JP5485386B2 - Rfシングルエンド/差動変換器 - Google Patents
Rfシングルエンド/差動変換器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5485386B2 JP5485386B2 JP2012517832A JP2012517832A JP5485386B2 JP 5485386 B2 JP5485386 B2 JP 5485386B2 JP 2012517832 A JP2012517832 A JP 2012517832A JP 2012517832 A JP2012517832 A JP 2012517832A JP 5485386 B2 JP5485386 B2 JP 5485386B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- coupled
- transistors
- voltage
- cascomp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 43
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 43
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 230000006854 communication Effects 0.000 claims description 15
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007175 bidirectional communication Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3223—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using feed-forward
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45183—Long tailed pairs
- H03F3/45188—Non-folded cascode stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45024—Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier amplifying transistors are cascode coupled transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45166—Only one input of the dif amp being used for an input signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45318—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising a cross coupling circuit, e.g. two extra transistors cross coupled
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45366—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising multiple transistors parallel coupled at their gates only, e.g. in a cascode dif amp, only those forming the composite common source transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
本特許出願は、参照によってその全ての内容が本明細書に組み込まれる、2009年6月27日出願された、本発明の譲受人に譲渡された「RFシングルエンド/差動変換器(RF Single-Ended to Differential Converter)」と題する米国仮出願第61/221,048号の優先権を主張する。
この出願は、参照によってそれらの全ての内容が本明細書に組み込まれる、共に本発明の譲受人に譲渡された、2008年5月23日に出願された「改良された直線性を有する増幅器(Amplifier with Improved Linearization)」と題する米国特許出願第12/126,189号、及び、2007年6月12日に出願された「RF通信用線形トランスコンダクタ(Linear Transconductor for RF Communications)」と題する米国特許出願第11/761,947号に関連する。
本開示は、電子回路設計に関し、特に、直線性の高いシングルエンド/差動変換器を設計するための技術に関する。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
(1) 第1及び第2の入力トランジスタであって、前記第1の入力トランジスタのゲートがシングルエンド電圧に結合され、前記第2の入力トランジスタのゲートがAC接地電圧に結合され、前記第1及び第2の入力トランジスタが主電流によってバイアスされる、第1及び第2の入力トランジスタと、
それぞれ、前記第1及び第2の入力トランジスタのドレインに結合された第1及び第2のカスコードトランジスタと、
前記第1及び第2のカスコードトランジスタのドレインに結合された負荷素子であって、前記カスコードトランジスタのドレインが差動出力電圧に結合される、負荷素子と、及び
第1及び第2のcascompトランジスタであって、第1及び第2のcascompトランジスタのドレインがそれぞれ前記第2及び第1のカスコードトランジスタのドレインに結合され、前記第1のcascompトランジスタのゲートが前記シングルエンド電圧に結合され、前記第2のcascompトランジスタのゲートがAC接地電圧に結合され、前記cascompトランジスタが補助電流によってバイアスされる、第1及び第2のcascompトランジスタと、
を備える、シングルエンド/差動変換器を備える装置。
(2) 前記第1及び第2のcascompトランジスタは、弱反転領域でバイアスされ、前記第1及び第2の入力トランジスタは、中反転領域でバイアスされる、(1)の装置。
(3) 前記第1及び第2のcascompトランジスタは、0.4Vのゲート・ソース間電圧でバイアスされると共に0.55Vの閾値電圧を有し、前記第1及び第2の入力トランジスタは、0.6Vのゲート・ソース間電圧でバイアスされると共に0.55Vの閾値電圧を有する、(2)の装置。
(4) 前記第1及び第2のcascompトランジスタは、結合コンデンサを使用して、シングルエンド電圧及びACグランドに結合される、(1)の装置。
(5) 前記シングルエンド/差動変換器は、
第1の主電流源トランジスタであって、該第1の主電流源トランジスタのドレインが前記第1及び第2の入力トランジスタのソースに結合され、該第1の主電流源トランジスタがDC電圧でバイアスされる、第1の主電流源トランジスタと、
第2の主電流源トランジスタであって、該第2の主電流源トランジスタのドレインが前記第1及び第2の入力トランジスタのソースに結合され、該第2の主電流源トランジスタがDC電圧でバイアスされる、第2の主電流源トランジスタと、
前記第2の入力トランジスタのドレインに前記第1の主電流源トランジスタのゲートを結合する第1の結合コンデンサと、及び
前記第1の入力トランジスタのドレインに前記第2の主電流源トランジスタのゲートを結合する第2の結合コンデンサと、
をさらに備える、(1)の装置。
(6) 前記補助電流は、少なくとも一つの補助電流源トランジスタによって生成される、(1)の装置。
(7) 前記主電流は、前記補助電流よりも大きい、(1)の装置。
(8) 前記負荷素子は、前記カスコードトランジスタのドレインにコモンモード出力電圧を生成するような電圧を使用してバイアスされたトランジスタを備える、(1)の装置。
(9) 前記負荷素子は、抵抗を備える、(1)の装置。
(10) 前記装置は、無線通信デバイスを備える、(1)の装置。
(11) 第1及び第2の入力トランジスタと第1及び第2のカスコードトランジスタとを備える主シングルエンド/差動変換器にシングルエンド電圧を結合することであって、前記第1の入力トランジスタのゲートがシングルエンド電圧に結合され、前記第2の入力トランジスタのゲートがAC接地電圧に結合され、前記第1及び第2の入力トランジスタのソースが主電流によってバイアスされ、前記主シングルエンド/差動変換器が前記第1及び第2のカスコードトランジスタのドレインに結合された負荷素子をさらに備え、前記カスコードトランジスタのドレインが差動出力電圧に結合される、主シングルエンド/差動変換器にシングルエンド電圧を結合することと、及び
前記第2及び第1のカスコードトランジスタのドレイン電圧をそれぞれ第1及び第2のcascompトランジスタのドレインに結合することであって、前記第1のcascompトランジスタのゲートが前記シングルエンド電圧に結合され、前記第2のcascompトランジスタのゲートがAC接地電圧に結合され、前記cascompトランジスタのソースが補助電流によってバイアスされる、前記第2及び第1のカスコードトランジスタのドレイン電圧をそれぞれ第1及び第2のcascompトランジスタのドレインに結合することと、
を備える、方法。
(12) 前記第1及び第2のcascompトランジスタを弱反転領域でバイアスすることと、及び、前記第1及び第2の入力トランジスタを中反転領域でバイアスすることと、をさらに備える、(11)の方法。
(13) 0.4Vのゲート・ソース間電圧で前記第1及び第2のcascompトランジスタをバイアスすることであって、前記第1及び第2のcascompトランジスタが0.55Vの閾値電圧を有する、前記第1及び第2のcascompトランジスタをバイアスすることと、及び、0.6Vのゲート・ソース間電圧で前記第1及び第2の入力トランジスタをバイアスすることであって、前記第1及び第2の入力トランジスタが0.55Vの閾値電圧を有する、前記第1及び第2の入力トランジスタをバイアスすることと、をさらに備える、(12)の方法。
(14) 前記第1及び第2のcascompトランジスタを、結合コンデンサを使用して、シングルエンド電圧及びACグランドに結合することをさらに備える、(11)の方法。
(15) 前記第1及び第2の入力トランジスタのソースに、第1の主電流源トランジスタによって生成された電流を結合することであって、前記第1の主電流源トランジスタがDC電圧でバイアスされる、第1の主電流源トランジスタによって生成された電流を結合することと、
前記第1及び第2の入力トランジスタのソースに、第2の主電流源トランジスタによって生成された電流を結合することであって、前記第2の主電流源トランジスタがDC電圧でバイアスされる、第2の主電流源トランジスタによって生成された電流を結合することと、
第1の結合コンデンサを使用して、前記第2の入力トランジスタのドレインに前記第1の主電流源トランジスタのゲートを結合することと、及び
第2の結合コンデンサを使用して、前記第1の入力トランジスタのドレインに前記第2の主電流源トランジスタのゲートを結合することと、
をさらに備える、(11)の方法。
(16) 少なくとも一つの補助電流源トランジスタを使用して前記補助電流を生成することを備える、(11)の方法。
(17) 前記主電流は、前記補助電流よりも大きい、(11)の方法。
(18) 前記負荷素子は、前記カスコードトランジスタのドレインにコモンモード出力電圧を生成するような電圧を使用してバイアスされたトランジスタを備える、(11)の方法。
(19) 前記負荷素子は、抵抗を備える、(11)の方法。
(20) 主経路を使用して、シングルエンド電圧を差動電圧に変換するための手段と、及び
前記主経路によって生成された混近変調ひずみ結果物を、補助経路によって生成された混近変調ひずみ結果物で、キャンセルするための手段と、
を備える、シングルエンド/差動変換器を備える装置。
(21) キャンセルするための前記手段は、前記主経路中のトランジスタに結合された補助経路のcascompトランジスタを備える、(20)の装置。
(22) 直線性シングルエンド/差動変換器を向上させるために、前記主経路に提供される電流を適応的にバイアスするための手段をさらに備える、(20)の装置。
(23) アナログTX信号にディジタルTX信号を変換するための少なくとも1つのディジタル/アナログ変換器(DAC)と、前記アナログTX信号を増幅するための少なくとも1つのベースバンドTX増幅器と、TX LO信号発生器と、前記TX LO信号発生器及び前記少なくとも1つのベースバンドTX増幅器に結合されたアップコンバータと、前記アップコンバータの出力に結合されたTXフィルタと、前記TXフィルタに結合された電力増幅器(PA)と、前記電力増幅器の出力に結合されたデュプレクサと、前記デュプレクサに結合された低雑音増幅器(LNA)と、前記LNAに結合されたフィルタと、前記フィルタに結合されたシングルエンド/差動変換器と、RX LO信号発生器と、前記RX LO信号発生器及び前記シングルエンド/差動変換器の差動出力に結合されたダウンコンバータと、前記ダウンコンバータの出力に結合された少なくとも1つのローパスフィルタと、ディジタル信号に前記ローパスフィルタの出力を変換するための少なくとも1つのアナログ/ディジタル変換器(ADC)と、を備える無線通信用デバイスであって、前記シングルエンド/差動変換器が、
第1及び第2の入力トランジスタであって、前記第1の入力トランジスタのゲートがシングルエンド電圧に結合され、前記第2の入力トランジスタのゲートがAC接地電圧に結合され、前記第1及び第2の入力トランジスタが主電流によってバイアスされる、第1及び第2の入力トランジスタと、
前記第1及び第2の入力トランジスタのドレインにそれぞれ結合された第1及び第2のカスコードトランジスタと、
前記第1及び第2のカスコードトランジスタのドレインに結合された負荷素子であって、前記カスコードトランジスタのドレインが差動出力電圧に結合される、負荷素子と、及び
第1及び第2のcascompトランジスタであって、前記第1及び第2のcascompトランジスタのドレインがそれぞれ前記第2及び第1のカスコードトランジスタのドレインに結合され、前記第1のcascompトランジスタのゲートが前記シングルエンド電圧に結合され、前記第2のcascompトランジスタのゲートがAC接地電圧に結合され、前記cascompトランジスタが補助電流によってバイスされる、第1及び第2のcascompトランジスタと、
を備える、無線通信用デバイス。
Claims (18)
- 第1及び第2の入力トランジスタであって、前記第1の入力トランジスタのゲートがシングルエンド電圧に結合され、前記第2の入力トランジスタのゲートがAC接地電圧に結合され、前記第1及び第2の入力トランジスタが主電流によってバイアスされる、第1及び第2の入力トランジスタと、
それぞれ、前記第1及び第2の入力トランジスタのドレインに結合された第1及び第2のカスコードトランジスタと、
前記第1及び第2のカスコードトランジスタのドレインに結合された負荷素子であって、前記カスコードトランジスタのドレインが差動出力電圧に結合される、負荷素子と、
第1及び第2のcascompトランジスタであって、第1及び第2のcascompトランジスタのドレインがそれぞれ前記第2及び第1のカスコードトランジスタのドレインに結合され、前記第1のcascompトランジスタのゲートが前記シングルエンド電圧に結合され、前記第2のcascompトランジスタのゲートが前記AC接地電圧に結合され、前記cascompトランジスタが補助電流によってバイアスされる、第1及び第2のcascompトランジスタと、
第1の主電流源トランジスタであって、該第1の主電流源トランジスタのドレインが前記第1及び第2の入力トランジスタのソースに結合され、該第1の主電流源トランジスタがDC電圧でバイアスされる、第1の主電流源トランジスタと、
第2の主電流源トランジスタであって、該第2の主電流源トランジスタのドレインが前記第1及び第2の入力トランジスタのソースに結合され、該第2の主電流源トランジスタがDC電圧でバイアスされる、第2の主電流源トランジスタと、
前記第2の入力トランジスタのドレインに前記第1の主電流源トランジスタのゲートを結合する第1の結合コンデンサと、及び
前記第1の入力トランジスタのドレインに前記第2の主電流源トランジスタのゲートを結合する第2の結合コンデンサと、
を備える、シングルエンド/差動変換器を備える装置。 - 前記第1及び第2のcascompトランジスタは、弱反転領域でバイアスされ、前記第1及び第2の入力トランジスタは、中反転領域でバイアスされる、請求項1の装置。
- 前記第1及び第2のcascompトランジスタは、0.4Vのゲート・ソース間電圧でバイアスされると共に0.55Vの閾値電圧を有し、前記第1及び第2の入力トランジスタは、0.6Vのゲート・ソース間電圧でバイアスされると共に0.55Vの閾値電圧を有する、請求項2の装置。
- 前記第1及び第2のcascompトランジスタは、結合コンデンサを使用して、シングルエンド電圧及びACグランドに結合される、請求項1の装置。
- 前記補助電流は、少なくとも一つの補助電流源トランジスタによって生成される、請求項1の装置。
- 前記主電流は、前記補助電流よりも大きい、請求項1の装置。
- 前記負荷素子は、前記カスコードトランジスタのドレインにコモンモード出力電圧を生成するような電圧を使用してバイアスされたトランジスタを備える、請求項1の装置。
- 前記負荷素子は、抵抗を備える、請求項1の装置。
- 前記装置は、無線通信デバイスを備える、請求項1の装置。
- 第1及び第2の入力トランジスタと第1及び第2のカスコードトランジスタとを備える主シングルエンド/差動変換器にシングルエンド電圧を結合することであって、前記第1の入力トランジスタのゲートがシングルエンド電圧に結合され、前記第2の入力トランジスタのゲートがAC接地電圧に結合され、前記第1及び第2の入力トランジスタのソースが主電流によってバイアスされ、前記主シングルエンド/差動変換器が前記第1及び第2のカスコードトランジスタのドレインに結合された負荷素子をさらに備え、前記カスコードトランジスタのドレインが差動出力電圧に結合される、主シングルエンド/差動変換器にシングルエンド電圧を結合することと、
前記第2及び第1のカスコードトランジスタのドレイン電圧をそれぞれ第1及び第2のcascompトランジスタのドレインに結合することであって、前記第1のcascompトランジスタのゲートが前記シングルエンド電圧に結合され、前記第2のcascompトランジスタのゲートが前記AC接地電圧に結合され、前記cascompトランジスタのソースが補助電流によってバイアスされる、前記第2及び第1のカスコードトランジスタのドレイン電圧をそれぞれ第1及び第2のcascompトランジスタのドレインに結合することと、
前記第1及び第2の入力トランジスタのソースに、第1の主電流源トランジスタによって生成された電流を結合することであって、前記第1の主電流源トランジスタがDC電圧でバイアスされる、第1の主電流源トランジスタによって生成された電流を結合することと、
前記第1及び第2の入力トランジスタのソースに、第2の主電流源トランジスタによって生成された電流を結合することであって、前記第2の主電流源トランジスタがDC電圧でバイアスされる、第2の主電流源トランジスタによって生成された電流を結合することと、
第1の結合コンデンサを使用して、前記第2の入力トランジスタのドレインに前記第1の主電流源トランジスタのゲートを結合することと、及び
第2の結合コンデンサを使用して、前記第1の入力トランジスタのドレインに前記第2の主電流源トランジスタのゲートを結合することと、
を備える、方法。 - 前記第1及び第2のcascompトランジスタを弱反転領域でバイアスすることと、及び、前記第1及び第2の入力トランジスタを中反転領域でバイアスすることと、をさらに備える、請求項10の方法。
- 0.4Vのゲート・ソース間電圧で前記第1及び第2のcascompトランジスタをバイアスすることであって、前記第1及び第2のcascompトランジスタが0.55Vの閾値電圧を有する、前記第1及び第2のcascompトランジスタをバイアスすることと、及び、0.6Vのゲート・ソース間電圧で前記第1及び第2の入力トランジスタをバイアスすることであって、前記第1及び第2の入力トランジスタが0.55Vの閾値電圧を有する、前記第1及び第2の入力トランジスタをバイアスすることと、をさらに備える、請求項11の方法。
- 前記第1及び第2のcascompトランジスタを、結合コンデンサを使用して、シングルエンド電圧及びACグランドに結合することをさらに備える、請求項10の方法。
- 少なくとも一つの補助電流源トランジスタを使用して前記補助電流を生成することを備える、請求項10の方法。
- 前記主電流は、前記補助電流よりも大きい、請求項10の方法。
- 前記負荷素子は、前記カスコードトランジスタのドレインにコモンモード出力電圧を生成するような電圧を使用してバイアスされたトランジスタを備える、請求項10の方法。
- 前記負荷素子は、抵抗を備える、請求項10の方法。
- アナログTX信号にディジタルTX信号を変換するための少なくとも1つのディジタル/アナログ変換器(DAC)と、前記アナログTX信号を増幅するための少なくとも1つのベースバンドTX増幅器と、TX LO信号発生器と、前記TX LO信号発生器及び前記少なくとも1つのベースバンドTX増幅器に結合されたアップコンバータと、前記アップコンバータの出力に結合されたTXフィルタと、前記TXフィルタに結合された電力増幅器(PA)と、前記電力増幅器の出力に結合されたデュプレクサと、前記デュプレクサに結合された低雑音増幅器(LNA)と、前記LNAに結合されたフィルタと、前記フィルタに結合されたシングルエンド/差動変換器と、RX LO信号発生器と、前記RX LO信号発生器及び前記シングルエンド/差動変換器の差動出力に結合されたダウンコンバータと、前記ダウンコンバータの出力に結合された少なくとも1つのローパスフィルタと、ディジタル信号に前記ローパスフィルタの出力を変換するための少なくとも1つのアナログ/ディジタル変換器(ADC)と、を備える無線通信用デバイスであって、前記シングルエンド/差動変換器が、
第1及び第2の入力トランジスタであって、前記第1の入力トランジスタのゲートがシングルエンド電圧に結合され、前記第2の入力トランジスタのゲートがAC接地電圧に結合され、前記第1及び第2の入力トランジスタが主電流によってバイアスされる、第1及び第2の入力トランジスタと、
前記第1及び第2の入力トランジスタのドレインにそれぞれ結合された第1及び第2のカスコードトランジスタと、
前記第1及び第2のカスコードトランジスタのドレインに結合された負荷素子であって、前記カスコードトランジスタのドレインが差動出力電圧に結合される、負荷素子と、
第1及び第2のcascompトランジスタであって、前記第1及び第2のcascompトランジスタのドレインがそれぞれ前記第2及び第1のカスコードトランジスタのドレインに結合され、前記第1のcascompトランジスタのゲートが前記シングルエンド電圧に結合され、前記第2のcascompトランジスタのゲートが前記AC接地電圧に結合され、前記cascompトランジスタが補助電流によってバイスされる、第1及び第2のcascompトランジスタと、
第1の主電流源トランジスタであって、該第1の主電流源トランジスタのドレインが前記第1及び第2の入力トランジスタのソースに結合され、該第1の主電流源トランジスタがDC電圧でバイアスされる、第1の主電流源トランジスタと、
第2の主電流源トランジスタであって、該第2の主電流源トランジスタのドレインが前記第1及び第2の入力トランジスタのソースに結合され、該第2の主電流源トランジスタがDC電圧でバイアスされる、第2の主電流源トランジスタと、
前記第2の入力トランジスタのドレインに前記第1の主電流源トランジスタのゲートを結合する第1の結合コンデンサと、及び
前記第1の入力トランジスタのドレインに前記第2の主電流源トランジスタのゲートを結合する第2の結合コンデンサと、
を備える、無線通信用デバイス。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22104809P | 2009-06-27 | 2009-06-27 | |
US61/221,048 | 2009-06-27 | ||
US12/606,003 | 2009-10-26 | ||
US12/606,003 US8421541B2 (en) | 2009-06-27 | 2009-10-26 | RF single-ended to differential converter |
PCT/US2010/040246 WO2010151889A2 (en) | 2009-06-27 | 2010-06-28 | Rf single-ended to differential converter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012531836A JP2012531836A (ja) | 2012-12-10 |
JP5485386B2 true JP5485386B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=43380625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012517832A Expired - Fee Related JP5485386B2 (ja) | 2009-06-27 | 2010-06-28 | Rfシングルエンド/差動変換器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8421541B2 (ja) |
EP (1) | EP2446531B1 (ja) |
JP (1) | JP5485386B2 (ja) |
CN (1) | CN102460959B (ja) |
TW (1) | TW201126899A (ja) |
WO (1) | WO2010151889A2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI441461B (zh) * | 2011-05-20 | 2014-06-11 | Sunplus Technology Co Ltd | 具可適應性濾波器的通用接收裝置 |
CN102811067A (zh) * | 2011-06-02 | 2012-12-05 | 凌阳科技股份有限公司 | 具可适应性滤波器的通用接收装置 |
KR101821820B1 (ko) * | 2011-11-09 | 2018-03-08 | 삼성전자주식회사 | 다채널 접촉 센싱 장치 |
KR101873754B1 (ko) * | 2011-11-25 | 2018-07-04 | 한국전자통신연구원 | 고주파 수신기 |
US9030262B2 (en) | 2012-04-03 | 2015-05-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Input receiver circuit having single-to-differential amplifier, and semiconductor device including the same |
US9588533B2 (en) * | 2012-07-31 | 2017-03-07 | Entropic Communications, Llc | High unity gain bandwidth voltage regulation for integrated circuits |
US9130517B2 (en) | 2012-10-05 | 2015-09-08 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods of harmonic extraction and rejection |
US9124246B2 (en) | 2013-09-25 | 2015-09-01 | Qualcomm Incorporated | Baseband processing circuitry |
US10128879B2 (en) * | 2014-03-31 | 2018-11-13 | Intel IP Corporation | Enhanced receive sensitivity for concurrent communications |
KR101609692B1 (ko) | 2014-07-23 | 2016-04-08 | 한국항공대학교산학협력단 | 저잡음 증폭기 |
US9384371B2 (en) | 2014-10-28 | 2016-07-05 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Compact CMOS current-mode analog multifunction circuit |
US9503053B1 (en) | 2015-05-13 | 2016-11-22 | Qualcomm Incorporated | Active balun for wideband applications |
CN106374924B (zh) | 2015-07-22 | 2021-05-25 | 三星电子株式会社 | 使用模数转换器执行共模电压补偿的半导体器件 |
US9584073B1 (en) * | 2015-10-07 | 2017-02-28 | GM Global Technology Operations LLC | Internally matched active single-to-differential RF converter |
EP3258597B1 (en) * | 2016-06-13 | 2020-07-29 | Intel IP Corporation | Amplification circuit, apparatus for amplifying, low noise amplifier, radio receiver, mobile terminal, base station, and method for amplifying |
US10110223B2 (en) * | 2016-07-06 | 2018-10-23 | Via Alliance Semiconductor Co., Ltd. | Single ended-to-differential converter |
JP2019122001A (ja) * | 2018-01-11 | 2019-07-22 | 株式会社東芝 | 回路、受信回路、光受信器、光伝送システム、およびアクティブ光ケーブル |
TWI690131B (zh) * | 2018-04-26 | 2020-04-01 | 國立暨南國際大學 | 射頻/直流轉換器 |
US10530618B1 (en) | 2018-09-26 | 2020-01-07 | Qualcomm Incorporated | Single-ended to differential signal conversion of analog signals |
US11646700B2 (en) * | 2021-06-21 | 2023-05-09 | Texas Instruments Incorporated | Amplifiers with feedforward cancellation |
US11863205B2 (en) | 2021-11-30 | 2024-01-02 | Analog Devices International Unlimited Company | Adaptive bias techniques for amplifiers in sigma delta modulators |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4146844A (en) * | 1977-10-31 | 1979-03-27 | Tektronix, Inc. | Feed-forward amplifier |
US4528517A (en) * | 1983-02-07 | 1985-07-09 | Tektronix, Inc. | Overdrive thermal distortion compensation for a Quinn cascomp amplifier |
US5250911A (en) * | 1992-04-20 | 1993-10-05 | Hughes Aircraft Company | Single-ended and differential transistor amplifier circuits with full signal modulation compensation techniques which are technology independent |
US6525609B1 (en) | 1998-11-12 | 2003-02-25 | Broadcom Corporation | Large gain range, high linearity, low noise MOS VGA |
US7696823B2 (en) | 1999-05-26 | 2010-04-13 | Broadcom Corporation | System and method for linearizing a CMOS differential pair |
US6566961B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-05-20 | Institute Of Microelectronics | Wide-band single-ended to differential converter in CMOS technology |
US6853838B2 (en) | 2001-05-14 | 2005-02-08 | National Semiconductor Corporation | Biasing circuit for degenerated differential pair |
WO2002103898A1 (en) | 2001-06-14 | 2002-12-27 | Nurlogic Design, Inc. | Method and apparatus for voltage clamping in feedback amplifiers using resistors |
US6794938B2 (en) | 2002-03-19 | 2004-09-21 | The University Of North Carolina At Charlotte | Method and apparatus for cancellation of third order intermodulation distortion and other nonlinearities |
US7355479B2 (en) | 2003-03-28 | 2008-04-08 | Nxp B.V. | Neutralization of feedback capacitance in amplifiers |
US6992519B2 (en) | 2004-02-11 | 2006-01-31 | Nokia Corporation | Method and apparatus providing cancellation of second order intermodulation distortion and enhancement of second order intercept point (IIP2) in common source and common emitter transconductance circuits |
US7071779B2 (en) * | 2004-06-17 | 2006-07-04 | Winbond Electronics, Corp. | Monolithic CMOS differential LNA with enhanced linearity |
JP2006129416A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Sharp Corp | 電圧−電流変換回路、それを用いた増幅器、ミキサ回路および携帯機器 |
JP4141433B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2008-08-27 | 株式会社シンセシス | 差動増幅回路 |
US7459974B2 (en) | 2004-12-16 | 2008-12-02 | Anadigics, Inc. | System and method for distortion cancellation in amplifiers |
KR100729342B1 (ko) | 2005-02-17 | 2007-06-15 | 삼성전자주식회사 | dB 선형 이득의 제어가 가능한 CMOS 가변 이득 증폭기 |
JP4935003B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2012-05-23 | アイコム株式会社 | 可変利得増幅器及び差動増幅器 |
DE102005062767A1 (de) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Atmel Germany Gmbh | Kaskoden-Differenzverstärker und Differenzverstärker |
TWI335128B (en) * | 2006-03-01 | 2010-12-21 | Princeton Technology Corp | Single-end input to differential-ends output low noise amplifier |
JP2008061126A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Sharp Corp | 増幅回路 |
US7538618B2 (en) | 2006-12-05 | 2009-05-26 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Wideband active balun circuit based on differential amplifier |
US8086207B2 (en) | 2007-03-19 | 2011-12-27 | Qualcomm Incorporated | Linear transconductor for RF communications |
US7671686B2 (en) * | 2007-10-24 | 2010-03-02 | Industrial Technology Research Institute | Low noise amplifier |
US7944298B2 (en) * | 2007-12-18 | 2011-05-17 | Qualcomm, Incorporated | Low noise and low input capacitance differential MDS LNA |
KR100956000B1 (ko) | 2008-02-29 | 2010-05-04 | 성균관대학교산학협력단 | 선형성을 개선하기 위한 차동증폭회로 및 주파수 혼합기 |
-
2009
- 2009-10-26 US US12/606,003 patent/US8421541B2/en active Active
-
2010
- 2010-06-25 TW TW099120952A patent/TW201126899A/zh unknown
- 2010-06-28 JP JP2012517832A patent/JP5485386B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-28 EP EP10740461.8A patent/EP2446531B1/en active Active
- 2010-06-28 WO PCT/US2010/040246 patent/WO2010151889A2/en active Application Filing
- 2010-06-28 CN CN201080028858.9A patent/CN102460959B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102460959A (zh) | 2012-05-16 |
WO2010151889A2 (en) | 2010-12-29 |
CN102460959B (zh) | 2014-08-27 |
EP2446531A2 (en) | 2012-05-02 |
TW201126899A (en) | 2011-08-01 |
JP2012531836A (ja) | 2012-12-10 |
US8421541B2 (en) | 2013-04-16 |
WO2010151889A3 (en) | 2011-06-16 |
EP2446531B1 (en) | 2014-07-16 |
US20100329158A1 (en) | 2010-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5485386B2 (ja) | Rfシングルエンド/差動変換器 | |
KR101307710B1 (ko) | 다중 이득 모드를 지원하는 증폭기 | |
US7902923B2 (en) | Common-gate common-source amplifier | |
KR101237565B1 (ko) | 개선된 선형성을 갖는 증폭기 | |
US8310312B2 (en) | Amplifiers with improved linearity and noise performance | |
US20100156532A1 (en) | Class ab amplifier with resistive level-shifting circuitry | |
KR101248346B1 (ko) | 믹서 아키텍처 | |
US8013651B2 (en) | Signal converter for wireless communication and receiving device using the same | |
US9130622B2 (en) | Apparatus and method for low voltage radio transmission | |
US10790805B2 (en) | Impedance converter to achieve negative capacitance and/or negative inductance for radio frequency front end matching | |
Ghosh et al. | A low-power receiver down-converter with high dynamic range performance |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130603 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130618 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130808 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130815 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130912 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5485386 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |