JP5521283B2 - 基板検査装置 - Google Patents

基板検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5521283B2
JP5521283B2 JP2008126751A JP2008126751A JP5521283B2 JP 5521283 B2 JP5521283 B2 JP 5521283B2 JP 2008126751 A JP2008126751 A JP 2008126751A JP 2008126751 A JP2008126751 A JP 2008126751A JP 5521283 B2 JP5521283 B2 JP 5521283B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light source
substrate
back surface
inspection apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008126751A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009276165A (ja
JP2009276165A5 (ja
Inventor
豊 大森
雅典 福田
康一 脇谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2008126751A priority Critical patent/JP5521283B2/ja
Publication of JP2009276165A publication Critical patent/JP2009276165A/ja
Publication of JP2009276165A5 publication Critical patent/JP2009276165A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5521283B2 publication Critical patent/JP5521283B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

本発明は、表面にストライプ状のパターンが形成された光透過性の基板を検査する装置に関する。
光透過性基板(例えばフラットパネルディスプレイのパネルなど)の表面に形成されたストライプ状のパターン(例えば電極など)を光学的に検査する装置がある。この装置は、透過照明を用いて検査を行うものであり、形成された電極の欠落やショートによるフラットパネルディスプレイの表示の異常を防ぐため、その製造工程中の検査に用いられる。
図11は、従来の基板検査装置の概略図である。
図11において、透過照明光源1からの光は、光透過性の被検査基板2に照射される。そして、被検査基板2のパターン3が形成されていない箇所を透過した光は、レンズ系4を介して撮像装置5に入射する。また、被検査基板2のパターン3が形成されている箇所については、パターン3が透過照明光源1からの光を遮るため、暗い画像として撮像装置5で撮像される。そして、撮像装置5に接続された評価装置(図示せず)にて、これらの画像を評価することで、被検査基板2のパターン3の検査を行う。
ここで、検出されるパターン3の欠陥として、パターン3がショートしているものがある。これについて、図12を用いて説明する。
図12(a)は、正常状態のパターンを有する撮像画像を示す図であり、図12(b)は、ショート状態のパターンを有する撮像画像を示す図である。
図12(a)と図12(b)を比較すると明らかなように、パターン3がショートしている場合は、ショート箇所6として撮像画像に表れる。このように、マスター画像(ここでは、図12(a)の画像)との比較を行うことで、パターン3の検査を行う。
このようなパターン検査において、特に、フラットパネルディスプレイの検査では、パターンの欠陥とそれ以外の欠陥とを区別して検査する。この場合は、パターンが形成された面の反対側の面(以下、裏面)の異物や傷をできる限り検出しないようにしてパターンのみを検査する必要がある。その場合の検査の一例として、複数の透過照明光源を用いて裏面の異物を強調させることで、その異物を画像データから除外し、パターンの欠陥のみを取り出して検査するものがある(例えば、特許文献1参照。)。
図13は、特許文献1に記載の基板検査装置の概略図である。
図13に示すように、透過照明光源1とは別に、被検査基板2と平行に近い角度の光を照射するための2つの水平照明光源7a、7bを設けている。この水平照明光源7a、7bを設けることで、被検査基板2の裏面(パターン3が形成されていない透過照明光源1側の面)の異物8を目立たせながら撮像装置5で撮像することができる。そして、強調された異物8を画像処理により除外することで、異物8を除外した状態でパターン3のみの検査を可能とする。
特開2002−214158号公報
しかしながら、特許文献1に記載の検査では、パターンが形成された面(パターン形成面)の反対側の面(裏面)の異物をデータから除外するための処理が必要な場合がある。また、裏面の異物の強調され具合によっては、パターン形成面のパターン欠陥なのか裏面の異物なのかを判別できず、画像データから異物を正確に除外できない場合がある。
本発明は、これら従来の課題を解決するためのものであり、複雑な処理を必要とせずに、光透過性基板のパターンの欠陥を正確に検査することを目的とする。
本発明は、前述の従来の課題を解決するためのものであり、ライン状の光を照射する照明部とラインセンサとを互いの長軸方向が平行になるように配置し、前記照明部と前記ラインセンサとの間に基板載置部を配置し、前記基板載置部に載置された光透過性基板の透過画像に基づいて処理部で前記光透過性基板の検査を行う検査装置であって、前記照明部は、前記光透過性基板の裏面に垂直な方向から光を照射する第1光源と、前記第1光源の光軸に対し2°以上30°以下の角度を設けた光軸を有する第2光源とから構成され、前記第2光源と前記基板載置部との間に光乱係数が0.7以上の拡散板が配置され、前記第2光源の光量は、前記第1光源の光量の50%以下であることを特徴とする。
以上のように、本発明によれば、複雑な処理を必要とせずに、光透過性基板のパターンの欠陥を正確に検査することができる。
本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、同一構成には同一符号を付し、説明を省略する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1の基板検査装置の概略図であり、図2は、図1のAの方向から見た基板検査装置の概略図である。
図1、2において、パターン15が形成された光透過性の被検査基板16は、基板載置台(図示せず)に載置されており、透過照明光源17とレンズ系18との間に配置される。そして、透過照明光源17(第1光源)および斜め照明光源19(第2光源)から照射された光が、被検査基板16を透過し、レンズ系18を介して撮像装置20に入射する構成となっている。撮像装置20は、透過照明光源17の長手方向と平行に配置されたラインセンサ21と画像処理を行う処理部(図示せず)とを備える。また、ライン状の光を照射する透過照明光源17としてND(減光)フィルタを有するハロゲン光源を用い、同じくライン状の光を照射する斜め照明光源19としてハロゲン光源を用いる。
これらは、透過照明光源17と被検査基板16との距離L1が165mmとなり、被検査基板16とレンズ系18との距離L2が35mmとなり、斜め照明光源19と被検査基板16との距離L3が約43mmとなるように配置されている。
なお、本実施の形態では、被検査基板16の裏面(透過照明光源17側)に傷22が形成されていると仮定しており、この裏面の傷22にて乱反射して減少する光量を、斜め照明光源19を用いて増強し、裏面の傷22の影響を軽減させることを目的とするものである。
ここで、透過照明光源17、斜め照明光源19について説明する。
図3は、図1の透過照明光源17の光のバラツキを示す図である。
図3において、透過照明光源17から出射される光23は、光軸上の光線24aが最も強く(光量が高く)、それに比較して斜め方向に向かう光線24bが弱くなる光のバラツキを有している。また、斜め照明光源19から出射される光も、透過照明光源17とほぼ同様の光のバラツキを有している。
続いて、本発明の目的である、裏面の傷22の影響を軽減させる方法について検討する。
まず、本実施の形態では、斜め照明光源19を用いて裏面の傷22のみの光量を増強させるために、裏面の傷22が無い場合は光量に影響が無いようにする必要がある。そのため、裏面の傷22が無い場合に光量に影響が出ない条件について検討する。
図4は、図2の被検査基板16付近の要部拡大図である。
ここで、図4に示すように、被検査基板16の表面と略垂直な透過照明光源17の光軸と斜め照明光源19の光軸とが成す角度を照射角度θ1とし、レンズ系18の集光角度を表す集光半角θ2とする。
裏面の傷22が無い場合に光量に影響しないためには、使用するレンズ系18のNA(Numerical Aperture)から導出される集光半角θ2よりも、照射角度θ1が大きくなる必要がある。これは、照射角度θ1が集光半角θ2以下だと、斜め照明光源19から直進する光がレンズ系18に入射するため、裏面の傷22が無い場合でも光量に影響が出てしまうためである。ここで、レンズ系18のNAは、レンズ系18への入射角をθとし、レンズ系18の屈折率をnとすると、NA=n・sinθで求めることができる。
本実施の形態では、NA=0.032のレンズ系18を用いているため、集光半角θ2=1.83度(≒sin-1(NA))となり、照射角度θ1が約2度以上となることが望ましい。また、被検査基板16に斜め照明光源19が物理的に干渉することで著しく検査精度が低下するため、装置の構成上の制約から、照射角度θ1は最大で85度程度が限界だと考えられる。
続いて、斜め照明光源19を用いた場合の裏面の傷22の光量の増強の程度について検討する。本実施の形態の基板検査装置を用いて検査を行った結果を図5に示す。
図5は、実施の形態1の基板検査結果を示す図である。
図5において、被検査基板16のパターン15が形成されていない領域を撮像した箇所(P2)の階調を100とした場合、被検査基板16の表面(撮像装置20側)のパターン15に遮られた箇所(P1)の階調は約10となり、被検査基板16の裏面(透過照明光源17側)に傷22がある箇所(P3)の階調が約80となる。この結果から、階調が0〜40の箇所を被検査基板16の表面のパターン15または異物がある箇所だと判定し、階調が40〜100の箇所を被検査基板16の裏面に傷(本実施の形態では傷22)がある箇所だと判定する。
続いて、本実施の形態で行った様々な条件での検査結果について説明する。
図6は、実施の形態1の照射角度毎の階調と光量との関係を示す図である。
図6は、透過照明光源17の光軸と斜め照明光源19の光軸とが成す照射角度θ1が、20°、30°、45°、60°の場合のそれぞれにおいて、縦軸に階調比率(傷階調とガラス階調)を取り、横軸に斜め照明光源19の光量設定値(透過照明光源17の光量に対する光量の比率)を取ったものである。本実施の形態においては、被検査基板16のパターン15の欠陥と裏面の傷22とを区別するために必要な階調比率(傷階調/ガラス階調)を80%以上としているため、図6において、その条件について検討する。
図6から明らかなように、本実施の形態において、照射角度θ1が20°、30°、45°、60°のそれぞれにおいて、光量を調整することで階調比率が80%の条件を作ることが可能である。しかしながら、被検査基板16を連続して複数検査する場合を考えると、あまり強い光量を連続して照射することが好ましくないため、斜め照明光源19の光量設定値が50%以下になることが望ましい。この条件から検討すると、本実施の形態においては、照射角度が2°以上45°以下の場合が最適な条件となる。
(実施の形態2)
図7は、実施の形態2の基板検査装置の概略図である。
本実施の形態が実施の形態1と異なる点は、透過照明光源17と被検査基板16との間に、拡散板25を配置している点である。
本実施の形態では、被検査基板16の裏面と表面とを区別する目的で拡散板25を設けているため、拡散板25は、光線反射率が低く、光散乱係数が0.7以上の材料が望ましい。本実施の形態では、厚さ2ミリのメタクリル樹脂製の拡散板を用いている。これらは、透過照明光源17と拡散板25との距離L4が5mm、拡散板25と被検査基板16との距離L5が180mm、被検査基板16とレンズ系18との距離L6が400mmとなるように配置されている。
図8は、図7のBの方向から見た基板検査装置の概略図である。
図8に示すように、透過照明光源17は被検査基板16の裏面に対して垂直に近い角度で光を照射する位置に配置され、斜め照明光源19は被検査基板16の裏面に対して斜め方向から光を照射する位置に配置されている。
図9は、図8の被検査基板16付近の要部拡大図である。
図9に示すように、それぞれの光源からの光がより多くの散乱成分を持った光26となり、散乱成分を増加させることができる。本実施の形態を用いることで、実施の形態1より更に正確に被検査基板16の表面のパターン欠陥を検出することが可能になる。
なお、本実施の形態のように、拡散板25を一枚だけ使用する場合は、拡散板25に対して斜め照明光源19の照射角度θ1が70°以上になると極端に反射率が増加し、透過光の光量が減少するため、斜め照明光源19の照射角度θ1は70°以下であることが好ましい。
図10は、実施の形態2の拡散板の別配置における照射状態を示す図である。
図10に示すように、透過照明光源17の出射位置に拡散板27を設置し、斜め照明光源19の出射位置に拡散板28を設置すれば、照射角度θ1が70°以下と言う制限を解消することができる。
なお、本発明においては、被検査基板として表面にパターンを有する光透過性の基板について説明したが、同様の効果を奏するものにおいては、これに限定するものではない。
本発明を用いることで光透過性基板のパターンのみの検査を可能とするため、フラットパネルディスプレイのパターン検査に用いることができる。
実施の形態1の基板検査装置の概略図 図1のAの方向から見た基板検査装置の概略図 図2の被検査基板16付近の要部拡大図 図1の透過照明光源17の光のバラツキを示す図 実施の形態1の基板検査結果を示す図 実施の形態1の照射角度毎の階調と光量との関係を示す図 実施の形態2の基板検査装置の概略図 図7のBの方向から見た基板検査装置の概略図 図8の被検査基板16付近の要部拡大図 実施の形態2の拡散板の別配置における照射状態を示す図 従来の基板検査装置の概略図 (a)正常状態のパターンを有する撮像画像を示す図、(b)ショート状態のパターンを有する撮像画像示す図 特許文献1に記載の基板検査装置の概略図
符号の説明
15 パターン
16 被検査基板
17 透過照明光源
18 レンズ系
19 斜め照明光源
20 撮像装置
22 傷

Claims (6)

  1. ライン状の光を照射する照明部とラインセンサとを互いの長軸方向が平行になるように配置し、前記照明部と前記ラインセンサとの間に基板載置部を配置し、前記基板載置部に載置された光透過性基板の透過画像に基づいて処理部で前記光透過性基板の検査を行う検査装置であって、
    前記照明部は、前記光透過性基板の裏面に垂直な方向から光を照射する第1光源と、前記第1光源の光軸に対し2°以上30°以下の角度を設けた光軸を有する第2光源とから構成され、
    前記第2光源と前記基板載置部との間に光乱係数が0.7以上の拡散板が配置され、
    前記第2光源の光量は、前記第1光源の光量の50%以下であること
    を特徴とする基板検査装置。
  2. 前記第2光源は、前記光透過性基板の裏面に傷がある場合に当該傷の影響で減少する前記第1光源の光量を増強して裏面の傷の影響を軽減させる
    ことを特徴とする請求項1に記載の基板検査装置。
  3. 前記処理部は、傷が裏面のみにある光透過性基板の表面に形成されたパターンを前記透過画像に基づいて検査を行うこと
    を特徴とする請求項1又は2に記載の基板検査装置。
  4. 前記第1光源がNDフィルタを有すること
    を特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板検査装置。
  5. 前記第2光源は、前記光透過性基板の裏面に傷がある場合に当該傷の影響で減少する前記第1光源の光量を増強して、裏面に傷がない場合と同等の光量を前記ラインセンサに受光させること
    を特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載の基板検査装置。
  6. 前記第1光源および前記第2光源の出射口に、光散乱係数が0.7以上の拡散板をそれぞれ配置したこと
    を特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載の基板検査装置。
JP2008126751A 2008-05-14 2008-05-14 基板検査装置 Active JP5521283B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008126751A JP5521283B2 (ja) 2008-05-14 2008-05-14 基板検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008126751A JP5521283B2 (ja) 2008-05-14 2008-05-14 基板検査装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009276165A JP2009276165A (ja) 2009-11-26
JP2009276165A5 JP2009276165A5 (ja) 2011-03-31
JP5521283B2 true JP5521283B2 (ja) 2014-06-11

Family

ID=41441740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008126751A Active JP5521283B2 (ja) 2008-05-14 2008-05-14 基板検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5521283B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10622232B2 (en) 2017-08-23 2020-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8766192B2 (en) * 2010-11-01 2014-07-01 Asm Assembly Automation Ltd Method for inspecting a photovoltaic substrate

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0731131B2 (ja) * 1986-02-28 1995-04-10 大日本印刷株式会社 周期性パタ−ンの斑検査方法
JPH04168351A (ja) * 1990-10-31 1992-06-16 Taiyo Eretsukusu Kk 透光体の欠陥検知装置
JP3390931B2 (ja) * 1993-09-28 2003-03-31 大日本印刷株式会社 着色パターンの欠陥検査方法
JP3290535B2 (ja) * 1994-03-23 2002-06-10 東芝エンジニアリング株式会社 欠陥検出装置
JPH0876529A (ja) * 1994-09-01 1996-03-22 Konica Corp 画像形成装置
JPH08247952A (ja) * 1995-03-07 1996-09-27 Mitsubishi Paper Mills Ltd 画像記録材料の画質評価装置
JPH08327561A (ja) * 1995-06-05 1996-12-13 Nippon Sheet Glass Co Ltd 連続シート状物体の欠点検査装置
JPH09311108A (ja) * 1996-05-24 1997-12-02 Nikon Corp 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JPH11337504A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Central Glass Co Ltd ガラス板の欠陥識別検査方法および装置
JP2002214158A (ja) * 2001-01-19 2002-07-31 Central Glass Co Ltd 透明板状体の欠点検出方法および検出装置
JP2006349599A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Pioneer Electronic Corp 透明基板検査装置及び検査方法
JP4587395B2 (ja) * 2005-12-01 2010-11-24 日星電気株式会社 照射ヘッド
KR20090113886A (ko) * 2007-02-16 2009-11-02 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 자동화 검사를 위해 필름을 조명하는 방법 및 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10622232B2 (en) 2017-08-23 2020-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009276165A (ja) 2009-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI408360B (zh) 玻璃表面的異物檢查裝置及檢查方法
KR101300132B1 (ko) 평판 유리 이물질 검사 장치 및 검사 방법
US8319960B2 (en) Defect inspection system
WO2006057125A1 (ja) 透明板状体の欠陥検査方法および装置
JP2011117928A (ja) 基板の内部欠陥検査装置および方法
JP5830229B2 (ja) ウエハ欠陥検査装置
JP2013036948A (ja) 欠陥検査装置
JP2013246059A (ja) 欠陥検査装置および欠陥検査方法
JP3482425B2 (ja) 検査装置
JP5521283B2 (ja) 基板検査装置
JP2006071284A (ja) ガラス基板欠陥の表裏識別方法
KR20180136421A (ko) 결함 검출 시스템 및 방법
WO2020170389A1 (ja) 異物検査装置及び異物検査方法
JP2020159879A (ja) 検査方法、及び検査システム
KR20110125906A (ko) 레티클 검사장치
JP6389977B1 (ja) 欠陥検査装置
JP3078784B2 (ja) 欠陥検査装置
JP2012068211A (ja) シート部材の歪み検査装置及びシート部材の歪み検査方法
KR20190114072A (ko) 광학식 검사 장치 및 광학식 검사 방법
JP2008277596A (ja) 表面キズ欠陥検査装置
CN111751386A (zh) 机器视觉光学检测系统及方法
JPH07306152A (ja) 光学的歪検査装置
KR20150091920A (ko) 기판의 에지 검사장치 및 이를 이용한 검사방법
TWI817991B (zh) 光學系統,照明模組及自動光學檢測系統
KR101785069B1 (ko) 다크 필드 조명 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110214

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110214

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20110314

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120528

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120605

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120725

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20121213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130205

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130405

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131008

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131017

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20140107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140311

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140324

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5521283

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151