JP2010020715A - 半導体メモリコントローラおよび半導体メモリシステム - Google Patents
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Abstract
【課題】書き込み速度の速い半導体メモリコントローラ2、および半導体メモリシステム1を提供する。
【解決手段】1個のメモリセルに2ビットデータを記憶可能な多数のメモリセルから構成されている2つのチップ21、22からなる半導体メモリ部20に、メモリインターリーブ方式によりデータを書き込むプログラムを制御する、半導体メモリコントローラ2において、書き込みプログラムが、プログラム時間の異なるUpperページ書き込みプログラムとLowerページ書き込みプログラムから構成されており、一のチップのUpperページおよびLowerページ書き込みプログラムの実行の後に、他のチップのUpperページおよびLowerページ書き込みプログラムを実行する。
【選択図】図5
【解決手段】1個のメモリセルに2ビットデータを記憶可能な多数のメモリセルから構成されている2つのチップ21、22からなる半導体メモリ部20に、メモリインターリーブ方式によりデータを書き込むプログラムを制御する、半導体メモリコントローラ2において、書き込みプログラムが、プログラム時間の異なるUpperページ書き込みプログラムとLowerページ書き込みプログラムから構成されており、一のチップのUpperページおよびLowerページ書き込みプログラムの実行の後に、他のチップのUpperページおよびLowerページ書き込みプログラムを実行する。
【選択図】図5
Description
本発明は、1個のメモリセルに複数ビットデータを記憶可能な半導体メモリ部にメモリインターリーブ方式でプログラムする半導体メモリコントローラおよび1個のメモリセルに複数ビットデータを記憶可能な半導体メモリ部にメモリインターリーブ方式でプログラムする半導体メモリコントローラを有する半導体メモリシステムに関する。
近年、不揮発性半導体メモリシステムであるフラッシュメモリ装置は、電気的にデータの書き換えが可能で、かつ電源を切った状態でもデータを保持することができるためデジタルカメラ等のホストデバイスの外部記憶装置およびコンピュータシステムの起動用メモリシステム等として普及している。
中でも、大容量化と低コスト化を実現した不揮発性半導体メモリシステムとして、NAND型フラッシュメモリ装置がある。NAND型フラッシュメモリは、半導体メモリ部のメモリセルの電荷蓄積層に絶縁膜を介して注入した電荷をデジタルビットの情報として用い、その電荷量に応じたトランジスタの閾値電圧の違いを測定し、情報を読み出す。
そして、更なる大容量化と低コスト化を実現するために、1つのメモリセルに2ビット以上のデータを格納する多値技術を用いたNAND型フラッシュメモリ装置、いわゆる多値フラッシュメモリ装置(以下、「多値メモリ」ともいう。)、の研究開発が盛んに行われている。例えば、特開2001−93288号公報には、1つのメモリセルに4つの異なる閾値電圧を有する2ビットデータの記録が可能な半導体メモリシステムが開示されている。
一方、半導体メモリシステムのアクセス速度向上のための手法として、メモリインターリーブ方式が知られている。メモリインターリーブ方式では、複数のメモリチップに対して同時並行的にプログラムすることでデータ転送速度を向上している。例えば、特開2007−334863号公報には、2個のメモリチップを用いてインターリーブ方式でアクセスするフラッシュメモリシステムが開示されている。
ここで、多値フラッシュメモリでは、データのメモリセルへデータを書き込むプログラム動作が早くはないという問題があった。このため、多値フラッシュメモリにインターリーブ方式のプログラムを用いることが検討されている。そして、より、書き込み速度の速い、半導体メモリコントローラおよび半導体メモリシステム、が求められている。
特開2001−93288号公報
特開2007−334863号公報
本発明は、書き込み速度の速い半導体メモリコントローラ、および書き込み速度の速い半導体メモリシステム、を提供することを目的とする。
本願発明の一態様によれば、それぞれのチップが、1個のメモリセルにNビットデータ(但しNは2以上の整数)を記憶可能な多数のメモリセルから構成される、複数のチップからなる半導体メモリ部に、メモリインターリーブ方式により、データを書き込むプログラムを制御する、半導体メモリコントローラにおいて、Nビットデータの書き込みプログラムが、N種類のプログラム時間の異なるページへの書き込みプログラムから構成されており、一のチップのメモリセルへのN種類全てのページへの書き込みプログラムの実行後に、他の一のチップのメモリセルへのN種類の全てのページへの書き込みプログラムを実行することを特徴とする半導体メモリコントローラが提供される。
本発明は書き込み速度の速い半導体メモリコントローラ、および書き込み速度の速い半導体メモリシステム、を提供するものである。
<第1の実施の形態>
以下、本発明の第1の実施の形態の半導体メモリシステム1について図面を参照して説明する。
図1は、第1の実施の形態の半導体メモリシステム(Memory System、以下「メモリシステム」ともいう。)1の構成を示す構成図である。メモリシステム1は、接続されたホスト3のデータを記憶する半導体メモリ部(以下、「メモリ部」ともいう。)20と、メモリ部20にデータを書き込むプログラムを制御する半導体メモリコントローラ(Memory Controller、以下「メモリコントローラ」ともいう。)2とを有している。メモリ部20は、チップ0(21)とチップ1(22)の、2個のチップから構成されている。そして、それぞれのチップ21および22が、1個のNAND型フラッシュメモリのメモリセルにNビットデータ(但しNは2以上の整数)を記憶可能な多数のメモリセルから構成されている。
以下、本発明の第1の実施の形態の半導体メモリシステム1について図面を参照して説明する。
図1は、第1の実施の形態の半導体メモリシステム(Memory System、以下「メモリシステム」ともいう。)1の構成を示す構成図である。メモリシステム1は、接続されたホスト3のデータを記憶する半導体メモリ部(以下、「メモリ部」ともいう。)20と、メモリ部20にデータを書き込むプログラムを制御する半導体メモリコントローラ(Memory Controller、以下「メモリコントローラ」ともいう。)2とを有している。メモリ部20は、チップ0(21)とチップ1(22)の、2個のチップから構成されている。そして、それぞれのチップ21および22が、1個のNAND型フラッシュメモリのメモリセルにNビットデータ(但しNは2以上の整数)を記憶可能な多数のメモリセルから構成されている。
メモリコントローラ2は、全体の制御を行うCPU14と、ホスト3とのインターフェイス制御モジュール(HOST I/F)15と、メモリ部20とのインターフェイス制御モジュール(NAND I/F)19と、クロック制御モジュール(CLCK)11と、リセット制御モジュール(RSTC)12と、バス制御モジュール(BUSC)13と、誤り訂正回路(ECC)17と、バッファメモリ(Buffer)18と、メモリ制御モジュールおよびRAMであるMEMMOD16とを有している。
そして、メモリコントローラ2はメモリ部20のチップ0(21)とは、メモリデータバス23と、選択信号線25と、Ready/Busy信号線26とにより接続されている。また、メモリコントローラ2はメモリ部20のチップ1(22)とは、メモリデータバス24と、選択信号線27と、Ready/Busy信号線28とにより接続されている。このため、メモリコントローラ2は、チップ0(21)およびチップ1(22)に対して同時並行的にアクセスする、言い換えれば、プログラムするメモリインターリーブ方式に対応している。ここで、選択信号線25は、チップ0に選択信号(Chip Enable)を、選択信号線27は、チップ1に選択信号(Chip Enable)を、送信するために、メモリインターリーブ方式においては不可欠である。同様にチップがBusyか、ReadyかをモニタするReady/Busy信号も、メモリインターリーブ方式においては、それぞれのチップに不可欠である。
なお、図1においては、メモリデータバス23とメモリデータバス24とが、それぞれNAND I/F19と接続しているが、途中から共通のデータバスとしてNAND I/F19と接続していてもよい。
次に、図2を用いて多値メモリにおける、書き込みデータと閾値電圧との関係を説明する。図2は、多値メモリにおける、書き込みデータと閾値電圧との関係を説明するための説明図であり、横軸は閾値電圧Vtを示し、縦軸はメモリセルの出現頻度を示している。図2に示すメモリセルでは、2ビットのデータが、4つの状態「0」、「1」、「2」、「3」に対応しており、それぞれの状態がメモリセルの閾値電圧の低い方から高い方へと順に定義されている例を示している。すなわち、状態「0」がデータ(11)に対応しており、状態「1」がデータ(10)に対応しており、状態「2」がデータ(00)に対応しており、状態「3」がデータ(01)に対応している。なお、消去状態ではメモリセルは状態「0」である。
メモリシステム1では、ひとつのメモリセルに2ビットのデータを書き込むために、データは、第1のページのデータと、第2のページのデータとに分けられ、第1のページおよび第2のページのデータが順に1つのメモリセルに書き込みされる、すなわち、最初に、第1のページ書き込みプログラムが実行され(以下、単に「プログラムされ」ともいう。)、次に、第2のページ書き込みプログラムが実行され、メモリセルの閾値電圧が高い方に移動する。以下、第1のページを「Lowerページまたはローヤページ」、第2のページを「Upperページまたはアッパページ」ともいう。
LowerページまたはUpperページの書き込みデータが「1」である場合、書き込みプログラムによりメモリセルの閾値電圧は変化しない。すなわち、データの書き込みが行われない。また、LowerページまたはUpperページへの書き込みデータが「0」である場合、書き込みプログラムによりメモリセルの閾値電圧が変化する。すなわち、データの書き込みが行われる。
以下、図2を用いて2ビットデータの書き込みプログラムについて、より詳細に説明する。消去状態のメモリセルは、状態「0」である。そして、図2、S0に示すように、データが(1)のLowerページのデータがメモリセルに書き込まれても、メモリセルは状態「0」のままである。これに対して、図2、S1に示すように、Lowerページのデータが(0)の場合には、メモリセルは状態「1」になる。
次に、Upperページのデータが書き込まれる。図2、S2に示すように、Lowerページの書き込みにより、状態「1」になっているメモリセルに対して、外部からデータ(0)が供給された場合、メモリセルは状態「3」となる。また、図2、S3に示すように、Lowerページの書き込み後に状態「0」のままのメモリセルに対して、外部からデータ(0)が供給された場合、メモリセルは状態「2」となる。そして、図2、S4に示すように、Lowerページの書き込みにより、状態「1」になっているメモリセルに対して、外部からデータ(1)が供給された場合、メモリセルは状態「1」のままである。また、図2、S5に示すように、Lowerページの書き込み後、状態「0」のままのメモリセルに対して、外部からデータ(1)が供給された場合、メモリセルは状態「0」のままである。なお、図2において、データ(XY)は、第1のページのデータが(Y)で、第2のページのデータが(X)であることを示している。
ここで、多値メモリでは、書き込みデータに応じてメモリセルの閾値電圧を正確に制御する必要がある。メモリセルへの書き込みでは、レベルを超えてしまうオーバープログラムの懸念があるため、電圧を少しずつ上げながら書き込むプログラムと、ベリファイを何度も繰り返すステップアップ書き込み法が用いられる。
そして、第1ページの書き込みプログラムでは、最初に、外部から第1ページのデータが入力される。そしてデータに応じた閾値電圧となるようにメモリセルに電圧が印加される電圧動作が行われる。そして、メモリセルが正しい閾値電圧になっているかを確認するベリファイリード動作が行われる。ステップアップ書き込み方法においては、徐々に電圧を上げながら電圧を印加する電圧動作と、メモリセルが正しい閾値電圧になっているかを確認するベリファイリード動作とが繰り返し行われる。
これに対して、Upperページプログラムでは、Upperページのデータを書き込む前に、メモリセルが状態「0」であるか、または、状態「1」であるかを調べ、記憶しておくため、内部データロードが行われる。その後、Lowerページの書き込みプログラムと同様に、徐々に電圧を上げながら電圧を印加する電圧動作と、メモリセルが正しい閾値電圧になっているかを確認するベリファイリード動作とが繰り返し行われる。
以上の説明のように、Upperページへの書き込みプログラム動作は、Lowerページへの書き込みプログラム動作よりも複雑であるため、プログラム時間が長くなる。例えば、Lowerページへの書き込みプログラム時間をTD2Lとすると、Upperページへの書き込みプログラム時間は、3TD2Lと3倍程度となる。
ここで、外部からのデータ転送速度に対して、半導体メモリ装置内での処理速度が遅いためレイテンシ(遅延)と呼ばれる時間差が生じる問題点に対して、書き込み性能を向上する方法として、メモリインターリーブ方式がある。
しかし、すでに説明したように、2ビットデータを記憶可能な多値メモリセルを有するメモリシステムでは、半導体メモリ部に、データを書き込むプログラムは、プログラム時間の短いLowerページとプログラム時間の長いUpperページの2種類のプログラム時間の異なるページへの書き込みプログラムから構成されている。すなわち、Nビットデータ(但しNは2以上の整数)を記憶可能な多値メモリセルを有するメモリシステムにおいては、N種類のプログラム時間の異なるページへの書き込みプログラムから構成されている。
ここで、図3および図4を用いて、公知の2ビットデータを記憶可能な多値メモリセルを有するメモリシステムにおけるメモリインターリーブ方式による書き込みプログラムについて説明する。図3は、公知のメモリシステムにおけるメモリインターリーブ方式による書き込みを説明するための説明図であり、図4は公知のメモリシステムにおけるメモリインターリーブ方式による書き込みプログラムのタイミングチャートである。なお、タイミングチャートにおいて横軸は時間を示すが、図示を明確にするため、時間の絶対値ではない。
図3に示すように、2チップから構成されているメモリ部を有する公知のメモリシステムにおいては、チップ0とチップ1に1pageごと交互に書き込み処理を実行していた。すなわち、図4に示すように、T1〜T2に示すチップ0のLowerページのデータ転送(Data In)、T2〜T3に示すチップ1のLowerページのデータ転送、T3〜T4に示すチップ0のUpperページのデータ転送、T4〜T5に示すチップ1のUpperページのデータ転送を行い、それぞれのデータ転送完了後に書き込みプログラムを実行していた。すなわち、チップ0のbusy中に、チップ1にData Inしチップ1のプログラムを開始し、次に、チップ1のbusy中に、チップ0にData Inし、チップ0のプログラム開始を続けていた。言い換えれば、公知のメモリシステムでは、一のチップのメモリセルへの、一の種類のページへの書き込みプログラムの実行後に、他の一の前記チップの前記メモリセルの同じ前記一の種類のページへの書き込みプログラムを実行し、次に、別の種類のページへの書き込みプログラムを実行していた。
上記の公知のメモリシステムでは、チップ0とチップ1のUpperページのプログラムが同時に実行された際に、無駄になる時間WT0が発生していた。これは、すでに説明したように、Upper pageのプログラム時間3TD2Lが、Lower pageのプログラム時間TD2Lと異なり、TD2Lよりも長いことに起因する。
次に、図5および図6を用いて、本実施の形態のメモリコントローラ2のメモリインターリーブ方式による書き込みプログラムについて説明する。図5は、本実施の形態のメモリコントローラ2のメモリインターリーブ方式による書き込みを説明するための説明図であり、図6は本実施の形態のメモリコントローラ2のメモリインターリーブ方式による書き込みプログラムのタイミングチャートである。
図5に示すように、メモリシステム1においては、チップ0のメモリセルへの2種類のページへの書き込みプログラムの実行と、チップ1のメモリセルへの2種類のページへの書き込みプログラムの実行とを、メモリインターリーブ方式により実行する。すなわち、メモリシステム1においては、チップ0のLowerページへの書き込みプログラムおよびチップ0のUpperページへの書き込みプログラムの2種類の書き込みプログラムの実行後に、チップ1のLowerページへの書き込みプログラムおよびチップ1のUpperページへの書き込みプログラムの2種類の書き込みプログラムを、メモリインターリーブ方式により実行する。さらに言い換えれば、本実施の形態のメモリコントローラ2では、一の前記チップの前記メモリセルへの前記N種類全てのページへの書き込みプログラムの実行後に、他の一の前記チップの前記メモリセルへの前記N種類の全てのページへの書き込みプログラムを実行する。
メモリシステム1においては、図6、T1〜T2に示すチップ0のLower pageのData Inの後、T2においてLower pageの書き込みプログラムを開始し、Busy解除されるのを待って、T3において、チップ0のUpper pageのData Inを開始し、T4においてチップ0のUpper pageの書き込みプログラムを開始する。そして、メモリシステム1においては、T4において、チップ0の書き込みプログラムと同時並行して、チップ1のLower page のData Inを開始し、T5からチップ1のLower page の書き込みプログラムを開始する。そして、メモリシステム1においては、T6からチップ1のUpperページのData Inを開始し、T7からチップ1のUpperページの書き込みプログラムを開始する。
以上の説明のように、メモリコントローラ2は、それぞれのチップが、1個のメモリセルに2ビットデータを記憶可能な多数のメモリセルから構成されている、2個のチップからなる半導体メモリ部に、データを書き込むプログラムを制御する、メモリコントローラであって、2ビットデータの書き込みプログラムが、2種類のプログラム時間の異なるページへの書き込みプログラムから構成されており、一のチップのメモリセルへの2種類のページへの書き込みプログラムの実行と、他の一のチップのメモリセルへの2種類のページへの書き込みプログラムの実行とを、メモリインターリーブ方式により実行する。
メモリシステム1においては、Upper pageのプログラム時間中に、別のチップのLower pageへのData In、プログラムとUpper pageへのData Inが実行できるため、無駄となる時間WT3は、短い。なお、図6において、T2〜T3の間(WT1)および、T5〜T6の間(WT2)も無駄となる時間であるため、メモリシステム1においては、無駄となる時間は、WT1〜WT3を合計した時間である。
しかし、公知のメモリシステムにおける無駄時間WT0と比較すると、本実施の形態のメモリシステム1における無駄時間(WT1+WT2+WT3)は短い。このため、本実施の形態のメモリシステム1は、書き込み速度が速い。また、本実施の形態の半導体メモリコントローラ2は書き込み速度の速い半導体メモリシステム1を実現することができる。
<第2の実施の形態>
以下、本発明の第2の実施の形態の半導体メモリシステム101および半導体メモリコントローラ102について図面を参照して説明する。
図7は、第2の実施の形態の半導体メモリシステム(Memory System)101の構成を示す構成図である。本実施の形態の半導体メモリシステム101および半導体メモリコントローラ102は、第1の実施の形態の半導体メモリシステム1および半導体メモリコントローラ2と類似しているため同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。なお、図7においては、選択信号線およびReady/Busy信号線は図示していない。
以下、本発明の第2の実施の形態の半導体メモリシステム101および半導体メモリコントローラ102について図面を参照して説明する。
図7は、第2の実施の形態の半導体メモリシステム(Memory System)101の構成を示す構成図である。本実施の形態の半導体メモリシステム101および半導体メモリコントローラ102は、第1の実施の形態の半導体メモリシステム1および半導体メモリコントローラ2と類似しているため同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。なお、図7においては、選択信号線およびReady/Busy信号線は図示していない。
図7に示すように、本実施の形態の半導体メモリシステム101の基本的な構成は、半導体メモリシステム1と同様である。しかし、半導体メモリシステム101のメモリ部120を構成する2つのチップ121および122は、1個のメモリセルに3ビットデータを記憶可能な8値のメモリセルから構成されている。
半導体メモリシステム101では、ひとつのメモリセルに3ビットのデータを書き込むために、データは、第1のページのデータと、第2のページのデータと、第3のページのデータと、に分けられ、第1のページ、第2のページおよび第3のページのデータが順に1つのメモリセルに書き込みされる、すなわち、最初に、第1のページ書き込みプログラムが実行され、次に、第2のページ書き込みプログラムが実行され、最後に、第2のページ書き込みプログラムが実行され、それにより、メモリセルの閾値電圧が高い方に移動する。以下、第1のページを「Lowerページまたはローヤページ」、第2のページを「Middleページまたはミドルページ」、第3のページを「Upperページまたはアッパページ」ともいう。
それぞれの前記ページの書き込みプログラム時間は、Lower PageをTD3Lとすると、Middle Pageのプログラム時間TD3Mは約4×TD3L、Upper Pageのプログラム時間TD3Uは約15×TD3Lとなる。すなわち、半導体メモリシステム101においては、Upper Pageのプログラム時間が他のページと比較すると非常に長い。
次に、図8を用いて、本実施の形態のメモリコントローラ102の処理について説明する。図8は、本実施の形態のメモリコントローラ102のメモリインターリーブ方式による書き込みを説明するための説明図である。
図8に示すように、メモリコントローラ102は、最初にチップ0のLower Page、次にチップ0のMiddle Page、その次にチップ0のUpper Pageまで書き込みプログラムし、プログラム時間の最も長いUpper Pageまで行う、そして、その後、メモリコントローラ102は、チップ1の処理に切り替えて、チップ1のLower Page、チップ1のMiddle Page、チップ1のUpper Pageとプログラムを続ける。
すなわち、メモリコントローラ102は、それぞれのチップが、1個のメモリセルに3ビットデータを記憶可能な多数のメモリセルから構成されている、2個のチップ121、122からなるメモリ部120に、データを書き込むプログラムを制御する、半導体メモリコントローラ102であって、3ビットデータの書き込みプログラムが、3種類のプログラム時間の異なるページへの書き込みプログラムから構成されており、一のチップのメモリセルへの3種類のページへの書き込みプログラムの実行と、他の一のチップのメモリセルへの3種類のページへの書き込みプログラムの実行とを、メモリインターリーブ方式により実行する。
メモリシステム101においては、Upper pageのプログラム時間中に、別のチップのプログラムが実行できるため、無駄となる時間が短い。このため、本実施の形態のメモリシステム101は、書き込み速度が速い。また、本実施の形態のメモリコントローラ102は書き込み速度の速い半導体メモリシステム101を実現することができる。
また、本発明は、上述した実施の形態および変形例に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。
1…半導体メモリシステム
2…半導体メモリコントローラ
3…ホスト
20…半導体メモリ部
21、22…チップ
23、24…メモリデータバス
25…選択信号線
26…Ready/Busy信号線
27…選択信号線
28…Ready/Busy信号線
101…半導体メモリシステム
102…半導体メモリコントローラ
121、122…チップ
2…半導体メモリコントローラ
3…ホスト
20…半導体メモリ部
21、22…チップ
23、24…メモリデータバス
25…選択信号線
26…Ready/Busy信号線
27…選択信号線
28…Ready/Busy信号線
101…半導体メモリシステム
102…半導体メモリコントローラ
121、122…チップ
Claims (5)
- それぞれのチップが、1個のメモリセルにNビットデータ(但しNは2以上の整数)を記憶可能な多数のメモリセルから構成される、複数のチップからなる半導体メモリ部に、メモリインターリーブ方式により、データを書き込むプログラムを制御する、半導体メモリコントローラにおいて、
前記Nビットデータの前記書き込みプログラムが、N種類のプログラム時間の異なるページへの書き込みプログラムから構成されており、
一の前記チップの前記メモリセルへの前記N種類全てのページへの書き込みプログラムの実行後に、他の一の前記チップの前記メモリセルへの前記N種類の全てのページへの書き込みプログラムを実行することを特徴とする半導体メモリコントローラ。 - 前記複数のチップが、2個のチップであることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリコントローラ。
- 前記Nが、2または3であることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリコントローラ。
- 前記メモリセルが、NAND型フラッシュメモリセルであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体メモリコントローラ。
- 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の前記半導体メモリコントローラを有することを特徴とする半導体メモリシステム。
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CN (1) | CN101630289A (ja) |
TW (1) | TW201007462A (ja) |
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