JP5532550B2 - プラズマディスプレイの誘電体膜用ケイ素化合物 - Google Patents
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Description
図1(a),(b)は本発明の実施の形態1である誘電体の形成工程の一例を示す説明図であって、第一段階および第二段階の工程を経て膜を形成する。
本発明の実施の形態2である誘電体の形成工程について説明する。なお、以下の説明において、既に説明した部材に対応する部材には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
2a ペースト材料
2b 酸化ケイ素を主体とする膜
3a ペースト材料
3b 酸化ケイ素を主体とする膜
4 酸化ケイ素を主体とする膜
11a W(タングステン)からなる保護膜
11b Pt(白金)を主体とする導電性膜
21 第一段階の工程の後における膜内部に含まれるボイド
22 第二段階の工程の後における膜内部に含まれるボイド
Claims (1)
- 第一段階において酸化ケイ素が主成分であるボイドが含まれる膜を形成した後、第二段階において前記第一段階で形成した膜に含まれるボイドを埋める、ケイ素化合物の製造方法により製造されたプラズマディスプレイの誘電体膜用ケイ素化合物であって、
基板側にシリカ粒子濃度が体積比率50%以上の膜が形成され、前記基板側の膜と反対側の表面側に、最表面から深さ2μm以下までにシリカ粒子濃度が体積比率20%以下の膜が形成されていることを特徴とする酸化ケイ素を主体とするプラズマディスプレイの誘電体膜用ケイ素化合物。
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