JP5502980B2 - 非金属導電層をパターン化する方法 - Google Patents
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Description
本出願は、2012年4月20日に出願された台湾出願番号:101114215の優先権の利益を主張するものであり、ここに参照することによりその全体が本願明細書に組み込まれるものとする。
ワイヤーバー(RDSから購入)用カーボンナノチューブ(CNT)導電性溶液(又は、CNTインクという)によってPETフィルム(300mm×250mm、厚さ188μm、品番A4300、TOYOBOから購入)を塗布してから、120℃でオーブン(品番RHD−452、Premaから購入)の中で塗布されたPETフィルムを2分間ベークして、CNT導電性溶液における溶剤を取り除いた。従って、PETフィルムに厚さ約100nmのCNT導電層が形成された。
40x光学顕微鏡で目視より前記得られた回路基板を検査し、パターン化されたCNT導電層の表面に残りのフォトレジストがあるかどうかを観察する。1%未満であったCNT導電層の表面が、残りのフォトレジストに覆われると、記号「O」を使用した。1%−5%であるCNT導電層の表面が、残りのフォトレジストに覆われると、記号「Δ」を付ける。5%を超えるCNT導電層の表面が、残りのフォトレジストに覆われると、記号「X」を付ける。
40x光学顕微鏡で目視より前記得られた回路基板を検査して、パターン化されたCNT導電層の線幅及び線間隔を観察した。線幅が90μmを超えると、記号「O」を付ける。線幅が50μm−90μmであれば、記号「Δ」を使用した。線幅が50μm未満であれば、記号「X」を付ける。
まず、前記の回路基板を寸法5cm×5cmにカットしてから、表面抵抗計(MCP−T600のLORESTA GP品番、日本Mitsubishiから購入)によってカットされた回路基板を測定して、パターン化されたCNT導電層の導電率を試験した。処理された後の表面抵抗(R)と初期表面抵抗(Ro)との比率が1.1未満であれば、記号「O」を付ける。処理された後の表面抵抗(R)与初期表面抵抗(Ro)との比率が1.1−1.2であれば、記号「Δ」を付ける。処理された後の表面抵抗(R)与初期表面抵抗(Ro)の比率が1.2を超えると、記号「X」を付ける。
まず、前記の回路基板を寸法5cm×5cmにカットしてから、マルチメータ(品番DM−2630、HOLAから購入)によってカットされた回路基板を測定して、エッチングされた領域(導線間の間隔)の抵抗を得た。エッチングされた領域の抵抗は、エッチング結果の評価に用いられることができた。測定された抵抗が100M・ohmを超えると、記号「O」を付ける。測定された抵抗が25M・ohm−100M・ohmであれば、記号「Δ」を付ける。測定された抵抗が25M・ohm未満であれば、記号「X」を付ける。
実施例2の調製条件は、実施例1の調製条件と同じであった。現像液をフェニルエタンに変えた点で相違している。その後、実施例2の回路基板で同じ試験を遂行した。得た結果を表1に示した。
実施例3の調製条件は、実施例1の調製条件と同じであったが、現像液をトルエンに変えた。その後、実施例3の回路基板で同じ試験を遂行した。得た結果を表1に示した。
実施例4の調製条件は、実施例1の調製条件と同じであったが、エッチング液をH2O235重量%に変えた。その後、実施例4の回路基板で同じ試験を遂行した。得た結果を表1に示した。
実施例5の調製条件は、実施例1の調製条件と同じであったが、エッチング液をKMnO45重量%に変えた。その後、実施例5の回路基板で同じ試験を遂行した。得た結果を表1に示した。
実施例6の調製条件は、実施例1の調製条件と同じであったが、エッチング液をNaOH2.5重量%に変えた。その後、実施例6の回路基板で同じ試験を遂行した。得た結果を表1に示した。
実施例7の調製条件は、実施例1の調製条件と同じであったが、エッチング液をKOH2.5重量%に変えた。その後、実施例7の回路基板で同じ試験を遂行した。得た結果を表1に示した。
実施例8の調製条件は、実施例1の調製条件と同じであったが、フォトレジスト剥離剤をH2SO497重量%に変えた。その後、実施例8の回路基板で同じ試験を遂行した。得た結果を表1に示した。
実施例9の調製条件は、実施例1の調製条件と同じであったが、フォトレジスト剥離剤をドデシルベンゼンスルホン酸(品番Microstrip、Fujifilmから購入)に変えた。その後、実施例9の回路基板で同じ試験を遂行した。得た結果を表1に示した。
実施例10の調製条件は、実施例1の調製条件と同じであったが、フォトレジストをネガ型フォトレジストSC−100(主成分は、環化ポリイソプレンであり、日本Fujifilmから購入)に変えた。その後、実施例10の回路基板で同じ試験を遂行した。得た結果を表1に示した。
比較実施例1の調製条件は、実施例1の調製条件と同じであったが、フォトレジストをポジ型フォトレジストTFP600(主成分は、フェノール類ノボラック樹脂であり、台湾AZ Electronic Materialsから購入)に変えて、現像液を有機アルカリ現像液(品番AZ300MIF、TMAH2.38重量%、標準レシピ、台湾AZ Electronic Materialsから購入)に変えて、且つフォトレジスト剥離剤をN−メチルピロリジノン(品番AZ400T、台湾AZ Electronic Materialsから購入)に変えた。その後、比較実施例1の回路基板で同じ試験を遂行した。得た結果を表1に示した。
比較実施例2の調製条件は、実施例1の調製条件と同じであったが、フォトレジストをポジ型フォトレジストAZ 6112(主成分は、ナフトキノンジアジド誘導体及びフェノール類ノボラック樹脂であり、台湾AZ Electronic Materialsから購入)に変えて、現像液をKOH水溶液2.5重量%に変えて、且つフォトレジスト剥離剤をN−メチルピロリジノン(品番AZ300T、台湾AZ Electronic Materialsから購入)に変えた。その後、比較実施例2の回路基板で同じ試験を遂行した。得た結果を表1に示した。
12 基板
14 導電層
16 パターン化された導電層
20 フォトレジスト層
22 フォトレジスト
30 フォトマスク
40 放射光
50 回路基板
Claims (10)
- 基板にカーボンナノチューブからなる非金属導電層を形成するステップと、
材料が環化ポリイソプレン、アルカリ可溶性アクリル樹脂、ヒドロキシスチレンモノマー含有共重合体、又は上記いずれの組み合わせであるネガ型フォトレジスト層を前記非金属導電層に形成するステップと、
放射光によってパターン化されたフォトマスクを介して前記ネガ型フォトレジスト層を露光するステップと、
キシレン、フェニルエタン、トルエン又は上記の組み合わせである現像液によって前記ネガ型フォトレジスト層を現像するステップと、
エッチング液によって前記非金属導電層をエッチングするステップと、
非アルカリ性剥離剤又は溶剤型剥離剤によって前記露光されたネガ型フォトレジスト層を取り除くステップとを備える非金属導電層をパターン化する方法。 - 前記基板は、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリビニル系樹脂、セルロースエステル、ポリカーボネート系樹脂、ポリ(酢酸ビニル)及びポリ(酢酸ビニル)の誘導体、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリイミド、アミノプラスチック、エポキシ樹脂、ウレタン、ポリイソシアヌレート、フラン樹脂、シリコーン、カゼイン樹脂、シクロ熱可塑性樹脂、含フッ素ポリマー、ポリエーテルスルホン又はガラスである材料によって作製される請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、ポリエステル系樹脂によって作製される請求項1に記載の方法。
- 前記ポリエステル系樹脂は、ポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンナフタレートである請求項3に記載の方法。
- 前記ネガ型フォトレジスト層の主成分は、環化ポリイソプレンである請求項1に記載の方法。
- 前記放射光は、UV光である請求項1に記載の方法。
- 前記エッチング液は、次亜塩素酸ナトリウム、過酸化水素、過マンガン酸カリウム、重クロム酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム又は上記いずれの組み合わせである請求項1に記載の方法。
- 前記非アルカリ性剥離剤のpHは、7未満である請求項1に記載の方法。
- 前記非アルカリ性剥離剤の主成分は、硫酸である請求項8に記載の方法。
- 前記溶剤型剥離剤の主成分は、アルキルベンゼンスルホン酸と高沸点芳香族ソルベントナフサとの混合溶液又はドデシルベンゼンスルホン酸である請求項1に記載の方法。
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