JP5521185B2 - 遊技機 - Google Patents

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Description

本発明は、動画像を表示する表示画面を備える遊技機に関する。
遊技機には、液晶ディスプレイなどの画像表示装置を備え、この画像表示装置に動画像
を表示させることによって、遊技の興趣を高めたものが知られている。動画像表示のひと
つである描画表示では、マスクROM(Masked Read Only Memory)に予め書き込まれた
キャラクタデータを用いて次々に描画した複数の静止画像を、画像表示装置に連続的に表
示することによって、動画像表示が実現される。また、動画像表示のひとつである再生表
示では、マスクROMに書き込まれたムービデータから次々に再生したフレームを、画像
表示装置に連続的に表示させることによって、動画像表示が実現される。
描画表示や再生表示による動画表示の趣向を凝らすに連れて、動画表示の元となるキャ
ラクタデータやムービデータ等のデジタル画像データのデータ量は増大するため、デジタ
ル画像データを記憶するためのマスクROMに必要とされる記憶容量は増大の一途を辿っ
ている。下記特許文献1には、マスクROMに書き込まれたデジタル画像データを用いて
動画表示を行う遊技機が開示されている。
特開2004−8483号公報
近年、大容量・低価格のNAND型フラッシュメモリが普及しており、デジタル画像デ
ータを記録する媒体として、マスクROMに代わりNAND型フラッシュメモリを遊技機
に採用することが考えられるが、両メモリの特性の違いから種々の問題があった。
例えば、NAND型フラッシュメモリは、その構造上、データの記録が不可能な不良ブ
ロックを有する場合があり、その不良ブロックの有無および部位は個体毎に異なる。その
ため、NAND型フラッシュメモリの場合、不良ブロックを避けるためのメモリアドレス
の飛びの有無や部位も個体毎に不定となり、マスクROMのように一連のメモリアドレス
を用いてデータアクセスすることができないという問題や、遊技機特有の問題として、メ
モリ内に記録されたデータの改竄をチェックする際、マスクROMのように同一型式のメ
モリに共通のメモリアドレスを用いてデータチェックを行うことができないという問題が
あった。
本発明は、上記した課題を踏まえ、NAND型フラッシュメモリをデジタル画像データ
の記録媒体として利用することができる遊技機を提供することを目的とする。
上記した課題を解決するため、本発明の一形態である遊技機用制御装置は、遊技機の表
示画面に表示される動画像の表示態様を制御する遊技機用制御装置であって、前記動画像
を表示させる映像信号を生成するビデオディスプレイプロセッサと、前記ビデオディスプ
レイプロセッサからのシーケンシャルアクセスを受け付けるシーケンシャル・インタフェ
ースと、前記ビデオディスプレイプロセッサによる映像信号の生成に用いられるデジタル
画像データが記録されたNAND型フラッシュメモリと、前記NAND型フラッシュメモ
リと前記シーケンシャル・インタフェースとの間を中継して、前記デジタル画像データを
前記NAND型フラッシュメモリから前記ビデオディスプレイプロセッサへと転送する中
継部とを備え、前記NAND型フラッシュメモリは、一連の物理ブロックアドレスが物理
的なメモリ配列順にそれぞれ割り当てられた複数の物理データブロックを有し、前記デジ
タル画像データは、前記複数の物理データブロックのうち、物理的にデータの記録が不可
能な不良ブロックを避けて、物理的にデータの記録が可能な良ブロックに記録され、前記
複数の物理データブロックに含まれる複数の良ブロックの少なくとも一つには、前記デジ
タル画像データが記録された良ブロックの物理ブロックアドレスを並べた一連の物理ブロ
ックアドレスを、前記シーケンシャル・インタフェースがデータのやり取りに用いる一連
の論理ブロックアドレスに順次対応付けたアドレス対応テーブルが記録され、前記中継部
は、データを書き込みおよび読み出し可能に記憶するランダムアクセスメモリと、前記デ
ジタル画像データが記録されたNAND型フラッシュメモリが起動される際、前記複数の
良ブロックの少なくとも一つに記録されたアドレス対応テーブルを該良ブロックから前記
ランダムアクセスメモリに読み込む手段と、前記論理ブロックアドレスを用いて前記デジ
タル画像データの読み出しを指示する読み出し信号を受け付ける手段と、前記受け付けた
読み出し信号によって読み出し指示された論理ブロックアドレスに対応する物理ブロック
アドレスを、前記ランダムアクセスメモリに読み込まれたアドレス対応テーブルに基づい
て特定する手段と、前記特定した物理ブロックアドレスが割り当てられた物理データブロ
ックから、前記デジタル画像データを読み出す手段と、前記読み出したデジタル画像デー
タを前記シーケンシャル・インタフェースに提供する手段とを備えることを特徴とする。
上述の遊技機用制御装置によれば、シーケンシャル・インタフェースとNAND型フラ
ッシュメモリとの間のアドレス変換が、NAND型フラッシュメモリからランダムアクセ
スメモリに読み出されたアドレス対応テーブルに基づいて実行されるため、NAND型フ
ラッシュメモリ上からアドレス対応テーブルを参照してアドレス変換を実行するよりも、
NAND型フラッシュメモリからのデジタル画像データの読み出し速度を向上させること
ができる。これによって、デジタル画像データが記録されたNAND型フラッシュメモリ
を、シーケンシャル・インタフェースからデータアクセス可能なマスクROMとして取り
扱うことができる。
不良ブロックを避けてデジタル画像データを記録する第1の方式として、前記デジタル
画像データは、前記一連の物理ブロックアドレスの順に従って前記NAND型フラッシュ
メモリに順次記録され、該記録対象となった物理データブロックが不良ブロックである場
合、該不良ブロック以降に記録すべきデータは、該不良ブロックに後続する良ブロック以
降に順次記録されても良い。
不良ブロックを避けてデジタル画像データを記録する第2の方式として、前記デジタル
画像データは、前記一連の物理ブロックアドレスの順に従って前記NAND型フラッシュ
メモリに順次記録され、該記録対象となった物理データブロックが不良ブロックである場
合、該不良ブロックに記録すべきデータは、該不良ブロックを他の良ブロックで代替した
代替ブロックに記録されても良い。
上述した遊技機用制御装置は、次の態様を採ることもできる。例えば、前記中継部は、
更に、前記デジタル画像データが前記NAND型フラッシュメモリに記録される前に、前
記複数の物理データブロックに含まれる良ブロックおよび不良ブロックを判別する手段と
、前記デジタル画像データが前記NAND型フラッシュメモリに記録される前に、前記判
別した良ブロックおよび不良ブロックに基づいて前記アドレス対応テーブルを作成する手
段と、前記デジタル画像データが前記NAND型フラッシュメモリに記録される前に、前
記作成したアドレス対応テーブルを前記ランダムアクセスメモリに格納する手段と、前記
デジタル画像データが前記NAND型フラッシュメモリに記録される前に、前記論理ブロ
ックアドレスを用いて前記デジタル画像データの書き込みを指示する書き込み信号を受け
付ける手段と、前記デジタル画像データが前記NAND型フラッシュメモリに記録される
前に、前記受け付けた書き込み信号によって書き込み指示された論理ブロックアドレスに
対応する物理ブロックアドレスを、前記ランダムアクセスメモリに格納されたアドレス対
応テーブルに基づいて特定する手段と、前記受け付けた書き込み信号によって書き込み指
示されたデジタル画像データを、前記特定した物理ブロックアドレスが割り当てられた良
ブロックに書き込む手段とを備えても良い。これによって、シーケンシャル・インタフェ
ースとNAND型フラッシュメモリとの間のアドレス変換が、ランダムアクセスメモリに
格納されたアドレス対応テーブルに基づいて実行されるため、NAND型フラッシュメモ
リに対するデジタル画像データの書き込み速度を向上させることができる。
また、前記中継部は、更に、前記作成したアドレス対応テーブルを前記複数の良ブロッ
クの少なくとも一つに書き込む手段を備えても良い。これによって、デジタル画像データ
の書き込みに使用されたアドレス対応テーブルを、NAND型フラッシュメモリからのデ
ジタル画像データの読み出しに利用することができる。
また、前記NAND型フラッシュメモリにデジタル画像データを書き込む手段は、前記
NAND型フラッシュメモリに書き込まれたデジタル画像データの書き込み不良を検知す
る手段と、前記検知された書き込み不良に基づいて、前記アドレス対応テーブルを修正す
る手段と、前記修正したアドレス対応テーブルに基づいて、前記書き込み不良が検知され
たデジタル画像データの再書き込みを行う手段とを備えても良い。これによって、NAN
D型フラッシュメモリにおけるデジタル画像データの記録不良を防止することができる。
また、前記中継部は、更に、前記NAND型フラッシュメモリにデジタル画像データが
書き込まれた後、該NAND型フラッシュメモリに対するデータの書き込みを禁止する手
段を備えても良い。これによって、NAND型フラッシュメモリに記録されたデジタル画
像データの改竄を防止することができる。
また、前記中継部は、更に、前記前記デジタル画像データが記録されたNAND型フラ
ッシュメモリが起動された後、前記複数の良ブロックの少なくとも一つに記録されたアド
レス対応テーブルを該良ブロックから前記ランダムアクセスメモリに定期的に読み込むこ
とによって、前記ランダムアクセスメモリに読み込まれたアドレス対応テーブルを更新す
る手段を備えても良い。これによって、ランダムアクセスメモリ上のアドレス対応テーブ
ルが、静電気や電波などのノイズによって損壊した場合であっても、定期的にアドレス対
応テーブルが更新されるため、デジタル画像データの読み出し誤りを抑制することができ
る。
なお、本発明の態様は、遊技機用制御装置に限るものではなく、本発明の遊技機用制御
装置を備える遊技機や、遊技機の表示画面に表示されるデジタル画像データを記憶した遊
技機用メモリデバイス、NAND型フラッシュメモリを取り扱う方法、遊技機用制御装置
を制御するためのコンピュータプログラムなどの種々の態様に適用することが可能である
。なお、本発明が適用される遊技機は、パチンコ機およびスロットマシンを含む。
パチンコ機10の全体構成を示す正面図である。 パチンコ機10の電気的な概略構成を示すブロック図である。 パチンコ機10における表示制御部60の電気的構成を主に示すブロック図である。 中継メモリ656に記憶されたアドレス対応テーブル720の一例を示す説明図である。 擬似ROMデバイス650の中継CPU652によって実行される起動処理を示すフローチャートである。 擬似ROMデバイス650の中継CPU652によって実行されるリード中継処理を示すフローチャートである。 擬似ROMデバイス650の中継CPU652によって実行されるライト中継処理を示すフローチャートである。 擬似ROMデバイス650の中継CPU652によって実行されるテーブル更新処理を示すフローチャートである。 第2の実施例のパチンコ機10における表示制御部60の電気的構成を主に示すブロック図である。 第2の実施例において擬似ROMデバイス650の中継CPU652によって実行されるライト中継処理を示すフローチャートである。 他の実施形態における中継メモリ656に記憶されたアドレス対応テーブル720の一例を示す説明図である。
以上説明した本発明の構成および作用を一層明らかにするために、以下本発明を適用し
たパチンコ機について説明する。
A.第1の実施例:
A−1.パチンコ機10の全体構成:
本発明の実施例の一つであるパチンコ機10の構成について説明する。図1は、パチン
コ機10の全体構成を示す正面図である。パチンコ機10は、パチンコ店のいわゆる島設
備に固定される外枠20と、外枠20に嵌め込まれる内枠30と、内枠30の中央上寄り
に嵌め込まれ遊技球による遊技が行われる遊技パネル40と、遊技パネル40の前面を覆
うガラス板を有し内枠30に開閉可能に軸着されるガラス枠50と、プリペイドカードに
よる遊技球の貸し出しを受け付けるカードユニット80とを備える。
パチンコ機10の遊技パネル40は、遊技球の入賞を受け付ける入賞口44と、遊技の
演出として映像の表示を行う液晶ディスプレイ(LCD)42と、遊技の演出として発光
する発光ダイオード(LED)462を複数内蔵する電飾部46と、遊技の演出としてキ
ャラクタ人形を動かす演出駆動部45と、遊技者に遊技の演出態様を選定させるために遊
技者がかざした手の赤外線を感知する演出センサ47とを備える。入賞口44は、入賞口
44に入賞した遊技球を検知する遊技球センサ442と、入賞口44への遊技球の導入経
路を拡縮する入賞口駆動部444とを備える。なお、本実施例では、遊技球センサ442
は、渦電流方式のセンサを含み、入賞口駆動部444は、ソレノイド(図示しない)を動
力源として駆動する機構を含み、演出駆動部45は、ステップモータ(図示しない)を動
力源として駆動する機構を含む。
パチンコ機10のガラス枠50は、遊技の演出として高音域の音声を出力するスピーカ
55と、遊技の演出として発光する発光ダイオード(LED)562を複数内蔵する電飾
部56とを備える。パチンコ機10の内枠30は、遊技パネル40に遊技球を発射するた
めの遊技者による操作を受け付けるハンドル32と、遊技の演出として低音域の音声を出
力するスピーカ34と、遊技者に遊技の演出態様を選定させるために遊技者からのボタン
入力を検知する演出センサ36とを備える。
図2は、パチンコ機10の電気的な概略構成を示すブロック図である。パチンコ機10
は、遊技球センサ442からの入力に基づいて遊技の進行を制御する主制御基板410と
、主制御基板410からの指示である主コマンドに基づいて遊技の進行に応じた各部の演
出を制御する周辺制御基板420と、周辺制御基板420からの指示である表示コマンド
に基づいてLCD42に表示される動画像の表示態様を制御する表示制御部60と、周辺
制御基板420からの指示である階調コマンドに基づいてLED462の輝度階調を制御
するパネル電飾基板430と、周辺制御基板420からの各種信号をパチンコ機10の各
部に分配する周辺分配基板440と、周辺分配基板440を介した周辺制御基板420か
らの指示に基づいてLED562の輝度階調を制御する枠電飾基板450と、主制御基板
410からの指示である払出コマンドに基づいて遊技球の払い出しを制御する払出制御基
板310とを備える。主制御基板410、周辺制御基板420、パネル電飾基板430、
周辺分配基板440、表示制御部60、枠電飾基板450、払出制御基板310の各回路
基板は、図1に示した内枠30の裏面側(図示しない)に備えられる。
本実施例では、主制御基板410,周辺制御基板420,表示制御部60,払出制御基
板310は、種々の演算処理を実行するCPUと、CPUの演算処理を規定したプログラ
ムを予め記憶するリードオンリメモリ(Read Only Memory、以下、「ROM」という)と
、CPUが取り扱うデータを一時的に記憶するランダムアクセスメモリ(Random Access
Memory、以下、「RAM」という)などの各回路基板の機能に応じた電子部品が実装され
た電子回路を備える。本実施例では、パネル電飾基板430,周辺分配基板440,枠電
飾基板450は、各回路基板の機能に応じた大規模集積回路(Large Scale Integration
、以下、「LSI」という)などの各回路基板の機能に応じた電子部品が実装された電子
回路を備える。
主制御基板410から周辺制御基板420に送信される主コマンドは、いわゆる「大当
たり」や「はずれ」などの遊技に関する基本的な演出を指示する情報を含む。主制御基板
410から主コマンドを受信した周辺制御基板420は、主コマンドに基づいてLCD4
2,LED462,LED562,スピーカ34,スピーカ55,演出駆動部45などの
演出実行部でそれぞれ実施される演出を決定し、各演出実行部に応じた種々の信号を出力
する。周辺制御基板420から表示制御部60に対する信号は、LCD42に表示すべき
映像の内容を表示制御部60に指示する表示コマンドを含む。周辺制御基板420からパ
ネル電飾基板430に対する信号は、LED462の発光態様を指定した階調コマンドを
含む。
A−2.パチンコ機10における表示制御部60の詳細構成:
図3は、パチンコ機10における表示制御部60の電気的構成を主に示すブロック図で
ある。表示制御部60は、遊技機専用に設計された遊技機用制御装置を含み、本実施では
、表示制御部60は、周辺制御基板420およびLCD42とは別体の電子回路基板とし
て構成されているが、周辺制御基板420と一体的に構成されても良いし、LCD42と
一体的に構成されても良い。
表示制御部60は、周辺制御基板420からの表示コマンドに基づいて表示制御部60
の各部を制御する描画制御部610と、LCD42における動画像表示に用いられるデジ
タル画像データ730が記録されたROMとして機能する擬似ROMデバイス650と、
ROMとのデータ伝送方式に準拠したシーケンシャルアクセスによって擬似ROMデバイ
ス650とのデータのやり取りを行うROMインタフェース640と、描画制御部610
からのVDPコマンドに基づいて、LCD42を駆動する映像信号を擬似ROMデバイス
650のデジタル画像データ730から生成する画像表示プロセッサ(Video Display Pr
ocessor、VDP)620とを備える。本実施例では、表示制御部60の描画制御部61
0は、CPU,ROM,RAMなどの電子部品を備えるコンピュータである。本実施例で
は、表示制御部60のVDP620がLCD42に出力する映像信号は、RGB(Red Gre
en Blue)信号と、SYNC(同期)信号とを含む。表示制御部60の擬似ROMデバイス
650についての詳細は後述する。
本実施例では、擬似ROMデバイス650のデジタル画像データ730は、キャラクタ
データやムービデータ等の動画表示の元となるデータを含み、圧縮された圧縮データとし
て記録されている。本実施例では、表示制御部60は、更に、描画制御部610からの伸
張コマンドに基づいてROMインタフェース640を介して擬似ROMデバイス650か
ら読み出したデジタル画像データ730を伸張する伸張回路632と、伸張回路632に
よって伸張されたデジタル画像データ730を記憶する二つの伸張RAM636,638
と、伸張RAM636,638のそれぞれに対する伸張回路632およびVDP620と
のメモリバス接続を切り替えるバススイッチ回路634とを備える。
本実施例では、表示制御部60のバススイッチ回路634は、伸張回路632による伸
張RAM636,638の一方に対するメモリアクセスと、VDP620による伸張RA
M636,638の他方に対するメモリアクセスとを同時に実行可能に、描画制御部61
0からの指示に基づいて伸張RAM636,638の各々に対するメモリバス接続を切り
替える。バススイッチ回路634によるメモリバス接続の切り替えによって、伸張RAM
636,638におけるアドレス空間の各々は、VDP620がメモリアクセスに用いる
同じ論理ブロックアドレス空間に共通して対応付けられ、伸張RAM636,638は、
VDP620からは単一のRAMとして認識される。これによって、伸張回路632によ
るデジタル画像データ730の書き込みと、VDP620によるデジタル画像データ73
0の読み出しとが同時に実行可能となり、圧縮されたデジタル画像データ730を擬似R
OMデバイス650からVDP620に対して効率良く伝送することができる。
A−3.表示制御部60における擬似ROMデバイス650の詳細構成:
表示制御部60の擬似ROMデバイス650は、遊技機専用に設計された遊技機用メモ
リデバイスであり、デジタル画像データ730が記録されたNAND型フラッシュメモリ
(NAND type flash memory)660と、擬似ROMデバイス650の各部を制御する中継
CPU652と、中継CPU652の動作が規定された中継プログラム710を予め記憶
する中継メモリ656と、中継CPU652が取り扱うデータを一時的に記憶する中継R
AM654と、ROMデバイスとしてROMインタフェース640とのデータのやり取り
を行う擬似ROMインタフェース658とを備える。擬似ROMデバイス650の中継C
PU652の動作の詳細については後述する。
擬似ROMデバイス650の擬似ROMインタフェース658は、ROMインタフェー
ス640に電気的に接続される種々の端子の一つとして、NAND型フラッシュメモリ6
60に対するデータ書き込みの可否を示すライト信号の入力を受け付けるライト端子65
9を備える。本実施例では、表示制御部60に実装された擬似ROMデバイス650にお
いて、擬似ROMインタフェース658のライト端子659は、グランドに接続されるこ
とによって、ライト端子659に入力されるライト信号は、二値信号の「ローレベル(0
)」に常時維持される。
擬似ROMデバイス650のNAND型フラッシュメモリ660は、一連の物理ブロッ
クアドレスが物理的なメモリ配列順にそれぞれ割り当てられた複数の物理データブロック
を有する。NAND型フラッシュメモリ660の物理データブロックには、物理的にデー
タの記録が可能な「良ブロック」と、物理的にデータの記録が不可能な「不良ブロック」
とを含む。本実施例では、NAND型フラッシュメモリ660には、物理データブロック
あたり64ページの記憶領域が構成され、1ページあたり2048バイトのユーザデータ
領域と64バイトの冗長領域とが構成されている。デジタル画像データ730は、良ブロ
ックにおけるユーザデータ領域に格納されている。本実施例では、物理ブロックが不良ブ
ロックである場合には、その物理ブロックの冗長領域に、不良ブロックを示すフラグが書
き込まれている。本実施例では、擬似ROMデバイス650のデジタル画像データ730
は、表示制御部60への実装に先立って、擬似ROMデバイス650の擬似ROMインタ
フェース640とデータのやり取りを行う擬似ROMライタ(図示しない)によって記録
される。
擬似ROMデバイス650のNAND型フラッシュメモリ660には、擬似ROMイン
タフェース658とNAND型フラッシュメモリ660との間におけるアドレス対応が規
定されたアドレス対応テーブル720が予め記録されている。アドレス対応テーブル72
0は、NAND型フラッシュメモリ660におけるデジタル画像データ730の格納状態
に応じて、擬似ROMデバイス650に搭載された個々のNAND型フラッシュメモリ6
60毎に予め用意されたデータである。本実施例では、アドレス対応テーブル720は、
デジタル画像データ730が記録された良ブロックよりも先行する物理ブロックアドレス
が割り当てられた良ブロックにおけるユーザデータ領域に格納されている。
図4は、中継メモリ656に記憶されたアドレス対応テーブル720の一例を示す説明
図である。アドレス対応テーブル720には、ROMインタフェース640がデータのや
り取りに用いる一連の論理ブロックアドレス722と、NAND型フラッシュメモリ66
0における一連の物理ブロックアドレス724と、各物理ブロックアドレスが良ブロック
か不良ブロックであるかを示すブロック状態726と、各物理ブロックアドレスに記録さ
れている格納データ728とが示され、一連の論理ブロックアドレス722は、デジタル
画像データ730が記録された良ブロックの物理ブロックアドレスに対応付けられている
本実施例では、NAND型フラッシュメモリ660は、一万個の物理データブロックを
有し、これらの物理データブロックには、「PBA0000」から「PBA9999」ま
での一万個の物理ブロックアドレスが、NAND型フラッシュメモリ660における物理
的なメモリ配列順にそれぞれ割り当てられている。本実施例では、NAND型フラッシュ
メモリ660には、9800個分の物理データブロックのデータ量に相当する「GD00
00」から「GD9799」までの符号で示すデジタル画像データ730が記録されてい
る。本実施例では、NAND型フラッシュメモリ660に記録されたデジタル画像データ
730のデータ量に合わせて、「LBA0000」から「LBA9799」までの980
0個の論理ブロックアドレスが用意されている。
本実施例では、デジタル画像データ730は、アドレス対応テーブル720に続いて、
一連の物理ブロックアドレスの順に従ってNAND型フラッシュメモリ660に順次記録
され、記録対象となった物理データブロックが不良ブロックである場合、その不良ブロッ
ク以降に記録すべきデータは、その不良ブロックに後続する良ブロック以降に順次記録さ
れている。図4に示す例では、最初の良ブロックである物理ブロックアドレスPBA00
00の物理データブロックには、アドレス対応テーブル720が記録されている。図4に
示す例では、アドレス対応テーブル720が記録された良ブロックに後続する良ブロック
である物理ブロックアドレスPBA0001〜PBA0003の物理データブロックには
、デジタル画像データGD0000〜GD0002が順次記録され、不良ブロックである
物理ブロックアドレスPBA0004の物理データブロックを飛ばして、後続の良ブロッ
クである物理ブロックアドレスPBA0005の物理データブロックにデジタル画像デー
タ「GD0003」が記録され、後続のデジタル画像データは、同様に順次記録されてい
る。
本実施例では、一連の論理ブロックアドレス722は、デジタル画像データ730が記
録された良ブロックの物理ブロックアドレスを昇順に並べた一連の物理ブロックアドレス
に順次対応付けられている。図4に示す例では、論理ブロックアドレスLBA0000は
、物理ブロックアドレスPBA0001に対応付けられ、論理ブロックアドレスLBA0
001は、物理ブロックアドレスPBA0002に対応付けられ、論理ブロックアドレス
LBA0002は、物理ブロックアドレスPBA0003に対応付けられ、論理ブロック
アドレスLBA0003は、不良ブロックである物理ブロックアドレスPBA0004を
飛ばして、物理ブロックアドレスPBA0005に対応付けられ、後続の論理ブロックア
ドレスは、同様に物理ブロックアドレスに順次対応付けられている。
A−4.第1の実施例におけるパチンコ機10の動作:
図5は、擬似ROMデバイス650の中継CPU652によって実行される起動処理を
示すフローチャートである。擬似ROMデバイス650の中継CPU652は、擬似RO
Mデバイス650に電源が供給されると、図5に示す起動処理を開始する。
中継CPU652は、図5に示す起動処理を開始すると、中継メモリ656に予め記憶
された中継プログラム710を中継メモリ656から中継RAM654に読み込み、読み
込んだ中継プログラム710を起動する(ステップS310)。中継プログラム710が
起動された後、中継CPU652は、NAND型フラッシュメモリ660の記憶領域を初
期化する指示を示す初期化信号が擬似ROMインタフェース658に入力されたか否かを
判断する(ステップS315)。本実施例では、初期化信号は、デジタル画像データ73
0の書き込みを行う擬似ROMライタ(図示しない)から擬似ROMデバイス650に対
して出力される信号であり、擬似ROMデバイス650がパチンコ機10の表示制御部6
0に実装された状態にある場合、初期化信号が擬似ROMデバイス650に入力されるこ
とはない。
初期化信号が入力されていない場合(ステップS315)、例えば、擬似ROMデバイ
ス650が表示制御部60に実装された状態にある場合や、擬似ROMデバイス650に
接続された擬似ROMライタ(図示しない)が初期化信号を出力していない場合、中継C
PU652は、NAND型フラッシュメモリ660に記録されているアドレス対応テーブ
ル720をNAND型フラッシュメモリ660から中継RAM654に読み込む(ステッ
プS320)。
一方、初期化信号が入力されている場合(ステップS315)、例えば、擬似ROMデ
バイス650に接続された擬似ROMライタ(図示しない)が初期化信号を出力する場合
、中継CPU652は、NAND型フラッシュメモリ660における記憶領域を初期化す
る(ステップS350)。その後、中継CPU652は、NAND型フラッシュメモリ6
60に含まれる複数の物理データブロックについて良ブロックおよび不良ブロックを判別
し(ステップS360)、アドレス対応テーブル720を新規に作成する。その後、中継
CPU652は、新規のアドレス対応テーブル720を中継RAM654に格納する(ス
テップS380)。
図6は、擬似ROMデバイス650の中継CPU652によって実行されるリード中継
処理を示すフローチャートである。データの読み出し信号が、擬似ROMインタフェース
658に入力されると、中継CPU652は、図6に示すリード中継処理を開始する。本
実施例では、図6のリード中継処理に先立って、パチンコ機10の電源投入時に、アドレ
ス対応テーブル720は、中継RAM654に記憶されている(図5のステップS320
,S380)。
中継CPU652は、図6に示すリード中継処理を開始すると、擬似ROMインタフェ
ース658から読み出し信号を受け取る(ステップS110)。その後、中継CPU65
2は、中継RAM654に記憶されたアドレス対応テーブル720を参照して、受け取っ
た読み出し信号によって指定された論理ブロックアドレスに対応付けられている物理ブロ
ックアドレスを特定する(ステップS120)。その後、中継CPU652は、特定した
物理ブロックアドレスに記録されているデジタル画像データ730をNAND型フラッシ
ュメモリ660から読み出す(ステップS130)。その後、中継CPU652は、読み
出したデジタル画像データ730を、擬似ROMインタフェース658を介して擬似RO
Mデバイス650の外部であるROMインタフェース659に提供する(ステップS14
0)。
図7は、擬似ROMデバイス650の中継CPU652によって実行されるライト中継
処理を示すフローチャートである。データの書き込み信号(例えば、擬似ROMライタか
らの信号)が、擬似ROMインタフェース658に入力されると、中継CPU652は、
図7に示すライト中継処理を開始する。本実施例では、図7のライト中継処理に先立って
、パチンコ機10の電源投入時に、アドレス対応テーブル720は、中継RAM654に
記憶されている(図5のステップS320,S380)。
中継CPU652は、図7に示すライト中継処理を開始すると、擬似ROMインタフェ
ース658から書き込み信号を受け取る(ステップS210)。その後、中継CPU65
2は、擬似ROMインタフェース658のライト端子659に入力されたライト信号がハ
イレベル(1)であるか否かを判断する(ステップS215)。
ライト端子659に入力されたライト信号がローレベル(0)である場合、例えば、擬
似ROMデバイス650が表示制御部60に実装されている場合(ステップS215)、
中継CPU652は、擬似ROMインタフェース658から受け取った書き込み信号に基
づくデータの書き込みを実行することなく、ライト中継処理を終了する。
一方、ライト端子659に入力されたライト信号がハイレベル(1)である場合、例え
ば、表示制御部60への実装に先立って擬似ROMライタによって擬似ROMデバイス6
50にデジタル画像データ730が記録される場合(ステップS215)、中継CPU6
52は、中継RAM654に記憶されたアドレス対応テーブル720を参照して、擬似R
OMインタフェース658から受け取った書き込み信号によって書き込み指定された論理
ブロックアドレスに対応付けられている物理ブロックアドレスを特定する(ステップS2
20)。その後、中継CPU652は、アドレス対応テーブル720で特定した物理ブロ
ックアドレスに、書き込み信号に含まれるデジタル画像データ730を書き込む(ステッ
プS230)。
その後、中継CPU652は、書き込みを実施した同じ物理ブロックアドレスからデー
タを読み出し、書き込んだデータと読み出したデータとを比較することによって、デジタ
ル画像データ730が正確に記録されたか否かを検査するベリファイを実行する(ステッ
プS240)。
ベリファイによって書き込み不良が確認された場合(ステップS245)、中継CPU
652は、中継RAM654に記憶されたアドレス対応テーブル720を修正する(ステ
ップS250)。本実施例では、アドレス対応テーブル720の修正によって、書き込み
不良が確認された良ブロックは、不良ブロックに変更され、その物理データブロックに対
応付けられていた論理データブロックは、他の良ブロックに対応付けられる。中継RAM
654に記憶されたアドレス対応テーブル720が修正された後(ステップS250)、
中継CPU652は、修正したアドレス対応テーブル720を参照して、デジタル画像デ
ータ730の再書き込みを行う(ステップS260)。その後、中継CPU652は、ベ
リファイからの処理を再実行する(ステップS240)。
一方、ベリファイによって書き込み不良が確認されない場合(ステップS245)、中
継CPU652は、書き込み信号に書き込み指定されたデータを全て書き込むために、後
続のデータについてライト信号の判断(ステップS215)からの処理を繰り返し実行す
る(ステップS247)。書き込み信号に書き込み指定されたデータが全てNAND型フ
ラッシュメモリ660に記録されると(ステップS247)、中継CPU652は、中継
RAM654に記憶されたアドレス対応テーブル720を、NAND型フラッシュメモリ
660に記録する(ステップS270)。
図8は、擬似ROMデバイス650の中継CPU652によって実行されるテーブル更
新処理を示すフローチャートである。本実施例では、擬似ROMデバイス650の中継C
PU652は、図8のテーブル更新処理を定期的に実行する。中継CPU652は、図8
のテーブル更新処理を開始すると、起動時にアドレス対応テーブル720の初期化を実行
していない場合(ステップS410、図5のステップS320)や、初期化後にデータの
書き込みが実行されNAND型フラッシュメモリ660にアドレス対応テーブル720が
記録された場合(ステップS420、図7のステップS270)、NAND型フラッシュ
メモリ660に記録されているアドレス対応テーブル720をNAND型フラッシュメモ
リ660から中継RAM654に読み込むことによって、中継RAM654のアドレス対
応テーブル720を上書きする(ステップS430)。
以上説明したパチンコ機10によれば、ROMインタフェース640とNAND型フラ
ッシュメモリ660との間のアドレス変換が、NAND型フラッシュメモリ660から中
継RAM654に読み出されたアドレス対応テーブル720に基づいて実行されるため、
NAND型フラッシュメモリ660上からアドレス対応テーブル720を参照してアドレ
ス変換を実行するよりも、NAND型フラッシュメモリ720からのデジタル画像データ
730の読み出し速度を向上させることができる。これによって、デジタル画像データ7
30が記録されたNAND型フラッシュメモリ660を、ROMインタフェース640か
らデータアクセス可能なマスクROMとして取り扱うことができる。
また、ROMインタフェース640とNAND型フラッシュメモリ660との間のアド
レス変換が、中継RAM654に格納されたアドレス対応テーブル720に基づいて実行
されるため、NAND型フラッシュメモリ660に対するデジタル画像データの書き込み
速度を向上させることができる。
また、NAND型フラッシュメモリ660にデジタル画像データ730を書き込む際に
、書き込んだデータについてのベリファイが実行され(ステップS240)、書き込み不
良が検知された場合、アドレス対応テーブル720の修正およびデータの再書き込みが実
行されるため(ステップS260)、NAND型フラッシュメモリ660におけるデジタ
ル画像データ730の記録不良を防止することができる。
また、擬似ROMデバイス650の外部からNAND型フラッシュメモリ660に対す
るデータの書き込みの可否を、ライト端子659に入力されるライト信号によって管理す
ることができる。また、表示制御部60に実装された擬似ROMデバイス650のライト
端子659はグランドに接続されることによって、NAND型フラッシュメモリ660に
対するデータの書き込みが常時禁止される。これによって、擬似ROMデバイス650に
対する複雑な制御を行うことなしに、NAND型フラッシュメモリ660に書き込まれた
デジタル画像データ730の改変を防止することができる。
また、中継RAM654に記憶されたアドレス対応テーブル720が定期的に上書きさ
れるため(ステップS430)、中継RAM654上のアドレス対応テーブル720が、
静電気や電波などのノイズによって損壊した場合であっても、定期的にアドレス対応テー
ブル720が更新されるため、デジタル画像データ730の読み出し誤りを抑制すること
ができる。
B.第2の実施例:
第2の実施例におけるパチンコ機10の構成は、NAND型フラッシュメモリ660に
対するデータの書き込みの禁止を管理するために、擬似ROMインタフェース658のラ
イト端子659に代えて、またはライト端子659と共に、擬似ROMデバイス650の
内部に設定されたライトフラグ715を有する点を除き、第1の実施例と同様である。
図9は、第2の実施例のパチンコ機10における表示制御部60の電気的構成を主に示
すブロック図である。第2の実施例における表示制御部60に実装された擬似ROMデバ
イス650のNAND型フラッシュメモリ660には、アドレス対応テーブル720およ
びデジタル画像データ730に加えて、NAND型フラッシュメモリ660に対するデー
タの書き込みの可否を示すライトフラグ715が、アドレス対応テーブル720と同じ良
ブロックに予め記録されている。本実施例では、ライトフラグ715は、「0」と「1」
で表される二値データであり、「0」の場合にNAND型フラッシュメモリ660に対す
るデータの書き込み可を示し、「1」の場合にデータNAND型フラッシュメモリ660
に対するデータの書き込み不可を示す。本実施例では、表示制御部60に実装された擬似
ROMデバイス650のNAND型フラッシュメモリ660には、ライトフラグ715が
「1」の値で予め設定されている。
本実施例では、擬似ROMデバイス650のライトフラグ715は、表示制御部60へ
の実装に先立って、擬似ROMデバイス650の擬似ROMインタフェース640とデー
タのやり取りを行う擬似ROMライタ(図示しない)からのフラグ変更信号に基づいて記
録される。本実施例では、擬似ROMデバイス650の中継CPU652は、接続された
擬似ROMライタ(図示しない)から擬似ROMデバイス650に書き込まれる予定であ
るデータの総容量値を取得した後、取得した総容量値に応じた良ブロックを確保するまで
、NAND型フラッシュメモリ660の不良ブロックの検出を行い、不良ブロックの検出
結果に基づいてアドレス対応テーブル720を作成して、最初の良ブロックにアドレス対
応テーブル720を書き込む。本実施例では、中継CPU652は、擬似ROMライタ(
図示しない)からのフラグ変更信号に基づいてライトフラグ715を「0」に設定した後
、擬似ROMライタ(図示しない)からのデジタル画像データ730の書き込み信号に従
って、不良ブロックを避けてデジタル画像データ730をNAND型フラッシュメモリ6
60に記録する。その後、中継CPU652は、擬似ROMライタ(図示しない)からの
フラグ変更信号に基づいてライトフラグ715を「1」に設定する。その後、擬似ROM
デバイス650は表示制御部60に実装される。
第2の実施例におけるパチンコ機10の動作は、擬似ROMインタフェース658のラ
イト端子659に代えて、擬似ROMデバイス650の内部に設定されたライトフラグ7
15に基づいてライト中継処理を行う点を除き、第1の実施例の動作と同様である。
図10は、第2の実施例において擬似ROMデバイス650の中継CPU652によっ
て実行されるライト中継処理を示すフローチャートである。データの書き込み信号が、擬
似ROMインタフェース658に入力されると、中継CPU652は、図10に示すライ
ト中継処理を開始する。本実施例では、図10のライト中継処理に先立って、パチンコ機
10の電源投入時に、アドレス対応テーブル720は、中継RAM654に記憶されてい
る(図5のステップS320,S380)。
中継CPU652は、図10に示すライト中継処理を開始すると、擬似ROMインタフ
ェース658から書き込み信号を受け取る(ステップS510)。その後、中継CPU6
52は、ライトフラグ715がハイレベル(1)であるか否かを判断する(ステップS5
15)。
ライトフラグ715がハイレベル(1)である場合、例えば、擬似ROMデバイス65
0が表示制御部60に実装されている場合(ステップS515)、中継CPU652は、
擬似ROMインタフェース658から受け取った書き込み信号に基づくデータの書き込み
を実行することなく、ライト中継処理を終了する。
一方、ライトフラグ715がローレベル(0)である場合、例えば、表示制御部60へ
の実装に先立って擬似ROMデバイス650にデジタル画像データ730が記録される場
合(ステップS515)、中継CPU652は、中継RAM654に記憶されたアドレス
対応テーブル720を参照して、擬似ROMインタフェース658から受け取った書き込
み信号によって書き込み指定された論理ブロックアドレスに対応付けられている物理ブロ
ックアドレスを特定する(ステップS220)。その後、中継CPU652は、図7のラ
イト中継処理と同様に、デジタル画像データ730の書き込みを実行する。
以上説明した第2の実施例におけるパチンコ機10によれば、第1の実施例と同様に、
NAND型フラッシュメモリ660上からアドレス対応テーブル720を参照してアドレ
ス変換を実行するよりも、NAND型フラッシュメモリ720からのデジタル画像データ
730の読み出し速度を向上させることができる。また、擬似ROMデバイス650の外
部からNAND型フラッシュメモリ660に対するデータの書き込みの可否を、擬似RO
Mデバイス650の内部に設定されたライトフラグ715によって管理することができる
。また、表示制御部60に実装された擬似ROMデバイス650のライトフラグ715は
「1」の値に予め設定されることによって、NAND型フラッシュメモリ660に対する
データの書き込みが常時禁止される。これによって、擬似ROMデバイス650に対する
複雑な制御を行うことなしに、NAND型フラッシュメモリ660に書き込まれたデジタ
ル画像データ730の改変を防止することができる。
C.その他の実施形態:
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何ら限
定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得
ることは勿論である。例えば、NAND型フラッシュメモリ660は、不良ブロックを飛
ばしてデジタル画像データが順次記録されたものに限るものではなく、不良ブロックを他
の良ブロックで代替した代替ブロックを利用してデジタル画像データが記録されたもので
あっても良い。
図11は、他の実施形態における中継メモリ656に記憶されたアドレス対応テーブル
720の一例を示す説明図である。図11のアドレス対応テーブル720で管理されるN
AND型フラッシュメモリ660には、良ブロックの一部が代替ブロックとして用意され
、デジタル画像データ730は、一連の物理ブロックアドレスの順に従ってNAND型フ
ラッシュメモリ660に順次記録され、記録対象となった物理データブロックが不良ブロ
ックである場合、その不良ブロックに記録すべきデータは、代替ブロックに記録される。
図11に示す例では、良ブロックである物理ブロックアドレスPBA0001〜PBA0
003の物理データブロックには、デジタル画像データGD0000〜GD0002が順
次記録され、不良ブロックである物理ブロックアドレスPBA0004の物理データブロ
ックに記録すべきデジタル画像データGD0003は、代替ブロックである物理ブロック
アドレスPBA9999の物理データブロックに記録され、後続のデジタル画像データは
、同様に順次記録されている。図11に示す例では、一連の論理ブロックアドレス722
は、デジタル画像データが記録された良ブロックの物理ブロックアドレスをデジタル画像
データの格納順に並べた一連の物理ブロックアドレスに順次対応付けられている。例えば
、論理ブロックアドレスLBA0003は、物理ブロックアドレスPBA0003の不良
ブロックに対応する代替ブロックである物理ブロックアドレスPBA9999に対応付け
られている。
また、本実施例では、NAND型フラッシュメモリ660に記録されたデジタル画像デ
ータ730は圧縮データとしたが、他の実施形態として、NAND型フラッシュメモリ6
60に記録されたデジタル画像データ730は非圧縮データであっても良い。また、本実
施例では、NAND型フラッシュメモリ660に対するデータの書き込みの禁止は、中継
CPU652のソフトウェアに基づく動作によって実現したが、中継CPU652などの
機能をASIC(Application Specific Integrated Circuit)でハード的に構成するこ
とによって実現しても良い。また、本実施例では、ライト端子659に入力されるライト
信号は、ハイレベル(1)の値の場合にNAND型フラッシュメモリ660に対するデー
タの書き込み可を示し、ローレベル(0)の値の場合にNAND型フラッシュメモリ66
0に対するデータの書き込み不可を示すとしたが、他の実施形態として、ローレベル(0
)の値の場合にNAND型フラッシュメモリ660に対するデータの書き込み可を示し、
ハイレベル(1)の値の場合にNAND型フラッシュメモリ660に対するデータの書き
込み不可を示すとしても良い。また、本実施例では、擬似ROMデバイス650に設定さ
れるライトフラグ715は、ローレベル(0)の値の場合にNAND型フラッシュメモリ
660に対するデータの書き込み可を示し、ハイレベル(1)の値の場合にNAND型フ
ラッシュメモリ660に対するデータの書き込み不可を示すとしたが、他の実施形態とし
て、ハイレベル(1)の値の場合にNAND型フラッシュメモリ660に対するデータの
書き込み可を示し、ローレベル(0)の値の場合にNAND型フラッシュメモリ660に
対するデータの書き込み不可を示すとしても良い。
また、本実施例では、図4および図11のアドレス対応テーブル720において、論理
ブロックアドレスは、物理ブロックアドレスに直接的に対応づけられる態様としたが、他
の実施形態として、個々の論理ブロックアドレスに対応する物理ブロックアドレスは、そ
の対応する論理ブロックアドレスの値との差を示すオフセット値として対応付けられても
良い。例えば、図11に示した対応関係では、アドレス対応テーブル720において、論
理ブロックアドレスLBA0000は、物理ブロックアドレスPBA0001とのアドレ
ス値の差を示すオフセット値「1」に対応付けられ、論理ブロックアドレスLBA000
3は、物理ブロックアドレスPBA9999とのアドレス値の差を示すオフセット値「9
996」に対応付けられる。
10...パチンコ機
20...外枠
30...内枠
32...ハンドル
34...スピーカ
36...演出センサ
40...遊技パネル
42...LCD
44...入賞口
442...遊技球センサ
444...入賞口駆動部
45...演出駆動部
46...電飾部
462...LED
47...演出センサ
50...ガラス枠
55...スピーカ
56...電飾部
562・・・LED
80...カードユニット
310...払出制御基板
410...主制御基板
420...周辺制御基板
430...パネル電飾基板
440...周辺分配基板
450...枠電飾基板
60...表示制御部
610...描画制御部
620...VDP
632...伸張回路
634...バススイッチ回路
636,638...伸張RAM
650...擬似ROMデバイス
652...中継CPU
654...中継RAM
656...中継メモリ
658...擬似ROMインタフェース
659...ライト端子
710...中継プログラム
715...ライトフラグ
720...アドレス対応テーブル
722...論理ブロックアドレス
724...物理ブロックアドレス
726...ブロック状態
728...格納データ
730...デジタル画像データ

Claims (1)

  1. 遊技機の表示画面に表示される動画像の表示態様を制御する遊技機用制御装置であって、
    前記動画像を表示させる映像信号を生成するビデオディスプレイプロセッサと、
    前記ビデオディスプレイプロセッサからのシーケンシャルアクセスを受け付けるシーケンシャル・インタフェースと、
    前記ビデオディスプレイプロセッサによる映像信号の生成に用いられるデジタル画像データが記録されたNAND型フラッシュメモリと、
    前記NAND型フラッシュメモリと前記シーケンシャル・インタフェースとの間を中継して、前記デジタル画像データを前記NAND型フラッシュメモリから前記ビデオディスプレイプロセッサへと転送する中継部と
    を備え、
    前記NAND型フラッシュメモリは、一連の物理ブロックアドレスが物理的なメモリ配列順にそれぞれ割り当てられた複数の物理データブロックを有し、
    前記デジタル画像データは、前記複数の物理データブロックのうち、物理的にデータの記録が不可能な不良ブロックを避けて、物理的にデータの記録が可能な良ブロックに記録され、
    前記複数の物理データブロックに含まれる複数の良ブロックの少なくとも一つには、前記デジタル画像データが記録された良ブロックの物理ブロックアドレスを並べた一連の物理ブロックアドレスを、前記シーケンシャル・インタフェースがデータのやり取りに用いる一連の論理ブロックアドレスに順次対応付けたアドレス対応テーブルが記録され、
    前記中継部は、
    データを書き込みおよび読み出し可能に記憶するランダムアクセスメモリと、
    前記デジタル画像データが記録されたNAND型フラッシュメモリが起動される際、前記複数の良ブロックの少なくとも一つに記録されたアドレス対応テーブルを該良ブロックから前記ランダムアクセスメモリに読み込む手段と、
    前記論理ブロックアドレスを用いて前記デジタル画像データの読み出しを指示する読み出し信号を受け付ける手段と、
    前記受け付けた読み出し信号によって読み出し指示された論理ブロックアドレスに対応する物理ブロックアドレスを、前記ランダムアクセスメモリに読み込まれたアドレス対応テーブルに基づいて特定する手段と、
    前記特定した物理ブロックアドレスが割り当てられた物理データブロックから、前記デジタル画像データを読み出す手段と、
    前記読み出したデジタル画像データを前記シーケンシャル・インタフェースに提供する手段と
    前記デジタル画像データが記録されたNAND型フラッシュメモリが起動された後、前記複数の良ブロックの少なくとも一つに記録されたアドレス対応テーブルを該良ブロックから前記ランダムアクセスメモリに定期的に読み込むことによって、前記ランダムアクセスメモリに読み込まれたアドレス対応テーブルを更新する手段と、
    を備える遊技機用制御装置。
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