JP5523072B2 - アンチヒューズ素子のプログラム方法および半導体装置 - Google Patents
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基板上の一面に形成され、それぞれ表面にシリサイド層が形成された第1の不純物拡散領域および第2の不純物拡散領域と、
前記第1の不純物拡散領域および前記第2の不純物拡散領域の間に形成されたゲート絶縁膜、およびゲート電極から構成されたゲートと、
を含むトランジスタにより構成されたアンチヒューズ素子のプログラム方法であって、
前記ゲート電極に所定のゲート電圧を印加して、前記ゲート絶縁膜を破壊するとともに、前記第1の不純物拡散領域および前記第2の不純物拡散領域の少なくとも一方の表面に形成された前記シリサイド層を構成するシリサイド材料を前記ゲート絶縁膜中に移動させて、前記ゲート電極と前記第1の不純物拡散領域および前記第2の不純物拡散領域の少なくとも前記一方とを前記シリサイド材料を介して電気的に接続する工程を含むアンチヒューズ素子のプログラム方法が提供される。
基板上の一面に形成され、それぞれ表面にシリサイド層が形成された第1の不純物拡散領域および第2の不純物拡散領域と、
前記第1の不純物拡散領域および前記第2の不純物拡散領域の間に形成されたゲート絶縁膜、およびゲート電極から構成されたゲートと、
を含むトランジスタにより構成されたアンチヒューズ素子を含む半導体装置であって、
前記ゲート絶縁膜中に、前記第1の不純物拡散領域および前記第2の不純物拡散領域の少なくとも一方の表面に形成された前記シリサイド層を構成するシリサイド材料が導入され、当該シリサイド材料を介して前記ゲート電極と前記第1の不純物拡散領域および前記第2の不純物拡散領域の少なくとも前記一方とが電気的に接続された半導体装置が提供される。
本実施の形態において、アンチヒューズ素子101への書込は、ゲート電極112に所定のゲート電圧を印加して、ゲート絶縁膜110を破壊するとともに、不純物拡散領域104aおよび不純物拡散領域104bの少なくとも一方の表面に形成されたシリサイド層(シリサイド層106aまたはシリサイド層106b)を構成するシリサイド材料をゲート絶縁膜110中に移動させて、ゲート電極112と不純物拡散領域104aおよび不純物拡散領域104bの少なくとも一方とをシリサイド材料を介して電気的に接続する工程を含む。
101 アンチヒューズ素子
102 基板
104a 不純物拡散領域
104b 不純物拡散領域
106a シリサイド層
106b シリサイド層
110 ゲート絶縁膜
112 ゲート電極
114 シリサイド層
116 サイドウォール
120 電流パス
122 シリサイド材料
130 欠陥
Claims (7)
- 基板上の一面に形成され、それぞれ表面にシリサイド層が形成された第1の不純物拡散領域および第2の不純物拡散領域と、
前記第1の不純物拡散領域および前記第2の不純物拡散領域の間に形成されたゲート絶縁膜、およびゲート電極から構成されたゲートと、
を含むN型MOSトランジスタにより構成されたアンチヒューズ素子のプログラム方法であって、
前記基板を接地した状態で、前記ゲート電極に正のゲート電圧を印加して、前記ゲート絶縁膜を破壊するとともに、前記第1の不純物拡散領域および前記第2の不純物拡散領域の少なくとも一方の表面に形成された前記シリサイド層を構成するシリサイド材料を前記ゲート絶縁膜中に移動させて、前記ゲート電極と前記第1の不純物拡散領域および前記第2の不純物拡散領域の少なくとも前記一方とを前記シリサイド材料を介して電気的に接続する工程を含むアンチヒューズ素子のプログラム方法。 - 請求項1に記載のアンチヒューズ素子のプログラム方法において、
前記電気的に接続する工程において、前記シリサイド材料を前記ゲート絶縁膜中に貫通させて、当該シリサイド材料を前記ゲート電極中にも導入させるアンチヒューズ素子のプログラム方法。 - 請求項1または2に記載のアンチヒューズ素子のプログラム方法において、
前記ゲート電極に流れる電流値を測定することにより、前記アンチヒューズ素子の書込状態を判定するアンチヒューズ素子のプログラム方法。 - 基板上の一面に形成され、それぞれ表面にシリサイド層が形成された第1の不純物拡散領域および第2の不純物拡散領域と、
前記第1の不純物拡散領域および前記第2の不純物拡散領域の間に形成されたゲート絶縁膜、およびゲート電極から構成されたゲートと、
を含むN型MOSトランジスタにより構成されたアンチヒューズ素子を含む半導体装置であって、
前記ゲート絶縁膜中に、前記第1の不純物拡散領域および前記第2の不純物拡散領域の少なくとも一方の表面に形成された前記シリサイド層を構成するシリサイド材料が導入され、当該シリサイド材料を介して前記ゲート電極と前記第1の不純物拡散領域および前記第2の不純物拡散領域の少なくとも前記一方とが電気的に接続された半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記シリサイド材料が、前記ゲート絶縁膜中に貫通しており、当該シリサイド材料が前記ゲート電極中にも導入された半導体装置。 - 請求項4または5に記載の半導体装置において、
前記基板上の前記第1の不純物拡散領域および前記第2の不純物拡散領域の少なくとも前記一方から前記ゲート絶縁膜に至る領域に、前記シリサイド材料が存在している半導体装置。 - 請求項4から6いずれかに記載の半導体装置において、
前記ゲート電極に流れる電流値を測定することにより、前記アンチヒューズ素子の書込状態を判定する判定回路を含む半導体装置。
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