JP5526664B2 - 金属部材の表面処理方法 - Google Patents
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Description
電着塗装工程前に、化成処理剤を用いて、金属部材の表面に化成皮膜形成処理を行う金属部材の表面処理方法において、
前記化成処理剤として、主成分がZr,Ti,Hf,Siから選ばれる元素を有する化合物であって、化成皮膜がZr,Ti,Hf,Siから選ばれる元素を有する酸化物に形成されるものを用い、
前記化成皮膜形成処理の前工程として、前記金属部材の表面に、電子放出に関連する電子放出関連物質を付着させ、
その上で、前記電子放出関連物質を付着した金属部材の表面に対して直接、前記化成皮膜形成処理を行うことにより、最終的な化成皮膜全体のエネルギバンドギャップを、前記化成処理剤のみを用いて形成される場合の化成皮膜のエネルギバンドギャップよりも小さくし、
前記電子放出関連物質として、前記化成処理剤のみを用いて形成される場合の化成皮膜のエネルギバンドギャップよりも小さいエネルギバンドギャップとされる電子放出物質を用い、
前記最終的な化成皮膜を、該化成処理剤のみを用いて形成される化成皮膜内に該電子放出物質を含有されたものとし、
前記電子放出物質として、金属微粒子、n型半導体微粒子、真性半導体微粒子、導電性有機物微粒子、及び絶縁体微粒子の少なくとも一種を用い、
前記各微粒子の平均粒径が、100nm以下とされている、
構成としてある。
また、化成皮膜形成処理の前工程において、金属部材の表面に電子放出関連物質を付着させることにより、化成皮膜形成処理工程において、電子放出関連物質を化成処理剤に含めて用いる場合に比べて、その化成皮膜形成処理の工程管理(浴安定性、皮膜の析出速度等)を容易にすることができる。
自動車等の車体Wの塗装においては、図1,図2に示すように、最終工程として、電着塗装工程が行われる。この電着塗装工程は、車体Wに対してカチオン電着塗装(下塗り塗装)を行う工程であり、この電着塗装工程においては、槽T内のカチオン電着塗料31中に車体Wを浸漬(例えば180秒)させ、槽Tを陽極、車体Wを陰極として、その両者T,W間に電圧を印加することにより、車体W面上に塗膜(図1では図示略)が析出される。
このZrO2皮膜21の生成について具体的に説明すれば、化成処理剤中においては、副成分としてHF、主成分としてH2ZrF6が含まれ、それらは、(化1)(化2)に示すように、化学平衡の状態にある。
(1)リン酸亜鉛皮膜の場合には、図4に示すように、リン酸亜鉛系処理剤で鋼板S表面(車体W表面)を処理すると、尖った形状が隣り合うようにして並ぶ結晶性リン酸亜鉛皮膜1が形成されることになり、多数の低抵抗部(隣り合う尖った形状の境目空間下部(体積抵抗率1000(Ω・cm)未満の部分)2が形成される。このため、電子が各低抵抗部2に移動し、鋼板S表面で電気分解が起きて水酸イオンが生じ、その水酸イオンにより塗料に水溶性を与えている酸が中和され、それに基づき、図5に示すように、塗膜Fが鋼板S表面に析出・沈着される。この結果、低電圧領域に属する陽極から遠い車体部分であっても、鋼板S表面上に塗膜Fが形成されることが促進される。
これに対して、ZrO2皮膜21の場合には、図9に示すように、化成処理剤で鋼板Sを化成処理すると、ZrO2皮膜として、フラットな非結晶性連続膜が形成されることになり、そのZrO2皮膜21には、局所的な低抵抗部22(体積抵抗率1000(Ω・cm)未満の部分)が形成されるものの、その数はリン酸亜鉛被膜に比べて極めて少ない。このため、このZrO2皮膜では通電し難く、低電圧領域に属する陽極から遠い車体W部分における塗膜析出量は少ない。
これに対して、ZrO2皮膜21における数少ない局所的な各低抵抗部22は、薄く且つリン酸亜鉛皮膜1の低抵抗部2よりも大きい(広い)。このため、その大きな低抵抗部22に電荷が集中し、水酸イオン、水酸イオンによる塗料に水溶性を与えている酸の中和過程を経て塗膜Fが析出するも、その大きな低抵抗部22は、図13に示すように、塗膜Fにより容易には埋まらない。このため、鋼板S上への塗膜の析出に基づき抵抗が大きくならず、陽極に近い車体Wの外板部においては、塗膜Fの析出し続け、その塗膜の膜厚は、リン酸亜鉛皮膜1の場合の塗装膜厚よりもかなり厚くなる。これに伴い、陽極から遠い車体Wの内板部には、もともと電子が移動しにくいことに加えて、上記観点からも移動しないことになり、そこでは、容易には、塗膜Fは析出しない。
上記電子放出物質34としては、金属微粒子、n型半導体微粒子、真性半導体微粒子、導電性有機物微粒子、及び絶縁体微粒子の少なくとも一種が用いられることになっており、それらのいずれのバンドギャップも、化成皮膜21のバンドギャップ(ZrO2:約5〜8eV)よりも小さいものとなっている。具体的には、金属微粒子としては、Mg,Al,Ca,Co,Ni,Cu,Zn等(バンドギャップ:0eV)を用いることが好ましく、n型半導体微粒子としては、n型ZnO等(バンドギャップ:約2eV以下)を用いることが好ましい。また、導電性有機物微粒子としては、ポリアニリン、金属を有機物で保護した粒子等(バンドギャップ:ほぼ0eV)を用いることが好ましく、絶縁体微粒子としては、ZnO、TiO2等の酸化物(バンドギャップ:2〜3eV)を用いることが好ましい。また、これら微粒子の平均粒子径としては、100nm以下が好ましく、20〜50nmがより好ましい。
(1)吸着工程
TiO2コロイド濃度(TiO2:保護コロイド=9:1(重量比)):50ppm
処理液のpH:9
処理液の温度:30℃
試験車体の浸漬時間:30秒
TiO2 の特性
体積抵抗率:20〜200(Ω・cm)
比表面積:30〜50(m2/g)
平均粒子径(1次粒子径):30〜50(nm)
(2)化成工程
化成処理剤の組成:ジルコニウム酸(H2ZrF6)、フッ酸(HF)、水溶性樹脂
化成処理剤のpH:4
試験車体の浸漬時間:180秒
化成処理剤温度(浴温度):30℃
図17によれば、吸着工程での処理液中のTiO2コロイド濃度(実質上のTiO2微粒子濃度(ppm))が高いものに浸漬するほど、塗膜膜厚が厚くなることを示し、耐食性に関しては、TiO2コロイド濃度(ppm)が一定値まで許容できるものの、その一定値を超えると、耐食性に問題が生じることになった。
この場合、吸着工程での各処理液35のいずれの場合も、吸着処理槽36への車体Wの浸漬時間は30秒、吸着処理槽内の液温(浴温)は30℃、pH9とした。またこの場合、耐食性に関しては、CCT(CCT1サイクル≒JISK5600−7−9サイクルAの3サイクル)60サイクル後の塗膜F膨れ率(%)を測定した。
図18によれば、耐食性の許容限界における吸着工程における液中のTiO2コロイド濃度が、500ppmであることを示し、耐食性を確保するためには、TiO2コロイド濃度を500ppm以下にする必要があることを示した。その一方、下限値に関しては、必要塗膜膜厚確保の観点から、10ppm以上とする必要がある。
組成:Ga−Doped ZnO
体積抵抗率:20〜100(Ω・cm)
比表面積:30〜50(m2/g)
平均粒子径(1次粒子径):20〜40(nm)
製造条件
(i)電子放出関連物質:酸化物が半導体となる金属としてTi,Zn、酸素との置換でn型となるものとしてF,Cl等のハロゲン、Zrとの置換でn型となるものとしてP,As等の5族に属するもの
(ii)加熱(アニール処理)工程の条件:400〜800℃
これによっても、電着塗装工程の電圧印加時に、化成皮膜において、自由電子を増加させることができ、車体Wの内板部の電着塗装性を向上させることができる。
22 ZrO2皮膜の低抵抗部
32 化成処理剤
34 電子放出物質(電子放出関連物質)
S 鋼板
W 車体
Claims (1)
- 電着塗装工程前に、化成処理剤を用いて、金属部材の表面に化成皮膜形成処理を行う金属部材の表面処理方法において、
前記化成処理剤として、主成分がZr,Ti,Hf,Siから選ばれる元素を有する化合物であって、化成皮膜がZr,Ti,Hf,Siから選ばれる元素を有する酸化物に形成されるものを用い、
前記化成皮膜形成処理の前工程として、前記金属部材の表面に、電子放出に関連する電子放出関連物質を付着させ、
その上で、前記電子放出関連物質を付着した金属部材の表面に対して直接、前記化成皮膜形成処理を行うことにより、最終的な化成皮膜全体のエネルギバンドギャップを、前記化成処理剤のみを用いて形成される場合の化成皮膜のエネルギバンドギャップよりも小さくし、
前記電子放出関連物質として、前記化成処理剤のみを用いて形成される場合の化成皮膜のエネルギバンドギャップよりも小さいエネルギバンドギャップとされる電子放出物質を用い、
前記最終的な化成皮膜を、該化成処理剤のみを用いて形成される化成皮膜内に該電子放出物質を含有されたものとし、
前記電子放出物質として、金属微粒子、n型半導体微粒子、真性半導体微粒子、導電性有機物微粒子、及び絶縁体微粒子の少なくとも一種を用い、
前記各微粒子の平均粒径が、100nm以下とされている、
ことを特徴とする金属部材の表面処理方法。
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