JP5517909B2 - 微細パターン形成のためのフォトマスク及びこれを用いた微細パターン製造方法 - Google Patents
微細パターン形成のためのフォトマスク及びこれを用いた微細パターン製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5517909B2 JP5517909B2 JP2010284302A JP2010284302A JP5517909B2 JP 5517909 B2 JP5517909 B2 JP 5517909B2 JP 2010284302 A JP2010284302 A JP 2010284302A JP 2010284302 A JP2010284302 A JP 2010284302A JP 5517909 B2 JP5517909 B2 JP 5517909B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- micron
- same
- fine pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
C=18micron、a=3micronである図1に図示されるフォトマスクを使用して、次のようなプロセスを経てパターンを製作した。
C=18micron、a=6micronである図1に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=9micronである図1に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=12micronである図1に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=15micronである図1に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=16micronである図1に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=17micronである図1に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=3micronである図2に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=6micronである図2に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=9micronである図2に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=12micronである図2に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=15micronである図2に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=16micronである図2に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=17micronである図2に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=3micronである図3に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=6micronである図3に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=9micronである図3に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=12micronである図3に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=15micronである図3に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=16micronである図3に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=17micronである図3に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=3micronである図4に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=6micronである図4に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=9micronである図4に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=12micronである図4に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=15micronである図4に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=16micronである図4に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=17micronである図4に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=0micronである図1に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
C=18micron、a=0micronである図2に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、[実施形態1−1]と同一である。
上記実施形態と比較例に従うフォトマスクを用いて微細パターンを形成したし、各パターンサイズを測定して次の<表1>に整理した。各パターンのサイズは少数点以下第3位で四捨五入した値である。
Claims (4)
- 微細パターン形成のためのフォトマスクであって、
主パターンの内部に補助パターンを含み、
前記主パターンの形態が円形であって前記補助パターンの形態が四角形であるか、又は、前記主パターンの形態が四角形であって前記補助パターンの形態が円形であり、
前記主パターンの両端最長距離に対する前記補助パターンの両端最長距離の割合は0.35〜0.90であることを特徴とする、フォトマスク。 - 前記フォトマスクは液晶表示素子用カラーフィルタの微細パターン形成のためのものであることを特徴とする、請求項1に記載のフォトマスク。
- 微細パターン製造方法であって、
主パターンの内部に補助パターンを含み、前記主パターンの形態が円形であって前記補助パターンの形態が四角形であるか、又は、前記主パターンの形態が四角形であって前記補助パターンの形態が円形であり、前記主パターンの両端最長距離に対する前記補助パターンの両端最長距離の割合が0.35〜0.90であるフォトマスクを用いて露光させる段階を含むことを特徴とする、微細パターン製造方法。 - 前記微細パターンは液晶表示素子用カラーフィルタに使われることを特徴とする、請求項3に記載の微細パターン製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20090128706 | 2009-12-22 | ||
KR10-2009-0128706 | 2009-12-22 | ||
KR1020100118851A KR101231717B1 (ko) | 2009-12-22 | 2010-11-26 | 미세 패턴 형성을 위한 포토마스크 및 이를 이용한 미세 패턴 제조방법 |
KR10-2010-0118851 | 2010-11-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011133891A JP2011133891A (ja) | 2011-07-07 |
JP5517909B2 true JP5517909B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=44156195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010284302A Active JP5517909B2 (ja) | 2009-12-22 | 2010-12-21 | 微細パターン形成のためのフォトマスク及びこれを用いた微細パターン製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5517909B2 (ja) |
CN (1) | CN102103325B (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1241525B1 (en) * | 2001-03-14 | 2004-12-15 | ASML MaskTools B.V. | An optical proximity correction method utilizing ruled ladder bars as sub-resolution assist features |
KR100538362B1 (ko) * | 2001-04-24 | 2005-12-21 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광방법 및 장치 |
JP3746497B2 (ja) * | 2003-06-24 | 2006-02-15 | 松下電器産業株式会社 | フォトマスク |
KR100586549B1 (ko) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토 마스크 및 이를 이용한 패턴 제조 방법 |
KR100924707B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2009-11-03 | 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 노광용 마스크 및 패턴 전사 방법 |
JP5228390B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2013-07-03 | 大日本印刷株式会社 | 階調マスク |
JP4914272B2 (ja) * | 2007-04-02 | 2012-04-11 | エルピーダメモリ株式会社 | 投影露光用のレチクル、該投影露光用のレチクルの製造方法及び該レチクルを用いた半導体装置 |
-
2010
- 2010-12-17 CN CN 201010610214 patent/CN102103325B/zh active Active
- 2010-12-21 JP JP2010284302A patent/JP5517909B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011133891A (ja) | 2011-07-07 |
CN102103325B (zh) | 2013-06-19 |
CN102103325A (zh) | 2011-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI276845B (en) | Color filter substrate and manufacturing method thereof | |
CN105954921B (zh) | 液晶显示器 | |
US9329445B2 (en) | Mask plate and processes for manufacturing ultraviolet mask plate and array substrate | |
US10727257B2 (en) | Exposure mask and method of manufacturing a substrate using the exposure mask | |
WO2019223203A1 (zh) | 在液晶面板中内置偏光片的方法、液晶显示装置及其制作方法 | |
US10288928B2 (en) | Photomask and method of manufacturing color filter substrate | |
KR20080110148A (ko) | 액정표시소자용 포토마스크 및 이를 이용한 컬러필터의제조방법 | |
CN105045032B (zh) | 一种掩模板、隔垫物及显示装置 | |
CN110350003A (zh) | 有机发光显示面板及其制造方法 | |
WO2017041438A1 (zh) | 光掩模板和曝光系统 | |
JP2009009058A (ja) | カラーフィルタ基板、その製造に用いるフォトマスク、及び液晶表示装置 | |
US10175570B2 (en) | Reticle and fabrication method thereof, and method for fabricating patterns on a substrate | |
CN103018808B (zh) | 光子筛及其制作方法 | |
CN107272326B (zh) | 一种光掩模和利用其制造用于滤色器的柱状间隔件的方法 | |
CN103913892B (zh) | 一种液晶显示面板 | |
JP5517909B2 (ja) | 微細パターン形成のためのフォトマスク及びこれを用いた微細パターン製造方法 | |
US8399162B2 (en) | Method of forming exposure patterns | |
WO2013155843A1 (zh) | 阵列基板及其制造方法和液晶显示面板 | |
TW201019045A (en) | Multi-tone photomask, pattern transfer method and method of producing a display device using the multi-tone photomask | |
KR101231717B1 (ko) | 미세 패턴 형성을 위한 포토마스크 및 이를 이용한 미세 패턴 제조방법 | |
TWI721247B (zh) | 顯示裝置製造用光罩、及顯示裝置之製造方法 | |
JP2011170078A (ja) | カラーフィルタ及び液晶表示装置 | |
US20160085103A1 (en) | Liquid crystal panel and manufacturing method thereof | |
TWI524156B (zh) | 具有使用半色調相移光罩之多波長的曝光方法 | |
US10838122B2 (en) | Color filter substrate and fabricating method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5517909 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |