JP5516924B2 - ストライプに基づく不揮発性多値メモリ操作 - Google Patents
ストライプに基づく不揮発性多値メモリ操作 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5516924B2 JP5516924B2 JP2013525900A JP2013525900A JP5516924B2 JP 5516924 B2 JP5516924 B2 JP 5516924B2 JP 2013525900 A JP2013525900 A JP 2013525900A JP 2013525900 A JP2013525900 A JP 2013525900A JP 5516924 B2 JP5516924 B2 JP 5516924B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pages
- stripe
- page
- information
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims description 189
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 8
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 66
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000013403 standard screening design Methods 0.000 description 4
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 3
- 101100455541 Drosophila melanogaster Lsp2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101000939517 Homo sapiens Ubiquitin carboxyl-terminal hydrolase 2 Proteins 0.000 description 2
- 102100029643 Ubiquitin carboxyl-terminal hydrolase 2 Human genes 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012056 up-stream process Methods 0.000 description 2
- 101000984710 Homo sapiens Lymphocyte-specific protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 102100027105 Lymphocyte-specific protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012005 ligant binding assay Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000003362 replicative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1072—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in multilevel memories
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5621—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
- G11C11/5628—Programming or writing circuits; Data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Description
本開示は、ストライプに基づく不揮発性マルチレベルメモリ操作のための方法およびデバイスを含む。方法の一実施形態は、情報の1以上の下位ページを1以上の下位ストライプのそれぞれにプログラムすることを含む、1以上の下位ストライプを書き込むことを含むことができる。情報の1以上の上位ページを上位ストライプにプログラムすることを含む、上位ストライプを書き込むことができる。1以上の上位ページのそれぞれは、1以上の下位ページのうちのそれぞれ1つに対応することができる。1以上の上位ページに対応する1以上の下位ページのうちのそれぞれ1つのそれぞれを、1以上の下位ストライプの異なる下位ストライプにプログラムすることができる。
Claims (15)
- 情報の1以上の下位ページを1以上の下位ストライプのそれぞれにプログラムすることを含む、前記1以上の下位ストライプを書き込むことと、
前記情報の1以上の上位ページを上位ストライプにプログラムすることを含む、前記上位ストライプを書き込むことであって、前記1以上の上位ページのそれぞれが、前記1以上の下位ページのうちのそれぞれ1つに対応する、前記上位ストライプを書き込むことと、
を含み、
前記1以上の上位ページに対応する前記1以上の下位ページのうちの前記それぞれ1つのそれぞれが、前記1以上の下位ストライプの異なる下位ストライプにプログラムされる、
ストライプに基づく不揮発性マルチレベルメモリ操作のための方法。 - 前記1以上の下位ページを特定の下位ストライプにプログラムすることは、前記1以上の下位ページのうちの特定の1つに、前記特定の下位ストライプの中の前記1以上の下位ページの残りについて、第2レベルの誤り検出情報をプログラムすることを含み、
前記1以上の下位ページを前記特定の下位ストライプにプログラムすることは、書き込み情報を、前記特定の下位ストライプの中の前記1以上の下位ページの前記残りのうちの少なくとも1つにプログラムすることを含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記方法は、前記上位ストライプの書き込み中の誤りに応答して、前記特定の下位ストライプの前記1以上の下位ページの前記残りを再作成することを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記誤りは、非同期電力サイクルを備える、請求項3に記載の方法。
- 前記上位ストライプを書き込むことは、前記1以上の上位ページのそれぞれを実質的に同時にプログラムすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記1以上の下位ストライプのうちの特定の1つを書き込むことは、前記1以上の下位ページを前記1以上の下位ストライプのうちの前記特定の1つに実質的に同時にプログラムすることを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記1以上の下位ストライプを書き込むことは、下位ストライプ1つあたり、書き込み情報の1つの下位ページだけ、およびパリティ情報の1ページだけをプログラムすることを含み、
下位ストライプ1つあたりのページ数は、2ページよりも多い、
請求項1に記載の方法。 - 前記方法は、システムデータについて、前記書き込み情報の1つの下位ページだけ、および前記パリティ情報の1ページだけ以外の、前記1以上の下位ストライプの前記ページ数を予約することを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記1以上の下位ストライプのうちの特定の1つを書き込むことは、異なるチャネルにわたって、書き込み情報の下位ページのうちの前記それぞれ1つのそれぞれ、およびパリティ情報の少なくとも1ページをプログラムすることを含む、請求項1に記載の方法。
- メモリシステムであって、
不揮発性マルチレベルメモリセルを含む1以上のメモリデバイスと、
複数のチャネルによって前記1以上のメモリデバイスに連結される、メモリコントローラであって、
それぞれが情報の1以上の下位ページを含む、1以上の下位ストライプを書き込むように、および
前記情報の1以上の上位ページを含む上位ストライプを書き込むように構成され、前記1以上の上位ページのそれぞれが、前記1以上の下位ページのそれぞれ1つに対応し、前記1以上の上位ページのうちのそれぞれ1つに対応する前記1以上の下位ページのそれぞれが、前記1以上の下位ストライプの異なる下位ストライプにプログラムされる、
メモリコントローラと、
を備える、メモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、前記複数のチャネルのうちの異なる1つにわたって、前記1以上の下位ページストライプのうちの特定の1つの中の前記1以上の下位ページのそれぞれをプログラムするように構成される、請求項10に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、前記複数のチャネルのうちの異なる1つにわたって、前記上位ストライプの中の前記1以上の上位ページのそれぞれをプログラムするように構成される、請求項10に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、前記1以上の上位ページに対応する前記1以上の下位ページのそれぞれを、別個のストライピング操作の一部として、前記1以上の下位ストライプの異なる下位ストライプにプログラムするように構成される、請求項10に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、ホストインターフェースに連結され、前記メモリコントローラは、前記ホストインターフェースから情報を受け取り、前記情報を、前記複数のチャネルにわたって前記1以上のメモリデバイスにストライピングするように構成される、請求項10に記載のメモリシステム。
- ストライプサイズは、前記1以上の下位ストライプおよび前記下位ストライプがそのチャネルにわたって書き込まれる、1以上の前記複数のチャネルを備え前記メモリコントローラは、プログラム可能なオプションとして前記ストライプサイズを制御するように構成される、請求項10〜14のいずれか1項に記載のメモリシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/872,969 US8417877B2 (en) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | Stripe-based non-volatile multilevel memory operation |
US12/872,969 | 2010-08-31 | ||
PCT/US2011/001519 WO2012030388A2 (en) | 2010-08-31 | 2011-08-29 | Stripe-based non-volatile multilevel memory operation |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014054794A Division JP5853040B2 (ja) | 2010-08-31 | 2014-03-18 | ストライプに基づく不揮発性多値メモリ操作 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013536959A JP2013536959A (ja) | 2013-09-26 |
JP5516924B2 true JP5516924B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=45698661
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013525900A Active JP5516924B2 (ja) | 2010-08-31 | 2011-08-29 | ストライプに基づく不揮発性多値メモリ操作 |
JP2014054794A Active JP5853040B2 (ja) | 2010-08-31 | 2014-03-18 | ストライプに基づく不揮発性多値メモリ操作 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014054794A Active JP5853040B2 (ja) | 2010-08-31 | 2014-03-18 | ストライプに基づく不揮発性多値メモリ操作 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8417877B2 (ja) |
EP (2) | EP3091438B1 (ja) |
JP (2) | JP5516924B2 (ja) |
KR (1) | KR101405741B1 (ja) |
CN (1) | CN103119569B (ja) |
TW (1) | TWI436213B (ja) |
WO (1) | WO2012030388A2 (ja) |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5367686B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2013-12-11 | 株式会社東芝 | データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法 |
US8694855B1 (en) | 2011-11-02 | 2014-04-08 | Pmc-Sierra Us, Inc. | Error correction code technique for improving read stress endurance |
US8694849B1 (en) * | 2011-12-19 | 2014-04-08 | Pmc-Sierra Us, Inc. | Shuffler error correction code system and method |
US20140219021A1 (en) * | 2013-02-07 | 2014-08-07 | Seagate Technology Llc | Data protection for unexpected power loss |
US8862818B1 (en) * | 2012-09-27 | 2014-10-14 | Emc Corporation | Handling partial stripe writes in log-structured storage |
US9847139B2 (en) | 2012-10-01 | 2017-12-19 | Seagate Technology Llp | Flash channel parameter management with read scrub |
JP2014102610A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 記録装置及び記録方法 |
US8995302B1 (en) | 2013-01-16 | 2015-03-31 | Pmc-Sierra Us, Inc. | Method and apparatus for translated routing in an interconnect switch |
US9652376B2 (en) | 2013-01-28 | 2017-05-16 | Radian Memory Systems, Inc. | Cooperative flash memory control |
US10445229B1 (en) | 2013-01-28 | 2019-10-15 | Radian Memory Systems, Inc. | Memory controller with at least one address segment defined for which data is striped across flash memory dies, with a common address offset being used to obtain physical addresses for the data in each of the dies |
US11249652B1 (en) | 2013-01-28 | 2022-02-15 | Radian Memory Systems, Inc. | Maintenance of nonvolatile memory on host selected namespaces by a common memory controller |
US9092353B1 (en) | 2013-01-29 | 2015-07-28 | Pmc-Sierra Us, Inc. | Apparatus and method based on LDPC codes for adjusting a correctable raw bit error rate limit in a memory system |
US9128858B1 (en) | 2013-01-29 | 2015-09-08 | Pmc-Sierra Us, Inc. | Apparatus and method for adjusting a correctable raw bit error rate limit in a memory system using strong log-likelihood (LLR) values |
US9813080B1 (en) | 2013-03-05 | 2017-11-07 | Microsemi Solutions (U.S.), Inc. | Layer specific LDPC decoder |
US10230396B1 (en) | 2013-03-05 | 2019-03-12 | Microsemi Solutions (Us), Inc. | Method and apparatus for layer-specific LDPC decoding |
US8990661B1 (en) | 2013-03-05 | 2015-03-24 | Pmc-Sierra Us, Inc. | Layer specific attenuation factor LDPC decoder |
US9397701B1 (en) | 2013-03-11 | 2016-07-19 | Microsemi Storage Solutions (Us), Inc. | System and method for lifetime specific LDPC decoding |
US8935598B1 (en) | 2013-03-12 | 2015-01-13 | Pmc-Sierra Us, Inc. | System and method for adaptive check node approximation in LDPC decoding |
US8984376B1 (en) | 2013-03-14 | 2015-03-17 | Pmc-Sierra Us, Inc. | System and method for avoiding error mechanisms in layered iterative decoding |
US8984365B1 (en) | 2013-03-14 | 2015-03-17 | Pmc-Sierra Us, Inc. | System and method for reduced memory storage in LDPC decoding |
US9454414B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-09-27 | Microsemi Storage Solutions (Us), Inc. | System and method for accumulating soft information in LDPC decoding |
US9450610B1 (en) | 2013-03-15 | 2016-09-20 | Microsemi Storage Solutions (Us), Inc. | High quality log likelihood ratios determined using two-index look-up table |
US9235467B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-12 | Pmc-Sierra Us, Inc. | System and method with reference voltage partitioning for low density parity check decoding |
US9590656B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-03-07 | Microsemi Storage Solutions (Us), Inc. | System and method for higher quality log likelihood ratios in LDPC decoding |
US9262268B2 (en) * | 2013-12-20 | 2016-02-16 | Seagate Technology Llc | Method to distribute user data and error correction data over different page types by leveraging error rate variations |
US9690489B2 (en) * | 2014-03-08 | 2017-06-27 | Storart Technology Co. Ltd. | Method for improving access performance of a non-volatile storage device |
US9455020B2 (en) | 2014-06-05 | 2016-09-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing an exclusive or operation using sensing circuitry |
US9704540B2 (en) | 2014-06-05 | 2017-07-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for parity determination using sensing circuitry |
US9417804B2 (en) | 2014-07-07 | 2016-08-16 | Microsemi Storage Solutions (Us), Inc. | System and method for memory block pool wear leveling |
US9542118B1 (en) | 2014-09-09 | 2017-01-10 | Radian Memory Systems, Inc. | Expositive flash memory control |
TWI557560B (zh) * | 2015-02-12 | 2016-11-11 | 慧榮科技股份有限公司 | 資料儲存裝置以及資料讀取方法 |
US10332613B1 (en) | 2015-05-18 | 2019-06-25 | Microsemi Solutions (Us), Inc. | Nonvolatile memory system with retention monitor |
US9687002B2 (en) | 2015-05-21 | 2017-06-27 | IndusCo, Ltd. | Botanical antimicrobial microemulsions (BAMM) |
US9690517B2 (en) * | 2015-05-22 | 2017-06-27 | Texas Instruments Incorporated | Dual-mode error-correction code/write-once memory codec |
US9766837B2 (en) | 2015-06-10 | 2017-09-19 | Micron Technology, Inc. | Stripe mapping in memory |
US10552058B1 (en) | 2015-07-17 | 2020-02-04 | Radian Memory Systems, Inc. | Techniques for delegating data processing to a cooperative memory controller |
US9799405B1 (en) | 2015-07-29 | 2017-10-24 | Ip Gem Group, Llc | Nonvolatile memory system with read circuit for performing reads using threshold voltage shift read instruction |
US9530491B1 (en) * | 2015-11-16 | 2016-12-27 | Sandisk Technologies Llc | System and method for direct write to MLC memory |
US9886214B2 (en) | 2015-12-11 | 2018-02-06 | Ip Gem Group, Llc | Nonvolatile memory system with erase suspend circuit and method for erase suspend management |
US9892794B2 (en) | 2016-01-04 | 2018-02-13 | Ip Gem Group, Llc | Method and apparatus with program suspend using test mode |
US9899092B2 (en) | 2016-01-27 | 2018-02-20 | Ip Gem Group, Llc | Nonvolatile memory system with program step manager and method for program step management |
US10157677B2 (en) | 2016-07-28 | 2018-12-18 | Ip Gem Group, Llc | Background reference positioning and local reference positioning using threshold voltage shift read |
US10291263B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-05-14 | Ip Gem Group, Llc | Auto-learning log likelihood ratio |
US10236915B2 (en) | 2016-07-29 | 2019-03-19 | Microsemi Solutions (U.S.), Inc. | Variable T BCH encoding |
CN108877862B (zh) * | 2017-05-10 | 2021-10-08 | 北京忆芯科技有限公司 | 页条带的数据组织以及向页条带写入数据的方法与装置 |
US11221958B2 (en) | 2017-08-29 | 2022-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | System and method for LBA-based RAID |
CN108710579A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-10-26 | 江苏华存电子科技有限公司 | 一种超过寻址空间大容量的管理方法 |
US10977181B2 (en) | 2019-07-10 | 2021-04-13 | International Business Machines Corporation | Data placement in write cache architecture supporting read heat data separation |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1415140A (en) | 1922-05-09 | Pneumatic tire | ||
US6434576B1 (en) * | 1999-08-19 | 2002-08-13 | Sun Microsystems, Inc. | Popular-object handling in a train-algorithm-based garbage collector |
US6732230B1 (en) | 1999-10-20 | 2004-05-04 | Lsi Logic Corporation | Method of automatically migrating information from a source to an assemblage of structured data carriers and associated system and assemblage of data carriers |
US20020156971A1 (en) | 2001-04-19 | 2002-10-24 | International Business Machines Corporation | Method, apparatus, and program for providing hybrid disk mirroring and striping |
US6742081B2 (en) | 2001-04-30 | 2004-05-25 | Sun Microsystems, Inc. | Data storage array employing block checksums and dynamic striping |
US7380157B2 (en) | 2004-10-27 | 2008-05-27 | Pillar Data Systems, Inc. | Staggered writing for data storage systems |
US8200887B2 (en) * | 2007-03-29 | 2012-06-12 | Violin Memory, Inc. | Memory management system and method |
KR100666174B1 (ko) | 2005-04-27 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 3-레벨 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 이에 대한구동방법 |
US7852761B2 (en) | 2006-09-07 | 2010-12-14 | Sap Ag | Duty cycle control for networks of nodes |
US7551482B2 (en) * | 2006-12-27 | 2009-06-23 | Sandisk Corporation | Method for programming with initial programming voltage based on trial |
US7701765B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile multilevel memory cell programming |
US20100325342A1 (en) | 2007-07-20 | 2010-12-23 | Panasonic Corporation | Memory controller and nonvolatile storage device using same |
US7873803B2 (en) * | 2007-09-25 | 2011-01-18 | Sandisk Corporation | Nonvolatile memory with self recovery |
US8301912B2 (en) * | 2007-12-31 | 2012-10-30 | Sandisk Technologies Inc. | System, method and memory device providing data scrambling compatible with on-chip copy operation |
US20090172335A1 (en) | 2007-12-31 | 2009-07-02 | Anand Krishnamurthi Kulkarni | Flash devices with raid |
TWI373045B (en) | 2008-01-07 | 2012-09-21 | Phison Electronics Corp | Flash memory storage apparatus, flash memory controller and switching method thereof |
CN101499315B (zh) * | 2008-01-30 | 2011-11-23 | 群联电子股份有限公司 | 快闪存储器平均磨损方法及其控制器 |
WO2009114618A2 (en) * | 2008-03-11 | 2009-09-17 | Agere Systems Inc. | Methods and apparatus for storing data in a multi-level cell flash memory device with cross-page sectors, multi-page coding and per-page coding |
WO2009139115A1 (ja) | 2008-05-12 | 2009-11-19 | パナソニック株式会社 | 半導体記録装置 |
JP2010020648A (ja) * | 2008-07-12 | 2010-01-28 | Hitachi Ulsi Systems Co Ltd | 記憶装置 |
JP2010020715A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 半導体メモリコントローラおよび半導体メモリシステム |
US20100017650A1 (en) * | 2008-07-19 | 2010-01-21 | Nanostar Corporation, U.S.A | Non-volatile memory data storage system with reliability management |
KR101541736B1 (ko) | 2008-09-22 | 2015-08-04 | 삼성전자주식회사 | 멀티-레벨 셀 플래시 메모리 장치에서의 lsb 페이지 복구 방법 |
US7852671B2 (en) | 2008-10-30 | 2010-12-14 | Micron Technology, Inc. | Data path for multi-level cell memory, methods for storing and methods for utilizing a memory array |
KR20100050789A (ko) | 2008-11-06 | 2010-05-14 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
JP4551958B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2010-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法 |
JP4439578B1 (ja) * | 2008-12-24 | 2010-03-24 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリドライブ装置および不揮発性半導体メモリドライブ装置のデータ管理方法 |
TWI385527B (zh) | 2009-02-10 | 2013-02-11 | Phison Electronics Corp | Mlc nand型快閃記憶體儲存系統及其控制器與存取方法 |
US8566508B2 (en) * | 2009-04-08 | 2013-10-22 | Google Inc. | RAID configuration in a flash memory data storage device |
US7818525B1 (en) * | 2009-08-12 | 2010-10-19 | Texas Memory Systems, Inc. | Efficient reduction of read disturb errors in NAND FLASH memory |
JP2011044200A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4956593B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2012-06-20 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
JP5789767B2 (ja) * | 2009-11-25 | 2015-10-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体記録装置及び半導体記録装置の制御方法 |
US8589766B2 (en) * | 2010-02-24 | 2013-11-19 | Apple Inc. | Codeword remapping schemes for non-volatile memories |
US8365041B2 (en) | 2010-03-17 | 2013-01-29 | Sandisk Enterprise Ip Llc | MLC self-raid flash data protection scheme |
TWI447739B (zh) * | 2010-03-22 | 2014-08-01 | Phison Electronics Corp | 錯誤校正方法、記憶體控制器與儲存系統 |
US8489979B2 (en) * | 2010-05-28 | 2013-07-16 | Seagate Technology Llc | Methods and devices to reduce outer code failure rate variability |
US8832507B2 (en) * | 2010-08-23 | 2014-09-09 | Apple Inc. | Systems and methods for generating dynamic super blocks |
-
2010
- 2010-08-31 US US12/872,969 patent/US8417877B2/en active Active
-
2011
- 2011-08-29 EP EP16020183.6A patent/EP3091438B1/en active Active
- 2011-08-29 CN CN201180045520.9A patent/CN103119569B/zh active Active
- 2011-08-29 WO PCT/US2011/001519 patent/WO2012030388A2/en active Application Filing
- 2011-08-29 KR KR1020137006627A patent/KR101405741B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-29 JP JP2013525900A patent/JP5516924B2/ja active Active
- 2011-08-29 EP EP11822248.8A patent/EP2612247B1/en active Active
- 2011-08-31 TW TW100131344A patent/TWI436213B/zh active
-
2013
- 2013-04-09 US US13/859,445 patent/US9235503B2/en active Active
-
2014
- 2014-03-18 JP JP2014054794A patent/JP5853040B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120054413A1 (en) | 2012-03-01 |
US20130339580A1 (en) | 2013-12-19 |
TWI436213B (zh) | 2014-05-01 |
CN103119569A (zh) | 2013-05-22 |
EP3091438B1 (en) | 2018-01-31 |
KR20130041341A (ko) | 2013-04-24 |
WO2012030388A2 (en) | 2012-03-08 |
EP3091438A1 (en) | 2016-11-09 |
US8417877B2 (en) | 2013-04-09 |
EP2612247B1 (en) | 2016-06-08 |
JP5853040B2 (ja) | 2016-02-09 |
US9235503B2 (en) | 2016-01-12 |
EP2612247A2 (en) | 2013-07-10 |
TW201229757A (en) | 2012-07-16 |
JP2014160478A (ja) | 2014-09-04 |
KR101405741B1 (ko) | 2014-06-10 |
CN103119569B (zh) | 2016-08-31 |
JP2013536959A (ja) | 2013-09-26 |
WO2012030388A3 (en) | 2012-05-24 |
EP2612247A4 (en) | 2015-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5853040B2 (ja) | ストライプに基づく不揮発性多値メモリ操作 | |
US11042441B2 (en) | Stripe mapping in memory | |
US9298545B2 (en) | Data protection across multiple memory blocks | |
US8977813B2 (en) | Implementing RAID in solid state memory | |
US8266501B2 (en) | Stripe based memory operation | |
US20110099458A1 (en) | Error detection/correction based memory management | |
JP5908106B2 (ja) | 妥当性マスクを記憶する装置および方法ならびに操作装置 | |
US10990476B2 (en) | Memory controller and method of operating the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140318 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5516924 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |