JP5489098B2 - 蛍光x線分析用のドリフト補正試料ならびにそれを用いる蛍光x線分析方法およびその作製方法 - Google Patents

蛍光x線分析用のドリフト補正試料ならびにそれを用いる蛍光x線分析方法およびその作製方法 Download PDF

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Description

本発明は、蛍光X線分析用のドリフト補正試料ならびにそれを用いる蛍光X線分析方法およびその作製方法に関する。
従来、試料に1次X線を照射して発生する蛍光X線の強度を測定する蛍光X線分析装置において、同一の試料についての測定強度が種々の原因で経時的に変化(ドリフト)するのを補正するいわゆるドリフト補正が定期的に行われる。このドリフト補正のために、例えば、検量線を作成するのに用いた標準試料すべてについて元素ごとにX線強度を測定しなおすとすると、補正のたびに多大な手間と時間を要する。そこで、ドリフト補正用にドリフト補正試料を設定して基準となるX線強度を測定しておき、補正する際には、設定したドリフト補正試料のみを測定してその時の測定強度と前記基準となる測定強度とからドリフト補正係数を求め、そのドリフト補正係数を分析対象試料の測定強度に適用して補正することが行われる。
薄膜上に載せた微量粉末試料、ろ紙やポリマーフィルムの上に保持された微量溶液試料、薄膜試料など、試料保持部が薄膜である試料、または試料そのものが薄膜の蛍光X線分析においては、長期間安定して使用できるガラスビードのドリフト補正試料が用いられている。しかし、ガラスビードのドリフト補正試料の作製には熟練が必要であり、また、蛍光X線分析用のドリフト補正試料の厚さの増加に応じて、X線管からの照射X線がドリフト補正試料を透過する量が減少し散乱X線が増加してバックグラウンドが高くなるため、薄くする必要があり、割れやすい。そのために、金属酸化物を分散させた標準液をフィルタ(ろ紙)に捕集し、この捕集面上に高分子膜を吹きつけたもの、あるいはプラスチックフィルムバウチを被覆した蛍光X線分析用標準試料がある(特許文献1)。
この蛍光X線分析用標準試料(ドリフト補正試料)はろ紙と高分子膜の二層構造であり、1mm程度の厚さになる。また、ドリフト補正試料としても用いることのできるものとして、プラスチックを蛍光X線分析法で正確に定量分析するために、プラスチック基材中に既知量のCr、Co、Niなどの元素を分散させ、数百μmの厚さを有するプラスチック標準物質がある(特許文献2)。
また、試料ではないが、蛍光X線分析の分野で用いられる薄膜とその作製方法として、蛍光X線分析装置の線照射窓などとして好適に使用できるポリイミドフィルムとその作製方法がある(特許文献3)。
特開平2−57951号公報 特開2004−257809号公報 特開2002−361659号公報
特許文献1および2に記載されている、ろ紙、一般的な高分子膜、プラスチックフィルムなどは、分析時に照射される照射X線によって劣化しやすく、耐久性がなく長期間にわたって使用することができない。また、従来、用いられている厚さが2mm程度のガラスビードのドリフト補正試料のバックグラウンドは高く、例えば図14に示すように、ポリイミドフィルムによって表面がコーティングされたガラスビードのドリフト補正試料を用いた測定データでは、測定スペクトルに重なる散乱X線強度が高いMoを精度よく測定することができない。特許文献1に記載の蛍光X線分析用ドリフト補正試料は1mm程度の厚さがあり、また特許文献2に記載の蛍光X線分析用のプラスチック標準物質は数百μm程度の厚さがある。このような厚さの蛍光X線分析用のドリフト補正試料を用いて測定すると、バックグラウンドが高くなり高精度の分析を行うことができない。一方、特許文献3に記載されているポリイミドフィルムは分析元素を含んでいないため、ドリフト補正試料として用いることができず、またその作製方法は、形成されたフィルムを基板から剥離するのに熟練が必要であり、作製歩留まりを向上させることが難しい。
本発明は前記従来の問題に鑑みてなされたもので、製作歩留まりがよく長期間にわたって安定して使用でき、バックグラウンドを抑制する蛍光X線分析用のドリフト補正試料ならびにそれを用いる蛍光X線分析方法およびその作製方法を提供して、蛍光X線分析の分析精度を向上させることを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明のドリフト補正試料は、蛍光X線分析装置における測定強度の経時変化を補正するための基準となるドリフト補正試料であって、母材であるポリイミドまたはパラキシリレン系ポリマーに少なくとも1つの分析対象元素が混入され、厚さが0.1mm未満に製膜される。
本発明のドリフト補正試料によれば、母材がポリイミドまたはパラキシリレン系ポリマーで製膜されているので、分析時に照射される照射X線に対し耐久性があり、長期間にわたって安定して使用できる。さらに、このドリフト補正試料は、膜厚が0.1mm未満のポリイミドまたはパラキシリレン系ポリマーで形成されているので、分析時に照射される照射X線が透過しやすく散乱X線がほとんど発生せず、バックグラウンドが抑制され高精度の分析を行うことができる。
本発明の蛍光X線分析方法は、本発明のドリフト補正試料を用いて蛍光X線分析を行う。
本発明の蛍光X線分析方法によれば、本発明のドリフト補正試料を用いるので、本発明のドリフト補正試料と同様の効果を奏することができる。
本発明のドリフト補正試料の第1の構成にかかわる作製方法は、蛍光X線分析装置における測定強度の時変化を補正するための基準となるドリフト補正試料の作製方法であって、基板上に少なくとも1つの分析対象元素を混入して希釈溶媒で粘度調整したワニスをフィルム状に塗布し、その基板を徐々に加温して前記希釈溶媒を除去し、さらに加温して前記ワニスをイミド化しつつ前記希釈溶媒を除去した後、放冷し、前記基板上に塗布して形成され、前記分析対象元素を含むポリイミドフィルムを基板から剥離させて、ドリフト補正試料とする。
本発明のドリフト補正試料の第1の構成にかかわる作製方法によれば、前記本発明のドリフト補正試料を歩留まりよく作製することができる。
本発明のドリフト補正試料の第2の構成にかかわる作製方法は、蛍光X線分析装置における測定強度の時変化を補正するための基準となるドリフト補正試料の作製方法であって、基板上にベース用ポリイミドフィルムを貼付し、その上に少なくとも1つの分析対象元素を混入して希釈溶媒で粘度調整したワニスをフィルム状に塗布し、その基板を徐々に加温して前記希釈溶媒を除去し、さらに加温して前記ワニスをイミド化しつつ前記希釈溶媒を除去した後、放冷し、前記ベース用ポリイミドフィルム上に塗布することによって前記ベース用ポリイミドフィルムと一体形成された、前記分析対象元素を含むポリイミドフィルムを基板から剥離させて、ドリフト補正試料とする。
本発明のドリフト補正試料の第2の構成にかかわる作製方法によれば、さらに歩留まりよく本発明のドリフト補正試料を作製することができる。
本発明にかかる蛍光X線分析用のドリフト補正試料の作製方法の第1の実施形態を示すフローチャートで、器材、材料などの準備過程を示している。 同じくドリフト補正試料であるフィルムを基板上に製膜するときの過程を示している。 同じくドリフト補正試料であるフィルムを基板から剥離するときの過程を示している。 本発明の第2の実施形態を示すフローチャートで、器材、材料などの準備過程を示している。 同第2の実施形態のドリフト補正試料であるフィルムを基板上に製膜するときの過程を示している。 同第2の実施形態のドリフト補正試料であるフィルムを基板から取外すときの過程を示している。 本発明の第3の実施形態を示すフローチャートで、器材、材料などの準備過程を示している。 同第3の実施形態のドリフト補正試料であるフィルムを基板上に製膜するときの過程を示している。 同第3の実施形態のドリフト補正試料であるフィルムを基板から取外すときの過程を示している。 本発明のドリフト補正試料を保持する試料保持具の斜視図である。 本発明の蛍光X線分析方法に使用される蛍光X線分析装置の概略図である。 本発明のドリフト補正試料を用いた測定データである。 ポリイミド膜のみを用いた測定データである。 ポリイミドフィルムによって表面がコーティングされたガラスビードのドリフト補正試料を用いた測定データである。
以下、本発明による蛍光X線分析用のドリフト補正試料の作製方法の第1の実施形態を図1〜3に基づいて説明する。図1〜3は、ドリフト補正試料を作製するときのフローチャートで、図1は器材、材料などの準備工程、図2はドリフト補正試料を基板上に製膜するときの工程、図3はドリフト補正試料を基板から剥離するときの工程をそれぞれ示している。
まず、図1のステップ1(ST1)において、作製器材を準備する。基板として、光を反射して光沢に富む表面平滑なSiウェーハを用意し、その他に、安全カミソリ、ホットプレート、電気炉(350℃まで昇温できるもの)、冷蔵庫、スピンコータ、トルエンおよびアセトン溶液、液体が浸透可能な紙製の保護テープ、カッターナイフ、ろ紙などを用意する。
ステップ2(ST2)において、ドリフト補正試料材料を準備する。母材としては、ワニスを準備する。このワニスはポリアミド酸を溶解させたものである。この母材に混入させる分析対象元素の溶液として、原子吸光分光分析用金属標準液、有機金属溶液など、ワニス希釈溶媒およびイミド化反応溶媒としてN−メチル・2ピロリドンを準備し、分析対象元素の標準溶液の所定量とN−メチル・2ピロリドンの所定量とを混合してワニスの希釈溶媒である分析対象元素含有N−メチル・2ピロリドンを作製する。前記の金属元素が溶解された溶液には単元素または複数元素のどちらが含まれていてもよい。
ステップ3(ST3)において、ワニスの粘度が調整される。前記ワニスと分析対象元素含有N−メチル・2ピロリドンとを20対3(重量%)の配合比で混合して撹拌すると、ドリフト補正試料の母材であるワニスに分析対象元素が混入される。その後、この混合物を24時間程度自然放置してなじませるか、またはビニール袋に封印して冷蔵庫内で12時間以上静置する。この配合比とすることにより、後述するように、ワニスをSiウェーハ上に滴下して薄くフィルム状に引き延ばすときの作業を良好に行うことができる。撹拌後長時間放置するのは、ワニスと分析対象元素含有N−メチル・2ピロリドンとを均一化させるためである。また、混合物からイミド化反応に悪影響を及ぼす酸素を除去するためで、真空引きなどを行うと、分析対象元素含有N−メチル・2ピロリドンが飛散して前記配合比が損なわれるからである。
次に、図2に示すステップ4(ST4)において、Siウェーハ(基板)の洗浄が行われる。このステップでは、Siウェーハの表面をトルエン溶液で洗い流し、その後アセトン溶液で再度洗浄する。このように洗浄すると、Siウェーハ上の油分などの汚れが除去される。洗浄に用いた溶液がごくわずかウェーハ表面に残り、炭素分子の薄膜が形成され、Siウェーハからポリイミドフィルムが剥離しやすくなる効果もあると思われる。
ステップ5(ST5)において、前記ステップ3で分析対象元素含有N−メチル・2ピロリドンによって粘度調整されたワニスをSiウェーハ上に塗布する。具体的には、このワニスの数滴をSiウェーハ上に落し、安全カミソリの刃を寝かして前後左右方向に繰り返し移動させながら、ワニスを薄くフィルム状に引き延ばして1〜5μmの厚さと必要な面積を出す。このとき、前記Siウェーハは約80℃に加温しておくことが好ましく、これにより前記ワニスを延伸させやすくなる。また、このとき、基板として光を反射するSiウェーハが使用されているので、その上でワニスを薄く延ばすと、等高線のような干渉縞が発生する。この干渉縞は、膜厚が薄い部分では広い間隔となり、厚い部分では狭い間隔となり、膜厚が均一な部分では間隔が等しくなり、不均一な部分では間隔がまちまちになるので、このような干渉縞を目安としてワニスの厚さ調整を行うことにより、所望の厚さで均一な膜厚のポリイミドフィルムを簡単に得ることができる。
ステップ6(ST6)において、Siウェーハ上に塗布したワニスの厚さをスピンコータによりさらに均一に調整する。ここでは、ワニスを塗布したSiウェーハをスピンコータに固定し、約80℃に加温しながら10秒程度スピンさせる。回転数は、状態を観察しながら500、1000、2000rpmと変化させる。これにより、より均一な厚さのポリイミドフィルムが簡単に得られる。
ステップ7(ST7)において、ワニスの溶媒除去を行う。具体的には、ワニスを塗布したSiウェーハをスピンコータから取り外し、ホットプレート上に載せる。そして、ホットプレートを室温から50℃、80℃、100℃にまで徐々に加温する。これにより、前記ステップ3でワニスをSiウェーハ上で引き延ばすときの作業性を高めるために配合された分析対象元素含有N−メチル・2ピロリドンのうち、次のイミド化反応において必要でない過剰分を徐々に飛散させて除去する。このときの昇温スピードは、室温〜100℃/60分程度が好ましい。この範囲を逸脱して急速に分析対象元素含有N−メチル・2ピロリドンを飛散させると、得られるポリイミドフィルムにピンホールが発生しやすくなる。
ステップ8(ST8)において、フィルムのイミド化反応が行われる。具体的には、ワニスを塗布したSiウェーハを電気炉に移し、150℃で30分間維持する。その後、さらに200℃で30分以上維持する。このとき、ワニスは分析対象元素含有N−メチル・2ピロリドンの存在下で約190℃の温度でイミド化するので、これよりも高い例えば200℃の温度で30分以上維持することによって、ワニスのイミド化が行われる。また、このようなワニスのイミド化反応は、窒素などの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。つまり、イミド化を行うとき、酸素が存在すると、これがイミド化反応を阻害して、フィルムが硬化するなどの不都合を発生させるので、不活性ガスで酸素の影響を排除することにより、より完全なイミド化反応が行える。なお、イミド化反応をより効率的に行うには、窒素雰囲気が最適である。
ステップ9(ST9)において、イミド化されたフィルムの調整が行われる。つまり、前記ステップ8と同じ電気炉内で、250℃で15分、300℃で15分にわたって段階的に昇温して、イミド化をより完全にするとともに、余分な分析対象元素含有N−メチル・2ピロリドンなどをより完全に除去する。
ステップ10(ST10)において、ポリイミドフィルムの冷却が行われる。ここでは、急冷することなく、室温で静置しながら自然放冷される。
さらに、図3のステップ11(ST11)において、冷却されたポリイミドフィルムの補強が行われる。具体的には、ポリイミドフィルムの全面に液体が浸透可能な例えば紙製の保護テープを貼り付け、その上を布で覆って擦り付けることにより、保護テープとポリイミドフィルムを密着させる。このようにすれば、ポリイミドフィルムが1〜5μmの膜厚であるにもかかわらず、後の工程(例えば後述するステップ13の剥離工程)での損傷が防止される。
ステップ12(ST12)において、ポリイミドフィルムのトリミングが行われる。例えば、紙製テープの上からカッタナイフによりポリイミドフィルムを円形に切断して、必要な大きさのポリイミドフィルムとする。
ステップ13(ST13)において、ポリイミドフィルムの剥離が行われる。例えば、トリミングされたポリイミドフィルムの円周部分にカッタナイフにより剥離口を形成し、その部分を手で持ってゆっくり剥離する。このとき、Siウェーハの表面には、前記ステップ4で炭素分子の薄膜が形成されているので、ポリイミドフィルムの剥離が容易に行える。
ステップ14(ST14)において、ポリイミドフィルムからのテープの除去が行われる。具体的には、ポリイミドフィルムにテープを接着したままの状態で、剥離溶媒であるトルエン溶液中に浸漬して、自然剥離が発生するまで放置する。このとき、ポリイミドフィルムの補強用として紙製のテープを使用しているので、その表面からトルエン溶液がテープの接着剤側に浸透して剥離作用を促進する。このポリイミドフィルムのトルエン溶液への浸漬時間は、約5分程度である。以上のようにすれば、ポリイミドフィルムが薄くても、Siウェーハから破損させることなく良好な状態で剥離できる。
ステップ15(ST15)において、ポリイミドフィルムの洗浄が行われる。具体的には、前記ステップ14でテープが剥離されたポリイミドフィルムをろ紙ですくい上げ、清浄なトルエン溶液に数回浸漬して、ポリイミドフィルム表面の汚れなどを洗浄する。
ステップ16(ST16)において、ポリイミドフィルムの乾燥が行われる。例えば、前記ステップ15で洗浄されたポリイミドフィルムがろ紙上で自然乾燥され、保管される。
以上のようなステップによって、1〜5μmの厚さで厚さむらが10%以下の均一厚さのポリイミドフィルムが作製される。ステップ2において単元素を含む標準溶液が用いられた場合には、単元素用のドリフト補正試料が作製され、複数元素を含む標準溶液が用いられた場合には、複数元素用のドリフト補正試料が作製される。高濃度と低濃度の含有率の標準溶液を用いてドリフト補正試料を2種類作製してもよい。1種類のドリフト補正試料を作製した場合には、そのドリフト補正試料の測定強度を用いてドリフト補正係数が求められ、2種類のドリフト補正試料を作製した場合には、2種類のドリフト補正試料の測定強度を用いてドリフト補正係数が求められる。
作製方法の第1の実施形態では、1〜5μmの厚さのドリフト補正試料を作製したが、ステップ5において膜厚を調整することにより所望の膜厚のドリフト補正試料を作製することができ、薄膜上に載せた微量粉末試料、ろ紙やポリマーフィルムの上に保持された微量溶液試料、薄膜試料など、試料保持部が薄膜である試料、または試料そのものが薄膜の蛍光X線分析に適した0.1mm未満の厚さのドリフト補正試料を作製することができる。
次に、ドリフト補正試料の作製方法の第2の実施形態を図4〜図6に基づいて説明する。
ステップ1(2ST1)において、作製器材を準備する。第1の実施形態の準備器材に加え、ニトフロン粘着テープを準備する。
ステップ2(2ST2)において、ドリフト補正試料材料を準備する。第1の実施形態の準備材料に加え、ワニスに混入させる分析対象元素の金属微粉末を準備し、ワニス希釈溶媒およびイミド化反応溶媒としてN−メチル・2ピロリドンを準備して、分析対象元素の金属微粉末をN−メチル・2ピロリドンの所定量に混合してワニスの希釈溶媒である分析対象元素含有N−メチル・2ピロリドンを作製する。前記の金属微粉末としては単元素または複数元素のどちらが含まれていてもよい。金属微粉末としては350℃以下で変化しない酸化物であり、作製されるドリフト補正試料の膜厚以下の粒径の微粉末が好ましい。例えば、ワニス5.28gとN−メチル・2ピロリドン1.1gと酸化モリブデン0.049gとを混合させ、約1質量%のMoを含有したワニスに調整する。ワニスに混入させる分析対象元素としてはミルで微粉砕可能な試薬であればよく、例えばNaCl、MgO、KSO、Ca(OH)など種々の試薬が用いられる。
ステップ3(2ST3)において、第1の実施形態と同様にして母材であるワニスに分析対象元素が混入される。
図5に示すようにステップ4(2ST4)〜7(2ST7)のそれぞれにおいて、第1の実施形態と同様にSiウェーハの洗浄、Siウェーハ上へのワニスの塗布、ワニスの厚さの調整およびワニスの溶媒除去が行われる。第2の実施形態では形成されるフィルムの膜厚は、例えば3〜20μmに調整される。
ステップ7−1(2ST7−1)において、100℃に加温されたフィルムを室温に戻し、フィルムの1つの隅にニトフロン粘着テープを貼ってSiウェーハからフィルムを剥離する。剥離させたフィルムを再度、清浄にされたSiウェーハ上に載せてフィルムの周辺をニトフロン粘着テープで貼り、焼成のときにフィルムが丸まらないようにする。
ステップ8(2ST8)において、フィルムのイミド化反応が行われる。具体的には、フィルムが貼付されたSiウェーハを電気炉に移し、150℃で30分間維持する。その後は第1の実施形態と同様のステップ8の工程が行われる。
ステップ9(2ST9)および10(2ST10)のそれぞれにおいて、第1の実施形態と同様にフィルムの調整およびフィルムの冷却を行う。
ステップ7−1においてフィルムの周辺のみがSiウェーハにニトフロン粘着テープで貼られているので、フィルムの取り外しが容易であり、第1の実施形態のステップ11、12および13は省略することができる。
図6に示すようにステップ14(2ST14)において、ポリイミドフィルムの周辺のニトフロン粘着テープを除去し、Siウェーハからフィルムを取外す。
ステップ15(2ST15)および16(2ST16)のそれぞれにおいて、第1の実施形態と同様にフィルムの洗浄およびフィルムの乾燥を行う。
以上のステップによって、3〜20μmの厚さで厚さむらが10%以下の均一厚さのポリイミドフィルムが作製される。単元素を含む微粉末が用いられた場合には、単元素用のドリフト補正試料が作製され、複数元素を含む微粉末が用いられた場合には、複数元素用のドリフト補正試料が作製される。高濃度と低濃度の含有率の標準溶液を用いてドリフト補正試料を2種類作製してもよい。第1の実施形態と同様にしてドリフト補正係数が求められる。
次に、ドリフト補正試料の作製方法の第3の実施形態を図7〜図9に基づいて説明する。
ステップ1(3ST1)において、第2の実施形態と同様の作製器材を準備する。第3の実施形態における基板は、第1および第2の実施形態の基板であるSiウェーハのような鏡面状態の平板は必要でなく、平滑な平面を有するセラミックスなどの耐熱性平板であればよい。
ステップ2(3ST2)において、ドリフト補正試料材料を準備する。第2の実施形態の準備材料に加え、所定の厚さ、例えば10μmのポリイミドフィルムをベース用ポリイミドフィルムとして準備する。その後は第2の実施形態と同様のステップ2の工程が行われる。なお、ベース用ポリイミドフィルムとしては厚さ7.5〜25μmの市販のものでも、厚さ1〜50μmのものを自ら製作して使用してもよい。
ステップ3(3ST3)において、第2の実施形態と同様にして母材であるワニスに分析対象元素が混入される。
図8に示すようにステップ4(3ST4)において、第1の実施形態と同様にSiウェーハを洗浄する。
ステップ5−1(3ST5−1)において、Siウェーハ上にベース用ポリイミドフィルムの周辺をニトフロン粘着テープで貼付する。
ステップ5−2(3ST5−2)において、Siウェーハに貼付されたベース用ポリイミドフィルムの上面にステップ3で調整されたワニスを第1の実施形態と同様に塗布する。
ステップ6(3ST6)〜10(3ST10)のそれぞれにおいて、第1の実施形態と同様にワニスの厚さの調整、ワニスの溶媒除去、フィルムのイミド化、フィルムの調整およびフィルムの冷却を行う。
ステップ5(3ST5−1、2)においてベース用ポリイミドフィルムの周辺がニトフロン粘着テープで貼られているので、第1の実施形態のステップ11、12および13は省略することができる。
図9に示すようにステップ14(3ST14)において、ベース用ポリイミドフィルムの周辺のニトフロン粘着テープを除去し、ベース用ポリイミドフィルムと一体形成されたフィルムをSiウェーハから取外す。
ステップ15(3ST15)および16(3ST16)のそれぞれにおいて、第1の実施形態と同様にフィルムの洗浄およびフィルムの乾燥を行う。
以上のステップによって、ベース用ポリイミドフィルム上に形成されたフィルムは3〜20μmの厚さで厚さむらが10%以下の均一厚さのポリイミドフィルムが作製され、ベース用ポリイミドフィルムと一体形成されたフィルムは、例えば13〜30μmの厚さに形成される。単元素を含む微粉末が用いられた場合には、単元素用のドリフト補正試料が作製され、複数元素を含む微粉末が用いられた場合には、複数元素用のドリフト補正試料が作製される。高濃度と低濃度の含有率の標準溶液を用いてドリフト補正試料を2種類作製してもよい。第1の実施形態と同様にしてドリフト補正係数が求められる。
図10に示すように、このようにして作製されたドリフト補正試料1を試料保持具5に貼付し、従来、用いられている円筒形の中空カップ状である試料ホルダー18(図11)の開口部に載置して用いることができる。本発明のドリフト補正試料1は、分析対象元素が薄膜上や薄膜に保持されているのではなくポリイミドフィルム中に混入されているので、ドリフト補正試料1の表面が汚染した場合であっても清浄な拭き取り紙などで拭き取ることができ、長期間にわたって清浄な状態で使用することができる。
ラキシリレン系ポリマーをドリフト補正試料の母材とする場合には、真空蒸着によってドリフト補正試料が作製される。パラキシリレン系ポリマーの原料であるモノマーガスとガス化された分析対象元素の所定量が真空蒸着室に導入され、モノマーガスに分析対象元素のガスが混入する。分析対象元素が混入したモノマーガスが真空蒸着室に配置されたSiウェーハ上で重合してパラキシリレン系ポリマー薄膜を生成し、パラキシリレン系ポリマーのドリフト補正試料が作製される。
次に、本発明の蛍光X線分析方法について説明する。本発明の蛍光X線分析方法は、本発明のドリフト補正試料1を検量線の較正に用いる方法であって、図11に示すように、ドリフト補正試料1が貼付された試料保持具5を試料ホルダー18の開口部に載置して、その試料ホルダー18を蛍光X線分析装置10の試料ステージ17に載置し、ドリフト補正試料1の部位にX線管11からの1次X線12を照射し、発生する2次X線15の強度を検出器16で検出して測定する。
1種類のドリフト補正試料1を用いる場合には、ドリフト補正用に1種類のドリフト補正試料1を設定して基準となるX線強度を測定しておき、補正する際には、設定した1種類のドリフト補正試料1のみを測定してその時の測定強度と前記基準となる測定強度とからドリフト補正係数を求め、そのドリフト補正係数を分析対象試料の測定強度に適用して補正する。2種類のドリフト補正試料1を用いる場合には、ドリフト補正用に2種類のドリフト補正試料1を設定して基準となるX線強度を測定しておき、補正する際には、設定した2種類のドリフト補正試料1を測定してその時の各々の測定強度と前記基準となる各々の測定強度とから各々のドリフト補正係数を求め、そのドリフト補正係数を用いて検量線を較正して、分析対象試料を測定する。
第3の実施形態において作製したドリフト補正試料1を用いて測定した測定データを図12に、ベース用フィルムとして用いたポリイミドフィルムのみを測定した測定データを図13に示している。従来の厚さ2mmのガラスビードのドリフト補正試料の表面にステップ3で調整されたワニスが塗布され、イミド化されたポリイミドフィルムによって表面がコーティングされたガラスビードのドリフト補正試料を測定した測定データを図14に示している。第3の実施形態のドリフト補正試料1とガラスビードのドリフト補正試料には、それぞれ同量のMoが混入されている。図12〜14の横軸は蛍光X線分析装置10のゴニオメータ(図示なし)の走査角度であり、縦軸はドリフト補正試料から発生する2次X線15を検出器16が検出した強度を示している。図13の測定データと図14の測定データとを比べると、ポリイミドフィルムのバックグラウンドは小さく、ガラスビードのドリフト補正試料ではバックグラウンドが大きいことが分かる。
図14の測定データでは、Mo−Kα線が大きなバックグラウンドに重なって検出されているが、図12測定データでは、バックグラウンドがほとんどなくMo−Kα線が明確に検出され、正確に測定することができる。ポリイミドフィルムによって表面がコーティングされたガラスビードのドリフト補正試料では大きなバックグラウンドが重なっているため精度のよい測定をすることができない。したがって、薄膜上に載せた微量粉末試料、ろ紙やポリマーフィルムの上に保持された微量溶液試料、薄膜試料など、試料保持部が薄膜である試料、または試料そのものが薄膜のドリフト補正に、このドリフト補正試料1を用いることによって正確なドリフト補正係数が求められ、正確に検量線が較正され高精度な分析をすることができる。
なお、上述では1種類または2種類のドリフト補正試料1の作製について説明したが、3種類以上のドリフト補正試料1を作製してもよい。2種類または3種類以上のドリフト補正試料1を作製して、これを標準試料として検量線作成に用いてもよい。測定データのバックグラウンドを少なくするためにはドリフト補正試料の膜厚は薄い方が好ましいが、上記の第1〜第3の実施形態のステップ5および6における膜厚調整によって100μm(0.1mm)未満の膜厚のドリフト補正試料を作製することができる。
1 ドリフト補正試料
5 試料保持具
10 蛍光X線分析装置
11 X線管
12 1次X線
15 2次X線
16 検出器
17 試料ステージ
18 試料ホルダ

Claims (5)

  1. 蛍光X線分析装置における測定強度の経時変化を補正するための基準となるドリフト補正試料であって、
    母材であるパラキシリレン系ポリマーに少なくとも1つの分析対象元素が混入され、厚さが0.1mm未満に製膜されたドリフト補正試料。
  2. 請求項1に記載のドリフト補正試料を用いてドリフト補正を行う蛍光X線分析方法。
  3. 蛍光X線分析装置における測定強度の経時変化を補正するための基準となるドリフト補正試料であって、母材であるポリイミドに少なくとも1つの分析対象元素が混入され、厚さが0.1mm未満に製膜されたドリフト補正試料を用いてドリフト補正を行う蛍光X線分析方法。
  4. 蛍光X線分析装置における測定強度の経時変化を補正するための基準となるドリフト補正試料の作製方法であって、
    基板上に少なくとも1つの分析対象元素を混入して希釈溶媒で粘度調整したワニスをフィルム状に塗布し、
    その基板を徐々に加温して前記希釈溶媒を除去し、
    さらに加温して前記ワニスをイミド化しつつ前記希釈溶媒を除去した後、放冷し、
    前記基板上に塗布して形成され、前記分析対象元素を含むポリイミドフィルムを基板から剥離させて、ドリフト補正試料とする作製方法。
  5. 蛍光X線分析装置における測定強度の経時変化を補正するための基準となるドリフト補正試料の作製方法であって、
    基板上にベース用ポリイミドフィルムを貼付し、
    その上に少なくとも1つの分析対象元素を混入して希釈溶媒で粘度調整したワニスをフィルム状に塗布し、
    その基板を徐々に加温して前記希釈溶媒を除去し、
    さらに加温して前記ワニスをイミド化しつつ前記希釈溶媒を除去した後、放冷し、
    前記ベース用ポリイミドフィルム上に塗布することによって前記ベース用ポリイミドフィルムと一体形成された、前記分析対象元素を含むポリイミドフィルムを基板から剥離させて、ドリフト補正試料とする作製方法。
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