JP5480195B2 - Component mounting board - Google Patents

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Description

本発明は、部品実装基板に関する。   The present invention relates to a component mounting board.

近年、導体層と絶縁層とがそれぞれ少なくとも1層積層されてなる配線基板、いわゆる樹脂製配線基板やセラミック基板を用い、この上にICチップを搭載し、樹脂封止することによって半導体パッケージを製造することが盛んに行われている。   In recent years, a semiconductor substrate is manufactured by mounting an IC chip on a wiring board formed by laminating at least one conductor layer and an insulating layer, so-called resin wiring board or ceramic board, and sealing the resin. There is a lot going on.

ICチップは、基板表面をなす端子パッドと、ICチップ搭載部の複数の端子パッドそれぞれの上に形成された複数のバンプを介して電気的に接続する。一方、配線基板の裏面側にはベース基板と電気的に接続したり、ソケットに挿入して電気的に接続したりするための外部端子が形成されている。   The IC chip is electrically connected via a terminal pad forming the substrate surface and a plurality of bumps formed on each of the plurality of terminal pads of the IC chip mounting portion. On the other hand, external terminals are formed on the back side of the wiring board to be electrically connected to the base board or inserted into a socket for electrical connection.

上述のような半導体パッケージにおいては、ICチップに対して電力供給を行うためのコンデンサや抵抗などの部品が、ICチップと同じ基板表面に複数のバンプを介し、上記配線基板の端子パッドと電気的に接続するようにして形成されている場合が多い。   In the semiconductor package as described above, components such as capacitors and resistors for supplying power to the IC chip are electrically connected to the terminal pads of the wiring board via a plurality of bumps on the same substrate surface as the IC chip. In many cases, it is formed so as to be connected.

このような半導体パッケージを使用すると、基板上に搭載されたICチップや部品が発熱するようになるので、半導体パッケージの繰り返し使用によって、ICチップや部品は加熱及び冷却を繰り返すようになる。その結果、ICチップや部品を基板表面の端子パッドに接続しているバンプが膨張あるいは部分的に溶解し、特にICチップに比較して小さい部品のバンプにおいては、隣接するバンプ同士が結合し、短絡してしまう場合がある。   When such a semiconductor package is used, the IC chip or component mounted on the substrate generates heat, so that the IC chip or component is repeatedly heated and cooled by repeated use of the semiconductor package. As a result, bumps that connect IC chips and components to terminal pads on the surface of the substrate expand or partially dissolve. Especially, in bumps of components that are smaller than IC chips, adjacent bumps are combined, There may be a short circuit.

したがって、基板表面にICチップや部品が搭載されてなる構造体を樹脂封止し、半導体パッケージとして構成するに際しては、ICチップ及び部品の上面及び側面を樹脂で被覆して埋設することに加えて、特に部品の下面側にも樹脂を注入し、この注入した樹脂によって電子部品を保持するバンプ同士が結合し、短絡するのを防止することが要求される。   Therefore, when a structure in which an IC chip or a component is mounted on the substrate surface is resin-sealed and configured as a semiconductor package, the top surface and side surfaces of the IC chip and component are covered with resin and embedded. In particular, it is required to inject a resin also into the lower surface side of the component and to prevent the bumps holding the electronic component from being joined and short-circuited by the injected resin.

しかしながら、ディスペンサーなどを用いて樹脂を供給し、これによって樹脂封止を行うような場合においては、部品の下面側に対して充分に樹脂を注入することができず、部品の下面側に充填された樹脂中にボイドが発生してしまう場合がある。このボイドがある程度の大きさになると、隣接するバンプ間に樹脂が全く存在しない領域が形成されてしまい、この領域を介して上述のようにバンプ同士が部分的に結合し、短絡してしまう場合がある。したがって、樹脂封止して半導体パッケージを製造するに際しては、部品の下面側に、ボイドが発生しないように充分に樹脂を注入及び充填する必要がある。   However, when the resin is supplied using a dispenser or the like and the resin is sealed by this, the resin cannot be sufficiently injected into the lower surface side of the component, and the lower surface side of the component is filled. In some cases, voids are generated in the resin. When this void becomes a certain size, a region where no resin exists between adjacent bumps is formed, and the bumps are partially coupled through the region as described above, resulting in a short circuit. There is. Therefore, when manufacturing a semiconductor package by sealing with resin, it is necessary to sufficiently inject and fill the resin on the lower surface side of the component so as not to generate voids.

このような問題に鑑みて、特許文献1においては、基板表面の、部品と対向する位置において、部品の長さ方向に均一な幅の溝を形成し、部品の下面側に充分な両の樹脂を充填する技術が開示されている。また、特許文献2及び3においても、目的は異なるものの、基板表面の、部品と対向する位置において、部品の長さ方向において均一な幅の溝を形成することが開示されている。   In view of such a problem, in Patent Document 1, a groove having a uniform width is formed in the length direction of the component at a position on the surface of the substrate facing the component, and sufficient both resins are provided on the lower surface side of the component. Techniques for filling the are disclosed. Patent Documents 2 and 3 also disclose that a groove having a uniform width in the length direction of a component is formed at a position facing the component on the substrate surface, although the purpose is different.

しかしながら、これらの技術によっても、部品の下面側、特に、部品中央部の下面側に十分な量の樹脂を充填することはできず、ボイドが発生した際に、隣接するバンプ間に樹脂が全く存在しない領域が形成されることを十分に抑制することはできなかった。   However, even with these techniques, it is not possible to fill a sufficient amount of resin on the lower surface side of the component, particularly the lower surface side of the central portion of the component. The formation of a non-existing region could not be sufficiently suppressed.

特開2006−5112号JP 2006-5112 A 特開2003−46216号JP 2003-46216 A 特開2008−244044号JP 2008-244044 A

本発明は、配線基板表面に露出した端子パッドを介して部品が実装されてなる部品実装基板において、配線基板表面と部品との間に、十分な量の封止樹脂を注入及び充填させ、ボイドが発生したとしても部品を保持するバンプ同士が結合し、短絡するのを防止することを目的とする。   The present invention relates to a component mounting board in which a component is mounted via a terminal pad exposed on the surface of the wiring board, and a sufficient amount of sealing resin is injected and filled between the wiring board surface and the component, Even if this occurs, the object is to prevent the bumps holding the components from being combined and short-circuited.

上記目的を達成すべく、本発明は、
基板表面に露出してなる一対の端子パッドを有する配線基板と、
前記一対の端子パッドに実装される部品とを備え、
前記基板表面と前記部品との間に樹脂が充填される部品実装基板であって、
前記基板表面には、前記一対の端子パッド間であって、前記一対の端子パッドを構成する前記端子パッドが配列する第1配列方向と交差する交差方向に延びるとともに、中央部から両端部に向けて前記第1配列方向の幅が狭小化された溝部が形成され、
前記溝部の中央部は、前記部品の前記交差方向における中央と対応する位置に形成されてなることを特徴とする、部品実装基板に関する。
In order to achieve the above object, the present invention provides:
A wiring board having a pair of terminal pads exposed on the substrate surface;
A component mounted on the pair of terminal pads,
A component mounting substrate filled with resin between the substrate surface and the component,
The substrate surface extends in a crossing direction between the pair of terminal pads and intersecting a first arrangement direction in which the terminal pads constituting the pair of terminal pads are arranged, and from the central portion toward both ends. A groove portion having a narrow width in the first arrangement direction is formed,
The center part of the said groove part is formed in the position corresponding to the center in the said cross direction of the said component, It is related with the component mounting board | substrate characterized by the above-mentioned.

本発明によれば、配線基板の表面において、一対の端子パッドによって画定される方向(一対の端子パッドを構成する各端子パッドが配列する第1配列方向)と交差する方向(交差方向)に延びるように溝部が形成され、溝部の中央部が部品の中央部と対応して位置するようにして、当該中央部から両端部に向けて幅が狭小化されるようにして当該溝部が形成されている。   According to the present invention, the surface of the wiring board extends in a direction (crossing direction) intersecting with a direction defined by the pair of terminal pads (first arrangement direction in which the terminal pads constituting the pair of terminal pads are arranged). The groove portion is formed in such a manner that the center portion of the groove portion is positioned corresponding to the center portion of the component, and the groove portion is formed so that the width is narrowed from the center portion toward both ends. Yes.

溝部は、その幅が中央部に比し両端部において狭小化されているので、例えばディスペンサーを用いて、配線基板の表面と部品との間に樹脂を注入及び充填する際に、当該樹脂は、当初溝部の幅が狭小化されてなる端部に導入されることになる。この際、溝部の中央部の幅が端部に比して拡大しているので、溝部端部に導入された樹脂は、当該端部から中央部に向かうにつれて充填される量が増加する。   Since the groove portion is narrower at both ends than the center portion, for example, when a resin is injected and filled between the surface of the wiring board and the component using a dispenser, the resin is It will be introduced into the end portion where the width of the groove portion is initially narrowed. At this time, since the width of the central portion of the groove portion is larger than that of the end portion, the amount of the resin introduced into the end portion of the groove portion is increased from the end portion toward the central portion.

したがって、上記樹脂は、上記溝部を介することにより、基板表面と部品との間、特に基板表面と部品中央との間に十分な樹脂量を充填することができるようになるので、基板表面と部品中央との間の領域においてボイドが発生したとしても、これらの間に充填される樹脂量が多くなるので、部品を保持するバンプ同士が結合し、短絡するのを防止することができる。   Therefore, since the resin can fill a sufficient amount of resin between the substrate surface and the component, particularly between the substrate surface and the component center, through the groove portion, the substrate surface and the component can be filled. Even if a void occurs in the region between the center, the amount of resin filled between them increases, so that it is possible to prevent the bumps holding the components from being joined and short-circuited.

なお、本発明の一例において、上記溝部の側面を連続した面として構成することができる。この場合、樹脂の流れ抵抗がより減少するようになる。この結果、樹脂を溝部の中央部にまでより迅速かつスムースに導入することができるようになり、特に基板表面と部品中央との間に迅速かつスムースに導入されるようになるので、これらの間に充填される樹脂量を十分に増大させることができる。したがって、基板表面と部品中央との間の領域においてボイドが発生したとしても、これらの間に充填される樹脂量が十分に多くなるので、部品を保持するバンプ同士が結合し、短絡するのをより効果的に防止することができる。   In one example of the present invention, the side surface of the groove can be configured as a continuous surface. In this case, the flow resistance of the resin is further reduced. As a result, the resin can be introduced more quickly and smoothly to the center of the groove, and in particular, it can be introduced quickly and smoothly between the substrate surface and the center of the component. The amount of resin filled in can be increased sufficiently. Therefore, even if voids occur in the area between the substrate surface and the center of the component, the amount of resin filled between them increases sufficiently, so that the bumps holding the components are joined and short-circuited. It can prevent more effectively.

また、本発明の一例において、溝部の両端部を、部品の投影領域より外方に形成することができる。この場合、溝部の端部が部品の外方に露出するようになるので、当該端部を介して溝部への樹脂の導入を容易に行うことができるようになり、その結果、上述した作用効果をより顕著に奏することができるようになる。   In one example of the present invention, both end portions of the groove portion can be formed outward from the projection region of the component. In this case, since the end portion of the groove portion is exposed to the outside of the component, the resin can be easily introduced into the groove portion through the end portion, and as a result, the above-described effects are obtained. Can be played more remarkably.

さらに、本発明の一例においては、溝部の側面と底面とのなす角度が鈍角であるようにすることができる。この場合、溝部の底面と側面の境界部分において上記樹脂を十分に導入することができるので、当該境界部分でのボイドの発生を抑制することができる。   Furthermore, in an example of the present invention, the angle formed between the side surface and the bottom surface of the groove portion can be an obtuse angle. In this case, since the resin can be sufficiently introduced at the boundary portion between the bottom surface and the side surface of the groove, generation of voids at the boundary portion can be suppressed.

また、本発明の一例においては、溝部の中央部より一端側における形状と、中央部より他端側における形状とを同一とすることができる。この場合、溝部の両側に位置する端部からその中央部に対して均一な量の樹脂を均一な速度で導入することができるため、基板表面と部品中央との間の領域におけるボイドの発生を抑制することができる。   Moreover, in an example of this invention, the shape in the one end side from the center part of a groove part and the shape in the other end side from a center part can be made the same. In this case, since a uniform amount of resin can be introduced from the end portions located on both sides of the groove portion to the central portion at a uniform speed, voids are generated in the region between the substrate surface and the component center. Can be suppressed.

さらに、本発明の一例においては、前記溝部の側面を粗化面とすることができる。この場合、溝部の側面と、この溝部に注入された樹脂との密着性が向上するため、溝部に熱履歴がかかった際にも、溝部と樹脂との間にはんだが流れ込むことによる、部品を保持するバンプ同士の短絡を防止することができる。   Furthermore, in an example of the present invention, the side surface of the groove can be a roughened surface. In this case, since the adhesion between the side surface of the groove and the resin injected into the groove is improved, even when a thermal history is applied to the groove, the solder flows between the groove and the resin. A short circuit between the bumps to be held can be prevented.

以上説明したように、本発明によれば、配線基板表面に露出した端子パッドを介して部品が実装されてなる部品実装基板において、配線基板表面と部品との間に、十分な量の封止樹脂を注入及び充填させ、ボイドが発生したとしても部品を保持するバンプ同士が結合し、短絡するのを防止することができる。   As described above, according to the present invention, in a component mounting board in which components are mounted via terminal pads exposed on the wiring board surface, a sufficient amount of sealing is provided between the wiring board surface and the parts. Even if a void is generated by injecting and filling the resin, it is possible to prevent the bumps holding the components from being combined and short-circuited.

実施形態における部品実装基板の平面図である。It is a top view of the component mounting board in an embodiment. 図1に示す部品実装基板をI−I線に沿って切った場合の断面図である。It is sectional drawing at the time of cutting the component mounting board | substrate shown in FIG. 1 along the II line. 図1に示す部品実装基板の領域Aで示す部分を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the part shown by the area | region A of the component mounting board | substrate shown in FIG. 図1に示す部品実装基板に形成した溝部の断面の状態を示す図である。It is a figure which shows the state of the cross section of the groove part formed in the component mounting board | substrate shown in FIG. 実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。It is one process figure in the manufacturing method of the component mounting board | substrate in embodiment. 同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。Similarly, it is one process figure in the manufacturing method of the component mounting board in an embodiment. 同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。Similarly, it is one process figure in the manufacturing method of the component mounting board in an embodiment. 同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。Similarly, it is one process figure in the manufacturing method of the component mounting board in an embodiment. 同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。Similarly, it is one process figure in the manufacturing method of the component mounting board in an embodiment. 同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。Similarly, it is one process figure in the manufacturing method of the component mounting board in an embodiment. 同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。Similarly, it is one process figure in the manufacturing method of the component mounting board in an embodiment. 同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。Similarly, it is one process figure in the manufacturing method of the component mounting board in an embodiment. 同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。Similarly, it is one process figure in the manufacturing method of the component mounting board in an embodiment. 同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。Similarly, it is one process figure in the manufacturing method of the component mounting board in an embodiment.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(部品実装基板)
図1は、本実施形態における部品実装基板の上平面図であり、図2は、図1に示す部品実装基板のI−I線に沿って切った場合の断面図であり、図3は、図1に示す部品実装基板の領域Aで示す部分を拡大して示す図である。また、図4は、図1に示す部品実装基板に形成した溝部の断面の状態を示す図である。
(Component mounting board)
FIG. 1 is a top plan view of a component mounting board in the present embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II of the component mounting board shown in FIG. 1, and FIG. It is a figure which expands and shows the part shown by the area | region A of the component mounting board | substrate shown in FIG. FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional state of the groove formed in the component mounting board shown in FIG.

図2に示すように、本実施形態の部品実装基板1を構成する配線基板10は、耐熱性樹脂板(たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板)や、繊維強化樹脂板(たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂)等で構成された板状コア101を有している。   As shown in FIG. 2, the wiring board 10 constituting the component mounting board 1 of this embodiment includes a heat resistant resin plate (for example, bismaleimide-triazine resin plate) and a fiber reinforced resin plate (for example, glass fiber reinforced epoxy resin). It has the plate-shaped core 101 comprised by these.

また、板状コア101には、ドリル等により穿設されたスルーホール111が形成され、その内壁面にはスルーホール導体112が形成されている。また、スルーホール111は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材114により充填されている。   The plate-like core 101 is formed with a through-hole 111 drilled by a drill or the like, and a through-hole conductor 112 is formed on the inner wall surface thereof. Further, the through hole 111 is filled with a resin filling material 114 such as an epoxy resin.

板状コア101の表面101A上にはコア導体層M1が形成され、板状コア101の裏面101B上にはコア導体層M11が形成されている。コア導体層M1,M11は板状コア101の表面101A及び裏面101Bの大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるとともに、第1のビアパッド121及び第2のビアパッド122を構成する。   A core conductor layer M1 is formed on the front surface 101A of the plate-like core 101, and a core conductor layer M11 is formed on the back surface 101B of the plate-like core 101. The core conductor layers M1 and M11 are formed as a plane conductor pattern that covers most of the front surface 101A and the back surface 101B of the plate-like core 101, and are used as a power supply layer or a ground layer, as well as the first via pad 121 and the second via pad. 122 is configured.

なお、本実施形態においては、図2に示すように、第1のビアパッド121及び第2のビアパッド122の一部は、スルーホール導体112と連結するようにして形成されている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 2, a part of the first via pad 121 and the second via pad 122 is formed so as to be connected to the through-hole conductor 112.

板状コア101の表面101A上には、コア導体層M1を覆うようにして第1の絶縁層131が形成され、板状コア101の裏面101B上には、コア導体層M11を覆うようにして第2の絶縁層132が形成されている。   A first insulating layer 131 is formed on the surface 101A of the plate-shaped core 101 so as to cover the core conductor layer M1, and on the back surface 101B of the plate-shaped core 101, the core conductor layer M11 is covered. A second insulating layer 132 is formed.

第1の絶縁層131及び第2の絶縁層132上には、それぞれ第1の導体層M2及びM12が形成されている。第1の導体層M2及びM12は、それぞれ図示しない配線層(配線パターン)を構成するとともに、第3のビアパッド123、受けパッド125及び第4のビアパッド124を構成する。なお、受けパッド125は、以下に説明する溝部16をレーザ照射によって形成する場合において、照射されたレーザビームが下方に位置する第1の絶縁層131に達するのを防止するためのものである。   On the first insulating layer 131 and the second insulating layer 132, first conductor layers M2 and M12 are formed, respectively. The first conductor layers M2 and M12 constitute a wiring layer (wiring pattern) (not shown), and constitute a third via pad 123, a receiving pad 125, and a fourth via pad 124, respectively. The receiving pad 125 is used to prevent the irradiated laser beam from reaching the first insulating layer 131 located below when the groove 16 described below is formed by laser irradiation.

また、第1の絶縁層131及び第2の絶縁層132上には、それぞれ第1の導体層M2及びM12を覆うようにして第3の絶縁層133及び第4の絶縁層134が形成されている。   A third insulating layer 133 and a fourth insulating layer 134 are formed on the first insulating layer 131 and the second insulating layer 132 so as to cover the first conductor layers M2 and M12, respectively. Yes.

さらに、第3の絶縁層133及び第4の絶縁層134上には、それぞれ第2の導体層M3及びM13が形成されている。第2の導体層M3及びM13は、それぞれ図示しない配線層(配線パターン)を構成するとともに、第1の金属パッド(端子パッド)141及び第2の金属パッド(端子パッド)142を構成する。   Further, second conductor layers M3 and M13 are formed on the third insulating layer 133 and the fourth insulating layer 134, respectively. The second conductor layers M3 and M13 constitute a wiring layer (wiring pattern) (not shown), and constitute a first metal pad (terminal pad) 141 and a second metal pad (terminal pad) 142, respectively.

また、第3の絶縁層133及び第4の絶縁層134上には、それぞれ第1の金属パッド141及び第2の金属パッド142を覆うようにして第1のレジスト層161及び第2のレジスト層162が形成されている。なお、第1のレジスト層161及び第2のレジスト層162には、それぞれ開口部161A及び162Aが形成され、これら開口部161A及び162Aを介して、第1の金属パッド141及び第2の金属パッド142が露出している。   In addition, the first resist layer 161 and the second resist layer are formed on the third insulating layer 133 and the fourth insulating layer 134 so as to cover the first metal pad 141 and the second metal pad 142, respectively. 162 is formed. Note that openings 161A and 162A are formed in the first resist layer 161 and the second resist layer 162, respectively, and the first metal pad 141 and the second metal pad are formed through the openings 161A and 162A. 142 is exposed.

第1の絶縁層131及び第2の絶縁層132には、それぞれビアホール131A及び132Aが形成され、これらビアホール内には、第1のビア導体151及び第2のビア導体152が形成されており、第1のビアパッド121及び第3のビアパッド123間、並びに第2のビアパッド122及び第4のビアパッド124間を電気的に接続している。   Via holes 131A and 132A are formed in the first insulating layer 131 and the second insulating layer 132, respectively, and a first via conductor 151 and a second via conductor 152 are formed in these via holes, The first via pad 121 and the third via pad 123 and the second via pad 122 and the fourth via pad 124 are electrically connected.

第3の絶縁層133及び第4の絶縁層134には、それぞれビアホール133A及び134Aが形成され、これらビアホール内には、第3のビア導体153及び第4のビア導体154が形成されており、第3のビアパッド123及び第1の金属パッド141間、並びに第4のビアパッド124及び第2の金属パッド142間を電気的に接続している。   Via holes 133A and 134A are formed in the third insulating layer 133 and the fourth insulating layer 134, respectively, and a third via conductor 153 and a fourth via conductor 154 are formed in these via holes, The third via pad 123 and the first metal pad 141 and the fourth via pad 124 and the second metal pad 142 are electrically connected.

また、第1の金属パッド141上には、はんだ層18を介して部品12が搭載されている。   The component 12 is mounted on the first metal pad 141 via the solder layer 18.

図1及び図2に示すように、配線基板10のレジスト層161の表面とレジスト層161の開口部161Aから露出する第1の金属パッド141の表面とで構成される基板表面10Aには、上述のように、第1の金属パッド141を介して部品12が複数搭載されているとともに、その略中心部においては、半導体チップ11が搭載されている。なお、半導体チップ11及び部品12は、第1の金属パッド141で構成される配線パターン15によって電気的に接続されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate surface 10 </ b> A composed of the surface of the resist layer 161 of the wiring substrate 10 and the surface of the first metal pad 141 exposed from the opening 161 </ b> A of the resist layer 161 is formed on the substrate surface 10 </ b> A. As described above, a plurality of components 12 are mounted via the first metal pads 141, and the semiconductor chip 11 is mounted at a substantially central portion thereof. The semiconductor chip 11 and the component 12 are electrically connected by a wiring pattern 15 constituted by the first metal pads 141.

なお、配線基板10の裏面側において、第2のレジスト層162の開口部162Aから露出するようにして形成された第2の金属パッド142は、配線基板10をマザーボードに接続するための裏面ランド(LGAパッド)として利用されるものである。   The second metal pad 142 formed so as to be exposed from the opening 162A of the second resist layer 162 on the back surface side of the wiring substrate 10 is a back surface land (for connecting the wiring substrate 10 to the mother board). LGA pad).

スルーホール導体112、コア導体M1,M11,第1の導体層M2,M12, 及び第2の導体層M3,M13は、それぞれ金、銀、銅などの電気的良導体から構成することができる。また、第1のビア導体151〜第4のビア導体154も、それぞれ金、銀、銅などの電気的良導体から構成することができる。しかしながら、一般的には、メッキ法によって簡易に形成することができ、また安価であることから銅から構成する。   The through-hole conductor 112, the core conductors M1 and M11, the first conductor layers M2 and M12, and the second conductor layers M3 and M13 can each be composed of a good electrical conductor such as gold, silver, or copper. Further, the first via conductor 151 to the fourth via conductor 154 can also be composed of good electrical conductors such as gold, silver, and copper. However, in general, it can be easily formed by a plating method and is made of copper because it is inexpensive.

第1の絶縁層131〜第4の絶縁層134は、例えば熱硬化性樹脂によって構成することができる。   The first insulating layer 131 to the fourth insulating layer 134 can be made of, for example, a thermosetting resin.

さらに、部品12は、例えばコンデンサ、抵抗などの受動部品とすることができる。   Further, the component 12 can be a passive component such as a capacitor or a resistor.

図2及び図3に示すように、本実施形態の配線基板10において、部品12の下部、すなわち部品12と対向する配線基板10の表面10Aには、部品12を実装する一対の金属パッド(端子パッド)141によって画定される方向(本実施形態では、一対のはんだ層18で画定される方向と同じ)と交差する方向において、溝部16の中央部16Aが部品12の中央の直下に位置するようにして、当該中央部から両端部に向けて幅が狭小化し、第1のレジスト層161を貫通する深さで溝部16が形成されている。   As shown in FIGS. 2 and 3, in the wiring board 10 of the present embodiment, a pair of metal pads (terminals) for mounting the component 12 is provided below the component 12, that is, on the surface 10 </ b> A of the wiring substrate 10 facing the component 12. The center portion 16A of the groove portion 16 is located immediately below the center of the component 12 in the direction intersecting with the direction defined by the pad 141 (in this embodiment, the same as the direction defined by the pair of solder layers 18). Thus, the width is narrowed from the central portion toward both end portions, and the groove portion 16 is formed with a depth penetrating the first resist layer 161.

溝部16は、中央部16Aから端部16Bに向けて幅が狭小化されている。配線基板10の表面10Aと部品12との間に樹脂を注入及び充填するに際しては、例えばディスペンサーを用いて行うが、当該樹脂は、溝部16を介して充填されるようになる。   The width of the groove portion 16 is narrowed from the central portion 16A toward the end portion 16B. When the resin is injected and filled between the surface 10A of the wiring board 10 and the component 12, for example, a dispenser is used. However, the resin is filled through the groove portion 16.

溝部16は、その幅が中央部16Aに比し端部16Bにおいて狭小化されているので、上記樹脂は、当初溝部16の幅が狭小化されてなる端部16Bに導入されることになる。この際、溝部16の中央部16Aの幅が端部16Bに比して拡大しているので、溝部16の端部16Bに導入された樹脂は、端部16Bから中央部16Aに向かうにつれてその充填量が増加する。   Since the groove portion 16 is narrower at the end portion 16B than the central portion 16A, the resin is introduced into the end portion 16B where the width of the groove portion 16 is initially narrowed. At this time, since the width of the central portion 16A of the groove portion 16 is larger than that of the end portion 16B, the resin introduced into the end portion 16B of the groove portion 16 is filled as it goes from the end portion 16B to the central portion 16A. The amount increases.

したがって、上記樹脂は、溝部16を介することにより、基板表面10Aと部品12中央との間に十分な樹脂が充填されるようになるので、これらの間の領域においてボイドが発生したとしても、部品12を保持するはんだ層(バンプ)18同士が結合し、短絡するのを防止することができる。   Therefore, since the resin is filled with sufficient resin between the substrate surface 10A and the center of the component 12 through the groove 16, even if voids are generated in the region between them, the component It is possible to prevent the solder layers (bumps) 18 holding 12 from being combined and short-circuited.

また、本実施形態では、溝部16の側面16Cを連続した面として構成しているので、上述した樹脂の流れ抵抗がより減少するようになり、樹脂を溝部16の中央部16Aにまでより迅速かつスムースに導入することができるようになる。この結果、基板表面10Aと部品12との間、特に基板表面10Aと部品12の中央との間の領域においてボイドが発生したとしても、これらの間に充填される樹脂量が十分に多くなるので、部品12を保持するはんだ層(バンプ)18同士が結合し、短絡するのをより効果的に防止することができる。   Further, in this embodiment, since the side surface 16C of the groove portion 16 is configured as a continuous surface, the above-described resin flow resistance is further reduced, and the resin can be more quickly and quickly transferred to the central portion 16A of the groove portion 16. It can be introduced smoothly. As a result, even if voids are generated between the substrate surface 10A and the component 12, particularly in the region between the substrate surface 10A and the center of the component 12, the amount of resin filled between them is sufficiently large. Further, it is possible to more effectively prevent the solder layers (bumps) 18 holding the component 12 from being bonded to each other and short-circuiting.

さらに、本実施形態では、溝部16の端部16Bを、部品12の基板表面10Aに対する投影領域よりも外方に位置するようにしているので、端部16Bは部品12の外方に位置するようになる。したがって、端部16Bを介して溝部16への樹脂の導入を容易に行うことができるようになり、その結果、上述した作用効果をより顕著に奏することができるようになる。   Furthermore, in the present embodiment, the end 16B of the groove 16 is positioned outward from the projection region of the component 12 on the substrate surface 10A, so that the end 16B is positioned outward of the component 12. become. Therefore, it becomes possible to easily introduce the resin into the groove portion 16 via the end portion 16B, and as a result, the above-described operational effects can be more remarkably exhibited.

また、本実施形態では、溝部16の中央部16Aより一端側における形状と、中央部より他端側における形状とを同一としている。すなわち、溝部16の端部16Bの形状を同一としている。この場合、溝部16の両側に位置する端部16Bからその中央部16Aに対して均一な量の樹脂を均一な速度で導入することができるため、基板表面10Aと部品12の中央との間の領域におけるボイドの発生を抑制することができる。   Moreover, in this embodiment, the shape in the one end side from the center part 16A of the groove part 16 and the shape in the other end side from the center part are made the same. That is, the shape of the end portion 16B of the groove portion 16 is the same. In this case, since a uniform amount of resin can be introduced into the central portion 16A from the end portions 16B located on both sides of the groove portion 16 at a uniform speed, the gap between the substrate surface 10A and the center of the component 12 is reduced. Generation of voids in the region can be suppressed.

なお、本実施形態においては、図4に示すように、溝部16の側面16Cと底面16Dとのなす角度が鈍角であるようにすることができる。この場合、溝部16の底面16Dと側面16Cの境界部分において上記樹脂を十分に導入することができるので、当該境界部分でのボイドの発生を抑制することができる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the angle formed between the side surface 16C and the bottom surface 16D of the groove 16 can be an obtuse angle. In this case, since the resin can be sufficiently introduced at the boundary portion between the bottom surface 16D and the side surface 16C of the groove portion 16, generation of voids at the boundary portion can be suppressed.

また、本実施形態においては、溝部16の側面16Cを粗化面とすることができる。この場合、溝部16の側面16Cと、この溝部に注入された樹脂との密着性が向上するため、溝部16に熱履歴がかかった際にも、溝部16と樹脂との間にはんだが流れ込むことによる、部品12を保持するはんだ層(バンプ)18同士の短絡を防止することができる。   In the present embodiment, the side surface 16C of the groove 16 can be a roughened surface. In this case, since the adhesiveness between the side surface 16C of the groove 16 and the resin injected into the groove is improved, solder flows between the groove 16 and the resin even when a thermal history is applied to the groove 16. Therefore, short circuit between the solder layers (bumps) 18 holding the component 12 can be prevented.

なお、溝部16の側面16Cを粗化面とするには、溝部16をレーザ加工によって形成した後にデスミア処理を行う。   In order to make the side surface 16C of the groove portion 16 rough, a desmear treatment is performed after the groove portion 16 is formed by laser processing.

溝部16の、中央部16Aにおける幅と端部16Bにおける幅との比は、上述した作用効果を奏する限りにおいて特に限定するものではないが、例えば最も幅が広い中央部16Aにおける幅を“1”とした場合において、最も幅が狭い端部16Bの幅は、0.2〜0.8の範囲とすることができる。具体的な幅の大きさについては、配線基板10の大きさ及び部品12の大きさ等を考慮して決定する。なお、溝部16の深さは、レーザ照射により溝部16を形成する場合の、レーザの照射出力や照射回数、受けパッド125の形成位置に依存して決定される。   The ratio of the width of the central portion 16A to the width of the end portion 16B of the groove portion 16 is not particularly limited as long as the above-described effects are achieved. For example, the width of the widest central portion 16A is “1”. In this case, the width of the narrowest end portion 16B can be in the range of 0.2 to 0.8. The specific width is determined in consideration of the size of the wiring board 10 and the size of the component 12. The depth of the groove 16 is determined depending on the laser irradiation output and the number of times of irradiation and the position where the receiving pad 125 is formed when the groove 16 is formed by laser irradiation.

(部品実装基板の製造方法)
次に、図1〜3に示す部品実装基板の製造方法について説明する。図5〜14は、本例における製造方法おける工程図である。なお、以下に示す工程図は、図2に相当する、配線基板のI−I線に沿って切った場合の断面で見た場合の順次の工程を示すものである。
(Manufacturing method of component mounting board)
Next, a method for manufacturing the component mounting board shown in FIGS. 5 to 14 are process diagrams in the manufacturing method in this example. In addition, the process drawing shown below shows the sequential process when it sees in the cross section at the time of cutting along the II line | wire of a wiring board equivalent to FIG.

最初に、図5に示すように、板形状の耐熱性樹脂板(たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板)または繊維強化樹脂板(たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂)を、コア基板101として用意し、ドリリング等の方法でスルーホール111を穿孔する。次いで、図6に示すように、コア基板101の表面101A及び裏面101B上に、パターンメッキによりコア導体層M1,M11を形成し、スルーホール111内にスルーホール導体112を形成し、スルーホール111に樹脂製穴埋め材114を充填する。   First, as shown in FIG. 5, a plate-shaped heat-resistant resin plate (for example, bismaleimide-triazine resin plate) or a fiber reinforced resin plate (for example, glass fiber reinforced epoxy resin) is prepared as a core substrate 101, and drilling, etc. The through hole 111 is drilled by this method. Next, as shown in FIG. 6, core conductor layers M <b> 1 and M <b> 11 are formed by pattern plating on the front surface 101 </ b> A and the back surface 101 </ b> B of the core substrate 101, and through-hole conductors 112 are formed in the through-holes 111. Is filled with a resin filling material 114.

次に、コア導体層M1,M11に粗化処理を施したのち、図7に示すように、コア導体層M1,M11を被覆するように、コア基板101の主面101A及び101B上に樹脂フィルムをラミネート及び硬化させて、第1の絶縁層131及び第2の絶縁層132を得る。樹脂フィルムは、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。   Next, after roughening the core conductor layers M1 and M11, as shown in FIG. 7, resin films are formed on the main surfaces 101A and 101B of the core substrate 101 so as to cover the core conductor layers M1 and M11. Are laminated and cured to obtain the first insulating layer 131 and the second insulating layer 132. The resin film may contain a filler as necessary.

次いで、図8に示すように、第1の絶縁層131及び第2の絶縁層132に対して、その表面からレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール131A及び132Aを形成し、ビアホール131A及び132Aを含む第1の絶縁層131及び第2の絶縁層132に対して粗化処理を実施する。なお、第1の絶縁層131及び第2の絶縁層132がフィラーを含む場合は、上述のようにして第1の絶縁層131及び第2の絶縁層132に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、第1の絶縁層131及び第2の絶縁層132上に残存するようになるので、適宜水洗浄を実施して、遊離したフィラーを除去する。   Next, as shown in FIG. 8, the first insulating layer 131 and the second insulating layer 132 are irradiated with laser from the surfaces thereof to form via holes 131A and 132A in a predetermined pattern. Roughening treatment is performed on the first insulating layer 131 and the second insulating layer 132 including 132A. Note that in the case where the first insulating layer 131 and the second insulating layer 132 include a filler, when the roughening treatment is performed on the first insulating layer 131 and the second insulating layer 132 as described above, Since the filler is liberated and remains on the first insulating layer 131 and the second insulating layer 132, water washing is appropriately performed to remove the liberated filler.

次いで、デスミア処理及びアウトラインエッチングを実施してビアホール131A及び132A内を洗浄する。なお、本例では、水洗浄を実施しているので、デスミア工程における水洗浄の際に、上記フィラーの凝集を抑制することができる。   Next, desmear treatment and outline etching are performed to clean the inside of the via holes 131A and 132A. In addition, in this example, since water washing is implemented, the aggregation of the said filler can be suppressed in the case of water washing in a desmear process.

また、本例では、上述した高水圧による水洗浄と上記デスミア処理の間に、エアーブローを行うことができる。これによって、上述した水洗浄によって遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブローにおいてフィラーの除去を補完することができる。   Moreover, in this example, an air blow can be performed between the water washing by the high water pressure mentioned above and the said desmear process. Thereby, even when the filler liberated by the water washing described above is not completely removed, the removal of the filler can be supplemented in the air blow.

次いで、図9に示すように、第1の絶縁層131及び第2の絶縁層132上に、パターンメッキにより第1の導体層M2,M12及びビア導体151,152を形成する。第1の導体層M2等は、セミアディティブ法等により、以下のようにして形成する。最初に、第1の絶縁層131及び第2の絶縁層132上に、例えば無電解銅めっき膜を形成した後、この無電解銅メッキ膜上にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィによりレジストの非形成部を形成し、このレジストの非形成部分に電解銅めっきを行うことによって形成する。なお、前記レジストはKOH等で剥離除去し、パターニングされた第1の導体層M2等を形成することができる。   Next, as shown in FIG. 9, the first conductor layers M2 and M12 and the via conductors 151 and 152 are formed on the first insulating layer 131 and the second insulating layer 132 by pattern plating. The first conductor layer M2 and the like are formed as follows by a semi-additive method or the like. First, for example, after forming an electroless copper plating film on the first insulating layer 131 and the second insulating layer 132, a resist film is formed on the electroless copper plating film, and the resist is removed by photolithography. A formation part is formed and formed by performing electrolytic copper plating on the non-formation part of the resist. The resist can be peeled and removed with KOH or the like to form a patterned first conductor layer M2 or the like.

次いで、第1の導体層M2,M12に粗化処理を施したのち、図10に示すように、第1の絶縁層131及び第2の絶縁層132上において、第1の導体層M2,M12を被覆するように樹脂フィルムをラミネート及び硬化させて、第3の絶縁層133及び第4の絶縁層134を形成する。この樹脂フィルムも、上述したように、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。   Next, after roughening the first conductor layers M2 and M12, the first conductor layers M2 and M12 are formed on the first insulating layer 131 and the second insulating layer 132 as shown in FIG. The third insulating layer 133 and the fourth insulating layer 134 are formed by laminating and curing the resin film so as to cover the film. This resin film may also contain a filler as necessary, as described above.

次いで、図11に示すように、第3の絶縁層133及び第4の絶縁層134に対してその表面からレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール133A及び134Aを形成し、ビアホール133A及び134Aを含む第3の絶縁層133及び第4の絶縁層134に対して粗化処理を実施する。第3の絶縁層133及び第4の絶縁層134がフィラーを含む場合は、上述のようにして第3の絶縁層133及び第4の絶縁層134に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、第3の絶縁層133及び第4の絶縁層134上に残存するようになるので、上記同様に適宜水洗浄、エアーブローを行う。次いで、ビアホール133A及び134Aに対して、デスミア処理及び外形エッチング(アウトラインエッチング)を実施してビアホール133A及び134A内を洗浄する。   Next, as shown in FIG. 11, the third insulating layer 133 and the fourth insulating layer 134 are irradiated with laser from their surfaces to form via holes 133A and 134A in a predetermined pattern, and the via holes 133A and 134A are formed. A roughening process is performed on the third insulating layer 133 and the fourth insulating layer 134 including When the third insulating layer 133 and the fourth insulating layer 134 include a filler, when the roughening treatment is performed on the third insulating layer 133 and the fourth insulating layer 134 as described above, the filler Since it is liberated and remains on the third insulating layer 133 and the fourth insulating layer 134, water washing and air blowing are appropriately performed as described above. Next, the via holes 133A and 134A are subjected to desmear treatment and outer shape etching (outline etching) to clean the via holes 133A and 134A.

次いで、図12に示すように、パターンメッキにより、第3の絶縁層133及び第4の絶縁層134上に第2の導体層M3,M13を形成し、ビアホール133A及び134A内にビア導体153及び154を形成する。   Next, as shown in FIG. 12, the second conductor layers M3 and M13 are formed on the third insulating layer 133 and the fourth insulating layer 134 by pattern plating, and the via conductors 153 and 135 are formed in the via holes 133A and 134A. 154 is formed.

その後、図13に示すように、第3の絶縁層133及び第4の絶縁層134上に、第2の導体層M3,M13における第1の金属パッド141及び第2の金属パッド142が露出するような開口部161A及び162Aを有する第1のレジスト層161及び162を形成する。   Thereafter, as shown in FIG. 13, the first metal pad 141 and the second metal pad 142 in the second conductor layers M3 and M13 are exposed on the third insulating layer 133 and the fourth insulating layer 134. First resist layers 161 and 162 having such openings 161A and 162A are formed.

次いで、図14に示すように、第3の絶縁層133の表面に対して部分的にCOレーザを照射し、第1のレジスト層161を貫通するようにして、第3の絶縁層133に対して溝部16を形成する。なお、溝部16を形成するに際しては、COレーザのスポットの照射位置を適宜調整して、図3に示すような、中央部16Aから端部16Bに向けて幅が拡大化されるようにして形成する。 Next, as shown in FIG. 14, the surface of the third insulating layer 133 is partially irradiated with CO 2 laser so as to penetrate the first resist layer 161. On the other hand, the groove 16 is formed. When forming the groove portion 16, the irradiation position of the CO 2 laser spot is adjusted as appropriate so that the width increases from the center portion 16A toward the end portion 16B as shown in FIG. Form.

なお、上述したように、溝部16の側面を粗化面とするには、上述のようにしてレーザ照射により溝部16を形成した後、デスミア処理を行う。   As described above, in order to make the side surface of the groove portion 16 rough, the groove portion 16 is formed by laser irradiation as described above, and then desmearing is performed.

その後、溝部16を跨ぐようにして部品12をはんだ層18によって支持するとともに、はんだ層18を介して第1の金属パッド141と電気的に接続する。これによって、下方に溝部16が存在するようにして部品12及び13を実装することができ、図1〜3に示すような部品実装基板1を得ることができる。   Thereafter, the component 12 is supported by the solder layer 18 so as to straddle the groove portion 16 and is electrically connected to the first metal pad 141 via the solder layer 18. Accordingly, the components 12 and 13 can be mounted so that the groove portion 16 exists below, and the component mounting board 1 as shown in FIGS. 1 to 3 can be obtained.

以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。   The present invention has been described in detail with specific examples. However, the present invention is not limited to the above contents, and various modifications and changes can be made without departing from the scope of the present invention.

例えば、上記具体例では、配線基板10を、コア基板101の両面において、コア導体層M1,M11,第1の導体層M2,M12,第2の導体層M3,M13を有し、第1の絶縁層131〜第4の絶縁層134を有するようにし、コア基板101の一方の側において、導体層を3層とし、絶縁層を2層としているが、導体層及び絶縁層の数も必要に応じて任意の数とすることができる。   For example, in the above specific example, the wiring board 10 includes the core conductor layers M1 and M11, the first conductor layers M2 and M12, and the second conductor layers M3 and M13 on both surfaces of the core board 101. Insulating layer 131 to fourth insulating layer 134 are provided, and on one side of core substrate 101, there are three conductor layers and two insulating layers, but the number of conductor layers and insulating layers is also necessary. Depending on the number, it can be any number.

1 部品実装基板
10 配線基板、
11 半導体チップ
12 部品
15 配線パターン
16 溝部
1 Component mounting board 10 Wiring board,
11 Semiconductor chip 12 Component 15 Wiring pattern 16 Groove

Claims (6)

基板表面に露出してなる一対の端子パッドを有する配線基板と、
前記一対の端子パッドに実装される部品とを備え、
前記基板表面と前記部品との間に樹脂が充填される部品実装基板であって、
前記基板表面には、前記一対の端子パッド間であって、前記一対の端子パッドを構成する前記端子パッドが配列する第1配列方向と交差する交差方向に延びるとともに、中央部から両端部に向けて前記第1配列方向の幅が狭小化された溝部が形成され、
前記溝部の中央部は、前記部品の前記交差方向における中央と対応する位置に形成されてなることを特徴とする、部品実装基板。
A wiring board having a pair of terminal pads exposed on the substrate surface;
A component mounted on the pair of terminal pads,
A component mounting substrate filled with resin between the substrate surface and the component,
The substrate surface extends in a crossing direction between the pair of terminal pads and intersecting a first arrangement direction in which the terminal pads constituting the pair of terminal pads are arranged, and from the central portion toward both ends. A groove portion having a narrow width in the first arrangement direction is formed,
The component mounting board, wherein a central portion of the groove is formed at a position corresponding to a center of the component in the intersecting direction.
前記溝部の側面が連続した面として構成されていることを特徴とする、請求項1に記載の部品実装基板。   The component mounting board according to claim 1, wherein side surfaces of the groove portions are configured as continuous surfaces. 前記溝部の両端部が、前記部品の投影領域より外方に形成されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の部品実装基板。   The component mounting board according to claim 1, wherein both end portions of the groove portion are formed outward from a projection region of the component. 前記溝部の側面と底面のなす角度が鈍角であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の部品実装基板。   The component mounting board according to claim 1, wherein an angle formed between a side surface and a bottom surface of the groove is an obtuse angle. 前記溝部の前記中央部より一端側における形状と、前記中央部より他端側における形状とが同一であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の部品実装基板。   5. The component mounting board according to claim 1, wherein a shape of the groove portion on one end side from the central portion is the same as a shape on the other end side of the central portion. 前記溝部の側面は粗化面であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の部品実装基板。   The component mounting board according to claim 1, wherein a side surface of the groove is a roughened surface.
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