JP5511539B2 - 切削方法 - Google Patents

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本発明は、特性評価用金属素子とボンディングパッドとを有するデバイスウエーハを切削する切削方法に関する。
半導体デバイスの製造プロセスでは、例えばシリコンウエーハやGaAs等の化合物半導体ウエーハ上に複数の分割予定ラインが形成され、分割予定ラインで区画される各領域にICやLSI等の回路素子を形成してデバイスウエーハを製造する。
その後、デバイスウエーハの裏面を研削装置で研削してデバイスウエーハを所定の厚みへと薄化した後、切削装置で分割予定ラインを切削して個々の半導体チップへと分割する。次いで、半導体チップがリードフレームやフレーム基板等にマウントされ、ボンディングパッドが金線等のボンディングワイヤにボンディングされた後、これらのリードフレームやフレーム基板を分割してモールド樹脂等で封止し、各種の半導体デバイスを製造している。
デバイスウエーハの回路素子上には、リードフレームやフレーム基板の電極に接続される例えばアルミニウムから形成されたボンディングパッドが複数形成されている。また、デバイスウエーハの分割予定ライン上には、回路素子の電気特性を評価するためのTEG(Test Element Group)と呼ばれる例えば銅からなる特性評価用金属素子が複数形成される。分割予定ライン上に特性評価用金属素子を形成することで、デバイスウエーハを分割する際にTEGを切削除去することができる。
一方、デバイスウエーハ上に不純物が付着するとデバイスの品質に重大な影響を及ぼすため、デバイスウエーハの切削や研削には、例えば比抵抗値が約1〜10MΩ・cm以上の純水や超純水が加工水として用いられる。
しかし、純水は比抵抗値が高く非常に絶縁性が高いため、流動による摩擦から静電気が発生し、デバイスの静電破壊を引き起こしたり、被加工物に切削屑の付着を生じさせてしまう。そこで、純水に二酸化炭素を混合した混合液を生成し、この混合液を切削水として用いる方法が広く採用されている(例えば、特開2003−291065号公報参照)。
特開2003−291065号公報
ところが、純水に二酸化炭素を混合すると純水のpH値が下がって酸性となるため、ボンディングパッドに腐食(溶出)が生じやすくなる。特に、分割予定ライン上に形成された特性評価用金属素子がボンディングパッドの材質に比べてイオン化傾向が小さい場合には、次のような問題が生じる。
即ち、分割予定ラインを切削することで発生した特性評価用金属素子の屑がボンディングパッド上に付着すると、付着した特性評価用金属素子の屑とボンディングパッド間で電位差が生じてボンディングパッドの腐食(溶出)が促進されてしまう。
ボンディングパッドが腐食(溶出)すると、後にリードフレームやフレーム基板の電極とボンディングパッドとを接続する際にボンディング不良が発生してしまうという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、後のボンディング工程でのボンディング不良を低減可能な切削方法を提供することである。
本発明によると、ウエーハ表面に形成された複数の第1分割予定ライン及び該第1分割予定ラインに交差する複数の第2分割予定ラインと、該第1分割予定ライン上に形成された複数の特性評価用金属素子と、該第1分割予定ラインと該第2分割予定ラインによって区画された各領域に形成された複数のデバイスとを備え、該各デバイスは複数のボンディングパッドを有し、該ボンディングパッドは該特性評価用金属素子に比べてイオン化傾向が大きい金属から形成されているデバイスウエーハへ純水を含む切削水を供給しつつ該分割予定ライン上を切削ブレードで切削する切削方法であって、該デバイスウエーハに該切削水を供給しつつ、複数の該第2分割予定ラインを切削ブレードで切削する第1切削ステップと、該第1切削ステップを実施した後に、該デバイスウエーハに該切削水を供給しつつ、複数の該第1分割予定ラインを該特性評価用金属素子とともに切削ブレードで切削する第2切削ステップと、を具備したことを特徴とする切削方法が提供される。
好ましくは、該デバイスウエーハは前記第2分割予定ライン上にも前記特性評価用金属素子を有しており、該特性評価用金属素子は該第2分割予定ライン上よりも該第1分割予定ライン上に多く形成されている。
本発明の切削方法によると、第2分割予定ライン上に特性評価用金属素子が形成されていないか或いは形成されている特性評価用金属素子の数が第1分割予定ライン上より少ないデバイスウエーハを切削する際に、デバイスウエーハへ純水を含む切削水を供給しつつ、第2分割予定ラインを先に切削した後、第1分割予定ラインを切削する。
その結果、切削で発生した特性評価用金属素子の屑がボンディングパッド上に付着して滞留する量と時間とが低減されるため、ボンディングパッドの腐食(溶出)が低減し、後のボンディング工程でのボンディング不良を低減することができる。
切削装置の外観斜視図である。 本発明の切削方法の加工対象となる半導体ウエーハの一例を示す平面図である。 本発明の切削方法を説明するための斜視図である。 第1分割ステップを説明するための平面図である。 第2分割ステップを説明するための平面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の切削方法を実施するのに適した切削装置2の外観斜視図が示されている。
切削装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段6が設けられている。
図2に示すように、ダイシング対象のデバイスウエーハWの表面においては、第1のストリート(分割予定ライン)S1と第2のストリート(分割予定ライン)S2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画されて多数のデバイスDがウエーハW上に形成されている。
ウエーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介してフレームFに支持された状態となり、図1に示したウエーハカセット8中にウエーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウエーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。
ウエーハカセット8の後方には、ウエーハカセット8から切削前のウエーハWを搬出するとともに、切削後のウエーハをウエーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。ウエーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12には、ウエーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。
仮置き領域12の近傍には、ウエーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されており、仮置き領域12に搬出されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、このチャックテーブル18に吸引されるとともに、複数のクランプ19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。
チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハWの切削すべきストリートを検出するアライメント手段20が配設されている。
アライメント手段20は、ウエーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって切削すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示手段6に表示される。
アライメント手段20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウエーハWに対して切削加工を施す切削手段24が配設されている。切削手段24はアライメント手段20と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動する。
切削手段24は、回転可能なスピンドル26の先端に切削ブレード28が装着されて構成され、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード28は撮像手段22のX軸方向の延長線上に位置している。
図2を参照すると、本発明の切削方法を適用するのに適したデバイスウエーハWの平面図が示されている。デバイスウエーハWは、粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介して環状フレームFに支持される。
図2の一部拡大図に示すように、第1のストリートS1には特性評価用金属素子であるTEG(Test Element Group)15が多数形成されている。TEG15は銅から形成されている。
第2のストリートS2にもTEG15が形成されているが、その数は第1のストリートS1に形成されているTEG15の数より少なめである。図2で矢印Aは第1のストリート(第1分割予定ライン)S1の伸長方向であり、矢印Bは第2のストリート(第2分割予定ライン)S2の伸長方向である。
次に、図3乃至図5を参照して、本発明の切削方法について詳細に説明する。図3を参照すると、切削手段24は、スピンドルハウジング30中に収容された図示しないモータにより回転駆動されるスピンドルと、スピンドルの先端に着脱可能に装着された切削ブレード28とを含んでいる。
切削ブレード28は、ブレードカバー32によりその外周部が覆われている。ブレードカバー32は、カバー本体34と、カバー本体34にねじ38で取り付けられる着脱カバー36と、カバー本体34にねじ42で取り付けられるブレード検出ブロック40とから構成される。
ブレード検出ブロック40は切削ブレード28の切刃の欠け又は磨耗を検出するブレードセンサを内蔵しており、ねじ42によりカバー本体34に着脱可能に取り付けられている。ブレード検出ブロック40は、ブレードセンサの位置を調整する調整ねじ44を有している。
カバー本体34には二本の接続パイプ46,48が立設されており、着脱カバー36には接続パイプ52が立設されている。接続パイプ46は切削ブレード28の外周に向かって切削水を噴射する切削水ノズル50に接続されている。
接続パイプ52は、切削ブレード28の側面に冷却水を噴射する冷却水ノズル54に接続されている。同様に、接続パイプ48は、冷却水ノズル54の反対側で切削ブレード28の側面に向かって冷却水を噴射する図示しない冷却水ノズルに接続されている。
本実施形態の切削方法では、切削水及び/又は冷却水として、純水供給源56から供給された純水と炭酸ガスボンベ58から供給された二酸化炭素と混合手段60で混合して生成された混合液が使用される。
ウエーハWの切削時に供給される切削水及び/又は冷却水としてこのような混合液を使用することにより、静電気の発生を抑制するこができ、デバイスの静電破壊を防止することができる。二酸化炭素を混合手段60に供給する二酸化炭素供給経路62には流量調整弁64が介装されている。
接続パイプ46は混合液供給路66及び流量調整弁68を介して混合手段60に接続され、接続パイプ48は混合液供給路70及び流量調整弁72を介して混合手段60に接続され、接続パイプ52は混合液供給路74及び流量調整弁76を介して混合手段60に接続されている。
デバイスウエーハWの切削時には、切削水ノズル50から切削水を噴射し、冷却水ノズル54から冷却水を噴射しながら、切削ブレード28を矢印A方向に高速(例えば30000rpm)で回転させて、チャックテーブル18(図1参照)をX軸方向に加工送りすることにより、デバイスウエーハWをまず第2のストリートS2に沿って切削して切削溝80を形成する。図3に示したデバイスウエーハWでは、ボンディングパッド及びTEGは省略されている。
本発明の切削方法では、第1の切削ステップで、図4に示すように、デバイスウエーハWに切削水を供給しつつ、矢印Bの加工方向に示すように、第2のストリートS2をTEG15と共に切削ブレード28で切削する。ストリートピッチずつインデックス送りしながら、全ての第2のストリートS2をTEG15と共に切削する。
次いで、チャックテーブル18を90度回転してから、第2の切削ステップで、図5に示すように、第2のストリートS2に直交する第1のストリートS1をTEG15とともに切削する。図5で矢印Aは加工方向を示している。ストリートピッチずつインデックス送りしながら、全ての第1のストリートS1をTEG15と共に切削する。
このように本発明の切削方法では、第2のストリートS2に比べて第1のストリートS1上に多数のTEG15が形成されたデバイスウエーハWへ、純水中に二酸化炭素を吹き込んだ切削水及び/又は冷却水を供給しつつ、第2のストリートS2を先に切削した後、第1のストリートS1を切削する。
その結果、切削で発生したTEG15の屑がボンディングパッド13上に付着して滞留する量と時間とが低減されるため、ボンディングパッドの腐食(溶出)を抑制することができ、後のボンディング工程でのボンディング不良を低減することができる。
上述した実施形態のデバイスウエーハWでは、第2のストリートS2上に少ない数のTEG15が形成されているが、本発明の切削方法は、第2のストリートS2にはTEG15が形成されていないデバイスウエーハの切削にも同様に適用することができる。
W デバイスウエーハ
T ダイシングテープ
F 環状フレーム
11 デバイス
13 ボンディングパッド
15 TEG
18 チャックテーブル
24 切削手段
28 切削ブレード

Claims (2)

  1. ウエーハ表面に形成された複数の第1分割予定ライン及び該第1分割予定ラインに交差する複数の第2分割予定ラインと、該第1分割予定ライン上に形成された複数の特性評価用金属素子と、該第1分割予定ラインと該第2分割予定ラインによって区画された各領域に形成された複数のデバイスとを備え、該各デバイスは複数のボンディングパッドを有し、該ボンディングパッドは該特性評価用金属素子に比べてイオン化傾向が大きい金属から形成されているデバイスウエーハへ純水を含む切削水を供給しつつ該分割予定ライン上を切削ブレードで切削する切削方法であって、
    該デバイスウエーハに該切削水を供給しつつ、複数の該第2分割予定ラインを切削ブレードで切削する第1切削ステップと、
    該第1切削ステップを実施した後に、該デバイスウエーハに該切削水を供給しつつ、複数の該第1分割予定ラインを該特性評価用金属素子とともに切削ブレードで切削する第2切削ステップと、
    を具備したことを特徴とする切削方法。
  2. 該デバイスウエーハは前記第2分割予定ライン上にも前記特性評価用金属素子を有しており、該特性評価用金属素子は該第2分割予定ライン上よりも該第1分割予定ライン上に多く形成されている請求項1記載の切削方法。
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