JP5514617B2 - 薄膜光電変換モジュールの製造方法およびスクライブ装置 - Google Patents

Description

本発明は、薄膜光電変換モジュールの製造方法に関し、特には加工手段を用いて、薄膜に溝を形成する、所謂スクライブ工程を含む薄膜光電変換モジュールの製造方法、並びにスクライブ装置に関する。

昨今、光電変換モジュールの低コスト化、高効率化を両立するために、薄膜光電変換モジュールが注目されており、例えば、太陽電池、光センサ、ディスプレイなどの様々な用途向けに、開発が精力的に行われている。特に、薄膜光電変換モジュールの一つである太陽電池では、昨今の環境意識の高まりから市場が拡大する一方で、需要の高まりに伴い各社間の価格競争がますます激化しており、薄膜光電変換モジュールを低コストで製造することが一層求められている。これに伴い、薄膜光電変換モジュールの製造装置や製造方法についても低コスト化する必要があり、それらを実現するための生産効率の向上が求められている。

代表的な薄膜光電変換モジュールの構造の例を図１に示す。通常、薄膜光電変換モジュールは、透明導電層１１が積層された透明基板１０上に薄膜光電変換層１２と裏面電極層１３を具備しており、それらが多数のセル１６で直列接続された構造を有することが知られている。この薄膜光電変換モジュールを製造する工程の一つにスクライブ工程があり、透明導電層１１、光電変換層１２、裏面電極層１３に複数の溝１５ａ〜１５ｃを形成することで、多数のセル１６に分割し、電気的に直列接続を行なうことで、電圧を向上させ、薄膜光電変換モジュールの性能を向上させることを目的とした工程である。

またスクライブ工程には、加工手段に基づき、メカニカルスクライブやレーザースクライブに代表されるスクライブ方法が知られており、加工対象物である各層にて構成される材料等の加工条件に応じて、スクライブ方法が選定されうる。前記メカニカルスクライブは、加工手段としてニードル、ホイールが代表とされる機械的手段を用いて、加工対象物と加工手段を接触させることにより、スクライブすることを特徴とする。一方、レーザースクライブは、光学的手段であるレーザービームを加工対象物に照射することにより、スクライブすることを特徴とする。以下、レーザースクライブを例にとり、説明する。

レーザースクライブ工程では、一般的に図２に示すように、例えば、加工手段である加工ヘッド２１と、移動手段として代表されるガイドレール２２と、門型のガントリ２３と、基板２０ａを保持するための基板保持具２４と、レーザー発振器２５を搭載した装置を用いて、基板上に沿ってスクライブする。ガントリ２３は保持された基板と相対した位置に設置されており、レーザービーム１４を照射する加工用レーザーの対物レンズ（図示しない）が、取り付けられている。

通常、図２に示したような一般的なレーザースクライブ装置において、基板２０ａは、一枚ずつ装置内部に取り込まれ、位置調整の完了後に基板保持具２４により保持される。レーザー発振器２５より一定の周波数でパルス状に照射された、図３に示すビーム３０の焦点を加工対象物に当て、図２に示した基板２０ａあるいはガントリ２３に設置された加工ヘッド２１が、ガイドレール２２を用いて、基板ごとに加工区間上を複数回に渡り、一方向に例えば５０〜６０回の往復移動を繰り返すことにより、溝１５が形成される。この際、加工精度を満足する良好な加工状態を維持するためには、加工区間における同一の条件下での加工が必要とされる。特に単位面積当たりに照射されるパワーが重要なパラメータとなり、主として送り速度、出力、ビーム形状、周波数、パルス幅が当パラメータを支配することとなる。またスクライブに要する時間は、主として基板上に加工されるスクライブ本数による加工ヘッドの往復移動の回数、送り速度が支配することとなる。

特に、基板２０ａあるいは加工ヘッド２１がスクライブ方向（Ｙ）に移動する速度である「送り速度」は、良好な加工状態を維持するためには、図４に示す加工区間ＢＣにおいて一定速度に維持される必要がある。しかしながら、送り速度が一定速度となるように、図２に示した基板２０ａあるいは加工ヘッド２１を移動させようとしても、実際の加工開始前および加工終了後には、基板２０ａあるいは加工ヘッド２１を加速または減速しなければならず、そのための時間（以後、加減速時間とする）が必然的に生じることとなる。

またスクライブ溝は先述のように、基板２０ａあるいは加工ヘッド２１が複数回に渡り、往復移動をすることにより形成されるが、ここで「往復移動」とは、具体的には図４に示す基板端辺上の点Ｂから端辺上の点Ｃまでの加工区間ＢＣと、基板あるいは加工ヘッドのそれぞれ加速、減速に要する区間ＡＢ、ＣＤと、次スクライブ位置に移動する区間ＤＥと、前記区間ＡＤと同様、それぞれ加工、加速、減速に要する区間を有する、前記区間ＡＤとは逆方向の区間ＥＦを併せた移動（Ａ→Ｄ→Ｅ→Ｆ）のことを意味する。そのため、次スクライブ位置へ移動させるための、基板あるいは加工ヘッドをスクライブ方向に対して直角方向（以後、スクライブ直角方向（Ｘ）とする）に移動させる時間も必然的に要することとなる。

以上のことから、溝（スクライブ線）形成のための加工時間としては、ロス時間（加減速区間を見込んだ時間、次スクライブ位置への移動を見込んだ時間）を併せて、実際の加工時間として確保する必要がある。

全体のスクライブ工程に要する時間としては、図５に示すように、先述の「実際の加工時間」に加え、さらに基板の搬入および搬出時間、位置調整および位置調整解除の時間まで含む時間を確保しておく必要がある。

ところで近年、先述した通り、薄膜光電変換モジュールを大量かつ安価に製造することが求められており、製造に要する時間の短縮（タクト短縮ともいう）および製造コストの削減が求められている。

しかしながら、タクト短縮を目的に、レーザースクライブ工程における送り速度を増加させると、ビームがパルス状の照射のため、ビーム同士の重なりが所定の重なりに対して小さくなることで、単位面積当たりのパワーが低下する傾向がある。本来、各層同士の絶縁を確保する目的で、加工対象物へレーザービームによるパワーを当てて、各層を構成する材料を蒸発させ除去しているが、このパワーが低下すると、材料が蒸発しきれず、残存物が溝の側壁に付着したりする。例えば、透明導電層のスクライブの場合、スクライブ加工が不充分であると短絡を生じるといった加工不良が生じる場合がある。

上記の課題に対して、ビーム同士の重なりを所定の重なりにするために、パルスの周波数を増加させる策が挙げられるが、装置から照射されるビームが間欠的であり、１パルスに照射されるパワーが低下してしまうため、単位面積当たりのパワーが低下することで、同様に加工不良が生じる傾向がある。

そのような課題に対し、周波数および図２に示したレーザー発振器２５の出力の増加を実施することにより、タクト短縮の実現および加工不良を防止できる傾向があるが、発振器２５の出力の増加は、新たな発振器が必要となることもあり、その場合はコストアップを招く問題がある。

またタクト短縮を目的とした他の手法としては、装置台数を増加することや、スクライブ一回あたりのスクライブ本数を増加させるための加工ヘッド数を増加することが挙げられるが、いずれも、レーザー発振器等の光学機器部品を増加させる必要があるため、同様にコストアップを招くという問題がある。

さらにタクト短縮の手法としては、特許文献１では、透光性薄膜のレーザースクライブにおいて、複数枚の基板を所定の間隔を開けて基板面に垂直な上下方向に重ね合わせて配置する手法が記載されている。一台のレーザー発振器により発振されたビームが、各透明基板を照射し、通過したビームがミラーを介して再び基板に照射されることで、複数枚の基板を同時に加工し、タクト短縮および製造コスト削減による生産効率の向上が図られている。

特許文献２は、薄膜を有するもの、特には太陽電池のレーザースクライブに関し、タクト短縮を目的に、加工ヘッド数を増加させることなく、台数を増加させたレーザー発振器のパルス発生のタイミングを調整するＱスイッチを、一つのトリガー装置で制御することで、飛躍的に送り速度を増加させることが記載されている。

特許文献３では、薄膜太陽電池の製造において、穴または溝をレーザースクライブにて形成する際に、２焦点レンズを含むレーザー出力ヘッドを採用しており、一台のレーザー発振器より発振されたビームが、２焦点レンズによって２つのビームに分岐し、基板上に２列の穴または溝を同時に形成することで、タクト短縮および製造コスト削減による生産効率の向上が図られている。

特許第２８９５９７号公報 特開２０００−２０８７９８号公報 特開２００４−３３０２７１号公報

前記特許文献１では、複数枚の基板を基板面に垂直な上下方向に重ね合わせて、同時にスクライブすることでタクト短縮を実現することが開示されている。しかしながら、当該技術は必然的に透光性薄膜（透明導電層）のスクライブに限定されるものであり、光電変換層、裏面電極層のスクライブにおいては適用できない。また複数枚の基板の配置方法、位置調整方法においても、改善の余地がある。さらには加工区間外における、加工手段の次スクライブ位置への移動や、一定速度となるまでの加減速時間等（加工に寄与しない時間）の観点においては、タクト短縮の効果がない。以上のように光電変換層、裏面電極層のスクライブへの適用、基板の配置方法、位置調整方法、加工に寄与しない時間の短縮の点において、更なる改良が求められている。

前記特許文献２では、レーザー発振器台数の増加、それらの発振器のＱスイッチを制御するトリガー装置を用いて、送り速度アップによる加工区間内でのタクト短縮を実現することが開示されている。しかしながら、特許文献１と同様、加工手段の加工区間外における次スクライブ位置への移動や、一定速度となるまでの加減速時間等（加工に寄与しない時間）の観点においては、タクト短縮の効果がない。そのため、上記手法でのみではタクト短縮に限界があり、加工に寄与しない時間の短縮の点において、まだ改善の余地がある。

前記特許文献３では、２焦点レンズが用いられており、加工区間内でのタクト短縮を実現することが開示されている。しかしながら、特許文献１や特許文献２と同様、加工手段の加工区間外における次スクライブ位置への移動や、一定速度となるまでの加減速時間等（加工に寄与しない時間）の観点においては、タクト短縮の効果がない。そのため、上記手法でのみではタクト短縮に限界があり、加工に寄与しない時間の短縮の点において、まだ改善の余地がある。

そこで本発明は、上記課題に鑑み、薄膜光電変換モジュールのスクライブ工程における、タクト短縮および生産効率の向上を可能とする、薄膜光電変換モジュールの製造方法、並びにスクライブ装置を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記課題に基づき鋭意検討を行なった結果、基板を複数枚配置し、連続的にスクライブすることにより、前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明は、透明基板上に透明導電層、光電変換層、裏面電極層のいずれか一つ以上を備え、複数の薄膜光電変換セルが直列接続された薄膜光電変換モジュールの製造方法において、前記透明導電層、光電変換層、裏面電極層のいずれか一つの層を形成した後に、複数の基板をスクライブ方向に、基板面が略平行となるように並べて配置し、位置調整機構により基板ごとに基板の位置を調整し、レーザービームを照射する加工手段を用い、レーザビームの照射位置をスクライブ方向に直線移動させて前記レーザビームの照射位置を並べられた基板の内の一端側の基板から他端側の基板にかけて移動させることによって複数の基板を同じレーザビームによって連続的にスクライブすることを特徴とする、薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、前記位置調整機構が、基板の位置を調整するための基準点を位置検知手段で読取り、演算装置により算出された値に基づいて、基板の位置を調整する手段を有することを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、前記位置調整機構が、スクライブ方向に対して平行または直角の平面上の方向に、基板の位置を調整する手段を有することを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、前記位置調整機構が、回転により基板の位置を調整する手段を有することを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、前記の基板の位置を調整するための基準点が、マークであることを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、前記の基板の位置を調整するための基準点が、基板の略端辺上の点であることを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、複数の基板を、一定速度でスクライブすることを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、前記の加工手段もしくは基板が、移動手段により移動しながらスクライブすることを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、前記加工手段もしくは基板が、スクライブ方向に対して直角方向にも移動することを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、前記の加工手段もしくは基板が、スクライブ方向に対して、端部基板位置まで順方向に移動した後、スクライブ方向に対して直角方向に移動し、次いで前記順方向とは逆方向に移動することを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、前記加工手段が光学的手段により複数の基板をスクライブすることを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、前記加工手段が、レーザービーム照射機であることを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、前記移動手段がガイドレールを含むことを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、前記移動手段が、移動手段の位置を検出するためのスケールを含むことを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

好ましい実施態様は、前記位置検知手段が、移動手段に設置されていることを特徴とする、前記の薄膜光電変換モジュールの製造方法に関する。

本発明は、複数の基板を並べて配置できる載置テーブルと、基板の位置を検知可能な位置検知手段と、基板ごとに基板の位置を調整可能な複数の位置調整機構と、加工手段と、前記加工手段または基板を移動可能な移動手段を具備することを特徴とする、スクライブ装置に関する。

好ましい実施態様は、前記位置調整機構が、スクライブ方向に対して平行または直角の平面上の方向に、基板の位置を調整可能な手段を有することを特徴とする、前記のスクライブ装置に関する。

好ましい実施態様は、前記位置調整機構が、回転により基板の位置を調整可能な手段を有することを特徴とする、前記のスクライブ装置に関する。

好ましい実施態様は、前記位置調整機構が、基板の端部を挟み込むことが可能な手段を有することを特徴とする、前記のスクライブ装置に関する。

好ましい実施態様は、前記位置検知手段としてカメラを具備したことを特徴とする、前記のスクライブ装置に関する。

好ましい実施態様は、前記移動手段が、加工手段もしくは基板をスクライブ方向またはスクライブ方向に対して直角の平面上の方向に移動可能であることを特徴とする、前記のスクライブ装置に関する。

好ましい実施態様は、前記加工手段が、光学的手段により複数の基板をスクライブすることを特徴とする、前記のスクライブ装置に関する。

好ましい実施態様は、前記加工手段がレーザビーム照射機であることを特徴とする、前記のスクライブ装置に関する。

好ましい実施態様は、前記移動手段がガイドレールを含むことを特徴とする、前記のスクライブ装置に関する。

好ましい実施態様は、前記移動手段が、移動手段の位置を検出するためのスケールを含むことを特徴とする、前記のスクライブ装置に関する。

好ましい実施態様は、前記位置検知手段が、移動手段に設置されていることを特徴とする、前記のスクライブ装置に関する。

本発明の薄膜光電変換モジュールの製造方法やスクライブ装置を用いた場合は、装置内に複数の基板を配置し、連続的にスクライブすることにより、加工に寄与しない時間を削減でき、タクト短縮を実現することができる。また従来のタクト短縮の実現のための装置台数や各種部品の増加を避けることができ、生産効率を向上することができる。

一般的な薄膜光電変換モジュールの構造の断面図である。 従来の実施形態に係わるレーザースクライブ方法および装置の全体構成を示す概略図である。 一般的なレーザースクライブおける、溝の形成方法を示す概略図である。 従来の実施形態における、加工手段の移動を示す模式図である。 従来のレーザースクライブ工程に要する時間、およびそれらの構成を示す模式図である。 本発明の実施形態における、レーザースクライブ方法および装置の全体構成を示す概略図である。 本発明の実施形態における、基板マーク位置をスクライブ直角方向に配置した際のスクライブ線位置を示す模式図である。 本発明の実施形態における、基板マーク位置を示す模式図である。 図６に示すレーザースクライブ装置における、各基板周辺の全体構成を示す概略図である。 本発明の実施形態における、レーザースクライブ工程を示すフロー図である。 図６に示すレーザースクライブ装置における、各基板周辺の全体構成を示すＸＺ方向の模式図である。 本発明の実施形態における、基板位置のＸＹ方向のずれを示す模式図である。 本発明の実施形態における、基板位置のＸＹ平面方向のずれを示す模式図である。 本発明の実施形態における、加工手段の移動を示す模式図である。 本発明の関連発明の実施形態であって、加工手段としてニードルを具備する機構を示す概略図である。 本発明の関連発明の実施形態であって、加工手段としてホイールを具備する機構を示す概略図である。 本発明の実施形態における、レーザースクライブ工程に要する時間、およびそれらの構成を示す模式図である。

以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら詳細を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、各図面において、厚さや長さなどの寸法関係については図面の明瞭化と簡略化のため適宜変更されており、実際の寸法関係を表してはいない。また、各図面において、同一の参照符号は同一部分または相当部分を表している。

透明基板上に透明導電層１１、光電変換層１２、裏面電極層１３を備え、複数の薄膜光電変換セル１６が直列接続された薄膜光電変換モジュールの製造方法において、本発明の一態様では、透明導電層１１、光電変換層１２、裏面電極層１３のうち、いずれか一つの層を形成した後のスクライブ工程において、図６に示すように、一装置内に複数の基板２０ａ〜２０ｄを、スクライブ方向（Ｙ）に基板面が略平行となるように、また各基板間の距離６０が２００ｍｍ間隔となるように並べて載置テーブル６１上に配置し、位置調整機構６６により基板ごとに基板の位置を調整し、加工ヘッド２１からレーザービームを照射する加工手段を用いて複数の基板を連続的にスクライブする。

なお、後述する本発明の実施例では、図１に示した薄膜光電変換モジュールの各層には、透明導電層１１には酸化錫（ＳｎＯ₂）、光電変換層１２にはシリコン（Ｓｉ）、裏面電極層１３には銀（Ａｇ）を成分に有する金属材料から構成される材料を用いたが、それらの材料は限定されるものではない。また薄膜光電変換モジュールの構造は、図１に限定されるものではなく、例えば光電変換層、透明でない２つの電極層で構成されているようなモジュール構造でも良く、透明導電層、光電変換層、裏面電極層のいずれか一つ以上を備えていれば良い。なお、図６において配置した各基板間の距離６０は、上記の値に限定されない。

本発明においては、複数の基板を基板面が略平行となるように並べて配置するが、必ずしも複数の基板を基板面に対し完全に平行であるように配置する必要はなく、連続的なスクライブに問題の無い範囲で略平行に配置すればよい。例えば、加工手段が各基板面に追随する機能を有している場合は、基板面が平行でなくても連続的にスクライブできる。

上記の位置調整機構６６は、好適には、基板の位置を調整するための基準点を位置検知手段で読取り、演算装置により算出された値に基づいて、基板の位置を調整する手段を有しており、これによれば効果的に各基板の配置ずれを修正することができる。

より具体的には、図６においては、移動手段であるガイドレール２２に位置検知手段として基準点読取りカメラ６３を設置しており、これら複数の読取り用カメラ６３は、基板ごとの位置調整をするための基準点となるマーク６４を読み取ることができる。なお、基板位置調整用のマーク６４は、スクライブ線位置の精度を確保するため、各基板において、少なくともスクライブ方向（Ｙ）に沿って設置することが好ましい。その理由を以下に説明する。

マークを設置する位置を、例えば、図７のようにスクライブ直角方向（Ｘ）のみに配置した場合、透明導電層の溝１５ａと光電変換層の溝１５ｂと裏面電極層の溝１５ｃが、スクライブ方向（Ｙ）において、それぞれの溝同士が平行にスクライブ線を形成することができないこともある。すなわち、例えば図７に示すように、光電変換層の溝１５ｂ（破線）と裏面電極層の溝１５ｃ（実線）が平行に形成されない場合を例にとると、以下で説明するように複数の薄膜光電変換セル１６の形状に変化が生じることがある。

例えば、図７において、基板端辺６５ａ６５ｂを始点として、６５ａ→６５ｃの方向にスクライブ位置を移動させて順次溝を形成していく場合、薄膜光電変換セル１６の形状は、基板端辺６５ａ６５ｂ付近では、底辺が基板端辺６５ｂ６５ｄ側と比較して基板端辺６５ａ６５ｃ側に広がりをもつ台形のセルとなる。その後、薄膜光電変換セル１６の形状は基板中央の７０ａ７０ｂ付近では平行四辺形となり、さらに反対の基板端辺６５ｃ６５ｄ付近では、底辺が基板端辺６５ａ６５ｃ側と比較して基板端辺６５ｂ６５ｄ側に広がりをもつ台形のセルとなり、複数の薄膜光電変換セル１６間の形状において変化が生じることがある。

その結果、一の基板内においてセル面積が変化し、受光面積も変化することにより、薄膜光電変換モジュールの性能に影響を与える虞がある。薄膜光電変換モジュールの性能、例えば電流値は、最も性能が優れないセルに律速するため、薄膜光電変換セル１６の形状の変化によっては、結果的に薄膜光電変換モジュールの性能を低下させることがある。

また、前記の基板の位置を調整するための基準点となるマーク６４の形成は、前記の通りスクライブ方向（Ｙ）に沿って配置することに加えて、さらに好ましくはスクライブ直角方向（Ｘ）に配置するようにしても良い。図８に示すように、マーク６４ｃをマーク６４ａ、６４ｂに加えて、スクライブ直角方向（Ｘ）にも配置することで、溝（スクライブ線）の間隔の精度をより高めることが可能となる。例えば、装置内に搬入する基板が、光電変換層、裏面電極層を積層した直後の場合には、通常基板は高温であるため膨張している場合がある。そのような際、スクライブ直角方向（Ｘ）にもマーク６４ｃを配置することで、基板のスクライブ直角方向の膨張具合を検知することができる。このため、スクライブ線間隔の精度をより高めることが可能となる。

また後述する本発明の実施例では、マーク６４を透明導電層１１のスクライブ工程で形成したが、透明導電層のスクライブ工程の際に形成することに限定されるものではない。透明導電層が形成された後で、透明導電層の溝（スクライブ線）１５ａの形成開始前であれば、別の工程で形成しても良い。また配置するマークの数は、タクト短縮の観点においては少ない方が好ましい。

一方、位置検知手段が検知する基準点として、位置調整用のマーク６４に代えて、例えば、複数の読取りカメラ６３を用い、図９に示す基板の略端辺（例えば区間６５ａ６５ｂ）上の２点を基準点として検出するようにしても良い。この場合、基板の略端辺上の２点は、スクライブ線位置の精度を高めるために、２点間の距離が最大となるような基板端部の６５ａおよび６５ｂであることがより好ましい。

前述のように、基板の位置を調整するための基準点を位置検知手段で読取った後、演算装置により算出された値に基づいて、位置調整機構６６により基板ごとに基板の位置を調整することができる。なお、基準点を位置検知手段で読取った後、基板位置を調整するための値（補正量）を算出するための演算装置やそのシステムは公知の装置や方法に従って実施することができ、特に限定されるものではない。

次に基板の位置調整について説明する。基板の位置調整は、図６に示した位置調整機構６６により基板ごとに行なうことができる。基板ごとの位置調整は、各基板を同時に行ってもよく、個別に行ってもよい。

以下に、好適な態様として、基板の位置調整を含めた本発明に係る基板のスクライブ手順を図１０に示す。まず、装置内への基板２０の搬入が完了した後、図９に示す位置調整機構６６ａ〜６６ｄにより基板の位置調整を行なう。具体例として、この基板搬入の際、複数枚の基板の搬入の障害とならないように、所定の位置調整機構（図１０では６６ａ，６６ｂ）を、一旦基板面より下方に収納させておき、基板の搬入後、収納された位置調整機構６６ａ，６６ｂをＺ軸方向に移動して適宜目的位置に配置することが好ましい。その後、位置調整機構６６ｃ，６６ｄがＹ方向に基板を押し、次いで位置調整機構６６ａ〜６６ｄがＸ方向に基板を挟み込むようにして移動しながら基板を押すことで略所定の位置に基板を設置できる。その後、位置検知手段である基準点読取りカメラ６３ａ，６３ｂが、基準点となるマーク６４ａ，６４ｂあるいは基板端部の２点である６５ａ，６５ｂにより、基板位置を検出する。次に、カメラに搭載された図示しない演算装置が、所定位置に対する補正量を算出し、算出値に応じ、位置調整機構６６が移動することで、基板位置の微調整を行なうことができる。

また位置調整機構６６は図示しないモータにより駆動でき、位置調整機構６６ａ〜６６ｄは、図９に示したように基板端部を挟み込むことが可能な、例えばＬ字型の位置調整治具を具備していることが好ましく、さらに位置調整機構６６ｅには、図１１に示すような回転機構が含まれても良い。

位置調整機構６６ａ〜６６ｄは、基板の位置調整をスクライブ方向（Ｙ）のみならず、その直角方向（Ｘ）にも調整可能である。例えば、基板位置の検出時の基板配置（２０ａ〜２０ｄ）が、図１２に示すように、所定位置に対してスクライブＸＹ軸方向にずれが生じている場合を想定する。図９に示したマーク６４ａ，６４ｂあるいは基板端部６５ａ，６５ｂにより基板位置を検出した基準点読取りカメラ６３ａ，６３ｂは、付帯する演算装置により所定位置に対する補正量を算出し、この値に基づき位置調整機構６６ａ〜６６ｄが基板のスクライブ方向（Ｙ）、またはその直角方向（Ｘ）の位置を調整することで、基板の位置を所定位置に調整することができる。

前記の位置調整機構６６ａ〜６６ｄは、装置の運転を継続する場合などに、例えばＬ字型の位置調整治具にスクライブ時に発生する粉塵等が付着することがある。また基板との接触を重ねることで、それらの位置調整治具が磨耗することもある。そのような場合、位置調整治具が基板の端部を精度良く挟み込むことができず、例えば図１３に示すように、所定位置に対して、スクライブ方向に対する平行または直角方向（ＸＹ平面方向)のずれが生じるような基板２０ａ〜２０ｄの配置となる場合がある。それらのＸＹ平面方向(Ｘ若しくはＹ軸方向を除く)のずれを改善する策として、図９と同様に、位置調整機構６６ａ〜６６ｄによるＸ若しくはＹ軸方向の位置調整に加え、例えば図１１に示すようなテーブル支持台６２上に設置した位置調整機構６６ｅに含まれる回転機構により、載置テーブル６１を回転させることで、ＸＹ平面方向(Ｘ若しくはＹ軸方向を除く)の位置調整を可能とすることができる。上記位置調整機構６６ｅは、Ｚ軸方向の位置調整を容易にするために、図１１に示すように回転機構の昇降軸を付設することがより好ましい。

本発明において、前述したように、基板ごとのＸ若しくはＹ軸方向、ＸＹ平面方向(Ｘ若しくはＹ軸方向を除く)の位置調整は、基板ごとに同時に行なうことも可能である。

図６に示したガイドレール２２は、連続的にスクライブするために設置することが好ましく、スクライブ方向（Ｙ）に沿って設置することが好ましい。スクライブ工程における、加工手段あるいは基板の位置調整は、Ｘ，Ｙ若しくはＺ軸のいずれの方向においても精度が求められることから、ガイドレール２２の材質としては、高強度で変形せず、耐久性に優れた材質から選定することが好ましい。上記材質としては、例えば、無電解ニッケルメッキ処理、硬質クロムメッキ処理、フッ化クロム処理などの表面処理を施したＳＵＳ４４０Ｃに代表されるステンレス鋼や、あるいは黒色アルマイト処理などの表面処理を施したアルミニウムが例示できる。

また一般的なガイドには、移動手段であるガイドレール２２に加え、移動手段の位置を検出する手段として、スケールが含まれていることがある。本発明の一形態である実施例においては、ガイドにはガイドレール２２、リニアスケール６７が含まれたリニアガイドを採用している。通常、リニアスケール６７の移動方向における、位置を検知可能な範囲は最大６ｍである。一装置内に配置する基板枚数を増加させ、一回あたりのスクライブする距離を増加させる場合、複数のリニアスケール６７をスクライブ方向（Ｙ）に繋ぎ合わせることが必要となる。しかしながら、それらの策では繋ぎ合わせ部にずれが生じるため、正確な位置を検出することができず、スクライブ線１５位置の精度の確保が困難となる傾向がある。そのため、図６で示すように、配置された複数枚の基板２０ａ〜２０ｄにおける各基板のスクライブ方向（Ｙ）の寸法の和と、各基板間の距離６０の和の合計が６ｍ以下となることが、精度制御の観点から、より好ましい。なお、本発明の実施例では、一辺１２００ｍｍ×１２００ｍｍの寸法を有する基板を２〜４枚用いたが、それらの各基板の寸法の和はスクライブ方向（Ｙ）の長さが６ｍ以下となっている。基板の枚数については特に限定されることはない。

次に、図１４を用いて加工手段の一態様について説明する。加工手段は、移動手段によりＡを始点としてＢ，Ｃを通過し、スクライブ方向（Ｙ）に端部基板位置Ｄまで順方向（Ｂ→Ｃ）に移動した後、スクライブ方向（Ｙ）に対して直角方向（Ｘ）にＥまで移動する。端部基板位置Ｄとは、配置された複数枚の基板の両端に位置する基板端辺上の点（加工区間ＢＣにおけるＣ）から、所定の距離、離れた位置を指す。なお、加工手段は、加工不良を防止するため、基板上の加工区間ＢＣを一定速度で移動しながら、スクライブすることが好ましい。区間ＡＢ、区間ＣＤは、前記加工手段が加工区間ＢＣを一定速度で移動するために要する、加減速区間を意味する。その後、前記順方向時と同様にして、加工手段が、前記順方向（Ｂ→Ｃ）とは逆方向（Ｅ→Ｆ）のスクライブ方向（Ｙ）に移動しながら、連続的に基板をスクライブする。これらの動作を繰り返すことで、複数枚の基板を連続的にスクライブ完了することができる。なお、本発明の実施例では、それぞれ透明導電層、光電変換層、裏面電極層のスクライブ工程において、１００本の溝を形成したが、それらのスクライブ本数に限定されることはない。また本発明においては、加工手段と移動手段が相対的に移動すれば良く、例えば上記のように加工手段が移動する機構ではなく、代わりに基板が移動する機構にすることも可能であり、さらには基板あるいは加工手段の両方が移動してもよい。なお、上記の移動速度に制限はなく適宜設定できる。

前記加工手段は、図６に示すレーザービーム１４を照射可能な機構を具備する。本発明の実施例においては光学的手段の代表であるレーザービームを用いて、レーザースクライブを実施した。関連する発明として、加工手段２１として、図１５に示すニードル１５０を具備する機構や、図１６に示すホイール１６０を具備する機構が代表とされるような機械的手段を用いれば、メカニカルスクライブを実施することも可能である。

以下、本発明の実施例を具体的に以下に説明する。本発明における実施例および比較例の一覧を表１に示す。なお、下記に示した比較例１、実施例２、実施例３は、実施例１の方法および手順に従い、それぞれの実施例、比較例における指定の条件のみを変更し、実施したものである。

＜実施例１＞
図６に示すように、透明基板１０（一辺１２００ｍｍ×１２００ｍｍ）上に、酸化錫（ＳｎＯ₂）を含む透明導電層１１が積層された複数枚の基板２０ａ〜２０ｄを、図示しないコンベヤにより装置内に搬入した。なお、スクライブ方向（Ｙ）は基板２０の一辺の方向（１２００ｍｍ）とした。また装置内に配置する複数枚の基板は、各基板間の距離６０を２００ｍｍとし、スクライブ方向に、基板面が略平行となるように、配置した。

続いて、基板が装置内に搬入完了したことを確認した後、Ｌ字型の位置調整治具を具備した、図１１に示す位置調整機構６６ａ，６６ｂがＺ軸方向に上昇した。その後、同様にＺ軸方向に上昇した、位置調整機構６６ｃ，６６ｄが、基板２０を挟み込むようにしてスクライブ方向（Ｙ）に移動することで、基板２０を押し、スクライブ方向（Ｙ）の位置調整を行なった。次に位置調整機構６６ａ〜６６ｄがスクライブ直角方向（Ｘ）に、基板２０を挟み込むようにして移動することで、基板を押し、スクライブ直角方向（Ｘ）の位置調整を行なった。

続いて、位置を調整するための基準点となる基板端部６５ａ，６５ｂを、それぞれ基準点読取りカメラ６３ａ，６３ｂで読取った。その後、基準点読取りカメラ６３ａ，６３ｂに搭載された図示しない演算装置により、所定位置に対する補正量を算出し、当該算出値に応じ、基板を挟み込んだ状態のまま、位置調整機構６６ａ〜６６ｄがスクライブ方向（Ｙ）およびその直角方向（Ｘ）に移動することで、基板位置の微調整を行なった。この際、基板端部６５ａ，６５ｂの読取り時に、ＸＹ平面方向（Ｘ若しくはＹ軸方向を除く）に基板の位置がずれている場合には、位置調整機構６６ａ〜６６ｄによるＸ若しくはＹ軸方向の移動に加え、図１１に示した位置調整機構６６ｅに含まれる回転機構により、載置テーブル６１を回転させることで、ＸＹ平面方向（Ｘ若しくはＹ軸方向を除く）の基板位置の微調整を実施した。なお、各基板の基板端部６５の読取り前後の位置調整は、同時に行なうようにした。

基板の位置調整完了後、図１１に示した基板保持具２４がスクライブ方向（Ｙ）およびその直角方向（Ｘ）に移動し、Ｚ軸方向に移動することで基板２０を押さえ込み、基板を固定した。

続いて図９に示した基板端部６５ａ，６５ｂを基準点として、スクライブ線位置の精度を確保するための位置調整の基準点となるマーク６４ａ，６４ｂを、レーザー光の照射によりスクライブ方向（Ｙ）に形成した。

続いてマーク６４の形成と同様に、基板端部６５を位置調整用の基準点として、透明導電層１１の溝形成を開始した。加工手段である加工ヘッド２１は、ビーム１４ａを透明導電層に照射し、図１４で示したＡを始点として、基板上の加工区間ＢＣを一定速度で移動しながら、スクライブすることで、図１に示した透明導電層１１を分割する溝１５ａを形成した。加工ヘッドはスクライブ方向（Ｙ）における端部基板位置Ｄまで順方向（Ａ→Ｄ）に移動した後、スクライブ方向（Ｙ）に対して直角方向（Ｘ）にＥまで移動した。その後、前記順方向とは逆方向（Ｅ→Ｆ）の、スクライブ方向（Ｙ）に移動しながら連続的にスクライブし、これらの動作を繰り返した。なお、この際のスクライブ条件としては、ビーム本数：４本、スクライブ本数：１００本、波長：ＩＲ(１０６４ｎｍ)、送り速度：１０００ｍｍ／ｓであった。

続いて基板の位置調整を解除し、基板を搬出することで、透明導電層１１のレーザースクライブを完了した。

続いて所定の方法にて、シリコン（Ｓｉ）を有する光電変換層１２を積層した後、透明導電層のスクライブの際と同様にして、図６に示した複数枚の基板２０ａ〜２０ｄを装置内に取り入れた。次に基板の搬入完了を確認した後、透明導電層のスクライブと同様に、図９に示した位置調整機構６６ａ〜６６ｄによる、基板２０のスクライブ方向（Ｙ）およびスクライブ直角方向（Ｘ）の位置調整を行なった。

続いて、透明導電層のスクライブ工程にて形成された位置調整用のマーク６４ａ，６４ｂを、位置検知手段である基準点読取りカメラ６３ａ，６３ｂで読取った。次に透明導電層のスクライブの際と同様に、図示しない演算装置により、所定位置に対する補正量を算出し、算出値に応じ、基板２０を挟み込んだ状態のまま、位置調整機構６６ａ〜６６ｄがスクライブ方向（Ｙ）およびその直角方向（Ｘ）に移動することで、基板位置の微調整を行った。この際、透明導電層のスクライブ工程と同様に、基板２０がＸＹ平面方向（Ｘ若しくはＹ軸方向を除く）にずれがある場合には、回転機構を含む位置調整機構６６ｅにより、ＸＹ平面方向（Ｘ若しくはＹ軸方向を除く）の基板位置の微調整を行った。位置調整の完了後、透明導電層のスクライブと同様に、複数の基板における光電変換層の溝形成を開始した。なお、この際の複数枚の基板２０ａ〜２０ｄは、透明導電層のスクライブと同様、各基板間の距離６０を２００ｍｍ間隔で配置した。またビーム本数：４本、スクライブ本数：１００本、波長：ＳＨＧ(５３２ｎｍ)、送り速度：８００ｍｍ／ｓのスクライブ条件で、光電変換層を除去し、図１に示した光電変換層を分割する溝１５ｂを形成した。

続いて基板の位置調整を解除し、基板を搬出することで、光電変換層のレーザースクライブを完了した。

続いて所定の方法にて、銀（Ａｇ）を成分に有する金属材料から構成される材料を裏面電極層１３として積層した後、光電変換層のスクライブと同様に、図６に示すように、複数枚の基板２０ａ〜２０ｄを装置内に取り入れ、マーク読取り前の基板の位置調整、マーク読取り、マーク読取り後の基板位置の微調整の順で実施した後、裏面電極層の溝形成を開始した。この際の複数枚の基板は各基板間の距離ａを２００ｍｍとし、ビーム本数：４本、スクライブ本数：１００本、波長：ＳＨＧ(５３２ｎｍ)、送り速度：８００ｍｍ／ｓのスクライブ条件で、光電変換層および裏面電極層を除去し、図１に示した裏面電極層を分割する溝１５ｃを形成した。

続いて基板の位置調整を解除し、基板を搬出することで、裏面電極層のレーザースクライブを完了した。

また上記、薄膜光電変換モジュールの製造方法における、透明導電層、光電変換層、裏面電極層をスクライブする工程において、各一台ずつで実施し、それらを一系列と定義した。さらに各装置において、基板の搬入開始から搬出完了までに要する時間をタクトと定義し、各レーザースクライブ工程のタクトの和を一系列に要するタクトと定義した。

さらに本発明による、上記の各レーザースクライブ工程において、装置内に配置する基板枚数をそれぞれ２、３、４枚とした。基板枚数を５枚以上にすると、装置内に配置する、複数枚の基板の寸法の和と各基板間の距離の和の合計が６ｍ以上となり、リニアスケール６８の繋ぎ合わせによる、スクライブ線位置の精度を確保できなくなることから、本発明においては実施しなかった。

その結果、スクライブに要したタクトは、表２に示すように一系列あたり、基板枚数が２枚の際は４５９[秒]、３枚の際は６０９[秒]、４枚の際は７５９[秒]であった。

＜比較例１＞
実施例１の手順、方法に従い、透明導電層、光電変換層、裏面電極層の順序にて、比較例１のスクライブを実施した。なお、本比較例では、指定の条件とした装置内に取り入れる基板枚数のみを変更し、図２に示すように装置内に一枚ずつ基板を配置して、それぞれ透明導電層、光電変換層、裏面電極層のレーザースクライブを実施した。

実施例１と同一枚数の基板のスクライブを試みた際、スクライブに要したタクトは、表２に示すように一系列あたり、基板枚数が２枚の際は６１８秒、３枚の際は９２７秒、４枚の際は１２３６秒であった。

このように実施例１は、従来技術である比較例１と比較し、飛躍的にタクト短縮を実現したことがわかる。本発明におけるタクト短縮は図１７に示す通り、基準点（マーク６４、基板端部６５）の読取り、基準点の読取り前後の基板の位置調整を、同時に行なう特徴を有することによる。また一回のスクライブで、複数枚の基板を連続的に加工したため、加工ヘッド２１の移動における、基板一枚あたりの加減速時間、次スクライブ位置への移動時間を削減することで、タクト短縮を可能としたものである。

また生産効率の観点においても、比較例１では、処理枚数の増加に伴い、装置台数を増加させる必要があるが、本発明によれば、比較例１の装置に対してガイドレール２２の延長、基準点読取りカメラ６３等の設置で対応可能となり、高価な装置の導入を抑制できることから、コストの観点も含めて大幅に生産効率の向上を図ることができる。併せて基板処理枚数を増加させた際に、比較例１のように、装置台数を増加させる必要がないため、部品点数を削減することができ、メンテナンス周期の増加、メンテナンス時間の短縮も見込める利点もある。

以上のように、本発明においては、基板の処理枚数が多ければ多いほど、タクト短縮または生産効率の向上の効果が大きくなることがわかる。

＜実施例２＞
実施例１の手順、方法に従い、透明導電層、光電変換層、裏面電極層の順序にて、実施例２のスクライブを実施した。本実施例では、指定の条件とした基板の位置調整方法における調整順序のみを変更し、実施例１−（３）と同一となるように、装置内に基板を４枚配置し、それぞれ透明電極層、光電変換層、裏面電極層のレーザースクライブを実施した。位置調整順序に関し、基準点（マーク６４、基板端部６５）の読取り前の基板の位置調整は、装置内に搬入された基板の順序に従い、配置された前基板の位置調整を完了した後、次基板の位置調整を行なうようにした。続いて、基準点の読取り、基準点読取り前後の基板の位置調整も同様に、前基板の動作完了の確認後、次基板の動作を行なうようにして、それぞれ基準点の読取り、位置調整を基板ごとに別々の時間で実施するようにした。

その結果、実施例１−（３）と同様に、４枚の基板のスクライブを試みた際、スクライブに要したタクトは、表２に示すように一系列あたり８９７秒であった。

以上のように、本発明においては、実施例１に示す通り、基板ごとの位置調整を同時にすることでタクト短縮の効果がより大きくなるが、従来の比較例１−（３）よりは大幅にタクトを短縮できることがわかる。

＜実施例３＞
実施例１の手順、方法に従い、透明導電層、光電変換層、裏面電極層の順序にて、実施例３のスクライブを実施した。本実施例では、指定の条件とした、基板の位置調整方法における、位置検知手段について検知する位置調整用のマーク６４の数および位置のみを変更し、実施例１−（３）と同一となるように、装置内に基板を４枚配置し、それぞれ透明電極層、光電変換層、裏面電極層のレーザースクライブを実施した。図８に示す通り、透明導電層のスクライブの際、各基板には位置調整の基準点となるマーク６４を、スクライブ方向（Ｙ）とその直角方向（Ｘ）に合計３箇所（６４ａ〜６４ｃ）設置した。マークの読取りは、まず位置検知手段である基準位置読取りカメラ６３ａ,６３ｂが、それぞれマーク６４ａ,６４ｂを読取り、その後、カメラ６３ａを図示しない回転機構により回転させ、マーク６４ｃを読み取った。

その結果、実施例１と同様に、４枚の基板のスクライブを試みた際、スクライブに要するタクトは表２に示すように、一系列あたり７７９秒を要したがスクライブ精度はより向上していた。

結果を表２に示す。

以上のように、本発明においては、タクト短縮の観点では、実施例１に示す通り、各基板に設置するマークの数が複数であり、少なければ少ないほど、タクト短縮の観点では、効果が大きくなることがわかる。

このようにして、本発明では薄膜光電変換モジュールの製造方法に関し、スクライブに要する時間を短縮することが可能となった。また生産効率の向上を図ることができた。

１０：透明基板
１１：透明導電層
１２：光電変換層
１３：裏面電極層
１４：溝を形成するためのレーザービーム
１４ａ：透明導電層を分割する溝を形成するためのレーザービーム
１４ｂ：光電変換層を分割する溝を形成するためのレーザービーム
１４ｃ：裏面電極層を分割する溝を形成するためのレーザービーム
１５：形成された溝（スクライブ線）
１５ａ：形成された透明導電層を分割する溝（スクライブ線）
１５ｂ：形成された光電変換層を分割する溝（スクライブ線）
１５ｃ：形成された裏面電極層を分割する溝（スクライブ線）
１６：形成されたセル
２０：基板
２０ａ：基板Ａ
２０ｂ：基板Ｂ
２０ｃ：基板Ｃ
２０ｄ：基板Ｄ
２１：加工ヘッド
２２：ガイドレール
２３：ガントリ
２４：基板保持具
２５：レーザー発振器
２６：スクライブ方向（Ｙ）の移動を表す矢印
２７：スクライブ直角方向（Ｘ)の移動を表す矢印
３０：パルス状に照射されたビームで加工された跡
６０：各基板間の距離
６１：載置テーブル
６２：テーブル支持台
６３：基準点読取りカメラ
６３ａ:基準点読取りカメラ１
６３ｂ:基準点読取りカメラ２
６４：マーク
６４ａ:マーク１
６４ｂ:マーク２
６４ｃ：マーク３
６５：基板端部
６５ａ：基板端部１
６５ｂ：基板端部２
６５ｃ：基板端部３
６６ｄ：基板端部４
６６：位置調整機構
６６ａ：位置調整機構１
６６ｂ：位置調整機構２
６６ｃ：位置調整機構３
６６ｄ：位置調整機構４
６６ｅ：位置調整機構５
６７：リニアスケール
７０：基板端辺の中点
７０ａ：基板端部１と基板端部３の中点
７０ｂ：基板端部２と基板端部４の中点
１５０：ニードル
１６０：ホイール

Claims (22)

1. 透明基板上に透明導電層、光電変換層、裏面電極層のいずれか一つ以上を備え、複数の薄膜光電変換セルが直列接続された薄膜光電変換モジュールの製造方法において、前記透明導電層、光電変換層、裏面電極層のいずれか一つの層を形成した後に、複数の基板をスクライブ方向に、基板面が略平行となるように並べて配置し、位置調整機構により基板ごとに基板の位置を調整し、レーザービームを照射する加工手段を用い、レーザビームの照射位置をスクライブ方向に直線移動させて前記レーザビームの照射位置を並べられた基板の内の一端側の基板から他端側の基板にかけて移動させることによって複数の基板を同じレーザビームによって連続的にスクライブすることを特徴とする、薄膜光電変換モジュールの製造方法。
2. 前記位置調整機構が、基板の位置を調整するための基準点を位置検知手段で読取り、演算装置により算出された値に基づいて、基板の位置を調整する手段を有することを特徴とする、請求項１に記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
3. 前記位置調整機構が、スクライブ方向に対して平行または直角の平面上の方向に、基板の位置を調整する手段を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
4. 前記位置調整機構が、回転により基板の位置を調整する手段を有することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
5. 前記の基板の位置を調整するための基準点が、マークであることを特徴とする、請求項２乃至４のいずれかに記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
6. 前記の基板の位置を調整するための基準点が、基板の略端辺上の点であることを特徴とする、請求項２乃至４のいずれかに記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
7. 複数の基板を、一定速度でスクライブすることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
8. 前記の加工手段もしくは基板が、移動手段により移動しながらスクライブすることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれかに記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
9. 前記加工手段もしくは基板が、スクライブ方向に対して直角方向にも移動することを特徴とする、請求項１乃至８のいずれかに記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
10. 前記の加工手段もしくは基板が、スクライブ方向に対して、端部基板位置まで順方向に移動した後、スクライブ方向に対して直角方向に移動し、次いで前記順方向とは逆方向に移動することを特徴とする、請求項１乃至９のいずれかに記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
11. 前記移動手段がガイドレールを含むことを特徴とする、請求項８乃至１０のいずれかに記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
12. 前記移動手段が、移動手段の位置を検出するためのスケールを含むことを特徴とする、請求項８乃至１１のいずれかに記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
13. 前記位置検知手段が、移動手段に設置されていることを特徴とする、請求項６乃至１２のいずれかに記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
14. 複数の基板を並べて配置できる載置テーブルと、基板の位置を検知可能な位置検知手段と、基板ごとに基板の位置を調整可能な複数の位置調整機構と、レーザービームを照射する加工手段と、前記加工手段または基板を移動可能な移動手段を具備し、レーザビームの照射位置をスクライブ方向に直線移動させて前記レーザビームの照射位置を並べられた基板の内の一端側の基板から他端側の基板にかけて移動させることが可能であり、複数の基板を同じレーザビームによって連続的にスクライブすることが可能であることを特徴とする、スクライブ装置。
15. 前記位置調整機構が、スクライブ方向に対して平行または直角の平面上の方向に、基板の位置を調整可能な手段を有することを特徴とする、請求項１４に記載のスクライブ装置。
16. 前記位置調整機構が、回転により基板の位置を調整可能な手段を有することを特徴とする、請求項１４または１５に記載のスクライブ装置。
17. 前記位置調整機構が、基板の端部を挟み込むことが可能な手段を有することを特徴とする、請求項１４乃至１６のいずれかに記載のスクライブ装置。
18. 前記位置検知手段としてカメラを具備したことを特徴とする、請求項１４乃至１７のいずれかに記載のスクライブ装置。
19. 前記移動手段が、加工手段もしくは基板をスクライブ方向またはスクライブ方向に対して直角の平面上の方向に移動可能であることを特徴とする、請求項１４乃至１８のいずれかに記載のスクライブ装置。
20. 前記移動手段がガイドレールを含むことを特徴とする、請求項１４乃至１９のいずれかに記載のスクライブ装置。
21. 前記移動手段が、移動手段の位置を検出するためのスケールを含むことを特徴とする、請求項１４乃至２０のいずれかに記載のスクライブ装置。
22. 前記位置検知手段が、移動手段に設置されていることを特徴とする、請求項１４乃至２１のいずれかに記載のスクライブ装置。