JP5478173B2

JP5478173B2 - Laser processing equipment

Info

Publication number: JP5478173B2
Application number: JP2009216930A
Authority: JP
Inventors: 幸容増田; 健太呂飯塚
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2009-09-18
Filing date: 2009-09-18
Publication date: 2014-04-23
Anticipated expiration: 2029-09-18
Also published as: JP2011062739A

Description

本発明は、レーザー加工装置に関し、特に、半導体ウェーハなどの被加工物にレーザー光線を照射して加工を施すレーザー加工装置に関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus, and more particularly to a laser processing apparatus that performs processing by irradiating a workpiece such as a semiconductor wafer with a laser beam.

半導体デバイスの製造工程においては、略円板形状を有する半導体ウェーハの表面に格子状に配列されたストリート（切断ライン）によって複数の領域が区画される。そして、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路が形成された半導体ウェーハをストリートに沿って切断することによって回路毎に分割して個々の半導体チップが製造される。このような半導体ウェーハのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称される切削装置により行われる。 In a semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are defined by streets (cutting lines) arranged in a lattice pattern on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape. Then, a semiconductor wafer in which circuits such as ICs and LSIs are formed in the partitioned areas is cut along the streets to divide each circuit into individual semiconductor chips. Such cutting along the streets of the semiconductor wafer is usually performed by a cutting device called a dicer.

半導体ウェーハをストリートに沿って切断する加工方法として、本出願人においては、半導体ウェーハにレーザー光線を照射して切断する加工方法を試みている（例えば、特許文献１参照）。また、本出願人においては、半導体ウェーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射する場合、照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生するため、半導体ウェーハの表面にデブリが付着するのを防ぐために半導体ウェーハの表面に保護膜を形成する加工方法も提案している（例えば、特許文献２参照）。 As a processing method for cutting a semiconductor wafer along a street, the present applicant has attempted a processing method for cutting a semiconductor wafer by irradiating it with a laser beam (see, for example, Patent Document 1). In addition, when applying the laser beam along the street of the semiconductor wafer, the present applicant prevents debris from adhering to the surface of the semiconductor wafer because the thermal energy concentrates on the irradiated area and debris is generated. Therefore, a processing method for forming a protective film on the surface of a semiconductor wafer has also been proposed (see, for example, Patent Document 2).

特開平１０−３０５４２０号公報JP-A-10-305420 特開２００４−１８８４７５号公報JP 2004-188475 A

しかしながら、上述したような半導体ウェーハの表面に保護膜を形成する加工方法においては、保護膜を形成する液状樹脂を塗布する過程で液状樹脂が装置内に飛散したり、舞ったりすることで装置内に液状樹脂が付着、固化し、例えば、装置内の可動部分の可動を阻害するなどの不具合が発生し得るという問題がある。 However, in the processing method for forming the protective film on the surface of the semiconductor wafer as described above, the liquid resin is scattered in the apparatus during the process of applying the liquid resin for forming the protective film, so that the inside of the apparatus There is a problem that the liquid resin adheres to and solidifies on the substrate, and a problem such as, for example, hindering the movement of the movable part in the apparatus may occur.

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、保護膜を形成するために塗布される液状樹脂の飛散等に起因する装置本体の不具合を防止することができるレーザー加工装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and a laser processing apparatus capable of preventing a malfunction of the apparatus main body due to scattering of a liquid resin applied to form a protective film is provided. The purpose is to provide.

本発明のレーザー加工装置は、被加工物を保持する保持テーブルと、前記被加工物の被加工面に液状樹脂からなる保護膜を形成する保護膜形成機構と、前記保持テーブルに保持された前記被加工物の被加工面にレーザービームを照射して加工を施すレーザー加工機構と、前記保護膜形成機構に前記被加工物を搬入搬出する搬送機構とを備え、前記保護膜形成機構は、矩形状の開口部内に配置されて被加工面を露出した状態で前記被加工物を保持する保持部と、前記被加工物を保持した前記保持部を鉛直方向を回転軸として回転させ、被加工面に供給された前記液状樹脂を当該被加工面全体に広げる回転駆動部と、前記保持部及び当該保持部に保持された前記被加工物を囲んで密閉する筐体とを有し、前記筐体に、前記被加工物の搬入搬出の際に前記搬送機構の通過を許容する開位置に配置される一方、前記保護膜を形成する際に前記液状樹脂の前記筐体外への飛散を防止する閉位置に配置されて前記筐体の側壁面を開閉可能なシャッター部を設け、前記筐体の上壁面を、前記開口部の一辺部から上方に立ち上がり当該開口部を覆うように延在させると共に常に前記保持部に保持された前記被加工物の被加工面と対向配置させる一方、前記シャッター部を前記開口部の一辺部を除く三辺部に設けたことを特徴とする。 The laser processing apparatus of the present invention includes a holding table that holds a workpiece, a protective film forming mechanism that forms a protective film made of a liquid resin on a processing surface of the workpiece, and the holding table held by the holding table. comprising a laser processing mechanism for performing processing by irradiating a laser beam on the processed surface of the workpiece, and a transport mechanism for loading and unloading the workpiece into the protective layer forming mechanism, said protective layer forming mechanism is rectangular A holding portion that is disposed in the opening having a shape and holds the workpiece in a state where the processing surface is exposed; and the holding portion that holds the workpiece is rotated about a vertical direction as a rotation axis, A rotary drive unit that spreads the liquid resin supplied to the entire processing surface, a holding unit and a casing that surrounds and seals the workpiece held by the holding unit, In addition, when carrying in / out the workpiece While being disposed in the open position to permit passage of the transport mechanism, the side wall surface of the housing is disposed in a closed position to prevent splashing to the outside of the housing of the liquid resin in forming the protective film An openable / closable shutter part is provided , and the upper wall surface of the casing rises upward from one side of the opening part so as to cover the opening part, and is always held by the holding part. The shutter portion is provided on three sides excluding one side portion of the opening portion while being arranged to face the processing surface .

この構成によれば、保護膜形成機構の筐体に、被加工物の搬入搬出の際に搬送機構の通過を許容する一方、保護膜を形成する際に閉じて液状樹脂の筐体外への飛散を防止するシャッター部を設けたことから、保護膜を形成する過程で液状樹脂の筐体外への飛散を確実に防止することができるので、保護膜を形成するために塗布される液状樹脂の飛散等に起因する装置本体の不具合を防止することが可能となる。 According to this configuration, the protective film forming mechanism is allowed to pass through the conveyance mechanism when the workpiece is loaded and unloaded, and the protective film is closed when the protective film is formed to disperse the liquid resin outside the casing. Since the shutter portion is provided to prevent the liquid resin from splashing out of the housing in the process of forming the protective film, the liquid resin applied to form the protective film is scattered. It is possible to prevent the malfunction of the apparatus main body due to the above.

例えば、本発明のレーザー加工装置においては、前記筐体の上壁面に、前記保持部に保持された前記被加工物の被加工面に形成された前記保護膜の状態を検出する検出部、或いは、筐体内にクリーンエアを送り込むクリーンエア送入機構が配設される。 For example, in the laser processing apparatus of the present invention, a detection unit that detects a state of the protective film formed on the processing surface of the workpiece held by the holding unit on the upper wall surface of the housing, or A clean air feeding mechanism for feeding clean air into the housing is provided.

本発明によれば、保護膜形成機構の筐体に、被加工物の搬入搬出の際に搬送機構の通過を許容する一方、保護膜を形成する際に閉じて液状樹脂の筐体外への飛散を防止するシャッター部を設けたことから、保護膜を形成する過程で液状樹脂の筐体外への飛散を確実に防止することができるので、保護膜を形成するために塗布される液状樹脂の飛散等に起因する装置本体の不具合を防止することが可能となる。 According to the present invention, the protective film forming mechanism is allowed to pass through the conveyance mechanism when the workpiece is carried in and out, while the protective film is closed when the protective film is formed and the liquid resin is scattered outside the casing. Since the shutter portion is provided to prevent the liquid resin from splashing out of the housing in the process of forming the protective film, the liquid resin applied to form the protective film is scattered. It is possible to prevent the malfunction of the apparatus main body due to the above.

本発明の実施の形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。1 is a perspective view of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 上記実施の形態に係るレーザー加工装置が備えるチャックテーブルの周辺の斜視図である。It is a perspective view of the periphery of the chuck table with which the laser processing apparatus which concerns on the said embodiment is provided. 上記実施の形態に係るレーザー加工装置が備える保護膜形成機構の周辺の斜視図である。It is a perspective view of the periphery of the protective film formation mechanism with which the laser processing apparatus which concerns on the said embodiment is provided. 上記実施の形態に係るレーザー加工装置が備える保護膜形成機構の保護膜形成時の動作の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the operation | movement at the time of protective film formation of the protective film formation mechanism with which the laser processing apparatus which concerns on the said embodiment is provided. 上記実施の形態に係るレーザー加工装置が備える保護膜形成機構の保護膜形成時の動作の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the operation | movement at the time of protective film formation of the protective film formation mechanism with which the laser processing apparatus which concerns on the said embodiment is provided. 上記実施の形態に係るレーザー加工装置で加工対象とされる半導体ウェーハの斜視図である。It is a perspective view of the semiconductor wafer made into the process target with the laser processing apparatus which concerns on the said embodiment.

以下、本発明の一実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。最初に、本発明の実施の形態に係るレーザー加工装置について説明する前に、加工対象となる半導体ウェーハについて簡単に説明する。図６は、環状フレームに支持された半導体ウェーハの斜視図である。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, before describing the laser processing apparatus according to the embodiment of the present invention, a semiconductor wafer to be processed will be briefly described. FIG. 6 is a perspective view of the semiconductor wafer supported by the annular frame.

図６に示すように、半導体ウェーハＷは、略円盤状に形成されており、表面に格子状に配列されたストリート１０１によって複数の領域に区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０２が形成されている。また、半導体ウェーハＷは、貼着テープ１０３を介して環状フレーム１０４に支持され、カセット３（図１参照）内に収容された状態でレーザー加工装置１に搬入および搬出される。 As shown in FIG. 6, the semiconductor wafer W is formed in a substantially disk shape, and is partitioned into a plurality of regions by streets 101 arranged in a lattice pattern on the surface. A device 102 is formed. Further, the semiconductor wafer W is supported by the annular frame 104 via the adhesive tape 103 and is carried into and out of the laser processing apparatus 1 while being accommodated in the cassette 3 (see FIG. 1).

なお、本実施の形態においては、被加工物（ワーク）としてシリコンウェーハ等の半導体ウェーハを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではなく、チップ実装用として半導体ウェーハの裏面に貼着されるＤＡＦ（Die Attach Film）等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイヤ（Al₂O₃）系の無機材料基板、ＬＣＤドライバー等の各種電気部品やミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料をワークとしてもよい。 In the present embodiment, a semiconductor wafer such as a silicon wafer will be described as an example of a workpiece (workpiece), but the present invention is not limited to this configuration. Adhesive members such as DAF (Die Attach Film), semiconductor product packages, ceramics, glass, sapphire (Al ₂ O ₃ ) inorganic material substrates, LCD drivers, and other electrical components, and micron-order processing positions Various workpieces that require high accuracy may be used as the workpiece.

次に、図１を参照して、本発明の実施の形態に係るレーザー加工装置について説明する。図１は、本実施の形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。図２は、本実施の形態に係るレーザー加工装置が備えるチャックテーブルの周辺の斜視図である。なお、以下においては、説明の便宜上、図１に示す左下方側を前方側と呼び、同図に示す右上方側を後方側と呼ぶものとする。 Next, a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a perspective view of the laser processing apparatus according to the present embodiment. FIG. 2 is a perspective view of the periphery of the chuck table provided in the laser processing apparatus according to the present embodiment. In the following, for convenience of explanation, the lower left side shown in FIG. 1 is called the front side, and the upper right side shown in FIG. 1 is called the rear side.

図１に示すように、レーザー加工装置１は、半導体ウェーハＷにデブリの付着を防止する保護膜を成膜すると共に、成膜後の半導体ウェーハＷをレーザー加工するように構成されている。レーザー加工装置１は、一部が前方に突き出た略直方体状の基台２を有し、基台２の突き出た部分にはカセット３が載置される搬入搬出機構４が設けられている。搬入搬出機構４の後方には、搬入搬出機構４に隣接し、加工済みの半導体ウェーハＷを洗浄する洗浄機構５と、洗浄機構５を挟んで搬入搬出機構４に対向し、半導体ウェーハＷに保護膜を形成する保護膜形成機構６とが設けられている。 As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus 1 is configured to form a protective film for preventing debris from adhering to a semiconductor wafer W and to laser process the semiconductor wafer W after film formation. The laser processing apparatus 1 has a substantially rectangular parallelepiped base 2 partially protruding forward, and a loading / unloading mechanism 4 on which the cassette 3 is placed is provided on the protruding portion of the base 2. Behind the carry-in / carry-out mechanism 4 is a cleaning mechanism 5 that is adjacent to the carry-in / carry-out mechanism 4 and that cleans the processed semiconductor wafer W, and faces the carry-in / carry-out mechanism 4 across the cleaning mechanism 5 and is protected by the semiconductor wafer W. A protective film forming mechanism 6 for forming a film is provided.

洗浄機構５および保護膜形成機構６の側方には、保持テーブルとしてのチャックテーブル７１と、チャックテーブル７１上の半導体ウェーハＷにレーザー光線を照射するレーザー加工ヘッド７２とを有するレーザー加工機構７が設けられている。また、基台２の一側面２ａには、搬入搬出機構４に載置されたカセット３と保護膜形成機構６との間で、半導体ウェーハＷを搬送する搬送機構としてのプッシュプル機構８が設けられている。 A laser processing mechanism 7 having a chuck table 71 as a holding table and a laser processing head 72 for irradiating the semiconductor wafer W on the chuck table 71 with a laser beam is provided on the side of the cleaning mechanism 5 and the protective film forming mechanism 6. It has been. In addition, a push-pull mechanism 8 serving as a transport mechanism for transporting the semiconductor wafer W between the cassette 3 placed on the carry-in / out mechanism 4 and the protective film forming mechanism 6 is provided on one side surface 2 a of the base 2. It has been.

洗浄機構５の後述する洗浄用テーブル５２および保護膜形成機構６の後述する成膜用テーブル６２のそれぞれの上方には、半導体ウェーハＷをスライド可能にガイドする一対のガイドレール９、１０が設けられている。また、基台２の上方には、一対のガイドレール９とチャックテーブル７１との間で半導体ウェーハＷの受け渡しを行う第１、第２のアッパーアーム１１、１２が設けられている。 A pair of guide rails 9 and 10 for slidably guiding the semiconductor wafer W are provided above a cleaning table 52 (to be described later) of the cleaning mechanism 5 and a film forming table 62 (to be described later) of the protective film forming mechanism 6. ing. Further, above the base 2, first and second upper arms 11 and 12 for delivering the semiconductor wafer W between the pair of guide rails 9 and the chuck table 71 are provided.

搬入搬出機構４は、カセット３を載置する載置板４１を有し、載置板４１は昇降可能に構成されている。搬入搬出機構４は、カセット３を載置した状態で載置板４１を昇降させることにより、高さ方向における半導体ウェーハＷの出し入れ位置を調整している。 The carry-in / out mechanism 4 has a placement plate 41 on which the cassette 3 is placed, and the placement plate 41 is configured to be movable up and down. The loading / unloading mechanism 4 adjusts the loading / unloading position of the semiconductor wafer W in the height direction by raising and lowering the mounting plate 41 with the cassette 3 mounted.

洗浄機構５は、上面に円形の開口部５１が形成され、開口部５１の中央に加工済みの半導体ウェーハＷが保持される洗浄用テーブル５２を有している。洗浄用テーブル５２は、半導体ウェーハＷを吸着保持する真空チャック式であり、周囲に環状フレーム１０４を保持する４つのクランプ部５３が設けられている。このクランプ部５３は、洗浄用テーブル５２の四方から延びる支持板５４に振り子状に支持されており、洗浄用テーブル５２の回転によって作用する遠心力により跳ね上げられてクランプする。また、洗浄用テーブル５２は、開口部５１と基台２内部との間で昇降可能に構成され、基台２内において高速回転されつつ、洗浄水が噴射されることで半導体ウェーハＷを洗浄する。 The cleaning mechanism 5 includes a cleaning table 52 in which a circular opening 51 is formed on the upper surface, and a processed semiconductor wafer W is held in the center of the opening 51. The cleaning table 52 is of a vacuum chuck type that holds the semiconductor wafer W by suction, and is provided with four clamp portions 53 that hold the annular frame 104 around it. The clamp portion 53 is supported in a pendulum manner on a support plate 54 extending from four sides of the cleaning table 52, and is clamped by being flipped up by a centrifugal force acting by the rotation of the cleaning table 52. The cleaning table 52 is configured to be movable up and down between the opening 51 and the inside of the base 2, and cleans the semiconductor wafer W by being sprayed with cleaning water while being rotated at a high speed in the base 2. .

保護膜形成機構６は、上面に矩形状の開口部６１が形成され、開口部６１の中央に加工前の半導体ウェーハＷが保持される成膜用テーブル６２を有している。成膜用テーブル６２は、半導体ウェーハＷを吸着保持する真空チャック式であり、周囲に洗浄用テーブル５２と同様な４つのクランプ部６３が設けられている。また、成膜用テーブル６２の近傍には、後述する液状樹脂供給部６７が設けられており、この液状樹脂供給部６７により半導体ウェーハＷの被加工面である上面に液状樹脂が供給される。 The protective film forming mechanism 6 has a rectangular opening 61 formed on the upper surface, and has a film forming table 62 on the center of the opening 61 on which a semiconductor wafer W before processing is held. The film forming table 62 is a vacuum chuck type that holds the semiconductor wafer W by suction, and is provided with four clamp portions 63 similar to the cleaning table 52 around the film forming table 62. Further, a liquid resin supply unit 67 described later is provided in the vicinity of the film forming table 62, and the liquid resin is supplied to the upper surface, which is the processing surface of the semiconductor wafer W, by the liquid resin supply unit 67.

開口部６１の上方には、開口部６１の後方の一辺部から上方に立ちあがり、開口部６１を覆うように延在する屋根部６４が設けられている。開口部６１の後方の一辺部を除く三辺部には、屋根部６４によって開放される３方を覆うシャッター部６５が設けられている。シャッター部６５は、基台２内に上下動可能に収容されており、半導体ウェーハＷの搬送時に下動して基台２内に収納される一方、成膜時に上動して保護膜形成機構６内を密閉する。より具体的には、半導体ウェーハＷの搬入搬出の際にプッシュプルアーム８１の通過を許容する開位置（図１に示す位置）と、保護膜を形成する際に液状樹脂の筐体外への飛散を防止する閉位置（図５参照）との間で上下動するものとなっている。 Above the opening 61, there is provided a roof portion 64 that rises upward from one side behind the opening 61 and extends to cover the opening 61. On three sides excluding one side behind the opening 61, a shutter 65 is provided to cover three sides opened by the roof 64. The shutter unit 65 is housed in the base 2 so as to be movable up and down, and is moved down during the transfer of the semiconductor wafer W to be housed in the base 2, while the shutter unit 65 is moved up during film formation to form a protective film forming mechanism. 6 is sealed. More specifically, an open position (position shown in FIG. 1) that allows the push-pull arm 81 to pass when the semiconductor wafer W is loaded and unloaded, and a liquid resin is scattered outside the casing when the protective film is formed. It moves up and down between the closed position (see FIG. 5) to prevent the above.

保護膜形成機構６においては、これらの屋根部６４とシャッター部６５とでその筐体の一部が構成される。シャッター部６５は、筐体の側壁面を開閉可能に配置されている。屋根部６４は、筐体の上壁面を構成するものであり、常に成膜用テーブル６２に保持された半導体ウェーハＷの上面と対向配置されている。このように筐体の上壁面を常に成膜用テーブル６２に保持された半導体ウェーハＷの上面と対向配置させていることから、屋根部６４の上面を、半導体ウェーハＷとの関係で位置精度が要求されるデバイスや、複雑な配線が必要なデバイス等を配設する部分として活用することができるものとなっている。 In the protective film forming mechanism 6, the roof portion 64 and the shutter portion 65 constitute a part of the casing. The shutter unit 65 is disposed so that the side wall surface of the housing can be opened and closed. The roof portion 64 constitutes the upper wall surface of the housing, and is always arranged to face the upper surface of the semiconductor wafer W held on the film forming table 62. As described above, since the upper wall surface of the housing is always arranged opposite to the upper surface of the semiconductor wafer W held on the film forming table 62, the upper surface of the roof portion 64 has a positional accuracy in relation to the semiconductor wafer W. It can be used as a part for arranging required devices or devices that require complicated wiring.

保護膜形成機構６は、半導体ウェーハＷの成膜時にシャッター部６５により密閉され、液状樹脂供給部６７により成膜用テーブル６２に保持された半導体ウェーハＷの上面に液状樹脂が塗布される。そして、成膜用テーブル６２が高速回転され、液状樹脂が半導体ウェーハＷの上面全体に広げられることにより保護膜が形成される。このとき、半導体ウェーハＷから飛散した液状樹脂の液滴は、シャッター部６５により筐体外への飛散が防止されるものとなっている。なお、保護膜形成機構６の詳細構成については、後述する。 The protective film forming mechanism 6 is sealed by the shutter unit 65 when the semiconductor wafer W is formed, and the liquid resin is applied to the upper surface of the semiconductor wafer W held on the film forming table 62 by the liquid resin supply unit 67. Then, the film forming table 62 is rotated at a high speed, and the liquid resin is spread over the entire upper surface of the semiconductor wafer W, whereby a protective film is formed. At this time, liquid resin droplets scattered from the semiconductor wafer W are prevented from being scattered outside the casing by the shutter unit 65. The detailed configuration of the protective film forming mechanism 6 will be described later.

屋根部６４の上面には、保護膜形成機構６内にクリーンエアを送り込むクリーンエア送入機構１３および半導体ウェーハＷに成膜された保護膜の状態を検出する検出機構１４が配設されている。クリーンエア送入機構１３は、例えば、送風機とこの送風機の送風先に配設されたヘパフィルタとを備え、外部の空気を保護膜形成機構６内に導入する。このように屋根部６４の上面にクリーンエア送入機構１３を配設することにより、半導体ウェーハＷの上面にクリーンエアを送り込むことができ、塗布された液状樹脂の固化を早めると共に、保護膜形成機構６の筐体内に存在する埃や粉塵が半導体ウェーハＷの上面に付着するの防止することができる。検出機構１４は、半導体ウェーハＷに成膜された保護膜の膜厚を測定する膜厚測定器で構成されるが、これに限定されるものではない。このように屋根部６４の上面に膜厚測定器を配設することにより、半導体ウェーハＷの上面に形成された保護膜を精度良く測定することができ、不適当な膜厚の保護膜が形成される半導体ウェーハＷの発生頻度を低減することができる。なお、これらのクリーンエア送入機構１３、検出機構１４は、保護膜形成機構６の筐体内の密閉性を維持した状態で屋根部６４に形成された所定の開口部に固定されている。 On the upper surface of the roof portion 64, a clean air feeding mechanism 13 that sends clean air into the protective film forming mechanism 6 and a detection mechanism 14 that detects the state of the protective film formed on the semiconductor wafer W are disposed. . The clean air feeding mechanism 13 includes, for example, a blower and a hepa filter disposed at the blower destination of the blower, and introduces external air into the protective film forming mechanism 6. By arranging the clean air feeding mechanism 13 on the upper surface of the roof portion 64 in this way, clean air can be fed to the upper surface of the semiconductor wafer W, the solidification of the applied liquid resin is accelerated, and the protective film is formed. It is possible to prevent dust and dust present in the housing of the mechanism 6 from adhering to the upper surface of the semiconductor wafer W. The detection mechanism 14 includes a film thickness measuring device that measures the film thickness of the protective film formed on the semiconductor wafer W, but is not limited thereto. As described above, by disposing the film thickness measuring device on the upper surface of the roof portion 64, the protective film formed on the upper surface of the semiconductor wafer W can be accurately measured, and a protective film having an inappropriate film thickness is formed. It is possible to reduce the frequency of occurrence of the semiconductor wafer W. The clean air feeding mechanism 13 and the detection mechanism 14 are fixed to a predetermined opening formed in the roof portion 64 in a state in which the airtightness inside the casing of the protective film forming mechanism 6 is maintained.

プッシュプル機構８は、カセット３と保護膜形成機構６との間で半導体ウェーハＷを搬送させるプッシュプルアーム８１と、プッシュプルアーム８１をＹ軸方向およびＺ軸方向に移動させる移動機構８２とを有し、プッシュプルアーム８１によりカセット３に半導体ウェーハＷを出し入れする他、保護膜形成機構６に半導体ウェーハＷを出し入れするように構成されている。また、プッシュプル機構８は、半導体ウェーハＷを、一対のガイドレール９上で洗浄用テーブル５２に対してＹ軸方向に位置決めする他、一対のガイドレール１０上で成膜用テーブル６２に対してＹ軸方向に位置決めする。 The push-pull mechanism 8 includes a push-pull arm 81 that transports the semiconductor wafer W between the cassette 3 and the protective film forming mechanism 6, and a moving mechanism 82 that moves the push-pull arm 81 in the Y-axis direction and the Z-axis direction. In addition to the semiconductor wafer W being taken in and out of the cassette 3 by the push-pull arm 81, the semiconductor wafer W is taken in and out of the protective film forming mechanism 6. The push-pull mechanism 8 positions the semiconductor wafer W with respect to the cleaning table 52 on the pair of guide rails 9 in the Y-axis direction, and on the film formation table 62 on the pair of guide rails 10. Position in the Y-axis direction.

移動機構８２は、基台２の一側面２ａにおいてＹ軸方向に延在するガイド部８３と、ガイド部８３にスライド可能に係合されたロッド８４とを有している。ロッド８４は、上下方向に延在し、延在方向の中間部に形成されたナット部に、Ｙ軸方向に延在するボールネジ８５が螺合されている。ボールネジ８５は、その一端に連結された駆動モータ８６により回転駆動され、これに伴ってロッド８４がＹ軸方向に移動される。ロッド８４の先端は、図示しないアクチュエータにより上下方向に伸縮可能に構成されており、プッシュプルアーム８１を片持支持している。このように、ロッド８４の先端が伸長可能なため、半導体ウェーハＷの先端側（後端側）に位置するプッシュプルアーム８１を半導体ウェーハＷの後端側（先端側）に、半導体ウェーハＷの上方を通って回り込ませることが可能となっている。 The moving mechanism 82 includes a guide portion 83 that extends in the Y-axis direction on one side surface 2 a of the base 2, and a rod 84 that is slidably engaged with the guide portion 83. The rod 84 extends in the up-down direction, and a ball screw 85 extending in the Y-axis direction is screwed to a nut portion formed at an intermediate portion in the extending direction. The ball screw 85 is rotationally driven by a drive motor 86 connected to one end thereof, and the rod 84 is moved in the Y-axis direction accordingly. The tip of the rod 84 is configured to be vertically extendable by an actuator (not shown), and supports the push-pull arm 81 in a cantilever manner. Thus, since the tip of the rod 84 can be extended, the push-pull arm 81 located on the tip side (rear end side) of the semiconductor wafer W is placed on the rear end side (tip side) of the semiconductor wafer W. It is possible to wrap around the top.

プッシュプルアーム８１の先端には、半導体ウェーハＷを搬送可能に操作する操作部８７が設けられている。操作部８７のカセット３に対向する前面側には、半導体ウェーハＷの周囲の環状フレーム１０４を挟持する第１の挟持部８８ａが設けられている。また、操作部８７の保護膜形成機構６に対向する背面側には、半導体ウェーハＷの周囲の環状フレーム１０４を挟持する第２の挟持部８８ｂが設けられている。第１、第２の挟持部８８ａ、８８ｂは、それぞれ操作部８７から突出した一対の平行板で構成され、その一方が上下方向に離間接近可能に構成されている。一方の平行板が他方の平行板に接近することで環状フレーム１０４を挟持する一方、他方の平行板から離間することで環状フレーム１０４を開放する。 At the tip of the push-pull arm 81, an operation unit 87 for operating the semiconductor wafer W so as to be transported is provided. On the front side of the operation unit 87 facing the cassette 3, a first clamping unit 88 a that clamps the annular frame 104 around the semiconductor wafer W is provided. Further, on the back side of the operation portion 87 facing the protective film forming mechanism 6, a second holding portion 88 b that holds the annular frame 104 around the semiconductor wafer W is provided. The first and second holding portions 88a and 88b are each composed of a pair of parallel plates protruding from the operation portion 87, and one of them is configured to be separated and approachable in the vertical direction. The annular frame 104 is sandwiched by one parallel plate approaching the other parallel plate, while the annular frame 104 is opened by separating from the other parallel plate.

操作部８７の前面は、Ｙ軸方向に対して垂直な平面であり、環状フレーム１０４の外周面に当接する第１の当接部８９ａを形成している。第１の当接部８９ａは、第１の挟持部８８ａの非挟持状態で環状フレーム１０４の外周面に当接可能となっている。また、操作部８７の背面は、第１の当接部８９ａと同様に、環状フレーム１０４の外周面に当接する第２の当接部８９ｂを形成している。 The front surface of the operation portion 87 is a plane perpendicular to the Y-axis direction, and forms a first contact portion 89 a that contacts the outer peripheral surface of the annular frame 104. The first abutting portion 89a can abut on the outer peripheral surface of the annular frame 104 in a state where the first sandwiching portion 88a is not sandwiched. Further, the back surface of the operation portion 87 forms a second contact portion 89b that contacts the outer peripheral surface of the annular frame 104, similarly to the first contact portion 89a.

このように構成されたプッシュプル機構８においては、第１、第２の挟持部８８ａ、８８ｂに環状フレーム１０４を挟持させた状態でプッシュプルアーム８１を移動させることで、半導体ウェーハＷを引き出し、第１、第２の当接部８９ａ、８９ｂを環状フレーム１０４の外周面に当接させた状態でプッシュプルアーム８１を移動させることで、半導体ウェーハＷを押し込むように動作する。 In the push-pull mechanism 8 configured as described above, the semiconductor wafer W is pulled out by moving the push-pull arm 81 with the annular frame 104 held between the first and second holding portions 88a and 88b. By moving the push-pull arm 81 in a state where the first and second contact portions 89a and 89b are in contact with the outer peripheral surface of the annular frame 104, the semiconductor wafer W is operated to be pushed in.

一対のガイドレール９は、半導体ウェーハＷの搬送時には相互に接近して半導体ウェーハＷをガイドすると共に、洗浄用テーブル５２に対してＸ軸方向の位置決めを行う。また、一対のガイドレール９は、半導体ウェーハＷの非搬送時には洗浄用テーブル５２の載置面を空けるように相互に離間する。また、一対のガイドレール９は、上下動可能に構成されており、相互に接近した状態で上下動することにより、洗浄用テーブル５２との間で半導体ウェーハＷの受け渡しを行う。この場合、一対のガイドレール９の延在方向の中間部分には、逃げ部９ａが形成されており、この逃げ部９ａにより洗浄用テーブル５２のクランプ部５３との衝突が防止される。 The pair of guide rails 9 approach each other when the semiconductor wafer W is transported, guide the semiconductor wafer W, and position the cleaning table 52 in the X-axis direction. Further, the pair of guide rails 9 are separated from each other so as to open the mounting surface of the cleaning table 52 when the semiconductor wafer W is not transferred. The pair of guide rails 9 are configured to be movable up and down, and transfer the semiconductor wafer W to and from the cleaning table 52 by moving up and down while being close to each other. In this case, an escape portion 9a is formed at an intermediate portion in the extending direction of the pair of guide rails 9. The escape portion 9a prevents a collision with the clamp portion 53 of the cleaning table 52.

一対のガイドレール１０は、保護膜形成機構６への半導体ウェーハＷの出し入れ時には相互に接近して半導体ウェーハＷをガイドすると共に、成膜用テーブル６２に対してＸ軸方向の位置決めを行う。また、一対のガイドレール１０は、半導体ウェーハＷの非出し入れ時には成膜用テーブル６２の載置面を空けるように相互に離間する。また、一対のガイドレール１０は、上下動可能に構成されており、相互に接近した状態で上下動することにより、成膜用テーブル６２との間で半導体ウェーハＷの受け渡しを行う。この場合、一対のガイドレール１０の延在方向の中間部分には、逃げ部１０ａが形成されており、この逃げ部１０ａにより成膜用テーブル６２のクランプ部６３との衝突が防止される。 The pair of guide rails 10 approach each other when guiding the semiconductor wafer W into and out of the protective film forming mechanism 6 to guide the semiconductor wafer W and position the film forming table 62 in the X-axis direction. Further, the pair of guide rails 10 are separated from each other so as to open the mounting surface of the film forming table 62 when the semiconductor wafer W is not taken in and out. The pair of guide rails 10 are configured to be movable up and down, and transfer the semiconductor wafer W to and from the film formation table 62 by moving up and down while being close to each other. In this case, an escape portion 10a is formed at an intermediate portion in the extending direction of the pair of guide rails 10, and collision with the clamp portion 63 of the film forming table 62 is prevented by the escape portion 10a.

第１、第２のアッパーアーム１１、１２は、一対のガイドレール９上の半導体ウェーハＷをピックアップして、チャックテーブル７１に載置する他、加工済みの半導体ウェーハＷをチャックテーブル７１からピックアップして、一対のガイドレール９上に載置する。 The first and second upper arms 11 and 12 pick up the semiconductor wafer W on the pair of guide rails 9 and place it on the chuck table 71, and pick up the processed semiconductor wafer W from the chuck table 71. And placed on the pair of guide rails 9.

レーザー加工機構７側の基台２の上面は、矩形状に開放されており、Ｙ軸方向に移動可能な枠体１５と、枠体１５の移動に伴って伸縮可能な防塵カバー１６とが設けられている。枠体１５の内側には、チャックテーブル７１と共にＸ軸方向に移動可能な移動板１７と、移動板１７の移動に伴って伸縮可能な防塵カバー１８とが設けられている。このように、レーザー加工機構７側の基台２の上面は、枠体１５、移動板１７、防塵カバー１６、１８により被覆されている。また、移動板１７の中央には、円形の開口部が形成され、この円形の開口部を介してチャックテーブル７１の上部が外部に露出される。 The upper surface of the base 2 on the laser processing mechanism 7 side is opened in a rectangular shape, and a frame body 15 that can move in the Y-axis direction and a dust cover 16 that can expand and contract as the frame body 15 moves are provided. It has been. Inside the frame 15, there are provided a moving plate 17 that can move in the X-axis direction together with the chuck table 71, and a dustproof cover 18 that can expand and contract as the moving plate 17 moves. As described above, the upper surface of the base 2 on the laser processing mechanism 7 side is covered with the frame body 15, the moving plate 17, and the dustproof covers 16 and 18. In addition, a circular opening is formed at the center of the moving plate 17, and the upper portion of the chuck table 71 is exposed to the outside through the circular opening.

図２に示すように、基台２内には、チャックテーブル７１をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させるチャックテーブル移動機構２０が設けられている。チャックテーブル移動機構２０は、支持台２１上においてＹ軸方向に延在し、互いに平行な一対のガイドレール２２と、一対のガイドレール２２にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸テーブル２３とを有している。また、チャックテーブル移動機構２０は、Ｙ軸テーブル２３上においてＸ軸方向に延在し、互いに平行な一対のガイドレール２４と、一対のガイドレール２４にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル２５とを有している。Ｘ軸テーブル２５の上部には、チャックテーブル７１が設けられている。 As shown in FIG. 2, a chuck table moving mechanism 20 that moves the chuck table 71 in the X-axis direction and the Y-axis direction is provided in the base 2. The chuck table moving mechanism 20 includes a pair of guide rails 22 extending in the Y-axis direction on the support base 21 and parallel to each other, and a motor-driven Y-axis table 23 slidably installed on the pair of guide rails 22. have. The chuck table moving mechanism 20 extends on the Y-axis table 23 in the X-axis direction, and is parallel to each other and a pair of guide rails 24 and a motor-driven X-axis that is slidably installed on the pair of guide rails 24. And a table 25. A chuck table 71 is provided above the X-axis table 25.

なお、Ｘ軸テーブル２５およびＹ軸テーブル２３の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ２６、２７が螺合されている。そして、ボールネジ２６、２７の一端部には、それぞれ駆動モータ２８、２９が連結され、これら駆動モータ２８、２９によりボールネジ２６、２７が回転駆動される。 Note that nut portions (not shown) are formed on the back sides of the X-axis table 25 and the Y-axis table 23, and ball screws 26 and 27 are screwed to these nut portions. Drive motors 28 and 29 are connected to one end portions of the ball screws 26 and 27, respectively, and the ball screws 26 and 27 are rotationally driven by the drive motors 28 and 29.

チャックテーブル７１は、Ｘ軸テーブル２５の上面においてＺ軸回りに回転可能なテーブル支持部７１１と、テーブル支持部７１１の上部に設けられ、半導体ウェーハＷを吸着保持するワーク保持部７１２とを有している。ワーク保持部７１２は、半導体ウェーハＷを吸着保持する真空チャック式であり、所定の厚みを有する円盤状に形成されている。ワーク保持部７１２の周囲には、テーブル支持部７１１の四方から径方向外側に延びる一対の支持アームを介して４つのクランプ部７１３が設けられている。この４つのクランプ部７１３は、エアーアクチュエータにより駆動し、半導体ウェーハＷの周囲の環状フレーム１０４を挟持固定する。 The chuck table 71 includes a table support portion 711 that can rotate around the Z axis on the upper surface of the X-axis table 25, and a work support portion 712 that is provided on the upper portion of the table support portion 711 and holds the semiconductor wafer W by suction. ing. The work holding unit 712 is a vacuum chuck type that holds the semiconductor wafer W by suction, and is formed in a disk shape having a predetermined thickness. Around the work holding portion 712, four clamp portions 713 are provided via a pair of support arms extending radially outward from the four sides of the table support portion 711. The four clamp portions 713 are driven by an air actuator to sandwich and fix the annular frame 104 around the semiconductor wafer W.

図１に戻り、レーザー加工機構７は、チャックテーブル７１の後方側において基台２上に立設した支柱部７３と、支柱部７３の上部から前方に延びる支持部７４とを有している。支持部７４内には、パルスレーザー光線を発振する図示しない発振部およびレーザー光学系が設けられている。また、支持部７４の先端には、レーザー光学系からのレーザー光線を集光し、半導体ウェーハＷに照射するレーザー加工ヘッド７２が設けられている。 Returning to FIG. 1, the laser processing mechanism 7 has a support column 73 standing on the base 2 on the rear side of the chuck table 71 and a support unit 74 extending forward from the upper portion of the support column 73. In the support unit 74, an oscillation unit (not shown) that oscillates a pulse laser beam and a laser optical system are provided. Further, a laser processing head 72 that collects a laser beam from the laser optical system and irradiates the semiconductor wafer W is provided at the tip of the support portion 74.

この場合、Ｘ軸テーブル２５の移動によりレーザー加工ヘッド７２のノズルが半導体ウェーハＷのストリート１０１に位置合わせされ、レーザー加工ヘッド７２により半導体ウェーハＷのストリート１０１にレーザー光線が照射される。半導体ウェーハＷにレーザー光線が照射されると、チャックテーブル７１がＹ軸方向に加工送りされ、半導体ウェーハＷのストリート１０１が加工される。 In this case, the nozzle of the laser processing head 72 is aligned with the street 101 of the semiconductor wafer W by the movement of the X-axis table 25, and the laser beam is irradiated onto the street 101 of the semiconductor wafer W by the laser processing head 72. When the semiconductor wafer W is irradiated with a laser beam, the chuck table 71 is processed and fed in the Y-axis direction, and the street 101 of the semiconductor wafer W is processed.

ここで、図３を参照して、保護膜形成機構６について詳細に説明する。図３は、本実施の形態に係るレーザー加工装置が備える保護膜形成機構６の周辺の斜視図である。なお、図３においては、説明の便宜上、屋根部６４の一部を省略している。 Here, the protective film forming mechanism 6 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 3 is a perspective view of the periphery of the protective film forming mechanism 6 provided in the laser processing apparatus according to the present embodiment. In FIG. 3, a part of the roof portion 64 is omitted for convenience of explanation.

図３に示すように、保護膜形成機構６は、開口部６１に連設される矩形状の凹部６６に組み込まれている。この凹部６６の底面は、屋根部６４およびシャッター部６５と共に保護膜形成機構６の筐体を構成する。凹部６６の底面の中央には、成膜用テーブル６２が設けられている。成膜用テーブル６２は、鉛直方向の回転軸、すなわち、Ｚ軸回りに回転可能な回転駆動部としてのテーブル支持部６２１と、テーブル支持部６２１の上部に設けられ、半導体ウェーハＷを吸着保持する保持部としてのワーク保持部６２２とを有している。ワーク保持部６２２は、テーブル支持部６２１に一体的に設けられており、テーブル支持部６２１の回転に伴ってＺ軸回りに回転する。 As shown in FIG. 3, the protective film forming mechanism 6 is incorporated in a rectangular recess 66 provided continuously to the opening 61. The bottom surface of the concave portion 66 constitutes the casing of the protective film forming mechanism 6 together with the roof portion 64 and the shutter portion 65. A film forming table 62 is provided at the center of the bottom surface of the recess 66. The film formation table 62 is provided on a table support unit 621 as a rotation drive unit that can rotate around a vertical rotation axis, that is, around the Z axis, and an upper part of the table support unit 621, and holds the semiconductor wafer W by suction. And a work holding part 622 as a holding part. The work holding part 622 is provided integrally with the table support part 621, and rotates around the Z axis as the table support part 621 rotates.

テーブル支持部６２１の上端部近傍の周面には、等間隔に複数の洗浄液噴出口６２１ａが設けられている。これらの洗浄液噴出口６２１ａは、テーブル支持部６２１に内蔵される自動洗浄機構に接続されたものであり、シャッター６５の内壁に洗浄液を噴出する。洗浄液噴出口６２１ａからの洗浄液の噴出は、例えば、半導体ウェーハＷに対する保護膜の形成動作に並行して行われる。これにより、シャッター６５の内壁に付着した液状樹脂が固着する前に洗い流すことができるものとなっている。 On the peripheral surface near the upper end of the table support portion 621, a plurality of cleaning liquid jets 621a are provided at equal intervals. These cleaning liquid jet outlets 621 a are connected to an automatic cleaning mechanism built in the table support portion 621, and jet cleaning liquid to the inner wall of the shutter 65. The ejection of the cleaning liquid from the cleaning liquid ejection port 621a is performed in parallel with the operation of forming the protective film on the semiconductor wafer W, for example. As a result, the liquid resin adhering to the inner wall of the shutter 65 can be washed away before adhering.

なお、ここでは、テーブル支持部６２１が回転可能に設けられ、その回転に伴ってワーク保持部６２２がＺ軸回りに回転する場合について説明しているが、成膜用テーブル６２の構成についてはこれに限定されるものではない。例えば、テーブル支持部６２１にワーク保持部６２２を回転駆動させる構造とし、ワーク保持部６２２のみを回転させるようにしても良い。 Here, the case where the table support portion 621 is rotatably provided and the work holding portion 622 rotates around the Z axis along with the rotation is described. However, the configuration of the film forming table 62 is described here. It is not limited to. For example, the work holding unit 622 may be driven to rotate by the table support unit 621, and only the work holding unit 622 may be rotated.

成膜用テーブル６２の近傍には、半導体ウェーハＷの上面に液状樹脂を塗布する液状樹脂供給部６７が設けられている。液状樹脂供給部６７は、凹部６６の底面から上方側に向けて延出する支柱部６７１と、この支柱部６７１の上端部近傍から側方側に延出するノズル部６７２とを有し、ノズル部６７２の先端から半導体ウェーハＷの中央に液状樹脂を塗布する。また、支柱部６７１の上側の一部は、回動可能に構成されており、ノズル部６７２は、液状樹脂の塗布前又は塗布後に半導体ウェーハＷの上面から退避可能に構成されている。 In the vicinity of the film forming table 62, a liquid resin supply unit 67 for applying a liquid resin to the upper surface of the semiconductor wafer W is provided. The liquid resin supply unit 67 includes a support column 671 extending upward from the bottom surface of the recess 66, and a nozzle unit 672 extending sideward from the vicinity of the upper end of the support column 671. A liquid resin is applied from the tip of the portion 672 to the center of the semiconductor wafer W. In addition, a part of the upper side of the support column 671 is configured to be rotatable, and the nozzle unit 672 is configured to be retractable from the upper surface of the semiconductor wafer W before or after application of the liquid resin.

成膜用テーブル６２の周囲には、保護膜形成機構６の筐体内の空気を筐体外へ排出する複数の排気口６８が設けられている。これらの排気口６８は、凹部６６の底面に開口しており、基台２の内部に配設される吸引機構に接続され、筐体内の空気を凹部６６の底面から排出するように構成されている。このように凹部６６の底面に排気口６８を設けていることから、保護膜形成過程において、筐体内に飛散等した液状樹脂を筐体の底面から排出することができるので、筐体内で飛散等した液状樹脂が半導体ウェーハＷの上面側に回って再付着するのを防止することができるものとなっている。 Around the film forming table 62, a plurality of exhaust ports 68 are provided for discharging the air in the casing of the protective film forming mechanism 6 to the outside of the casing. These exhaust ports 68 open to the bottom surface of the recess 66, are connected to a suction mechanism disposed inside the base 2, and are configured to discharge air in the housing from the bottom surface of the recess 66. Yes. Since the exhaust port 68 is provided on the bottom surface of the recess 66 as described above, the liquid resin scattered in the housing can be discharged from the bottom surface of the housing in the process of forming the protective film. Thus, the liquid resin can be prevented from re-adhering to the upper surface side of the semiconductor wafer W.

特に、これらの排気口６８を成膜用テーブル６２の周囲に設けていることから、保護膜形成過程で半導体ウェーハＷの側方に飛散した液状樹脂を下方側に導く気流を筐体内に形成することができ、効果的にこれらの液状樹脂を排出することができるものとなっている。仮に、排気口６８を筐体の側面に設ける場合には、筐体内に飛散等した液状樹脂を下方側に導くだけでなく、側方側に導く気流が形成され、これらの液状樹脂が半導体ウェーハＷの上面側に回って再付着する原因となり得る。本実施の形態に係る保護膜形成機構６においては、成膜用テーブル６２の周囲の底面に排気口６８を設けることにより、このような液状樹脂の再付着を防止している。さらに、屋根部６４の上壁にはクリーンエア送入機構１３が配設されていることから、クリーンエア送入機構１３から送り込まれる空気は、上方側から下方側に進む排気経路を流れ、凹部６６の底面の排気口６８から排出される。クリーンエア送入機構１３は、このような排気経路を形成する役割を果たすため、屋根部６４の中央近傍に配置されることが好ましい。なお、図示していないが、排気口６８の周縁部には凹部６６の底面に溜まった洗浄液等の流入を防止するための壁部が設けられている。ここでは、凹部６６の底面の四隅部に排気口６８が配置される場合について説明しているが、排気口６８の配置についてはこれに限定されるものではない。 In particular, since these exhaust ports 68 are provided around the film forming table 62, an air flow is formed in the housing for guiding the liquid resin scattered to the side of the semiconductor wafer W to the lower side in the process of forming the protective film. These liquid resins can be effectively discharged. If the exhaust port 68 is provided on the side surface of the housing, not only the liquid resin scattered in the housing is guided to the lower side but also an air flow is formed that leads to the side. It may cause re-deposition around the upper surface of W. In the protective film forming mechanism 6 according to the present embodiment, the exhaust port 68 is provided on the bottom surface around the film forming table 62 to prevent such reattachment of the liquid resin. Further, since the clean air feeding mechanism 13 is disposed on the upper wall of the roof portion 64, the air fed from the clean air feeding mechanism 13 flows through the exhaust path that proceeds from the upper side to the lower side, and is recessed. The gas is discharged from an exhaust port 68 on the bottom surface of 66. Since the clean air feeding mechanism 13 plays a role of forming such an exhaust path, it is preferably disposed near the center of the roof portion 64. Although not shown, a wall portion is provided at the peripheral edge portion of the exhaust port 68 to prevent inflow of cleaning liquid or the like accumulated on the bottom surface of the recess 66. Although the case where the exhaust ports 68 are arranged at the four corners of the bottom surface of the recess 66 is described here, the arrangement of the exhaust ports 68 is not limited to this.

これらの排気口６８の間には、凹部６６の底面に溜まった洗浄液や液状樹脂を筐体外へ排出する複数の排水口６９が設けられている。これらの排水口６９は、排気口６８と同様に、凹部６６の底面に開口しており、凹部６６の底面に溜まった洗浄液等が流入可能に構成されている。凹部６６の底面に溜まった洗浄液等が排水口６９から筐体外に排出されるので、凹部６６の底面に溜まった洗浄液等に起因する成膜用テーブル６２の回転動作等の不具合を回避できるものとなっている。なお、ここでは、排気口６８と排水口６９とを個別に備えているが、例えば、排気口６８に排水口６９の機能を兼ねさせても良い。また、ここでは、排気口６８の間に排水口６９が配置される場合について説明しているが、排水口６９の配置についてはこれに限定されるものではない。 Between these exhaust ports 68, there are provided a plurality of drain ports 69 for discharging the cleaning liquid or liquid resin collected on the bottom surface of the recess 66 to the outside of the housing. Similar to the exhaust port 68, these drain ports 69 are open on the bottom surface of the recess 66, and are configured to allow the cleaning liquid or the like accumulated on the bottom surface of the recess 66 to flow in. Since the cleaning liquid or the like accumulated on the bottom surface of the recess 66 is discharged from the drainage port 69 to the outside of the housing, problems such as the rotation operation of the film forming table 62 caused by the cleaning liquid or the like accumulated on the bottom surface of the recess 66 can be avoided. It has become. Here, although the exhaust port 68 and the drain port 69 are individually provided, for example, the exhaust port 68 may function as the drain port 69. Although the case where the drain outlet 69 is disposed between the exhaust ports 68 has been described here, the arrangement of the drain outlet 69 is not limited to this.

このように構成された保護膜形成機構６においては、半導体ウェーハＷが搬送される際、シャッター部６５を開いてプッシュプルアーム８１の通過を許容し、ガイドレール１０を介して半導体ウェーハＷを受け取った後、シャッター部６５を閉じて液状樹脂の筐体外への飛散を防止した状態で半導体ウェーハＷの上面に保護膜を形成する。保護膜を形成する際には、洗浄液を噴出して筐体（特に、シャッター６５）の内壁を洗浄すると共に、筐体内の空気（空気内に舞う液状樹脂を含む）を排気口６８から排出する。 In the protective film forming mechanism 6 configured as described above, when the semiconductor wafer W is transported, the shutter 65 is opened to allow the push-pull arm 81 to pass, and the semiconductor wafer W is received via the guide rail 10. After that, a protective film is formed on the upper surface of the semiconductor wafer W in a state where the shutter portion 65 is closed to prevent the liquid resin from scattering outside the housing. When forming the protective film, the cleaning liquid is jetted to clean the inner wall of the casing (in particular, the shutter 65), and the air in the casing (including liquid resin floating in the air) is discharged from the exhaust port 68. .

以下、図４および図５を参照して、保護膜形成機構６における保護膜形成時の動作について説明する。図４および図５は、本実施の形態に係るレーザー加工装置１が備える保護膜形成機構６の保護膜形成時の動作の一例を示す説明図である。なお、図４および図５においては、保護膜形成機構６をレーザー加工装置１の前方側から示している。また、図４および図５においては、説明の便宜上、洗浄機構５に対向して配置されるシャッター部６５の一部を省略している。この省略されたシャッター部６５の一部は、他の部分と同様に上下動する。 Hereinafter, with reference to FIG. 4 and FIG. 5, the operation during the formation of the protective film in the protective film forming mechanism 6 will be described. 4 and 5 are explanatory diagrams illustrating an example of an operation during protective film formation of the protective film forming mechanism 6 included in the laser processing apparatus 1 according to the present embodiment. 4 and 5, the protective film forming mechanism 6 is shown from the front side of the laser processing apparatus 1. 4 and 5, for convenience of explanation, a part of the shutter unit 65 disposed to face the cleaning mechanism 5 is omitted. A part of the omitted shutter part 65 moves up and down like the other parts.

半導体ウェーハＷの上面（被加工面）に保護膜を形成する際、まず、プッシュプルアーム８１により半導体ウェーハＷが保護膜形成機構６に搬入され、一対のガイドレール１０上に載置される。そして、図４（ａ）に示すように、一対のガイドレール１０によって成膜用テーブル６２のワーク保持部６２２に対応する位置に位置決めされる。このとき、シャッター部６５は、プッシュプルアーム８１の通過を許容する開位置に配置されており、プッシュプルアーム８１の通過を阻害することはない。 When a protective film is formed on the upper surface (processed surface) of the semiconductor wafer W, first, the semiconductor wafer W is carried into the protective film forming mechanism 6 by the push-pull arm 81 and placed on the pair of guide rails 10. Then, as shown in FIG. 4A, the pair of guide rails 10 are positioned at positions corresponding to the work holding portions 622 of the film forming table 62. At this time, the shutter portion 65 is disposed at an open position that allows passage of the push-pull arm 81, and does not hinder passage of the push-pull arm 81.

半導体ウェーハＷの位置決めが行われると、図４（ｂ）の矢印Ａに示すように、一対のガイドレール１０が下降し、半導体ウェーハＷがワーク保持部６２２上に載置される。この場合、半導体ウェーハＷは、ワーク保持部６２２により吸着保持される。なお、一対のガイドレール１０の下降動作時においては、成膜用テーブル６２に設けられたクランプ部６３がガイドレール１０の逃げ部１０ａに収容される。その後、一対のガイドレール１０は、図４（ｃ）に示すように、成膜用テーブル６２の載置面を空けるように互いに離間するように移動し、保護膜形成機構６の筐体の外側に退避する。 When the positioning of the semiconductor wafer W is performed, the pair of guide rails 10 are lowered and the semiconductor wafer W is placed on the work holding unit 622 as indicated by an arrow A in FIG. In this case, the semiconductor wafer W is sucked and held by the work holding unit 622. During the downward movement of the pair of guide rails 10, the clamp portion 63 provided on the film forming table 62 is accommodated in the escape portion 10 a of the guide rail 10. Thereafter, as shown in FIG. 4C, the pair of guide rails 10 move away from each other so as to open the mounting surface of the film forming table 62, and the outer side of the casing of the protective film forming mechanism 6. Evacuate to.

一対のガイドレール１０が筐体外に退避すると、シャッター部６５が閉位置まで移動し、保護膜形成機構６内が密閉された状態となる（図５（ａ）参照）。そして、図５（ａ）に示すように、液状樹脂供給部６７のノズル部６７２が半導体ウェーハＷの中央部まで回動された後、液状樹脂が半導体ウェーハＷの上面に塗布される。そして、所定量の液状樹脂を塗布した後、ノズル部６７２は、半導体ウェーハＷ上から退避した位置に回動する。 When the pair of guide rails 10 are retracted out of the housing, the shutter portion 65 moves to the closed position, and the inside of the protective film forming mechanism 6 is sealed (see FIG. 5A). Then, as shown in FIG. 5A, the liquid resin is applied to the upper surface of the semiconductor wafer W after the nozzle portion 672 of the liquid resin supply portion 67 is rotated to the central portion of the semiconductor wafer W. Then, after applying a predetermined amount of liquid resin, the nozzle portion 672 rotates to a position retracted from the semiconductor wafer W.

その後、図５（ｂ）の矢印Ｂに示すように、テーブル支持部６２１が回転駆動され、これに伴ってワーク保持部６２２が回転する。成膜用テーブル６２のクランプ部６３は、ワーク保持部６２２の回転による遠心力で跳ね上げられ、環状フレーム１０４をクランプし、半導体ウェーハＷの移動を規制した状態となっている。このとき、ワーク保持部６２２の回転に伴って、半導体ウェーハＷの上面に塗布された液状樹脂が半導体ウェーハＷの上面全体に広げられる。これにより、半導体ウェーハＷの上面全体に液状樹脂からなる保護膜が形成される。なお、半導体ウェーハＷに保護膜として付着しなかった液状樹脂の液滴は、ワーク保持部６２２の回転による遠心力により半導体ウェーハＷの側方に飛散するが、シャッター部６５が閉位置に配置されていることから筐体外に飛散することはない。これらの液状樹脂の一部は、シャッター部６５の内壁に付着する。 Thereafter, as shown by an arrow B in FIG. 5B, the table support portion 621 is rotationally driven, and the work holding portion 622 is rotated accordingly. The clamp part 63 of the film forming table 62 is flipped up by the centrifugal force generated by the rotation of the work holding part 622, clamps the annular frame 104, and restricts the movement of the semiconductor wafer W. At this time, the liquid resin applied to the upper surface of the semiconductor wafer W is spread over the entire upper surface of the semiconductor wafer W as the work holding unit 622 rotates. Thereby, a protective film made of a liquid resin is formed on the entire upper surface of the semiconductor wafer W. The liquid resin droplets that have not adhered to the semiconductor wafer W as a protective film scatter to the side of the semiconductor wafer W due to the centrifugal force generated by the rotation of the work holding unit 622, but the shutter unit 65 is disposed at the closed position. Therefore, it does not scatter outside the housing. Some of these liquid resins adhere to the inner wall of the shutter portion 65.

このように液状樹脂を半導体ウェーハＷの上面全体に広げる際、図５（ｃ）の矢印Ｃに示すように、排気口６８を介して下向きに筐体内の空気が排気される。これにより、半導体ウェーハＷに保護膜として付着しなかった液状樹脂の一部（筐体内の空気中を舞っている液状樹脂）が筐体外に排出される。また、この排気動作と並行して洗浄液噴出口６２１ａから洗浄液が図５（ｃ）の矢印Ｄに示すように噴出され、シャッター部６５の内壁が洗浄される。これにより、シャッター部６５の内壁に付着した液状樹脂が除去され、筐体内の空気と共に筐体外に排出される。 Thus, when the liquid resin is spread over the entire upper surface of the semiconductor wafer W, the air in the housing is exhausted downward through the exhaust port 68 as shown by an arrow C in FIG. As a result, a part of the liquid resin that does not adhere to the semiconductor wafer W as a protective film (liquid resin that flies in the air in the housing) is discharged out of the housing. In parallel with this exhaust operation, the cleaning liquid is ejected from the cleaning liquid outlet 621a as shown by the arrow D in FIG. 5C, and the inner wall of the shutter portion 65 is cleaned. Thereby, the liquid resin adhering to the inner wall of the shutter portion 65 is removed and discharged together with the air in the casing to the outside of the casing.

テーブル支持部６２１の回転駆動が停止され、一定時間シャッター部６５の内壁が洗浄されると共に筐体内の空気が排気された後、洗浄動作および排気動作が停止される。これらの動作が停止されると、シャッター部６５が開位置まで移動し、プッシュプルアーム８１の通過が許容された状態となる。保護膜が形成された半導体ウェーハＷは、一対のガイドレール１０によってワーク保持部６２２から受け取られた後、プッシュプルアーム８１により保護膜形成機構６から搬出され、洗浄用テーブル５２に搬送される。このようにして保護膜形成機構６における保護膜形成時の動作が終了する。 The rotational driving of the table support portion 621 is stopped, the inner wall of the shutter portion 65 is cleaned for a certain period of time, and the air in the housing is exhausted, and then the cleaning operation and the exhaust operation are stopped. When these operations are stopped, the shutter 65 moves to the open position, and the push-pull arm 81 is allowed to pass. The semiconductor wafer W on which the protective film is formed is received from the work holding unit 622 by the pair of guide rails 10, and is then carried out of the protective film forming mechanism 6 by the push-pull arm 81 and transferred to the cleaning table 52. In this way, the operation for forming the protective film in the protective film forming mechanism 6 is completed.

ここで、本実施の形態に係るレーザー加工装置１による加工動作の一例について説明する。なお、保護膜形成機構６による保護膜形成動作については上述しているため、保護膜形成動作の詳細については省略して説明する。 Here, an example of the processing operation by the laser processing apparatus 1 according to the present embodiment will be described. Since the protective film forming operation by the protective film forming mechanism 6 has been described above, the details of the protective film forming operation will be omitted.

レーザー加工装置１による加工動作は、まず、カセット３に収容された半導体ウェーハＷをプッシュプルアーム８１により引き出すことから開始される。プッシュプルアーム８１の搬送が開始されると、載置板４１が上下動して、高さ方向における半導体ウェーハＷの出し入れ位置が調整される。また、洗浄用テーブル５２の上方においては、一対のガイドレール９が半導体ウェーハＷをガイド可能に相互に接近され、成膜用テーブル６２の上方においては、一対のガイドレール１０が半導体ウェーハＷをガイド可能に相互に接近される。このとき、一対のガイドレール９、１０が、同一の高さ位置に調整されると共に、カセット３に収容された１つの半導体ウェーハＷの高さ位置が、一対のガイドレール９、１０によりガイド可能な位置に調整される。 The processing operation by the laser processing apparatus 1 is started by first pulling out the semiconductor wafer W accommodated in the cassette 3 by the push-pull arm 81. When the transfer of the push-pull arm 81 is started, the mounting plate 41 is moved up and down to adjust the loading / unloading position of the semiconductor wafer W in the height direction. Above the cleaning table 52, the pair of guide rails 9 are close to each other so as to guide the semiconductor wafer W, and above the film forming table 62, the pair of guide rails 10 guide the semiconductor wafer W. Be as close as possible to each other. At this time, the pair of guide rails 9 and 10 are adjusted to the same height position, and the height position of one semiconductor wafer W accommodated in the cassette 3 can be guided by the pair of guide rails 9 and 10. Adjusted to the correct position.

次に、プッシュプルアーム８１がカセット３の出入口に移動され、環状フレーム１０４の後端側が第１の挟持部８８ａに挟持される。第１の挟持部８８ａにより環状フレーム１０４の後端側が挟持された状態で、プッシュプルアーム８１が後方側に移動される。そして、プッシュプルアーム８１が一対のガイドレール９の後端側まで後方側に移動され、第１の挟持部８８ａの環状フレーム１０４に対する挟持状態が解除される。このようにして、カセット３から半導体ウェーハＷが引き出され、一対のガイドレール９上に半導体ウェーハＷが仮置きされる。 Next, the push-pull arm 81 is moved to the entrance / exit of the cassette 3, and the rear end side of the annular frame 104 is clamped by the first clamping unit 88a. The push-pull arm 81 is moved rearward in a state where the rear end side of the annular frame 104 is held by the first holding portion 88a. Then, the push-pull arm 81 is moved rearward to the rear end side of the pair of guide rails 9, and the holding state of the first holding portion 88a with respect to the annular frame 104 is released. In this way, the semiconductor wafer W is pulled out from the cassette 3, and the semiconductor wafer W is temporarily placed on the pair of guide rails 9.

続けて、半導体ウェーハＷを保護膜形成機構６に搬送する場合には、一対のガイドレール９上でプッシュプルアーム８１が半導体ウェーハＷの後端側から前端側に回り込むように移動される。この場合、プッシュプルアーム８１は、ロッド８４の伸縮により、半導体ウェーハＷの上方を通って回り込むように動作される。次に、環状フレーム１０４の前方側にプッシュプルアーム８１の第２の当接部８９ｂが当接され、プッシュプルアーム８１が保護膜形成機構６の出入口まで後方側に移動される。このようにして、一対のガイドレール９上から半導体ウェーハＷが押し出され、一対のガイドレール１０に半導体ウェーハＷが押し込まれる。 When the semiconductor wafer W is subsequently transferred to the protective film forming mechanism 6, the push-pull arm 81 is moved on the pair of guide rails 9 so as to go from the rear end side of the semiconductor wafer W to the front end side. In this case, the push-pull arm 81 is operated so as to go around above the semiconductor wafer W by the expansion and contraction of the rod 84. Next, the second contact portion 89 b of the push-pull arm 81 is brought into contact with the front side of the annular frame 104, and the push-pull arm 81 is moved rearward to the entrance / exit of the protective film forming mechanism 6. In this way, the semiconductor wafer W is pushed out from the pair of guide rails 9, and the semiconductor wafer W is pushed into the pair of guide rails 10.

このとき、保護膜形成機構６のシャッター部６５は、開位置に配置されており、プッシュプルアーム８１の通過が許容されている。そして、半導体ウェーハＷが搬入された後、シャッター部６５が閉位置に移動され、保護膜形成機構６内が密閉された状態で半導体ウェーハＷの上面に液状樹脂からなる保護膜が形成される。保護膜が形成された後、一対のガイドレール１０が成膜用テーブル６２から半導体ウェーハＷを受け取りつつ上動され、一対のガイドレール９と同一の高さ位置に調整される。 At this time, the shutter portion 65 of the protective film forming mechanism 6 is disposed at the open position, and the passage of the push-pull arm 81 is allowed. After the semiconductor wafer W is carried in, the shutter portion 65 is moved to the closed position, and a protective film made of a liquid resin is formed on the upper surface of the semiconductor wafer W in a state where the protective film forming mechanism 6 is sealed. After the protective film is formed, the pair of guide rails 10 are moved up while receiving the semiconductor wafer W from the film forming table 62 and adjusted to the same height position as the pair of guide rails 9.

次に、プッシュプルアーム８１が保護膜形成機構６の出入口に移動され、環状フレーム１０４の前端側が第２の挟持部８８ｂに挟持される。第２の挟持部８８ｂにより環状フレーム１０４の前端側が挟持された状態で、プッシュプルアーム８１が前方側に移動される。そして、プッシュプルアーム８１が一対のガイドレール９の前端側まで前方側に移動され、第２の挟持部８８ｂの環状フレーム１０４に対する挟持状態が解除される。このようにして、一対のガイドレール１０から半導体ウェーハＷが引き出され、一対のガイドレール９上に半導体ウェーハＷが仮置きされる。 Next, the push-pull arm 81 is moved to the entrance / exit of the protective film forming mechanism 6, and the front end side of the annular frame 104 is clamped by the second clamping part 88b. The push-pull arm 81 is moved forward while the front end side of the annular frame 104 is clamped by the second clamping part 88b. Then, the push-pull arm 81 is moved forward to the front end side of the pair of guide rails 9, and the holding state of the second holding portion 88b with respect to the annular frame 104 is released. In this way, the semiconductor wafer W is pulled out from the pair of guide rails 10, and the semiconductor wafer W is temporarily placed on the pair of guide rails 9.

ガイドレール９上に引き出された半導体ウェーハＷは、第１、第２のアッパーアーム１１、１２に搬送されてチャックテーブル７１に載置される。チャックテーブル７１に載置された半導体ウェーハＷは、レーザー加工機構７によりレーザー加工される。この場合、Ｘ軸テーブル２５の移動によりレーザー加工ヘッド７２のノズルが半導体ウェーハＷのストリート１０１に位置合わせされ、レーザー加工ヘッド７２により半導体ウェーハＷのストリート１０１にレーザー光線が照射される。半導体ウェーハＷにレーザー光線が照射されると、チャックテーブル７１がＹ軸方向に加工送りされ、半導体ウェーハＷの１本のストリート１０１が加工される。続いて、チャックテーブル７１がＸ軸方向に数ピッチ分だけ移動され、レーザー加工ヘッド７２のノズルが隣接するストリート１０１に位置合わせされる。そして、チャックテーブル７１がＹ軸方向に加工送りされ、半導体ウェーハＷの１本のストリート１０１が加工される。この動作が繰り返されて半導体ウェーハＷの一方向の全てのストリート１０１が加工される。 The semiconductor wafer W drawn on the guide rail 9 is transferred to the first and second upper arms 11 and 12 and placed on the chuck table 71. The semiconductor wafer W placed on the chuck table 71 is laser processed by the laser processing mechanism 7. In this case, the nozzle of the laser processing head 72 is aligned with the street 101 of the semiconductor wafer W by the movement of the X-axis table 25, and the laser beam is irradiated onto the street 101 of the semiconductor wafer W by the laser processing head 72. When the semiconductor wafer W is irradiated with a laser beam, the chuck table 71 is processed and fed in the Y-axis direction, and one street 101 of the semiconductor wafer W is processed. Subsequently, the chuck table 71 is moved by several pitches in the X-axis direction, and the nozzles of the laser processing head 72 are aligned with the adjacent streets 101. Then, the chuck table 71 is processed and fed in the Y-axis direction, and one street 101 of the semiconductor wafer W is processed. This operation is repeated to process all the streets 101 in one direction of the semiconductor wafer W.

チャックテーブル７１上の半導体ウェーハＷの前後方向の全てのストリート１０１が加工されると、チャックテーブル７１が９０度回転され、半導体ウェーハＷの加工済みのストリート１０１に直交するストリート１０１の加工が開始される。そして、半導体ウェーハＷの全てのストリート１０１が加工されると、第１、第２のアッパーアーム１１、１２によりチャックテーブル７１から加工後の半導体ウェーハＷがピックアップされ、一対のガイドレール９上に載置される。 When all the streets 101 in the front-rear direction of the semiconductor wafer W on the chuck table 71 are processed, the chuck table 71 is rotated 90 degrees, and processing of the street 101 orthogonal to the processed street 101 of the semiconductor wafer W is started. The When all the streets 101 of the semiconductor wafer W are processed, the processed semiconductor wafer W is picked up from the chuck table 71 by the first and second upper arms 11 and 12 and mounted on the pair of guide rails 9. Placed.

続けて、半導体ウェーハＷをカセット３に収容させる場合には、一対のガイドレール９上でプッシュプルアーム８１が半導体ウェーハＷの前端側から後端側に回り込むように移動される。なお、このプッシュプルアーム８１の移動は、半導体ウェーハＷに対するレーザー加工工程の間に行うようにしても良い。次に、環状フレーム１０４の後端側にプッシュプルアーム８１の第１の当接部８９ａが当接され、プッシュプルアーム８１が一対のガイドレール１１のカセット３の出入口まで移動される。このようにして、一対のガイドレール９上から半導体ウェーハＷが押し出され、カセット３に半導体ウェーハＷが押し込まれる。このようにしてレーザー加工装置１による一連の加工動作が終了する。 Subsequently, when the semiconductor wafer W is accommodated in the cassette 3, the push-pull arm 81 is moved on the pair of guide rails 9 so as to go from the front end side to the rear end side of the semiconductor wafer W. The movement of the push-pull arm 81 may be performed during the laser processing step for the semiconductor wafer W. Next, the first contact portion 89 a of the push-pull arm 81 is brought into contact with the rear end side of the annular frame 104, and the push-pull arm 81 is moved to the entrance / exit of the cassette 3 of the pair of guide rails 11. In this manner, the semiconductor wafer W is pushed out from the pair of guide rails 9 and the semiconductor wafer W is pushed into the cassette 3. In this way, a series of processing operations by the laser processing apparatus 1 is completed.

以上説明したように、本実施の形態に係るレーザー加工装置１によれば、保護膜形成機構６の筐体に、半導体ウェーハＷの搬入搬出の際にプッシュプルアーム８１の通過を許容する開位置に配置される一方、保護膜を形成する際に液状樹脂の筐体外への飛散を防止する閉位置に配置されるシャッター部６５を設けたことから、保護膜を形成する際に液状樹脂の筐体外への飛散を確実に防止することができるので、保護膜を形成するために塗布される液状樹脂の飛散等に起因する装置本体の不具合を防止することが可能となる。 As described above, according to the laser processing apparatus 1 according to the present embodiment, the open position that allows the push-pull arm 81 to pass through the housing of the protective film forming mechanism 6 when the semiconductor wafer W is loaded / unloaded. On the other hand, since the shutter portion 65 is provided at a closed position to prevent the liquid resin from scattering outside the casing when the protective film is formed, the liquid resin casing is formed when the protective film is formed. Since scattering outside the body can be reliably prevented, it is possible to prevent problems of the apparatus main body caused by scattering of the liquid resin applied to form the protective film.

また、本実施の形態に係るレーザー加工装置１においては、ワーク保持部６２２で保持した状態の半導体ウェーハＷに液状樹脂を供給し、テーブル支持部６２１でワーク保持部６２２を高速回転させることで半導体ウェーハＷの上面全体に液状樹脂を広げている（スピンコート）。このようにワーク保持部６２２を回転駆動する際、保護膜を構成しなかった液状樹脂の液滴が飛散することになるが、本実施の形態に係るレーザー加工装置１においては、シャッター部６５を閉状態とし、保護膜形成機構６内を密閉状態としていることから、確実に液状樹脂の筐体外への飛散を防止することができるものとなっている。 Further, in the laser processing apparatus 1 according to the present embodiment, a liquid resin is supplied to the semiconductor wafer W held by the workpiece holding unit 622, and the workpiece holding unit 622 is rotated at a high speed by the table support unit 621. A liquid resin is spread over the entire upper surface of the wafer W (spin coating). Thus, when the workpiece holding unit 622 is rotationally driven, liquid resin droplets that did not constitute the protective film are scattered. In the laser processing apparatus 1 according to the present embodiment, the shutter unit 65 is provided with the shutter unit 65. Since the protective film forming mechanism 6 is hermetically closed in the closed state, the liquid resin can be reliably prevented from scattering outside the casing.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

例えば、上記実施の形態においては、上面に液状樹脂が供給された半導体ウェーハＷを高速回転させることで半導体ウェーハＷの上面全体に液状樹脂を広げる、所謂、スピンコートにより保護膜を形成する場合について説明しているが、保護膜の形成方法については、これに限定されるものではなく適宜変更が可能である。保護膜形成機構６内で液状樹脂により保護膜を形成することができれば、いかなる形成方法を適用しても良い。 For example, in the above embodiment, a case where the protective film is formed by so-called spin coating in which the liquid resin is spread over the entire upper surface of the semiconductor wafer W by rotating the semiconductor wafer W supplied with the liquid resin on the upper surface at high speed. Although described, the method for forming the protective film is not limited to this and can be changed as appropriate. Any forming method may be applied as long as the protective film can be formed from the liquid resin in the protective film forming mechanism 6.

また、上記実施の形態においては、保護膜形成機構６の屋根部６４にクリーンエア送入機構１３および検出機構１４を配設する場合について説明しているが、屋根部６４に配設されるデバイスについては、これに限定されるものではなく適宜変更が可能である。保護膜形成機構６内に収容された半導体ウェーハＷとの関係で位置精度が要求される任意のデバイスや、複雑な配線が必要なデバイス等を配設することが可能である。 Moreover, in the said embodiment, although the case where the clean air inflow mechanism 13 and the detection mechanism 14 are arrange | positioned in the roof part 64 of the protective film formation mechanism 6 is demonstrated, the device arrange | positioned in the roof part 64 is demonstrated. Is not limited to this, and can be changed as appropriate. Arbitrary devices that require positional accuracy in relation to the semiconductor wafer W accommodated in the protective film forming mechanism 6, devices that require complicated wiring, and the like can be disposed.

以上説明したように、本発明は、保護膜を形成するために塗布される液状樹脂の飛散等に起因する装置本体の不具合を防止することができるという効果を有し、特に、半導体ウェーハの表面にデブリが付着するのを防ぐために半導体ウェーハの表面に保護膜を形成するレーザー加工装置に有用である。 As described above, the present invention has an effect that it is possible to prevent a malfunction of the apparatus main body due to scattering of a liquid resin applied to form a protective film, and in particular, the surface of a semiconductor wafer. In order to prevent debris from adhering to the surface, it is useful for a laser processing apparatus for forming a protective film on the surface of a semiconductor wafer.

１レーザー加工装置
２基台
３カセット
４搬入搬出機構
５洗浄機構
６保護膜形成機構
６１開口部
６２成膜用テーブル
６２１テーブル支持部（回転駆動部）
６２１ａ洗浄液噴出口
６２２ワーク保持部（保持部）
６４屋根部（筐体の一部）
６５シャッター部（筐体の一部）
６６凹部（筐体の一部）
６７液状樹脂供給部
６８排気口
６９排水口
７レーザー加工機構
７１チャックテーブル（保持テーブル）
７２レーザー加工ヘッド
８プッシュプル機構（搬送機構）
８１プッシュプルアーム
９、１０ガイドレール
１１、１２第１、第２アッパーアーム
１３クリーンエア送入機構
１４検出機構
Ｗ半導体ウェーハ（ワーク） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser processing apparatus 2 Base 3 Cassette 4 Loading / unloading mechanism 5 Cleaning mechanism 6 Protection film formation mechanism 61 Opening part 62 Film-forming table 621 Table support part (rotation drive part)
621a Cleaning liquid outlet 622 Work holding part (holding part)
64 Roof (part of the housing)
65 Shutter (part of the housing)
66 Recess (part of the housing)
67 Liquid resin supply unit 68 Exhaust port 69 Drain port 7 Laser processing mechanism 71 Chuck table (holding table)
72 Laser processing head 8 Push-pull mechanism (conveyance mechanism)
81 Push-pull arm 9, 10 Guide rail 11, 12 First, second upper arm 13 Clean air feeding mechanism 14 Detection mechanism W Semiconductor wafer (workpiece)

Claims

A holding table for holding a workpiece, a protective film forming mechanism for forming a protective film made of a liquid resin on the workpiece surface of the workpiece, and a workpiece surface of the workpiece held by the holding table A laser processing mechanism that performs processing by irradiating a laser beam, and a transport mechanism that carries the workpiece into and out of the protective film forming mechanism,
The protective film forming mechanism is arranged in a rectangular opening to hold the workpiece with the workpiece surface exposed, and rotate the holder holding the workpiece in the vertical direction . A rotation drive unit that rotates as a shaft and spreads the liquid resin supplied to the processing surface over the entire processing surface, and a housing that encloses and seals the holding unit and the workpiece held by the holding unit And the housing of the liquid resin is formed when the protective film is formed, while the casing is disposed at an open position that allows the conveyance mechanism to pass through when the workpiece is loaded and unloaded. Provided with a shutter part that is disposed in a closed position to prevent scattering outside the body and can open and close the side wall surface of the housing ,
The upper wall surface of the casing rises upward from one side of the opening and extends so as to cover the opening, and is always disposed opposite to the workpiece surface of the workpiece held by the holding portion. A laser processing apparatus , wherein the shutter portion is provided on three sides excluding one side of the opening .

The upper wall surface of the housing, according to claim 1, characterized in that arranged a detection unit for detecting the state of the protective film formed on the processed surface of the workpiece held by the holding portion Laser processing equipment.

The upper wall surface of the housing, the laser machining apparatus according to claim 1, characterized in that arranged clean air infeed mechanism feeds clean air to the housing.