JP5504728B2 - 半導体チップ、半導体チップの製造方法並びに半導体ウエハ - Google Patents
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Description
前記ダイシング領域に隣接する前記半導体素子部間にわたり設けられ、前記ダイシング領域を切断した後も前記個々の半導体素子部の外周領域に残り、前記半導体素子部を個々に識別するための少なくとも1つ以上の凹部又は凸部からなる識別部を備えた半導体チップであって、
前記凹部又は凸部からなる識別部は、前記半導体素子部の端部から前記半導体チップの端部まで延びていることを特徴とする半導体チップである。
前記各半導体素子部を前記ダイシング領域を切断することによって、前記個々の半導体素子部の外周領域に前記識別部を残した状態で分離する分離工程とを備えた半導体チップの製造方法であって、
前記凹部又は凸部からなる識別部は、前記半導体素子部の端部から前記半導体チップの端部まで延びていることを特徴とする半導体チップの製造方法である。
前記ダイシング領域に隣接する前記半導体素子部間にわたり設けられ、前記ダイシング領域を切断した後も前記個々の半導体素子部の外周領域に残り、前記半導体素子部を個々に識別するための少なくとも1つ以上の凹部又は凸部からなる識別部を備え、
前記凹部又は凸部からなる識別部は、前記半導体素子部の端部から隣接する他の半導体素子に向けて前記ダイシング領域に延び、前記凹部又は凸部の途中で切断されることで前記個々の半導体素子部の外周領域に残ることを特徴とする半導体ウエハである。
図2はこの発明の実施の形態1に係る半導体チップとしての自己走査型発光素子アレイチップ(SLED:SELF−SCANNING LIGHT−EMITTING DEVICE)を製造するための半導体ウエハを示すものである。この半導体ウエハ1は、図2 に示すように、GaAs基板等からなるp型のウエハ基板2上に、第1層としてのp型層3と、第2層としてのn型層4と、第3層としてのp型層5と、第4層としてのn型層6からなる半導体層が順次積層されている。
識別部27は、図8(b)に示すように、ダイシング溝部25の深さと同じ深さに形成する必要はなく、ダイシング溝部25よりも浅い溝部として形成しても良く、又、識別部27の幅は、ダイシング溝部25の幅と同じ幅に形成する必要はなく、ダイシング溝部25の幅の1/2や1/3の幅に形成しても良い。即ち、上記識別部27は、半導体チップを個別に分離した後に、半導体チップに残る凸部又は凹部から構成されるものであり、他の部分と区別され、且つ半導体チップを個別に識別可能なものであれば良い。
図9及び図10はこの発明の実施の形態2を示すものであり、前記実施の形態1と同一の部分には同一の符号を付して説明すると、この実施の形態2では、前記識別部は、半導体製造工程において、前記半導体ウエハの全表面を複数回に分けて露光する際に、前記半導体ウエハ表面の露光位置を特定する露光位置特定情報部と、各露光における個々の半導体チップの位置を特定するチップ位置特定情報部とから構成されている。
図11及び図12はこの発明の実施の形態3を示すものであり、前記実施の形態1と同一の部分には同一の符号を付して説明すると、この実施の形態3では、識別部が設けられる領域を示す基準マークを備えるように構成されている。
図14はこの発明の実施の形態4を示すものであり、前記実施の形態1と同一の部分には同一の符号を付して説明すると、この実施の形態4に係る半導体ウエハは、表面に半導体製造工程を経て形成される複数の半導体チップを個別に分離するためのダイシング溝部と、前記ダイシング溝部の少なくとも一部に形成され、研削工程における流体が前記ダイシング溝部に流入するのを阻止する流入阻止部とを備えるように構成されている。
Claims (7)
- 半導体ウエハの表面に半導体製造工程を経て形成され、個々に区画するダイシング領域を切断することで分離される半導体素子部と、
前記ダイシング領域に隣接する前記半導体素子部間にわたり設けられ、前記ダイシング領域を切断した後も前記個々の半導体素子部の外周領域に残り、前記半導体素子部を個々に識別するための少なくとも1つ以上の凹部又は凸部からなる識別部を備えた半導体チップであって、
前記凹部又は凸部からなる識別部は、前記半導体素子部の端部から前記半導体チップの端部まで延びていることを特徴とする半導体チップ。 - 前記識別部は、半導体製造工程において、前記半導体ウエハの全表面に全面露光する際に、個々の半導体素子部に対応して個別に付与されることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップ。
- 前記識別部は、半導体製造工程において、前記半導体ウエハの全表面を複数回に分けて露光する際に、前記半導体ウエハ表面の露光位置を特定する露光位置特定情報部と、各露光における個々の半導体素子部の位置を特定する素子部位置特定情報部とから構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップ。
- 半導体ウエハの表面に半導体製造工程を経て複数の半導体素子部を形成する際に、前記複数の半導体素子部を個々に区画するダイシング領域に隣接する前記半導体素子部間にわたり設けられ、前記各半導体素子部を個々に識別するための少なくとも1つ以上の凹部又は凸部からなる識別部を形成する識別部形成工程と、
前記各半導体素子部を前記ダイシング領域を切断することによって、前記個々の半導体素子部の外周領域に前記識別部を残した状態で分離する分離工程とを備えた半導体チップの製造方法であって、
前記凹部又は凸部からなる識別部は、前記半導体素子部の端部から前記半導体チップの端部まで延びていることを特徴とする半導体チップの製造方法。 - 半導体製造工程を経て形成され、個々に区画するダイシング領域を切断することで分離される複数の半導体素子部と、
前記ダイシング領域に隣接する前記半導体素子部間にわたり設けられ、前記ダイシング領域を切断した後も前記個々の半導体素子部の外周領域に残り、前記半導体素子部を個々に識別するための少なくとも1つ以上の凹部又は凸部からなる識別部を備え、
前記凹部又は凸部からなる識別部は、前記半導体素子部の端部から隣接する他の半導体素子に向けて前記ダイシング領域に延び、前記凹部又は凸部の途中で切断されることで前記個々の半導体素子部の外周領域に残ることを特徴とする半導体ウエハ。 - 前記ダイシング領域に設けられるダイシング溝部の少なくとも一部に形成され、研削工程における流体が前記ダイシング溝部に流入するのを阻止する流入阻止部を備えたことを特徴とする請求項5に記載の半導体ウエハ。
- 前記流入阻止部が前記識別部を兼ねたことを特徴とする請求項6に記載の半導体ウエハ。
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JP2009171253A JP5504728B2 (ja) | 2009-07-22 | 2009-07-22 | 半導体チップ、半導体チップの製造方法並びに半導体ウエハ |
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