JP5466200B2 - 光変調回路 - Google Patents
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Description
図4を参照して、本発明の基本的考え方を説明する。本発明の一実施形態に係る光変調回路は、入力光信号を分岐する光分岐回路401と、光分岐回路に並列に接続された第1の光変調部410及び第2の光変調部420と、各光変調部で変調を受けた光信号を結合する光結合回路402とを備える。第1の光変調部410と第2の光変調部420の応答周期比を1:1/3とし、かつ、光分岐回路401による第1の光変調部410と第2の光変調部420への分岐の電界強度比を1:1/32=9:1とする。そして、光結合回路402による結合の電界強度比を1:1/32=9:1とする。当該応答周期比および電界強度比は三角波のフーリエ展開である次式による。
XカットLN基板上に図8の光変調回路を形成した。第1の光変調部及び第2の光変調部は、それぞれシングル電極型のMZMである。第2の変調電極は、第1の変調電極の約3倍の長さとし、第1の光変調部の応答E1、第2の光変調部の応答E2が以下を満たすように設計した。
実施例1との違いは、変調電極を縦続に接続して一本とした点である(図10参照)。これにより、駆動系を一系統化することができる。当然、第2の変調電極に多値電気信号が先に入力される構成としてもよい。また、第2の変調電極の長さが第1の変調電極の約3倍であれば、分割して配置してもよい。
N=3の例として、図11に示す光変調回路を作製した。第1、第2、第3の光変調部の変調電極長の比を約1:3:5とし、応答が以下を満たすように設計した。
実施例2の光変調回路を2並列とし、図13に示すベクトル変調器(IQ変調器)を構成した。比較のため、従来の2並列MZMを用いたベクトル変調器を図14に示す。
402 光結合回路
410 第1の光変調部
420 第2の光変調部
Claims (4)
- 入力光信号を分岐する光分岐回路と、
前記光分岐回路に並列に接続されたN個(Nは2以上の整数)の光変調部と、
各光変調部で変調を受けた光信号を結合する光結合回路と
を備え、
第1番目の光変調部と第n番目(nは2以上N以下の任意の整数)の光変調部の応答周期比は、1:1/(2n−1)であり、
前記光分岐回路は、第1番目の光変調部と第n番目の光変調部に、前記入力光信号を電界強度比1:1/(2n−1)2で分岐し、
前記光結合回路は、第1番目の光変調部と第n番目の光変調部からの光信号を電界強度比1:1/(2n−1)2で結合することを特徴とする光変調回路。 - 各光変調部がプッシュプル駆動型のマッハツェンダ変調器であることを特徴とする請求項1記載の光変調回路。
- 各マッハツェンダ変調器が変調電極を有し、各変調電極が縦続に接続されていることを特徴とする請求項2記載の光変調回路。
- 請求項1から3のいずれかに記載の光変調回路が並列に2個接続され、
各光変調回路からの光信号に光位相差π/2を付与する光位相差付与部を有することを特徴とするベクトル変調器。
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