、ブロモエチル基、クロロプロピル基、ブロモプロピル基等が挙げられる。

上記フェニル基、ナフチル基、アントリル基、またはアラルキル基に存在しうる置換基のうち、ハロゲン化アルコキシル基とは、炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシル基の一部がハロゲン化されたものである。具体的には、クロロメトキシ基、ブロモメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、クロロエトキシ基、２，２，２−トリクロロエトキシ基、ブロモエトキシ基、クロロプロポキシ基、ブロモプロポキシ基等が挙げられる。

上記フェニル基、ナフチル基、アントリル基、またはアラルキル基に存在しうる置換基のうち、アルキルアミノ基とは、炭素原子数１〜２０個のアルキル部位を有するアルキルアミノ基である。具体的には、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、ｎ−ヘプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基等が挙げられる。これらのうち、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基およびｎ−ブチルアミノ基が好ましい。

上記フェニル基、ナフチル基、アントリル基、またはアラルキル基に存在しうる置換基のうち、アルコキシカルボニル基とは、アルコキシル基のアルキル基部分にヘテロ原子を含んでもよい炭素原子数１〜８個のアルコキシカルボニル、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素原子数３〜８個の環状アルコキシカルボニルを示す。具体的には、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基等が挙げられる。これらのうち、メトキシカルボニル基およびエトキシカルボニル基が好ましい。

一方、非置換の炭素原子数１〜２０個のアルキル基は、炭素原子数１〜２０の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基のいずれかである。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２−メチル１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基等が挙げられる。これらのうち、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基およびｎ−ブチル基が好ましい。

また、上記炭素原子数１〜２０個のアルキル基に存在しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシル基、ヒドロキシアルコキシル基、アルコキシアルコキシル基、ハロゲン化アルコキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、アルコキシスルホニル基等が例示できるが、これらに限定されるものではない。これらの置換基の種類は、複数個置換する場合には同種もしくは異種のいずれであってもよい。これらの置換基の一部のより具体的な例としては、先にフェニル基、ナフチル基、アントリル基、またはアラルキル基に存在しうる置換基の一部のより具体的な例として挙げたものであつてもよいため、ここでは省略する。

さらに、上記式（１）中、Ｍは、無金属、金属、金属酸化物または金属ハロゲン化物を表す。この際、無金属とは、金属以外の原子、例えば、２個の水素原子であることを意味する。また、金属としては、鉄、マグネシウム、ニッケル、コバルト、銅、パラジウム、亜鉛、バナジウム、チタン、インジウム、錫等が挙げられる。金属酸化物としては、チタニル、バナジル等が挙げられる。金属ハロゲン化物としては、塩化アルミニウム、塩化インジウム、塩化ゲルマニウム、塩化錫（ＩＩ）、塩化錫（ＩＶ）、塩化珪素等が挙げられる。このうち、Ｍは、銅（Ｃｕ）またはバナジル（ＶＯ）であることが好ましい。

次に、上記式（２）で示されるフタロシアニン化合物について詳細に説明する。

まず、上記式（２）中、Ｘは、それぞれ独立して、酸素原子（−Ｏ−）または硫黄原子（−Ｓ−）を表す。この際、複数のＸが、それぞれ、同一であってもあるいは異なるものであってもよい。

また、上記式（２）中、Ａｒは、それぞれ独立して、ｏ−フェニレン基、ｏ−ナフチレン基、またはｏ−アントリレン基を表す。この際、複数のＡｒが、それぞれ、同一であってもあるいは異なるものであってもよい。

そして、上記式（２）中、Ｚ_４、Ｚ_８、Ｚ_１２、およびＺ_１６は、それぞれ独立して、ＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）を表す。この際、複数のＲ^１またはＲ^２は、それぞれ、同一であっても異なっていてもよい。

また、上記式（２）中、Ｚ_３、Ｚ_７、Ｚ_１１、およびＺ_１５は、それぞれ独立して、ＯＲ^３またはＳＲ^４を表す。この際、Ｚ_３、Ｚ_７、Ｚ_１１、およびＺ_１５は、同一であってもあるいは異なるものであってもよく、複数のＲ^３およびＲ^４が存在する場合には、これらのＲ^３およびＲ^４は、それぞれ、同一であっても異なっていてもよい。

なお、上記式（２）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、上記式（１）におけるＲ^１〜Ｒ^４と同様である。

また、上記式（２）中、Ｍは、上記式（１）中のＭと同様である。

さらに、上記式（２）で示されるフタロシアニン化合物の位置異性体も、本発明の技術的範囲に含まれる。ここで、位置異性体とは、一般的には、分子中の置換基の位置の違いにより生ずる構造異性体をいう。上記フタロシアニン上記式（２）で示されるフタロシアニン化合物における位置異性体としては、Ｚ_３およびＺ_４、Ｚ_７およびＺ_８、Ｚ_１１およびＺ_１２、またはＺ_１５およびＺ_１６と、これら一対の置換基と同一のイソインドール環（下記式（２’）の破線部）に結合する−Ｘ−Ａｒ−Ｘ−との位置が入れ替わった化合物が挙げられる。こうした置換基の位置の入れ替わりは、フタロシアニン化合物の４個のイソインドール環においてそれぞれ独立して起こり得る。このような位置異性体の一例としては、下記式（２’）で示される化合物が挙げられる。

上記式（２’）で示されるフタロシアニン化合物は、Ｚ_３およびＺ_４と、Ｚ_３およびＺ_４と同一のイソインドール環に結合する−Ｘ−Ａｒ−Ｘ−との位置が入れ替わった構造を有する。

次に、本発明のフタロシアニン化合物の好ましい形態を説明する。ただし、本発明の技術的範囲は、これらの化合物に制限されるものではない。

上記のような、本発明のフタロシアニン化合物の好ましい一例としては、下記式（３）：

で示されるフタロシアニン化合物（略称；ＣｕＰｃ（｛２，５−（ＣＨ_３）_２ＰｈＯ｝_８｛２，６−（ＣＨ_３）_２ＰｈＯ｝_４（ＰｈＣＨ（ＣＨ_３）ＮＨ）_４）が挙げられる。上記式（３）で示される化合物は、８個のα位の置換基のうち、４個がＤ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ基であり、残りの４個が２，６−ジメチルフェノキシ基である。なお、上記の化合物の略称において、Ｐｃはフタロシアニン核を表し、Ｃｕは中心金属の銅を表し、Ｐｃのすぐ後にβ位に置換する８個の置換基を表し、そのβ位に置換する置換基の後にα位に置換する８個の置換基を表す。上記式（３）で示される化合物のうち、４個のイソインドール環ユニット全てにおいて、各イソインドール環の２個のα位のうち１個がＤ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ基であり、残りの１個が２，６−ジメチルフェノキシ基である、［２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタキス（２，５−ジメチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，１−テトラキス（２，６−ジメチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，４−テトラキス（Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニナト（２−）−Ｎ２９，Ｎ３０，Ｎ３１，Ｎ３２］銅であることがより好ましい。

また、本発明のフタロシアニン化合物の他の好ましい一例としては、下記式（４）：

で示されるフタロシアニン化合物（略称；ＣｕＰｃ（｛２−ＣＨ_３ＰｈＯ｝_８｛２，６−（ＣＨ_３）_２ＰｈＯ｝_４（ＰｈＣＨ（ＣＨ_３）ＮＨ）_４）が挙げられる。上記式（４）で示される化合物は、８個のα位の置換基のうち、４個がＤ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ基であり、残りの４個が２，６−ジメチルフェノキシ基である。上記式（４）で示される化合物のうち、４個のイソインドール環ユニット全てにおいて、各イソインドール環の２個のα位のうち１個がＤ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ基であり、残りの１個が２，６−ジメチルフェノキシ基である、［２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタキス（２−メチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，１−テトラキス（２，６−ジメチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，４−テトラキス（Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニナト（２−）−Ｎ２９，Ｎ３０，Ｎ３１，Ｎ３２］銅であることがより好ましい。

また、本発明のフタロシアニン化合物の他の好ましい一例としては、下記式（５）：

で示されるフタロシアニン化合物（略称；ＣｕＰｃ（｛２，５−Ｃｌ_２ＰｈＯ｝_８｛２，６−（ＣＨ_３）_２ＰｈＯ｝_４（ＰｈＣＨ（ＣＨ_３）ＮＨ）_４）が挙げられる。上記式（５）で示される化合物は、８個のα位の置換基のうち、４個がＤ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ基であり、残りの４個が２，６−ジメチルフェノキシ基である。上記式（５）で示される化合物のうち、４個のイソインドール環ユニット全てにおいて、各イソインドール環の２個のα位のうち１個がＤ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ基であり、残りの１個が２，６−ジメチルフェノキシ基である、［２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタキス（２，５−ジクロロフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，１−テトラキス（２，６−ジメチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，４−テトラキス（Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニナト（２−）−Ｎ２９，Ｎ３０，Ｎ３１，Ｎ３２］銅であることがより好ましい。

また、本発明のフタロシアニン化合物の他の好ましい一例としては、下記式（６）：

で示されるフタロシアニン化合物（略称；ＶＯＰｃ（｛２−ＣＨ_３ＰｈＯ｝_８｛２，６−（ＣＨ_３）_２ＰｈＯ｝_４（（ＰｈＣＨ（ＣＨ_３）ＮＨ）_４）が挙げられる。上記式（６）で示される化合物は、８個のα位の置換基のうち、４個がＤ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ基であり、残りの４個が２，６−ジメチルフェノキシ基である。上記式（６）で示される化合物のうち、４個のイソインドール環ユニット全てにおいて、各イソインドール環の２個のα位のうち１個がＤ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ基であり、残りの１個が２，６−ジメチルフェノキシ基である、［２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタキス（２，５−ジクロロフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，１−テトラキス（２，６−ジメチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，４−テトラキス（Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニナト（２−）−Ｎ２９，Ｎ３０，Ｎ３１，Ｎ３２］バナジウムオキサイドであることがより好ましい。

また、本発明のフタロシアニン化合物の他の好ましい一例としては、下記式（７）：

で示されるフタロシアニン化合物（略称；ＣｕＰｃ（｛４−ＣＨ_３ＰｈＯ｝_８｛２，６−（ＣＨ_３）_２ＰｈＯ｝_４（（ＰｈＣＨ（ＣＨ_３）ＮＨ）_４）が挙げられる。上記式（７）で示される化合物は、８個のα位の置換基のうち、４個がＤ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ基であり、残りの４個が２，６−ジメチルフェノキシ基である。上記式（７）で示される化合物のうち、４個のイソインドール環ユニット全てにおいて、各イソインドール環の２個のα位のうち１個がＤ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ基であり、残りの１個が２，６−ジメチルフェノキシ基である、［２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタキス（４−メチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，１−テトラキス（２，６−ジメチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，４−テトラキス（Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニナト（２−）−Ｎ２９，Ｎ３０，Ｎ３１，Ｎ３２］銅であることがより好ましい。

上記式（３）〜（７）で示されるフタロシアニン化合物は、８００〜１０００ｎｍの近赤外線の波長域に最大吸収波長を有し、かつ波長域６００〜６１０ｎｍの赤色光を特異的に透過する。したがって、上記式（３）〜（７）で示されるフタロシアニン化合物をＰＤＰ用近赤外線吸収フィルターに用いることによって、従来の近赤外線吸収効果に加えて、赤色光の透過を高めることができるため、ＰＤＰの赤色の純度が高まり、色再現性が向上しうる。

本発明のフタロシアニン化合物の製造方法は、特に制限されるものではなく、特開２００１−１０６６８９号公報、特開２００５−２２００６０号公報および特開２００８−２３１１５３号公報等の従来公知の方法を適宜採用することができるが、好ましくは溶融状態または有機溶媒中で、フタロニトリル化合物と金属塩とを環化反応する方法が特に好ましく使用できる。以下、本発明のフタロシアニン化合物の製造方法の特に好ましい実施形態を記載する。ただし、本発明は、下記の好ましい実施形態に制限されるものではない。

例えば、本発明の上記式（１）で示されるフタロシアニン化合物を合成するには、下記式（８）：

で示されるフタロニトリル化合物（Ａ）、下記式（９）：

で示されるフタロニトリル化合物（Ｂ）、下記式（１０）：

で示されるフタロニトリル化合物（Ｃ）、および下記式（１１）：

で示されるフタロニトリル化合物（Ｄ）を、金属酸化物、金属カルボニル、金属ハロゲン化物および有機酸金属（本明細書中では、一括して「金属塩」とも称する）からなる群から選ばれる１種と環化反応させることによって製造できる。なお、上記式（８）〜（１１）中、Ｚ_１〜Ｚ_１６は、所望のフタロシアニン化合物（１）の構造によって規定され、上記式（１）の定義と同様であるため、ここでは説明を省略する。

または、上記式（１）中のＺ_１、Ｚ_４、Ｚ_５、Ｚ_８、Ｚ_９、Ｚ_１２、Ｚ_１３、およびＺ_１６のいずれかがアミノ基（上記式（１）中のＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２））である場合には、上記フタロニトリル化合物（Ａ）〜（Ｄ）を、金属酸化物、金属カルボニル、金属ハロゲン化物および有機酸金属からなる群から選ばれる１種と環化反応させた後、該反応生成物をさらに下記式：ＮＨ_２ＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）で示されるアミノ化合物（以下、単に「アミノ化合物」とも称する）と反応させることによって、本発明のフタロシアニン化合物を製造してもよい。

具体的には、上記フタロニトリル化合物（Ａ）〜（Ｄ）を、金属酸化物、金属カルボニル、金属ハロゲン化物、および有機酸金属からなる群から選ばれる１種と環化反応させることによって、アミノ基（上記式（１）中のＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２））を持たないフタロシアニン誘導体を合成し、次に、このようにして合成されたフタロシアニン誘導体をさらに上記式のアミノ化合物と反応させることによって、本発明のフタロシアニンを製造することができる。当該方法は、上記式のアミノ化合物のアミノ基との求核置換反応性がハロゲン原子およびＳＲの順で高く、ＯＲはほとんど求核置換反応性を示さないことを利用したものであり、ＳＲまたはハロゲン原子、特にハロゲン原子が上記式のアミノ化合物と求核置換反応することによりアミノ基（上記式（１）中のＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２））が形成される。このため、フタロシアニン骨格の所望の位置に効率よくアミノ基（上記式（１）中のＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２））を導入できる。

上記製造方法において、上記フタロニトリル化合物（Ａ）〜（Ｄ）は、所望のフタロシアニン構造に応じて適宜選択され、それぞれに異なる４種類のフタロニトリル化合物を用いてもよいし、１種類のフタロニトリル化合物のみを用いてもよい。

上記態様において、出発原料である式（８）〜（１１）のフタロニトリル化合物（Ａ）〜（Ｄ）は、特開昭６４−４５４７４号公報に開示されている方法等の、従来既知の方法により合成でき、また、市販品を用いることもできるが、好ましくは、下記式（１２）：

式中、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｘ_３、およびＸ_４は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、およびヨウ素原子等のハロゲン原子、好ましくはフッ素原子および塩素原子、特に好ましくはフッ素原子を表す、
で示されるフタロニトリル誘導体を、ＨＯＲ^３またはＨＳＲ^４（Ｒ^３およびＲ^４は、上記式（１）の定義と同様である）と反応させることによって得る。この際、ＨＯＲ^３またはＨＳＲ^４の割合は、目的とするフタロニトリル化合物の構造によって適宜選択される。また、ＨＯＲ^３またはＨＳＲ^４の使用量は、これらの反応が進行して所望のフタロニトリル化合物を製造できる量であれば特に制限されないが、例えば、フタロニトリル誘導体に１個のＨＯＲ^３またはＨＳＲ^４を導入する場合には、ＨＯＲ^３またはＨＳＲ^４を、それぞれ、フタロニトリル誘導体１ｍｏｌに対して、通常、１〜１０ｍｏｌ、好ましくは１〜３ｍｏｌの量で、フタロニトリル誘導体を反応させる。

また、該フタロニトリル化合物は、前記式（１２）で示されるフタロニトリル誘導体を、ＨＯＲ^３またはＨＳＲ^４と反応させることによって得られる。この際、該フタロニトリル誘導体とＨＯＲ^３またはＨＳＲ^４との反応は、無溶媒下であるいは有機溶媒中で行われてもよいが、好ましくは有機溶媒中で行われる。この際使用できる有機溶媒としては、アセトニトリルおよびベンゾニトリル等のニトリル；アセトンおよび２−ブタノン等の極性溶媒等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、アセトニトリル、ベンゾニトリル、およびアセトンである。溶媒を使用する際の有機溶媒の使用量は、フタロニトリル誘導体の濃度が、通常、２〜４０（ｗ／ｖ）％、好ましくは１０〜３０（ｗ／ｖ）％となるような量である。また、このフタロニトリル誘導体とＨＯＲ^３またはＨＳＲ^４との反応は、反応中に発生するハロゲン化水素（例えば、フッ化水素）等を除去するために、これらのトラップ剤を使用することが好ましい。トラップ剤を使用する際の具体的なトラップ剤の例としては、フッ化カリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、塩化マグネシウム、および炭酸マグネシウム等が挙げられ、これらのうち、フッ化カリウム、炭酸カルシウム、および水酸化カルシウムが好ましく、フッ化カリウムが最も好ましい。また、トラップ剤を使用する際のトラップ剤の使用量は、反応中に発生するハロゲン化水素等を効率よく除去できる量であれば特に制限されないが、フタロニトリル誘導体１ｍｏｌに対して、通常１．０〜４．０ｍｏｌ、好ましくは１．１〜２．０ｍｏｌである。

上記方法において、環化反応は、式（８）〜（１１）のフタロニトリル化合物（Ａ）〜（Ｄ）と金属、金属酸化物、金属カルボニル、金属ハロゲン化物、および有機酸金属からなる群から選ばれる１種を溶融状態または有機溶媒中で反応させることが好ましい。この際使用できる金属、金属酸化物、金属カルボニル、金属ハロゲン化物、および有機酸金属としては、反応後に得られる式（１）のフタロシアニンのＭに相当するものが得られるものであれば特に制限されるものではなく、例えば、上記式（１）におけるＭは、鉄、銅、亜鉛、バナジウム、チタン、インジウム、およびスズ等の金属、当該金属の、塩化物、臭化物、ヨウ化物等の金属ハロゲン化合物、酸化バナジウム、酸化チタニル及酸化銅等の金属酸化物、酢酸塩等の有機酸金属、ならびにアセチルアセトナート等の錯体化合物、およびカルボニル鉄等の金属カルボニル等が挙げられる。これらのうち、好ましくは金属、金属酸化物、および金属ハロゲン化物である。

また、上記方法において、環化反応は無溶媒中でも行えるが、有機溶媒を使用して行うことが好ましい。有機溶媒は、出発原料としてのフタロニトリル化合物との反応性の低い、好ましくは反応性を示さない不活性な溶媒であればいずれでもよく、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ニトロベンゼン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、１−クロロナフタレン、１−メチルナフタレン、エチレングリコール、およびベンゾニトリル等の不活性溶媒；ならびにピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトフェノン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の非プロトン性極性溶媒等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、１−クロロナフタレン、１−メチルナフタレン、およびベンゾニトリルが、より好ましくは、ベンゾニトリルが使用される。

上記式（８）〜（１１）で示すフタロニトリル化合物（Ａ）〜（Ｄ）と金属化合物との反応条件は、当該反応が進行する条件であれば特に制限されるものではないが、例えば、有機溶媒１００部（以下、「質量部」を意味する）に対して、該フタロニトリル化合物を２〜４０部、好ましくは２０〜３５部の範囲の合計量で、かつ金属化合物を該フタロニトリル化合物４ｍｏｌに対して１〜２ｍｏｌ、好ましくは１．１〜１．５ｍｏｌの範囲で仕込んで、反応温度３０〜２５０℃、好ましくは８０〜２００℃の範囲で反応させる。なお、反応後は、従来公知のフタロシアニンの合成方法に従って、ろ過、洗浄、乾燥することにより、次工程に用いることのできるフタロシアニン誘導体を効率よく、しかも高純度で得ることができる。

該フタロシアニン誘導体と上記式のアミノ化合物との反応は、必要であれば、反応に用いる化合物と反応性のない不活性な液体の存在下で混合し、一定の温度に加熱することにより行うことができ、好ましくは、反応させるアミノ化合物中で、一定の温度に加熱することにより行う。不活性な液体としては、例えば、ベンゾニトリル、アセトニトリル等のニトリルやＮ−メチルピロリドンまたはジメチルホルムアミド等のようなアミドを単独であるいは２種以上の混合液の形態で用いることができる。

上記反応では、式（１）のフタロシアニンのＺ_１〜Ｚ_１６の置換位置に所望の置換基を設計通りに導入することができるように、適宜最適な範囲を選択すればよいが、例えば、以下の条件が使用できる。すなわち、上記式のアミノ化合物を、フタロニトリル化合物（Ａ）〜（Ｄ）と金属化合物との環化反応により得られるフタロシアニン誘導体１ｍｏｌに対して、通常、１ｍｏｌ以上、好ましくは４〜３６ｍｏｌの範囲で仕込む。次に、この反応産物に、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等の無機分を、発生してくるハロゲン化水素をトラップする目的で、フタロシアニン誘導体１ｍｏｌに対して、１〜１６ｍｏｌ、好ましくは３〜８ｍｏｌの範囲でトラップ剤を仕込む。この際、使用できるトラップ剤は、上記環化反応におけるものと同様である。また、アルキルアミノ化合物を反応させる場合の反応温度は、２０〜２００℃、好ましくは３０〜１５０℃であり、アリールアミノ化合物を反応させる場合の反応温度は、８０〜２５０℃、好ましくは１００〜２００℃の範囲である。反応時間は、通常２〜３０時間、好ましくは４〜２０時間である。このように、比較的高温で長時間アミノ化合物と反応させることにより、フタロニトリル化合物中の全てのハロゲン原子をアミンに置換することが可能である。なお、反応後は、従来公知のフタロシアニンの置換反応による合成方法に従って、無機分をろ過し、アミノ化合物を留去（洗浄）することにより、目的とする本発明のフタロシアニン化合物を複雑な製造工程を経ることなく効率よく、しかも高純度で得ることができる。

また、本発明の上記式（２）で示されるフタロシアニン化合物またはその位置異性体を合成するには、例えば、下記式（１３）：

で示されるフタロニトリル化合物（Ｅ）、下記式（１４）：

で示されるフタロニトリル化合物（Ｆ）、下記式（１５）：

で示されるフタロニトリル化合物（Ｇ）、および下記式（１６）：

で示されるフタロニトリル化合物（Ｈ）を、上記式（１）の合成と同様に、金属酸化物、金属カルボニル、金属ハロゲン化物、および有機酸金属（本明細書中では、一括して「金属塩」とも称する）からなる群から選ばれる１種と環化反応させることによって製造できる。なお、上記式（１３）〜（１６）中、Ｘ、Ａｒ、Ｚ_４、Ｚ_８、Ｚ_１２、およびＺ_１６、ならびにＺ_３、Ｚ_７、Ｚ_１１、およびＺ_１５、は、所望のフタロシアニン化合物（２）の構造によって規定され、上記式（２）の定義と同様であるため、ここでは説明を省略する。

また、上記式（２）中のＺ_４、Ｚ_８、Ｚ_１２、およびＺ_１６のアミノ基（上記式（２）中のＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２））は、上記式（２）の合成と同様、上記フタロニトリル化合物（Ｅ）〜（Ｈ）を、金属酸化物、金属カルボニル、金属ハロゲン化物、および有機酸金属からなる群から選ばれる１種と環化反応させた後、該反応生成物をさらに下記式：ＮＨ_２ＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）で示されるアミノ化合物と反応させることによって、本発明のフタロシアニン化合物を製造してもよい。

上記態様において、出発原料である式（１３）〜（１６）のフタロニトリル化合物（Ｅ）〜（Ｈ）は、以下に制限されるものではないが、例えば、上記式（１）の合成において用いた、上記式（１２）で示されるフタロニトリル誘導体をＯＲ^３またはＳＲ^４（Ｒ^３およびＲ^４は、上記式（２）の定義と同様である）と反応させた後、ＨＸ−Ａｒ−ＸＨと環化反応させることによって得る。この際、上記式（１２）で示されるフタロニトリル誘導体のＸ_３にＯＲ^３またはＳＲ^４を導入する際の反応条件は、上記式（１）の合成と同様の条件を用いることができる。前記反応によって得られた化合物とＨＸ−Ａｒ−ＸＨとの環化反応においては、ＨＸ−Ａｒ−ＸＨの使用量は、これらの反応が進行して所望のフタロニトリル化合物を製造できる量であれば特に制限されないが、例えば、ＨＸ−Ａｒ−ＸＨをそれぞれ、フタロニトリル誘導体１ｍｏｌに対して、通常、１〜１０ｍｏｌ、好ましくは１〜３ｍｏｌの量で、フタロニトリル誘導体を反応させる。なお、フタロニトリル誘導体とＨＸ−Ａｒ−ＸＨの反応におけるその他の反応条件は、上記式（１）の合成のフタロニトリル誘導体とＨＯＲ^３またはＨＳＲ^４との反応の際の反応条件と同様の条件を用いることができる。

上述の本発明のフタロシアニン化合物は、８００〜１０００ｎｍの波長域で高い近赤外線カット効率を発揮することができる。したがって、本発明のフタロシアニン化合物は、例えば、ＰＤＰ用近赤外線吸収フィルターに好適に用いられうる。すなわち、本発明の他の実施形態であるＰＤＰ用近赤外線吸収フィルターは、本発明のフタロシアニン化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む。以下、本発明のＰＤＰ用近赤外線吸収フィルターについて詳細に説明する。

本発明のプラズマディスプレイ用フィルターにおいて使用することのできるフタロシアニン化合物は、上記式（１）または上記式（２）で表されるフタロシアニン化合物であればいずれのものも制限なく用いることができる。

本発明のプラズマディスプレイ用フィルターは、上記式（１）または上記式（２）で表されるフタロシアニン化合物を基材に含有してなるもので、本発明でいう基材に含有するとは、基材の内部に含有されることはもちろんのこと、基材の表面に塗布した状態、基材と基材の間に挟まれた状態などを意味する。基材としては、透明樹脂板、透明フィルム、透明ガラス等が挙げられる。上記フタロシアニン化合物を用いて、本発明のプラズマディスプレイ用フィルターを作製する方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、以下の３つの方法が利用できる。

本発明のプラズマディスプレイ用フィルターは、上記式（１）で表されるフタロシアニン化合物を基材に含有してなるもので、本発明でいう基材に含有するとは、基材の内部に含有されることはもちろんのこと、基材の表面に塗布した状態、基材と基材の間に挟まれた状態などを意味する。基材としては、透明樹脂板、透明フィルム、透明ガラス等が挙げられる。上記フタロシアニン化合物を用いて、本発明のプラズマディスプレイ用フィルターを作製する方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、以下の３つの方法が利用できる。

すなわち、（１）樹脂に上記フタロシアニン化合物を混練し、加熱成形して樹脂板あるいはフィルムを作製する方法；（２）上記フタロシアニン化合物を含有する塗料（液状ないしペースト状物）を作製し、透明樹脂板、透明フィルムあるいは透明ガラス板上にコーティングする方法；および（３）上記フタロシアニン化合物を接着剤に含有させて、合わせ樹脂板、合わせ樹脂フィルム、合わせガラス等を作製する方法、等である。

まず、樹脂に上記フタロシアニン化合物を混練し、加熱成形する（１）の方法において、樹脂材料としては、樹脂板または樹脂フィルムにした場合にできるだけ透明性の高いものが好ましく、具体例としては、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル等のビニル化合物、およびそれらのビニル化合物の付加重合体、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリシアン化ビニリデン、フッ化ビニリデン／トリフルオロエチレン共重合体、フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレン共重合体、シアン化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体などのビニル化合物またはフッ化系化合物の共重合体、ポリトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン等のフッ素を含む樹脂、ナイロン６、ナイロン６６などのポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリペプチド、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリオキシメチレン、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド等のポリエーテル、エポキシ樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等を挙げることができるが、これらの樹脂に限定されるものではなく、ガラス代替となるような高硬度、高透明性を有する樹脂、チオウレタン系等の熱硬化樹脂、ＡＲＴＯＮ（登録商標、日本合成ゴム株式会社製）、ＺＥＯＮＥＸ（登録商標、日本ゼオン株式会社製）、ＯＰＴＰＯＲＥＺ（日立化成株式会社製）、Ｏ−ＰＥＴ（鐘紡株式会社製）等の光学用樹脂を用いることも好ましい。

本発明のプラズマディスプレイ用フィルターの作製方法としては、用いるベース樹脂によって、加工温度、フィルム化条件等が多少異なるが、通常、（Ｉ）本発明のフタロシアニン化合物を、ベース樹脂の粉体あるいはペレットに添加し、１５０〜３５０℃に加熱、溶解させた後、成形して樹脂板を作製する方法、（ＩＩ）押出機によりフィルム化する方法、および（ＩＩＩ）押出機により原反を作製し、３０〜１２０℃で２〜５倍に、１軸ないし２軸に延伸して１０〜２００μｍ厚のフィルムにする方法等が挙げられる。なお、混練する際に、紫外線吸収剤、可塑剤等の通常の樹脂成形に用いる添加剤を加えてもよい。本発明のフタロシアニン化合物の添加量は、作製する樹脂の厚み、目的の吸収強度、目的の可視光透過率等によって異なるが、通常、該樹脂に対して０．０００５〜２０質量％、好ましくは０．００１０〜１０質量％である。また、本発明のフタロシアニン化合物とメタクリル酸メチルなどの塊状重合によるキャスティング法を用いた樹脂板、樹脂フィルムを作製することもできる。

次に、塗料化してコーティングする（２）の方法としては、本発明のフタロシアニン化合物をバインダー樹脂および有機系溶媒に溶解させて塗料化する方法、フタロシアニン化合物を数μｍ以下に微粒化してアクリルエマルジョン中に分散して水系塗料とする方法、等がある。前者の方法では、通常、脂肪族エステル系樹脂、アクリル系樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、芳香族エステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂肪族ポリオレフィン樹脂、芳香族ポリオレフィン樹脂、ポリビニル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニル系変成樹脂、（ＰＶＢ、ＥＶＡ等）あるいはそれらの共重合樹脂をバインダー樹脂として用いる。さらに、ＡＲＴＯＮ（登録商標、日本合成ゴム株式会社製）、ＺＥＯＮＥＸ（登録商標、日本ゼオン株式会社製）、ＯＰＴＰＯＲＥＺ（日立化成株式会社製）、Ｏ−ＰＥＴ（鐘紡株式会社製）等の光学用樹脂を用いることもできる。溶媒としては、ハロゲン系、アルコール系、ケトン系、エステル系、脂肪族炭化水素系、芳香族炭化水素系、エーテル系溶媒、あるいはそれらの混合物系などを用いることができる。

本発明のフタロシアニン化合物の濃度は、コーティングの厚み、目的の吸収強度、目的の可視光透過率等によって異なるが、バインダー樹脂の質量に対して、通常、０．１〜３０％である。また、バインダー樹脂濃度は、塗料全体に対して、通常、１〜５０％である。アクリルエマルション系水系塗料の場合も同様に、未着色のアクリルエマルション塗料に本発明のフタロシアニン化合物を微粉砕９５０〜５００ｎｍ）したものを分散させて得られる。塗料中には、紫外線吸収剤、酸化防止剤等の通常塗料に用いるような添加物を加えてもよい。上記の方法で作製した塗料は、透明樹脂フィルム、透明樹脂板、透明ガラス等の上にバーコーダー、ブレードコーター、スピンコーター、リバースコーター、ダイコーターあるいはスプレーなどでコーティングして、本発明のプラズマディスプレイ用フィルターを作製することができる。コーティング面を保護するために保護層を設けたり、透明樹脂板、透明樹脂フィルム等をコーティング面に貼り合わせることもできる。また、キャストフィルムも本方法に含まれる。

さらに、上記フタロシアニン化合物を接着剤に含有させて、合わせ樹脂板、合わせ樹脂フィルム、合わせガラス等を作製する（３）の方法においては、接着剤として、一般的なシリコン系、ウレタン系、アクリル系等の樹脂用あるいは合わせガラス用のポリビニルブチラール接着剤（ＰＶＡ）、エチレン−酢酸ビニル系接着剤（ＥＶＡ）等の合わせガラス用の公知の透明接着剤が使用できる。本発明のフタロシアニン化合物を０．１〜３０質量％添加した接着剤を用いて透明な樹脂板同士、樹脂板と樹脂フィルム、樹脂板とガラス、樹脂フィルム同士、樹脂フィルムとガラス、ガラス同士を接着してフィルターを製作する。また、熱圧着する方法もある。さらに、上記の方法で作製したフィルムあるいは板を、必要に応じて、ガラスや、樹脂板上に貼り付けることもできる。フィルターの厚みは作製するプラズマディスプレイの仕様によって異なるが、通常、０．１〜１０ｍｍ程度である。また、フィルターの耐光性を上げるためにＵＶ吸収剤を含有した透明フィルム（ＵＶカットフィルム）を外側に貼り付けることもできる。

本発明において、プラズマディスプレイ用の誤動作防止フィルターとして、ディスプレイからでる近赤外線光をカットするためにディスプレイの前面に設置するため、可視光線の透過率が低いと、画像の鮮明さが低下するため、フィルターの可視光線の透過率は高いほどよく、少なくとも６０％、好ましくは７０％以上必要である。また、近赤外線光のカット領域は、リモコンや伝送系光通信に使用されている７５０〜１１００ｎｍ、好ましくは８００〜１０００ｎｍであり、その領域の平均光線透過率が１５％以下、好ましくは１０％以下になるように設計する。このために必要であれば、上記式（１）または上記式（２）で表されるフタロシアニン化合物を２種以上組み合わせてもよい。また、フィルターの色調を変えるために、可視領域に吸収を持つ他の色素を加えることも好ましい。また、色調用色素のみを含有するフィルターを作製し、後で貼り合わせることもできる。特にスパッタリングなどの電磁波カット層を設けた場合、元のフィルター色に比べて色合いが大きく異なる場合があるため、色調は重要である。

上記の方法で得たフィルターをさらに実用的にするためには、プラズマティスプレーから出る電磁波を遮断する電磁波カット層、反射防止（ＡＲ）層、ノングレア（ＡＧ）層を設けることもできる。それらの作製方法は、特に制限を受けない。例えば、電磁波カット層は、金属酸化物等のスパッタリング方法が利用できるが、通常はＳｎを添加したＩｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）が、一般的である。また、誘電体層と金属層を基材上に交互にスパッタリングなどで積層させることで、近赤外線、遠赤外線から電磁波まで１１００ｎｍ以上の光をカットすることもでききる。誘電体層としては、酸化インジウム、酸化亜鉛などの透明な金属酸化物であり、金属層としては、銀あるいは銀−パラジウム合金が一般的であり、通常、誘電体層よりはじまり３層、５層、７層あるいは１１層程度積層する。この場合、ディスプレイより出る熱も同時にカットできるが、本発明のフタロシアニン化合物は、熱線遮蔽効果に優れるため、より耐熱効果を向上できる。基材としては、本発明のフタロシアニン化合物を含有するフィルターをそのまま利用してもよいし、樹脂フィルムあるいはガラス上にスパッタリングした後に該フタロシアニン化合物を含有するフィルターと貼り合わせてもよい。また、電磁波カットを実際に行う場合は、アース用の電極を設置する必要がある。反射防止層は、表面の反射を抑えてフィルターの透過率を向上させるために、金属酸化物、フッ化物、ホウ化物、炭化物、窒化物、硫化物等の無機物を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法等で単層あるいは多層に積層させる方法、アクリル樹脂、フッ素樹脂等の屈折率の異なる樹脂を単層あるいは多層に積層させる方法等がある。また、反射防止処理を施したフィルムを該フィルター上に貼り付けることもできる。また、必要であれば、ノングレア（ＡＧ）層を設けることもできる。ノングレア（ＡＧ）層は、フィルターの視野角を広げる目的で、透過光を散乱させるために、シリカ、メラミン、アクリルなどの微粉体をインキ化して、表面にコーティングする方法等を用いることができる。インキの硬化は、熱硬化あるいは光硬化等を用いることができる。また、ノングレア処理をしたフィルムを該フィルター上にはり付けることもできる。さらに必要であれば、ハードコート層を設けることもできる。

プラズマティスプレー用のフィルターの構成は、必要に応じて変更することができる。通常、近赤外線吸収化合物を含有するフィルター上に反射防止層を設けたり、さらに必要であれば、反射防止層の反対側にノングレア層を設ける。また、電磁波カット層を組み合わせる場合は、近赤外線吸収化合物を含有するフィルターを基材として、その上に電磁波カット層を設けるか、あるいは近赤外線吸収化合物を含有するフィルターと電磁波カット能を有するフィルターを貼り合わせて作製できる。その場合、さらに、両面に反射防止層を作製するか、必要であれば、片面に反射防止層を作製し、その反対面にノングレア層を作製することもできる。また、色補正するために、可視領域に吸収を有する色素を加える場合は、その方法については制限を受けない。本発明のプラズマディスプレイ用フィルターは、６００〜６１０ｎｍの波長域の赤色光を特異的に透過することができるため、ディスプレイの赤色の純度が損なわれず、かつディスプレイから出る８００〜１０００ｎｍ付近の近赤外線光を効率よくカットするため、ディスプレイの色再現性の向上に加え、周辺電子機器のリモコン、伝送系光通信等が使用する波長に悪影響を与えず、それらの誤動作を防ぐことができる。

本発明の効果を、以下の実施例および比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。

［合成例１］３−（２，６−ジメチルフェノキシ）−４，５−ビス（２，５−メチルフェノキシ）−６−フルオロフタロニトリルの合成
５００ｍｌの四つ口セパラブルフラスコにテトラフルオロフタロニトリル５０ｇ（０．２５ｍｏｌ）、フッ化カリウム３２．０ｇ（０．５５ｍｏｌ）、およびアセトン１００ｇを仕込み、さらに滴下ロートに２，５−ジメチルフェノール６４．１ｇ（０．５２ｍｏｌ）およびアセトン７５ｇを仕込んだ。−１℃で攪拌しながら、滴下ロートより２，５−ジメチルフェノールのアセトン溶液を約２時間かけて滴下した後、さらに２時間攪拌を続けた。その後、反応温度を室温までゆっくりと上昇させながら一晩攪拌した。次に、このフラスコに２，６−ジメチルフェノール３４．２ｇ（０．２８ｍｏｌ）、フッ化カリウム１６．３ｇ（０．２８ｍｏｌ）、およびアセトン２０ｇを仕込み、４０℃で１０時間撹拌した。冷却後、反応液をろ過し、ロータリーエバポレーターでろ液からアセトンを留去し、メタノールを加えて再結晶を行った。得られた結晶をろ過し、真空乾燥により、３−（２，６−ジメチルフェノキシ）−４，５−ビス（２，５−ジメチルフェノキシ）−６−フルオロフタロニトリル９７．６ｇ（収率７３．２ｍｏｌ％）を得た。

［合成例２］３−（２，６−ジメチルフェノキシ）−４，５−ビス（２−メチルフェノキシ）−６−フルオロフタロニトリルの合成
５００ｍｌの四つ口セパラブルフラスコにテトラフルオロフタロニトリル５０ｇ（０．２５ｍｏｌ）、フッ化カリウム３２．０ｇ（０．５５ｍｏｌ）、およびアセトン５０ｇを仕込み、さらに滴下ロートに２−メチルフェノール５９．５ｇ（０．５５ｍｏｌ）およびアセトン６０ｇを仕込んだ。−１℃で攪拌しながら、滴下ロートより２−メチルフェノールのアセトン溶液を約２時間かけて滴下した後、さらに２時間攪拌を続けた。その後、反応温度を室温までゆっくりと上昇させながら一晩攪拌した。次に、このフラスコに２，６−ジメチルフェノール３４．２ｇ（０．２８ｍｏｌ）、フッ化カリウム１６．３ｇ（０．２８ｍｏｌ）、およびアセトン２０ｇを仕込み、４０℃で１０時間撹拌した。冷却後、反応液をろ過し、ロータリーエバポレーターでろ液からアセトンを留去し、メタノールを加えて再結晶を行った。得られた結晶をろ過し、真空乾燥により、３−（２，６−ジメチルフェノキシ）−４，５−ビス（２−メチルフェノキシ）−６−フルオロフタロニトリル７２．６ｇ（収率６０．７ｍｏｌ％）を得た。

［合成例３］３−（２，６−ジメチルフェノキシ）−４，５−ビス（２，５−ジクロロフェノキシ）−６−フルオロフタロニトリルの合成
５００ｍｌの四つ口セパラブルフラスコにテトラフルオロフタロニトリル６０ｇ（０．３０ｍｏｌ）、フッ化カリウム４１．８ｇ（０．７２ｍｏｌ）、およびアセトン１６０ｍｌを仕込み、さらに滴下ロートに２，５−ジクロロフェノール９７．８ｇ（０．６０ｍｏｌ）およびアセトン１１０ｍｌを仕込んだ。−１℃で攪拌しながら、滴下ロートより２，５−ジクロロフェノールのアセトン溶液を約２時間かけて滴下した後、さらに２時間攪拌を続けた。その後、反応温度を室温までゆっくりと上昇させながら一晩攪拌した。次に、このフラスコに２，６−ジメチルフェノール３６．６ｇ（０．３０ｍｏｌ）、フッ化カリウム２０．９ｇ（０．３６ｍｏｌ）、およびアセトン２１．７ｍｌを仕込み、４０℃で１０時間撹拌した。冷却後、反応液をろ過し、ろ液をロータリーエバポレーターでろ液からアセトンを留去し、メタノールを加えて再結晶を行った。得られた結晶をろ過し、真空乾燥により、３−（２，６−ジメチルフェノキシ）−４，５−ビス（２，５−ジクロロフェノキシ）−６−フルオロフタロニトリル１４４．８ｇ（収率８２．１ｍｏｌ％）を得た。

［合成例４］３−（２，６−ジメチルフェノキシ）−４，５−ビス（４−メチルフェノキシ）−６−フルオロフタロニトリルの合成
５００ｍｌの四つ口セパラブルフラスコにテトラフルオロフタロニトリル５０ｇ（０．２５ｍｏｌ）、フッ化カリウム３２．０ｇ（０．５５ｍｏｌ）、およびアセトン５０ｇを仕込み、さらに滴下ロートに４−メチルフェノール５９．５ｇ（０．５５ｍｏｌ）およびアセトン６０ｇを仕込んだ。−１℃で攪拌しながら、滴下ロートより４−メチルフェノールのアセトン溶液を約２時間かけて滴下した後、さらに２時間攪拌を続けた。その後、反応温度を室温までゆっくりと上昇させながら一晩攪拌した。次に、このフラスコに２，６−ジメチルフェノール３４．２ｇ（０．２８ｍｏｌ）、フッ化カリウム１６．３ｇ（０．２８ｍｏｌ）、およびアセトン２０ｇを仕込み、４０℃で１０時間撹拌した。冷却後、反応液をろ過し、ロータリーエバポレーターでろ液からアセトンを留去し、メタノールを加えて再結晶を行った。得られた結晶をろ過し、真空乾燥により、３−（２，６−ジメチルフェノキシ）−４，５−ビス（４−メチルフェノキシ）−６−フルオロフタロニトリル９４．０ｇ（収率７８．６ｍｏｌ％）を得た。

［実施例１］［２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタキス（２，５−ジメチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，１−テトラキス（２，６−ジメチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，４−テトラキス（Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニナト（２−）−Ｎ２９，Ｎ３０，Ｎ３１，Ｎ３２］銅の合成
１００ｍｌの四つ口フラスコに上記で得られた合成例１で得られた３−（２，６−ジメチルフェノキシ）−４，５−ビス（２，５−ジメチルフェノキシ）−６−フルオロフタロニトリル１５．００ｇ（０．０３０ｍｏｌ）、塩化銅（Ｉ）０．７８ｇ（０．００８ｍｏｌ）、１−オクタノール２２．５ｇを仕込み、１５０℃で撹拌しながら５時間反応させた。反応終了後、反応液をメタノール２２５ｇ中に滴下して結晶を析出させ、吸引ろ過後ウェットケーキを得た。次に、２００ｍｌの四つ口フラスコに上記で得られたケーキ、炭酸カルシウム１．７８ｇ（０．０１８ｍｏｌ）、Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミン２８．７１ｇ（０．２３７ｍｏｌ）、およびベンゾニトリル２２．５ｇを仕込み、１５０℃で３０時間反応させた。反応終了後、反応液を吸引ろ過し、得られたろ液をメタノール３５３ｇ中に滴下して結晶を析出させ、吸引ろ過を行った。得られたケーキを再度メタノール１７６ｇで撹拌洗浄し、吸引ろ過した。得られたケーキを真空乾燥機を用いて、１００℃で２４時間乾燥後、目的物の黒色ケーキ１１．４５ｇを得た（収率６２．０％）。

［実施例２］［２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタキス（２−メチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，１−テトラキス（２，６−ジメチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，４−テトラキス（Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニナト（２−）−Ｎ２９，Ｎ３０，Ｎ３１，Ｎ３２］銅の合成
１００ｍｌの四つ口フラスコに上記で得られた合成例１で得られた３−（２，６−ジメチルフェノキシ）−４，５−ビス（２−メチルフェノキシ）−６−フルオロフタロニトリル１８．８０ｇ（０．０３９ｍｏｌ）、塩化銅（Ｉ）１．０２ｇ（０．０１０ｍｏｌ）、１−オクタノール２８．２ｇを仕込み、１５０℃で撹拌しながら４時間反応させた。反応終了後、反応液をメタノール２８２ｇ中に滴下して結晶を析出させ、吸引ろ過後ウェットケーキを得た。次に、２００ｍｌの四つ口フラスコに上記で得られたケーキ、炭酸カルシウム２．３６ｇ（０．０２４ｍｏｌ）、Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミン７６．１ｇ（０．６２８ｍｏｌ）、およびベンゾニトリル２２．５ｇを仕込み、１６０℃で６３時間反応させた。反応終了後、反応液を吸引ろ過し、得られたろ液をメタノール６４４．２ｇ中に滴下して結晶を析出させ、吸引ろ過を行った。得られたケーキを再度メタノール３２２．１ｇで撹拌洗浄し、吸引ろ過した。得られたケーキを真空乾燥機を用いて、１００℃で１８時間乾燥後、目的物の黒色ケーキ１４．５２ｇを得た（収率６１．５％）。

［実施例３］［２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタキス（２，５−ジクロロフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，１−テトラキス（２，６−ジメチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，４−テトラキス（Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニナト（２−）−Ｎ２９，Ｎ３０，Ｎ３１，Ｎ３２］銅の合成
１００ｍｌの四つ口フラスコに上記で得られた３−（２，６−ジメチルフェノキシ）−４，５−ビス（２−ジクロロフェノキシ）−６−フルオロフタロニトリル１０．７０ｇ（０．０１８ｍｏｌ）、塩化銅（Ｉ）０．４７ｇ（０．００４ｍｏｌ）、１−オクタノール２１．４ｇを仕込み、１５０℃で３時間反応させた。反応終了後、反応液をメタノール８５．５ｇ中に滴下して結晶を析出させ、吸引ろ過後ウェットケーキを得た。次に、２００ｍｌの四つ口フラスコに上記で得られたケーキ、炭酸カルシウム１．０９ｇ（０．０１１ｍｏｌ）、Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミン７０．５４ｇ（０．５８２ｍｏｌ）、およびベンゾニトリル１６．０５ｇを仕込み、１４０℃で１０時間反応させた。反応終了後、反応液を吸引ろ過し、得られたろ液をメタノール４８６．７ｇ中に滴下して結晶を析出させ、吸引ろ過を行った。得られたケーキを再度メタノール２４３．２ｇで撹拌洗浄し、吸引ろ過した。得られたケーキを真空乾燥機を用いて、１００℃で１８時間乾燥後、目的物の黒色ケーキ６．９ｇを得た（収率５４．１％）。

［実施例４］［２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタキス（２，５−ジクロロフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，１−テトラキス（２，６−ジメチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，４−テトラキス（Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニナト（２−）−Ｎ２９，Ｎ３０，Ｎ３１，Ｎ３２］バナジウムオキサイドの合成
１００ｍｌの四つ口フラスコに上記で得られた３−（２，６−ジメチルフェノキシ）−４，５−ビス（２−ジクロロフェノキシ）−６−フルオロフタロニトリル２２．５ｇ（０．０３８ｍｏｌ）、塩化バナジウム（ＩＩＩ）２．２６ｇ（０．０１４ｍｏｌ）、１，２，４−トリメチルベンゼン３３．７５ｇ、およびベンゾニトリル３．６７ｇを仕込み、１６０℃でＭガス（窒素と酸素の混合ガス、酸素濃度７％）を液相部に吹き込みながら撹拌下２１時間反応させた。反応終了後、反応液をメタノール３３８ｇ中に滴下して結晶を析出させ、吸引ろ過後ウェットケーキを得た。次に、２００ｍｌの四つ口フラスコに上記で得られたケーキ、炭酸カルシウム２．３０ｇ（０．０２３ｍｏｌ）、ベンズヒドリルアミン１４８．３ｇ（１．２２４ｍｏｌ）、およびベンゾニトリル３２．２ｇを仕込み、１７０℃で３０時間反応させた。反応終了後、反応液を吸引ろ過し、得られたろ液をメタノール９９２ｇ中に滴下して結晶を析出させ、吸引ろ過を行った。得られたケーキを再度メタノール４９６ｇで撹拌洗浄し、吸引ろ過した。得られたケーキを真空乾燥機を用いて、１００℃で１８時間乾燥後、目的物の黒色ケーキ１２．６ｇを得た（収率４６．７％）。

［実施例５］［２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタキス（４−メチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，１−テトラキス（２，６−ジメチルフェノキシ）−Ｃ，Ｃ，Ｃ，４−テトラキス（Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミノ）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニナト（２−）−Ｎ２９，Ｎ３０，Ｎ３１，Ｎ３２］銅の合成
１００ｍｌの四つ口フラスコに上記で得られた合成例１で得られた３−（２，６−ジメチルフェノキシ）−４，５−ビス（４−メチルフェノキシ）−６−フルオロフタロニトリル１８．８０ｇ（０．０３９ｍｏｌ）、塩化銅（Ｉ）１．０２ｇ（０．０１０ｍｏｌ）、１−オクタノール２８．２ｇを仕込み、１５０℃で撹拌しながら４時間反応させた。反応終了後、反応液をメタノール２８２ｇ中に滴下して結晶を析出させ、吸引ろ過後ウェットケーキを得た。次に、２００ｍｌの四つ口フラスコに上記で得られたケーキ、炭酸カルシウム２．３６ｇ（０．０２４ｍｏｌ）、Ｄ，Ｌ−１−フェニルエチルアミン７６．１ｇ（０．６２８ｍｏｌ）、およびベンゾニトリル２２．５ｇを仕込み、１６０℃で３１時間反応させた。反応終了後、反応液を吸引ろ過し、得られたろ液をメタノール６４４．２ｇ中に滴下して結晶を析出させ、吸引ろ過を行った。得られたケーキを再度メタノール３２２．１ｇで撹拌洗浄し、吸引ろ過した。得られたケーキを真空乾燥機を用いて、１００℃で１８時間乾燥後、目的物の黒色ケーキ７．４３ｇを得た（収率３１．５％）。

［比較例１］
特開平２００１−１０６６８９号公報の実施例７で製造された下記式（１７）で示される、フタロシアニン化合物（略称；ＶＯＰｃ（２，５−Ｃｌ_２ＰｈＯ）_８｛２，６−（ＣＨ_３）_２ＰｈＯ｝_４｛ＰｈＣＨ₂ＮＨ｝₄）を使用した。

［比較例２］
特開平２００１−１０６６８９号公報の実施例３で製造された下記式（１８）で示される、フタロシアニン化合物（略称；ＶＯＰｃ（２，５−Ｃｌ_２ＰｈＯ）_８｛２，６−（ＣＨ_３）_２ＰｈＯ｝_４｛ＰｈＣＨ₂ＮＨ｝_３Ｆ）を使用した。

＜透過率およびグラム吸光係数の測定＞
上記で得られた化合物について、波長４００〜１１００ｎｍにおける透過率および最大吸収波長（λｍａｘ）におけるグラム吸光係数を測定した。測定には分光光度計（島津製作所製、ＵＶ−１６５０ＰＣ）を用い、クロロホルム溶液中での最大吸収波長（λｍａｘ）が透過率１０％となるように調整して測定した。また、グラム吸光係数（ε）の測定には、以下の方法を用いた。まず、該フタロシアニン化合物の０．０１６ｍｇ／ｍｌクロロホルム溶液を調製して、この溶液の最大吸収波長（λｍａｘ）の吸光度を測定した。そして、得られた最大吸収波長（λｍａｘ）の吸光度の値を下記数式１に代入して算出することによって求めた。なお、吸光度を求める際のセル長は１０ｍｍであり、対照液はクロロホルムを用いた。

上記実施例１〜５ならびに比較例１および２の６００ｎｍ、６０５ｎｍ、および６１０ｎｍにおける透過率ならびにグラム吸光係数の結果を以下の表１に示す。

上記表１より、実施例１〜５の６００ｎｍ、６０５ｎｍ、および６１０ｎｍにおける透過率は、比較例１および２と比較して、有意に高いことがしめされた。また、実施例１〜５のグラム吸光係数は、比較例１および２と比較して、有意に高いことがしめされた。これは、実施例１〜５は少量であっても優れた近赤外線吸収効率を発揮することを意味する。

また、上記実施例１〜５ならびに比較例１および２の４００〜１１００ｎｍにおける透過率のグラフを図１に示す。

図１より、実施例１〜５は、比較例１および２と比較して、波長域８００〜１０００ｎｍの近赤外線吸収効率は同等であるが、波長域６００〜６１０ｎｍの赤色光の透過率が特異的に高いことが示された。

以上の結果より、実施例１〜５のフタロシアニン化合物は、波長域８００〜１１００ｎｍで高い近赤外線吸収効率を有し、かつ波長域６００〜６１０ｎｍの赤色光の透過率が特異的に高いことが示された。したがって、このようなフタロシアニン化合物をＰＤＰ用近赤外線吸収フィルターに用いることによって、ＰＤＰの赤色の純度が高まり、色再現性が向上しうる。

Claims (2)

1. 下記式（１）：
   （式中、Ｚ_１、Ｚ_４、Ｚ_５、Ｚ_８、Ｚ_９、Ｚ_１２、Ｚ_１３、およびＺ_１６は、それぞれ独立して、ＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）またはＯＲ^３を表し、Ｚ_１、Ｚ_４、Ｚ_５、Ｚ_８、Ｚ_９、Ｚ_１２、Ｚ_１３、およびＺ_１６のうちの少なくとも４個は、ＮＨＣＨ（Ｒ^１）（Ｒ^２）であり、Ｚ_２、Ｚ_３、Ｚ_６、Ｚ_７、Ｚ_１０、Ｚ_１１、Ｚ_１４、およびＺ_１５は、それぞれ独立して、ＯＲ^３またはＳＲ^４を表し、この際、Ｒ^１またはＲ^２のいずれか一方は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換フェニル基、置換もしくは非置換ナフチル基、または置換もしくは非置換アントリル基を表し、残りの一方は、炭素原子数１〜４個のアルキル基を表し、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のアラルキル基、または置換もしくは非置換の炭素原子数１〜２０個のアルキル基を表し、Ｍは、銅（Ｃｕ）またはバナジル（ＶＯ）を表す）で示されるフタロシアニン化合物。
2. 前記Ｒ^１またはＲ^２のいずれか一方は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換フェニル基を表し、残りの一方は、メチル基を表す、請求項１に記載のフタロシアニン化合物。