JP5507695B2 - プラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5507695B2 JP5507695B2 JP2012531791A JP2012531791A JP5507695B2 JP 5507695 B2 JP5507695 B2 JP 5507695B2 JP 2012531791 A JP2012531791 A JP 2012531791A JP 2012531791 A JP2012531791 A JP 2012531791A JP 5507695 B2 JP5507695 B2 JP 5507695B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supply
- period
- frequency power
- plasma
- density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 105
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 90
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 63
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 63
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 53
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 28
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 3
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32146—Amplitude modulation, includes pulsing
Description
[第一の期間]高周波電力の供給開始時から酸素ラジカルの密度が単調増加する期間。
[第二の期間]高周波電力の供給開始時からフッ素系ラジカルの密度が単調増加する期間。
・O2ガスの供給流量 150sccm
・SF6ガスの供給流量 150sccm
・真空槽11内の圧力 93Pa
・高周波電源19の出力周波数 60MHz
・高周波電源19の出力 2500W
図2に示されるように、高周波電力の供給を供給開始点T0から開始して凡そ10ミリ秒が経過すると、正イオンの密度が略一定になる。正イオンの密度は、高周波電力の供給を開始した時点からそれ程増加しないものの、単調増加の後に略一定になる。供給開始点T0から凡そ25ミリ秒が経過すると、電子の密度が、単調増加の後に略一定になる。酸素ラジカルの密度は、電子の密度よりもより急峻な単調増加の後に最大値を示す。酸素ラジカルについては、正イオンや電子の密度の変動と異なり、最大値を示した直後に単調減少を開始する。その後、供給開始点T0から凡そ375ミリ秒が経過したところで酸素ラジカルの密度は略一定になる。フッ素系ラジカルの密度は供給開始点T0から単調増加し、供給開始点T0から凡そ425ミリ秒が経過すると、フッ素系ラジカルの密度は略一定値になる。電子温度は、供給開始点T0から凡そ15ミリ秒が経過するまで減少し、その後、凡そ100ミリ秒まで単調増加し、再び単調減少して、凡そ350ミリ秒が経過したところで略一定になる。こうした各種粒子の密度は、O2ガスの供給流量及びSF6ガスの供給流量が上述の条件とは異なる任意の流量に設定されたとしても、概ね同様の傾向で変動する。また、各種粒子の密度変動に見られる傾向は、高周波電源19の出力にかかわらず認められるものであり、真空槽11内の圧力が20Pa〜150Pa、高周波電源の出力周波数が60MHz〜150MHzの範囲でも概ね認められるものである。
直径12インチ、厚さ100μmのシリコン基板を、上記プラズマエッチング装置を用いて以下の条件にてエッチングすることにより、基板表面の法線方向に延びるホールを形成した。
・高周波電力の周波数 60MHz
・高周波電力 2500W
・真空槽内の圧力 93Pa
・基板温度 −10℃
・エッチングガス SF6/O2
シリコン基板のエッチングに際し、高周波電力の供給とその停止とを以下の条件にて繰り返した。
・レジストマスクの厚さ 40μm
・エッチングガス流量 150(SF6)/50(O2)sccm
・高周波電力の供給期間(オン期間T3) 25ミリ秒
・高周波電力の供給停止期間(オフ期間T4) 25ミリ秒
・オン期間T3及びオフ期間T4の繰り返し回数 6000回
[比較例1]
シリコン基板の連続的なエッチングを以下の条件にて実施した。なお、エッチングガスの供給流量は、上記実施例と同一とした。
・レジストマスクの厚さ 40μm
・エッチングガス流量 150(SF6)/50(O2)sccm
・エッチング時間(高周波電力の供給時間) 連続的に5分
[比較例2]
シリコン基板の連続的なエッチングを以下の条件にて実施した。なお、エッチングガスの供給流量は、上記実施例と同一とした。
・レジストマスクの厚さ 40μm
・エッチングガス流量 50(SF6)/100(O2)sccm
・エッチング時間(高周波電力の供給時間) 連続的に5分
実施例、比較例1、及び比較例2によれば、図5及び以下の表に示される形状のホールが得られた。なお、図5(a)が実施例のエッチング条件によって得られたホールの形状、図5(b)が比較例1のエッチング条件によって得られたホールの形状、図5(c)が比較例2のエッチング条件によって得られたホールの形状である。
Claims (5)
- レジストマスクが積層されたシリコン基板を収容する真空槽に六フッ化硫黄ガスと酸素ガスとをエッチングガスとして供給するガス供給工程と、
前記真空槽内に高周波電力を供給して前記エッチングガスでプラズマを生成するプラズマ生成工程とを備え、
前記プラズマによって前記シリコン基板をエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記プラズマに含まれる酸素ラジカルの密度が前記高周波電力の供給開始時から単調増加する期間を第一の期間として設定し、
前記プラズマに含まれるフッ素系ラジカルの密度が前記高周波電力の供給開始時から単調増加する期間を第二の期間として設定し、
前記プラズマ生成工程は、
前記高周波電力の供給開始時から前記第一の期間が経過した後でかつ前記第二の期間が経過する前に、前記高周波電力の供給を停止すること、及び、前記高周波電力の供給と前記高周波電力の供給停止とを繰り返すことを含む
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記プラズマ生成工程では、
前記供給開始時から25ミリ秒以上経過して、該供給開始時から100ミリ秒以下経過する前に、前記高周波電力の供給を停止する
請求項1に記載のプラズマエッチング方法。 - 前記高周波電力の供給を停止してから再び前記高周波電力の供給を開始するまでの期間を第三の期間として設定し、
前記第三の期間は、次回の高周波電力の供給開始時における前記フッ素系ラジカルの密度、及び前記次回の高周波電力の供給開始時における前記酸素ラジカルの密度を、前記供給開始時ごとに等しくするように設定される
請求項1又は2に記載のプラズマエッチング方法。 - 前記高周波電力の供給開始時から前記高周波電力の供給停止時までの期間は、前記供給開始時ごとに等しく、
前記第三の期間は、前記次回の高周波電力の供給停止時における前記フッ素系ラジカルの密度、及び前記次回の高周波電力の供給停止時における前記酸素ラジカルの密度が、前記供給停止時ごとに等しくなるように設定される
請求項3に記載のプラズマエッチング方法。 - レジストマスクが積層されたシリコン基板を収容する真空槽と、前記真空槽に六フッ化硫黄ガスと酸素ガスとをエッチングガスとして供給するガス供給部と、前記真空槽内に高周波電力を供給して前記エッチングガスでプラズマを生成するプラズマ生成部とを備え、
前記プラズマによって前記シリコン基板をエッチングするプラズマエッチング装置であって、
前記プラズマに含まれる酸素ラジカルの密度が前記高周波電力の供給開始から単調増加する期間が第一の期間として設定されており、前記プラズマに含まれるフッ素系ラジカルの密度が前記高周波電力の供給開始から単調増加する期間が第二の期間として設定されており、
前記プラズマ生成部は、
前記供給開始から前記第一の期間が経過した後でかつ前記第二の期間が経過する前に、前記高周波電力の供給を停止し、前記高周波電力の供給と前記高周波電力の供給停止とを交互に繰り返す
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012531791A JP5507695B2 (ja) | 2010-08-31 | 2011-08-18 | プラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010194118 | 2010-08-31 | ||
JP2010194118 | 2010-08-31 | ||
JP2012531791A JP5507695B2 (ja) | 2010-08-31 | 2011-08-18 | プラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置 |
PCT/JP2011/068693 WO2012029554A1 (ja) | 2010-08-31 | 2011-08-18 | プラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012029554A1 JPWO2012029554A1 (ja) | 2013-10-28 |
JP5507695B2 true JP5507695B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=45772658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012531791A Active JP5507695B2 (ja) | 2010-08-31 | 2011-08-18 | プラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5507695B2 (ja) |
TW (1) | TW201209914A (ja) |
WO (1) | WO2012029554A1 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2679816B2 (ja) * | 1988-06-24 | 1997-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
JPH02312229A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-27 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマエッチング方法 |
JPH06342769A (ja) * | 1992-08-21 | 1994-12-13 | Nissin Electric Co Ltd | エッチング方法及び装置 |
JP3323190B2 (ja) * | 2000-04-19 | 2002-09-09 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング方法、半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置 |
-
2011
- 2011-08-18 WO PCT/JP2011/068693 patent/WO2012029554A1/ja active Application Filing
- 2011-08-18 JP JP2012531791A patent/JP5507695B2/ja active Active
- 2011-08-29 TW TW100130870A patent/TW201209914A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201209914A (en) | 2012-03-01 |
JPWO2012029554A1 (ja) | 2013-10-28 |
WO2012029554A1 (ja) | 2012-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI518775B (zh) | 蝕刻處理方法 | |
US20180005850A1 (en) | Selective etch using material modification and rf pulsing | |
TWI665726B (zh) | 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置 | |
TWI578381B (zh) | 用於蝕刻基板之方法 | |
JP2011238935A (ja) | エッチング方法及び装置 | |
JP5686747B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
JP2002542623A (ja) | 深開口部を形成するためにプラズマ処理室内でシリコン層をエッチングする方法 | |
KR102513051B1 (ko) | 에칭 방법 | |
JP2010021442A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2008177209A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
TW201324611A (zh) | 利用脈衝偏壓之蝕刻 | |
WO2004086478A1 (ja) | シリコン基板のエッチング方法及びエッチング装置 | |
JP6504827B2 (ja) | エッチング方法 | |
JP2014229751A (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
JP5507695B2 (ja) | プラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置 | |
JP4769737B2 (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
JP2008041744A (ja) | ドライエッチング方法等 | |
JP2008243918A (ja) | ドライエッチング方法 | |
TWI836238B (zh) | 沉積預蝕刻保護層之方法 | |
US20220367202A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
TW201828360A (zh) | 高深寬比蝕刻 | |
JP5284679B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
TWI835756B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2005166827A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP2007134660A (ja) | ドライエッチング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140319 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5507695 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |