JP5484233B2 - フラッシュメモリ劣化判定装置およびフラッシュメモリの劣化判定方法 - Google Patents
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- フラッシュメモリの内容を一時的に保持するメモリと、
前記フラッシュメモリの消去時間を測定する測定部と、
この測定部の測定結果から前回の測定結果を減算して第1の基準値と比較し、さらに前記測定結果と第2の基準値とを比較する比較部と、
前記測定に先立って前記フラッシュメモリにチップ消去を行い、前記比較部の比較結果に基づいて前記フラッシュメモリの劣化を判断する制御部と、を含むことを特徴とするフラッシュメモリ劣化判定装置。 - 請求項1に記載のフラッシュメモリ劣化判定装置であって、
さらにフラッシュメモリの入力電圧を制御する電源供給部を備え、
前記測定部は、複数の入力電圧で前記フラッシュメモリの消去時間を測定し、それらの平均値を前記測定結果とすることを特徴とするフラッシュメモリ劣化判定装置。 - 請求項1に記載のフラッシュメモリ劣化判定装置であって、
前記測定部と前記比較部と前記制御部とは、プログラマブルロジックデバイスで構成されていることを特徴とするフラッシュメモリ劣化判定装置。 - フラッシュメモリの内容を一時的にメモリにコピーするステップと、
前記フラッシュメモリにチップ消去を行うステップと、
前記フラッシュメモリの入力電圧を変えながら、前記フラッシュメモリの消去時間を測定するステップと、
前記消去時間の平均値を演算するステップと、
前記平均値から前回の平均値を減算して第1の基準値と比較する第1の比較ステップと、
前記平均値と第2の基準値とを比較する第2の比較ステップと、
前記第1の比較ステップと前記第2の比較ステップの比較結果に基づいて前記フラッシュメモリの劣化を判断するステップと、を含むことを特徴とするフラッシュメモリの劣化判定方法。
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