JP5533347B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、アリールスルホン酸を含む剥離液を用いてレジストを剥離する半導体装置の製造方法に関する。

特許文献１には、レジストマスクを用いた半導体装置の製造方法が開示されている。この製造方法では、アリールスルホン酸を含む剥離液を用いてレジストマスクを剥離する。アリールスルホン酸を含む剥離液を用いることにより、レジストの剥離性を向上させることができる。

特開２００４−１３９１３３号公報

ところで、アリールスルホン酸は界面活性剤の一種であり固体に対して強力に吸着する。そのため、アリールスルホン酸を含む剥離液によってレジストを剥離すると、基板上に剥離液の残渣が残ることがあった。剥離液の残渣はパターン欠陥の原因となることがあった。また、基板上に残る剥離液の残渣により、レジスト剥離後に基板上に形成された膜と基板との間の密着性が低下することがあった。

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、アリールスルホン酸を含む剥離液の残渣を除去できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に開口を有するレジストマスクを形成する工程と、該基板のうち該開口により露出した部分に所定の処理を施す工程と、アリールスルホン酸を含む剥離液を用いて該レジストマスクを剥離する工程と、リンス液を用いて該剥離液の残渣を除去する工程と、該基板上に膜を形成する工程と、を備える。そして、該リンス液の溶解度パラメータは１２．９８から２３．４３までのいずれかの値であり、該残渣を除去する工程では、該リンス液の濃度が９８％以上の液体を用いることを特徴とする。

本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、化合物半導体基板上に形成された活性層と、該活性層上に開口を有するレジストマスクを形成する工程と、該活性層のうち該開口により露出した部分及び該レジストマスク上に金属膜を形成する工程と、アリールスルホン酸を含む剥離液を用いて該レジストマスク及び該レジストマスク上の該金属膜を除去するリフトオフ工程と、リンス液を用いて該剥離液の残渣を除去する工程と、該金属膜のうち該リフトオフ工程後に残った部分及び該活性層上に絶縁膜を形成する工程と、を備える。そして、該リンス液の溶解度パラメータは１２．９８から２３．４３までのいずれかの値であり、該残渣を除去する工程では、該リンス液の濃度が９８％以上の液体を用いることを特徴とする。

本発明によれば、アリールスルホン酸を含む剥離液の残渣を除去できる。

本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置の断面図である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 活性層上に形成されたソース電極とドレイン電極を示す断面図である。 レジストマスク及びリセスを示す断面図である。 リセス上及びレジストマスク上に形成された金属膜を示す断面図である。 リフトオフ工程後の基板の表面を示す断面図である。 バッファ液により残渣を粗除去する方法を示す図である。 リンス液により残渣を除去する方法を示す図である。 実験１で調査した複数のサンプルとそれらの実験結果を示す表である。 サンプルＡのＳ元素のＸＰＳスペクトルを示す図である。 サンプルＨのＳ元素のＸＰＳスペクトルを示す図である。 ＧａＡｓ基板を剥離液に２０分間浸漬した後のリンス処理に用いるリンス液を変化させた場合のＳ強度及びＣ強度を示す図である。 エタノールの濃度と、リンス処理後のＧａＡｓ基板表面のＳ強度との関係を示す図である。 エタノールの濃度と、リンス処理後のＧａＡｓ基板表面のＣ強度との関係を示す図である。 ２つの異なる条件で作成された電界効果トランジスタのＩｄｓｓを示す図である。

実施の形態．
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置の断面図である。半導体装置１０は基板１２を備えている。基板１２はＧａＡｓ基板１４とその上に形成された活性層１６を備えている。活性層１６にはリセス１６ａが形成されている。リセス１６ａの底部にはゲート電極１８が形成されている。活性層１６上にはこのリセス１６ａを挟むようにしてソース電極２０とドレイン電極２２が形成されている。ソース電極２０、ドレイン電極２２、ゲート電極１８、及び活性層１６を覆うように絶縁膜２４が形成されている。絶縁膜２４は半導体装置１０の耐湿性を確保するために形成されている。

図２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。以後、このフローチャートに沿って本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。まず、活性層１６上にソース電極２０とドレイン電極２２を形成する（ステップ３０）。図３は、活性層１６上に形成されたソース電極２０とドレイン電極２２を示す断面図である。

次いで、活性層１６上に、開口を有するレジストマスクを形成する（ステップ３２）。レジストマスクは例えば、フォトレジスト、電子線レジスト、又はX線レジストなどで形成することができる。次いで、活性層１６のうちレジストマスクの開口により露出した部分をウエットエッチングしてリセス１６ａを形成する（ステップ３４）。図４は、レジストマスク５０及びリセス１６ａを示す断面図である。

次いで、活性層１６のうちレジストマスク５０の開口により露出した部分（リセス１６ａ）及びレジストマスク５０上に金属膜を形成する（ステップ３６）。図５はリセス１６ａ上及びレジストマスク５０上に形成された金属膜を示す断面図である。図５に示すように、リセス１６ａ上には金属膜５２ａを形成し、レジストマスク５０上には金属膜５２ｂを形成する。金属膜５２ａ及び５２ｂは同一材料であり、特に限定されないが、Ｔｉ／Ａｌ／Ｍｏで形成できる。

次いで、１００℃程度に加熱した剥離液によりレジストマスク５０を除去する（ステップ３８）。剥離液はアルキルベンゼンスルホン酸（アリールスルホン酸）を含む有機系剥離液である。この工程はリフトオフ工程と呼ばれる。リフトオフ工程によりレジストマスク５０を除去すると、その上に形成されていた金属膜５２ｂは除去される一方、金属膜５２ａはリセス１６ａ内に残る。金属膜５２ａはゲート電極１８として用いられる。図６はリフトオフ工程後の基板１２の表面を示す断面図である。リフトオフ工程を終えると、ゲート電極１８、ソース電極２０、ドレイン電極２２、及び活性層１６上に剥離液の残渣５４（以後、残渣５４と称する）が残る。残渣５４の中には厚さ数ｎｍレベルの極めて薄く目視できないものが含まれる。

次いで、バッファ液を用いて残渣５４を粗除去する（ステップ４０）。バッファ液は、残渣５４を粗除去できる有機溶剤であれば特に限定されないが、本発明の実施の形態ではアセトンを用いる。図７はバッファ液により残渣５４を粗除去する方法を示す図である。残渣５４の粗除去は、基板１２及びそこに形成されたもの全体を、バッファ液（アセトン）で満たされたアセトン槽５６の中に浸して実施する。ステップ４０の処理により残渣５４が粗除去されても、活性層１６上などには例えば厚さ数ｎｍレベルの極めて薄い残渣５４が残存している。

次いで、リンス液を用いて残渣５４を除去する（ステップ４２）。この処理をリンス処理と称する。本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、リンス処理でリンス液としてエタノールを用いる。図８はリンス液により残渣５４を除去する方法を示す図である。残渣５４の除去は、基板１２及びそこに形成されたもの全体を、リンス液（エタノール）で満たされたエタノール槽５８の中に浸して実施する。そして、エタノール槽５８内におけるエタノールの濃度は、９８％以上を維持するように管理する。ここで、リンス処理前に残渣５４が粗除去されているため、１回のリンス処理によりエタノール槽５８内に持ち込まれる残渣５４は少量である。よって、前述の管理が容易となる。ステップ４２によるリンス処理が行われると、前述の粗除去後には残存していた極めて薄い残渣５４も除去される。

次いで、ゲート電極１８、ソース電極２０、ドレイン電極２２、及び活性層１６上に絶縁膜を形成する（ステップ４４）。ステップ４４を終えると、図１に示す半導体装置１０が完成する。

上述した本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、残渣５４を除去する方法に特徴がある。本発明における残渣５４を除去する方法は、以下の実験１乃至実験３の結果に基づいて発明されたものである。以下、各実験について説明する。

実験１は複数のリンス液の残渣除去能力を調査するものである。図９は実験１で調査した複数のサンプルとそれらの実験結果を示す表である。実験１で基準（リファレンス）となるのはサンプルＡである。サンプルＡは、ＧａＡｓ基板をフェノール、ｏ−ジクロルベンゼン、及びアルキルベンゼンスルホン酸を主成分とする剥離液に２０分間浸漬した後、トリメチルベンゼンで１５分間浸漬し、更にアセトンで５分間浸漬し、最後にＩＰＡ乾燥機によって乾燥させて作成した。つまり、サンプルＡは残渣のリンス液としてトリメチルベンゼン及びアセトンを用いてリンス処理を行ったものである。

そして、リンス処理後のサンプルＡ表面の残渣量を把握するために、Ｘ線光電子分光装置（ＵＬＶＡＣ−Φ quantum２０００）を用いた元素分析（ＸＰＳ分析）を行った。残渣の主成分はアルキルベンゼンスルホン酸であるため、ＸＰＳ分析ではＳ元素及びＣ元素の測定を行った。具体的には、Ｓ元素の測定のためにＳ２ｐの強度を調査し、Ｃ元素の測定のためにＣ１ｓの強度を調査した。

図１０はサンプルＡ表面におけるＳ元素のＸＰＳスペクトルを示す図である。このＸＰＳスペクトルにはＳ２ｐにおいて有意なピークが見られるため、サンプルＡの表面にはＳ元素、すなわち残渣があることが分かる。

サンプルＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、及びＪは、サンプルＡと同一の処理を施した後にさらに追加処理を施したものである。具体的には、サンプルＢの追加処理はヘキサン（濃度９９％）による薬液処理である。サンプルＣの追加処理はキシレン（濃度９９％）による薬液処理である。サンプルＤの追加処理はトリメチルベンゼン（濃度９８％）による薬液処理である。サンプルＥの追加処理はアセトン（濃度９９％）による薬液処理である。サンプルＦの追加処理はイソプロピルアルコール（濃度９９％）による薬液処理である。サンプルＧの追加処理は１−プロパノール（濃度９９％）による薬液処理である。サンプルＨの追加処理はエタノール（濃度９９％）による薬液処理である。サンプルＩの追加処理はメタノール（濃度９９％）による薬液処理である。サンプルＪの追加処理は超純水による処理である。各サンプルの薬液（超純粋）による追加処理は常温で２時間実施され、その後ＩＰＡ乾燥機により基板を乾燥させた。

ところで、サンプルＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、及びＪは、追加処理で用いられる液体の溶解度パラメータ（以下、ＳＰ値と称する）が低い順に並べられている。つまり、サンプルＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、及びＪの中で、最も低いＳＰ値を有する液体で追加処理が施されたのはサンプルＢであり、最も高いＳＰ値を有する液体で追加処理が施されたのはサンプルＪである。このようにして準備されたサンプルＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、及びＪについてもＸＰＳ分析を行った。

図９のＳ強度の欄、及びＣ強度の欄について説明する。「Ｓ強度」とは、Ｓ２ｐの強度をＧａＡｓ基板１２に起因するＧａ３ｓの強度で除算した値であり、「Ｃ強度」とは、Ｃ１ｓの強度をＧａ３ｓの強度で除算した値である。そして、Ｓ強度の欄、及びＣ強度の欄には、サンプルＡのＳ強度を１とし、Ｃ強度を１としたときの他のサンプルのＳ強度とＣ強度が示されている。

図９のＳ強度の欄から、ＳＰ値の高い液体で追加処理を行えばＳ強度が低くなり、残渣を良く除去できることが分かる。特にエタノール、メタノール、又は超純水により残渣を除去すると、Ｓ強度がＸＰＳ分析の検出限界未満となるほどにまで残渣を除去できる。

図１１はサンプルＨのＳ元素のＸＰＳスペクトルを示す図である。このＸＰＳスペクトルにはＳ２ｐにおいて有意なピークは見られないため、サンプルＨの表面にＳ元素、すなわち残渣はないことが分かる。

一方、Ｃ強度の欄からも、ＳＰ値の高い液体で追加処理を行えばＣ強度が低くなり、残渣を良く除去できることが分かる。なお、Ｃ強度の値が０．５程度よりも低減できないのは、基板１２の大気暴露による自然汚染が原因である。

サンプルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、及びＪは、リンス処理として、まずトリメチルベンゼン及びアセトンを用いた（第１リンス）後に、追加処理として追加のリンス（第２リンス）を行った。次に、第１リンスを省略してサンプルを作成した場合について説明する。図１２は、ＧａＡｓ基板を剥離液に２０分間浸漬した後に、第２リンスに相当するリンスを行った場合のＳ強度及びＣ強度を示す図である。ここで、図１２においてサンプルＫはトリメチルベンゼン（濃度９８％）によるリンス処理を行ったサンプルである。サンプルＬはアセトン（濃度９９．８%以上）によるリンス処理を行ったサンプルである。サンプルＭはイソプロピルアルコール（濃度９９．５％以上）によるリンス処理を行ったサンプルである。サンプルＮは変性エタノール（エタノール８５％、ＩＰＡ５％、１−プロパノール１０％）によるリンス処理を行ったサンプルである。サンプルＯはエタノール（濃度９９．５%以上）によるリンス処理を行ったサンプルである。サンプルＰはメタノール（濃度９９．９%以上）によるリンス処理を行ったサンプルである。そして、各リンス処理は１０分間実施され、その後ＩＰＡ乾燥機により基板を乾燥させた。

図１２に示すＳ強度とＣ強度から、第１リンスを省略しても、ＳＰ値の高いリンス液を用いれば、残渣を除去できることが分かる。なお、サンプルＮに用いたリンス液は、ＳＰ値の高いエタノールを含んでいるもののリンス液全体としてはＳＰ値が低くなる。この場合Ｓ強度は高くなり十分に残渣除去ができていない。このことは、リンス液の濃度も残渣除去性に寄与することを示唆している。

ところで、発明者はリンス処理の処理時間を変えたり、２３℃から１２０℃の範囲内で剥離液の温度を変えたり、２３℃から５０℃の範囲内でリンス液の温度を変えたりしたときに残渣除去能力に変化があるかについても調査した。その結果、例えば、ＳＰ値の低いアセトンでは２４時間以上リンス処理してもＸＰＳの検出限界以下にまで残渣を低減することはできないことを確認した。また、剥離液とリンス液の温度は、残渣除去能力に影響しないことも確認した。

以上より、剥離液の残渣除去にはＳＰ値の高い液体（リンス液）を用いることが好ましい。具体的には、リンス液のＳＰ値はエタノールのＳＰ値である１２．９８から超純水のＳＰ値である２３．４３までのいずれかの値であることが好ましい。

実験２は、残渣除去能力のリンス液濃度依存性を調査するものである。実験２ではリンス液としてエタノールを用いた。そして、エタノールの濃度を変化させてリンス処理を行った後に、残渣量を評価した。エタノールの濃度は、エタノールで満たされたエタノール槽の中に剥離液を混入させることで変化させた。また、残渣量は前述したＳ強度及びＣ強度の測定により評価した。

図１３は、エタノール槽内の剥離液濃度と、リンス処理後のＳ強度との関係を示す図である。図１３から、エタノール槽内の剥離液濃度の上昇に伴って、Ｓ強度は増加傾向であることが分かる。よって、エタノール槽内の剥離液濃度が上昇し、エタノール濃度が低下すると、残渣除去が困難となる。ここで、図１３における太字破線は実験１で用いたサンプルＡのＳ強度を示す。例えばエタノール中に８ｖ／ｖ％程度の剥離液が混入すると、ＳＰ値の高いエタノールを用いているにも関わらずＳ強度がサンプルＡ（リファレンス）のＳ強度程度まで上昇してしまう。

図１４は、エタノール槽内の剥離液濃度と、リンス処理後の基板表面のＣ強度との関係を示す図である。Ｃ強度についてもＳ強度と同様に、エタノール槽内の剥離液濃度の上昇に伴って、残渣除去能力が低下する傾向である。図１３と図１４に示す結果から、ＳＰ値の高いエタノールでもその濃度が低ければ、十分な残渣除去ができないことが分かる。そして、リファレンスと比較して十分な残渣除去を行うためには、エタノールの濃度が９８％以上であることが好ましいことも分かる。なお、エタノールに限らず、ＳＰ値が１２．９８から２３．４３の範囲にある液体については、濃度が９８％以上であれば十分に残渣除去ができた。

以上より、残渣を除去する際には、リンス液の濃度を９８％以上に保つことが好ましい。ここで、リンス処理のたびに大量の残渣（剥離液）がエタノール槽に混入すると、リンス液の濃度を９８％以上に保つことは困難である。そこで、必要に応じてリンス処理前に、ＧａＡｓ基板やＧａＡｓ基板搬送用カセットなどに付着した残渣を粗除去することが重要である。

実験３は、リンス液として純水（超純水）を利用することの可否について調査するものである。図１５は２つの異なる条件（条件１と条件２）で作成された電界効果トランジスタのＩｄｓｓ（ＶｄｓとＩｄｓの関係）を示す図である。条件１とは、ＧａＡｓ基板を、アルキルベンゼンスルホン酸を含む剥離液に２０分間浸漬した後、トリメチルベンゼンを主成分とするリンス液に１５分間浸漬し、アセトンに１０分間浸漬し、ＩＰＡ乾燥機によってウェハを乾燥させ、純水による水洗を５分間行い、最後にスピン乾燥させるものである。

条件２とは、ＧａＡｓ基板を、アルキルベンゼンスルホン酸を含む剥離液に２０分間浸漬した後、トリメチルベンゼンを主成分とするリンス液で１５分間浸漬し、エタノールで１０分間浸漬し、最後にＩＰＡ乾燥機によって乾燥させるものである。条件１では水洗を行うが条件２では水洗を行わない。

図１５から、水洗を行わない「条件２」で処理した電界効果トランジスタの方がＩｄｓｓの低下を抑制できることが分かる。つまり、純水をリンス液として用いると、純水と剥離液の反応や電池効果によって、電極腐食や活性層エッチングが起こる。これによりＩｄｓｓが低下してしまう。以上より、残渣を除去する場合に純水による水洗は避けるべきである。

実験１から、残渣除去のためには、リンス液のＳＰ値が１２．９８から２３．４３までのいずれかの値であると好適である。実験２から、残渣除去のためには、リンス処理の際のリンス液の濃度は９８％以上に保つことが好適である。実験３から、残渣除去に伴う電気的特性の劣化回避のためには、水洗は行わない方が好適である。

本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、リンス液としてＳＰ値が１２．９８であるエタノールを用い、リンス処理に用いられるエタノール槽のエタノール濃度は９８％以上に保たれ、水洗は行わない。よって、アリールスルホン酸を含む剥離液によりレジストを剥離しつつ、残渣を除去できる。残渣を除去できるので、残渣に起因するパターン欠陥を回避でき、かつ活性層１６と絶縁膜２４の密着性を高めることができる。

本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は様々な変形が可能である。基板１２は、化合物半導体基板であるＧａＡｓ基板１４上に活性層１６を備えることとしたが、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＡｓ、メタル基板、絶縁膜基板その他の基板を用いても本発明の効果を得ることができる。

リンス液やバッファ液による処理は、薬液層に基板を浸す浸漬方式に限定されず、スプレー方式その他の方式を用いても良い。リンス液としてエタノールを用いたが、エタノールと同様にＳＰ値が１２．９８から２３．４３の範囲にあるメタノールなどを用いても良い。また、上述のＳＰ値の範囲であれば混合液を用いても良い。リンス処理による完全な残渣除去を確保するために、リンス槽を複数用いても良い。

本発明の効果を得るためにはリンス処理は必須であるが、その前のバッファ液による残渣の粗除去は必須ではない。すなわち、レジスト剥離処理条件によっては残渣量が少ない場合も考えられるので、その場合は残渣の粗除去を省略することができる。反対に、残渣量が多い場合には複数回にわたって残渣の粗除去を実施しても良い。さらに、バッファ液は残渣除去性のある薬液であれば特に限定されず、例えば、メタノールやエタノール等を用いても良い。

リンス処理により残渣を除去した後には絶縁膜２４を形成することとしたが、MOCVD法などによる成膜その他の成膜を行ってもよい。また、基板を乾燥させる方法としては、ＩＰＡ乾燥以外にも、自然乾燥、スピン乾燥、真空乾燥、温風（加熱）乾燥、マランゴニ乾燥、ロタゴニ乾燥、超臨界洗浄・乾燥、といった方法を用いても良い。

剥離液に含まれるアリールスルホン酸はアルキルベンゼンスルホン酸としたが、より具体的には、例えばベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸、メチルエチルベンゼンスルホン酸、トリメチルベンゼンスルホン酸、プロピルベンゼンスルホン酸、クメンスルホン酸、ヘキシルベンゼンスルホン酸、ヘプチルベンゼンスルホン酸、オクチルベンゼンスルホン酸、オクチルベンゼンスルホン酸、デシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、トリデシルベンゼンスルホン酸、テトラデシルベンゼンスルホン酸などの全炭素数７〜２０のアルキルベンゼンスルホン酸を用いると良好なレジスト剥離ができる。また、これらのアリールスルホン酸は単独で用いても良いし、２種以上組み合わせて用いても良い。なお、上記のアリールスルホン酸に、フェノール類及びハロゲン化炭化水素あるいは芳香族炭化水素を添加して成る有機系剥離液を用いてもよい。

１０ 半導体装置、 １２ 基板、 １４ ＧａＡｓ基板、 １６ 活性層、 １６ａ リセス、 １８ ゲート電極、 ２０ ソース電極、 ２２ ドレイン電極、 ２４ 絶縁膜

Claims (5)

1. 基板上に開口を有するレジストマスクを形成する工程と、
   前記基板のうち前記開口により露出した部分に所定の処理を施す工程と、
   アリールスルホン酸を含む剥離液を用いて前記レジストマスクを剥離する工程と、
   リンス液を用いて前記剥離液の残渣を除去する工程と、
   前記基板上に膜を形成する工程と、を備え、
   前記リンス液の溶解度パラメータは１２．９８から２３．４３までのいずれかの値であり、
   前記残渣を除去する工程では、前記リンス液の濃度が９８％以上の液体を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記レジストマスクを剥離する工程の後であって、前記リンス液を使った前記残渣を除去する工程の前に、前記残渣を粗除去する工程を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 化合物半導体基板上に形成された活性層と、
   前記活性層上に開口を有するレジストマスクを形成する工程と、
   前記活性層のうち前記開口により露出した部分及び前記レジストマスク上に金属膜を形成する工程と、
   アリールスルホン酸を含む剥離液を用いて前記レジストマスク及び前記レジストマスク上の前記金属膜を除去するリフトオフ工程と、
   リンス液を用いて前記剥離液の残渣を除去する工程と、
   前記金属膜のうち前記リフトオフ工程後に残った部分及び前記活性層上に絶縁膜を形成する工程と、を備え、
   前記リンス液の溶解度パラメータは１２．９８から２３．４３までのいずれかの値であり、
   前記残渣を除去する工程では、前記リンス液の濃度が９８％以上の液体を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 前記リフトオフ工程の後であって、前記リンス液を使った前記残渣を除去する工程の前に、前記残渣を粗除去する工程を備えたことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記リンス液はエタノール又はメタノールであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

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