JPH11250675A

JPH11250675A - 記憶装置及び記憶制御方法

Info

Publication number: JPH11250675A
Application number: JP5207998A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Kamuragi; 義明冠木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-03-04
Filing date: 1998-03-04
Publication date: 1999-09-17

Abstract

(57)【要約】【課題】フラッシュメモリが書き換え寿命に達したか否
かをその消去時間に基づいて検出し、フラッシュメモリ
の書き換え寿命の判定を精度よく行う。【解決手段】受信部５がホストコンピュータ１０よりデ
ータの書込み指示を受信すると、このデータの書込み指
示によりフラッシュメモリ２のセクタ２２に対してデー
タ消去が行われる。消去時間計測部３は、フラッシュメ
モリ２の消去処理に要した時間を計測し、ＭＰＵ１はそ
の計測された消去時間に基づいてフラッシュメモリ２の
書き換え寿命を判定する。例えば、計測された消去時間
が所定の時間を越えている場合に、書き換え寿命に達し
たと判断する。書き換え寿命に達したと判断された後、
受信部５が新たなデータ書込み指示を受信した場合は、
警告発生部４が、例えばＬＥＤ等を用いてその旨を報知
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、データの記憶装置
及び記憶制御方法に関する。更に詳しくは、記憶媒体と
してフラッシュメモリを使用した記憶装置及びの記憶制
御方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】フラッシュメモリは、不揮発性メモリの
中で、チップ一括またはセクタ（ブロック）単位でデー
タを電気的に消去及び書き込みが可能なメモリである。
フラッシュメモリは、オンボード状態で書き換えが可能
なため、工場における出荷間際までプログラム変更が可
能であること、更にはユーザの手にわたった後でもバグ
修正等のバージョンアップが可能であること、等の利点
により、近年価格の低下と相まってＥＥＰＲＯＭ、マス
クＲＯＭの置き換えとして急激にその需要が拡大してい
る。

【０００３】ところで、フラッシュメモリは、ＥＥＰＲ
ＯＭと同様に書き換え回数に制限、つまり書き換え寿命
（以下、単に寿命という）があり、一般には十万回程度
の書き換えが保証されているものが多い。この書き換え
回数を越えないようにするために、特開平０５−０７３
４３３号では、各ブロック毎にブロックへの書き込み回
数が所定回数に達したか否かを検出する手段を設け、書
き換え回数が所定回数（書き換えが保証されている回
数）に達したブロックに対しては書き込みの禁止を行う
ことが開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが上記従来技術
では、フラッシュメモリの各ブロックに対する書き込み
が可能か否かの判断を、各ブロックへの書き込み回数の
みで制限しているため、デバイス毎の寿命のばらつきに
対応することはできない。このため、各デバイス毎の寿
命ぎりぎりまで使用するということができず、まだ書き
換えが可能であるにもかかわらず書き込みが禁止されて
しまうという問題があった。また、逆に、メーカ書き込
み保証回数内で発生するデバイス不良については、これ
を発見することができないという問題があった。

【０００５】フラッシュメモリは、装置を動作させるた
めのマイクロプロセッサの制御プログラムを書き込むア
プリケーションが殆どのため、データの破壊による誤動
作、プログラムの暴走等は、装置の信頼性を著しく低下
させてしまう。

【０００６】本発明は上記の問題に鑑みてなされたもの
であり、フラッシュメモリが書き換え寿命に達したか否
かの判定を精度よく行える記憶装置及び記憶制御方法を
提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の一態様による記憶装置は例えば以下の構成
を備える。すなわち、データの書込み指示に従ってフラ
ッシュメモリへデータを記憶させる記憶装置であって、
データの書込み指示により前記フラッシュメモリのデー
タ消去を行う消去手段と、前記消去手段による前記フラ
ッシュメモリの消去処理に要した消去時間を計測する計
測手段と、前記計測手段で計測した消去時間に基づいて
前記フラッシュメモリの書き換え寿命を判定する判定手
段とを備える。

【０００８】また、上記の目的を達成する本発明の他の
態様である記憶制御方法は例えば以下の工程を備える。
すなわち、データの書込み指示に従ってフラッシュメモ
リへデータを記憶させる記憶制御方法であって、データ
の書込み指示により前記フラッシュメモリのデータ消去
を行う消去工程と、前記消去工程による前記フラッシュ
メモリの消去処理に要した消去時間を計測する計測工程
と、前記計測工程で計測した消去時間に基づいて前記フ
ラッシュメモリの書き換え寿命を判定する判定工程とを
備える。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明の好適な実施形態を説明する。

【００１０】＜第１の実施形態＞図１は第１の実施形態
によるデータ記憶装置の構成を示すブロック図である。
図１において、１は当該データ記憶装置における各種制
御を司るＭＰＵ（マイクロプロセッサ）である。フラッ
シュメモリ２は、電気的に消去及び書き込みが可能な記
憶素子であり、通常、ある容量毎（例えば６４Ｋバイ
ト）にブロック分けされた多数のセクタで構成されてい
る。消去単位はセクタ毎に一括またはチップ全体で一括
で消去を行った後、書き込みを行う。なお、本例では、
ＭＰＵ１の制御手順を示すプログラムはフラッシュメモ
リ２に格納されている。

【００１１】３はフラッシュメモリ２のセクタ毎の消去
時間を計測する消去時間計測部である。消去時間計測部
３は、フラッシュメモリ２への消去開始信号を検出して
から、フラッシュメモリ２の所定のビット（消去完了を
通知するビット）を監視して消去の完了を検出するまで
の時間を公知のタイマを用いて計測する。４は警告発生
部であり、消去時間計測部３による消去時間の計測結果
が所定値を越えた場合、たとえばＬＥＤランプ等によ
り、フラッシュメモリ書き込み禁止等の警告を発する。

【００１２】５は受信部であり、ホストコンピュータ１
０よりのデータ受信を行う。６はＲＡＭであり、受信部
５で受信したデータを一時的に格納したり、ＭＰＵ１が
各種制御を実行する際のワークエリアを提供する。フラ
ッシュメモリ２に書き込まれるプログラム等のデータ
は、装置外部のホストコンピュータ４からセントロニク
ス、ＲＳ２３２Ｃ等公知のインターフェースを介して受
信部５で受信され、一旦ＲＡＭ６に格納される。

【００１３】装置外部から受信したデータをフラッシュ
メモリ２に書き込むプログラム（ローダ）はフラッシュ
メモリ２のセクタ２１に書き込まれており、ＭＰＵ１は
リセット後、このセクタ２１からプログラムコードの読
み込みを開始する。従って本実施形態では、フラッシュ
メモリ２におけるデータ書き換えに際しては、このロー
ダが格納されているセクタ２１以外のセクタ２２を書き
換えることになる。

【００１４】図２は、フラッシュメモリ２の書き換え回
数（消去回数）と消去時間との関係を示す図である。図
２のグラフが示すように、フラッシュメモリは、書き換
え回数の増加と共に消去時間も増加し、デバイスの寿命
に近いところでは、急激に消去時間が上昇するという特
徴を有する。つまり、消去時間とデバイスの劣化度とは
密接な関係にあり、本実施形態はこの点に着目してフラ
ッシュメモリの寿命を判断する。

【００１５】図３は第１の実施形態のデータ記憶装置に
おけるフラッシュメモリのデータ書き換え時の制御手順
を示すフローチャートである。装置の電源投入後、ステ
ップＳ１で装置の初期設定を行う。初期設定後、ステッ
プＳ２で、当該データ記憶装置上の図示しないスイッ
チ、或いはホストコンピュータ１０よりの指示信号（コ
マンド）等で書き換えモードか指示されているかどうか
チェックする。書き換えモードでないときは、ステップ
Ｓ３にジャンプし、通常の装置の動作を行う。

【００１６】一方、ステップＳ３において書き換えモー
ドであると判定された場合は、ステップＳ４で警告フラ
グをチェックし、警告フラグがオフの場合には、ステッ
プＳ５へ進む。ステップＳ５では、ホストコンピュータ
１０からセントロニクス、ＲＳ２３２Ｃ等、データ記憶
装置が有しているインターフェース、つまり受信部５を
介してフラッシュメモリ２の書き換えデータを受信し、
受信データをＲＡＭ６に転送する。データ転送後、ＲＡ
Ｍ６に書き込まれたデータをチェックし、受信データが
正常か否かを判定する。このとき受信データにデータ化
け、データ欠落等の不備が発見された場合は、フラッシ
ュメモリ２のデータ書き換えは中止し、ステップＳ７に
ジャンプして、警告発生部４が当該データ記憶装置外装
に設けられた図示しないＬＥＤ等でエラー表示を行う。

【００１７】ステップＳ６で受信データが正常であると
判定されれば、フラッシュメモリ２の書き換えモードに
移行する。フラッシュメモリ２の書き換えモードに移行
すると、ステップＳ８で消去時間計測部８のタイマをス
タートさせた後、フラッシュメモリ２に消去コマンドを
発行し、消去を開始する（ステップＳ９）。

【００１８】本実施形態のフラッシュメモリ２は、デー
タの書き込みを制御するローダと呼ばれるプログラムを
格納するための書き換えを行わないセクタ２１と、ホス
トコンピュータ１０からのデータにより書き換えを行え
るセクタ２２の２セクタ構成とする。従って、ステップ
Ｓ９で消去するセクタは、セクタ２２である。

【００１９】ステップＳ９でセクタ２２の消去開始後、
ステップＳ１０で、フラッシュメモリ２の内部に設けら
れた消去終了フラグをチェックし、消去が終了したら、
ステップＳ１１でタイマをストップする。次にステップ
Ｓ１２で、タイマのカウント値が規定時間Ｔを越えてい
るかどうかチェックする。タイマのカウント値、つまり
フラッシュメモリ２のセクタ２２の消去時間が規定値Ｔ
以下のときは、まだ書き込み可能と判断する。したがっ
て、この場合は、ステップＳ１３でＲＡＭ６に格納され
ているデータをフラッシュメモリ２のセクタ２２に書き
込み、書き換えモードを終了する。

【００２０】一方、ステップＳ１２で消去時間が規定値
を越えていた場合は書き換え回数が寿命に達したと判断
し、次回の書き換えを禁止するためにステップＳ１４で
警告フラグをオンする。その後、ステップＳ１３でＲＡ
Ｍ６に格納されているデータをフラッシュメモリ２のセ
クタ２２に書き込み、書き換えモードを終了する。

【００２１】従って、次回の書込み処理において、警告
フラグがオンの状態でステップＳ２の書き換えモードに
入ると、ステップＳ４における警告フラグのチェックで
処理がステップＳ１５に移行し、警告発生部４により装
置外部に設けられたＬＥＤ等の図示しない表示素子によ
り書き換えができないことをユーザに知らせることがで
きる。

【００２２】なお、本実施形態では、フラッシュメモリ
２は、ローダ格納部分のセクタ２１と、その他の書き換
え可能なセクタ２２の２セクタ構成のものを例とした
が、例えば、６４ｋｂｙｔｅ毎に数ブロック均等分割さ
れたものでも同様に、各セクタ単位で消去時間を測定
し、その中で１ブロックでも規定時間を越えたら、警告
を発生し、次回の書き込みを禁止することができる。更
に、セクタ単位で警告フラグを設ければ、セクタ単位で
書き込みの禁止を行うように構成することも可能であろ
う。

【００２３】［第２の実施形態］第１の実施形態では消
去時間が所定の規定時間Ｔを越えたか否かでフラッシュ
メモリの寿命を判定した。しかしながら、この手法で
は、図２に示す特性曲線が全体的に上下するようなばら
つきによって、寿命の判定にばらつきが生じることにな
る。第２の実施形態ではこのような問題を克服するため
に図２に示すような消去時間の変化量に基づいて寿命判
断を行う。なお、データ記憶装置の構成等は第１の実施
形態と同様である。

【００２４】図４は、第２の実施形態によるフラッシュ
メモリへのデータ書き換え制御手順を示すフローチャー
トである。第２の実施形態は第１の実施形態と異なり、
規定時間以上の消去時間でフラッシュメモリの寿命を判
断し、警告を発生するのではなく、前回の消去時間と今
回の消去時間の差（今後、ΔＴと称す）をとり、ΔＴが
規定時間以上のとき、フラッシュメモリの寿命と判断し
て警告を発生するものである。すなわち、図２に示すよ
うに寿命ぎりぎりでは消去時間が急激に増加する点に着
目し、前回の消去時間との差分値に基づいてフラッシュ
メモリの寿命を判定するものである。

【００２５】図４において、電源オンしてから、フラッ
シュメモリ２のセクタ２１の消去時間を計測するまでの
処理（ステップＳ１〜ステップＳ１１）は、図３のフロ
ーチャートと同様なので説明は省略する。ただし、本例
では前回の消去時間Ｔ１をフラッシュメモリに記憶する
構成をとるので、フラッシュメモリの消去を開始する前
に前回の測定時間Ｔ１を取り込んでおく必要がある。本
例では、ステップＳ８のタイマスタートに先立って、フ
ラッシュメモリから前回の測定時間Ｔ１を取り込む（ス
テップＳ２０）。

【００２６】さて、ステップＳ１１でセクタ２２の消去
時間が測定されたら、ステップＳ２１で今回の測定時間
（Ｔ２）と前回の測定時間（Ｔ１）との差（ΔＴ）、つ
まり消去時間の増加値を求める。次に、ステップＳ２２
で、今回の計測値をＴ１に代入する。このＴ１の値は、
後のステップＳ１３でフラッシュメモリ２（セクタ２
２）の一領域に他のデータとともに書き込む。また、フ
ラッシュメモリ２に書き込むのではなく、ＥＥＰＲＯＭ
等他の不揮発性ＲＯＭに書き込んでもよい。フラッシュ
メモリにＴ１を書込まない場合は、Ｔ１を読み込む処理
のタイミングがフラッシュメモリの消去前に限定されな
くなることはいうまでもない。

【００２７】ステップＳ２３でΔＴを規定値Ｔと比較
し、規定値Ｔ以下のときには、まだ書き込み可能と判断
し、ステップＳ１３でＲＡＭ６に格納されているデータ
をフラッシュメモリ２のセクタ２２に書き込み、書換モ
ードを終了する。一方、ステップＳ２３で消去時間の増
加値ΔＴが規定値Ｔを越えていた場合は、書き換え回数
が寿命に達したと判断し、次回の書き換えを禁止するた
めに、ステップＳ１４にジャンプして警告フラグをオン
した後、ステップＳ１３でデータを書き込み、当該書き
換えモードを終了する。従って、警告フラグがオンの状
態でステップＳ２の書き換えモードに入ると、ステップ
Ｓ４で警告フラグのチェックでＳ１５にジャンプして、
警告発生部４により、装置外部に設けられたＬＥＤ等の
図示しない表示素子により、書き換えができないことを
ユーザに知らせることができる。

【００２８】以上のように第２の実施形態によれば、図
２で示したようなフラッシュメモリの消去時間の急激な
増加を検出することで寿命の判断を行うため、より確実
な寿命判定をすることが可能となる。

【００２９】なお、第２の実施形態においても、フラッ
シュメモリ２は、ローダ格納部分のセクタ２１と、その
他の書き換え可能なセクタ２２の２セクタ構成のものを
例としたが、例えば、６４ｋｂｙｔｅごとに数ブロック
均等分割されたものでも同様に、各セクタ単位で消去時
間の増加量ΔＴを測定し、その中で１ブロックでもΔＴ
が規定時間を越えたら、警告を発生し、次回の書き込み
をプロテクトするように構成することができる。更に、
セクタ単位で測定時間Ｔ１、警告フラグを格納するよう
にすれば、セクタ単位で書き込みの禁止を行うように構
成することも可能であろう。

【００３０】また、上記各実施形態では、警告発生部４
はＬＥＤ表示器等を点灯することで警告を発するとした
が、警告の旨の信号をホストコンピュータへ送信するよ
うに構成してもよい。

【００３１】以上説明したように、上記の各実施形態に
よれば、外部（ホストコンピュータ）から受信したデー
タを記憶するフラッシュメモリを有するデータ記憶装置
において、フラッシュメモリのデータを消去するのに要
した時間を測定し、この測定結果に基づいてフラッシュ
メモリの寿命を判定するので、フラッシュメモリの寿命
のばらつきに応じて、寿命一杯までフラッシュメモリを
利用できるようになる。また、メーカ書き込み保証回数
内で発生するデバイス不良も発見できるため、装置やシ
ステムの信頼性を飛躍的に向上することが可能となる。
特に、書き換え回数を１００回程度に限定した低コスト
のフラッシュメモリが登場する可能性が高い今、信頼性
を確保しつつ書き換え回数を可能な限り増大させ得る上
記手法は極めて効果的である。

【００３２】なお、本発明は、複数の機器（例えばホス
トコンピュータ，インタフェイス機器，リーダ，プリン
タなど）から構成されるシステムに適用しても、一つの
機器からなる装置（例えば、複写機，ファクシミリ装置
など）に適用してもよい。

【００３３】また、本発明の目的は、前述した実施形態
の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記
録した記憶媒体を、システムあるいは装置に供給し、そ
のシステムあるいは装置のコンピュータ（またはＣＰＵ
やＭＰＵ）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを
読出し実行することによっても、達成されることは言う
までもない。

【００３４】この場合、記憶媒体から読出されたプログ
ラムコード自体が前述した実施形態の機能を実現するこ
とになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体は
本発明を構成することになる。

【００３５】プログラムコードを供給するための記憶媒
体としては、例えば、フロッピディスク，ハードディス
ク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ
−Ｒ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭな
どを用いることができる。

【００３６】また、コンピュータが読出したプログラム
コードを実行することにより、前述した実施形態の機能
が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示
に基づき、コンピュータ上で稼働しているＯＳ（オペレ
ーティングシステム）などが実際の処理の一部または全
部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が
実現される場合も含まれることは言うまでもない。

【００３７】さらに、記憶媒体から読出されたプログラ
ムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボード
やコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わる
メモリに書込まれた後、そのプログラムコードの指示に
基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わ
るＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い、そ
の処理によって前述した実施形態の機能が実現される場
合も含まれることは言うまでもない。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ラッシュメモリが書き換え寿命に達したか否かをその消
去時間に基づいて検出するので、フラッシュメモリの書
き換え寿命の判定を精度よく行える。このため、フラッ
シュメモリを、個々の書き換え寿命のばらつきに応じ
て、寿命ぎりぎりまで友好にフラッシュメモリを利用す
ることができる。また、フラッシュメモリの書き換えが
保証範囲内で不能となってしまうような場合でも、確実
にその寿命を判断することができ、フラッシュメモリの
故障によるシステムの信頼性低下を未然に防止できる。

【００３９】

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態によるデータ記憶装置の構成を
示すブロック図である。

【図２】フラッシュメモリの書き換え回数（消去回数）
と消去時間との関係を示す図である。

【図３】第１の実施形態のデータ記憶装置におけるフラ
ッシュメモリのデータ書き換え時の制御手順を示すフロ
ーチャートである。

【図４】第２の実施形態によるフラッシュメモリへのデ
ータ書き換え制御手順を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１ＭＰＵ２フラッシュメモリ３消去時間計測部５受信部７警告発生部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】データの書込み指示に従ってフラッシュ
メモリへデータを記憶させる記憶装置であって、データの書込み指示により前記フラッシュメモリのデー
タ消去を行う消去手段と、前記消去手段による前記フラッシュメモリの消去処理に
要した消去時間を計測する計測手段と、前記計測手段で計測した消去時間に基づいて前記フラッ
シュメモリの書き換え寿命を判定する判定手段とを備え
ることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】前記判定手段で前記フラッシュメモリが
書き換え寿命に達したと判定された場合、次回からのデ
ータ書き込みを禁止する禁止手段を更に備えることを特
徴とする請求項１に記載の記憶装置。
【請求項３】前記判定手段で前記フラッシュメモリが
書き換え寿命に達したと判定された場合、その旨を報知
する報知手段を更に備えることを特徴とする請求項１に
記載の記憶装置。
【請求項４】前期報知手段は、前記判定手段で前記フ
ラッシュメモリが書き換え寿命に達したと判定された後
に、該フラッシュメモリへの新たなデータ書込み指示が
発生した場合に、書き換え寿命に達した旨を報知するこ
とを特徴とする請求項３に記載の記憶装置。
【請求項５】前記データの書込み指示を外部装置より
受信する受信手段を更に備えることを特徴とする請求項
１に記載の記憶装置。
【請求項６】前記判定手段は、前記計測手段で計測し
た消去時間が所定の閾値を越えた場合に、前記フラッシ
ュメモリが書き換え寿命に達したと判定することを特徴
とする請求項１に記載の記憶装置。
【請求項７】前記判定手段は、前記計測手段で計測し
た消去時間と前回のデータ書込み時における消去時間と
の差が所定値を越えた場合に、前記フラッシュメモリが
書き換え寿命に達したと判定することを特徴とする請求
項１に記載の記憶装置。
【請求項８】前回のデータ書込み時における消去時間
が前記フラッシュメモリに記憶されることを特徴とする
請求項７に記載の記憶装置。
【請求項９】前記計測手段は、前記フラッシュメモリ
の一括消去範囲であるセクタ毎に消去処理に要した消去
時間を計測し、前記判定手段は、前記計測手段で計測し
た消去時間に基づいて前記フラッシュメモリの書き換え
寿命を前記セクタ毎に判定することを特徴とする請求項
１に記載の記憶装置。
【請求項１０】前記判定手段は、前記セクタのうち一
つでも寿命に達したものがあれば、当該フラッシュメモ
リが書き換え寿命に達したと判定することを特徴とする
請求項９に記載の記憶装置。
【請求項１１】データの書込み指示に従ってフラッシ
ュメモリへデータを記憶させる記憶制御方法であって、データの書込み指示により前記フラッシュメモリのデー
タ消去を行う消去工程と、前記消去工程による前記フラッシュメモリの消去処理に
要した消去時間を計測する計測工程と、前記計測工程で計測した消去時間に基づいて前記フラッ
シュメモリの書き換え寿命を判定する判定工程とを備え
ることを特徴とする記憶制御方法。
【請求項１２】前記判定工程で前記フラッシュメモリ
が書き換え寿命に達したと判定された場合、次回からの
データ書き込みを禁止する禁止工程を更に備えることを
特徴とする請求項１１に記載の記憶制御方法。
【請求項１３】前記判定工程で前記フラッシュメモリ
が書き換え寿命に達したと判定された場合、その旨を報
知する報知工程を更に備えることを特徴とする請求項１
１に記載の記憶制御方法。
【請求項１４】前期報知工程は、前記判定工程で前記
フラッシュメモリが書き換え寿命に達したと判定された
後に、該フラッシュメモリへの新たなデータ書込み指示
が発生した場合に、書き換え寿命に達した旨を報知する
ことを特徴とする請求項１３に記載の記憶制御方法。
【請求項１５】前記データの書込み指示を外部装置よ
り受信する受信工程を更に備えることを特徴とする請求
項１１に記載の記憶制御方法。
【請求項１６】前記判定工程は、前記計測工程で計測
した消去時間が所定の閾値を越えた場合に、前記フラッ
シュメモリが書き換え寿命に達したと判定することを特
徴とする請求項１１に記載の記憶制御方法。
【請求項１７】前記判定工程は、前記計測工程で計測
した消去時間と前回のデータ書込み時における消去時間
との差が所定値を越えた場合に、前記フラッシュメモリ
が書き換え寿命に達したと判定することを特徴とする請
求項１１に記載の記憶制御方法。
【請求項１８】前回のデータ書込み時における消去時
間が前記フラッシュメモリに記憶されることを特徴とす
る請求項１７に記載の記憶制御方法。
【請求項１９】前記計測工程は、前記フラッシュメモ
リの一括消去範囲であるセクタ毎に消去処理に要した消
去時間を計測し、前記判定工程は、前記計測工程で計測した消去時間に基
づいて前記フラッシュメモリの書き換え寿命を前記セク
タ毎に判定することを特徴とする請求項１１に記載の記
憶制御方法。
【請求項２０】前記判定工程は、前記セクタのうち一
つでも寿命に達したものがあれば、当該フラッシュメモ
リが書き換え寿命に達したと判定することを特徴とする
請求項１９に記載の記憶制御方法。
【請求項２１】データの書込み指示に従ってフラッシ
ュメモリへデータを記憶させるための制御プログラムを
格納する記憶媒体であって、データの書込み指示により前記フラッシュメモリのデー
タ消去を行う消去工程のコードと、前記消去工程による前記フラッシュメモリの消去処理に
要した消去時間を計測する計測工程のコードと、前記計測工程で計測した消去時間に基づいて前記フラッ
シュメモリの書き換え寿命を判定する判定工程のコード
とを備えることを特徴とする記憶媒体。