JP5473004B2 - 走査荷電粒子ビーム - Google Patents
走査荷電粒子ビーム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5473004B2 JP5473004B2 JP2010538606A JP2010538606A JP5473004B2 JP 5473004 B2 JP5473004 B2 JP 5473004B2 JP 2010538606 A JP2010538606 A JP 2010538606A JP 2010538606 A JP2010538606 A JP 2010538606A JP 5473004 B2 JP5473004 B2 JP 5473004B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- ion beam
- region
- less
- charged particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 203
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 90
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 263
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 123
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 40
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 29
- -1 helium ions Chemical class 0.000 claims description 19
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 415
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 352
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 51
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 30
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 26
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 25
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 3
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000000254 damaging effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0802—Field ionization sources
- H01J2237/0807—Gas field ion sources [GFIS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
- H01J2237/30483—Scanning
- H01J2237/30488—Raster scan
Description
を決定するステップと、前記サンプルの前記領域のM個の部分のそれぞれを、荷電粒子ビームに露光させるステップであって、前記M個の部分のそれぞれは、前記荷電粒子ビームに対して、期間t1の間、連続的に露光され、前記M個の部分のいずれか一つを、前記荷電粒子ビームに対して、連続的に露光させる間の最短期間は、t2であり、期間t1及びt2は、比率t1/(t1+t2)が、
を含む方法である。
以下でありうる。
ヘリウムイオンのような比較的軽いイオンをベースとするイオンビームは、概して、ガリウムイオンビームよりも低いスパッタ率を有する。よって、ヘリウムイオンビームに露光することによるサンプルダメージ量は、同じビーム電流のガリウムイオンビームによって生じるダメージ量よりも少ない。ヘリウムイオンビームへの露光により形成した像における最小解像幅は、5nm未満とすることが可能であり、時には、5nmを大きく下回らせることも可能である。
準備実験(study)において、島状金(gold island)を形成したカーボン基板を含むサンプルをヘリウムイオンビームに露光する。図19Aは、カーボン表面1710上の島状部1700を概略的に示す図である。島状金は、例えば、カーボン表面への金蒸着によって形成することができる。カーボンに蒸着された島状部を含む測定サンプルは、本願に示す測定に適しており、且つ、例えば、Structure Probe社(ペンシルバニア州、ウェストチェスター)から入手することができる。
である。
本節では、イオンビームを生成し、且つ、イオンビームへの露光により観察対象のサンプルから放出された粒子を検出するためのシステム及び方法を開示する。本システム及び方法は、サンプルについて1つ又は複数の画像を得るために用いられうる。典型的には、サンプルを探索するために用いられるガスイオンビームは、多目的顕微鏡システムにおいて生成される。
図12は、Heイオン顕微鏡システム200の概略構成を示す図である。顕微鏡システム200は、Heイオン源及びイオン光学系130を含む第1真空ハウジング202を備え、且つ、サンプル180及び検出器150並びに160を含む第2真空ハウジング204を備える。ガス源110は、供給管228からHeガスを顕微鏡システム200に供給する。フローレギュレータ230は供給管228を経たHeガスの流率を制御し、温度制御器232は、ガス源110内のHeガスの温度を制御する。Heイオン源は、チップマニピュレータ208に添付されたチップ186を含む。イオン光学系130は、第1レンズ216、整列偏向器220及び222、開口224、非点収差補正器218、走査偏向器219並びに222、及び第2レンズ226を含む。開口224は、開口マウント234内に配置される。サンプル180は、第2真空ハウジング203内で、サンプルマニピュレータ140の中又は上に配置される。検出器150及び160も、第2真空ハウジング204内に配置され、サンプル180からの粒子194を検出するように構成されている。典型的には、ガス源110、チップマニピュレータ208、抽出器190、抑制器188、第1レンズ216、整列偏向器220及び222、開口マウント234、非点収差補正器218、走査偏向器219並びに222、サンプルマニピュレータ140、及び/又は、検出器150及び/又は160が、電子制御システム170によって制御される。付加的には、電子制御システム170は、真空ポンプ236並びに237も制御する。これらは、真空ハウジング202並びに204、及びイオン光学系130の内部を減圧状態にするように構成されている。
上述したように、概して、チップ186は、あらゆる導電性材料で形成されうる。ある実施形態においては、チップ186は、単一の結晶金属のような、単一の結晶材料によって形成されうる。典型的には、チップ端187の原子の末端棚における、特定の単一の結晶方向は、チップ186の長軸方向に対して3°以内(例えば、2°以内、1°以内)の方向に整列する。一部の実施形態においては、チップ186の先端187は、特定数の原子(例えば、20原子以下、15原子以下、10原子以下、9原子以下、6原子以下、3原子以下)を有する原子棚に相当する。例えば、チップ186の先端187は、W(III)によって形成され、3つの原子(トリマー)を持つ末端棚を有することができる。図13及び14は、それぞれ、Wで形成されたチップ186の2つの原子棚であって、チップ端に最も近い原子棚を概略的に示す、拡大上面図及び、拡大側面図である。トリマーとして配置された3つのW原子302を含む末端棚は、W(III)表面に相当する。特定の理論に縛られることを望むものではないが、このトリマー表面は(成形、再成形、及び安定性の面で)有利である。これは、W(III)結晶面の表面エネルギーは、好適には、トリマーを形成するように、正三角形に配置された3つのW原子により形成される末端棚を支持している。これらのトリマー原子302は、W原子304の第2棚によって支持される。
検出器150及び160を、図12に概略的に示す。検出器150は、サンプル180(この表面にイオンがあたる)の表面181からの粒子を検出するように配置され、検出器160は、サンプル180の表面183からの粒子を検出するように配置される。概して、顕微鏡システム200において、様々な粒子を検出するために多様な検出器を用いることができる。そして、顕微鏡システム200は、いくつの検出器を備えてもよい。上述の多様な検出器は、測定すべき粒子や測定条件に応じて選択することができる。一部の実施形態においては、スペクトル分解検出器を用いることができる。このような検出器は、異なるエネルギー及び/又は波長の粒子を検出し、そして、検出した各粒子のエネルギー及び/又は波長に応じて、粒子を分類(resolve)することができる。ある実施形態においては、スペクトル分解検出器は、粒子のエネルギー及び/又は波長に応じて、粒子を検出器中の異なる領域に移動させることができる構成素子を含んでいる。
エバーハート−ソンリー(ET)検出器を、二次電子、イオン、及び/又は中性粒子を検出するために用いることができる。図17は、ET検出器600を概略的に示す図である。ET検出器600は、粒子選択器601、変換材料602、サポート604、光子検出器606、及び電圧源607並びに608を備える。
一部の実施形態においては、マイクロチャネルプレート検出器は、サンプルからの二次電子のフラックス、中性原子、又はイオンを増幅させるために用いられる。マイクロチャネルプレートは、典型的には、融合シリカのような材料から形成され、アレー状に配置された、直径の小さい多くのチャネルを含む。各チャネルに入る粒子は、チャネル壁に衝突し、自由電子を生成する。典型的には、粒子(中性原子、イオン、又は、電子)が一回チャネル壁に衝突する度に、複数の自由電子が生成される。これにより、入力粒子信号の増幅に対応するカスケード電気信号がマイクロチャネルプレートから放出される。
一部の実施形態において、変換プレートは、サンプル又は中性粒子(例えば、一次中性He原子)からのイオン(例えば、散乱イオン、二次イオン)の検出に用いられうる。典型的には、変換プレートは、入射イオン又は原子が当たった際の二次電子収率の高い薄箔材料により形成されうる。このような材料の一例としては、プラチナが挙げられる。この二次電子収率は、例えば、検出器150及び/又は160(図8及び12)として構成された適切な電子検出器により検出可能な二次電子の量を増加させることができる。
チャンネルトロン検出器は、サンプルから放出される、電子、イオン及び中性原子のような粒子を検出するために用いられうる。チャンネルトロン検出器は、マイクロチャンネルプレート検出器に関して説明したものと同様の、複数の内部での衝突によって粒子信号を増幅することによって機能する。チャンネルトロン検出器から出力される増幅された粒子信号を、(例えば、電子制御システムを用いて)測定することによって、サンプル180からの、比較的弱い二次電子、イオン、又は中性原子フラックスを測定することが可能である。サンプル180からの二次電子を測定する場合、チャンネルトロン検出器は、図10及び14に示す検出器150及び/又は検出器160の位置と同じ位置に配置される。典型的には、サンプル180からのイオン及び/又は中性粒子の測定のために、チャンネルトロン検出器は、図8及び12に示した検出器150の位置及び/又は検出器160の位置と同じ位置に配置される。
りん光ベースの検出器は、透過性基板の上に体積されたりん光材料の薄層を含み、CCDカメラ、PMT、又は1又は複数のダイオードのような光子検出器を用いて、サンプルからのイオン及び/又は中性粒子を検出することができるものである。りん光性層にあたる粒子は、光子検出器によって検出されたりん光性材料から放出された光子を含む。りん光ベースの検出器は、測定される粒子のタイプに応じて(上記参照)、図8及び12に示した検出器150の位置及び/又は検出器160の位置と同じ位置に配置される。
半導体検出器(SSD)は、サンプルからのイオン及び/又は中性粒子を検出するために用いられうる。半導体検出器は、シリコン又はドープされたシリコン材料によって形成されるセンサによって構成されうる。入射粒子がセンサにあたると、センサ材料内で電子ホールペアが生成され、電子制御システム170により検出されうる電流を供給する。入射粒子によって生成される電子ホールペアの数と、これらにより生成される電流の大きさは、ある程度粒子のエネルギーに依存する。したがって、半導体検出器は、粒子のエネルギー計測に特に有効であり、サンプル180からの高エネルギー粒子(例えば、散乱Heイオン及び中性He原子)を検出するにあたって特に有効である。
りん光ベースの検出器と同様に、シンチレータベースの検出器は、入射粒子(電子、イオン、又は中性原子)の衝突により光子を生成するシンチレータ素材を含む。適当なシンチレータ素材は、例えば、YAG及びYAPである。シンチレータベースの検出器における光子収率は、入射粒子のエネルギーに依存する。よって、シンチレータ検出器は、粒子のエネルギー計測に有効であり、具体的には、サンプル180からの高エネルギー粒子(例えば、散乱Heイオン及び中性He原子)を検出するにあたって特に有効である。
サンプルからのイオン(例えば、散乱Heイオン)のエネルギー検出を実行するために、様々な検出器及び検出スキームを用いることができる。静電プリズム検出器は、電場及び/又は磁場を用いて入射イオンを偏向させ、それらのエネルギーに依存する偏向量を利用して、異なるエネルギーのイオンを空間的に分離することができる。磁気プリズム検出器も、イオンのエネルギーに基づいてイオンを空間的に分離するために利用することができる。上述した検出器(例えば、マイクロチャンネルプレート、チャンネルトン、その他)の何れかを用いて、偏向されたイオンを検出することができる。
サンプルからの電子(例えば、二次電子)のエネルギーを測定するために、様々な検出器及び検出スキームを実施することができる。プリズム検出器は、電場及び/又は磁場を用いて入射イオンを偏向させ、それらのエネルギーに依存する偏向量を利用して、異なるエネルギーのイオンを空間的に分離することができる。上述した検出器の何れかを用いて、偏向されたイオンを検出することができる。
上述した検出器は、二次電子、イオン、中性原子の飛行時間を計測するようにも構成されうる。飛行時間検出を行うために、イオンビーム192をパルスモードで操作する。イオンビーム192は、例えば、1又は複数のビーム偏向器に印加される電気ポテンシャルを迅速に変更させることにより、パルスにすることができる。例えば、これらのポテンシャルを上昇させることで、イオン光学系130における通常の経路とは異ならせて、イオンビーム192を一時的に開口部224から遮ることができる。ポテンシャルを再度上昇させる前の短時間の間、偏向器のポテンシャルを通常の値に戻せば、Heイオンのパルスをサンプル180に供給することができる。
サンプルからの粒子の、相対的な存在量及びエネルギーを測定することに加えて、上述したような検出器を用いて角度依存散乱情報を取得することができる。典型的には、角度依存情報を取得するために、検出器はマウント(例えば、スイベルマウント)に取り付けられる。これにより、検出器をサンプル180についての立体角範囲全体で検出器を動かすことができる。ある立体角に対応する、サンプル180ついての所定方向における、粒子の存在量及び/又はエネルギー計測結果が記録される。検出器は、連続的に異なる立体角に配置され、測定された量の角度依存性を決定するために、繰り返し測定する。一部の実施形態においては、ピンホールのような制限された開口部を、散乱粒子の経路において検出器の手前に配置し、サンプル180からの粒子の計測を行う角度範囲を更に制限する。
イオンとサンプル180との相互作用によって生成された光子を検出するために、PMTのような標準的な光子検出器を用いることができる。サンプル180から発せられる光子フラックスが十分に大きければ、ダイオード、ダイオードアレー及びCCDカメラのような、比較的低感度の光子検出器を用いることができる。
イオンビーム192は、サンプル180の表面181上において比較的小さいスポットサイズを有しうる。例えば、一部の実施形態においては、イオンビーム192のサンプル180の表面181上におけるスポットサイズは、寸法が10nm以下(例えば、9nm以下、8nm以下、7nm以下、6nm以下、5nm以下、4nm以下、3nm以下、2nm以下、1nm以下)でありうる。ある実施形態においては、サンプル180の表面181におけるイオンビーム192のスポットサイズは、0.5nm以上(例えば、0.1nm以上、0.2nm以上、0.25nm以上、0.5nm以上、0.75nm以上、1nm以上、2nm以上、3nm以上)である。一部の実施形態においては、表面181上のイオンビーム192のスポットサイズは、寸法が、0.05nm〜10nm(例えば、0.1nm〜10nm、0.2nm〜10nm、0.25nm〜3nm、0.25nm〜nm、0.1nm〜0.5nm、0.1nm〜0.2nm)である。本明細書において使用したように、スポットサイズは図19A〜19Cを参照して、以下のように決定されうる。金で形成された島状部1700は、寸法が50nm〜2000nmであり、カーボン表面1710上に配置される。島状金は、例えば、カーボン表面への金蒸着により形成される。カーボンに蒸着された島状部を含む測定サンプルは、本願に示す測定に適しており、且つ、例えば、Structure Probe社(ペンシルバニア州、ウェストチェスター)から入手することができる。イオン顕微鏡を、イオンビーム192が島状金の表面と、島状金の片側上のカーボン表面の部分を走査するように操作する(矢印1730)。二次電子の強度をイオンビームの位置の関数として測定する(図19C)。漸近線1740及び1750は、カーボン及び金の平均総存在量に対応して算出(描画)され、漸近線1760及び1770の間の存在量の違いに関連する、垂線1760及び1770は、総存在量がそれぞれ25%及び75%の位置に対応して算出(描画)される。イオン顕微鏡200のスポットサイズは、垂線1760及び1770の間の距離である。
概して、上述した分析方法は、コンピュータハードウェア又はソフトウェアにおいて、或いはそれらの組み合わせにより実行されうる。この方法は、標準的なプログラミングテクニックを用いて、本明細書において開示した方法及び図面を参照することにより、コンピュータプログラムに実装可能である。プログラムコードが、入力データに適用され、本明細書に開示したような機能が実行され、出力情報が生成される。出力情報は、1つ又は複数の表示モニタの様な出力装置に適用される。各プログラムは、コンピュータと通信するためのハイレベル手続型言語又はオブジェクト指向言語において実装されうる。しかし、これらのプログラムは、必要に応じて、アセンブリ又はマシン言語においても実装されうる。どのような場合であっても、言語は、コンパイル又は翻訳された言語である。更には、プログラムは、この目的のための専用集積回路において実行することが可能である。
イオンビームを用いる実施形態について記載してきたが、更に一般的には、あらゆる適切に荷電された粒子ビームを利用することができる。例えば、電子ビームを用いることができる。一部の実施形態においては、電子ビームは走査電子顕微鏡を用いて生成することができる。電子ビームを利用する場合は、本明細書に示した走査プロトコルは、電子ビーに露光することによるサンプルダメージ及び/又は荷電の低減を含む、同様の利点を有する。電子ビーム源及び走査電子顕微鏡システムは、例えば、米国特許第7,186,976号明細書、「走査電子顕微鏡」、米国特許第7,105,814号明細書、「電子顕微鏡システム及び電子顕微鏡方法」、米国特許第7,285,780号明細書、「走査電子顕微鏡のための検出システム及び該検出システムを含む走査電子顕微鏡」、及び、米国特許第6,855,938号明細書、「電子顕微鏡システムの対物レンズ及び電子顕微鏡システム」に開示される。これらの米国特許の開示内容は、参照により本明細書に組み入れられる。他の実施形態は、請求の範囲に記載する。
Claims (30)
- サンプルの領域を包含する最小の正方形の辺長
を決定するステップと、
前記サンプルの前記領域のM個の部分のそれぞれを、荷電粒子ビームに露光させるステップであって、前記M個の部分のそれぞれは、前記荷電粒子ビームに対して、期間t1の間、連続的に露光され、前記M個の部分のいずれか一つを、前記荷電粒子ビームに対して、連続的に露光させる間の最短期間は、t2であり、期間t1及びt2は、
比率t1/(t1+t2)が、
を含む方法。 - 前記比率t1/(t1+t2)は、
- 前記サンプル及び前記荷電粒子ビームは、ガス圧が10-2Torr以下の共通のチャンバ内に配置され、
前記サンプルから放出される複数の粒子は、前記共通のチャンバ内に配置された検出器によって検出される
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 - 前記サンプルは、サンプルマウント上に配置されており、
前記サンプルマウントは、前記荷電粒子ビームの入射方向に直交する平面内において、前記サンプルが移動できるようにし、
前記サンプルマウントは、前記サンプルを別のサンプルに交換できるように構成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記サンプルは、サンプルマウント上に配置されており、
前記サンプルマウントは、前記サンプルと、前記サンプルに入射すべき前記荷電粒子ビームを方向づける荷電粒子レンズシステムのレンズと、の間の距離を調整できるように構成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 更に、前記領域から放出される複数の粒子に基づいて、前記領域の画像を形成するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 更に、電子表示部上において、システム操作者に対して前記サンプルの画像を表示するステップを含む、請求項6に記載の方法。
- 更に、前記領域を前記荷電粒子ビームに露光する前に、前記領域を電子源に露光するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 更に、前記領域を前記荷電粒子ビームに露光している間に、前記領域を電子源に露光させるステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記荷電粒子ビームの荷電粒子電流は、10pA以上であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記荷電粒子電流は、100pA以上であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記領域の前記M個の部分のそれぞれは、100μ秒以下の露光時間の間、前記荷電粒子ビームに対して露光されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記荷電粒子ビームの荷電粒子電流は、1pA以上であり、前記M個の部分のそれぞれは、100μ秒以下の露光時間の間、前記荷電粒子ビームに対して露光され、前記画像は、全取得時間100秒以下で形成される
ことを特徴とする、請求項6に記載の方法。 - 前記荷電粒子ビームは、希ガスイオンを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記希ガスイオンは、ヘリウムイオンを含むことと特徴とする、請求項14に記載の方法。
- 前記荷電粒子ビームは、電子を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法であって、
前記荷電粒子ビームは、前記サンプルの表面において、エネルギーの広がりが5eV以下である
ことを特徴とする方法。 - 前記画像の解像度は、3nm以下であることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記複数の粒子は、二次電子を含むことを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記複数の粒子は、散乱イオン及び散乱中性原子からなる群の要素の少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記複数の粒子は、光子を含むことを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記荷電粒子は、品質係数0.25以上の気体電界イオン顕微鏡によって生成されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記M個の部分のそれぞれは、複数の画素を含むことを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 更に、前記荷電粒子ビームに露光中に、前記サンプルを熱するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記荷電粒子ビームは、前記サンプルの表面における還元輝度が5×108A/m2srV以上であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記最小の正方形の前記辺長を決定するステップは、前記領域の最大の大きさを決定するステップを含む、ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法であって、更に、
直接連続して、前記M個の部分のうちの第1の複数部分を荷電粒子ビームに露光させるステップを含み、
前記第1の複数部分は、第1方向に列を形成し、
前記荷電粒子ビームが前記サンプル表面において平均スポットサイズfを有し、
前記第1の複数部分は、それぞれ隣接部分から、第1方向に少なくとも距離dだけ離れており、
比率d/fは2以上である
ことを特徴とする方法。 - 請求項27に記載の方法であって、更に、
直接連続して、前記M個の部分のうちの第2の複数部分を荷電粒子ビームに露光させるステップを含み、
前記第2の複数部分は、前記第1方向において、前記第1の複数部分により形成される前記列に平行な列を形成し、
前記第2の複数部分のうちの各部分は、それぞれ、前記第1方向に少なくとも距離dだけ、前記第2の複数部分のうちの隣接する部分から離れており、前記第1方向に直交する第2方向に、少なくとも距離eだけ前記第1の複数部分から離れている、
ことを特徴とする方法。 - 前記eは、前記dよりも大きいことを特徴とする、請求項28に記載の方法。
- 前記fは5nm以下であり、前記dは10nm以上、前記eは10nm以上であることを特徴とする、請求項28に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US1422907P | 2007-12-17 | 2007-12-17 | |
US61/014,229 | 2007-12-17 | ||
PCT/EP2008/067419 WO2009077450A2 (en) | 2007-12-17 | 2008-12-12 | Scanning charged particle beams |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011507202A JP2011507202A (ja) | 2011-03-03 |
JP2011507202A5 JP2011507202A5 (ja) | 2011-12-08 |
JP5473004B2 true JP5473004B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=40497572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010538606A Active JP5473004B2 (ja) | 2007-12-17 | 2008-12-12 | 走査荷電粒子ビーム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8304750B2 (ja) |
EP (1) | EP2238606B1 (ja) |
JP (1) | JP5473004B2 (ja) |
AT (1) | ATE521979T1 (ja) |
WO (1) | WO2009077450A2 (ja) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2259664B1 (en) | 2004-07-21 | 2017-10-18 | Mevion Medical Systems, Inc. | A programmable radio frequency waveform generator for a synchrocyclotron |
EP2389983B1 (en) | 2005-11-18 | 2016-05-25 | Mevion Medical Systems, Inc. | Charged particle radiation therapy |
US8003964B2 (en) | 2007-10-11 | 2011-08-23 | Still River Systems Incorporated | Applying a particle beam to a patient |
US8933650B2 (en) | 2007-11-30 | 2015-01-13 | Mevion Medical Systems, Inc. | Matching a resonant frequency of a resonant cavity to a frequency of an input voltage |
US8581523B2 (en) | 2007-11-30 | 2013-11-12 | Mevion Medical Systems, Inc. | Interrupted particle source |
US8907277B2 (en) * | 2008-03-07 | 2014-12-09 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Reducing particle implantation |
JP5586593B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2014-09-10 | カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー | 試料検査方法、システム及び構成要素 |
US8884224B2 (en) * | 2009-04-08 | 2014-11-11 | Hermes Microvision, Inc. | Charged particle beam imaging assembly and imaging method thereof |
US8546717B2 (en) | 2009-09-17 | 2013-10-01 | Sciaky, Inc. | Electron beam layer manufacturing |
WO2011041100A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Carl Zeiss Nts, Llc | Variable energy charged particle systems |
US8461474B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-06-11 | Sciaky, Inc. | Raster methodology, apparatus and system for electron beam layer manufacturing using closed loop control |
DE112011102643B4 (de) * | 2010-08-06 | 2023-05-17 | Hitachi High-Tech Corporation | Gasfeld-Ionenquelle, Ionenstrahl-Vorrichtung und Emitterspitze sowie Verfahren zur Herstellung derselben |
TWI447385B (zh) * | 2011-09-16 | 2014-08-01 | Inotera Memories Inc | 一種使用聚焦離子束系統進行晶片平面成像的方法 |
ES2739634T3 (es) | 2012-09-28 | 2020-02-03 | Mevion Medical Systems Inc | Control de terapia de partículas |
TW201422279A (zh) | 2012-09-28 | 2014-06-16 | Mevion Medical Systems Inc | 聚焦粒子束 |
US9185789B2 (en) | 2012-09-28 | 2015-11-10 | Mevion Medical Systems, Inc. | Magnetic shims to alter magnetic fields |
CN105103662B (zh) | 2012-09-28 | 2018-04-13 | 梅维昂医疗系统股份有限公司 | 磁场再生器 |
EP2900324A1 (en) | 2012-09-28 | 2015-08-05 | Mevion Medical Systems, Inc. | Control system for a particle accelerator |
US9301384B2 (en) | 2012-09-28 | 2016-03-29 | Mevion Medical Systems, Inc. | Adjusting energy of a particle beam |
TW201424467A (zh) | 2012-09-28 | 2014-06-16 | Mevion Medical Systems Inc | 一粒子束之強度控制 |
WO2014052722A2 (en) | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Mevion Medical Systems, Inc. | Focusing a particle beam using magnetic field flutter |
US10254739B2 (en) | 2012-09-28 | 2019-04-09 | Mevion Medical Systems, Inc. | Coil positioning system |
CA2912955C (en) | 2013-05-30 | 2019-12-31 | Goldway Technology Limited | Method of marking material and system therefore, and material marked according to same method |
US8791656B1 (en) | 2013-05-31 | 2014-07-29 | Mevion Medical Systems, Inc. | Active return system |
US9730308B2 (en) | 2013-06-12 | 2017-08-08 | Mevion Medical Systems, Inc. | Particle accelerator that produces charged particles having variable energies |
US9536699B2 (en) | 2013-07-08 | 2017-01-03 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
CN110237447B (zh) | 2013-09-27 | 2021-11-02 | 梅维昂医疗系统股份有限公司 | 粒子治疗系统 |
SG11201602743TA (en) | 2013-10-11 | 2016-05-30 | Chow Tai Fook Jewellery Co Ltd | Method of providing markings to precious stones including gemstones and diamonds, and markings and marked precious stones marked according to such a method |
US10675487B2 (en) | 2013-12-20 | 2020-06-09 | Mevion Medical Systems, Inc. | Energy degrader enabling high-speed energy switching |
US9962560B2 (en) | 2013-12-20 | 2018-05-08 | Mevion Medical Systems, Inc. | Collimator and energy degrader |
US9661736B2 (en) | 2014-02-20 | 2017-05-23 | Mevion Medical Systems, Inc. | Scanning system for a particle therapy system |
US9950194B2 (en) | 2014-09-09 | 2018-04-24 | Mevion Medical Systems, Inc. | Patient positioning system |
US9619728B2 (en) * | 2015-05-31 | 2017-04-11 | Fei Company | Dynamic creation of backup fiducials |
US10786689B2 (en) | 2015-11-10 | 2020-09-29 | Mevion Medical Systems, Inc. | Adaptive aperture |
JP7059245B2 (ja) | 2016-07-08 | 2022-04-25 | メビオン・メディカル・システムズ・インコーポレーテッド | 治療計画の決定 |
US11103730B2 (en) | 2017-02-23 | 2021-08-31 | Mevion Medical Systems, Inc. | Automated treatment in particle therapy |
WO2019006253A1 (en) | 2017-06-30 | 2019-01-03 | Mevion Medical Systems, Inc. | CONFIGURABLE COLLIMATOR CONTROLLED BY LINEAR MOTORS |
EP3934752A1 (en) | 2019-03-08 | 2022-01-12 | Mevion Medical Systems, Inc. | Delivery of radiation by column and generating a treatment plan therefor |
DE102020103339A1 (de) | 2020-02-10 | 2021-08-12 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts, Computerprogrammprodukt und Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens |
US11804361B2 (en) * | 2021-05-18 | 2023-10-31 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing method, charged particle beam writing apparatus, and computer-readable recording medium |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0638329B2 (ja) * | 1986-12-29 | 1994-05-18 | セイコー電子工業株式会社 | 集束イオンビーム走査方法 |
JPH0638329A (ja) | 1992-07-17 | 1994-02-10 | Totoku Electric Co Ltd | 絶縁被膜剥離装置および型巻線の製造方法 |
JP4054445B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法 |
US6614026B1 (en) | 1999-04-15 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | Charged particle beam column |
JP4053723B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | 露光用マスクの製造方法 |
US6593152B2 (en) * | 2000-11-02 | 2003-07-15 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the apparatus |
GB2374723B (en) | 2001-04-20 | 2005-04-20 | Leo Electron Microscopy Ltd | Scanning electron microscope |
JP2003045780A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Nec Corp | マスク描画データの作成方法 |
DE10233002B4 (de) * | 2002-07-19 | 2006-05-04 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Objektivlinse für ein Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopiesystem |
DE10236738B9 (de) | 2002-08-09 | 2010-07-15 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopieverfahren |
DE10331137B4 (de) | 2003-07-09 | 2008-04-30 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Detektorsystem für ein Rasterelektronenmikroskop und Rasterelektronenmikroskop mit einem entsprechenden Detektorsystem |
US7511279B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-03-31 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7557359B2 (en) | 2003-10-16 | 2009-07-07 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7259373B2 (en) | 2005-07-08 | 2007-08-21 | Nexgensemi Holdings Corporation | Apparatus and method for controlled particle beam manufacturing |
JP4748714B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2011-08-17 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 荷電粒子ビーム走査照射方法、荷電粒子ビーム装置、試料観察方法、及び、試料加工方法 |
US8907277B2 (en) * | 2008-03-07 | 2014-12-09 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Reducing particle implantation |
-
2008
- 2008-12-12 JP JP2010538606A patent/JP5473004B2/ja active Active
- 2008-12-12 AT AT08862809T patent/ATE521979T1/de not_active IP Right Cessation
- 2008-12-12 US US12/744,152 patent/US8304750B2/en active Active
- 2008-12-12 EP EP08862809A patent/EP2238606B1/en active Active
- 2008-12-12 WO PCT/EP2008/067419 patent/WO2009077450A2/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2238606B1 (en) | 2011-08-24 |
US8304750B2 (en) | 2012-11-06 |
EP2238606A2 (en) | 2010-10-13 |
WO2009077450A3 (en) | 2009-12-03 |
JP2011507202A (ja) | 2011-03-03 |
WO2009077450A2 (en) | 2009-06-25 |
US20100294930A1 (en) | 2010-11-25 |
ATE521979T1 (de) | 2011-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5473004B2 (ja) | 走査荷電粒子ビーム | |
US7804068B2 (en) | Determining dopant information | |
JP5643262B2 (ja) | イオン源、システム及び方法 | |
US8907277B2 (en) | Reducing particle implantation | |
US8669525B2 (en) | Sample inspection methods, systems and components | |
WO2009079195A1 (en) | Ion beam imaging |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111019 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130917 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140114 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20140115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5473004 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |