JP5459903B2 - アントラセン誘導体、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 - Google Patents

Description

本発明は、アントラセン誘導体に関する。また、当該アントラセン誘導体を用いた発光素子用材料、発光素子及び電子機器に関する。

発光材料を用いた発光素子は、薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有しており、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。また、発光素子をマトリクス状に配置した発光装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると言われている。

発光素子の発光機構は、一対の電極間に発光層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が発光層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。

発光素子の発光波長は、発光素子中に含まれる発光分子の励起状態から基底状態のエネルギー差、すなわちバンドギャップによって決定される。従って、発光分子の構造を工夫することで、種々の発光色を得ることが可能である。そして光の三原色である赤、青、緑の発光が可能な発光素子を用いて発光装置とすることで、フルカラーの発光装置を作製することができる。

優れた色再現性を有するフルカラーの発光装置を作製する為には、信頼性が高く、且つ色純度に優れた赤、青、緑の発光素子が必要である。近年の材料開発の結果、赤色、および緑色の発光素子に関しては、高い信頼性と優れた色純度が達成されている。しかし、青色の発光素子に関しては、十分な効率と色純度を持つ発光素子は実現されていない。例えば、非特許文献１では、比較的高い信頼性の青色発光素子が報告されている。しかしながら、十分な発光効率と色は実現されていない。

Ｊ．シ等，アプライド・フィジックス・レターズ，Ｖｏｌ．８０，Ｎｏ．１７，ｐｐ．３２０１−３２０３、２００２．

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、青色〜緑色の発光を示すアントラセン誘導体を提供することを課題の一とする。また該アントラセン誘導体を用いた、高効率及び長寿命の発光素子を提供することを課題の一とする。また、該発光素子を有する、高品質及び高信頼性の発光装置及び電子機器を提供することを課題の一とする。

本発明の一は、一般式（１）で表されるアントラセン誘導体である。

（式中、Ａｒ^１、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６は、炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^８は、水素または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。また、Ａｒ^１〜Ａｒ^６は、置換基を有していても良く、二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^１〜Ａｒ^６は、一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。）

本発明の一は、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体である。

（式中、Ａｒ^１、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６は、炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。また、Ａｒ^１〜Ａｒ^６は、置換基を有していても良く、二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^１〜Ａｒ^６は、一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。）

本発明の一は、一般式（３）で表されるアントラセン誘導体である。

（式中、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６は、炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^１５は、水素、または炭素数６〜１３のアリール基、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１のハロアルキル基を表す。また、Ａｒ^２〜Ａｒ^６は、置換基を有していても良く、二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^２〜Ａｒ^６は、一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。）

本発明の一は、一般式（４）で表されるアントラセン誘導体である。

（式中、Ａｒ^３は、炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^１５及びＲ^２１〜Ｒ^３０は、水素、または炭素数６〜１３のアリール基、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１のハロアルキル基を表す。また、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４は、置換基を有していても良く、二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４は、一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。）

本発明の一は、一般式（５）で表されるアントラセン誘導体である。

（式中、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^１５及びＲ^２１〜Ｒ^３５は、水素、または炭素数６〜１３のアリール基、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１のハロアルキル基を表す。また、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、置換基を有していても良く、二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。）

本発明の一は、一般式（６）で表されるアントラセン誘導体である。

（式中、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、フェニレン基、又はビフェニル−ジイル基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^１５及びＲ^２１〜Ｒ^３５は、水素、または炭素数６〜１３のアリール基、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１のハロアルキル基を表す。）

また、本発明の一は、構造式（１０１）で表されるアントラセン誘導体である。

また、本発明の一は、構造式（２０１）で表されるアントラセン誘導体である。

また、本発明の一は、構造式（３０１）で表されるアントラセン誘導体である。

また、本発明の一は、構造式（４０１）で表されるアントラセン誘導体である。

また、本発明の一は、上記アントラセン誘導体を用いた発光素子である。具体的には、一対の電極間に上述したアントラセン誘導体を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の一は、一対の電極間に発光層を有し、発光層は上述したアントラセン誘導体を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の一は、光層の発光中心材料として上述したアントラセン誘導体を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の発光装置は、一対の電極間に発光物質を含む層を有し、発光物質を含む層に、上記のアントラセン誘導体を含む発光素子と、発光素子の発光を制御する制御手段とを有することを特徴とする。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置を含む）を含む。また、パネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

また、本発明の発光素子を表示部に用いた電子機器も本発明の範疇に含めるものとする。したがって、本発明の電子機器は、表示部を有し、表示部は、上述した発光素子と発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。

本発明のアントラセン誘導体は、ホール及び電子を共に流すことができるバイポーラ材料である。また本発明のアントラセン誘導体は電気化学的安定性及び熱的安定性が高い。

本発明のアントラセン誘導体は非常に大きなバンドギャップを有し、短波長に発光を示すため、色純度の良い青色〜緑色の発光を得ることができる。

本発明のアントラセン誘導体よりも大きなバンドギャップを有する材料（ホスト）に、本発明のアントラセン誘導体をドーパント材料として分散させて、本発明のアントラセン誘導体から色純度の良い青色〜緑色の発光を得ることができる。

また、本発明のアントラセン誘導体は非常に大きなバンドギャップを有するため、本発明のアントラセン誘導体をホスト材料として用いた発光層を有する発光素子は、比較的短波長、特に青色〜緑色に発光を有するドーパント材料を用いても、本発明のアントラセン誘導体からの発光ではなく、ドーパント材料からの発光が効率よく得られる。

したがって、本発明のアントラセン誘導体を、発光素子に用いることにより、高効率、高信頼性及び長寿命の発光素子を得ることができる。

また、本発明のアントラセン誘導体を用いることにより、高品質及び高信頼性の発光装置および電子機器を得ることができる。

発光素子を説明する図。 発光素子を説明する図。 本発光素子を説明する図。 発光装置を説明する図。 発光装置を説明する図。 電子機器を説明する図。 本電子機器を説明する図。 照明装置を説明する図。 照明装置を説明する図。 ＤＰＢＡＰＢＡの^１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ＤＰＢＡＰＢＡのトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図。 ＤＰＢＡＰＢＡの薄膜の吸収スペクトルを示す図。 ＤＰＢＡＰＢＡのトルエン溶液の発光スペクトルを示す図。 ＤＰＢＡＰＢＡの薄膜の発光スペクトルを示す図。 ＤＰＢＡＰＡの^１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ＤＰＢＡＰＡのトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図。 ＤＰＢＡＰＡの薄膜の吸収スペクトルを示す図。 ＤＰＢＡＰＡのトルエン溶液の発光スペクトルを示す図。 ＤＰＢＡＰＡの薄膜の発光スペクトルを示す図。 ＤＰＢＡＰＡのＣＶ測定結果を示す図。 ＤＰＢＡＰＡのＣＶ測定結果を示す図。 ＤＰＡＰＢＡの^１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ＤＰＡＰＢＡのトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図。 ＤＰＡＰＢＡの薄膜の吸収スペクトルを示す図。 ＤＰＡＰＢＡのトルエン溶液の発光スペクトルを示す図。 ＤＰＡＰＢＡの薄膜の発光スペクトルを示す図。 ＤＰＡＰＢＡのＣＶ測定結果を示す図。 ＤＰＡＰＢＡのＣＶ測定結果を示す図。 ＤＰＡＰＡの^１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ＤＰＡＰＡのトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図。 ＤＰＡＰＡの薄膜の吸収スペクトルを示す図。 ＤＰＡＰＡのトルエン溶液の発光スペクトルを示す図。 ＤＰＡＰＡの薄膜の発光スペクトルを示す図。 ＤＰＡＰＡのＣＶ測定結果を示す図。 ＤＰＡＰＡのＣＶ測定結果を示す図。 発光素子Ａ乃至Ｃの輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子Ａ乃至Ｃの発光スペクトルを示す図。 発光素子Ａ乃至Ｃの電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子Ａ乃至Ｃの電圧−輝度特性を示す図。 発光素子Ａ乃至Ｃの信頼性試験の結果を示す図。 発光素子Ｄ及び発光素子Ｅの輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子Ｄ及び発光素子Ｅの発光スペクトルを示す図。 発光素子Ｄ及び発光素子Ｅの電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子Ｄ及び発光素子Ｅの電圧−輝度特性を示す図。 発光素子Ｄ及び発光素子Ｅの信頼性試験の結果を示す図。 実施例５及び実施例６の発光素子を説明する図。 発光素子を説明する図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明のアントラセン誘導体について説明する。

本実施の形態に係るアントラセン誘導体は、一般式（１）で表されるアントラセン誘導体である。

（式中、Ａｒ^１、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６は、炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^８は、水素または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。また、Ａｒ^１〜Ａｒ^６は、置換基を有していても良く、二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^１〜Ａｒ^６は、一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。）

本実施の形態に係るアントラセン誘導体は、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体である。

（式中、Ａｒ^１、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６は、炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。また、Ａｒ^１〜Ａｒ^６は、置換基を有していても良く、二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^１〜Ａｒ^６は、一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。）

本実施の形態に係るアントラセン誘導体は、一般式（３）で表されるアントラセン誘導体である。

（式中、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６は、炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^１５は、水素、または炭素数６〜１３のアリール基、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１のハロアルキル基を表す。また、Ａｒ^２〜Ａｒ^６は、置換基を有していても良く、二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^２〜Ａｒ^６は、一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。）

本実施の形態に係るアントラセン誘導体は、一般式（４）で表されるアントラセン誘導体である。

（式中、Ａｒ^３は、炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^１５及びＲ^２１〜Ｒ^３０は、水素、または炭素数６〜１３のアリール基、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１のハロアルキル基を表す。また、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４は、置換基を有していても良く、二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４は、一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。）

本実施の形態に係るアントラセン誘導体は、一般式（５）で表されるアントラセン誘導体である。

（式中、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^１５及びＲ^２１〜Ｒ^３５は、水素、または炭素数６〜１３のアリール基、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１のハロアルキル基を表す。また、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、置換基を有していても良く、二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。）

本実施の形態に係るアントラセン誘導体は、一般式（６）で表されるアントラセン誘導体である。

（式中、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、フェニレン基、又はビフェニル−ジイル基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^１５及びＲ^２１〜Ｒ^３５は、水素、または炭素数６〜１３のアリール基、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１のハロアルキル基を表す。）

なお、本明細書中で示すアリール基またはアリーレン基の炭素数は、主骨格の環を形成する炭素数を示しており、それに結合する置換基の炭素数を含むものではない。アリール基またはアリーレン基に結合する置換基としては、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１３のアリール基、または炭素数１のハロアルキル基が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、ナフチル基フルオレニル基、またはトリフルオロメチル基等が挙げられる。また、アリール基またはアリーレン基が有する置換基は１つであっても複数であってもよく、アリール基またはアリーレン基が２つの置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していてもよい。例えば、アリール基がフルオレニル基である場合、フルオレン骨格の９位の炭素が２つのフェニル基を有していてもよく、さらにその２つのフェニル基が互いに結合して、スピロ環構造を形成していてもよい。

一般式（１）〜（６）において、炭素数６〜１３のアリール基またはアリーレン基は、置換基を有していても良く、複数の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、１つの炭素が２つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。例えば、Ａｒ^１、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６で表される基の具体例として構造式（１１−１）〜構造式（１１−２２）で表される置換基が挙げられる。

例えば、Ａｒ^２、Ａｒ^４で表される基の具体例として構造式（１２−１）〜構造式（１２−９）で表される置換基が挙げられる。

例えば、Ｒ^１１〜Ｒ^１３及びＲ^２１〜Ｒ^３５で表される基の具体例として構造式（１３−１）〜構造式（１３−１９）で表される置換基が挙げられる。

また、一般式（１）乃至（６）で表されるアントラセン誘導体において、合成および精製の容易さの点から、Ａｒ^１、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６はフェニル基、Ａｒ^２、Ａｒ^４はフェニレン基であることが好ましい。

一般式（１）乃至（６）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、構造式（１０１）、構造式（２０１）〜構造式（２４２）、構造式（３０１）〜構造式（３９６）、構造式（４０１）〜構造式（４０４）で表されるアントラセン誘導体を挙げることができる。但し、本発明はこれらに限定されない。

本発明のアントラセン誘導体の合成方法としては、種々の反応の適用が可能である。例えば、下記の反応式１及び反応式２に示す合成反応を行うことによって合成することができる。

反応式１に示すように、アントラセン誘導体（化合物１）と、ハロゲン化アリールのボロン酸又は、ハロゲン化アリールの有機ホウ素化合物（化合物２）とを、パラジウム触媒を用いた鈴木・宮浦反応によりカップリングすることにより、ハロゲン化アリールアントラセン誘導体（化合物３）を得ることができる。

反応式１において、Ａｒ^１は炭素６〜１３のアリール基を表す。また、Ａｒ^１は置換基を有していても良く、Ａｒ^１が二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^１の一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。反応式１において、Ａｒ^２は炭素数６〜１３アリーレン基を表す。Ａｒ^２は、置換基を有していても良く、Ａｒ^２が二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^２の一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。反応式１において、Ｒ^１〜Ｒ^８は、水素または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。

反応式１において、Ｘ^１はハロゲン又はトリフラート基を表し、Ｘ^２はハロゲンを表す。Ｘ^１がハロゲンの場合、Ｘ^１とＸ^２は同じであっても異なっていても良い。ハロゲンとしては、ヨウ素と臭素が好ましく、化合物２のホモカップリングを抑制するためには、Ｘ^１がヨウ素、Ｘ^２が臭素の組み合わせがより好ましい。反応式１において、Ｒ^１０１とＲ^１０２は、水素、又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ^１０１とＲ^１０２は、同じであっても異なっていても良く、互いに結合して環を形成していても良い。反応式１において、用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）等が挙げられる。反応式１において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリ（オルトートリル）ホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。反応式１において、用いることができる塩基としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられる。反応式１において、用いることができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙げられる。また、トルエンと水、又はトルエンとエタノールと水の混合溶媒がより好ましい。

次に反応式２に示すように、反応式１で得られたハロゲン化アリールアントラセン誘導体（化合物３）と、アミン骨格を有する化合物（化合物４）とを、パラジウム触媒を用いたハートウィック・ブッフバルト反応、または、銅や銅化合物を用いたウルマン反応によりカップリングすることで、一般式（１）で表される化合物５を得ることができる。

反応式２において、Ａｒ^１、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６は炭素６〜１３のアリール基を表す。また、Ａｒ^１、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６は置換基を有していても良く、Ａｒ^１、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６が二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^１、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６の一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。反応式２において、Ａｒ^２、Ａｒ^４は炭素数６〜１３アリーレン基を表す。Ａｒ^２、Ａｒ^４は、置換基を有していても良く、Ａｒ^２、Ａｒ^４が二つ以上の置換基を有する場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、Ａｒ^２、Ａｒ^４の一つの炭素が二つの置換基を有している場合も置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。反応式２において、Ｒ^１〜Ｒ^８は、水素または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。

反応式２において、ハートウィック・ブッフバルト反応を行う場合、用いることができるパラジウム触媒としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げられる。反応式２において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンや、トリ（ｎ−ヘキシル）ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。反応式２において、用いることができる塩基としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられる。反応式２において、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。

反応式２において、ウルマン反応を行う場合について説明する。反応式２においてＲ^１０３とＲ^１０４は、ハロゲンやアセチル基等を表し、ハロゲンとしては塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。また、Ｒ^１０３がヨウ素であるヨウ化銅（Ｉ）、又はＲ^１０４がアセチル基である酢酸銅（ＩＩ）等が好ましい。また、銅化合物の他に銅を用いることができる。反応式２において、用いることができる塩基としては、炭酸カリウム等の無機塩基が挙げられる。反応式２において、用いることができる溶媒としては、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）ピリミジノン（ＤＭＰＵ）、トルエン、キシレン、ベンゼン等が挙げられる。ウルマン反応では、反応温度が１００℃以上の方がより短時間かつ高収率で目的物が得られるため、沸点の高いＤＭＰＵ、キシレンを用いることが好ましい。また、反応温度は１５０℃以上のより高い温度が更に好ましいため、より好ましくはＤＭＰＵを用いる。

以上のようにして、本実施の形態におけるアントラセン誘導体を合成することができる。

本実施の形態におけるアントラセン誘導体はバンドギャップが非常に大きいことから色純度の良好な青色〜緑色の発光を得ることが可能である。また、本発明のアントラセン誘導体は、ホール輸送性及び電子輸送性を有するバイポーラ材料である。また、本実施の形態におけるアントラセン誘導体は電気化学的安定性及び熱的安定性の高いアントラセン誘導体である。

本実施の形態におけるアントラセン誘導体は、単独で発光中心材料として発光物質を含む層（発光層）に用いることのできる他、本実施の形態におけるアントラセン誘導体よりも大きなバンドギャップを有する材料（ホスト材料）に、本実施の形態におけるアントラセン誘導体をドーパント材料として分散させてなる層を、発光物質を含む層に用いることができ、本実施の形態におけるアントラセン誘導体からの発光を得ることができる。このとき、本実施の形態におけるアントラセン誘導体は非常に大きなバンドギャップを有し、短波長に発光を示すため、色純度の良い青色〜緑色の発光を得ることができる発光素子を作製することが可能である。

また、ホスト材料として用いることもでき、本発明のアントラセン誘導体に発光物質となるドーパント材料を分散させた構成とすることで、発光物質となるドーパント材料からの発光を得ることができる。ホスト材料として用いる場合は、青色〜緑色の発光を色純度良く得ることが可能となる。

本発明のアントラセン誘導体は、キャリア輸送材料として発光素子の機能層に用いることができる。例えば、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、又は電子注入層として用いることができる。本明細書では、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層をキャリアの注入、輸送などに機能する、機能層ともよぶ。

本発明のアントラセン誘導体を、発光素子に用いることにより、高効率、高信頼性及び長寿命の発光素子を得ることができる。

（実施の形態２）
本発明のアントラセン誘導体を用いた発光素子の一態様について図１（Ａ）を用いて以下に説明する。

本発明の発光素子は、一対の電極間に少なくとも発光物質を含む層（発光層ともいう）を有するＥＬ層を挟持して形成される。ＥＬ層は発光物質を含む層の他に複数の層を有してもよい。当該複数の層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を組み合わせて積層されたものである。本明細書では、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層をキャリアの注入、輸送などに機能する、機能層ともよぶ。機能層としては、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層ともいう）、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層ともいう）、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層ともいう）、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層ともいう）などを用いることができる。

図１に示す本実施の形態の発光素子において、基板１０１上に第１の電極１０２及び第２の電極１０７の一対の電極間にＥＬ層１０８が設けられている。ＥＬ層１０８は、第１の層１０３、第２の層１０４、第３の層１０５、及び第４の層１０６を有している。図１における発光素子は、基板１０１上に、第１の電極１０２と、第１の電極１０２の上に順に積層した第１の層１０３、第２の層１０４、第３の層１０５、第４の層１０６と、さらにその上に設けられた第２の電極１０７とから構成されている。なお、本実施の形態では第１の電極１０２は陽極として機能し、第２の電極１０７は陰極として機能するものとして以下説明をする。

基板１０１は発光素子の支持体として用いられる。基板１０１としては、例えばガラス、石英、またはプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる）、無機蒸着フィルムを用いることもできる。なお、発光素子に対して、作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。

第１の電極１０２としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

第１の層１０３は、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても第１の層１０３を形成することができる。

また、第１の層１０３として、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を用いることができる。特に、有機化合物と、有機化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む複合材料は、有機化合物と無機化合物との間で電子の授受が行われ、有機化合物のキャリア密度が増大するため、正孔注入性、正孔輸送性に優れている。

また、第１の層１０３として有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を用いた場合、第１の電極１０２とオーム接触をすることが可能となるため、仕事関数に関わらず第１の電極を形成する材料を選ぶことができる。

複合材料に用いる無機化合物としては、遷移金属の酸化物であることが好ましい。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中で安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。

例えば、複合材料に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。

また、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。

また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。

なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。

第２の層１０４を形成する物質としては、正孔輸送性の高い物質、具体的には、芳香族アミン（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの）の化合物であることが好ましい。広く用いられている材料として、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、その誘導体である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（以下、ＮＰＢと記す）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミンなどのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、第２の層１０４は、単層のものだけでなく、上記物質の混合層、あるいは二層以上積層したものであってもよい。

また、第２の層１０４は、ＰＭＭＡのような電気的に不活性な高分子化合物に、正孔輸送性材料を添加した層であってもよい。

また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いてもよく、さらに上記高分子化合物に上記正孔輸送性材料を適宜添加してもよい。

第３の層１０５は、発光物質を含む層（発光層ともいう）である。本実施の形態では、第３の層１０５は実施の形態１で示した本発明のアントラセン誘導体を用いて形成する。本発明のアントラセン誘導体は、青色〜緑色の発光を示すため、発光物質として発光素子に好適に用いることができる。

また、本発明のアントラセン誘導体よりも大きなバンドギャップを有する材料（ホスト）に、本発明のアントラセン誘導体を分散させてなる発光物質を含む層に用いることができ、本発明のアントラセン誘導体からの発光を得ることができる。すなわち、本発明のアントラセン誘導体はドーパント材料として機能する。このとき、本発明のアントラセン誘導体は非常に大きなバンドギャップを有し、短波長に発光を示すため、色純度の良い青色〜緑色の発光を得ることができる発光素子を作製することが可能である。

本発明のアントラセン誘導体は発光効率が高いため、発光素子に用いることにより、発光効率の高い発光素子を得ることができる。

また、本発明のアントラセン誘導体を用いることにより、長寿命な発光素子を得ることができる。

ここで、本発明のアントラセン誘導体を分散させる物質としては、種々の材料を用いることができ、正孔輸送性の高い物質や電子輸送性の高い物質の他、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）や、２，２’，２”−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール］（略称：ＴＰＢＩ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。また、本発明のアントラセン誘導体を分散させる物質として高分子材料を用いることができる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などや、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）などを用いることができる。

本発明のアントラセン誘導体を用いた発光素子は、高効率かつ色純度の高い青色〜緑色発光が可能であり、さらに長寿命の青色〜緑色発光が可能であるため、フルカラーディスプレイに好適に用いることができる。

また、第３の層１０５に、本発明のアントラセン誘導体はホスト材料として用いることもでき、本発明のアントラセン誘導体に発光物質となるドーパント材料を分散させた構成とすることで、発光物質となるドーパント材料からの発光を得ることができる。

本発明のアントラセン誘導体を他の発光物質を分散させる材料として用いる場合、発光物質に起因した発光色を得ることができる。

ここで、本発明のアントラセン誘導体に分散させる発光物質としては、種々の材料を用いることができる。具体的には、９，１０−ジフェニル−２−［Ｎ−フェニル−Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミノ］アントラセン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ジュロリジン−４−イル−ビニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、ルブレン、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル） トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）などの蛍光を発光する蛍光発光物質を用いることができる。また、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）などの燐光を発光する燐光発光物質を用いることができる。

第４の層１０６は、電子輸送性の高い物質を用いることができる。例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

また、第４の層１０６と第２の電極１０７と間に電子注入を促す機能を有する層（電子注入層）を設けても良い。電子注入を促す機能を有する層としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第２の電極１０７からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。

第２の電極１０７を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の１族または２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第２の電極１０７と第４の層１０６との間に、電子注入を促す機能を有する層を、当該第２の電極と積層して設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有したＩＴＯ等様々な導電性材料を第２の電極１０７として用いることができる。

また、本発明のアントラセン誘導体は、発光素子の機能層としても用いることができる。

また、第１の層１０３、第２の層１０４、第３の層１０５、第４の層１０６の形成方法は、蒸着法、スパッタ法、液滴吐出法（インクジェット法）、スピンコート法、印刷法などの種々の方法を用いることができる。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。

本発明のアントラセン誘導体が溶媒に溶解した溶液状の組成物を用いて、湿式法によって薄膜を形成する場合、本発明のアントラセン誘導体及び溶媒からなる溶液状の組成物を被形成領域に付着させ、溶媒を除去し固化させることによって薄膜として形成する。

湿式法としては、スピンコート法、ロールコート法、スプレー法、キャスト法、ディップ法、液滴吐出（噴出）法（インクジェット法）、ディスペンサ法、各種印刷法（スクリーン（孔版）印刷、オフセット（平版）印刷、凸版印刷やグラビア（凹版）印刷など所望なパターンで形成される方法）などを用いることができる。なお、液状の組成物を用いる方法であれば上記に限定されず、本発明の組成物を用いることができる。

また、上述した組成物において、溶媒としては種々の溶媒を用いることができる。例えば、トルエン、キシレン、メトキシベンゼン（アニソール）、ドデシルベンゼン、あるいはドデシルベンゼンとテトラリンとの混合溶媒のような芳香環（例えばベンゼン環）を有する溶媒に溶解させることができる。また、上述したアントラセン誘導体は、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、クロロホルムなど芳香環を有さない有機溶媒に対しても溶解することが可能である。

また、他の溶媒として、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、エタノール、イソプロパノール、２−メトキシエタノール、或いは２−エトキシエタノールなどのアルコール系溶媒なども挙げられる。

また、本実施の形態で示す組成物は、さらに他の有機材料を含んでもよい。有機材料としては、常温で、固体状態である芳香族化合物、もしくはヘテロ芳香族化合物が挙げられる。有機材料としては、低分子化合物や高分子化合物を用いることができる。また、低分子化合物を用いる場合には、溶媒への溶解性を高める置換基を有している低分子化合物（中分子化合物と呼んでもよい）を用いることが好ましい。

また、成膜した膜の性質を向上させるために、さらに本実施の形態で示す組成物はバインダーを含んでいてもよい。バインダーとしては、電気的に不活性な高分子化合物を用いることが好ましい。具体的には、ポリメチルメタクリレート（略称：ＰＭＭＡ）や、ポリイミドなどを用いることができる。

以上のような構成を有する本発明の発光素子は、第１の電極１０２と第２の電極１０７との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である第３の層１０５において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり第３の層１０５に発光領域が形成されるような構成となっている。

発光は、第１の電極１０２または第２の電極１０７のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０２または第２の電極１０７のいずれか一方または両方は、透光性を有する物質で成る。第１の電極１０２のみが透光性を有する物質からなるものである場合、図１（Ａ）に示すように、発光は第１の電極１０２を通って基板側から取り出される。また、第２の電極１０７のみが透光性を有する物質からなるものである場合、図１（Ｂ）に示すように、発光は第２の電極１０７を通って基板と逆側から取り出される。第１の電極１０２および第２の電極１０７がいずれも透光性を有する物質からなるものである場合、図１（Ｃ）に示すように、発光は第１の電極１０２および第２の電極１０７を通って、基板側及び基板と逆側の両方から取り出される。

なお第１の電極１０２と第２の電極１０７との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光を防ぐように、第１の電極１０２及び第２の電極１０７から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成であれば、上記以外のものでもよい。

つまり、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質、正孔ブロック材料等から成る層を、本発明のアントラセン誘導体により形成される発光層と自由に組み合わせて構成すればよい。

図２に示す発光素子は、基板３０１上に、第１の電極３０２及び第２の電極３０７の一対の電極間に、ＥＬ層３０８が設けられている。ＥＬ層３０８は、電子輸送性の高い物質からなる第１の層３０３、発光物質を含む第２の層３０４、正孔輸送性の高い物質からなる第３の層３０５、正孔注入性の高い物質からなる第４の層３０６を含んでいる。陰極として機能する第１の電極３０２、電子輸送性の高い物質からなる第１の層３０３、発光物質を含む第２の層３０４、正孔輸送性の高い物質からなる第３の層３０５、正孔注入性の高い物質からなる第４の層３０６、陽極として機能する第２の電極３０７とが順に積層された構成となっている。

以下、具体的な発光素子の形成方法を示す。

本発明の発光素子は一対の電極間にＥＬ層が挟持される構造となっている。ＥＬ層は少なくとも本発明のアントラセン誘導体を用いて形成された発光物質を含む層（発光層ともいう）を含む。また、ＥＬ層には、発光物質を含む層の他に機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層など）を含んでもよい。電極（第１の電極及び第２の電極）、発光物質を含む層、及び機能層は液滴吐出法（インクジェット法）、スピンコート法、印刷法などの湿式法を用いて形成してもよく、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法などの乾式法を用いて形成してもよい。湿式法を用いれば、大気圧下で形成することができるため、簡易な装置及び工程で形成することができ、工程が簡略化し、生産性が向上するという効果がある。一方乾式法は、材料を溶解させる必要がないために溶液に難溶の材料も用いることができ、材料の選択の幅が広い。

発光素子を構成する薄膜のすべての形成を湿式法で行ってもよい。この場合、湿式法で必要な設備のみで発光素子を作製することができる。また、発光物質を含む層を形成するまでの積層を湿式法で行い、発光物質を含む層上に積層する機能層や第２の電極などを乾式法により形成してもよい。さらに、発光物質を含む層を形成する前の第１の電極や機能層を乾式法により形成し、発光物質を含む層、及び発光物質を含む層上に積層する機能層や第２の電極を湿式法によって形成してもよい。もちろん、本発明はこれに限定されず、用いる材料や必要とされる膜厚、界面状態によって適宜湿式法と乾式法を選択し、組み合わせて発光素子を作製することができる。

本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、ＴＦＴと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、ＴＦＴによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、ＴＦＴの構造は、特に限定されない。スタガ型のＴＦＴでもよいし逆スタガ型のＴＦＴでもよい。また、ＴＦＴに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、ＴＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴからなるものでもよいし、若しくはＮ型またはＰ型のいずれか一方からのみなるものであってもよい。

本発明のアントラセン誘導体は、ホール及び電子を共に流すことができるバイポーラ材料である。また本発明のアントラセン誘導体は電気化学的安定性及び熱的安定性の高い。

本発明のアントラセン誘導体は非常に大きなバンドギャップを有し、短波長に発光を示すため、色純度の良い青色〜緑色の発光を得ることができる。

また、本発明のアントラセン誘導体は非常に大きなバンドギャップを有するため、本発明のアントラセン誘導体をホスト材料として用いた発光層を有する発光素子は、比較的短波長、特に青色に発光を有するドーパント材料を用いても、本発明のアントラセン誘導体からの発光ではなく、ドーパント材料からの発光が効率よく得られる。

本発明のアントラセン誘導体を、発光素子に用いることにより、高効率、高信頼性及び長寿命の発光素子を得ることができる。

また、本発明のアントラセン誘導体を用いることにより、高品質及び高信頼性の発光装置および電子機器を得ることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態２で示した構成と異なる構成の発光素子について図４７（Ａ）（Ｂ）を用いて説明する。

電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。図４７（Ａ）に、電子輸送層である第４の層１０６と発光層である第３の層１０５（発光層１０５とも記す）との間に電子キャリアの移動を制御する層１３０を設ける構成を示す。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層、もしくは電子輸送性の高い材料に最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー値の低いホール輸送性を有する材料を添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、第３の層１０５を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。

また、他の構成として、発光層１０５を２層以上の複数層で構成してもよい。図４７（Ｂ）に、発光層１０５を第１の発光層１０５ａ、第２の発光層１０５ｂと２層の複数層でもって構成する例を示す。

例えば、第１の発光層１０５ａと第２の発光層１０５ｂを正孔輸送層である第２の層１０４側から順に積層して発光層１０５とする場合、第１の発光層１０５ａのホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第２の発光層１０５ｂとして電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。

本発明のアントラセン誘導体は、単独で発光層として用いることのできる他、ドーパント材料として用いることもでき、さらにホスト材料として用いることもできる。

本発明のアントラセン誘導体をドーパント材料として用いる場合、本発明のアントラセン誘導体よりも大きなバンドギャップを有する材料（ホスト）よりなる層中に本発明のアントラセン誘導体を添加した構成とすることで、本発明のアントラセン誘導体からの発光を得ることができる。

一方、本発明のアントラセン誘導体をホスト材料として用いる場合、本発明のアントラセン誘導体に発光物質となるドーパント材料を分散させた構成とすることで、発光物質となるドーパント材料からの発光を得ることができる。

また本発明のアントラセン誘導体は正孔輸送性と、電子輸送性とのバイポーラ性を有するので、第１の発光層１０５ａ及び第２の発光層１０５ｂとして用いることができる。第１の発光層１０５ａ、第２の発光層１０５ｂには、単独で発光層として用いてもよいし、ホスト材料、ドーパント材料として用いてもよい。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態４）
本実施の形態は、本発明に係る複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子（以下、積層型素子という）の態様について、図３を参照して説明する。この発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。

図３において、第１の電極５０１と第２の電極５０２との間には、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２が積層されている。第１の電極５０１と第２の電極５０２は実施の形態２と同様なものを適用することができる。また、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２は同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態２と同様なものを適用することができる。

電荷発生層５１３には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。この有機化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態２または実施の形態３で示した複合材料であり、有機化合物と酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。

なお、電荷発生層５１３は、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。

いずれにしても、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２に挟まれる電荷発生層５１３は、第１の電極５０１と第２の電極５０２に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。

本実施の形態では、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、３つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低くい発光装置を実現することができる。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明のアントラセン誘導体を用いて作製された発光装置について説明する。

本実施の形態では、本発明のアントラセン誘導体を用いて作製された発光装置について図４を用いて説明する。なお、図４（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）をＡ−ＢおよびＣ−Ｄで切断した断面図である。点線で示された６０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、６０２は画素部、６０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。

なお、引き回し配線６０８はソース側駆動回路６０１及びゲート側駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図４（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。

なお、ソース側駆動回路６０１はｎチャネル型ＴＦＴ６２３とｐチャネル型ＴＦＴ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。

また、画素部６０２はスイッチング用ＴＦＴ６１１と、電流制御用ＴＦＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。

また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。

第１の電極６１３上には、発光物質を含む層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極６１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、または珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。

また、発光物質を含む層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法などの液滴吐出法、印刷法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。発光物質を含む層６１６は、実施の形態１で示した本発明のアントラセン誘導体を含んでいる。また、発光物質を含む層６１６を構成する他の材料としては、低分子材料、オリゴマー、デンドリマー、または高分子材料であっても良い。

さらに、発光物質を含む層６１６上に形成され、陰極として機能する第２の電極６１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化合物、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＬｉＦ、ＣａＦ_２等）を用いることが好ましい。なお、発光物質を含む層６１６で生じた光が第２の電極６１７を透過させる場合には、第２の電極６１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。

さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填される場合もある。

なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、本発明のアントラセン誘導体を用いて作製された発光装置を得ることができる。

本発明のアントラセン誘導体は、バンドギャップが広く、ホール及び電子を共に流すことができるバイポーラ材料である。したがって、本発明のアントラセン誘導体を、発光素子に用いることにより、キャリアバランスのよい高信頼性の発光素子を得ることができる。

また、本発明のアントラセン誘導体を用いることにより、高信頼性の発光装置および電子機器を得ることができる。

以上のように、本実施の形態では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、この他、パッシブマトリクス型の発光装置であってもよい。図５には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置の斜視図を示す。図５において、基板９５１上には、電極９５２と電極９５６との間には発光物質を含む層９５５が設けられている。電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。パッシブマトリクス型の発光装置においても、本発明の発光素子を含むことによって、高信頼性の発光装置を得ることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態５に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器について説明する。本発明の電子機器は、実施の形態１に示したアントラセン誘導体を含み、高信頼性の表示部を有する。

本発明のアントラセン誘導体を用いて作製された発光素子を有する電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図６に示す。

図６（Ａ）は本発明に係るテレビ装置であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部９１０３、スピーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。このテレビ装置において、表示部９１０３は、実施の形態２又は実施の形態３で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、信頼性が高いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９１０３も同様の特徴を有するため、このテレビ装置は画質の劣化が少なく、高信頼性化が図られている。このような特徴により、テレビ装置において、劣化補償機能や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、筐体９１０１や支持台９１０２の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るテレビ装置は、高画質及び小型軽量化が図られているので、それにより住環境に適合した製品を提供することができる。

図６（Ｂ）は本発明に係るコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２０６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部９２０３は、実施の形態２、３で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、信頼性が高いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９２０３も同様の特徴を有するため、このコンピュータは画質の劣化が少なく、高信頼性化が図られている。このような特徴により、コンピュータにおいて、劣化補償機能や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体９２０１や筐体９２０２の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るコンピュータは、高画質及び小型軽量化が図られているので、環境に適合した製品を提供することができる。

図６（Ｃ）は本発明に係る携帯電話であり、本体９４０１、筐体９４０２、表示部９４０３、音声入力部９４０４、音声出力部９４０５、操作キー９４０６、外部接続ポート９４０７、アンテナ９４０８等を含む。この携帯電話において、表示部９４０３は、実施の形態２、３で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、信頼性が高いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９４０３も同様の特徴を有するため、この携帯電話は画質の劣化が少なく、高信頼性化が図られている。このような特徴により、携帯電話において、劣化補償機能や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体９４０１や筐体９４０２の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係る携帯電話は、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。

図６（Ｄ）は本発明の係るカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０３、外部接続ポート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９５０７、音声入力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。このカメラにおいて、表示部９５０２は、実施の形態２、３で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、信頼性が高いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９５０２も同様の特徴を有するため、このカメラは画質の劣化が少なく、高信頼性化が図られている。このような特徴により、カメラにおいて、劣化補償機能や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体９５０１の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るカメラは、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。

図６（Ｅ）は本発明の係る表示機能を有する可撓性の電子機器であり、本体９６６０、画像を表示する表示部９６６１、ドライバＩＣ９６６２、受信装置９６６３、フィルムバッテリー９６６４などを含んでいる。ドライバＩＣや受信装置などは半導体部品を用い実装しても良い。図６（Ｅ）の電子機器は本体９６６０を構成する材料をプラスチックやフィルムなど可撓性を有する材料で形成する。この電子機器において、表示部９６６１は、実施の形態２、３で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、信頼性が高いという特徴を有している。従ってその発光素子で構成される表示部９６６１も同様の特徴を有するため、この表示機能を有する可撓性の電子機器は画質の劣化が少なく、高信頼性化が図られている。このような特徴により、表示機能を有する可撓性の電子機器において、劣化補償機能や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体９６６０の小型軽量化を図ることが可能である。

また、本発明に係る表示機能を有する可撓性の電子機器は、高画質及び小型軽量化が図られていることから筒状に丸めることも可能であり、持ち運びに非常に有利な電子機器である。本発明の電子機器により大画面の表示媒体を自由に持ち運びすることができる。

以上の様に、本発明の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明のアントラセン誘導体を用いることにより、高信頼性の表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。

また、本発明の発光装置は、照明装置として用いることもできる。本発明の発光素子を照明装置として用いる一態様を、図７を用いて説明する。

図７は、本発明の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図７に示した液晶表示装置は、筐体９０１、液晶層９０２、バックライト９０３、筐体９０４を有し、液晶層９０２は、ドライバＩＣ９０５と接続されている。また、バックライト９０３は、本発明の発光装置が用いられおり、端子９０６により、電流が供給されている。

本発明の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、高信頼性のバックライトが得られる。また、本発明の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、本発明の発光装置は薄型であるため、表示装置の薄型化も可能となる。

図８は、本発明を適用した発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図８（Ａ）に示す電気スタンドは、筐体２００１と、光源２００２を有し、光源２００２として、本発明を適用した発光装置が用いられている。図８（Ｂ）に示す電気スタンドは、筐体２０１１と、光源２０１２を有し、光源２０１２として、本発明を適用した発光装置が用いられている。本発明を適用した発光装置は、信頼性が高いため、電気スタンドも高信頼性である。

図９は、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用いた例である。本発明の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明の発光装置は、薄型であるため、薄型化の照明装置として用いることが可能となる。このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用いた部屋に、図６（Ａ）で説明したような、本発明に係るテレビ装置３００２を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。

本実施例では、構造式（１０１）で表される本発明のアントラセン誘導体であるＮ−［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−ベンジジン（略称：ＤＰＢＡＰＢＡ）の合成方法を具体的に説明する。

［ステップ１］９−フェニルアントラセンの合成
９−フェニルアントラセンの合成スキームを（ａ−１）に示す。

２００ｍＬ３口フラスコに、９−ブロモアントラセン６．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸３．０ｇ（２５ｍｍｏｌ）、トリ（オルト−トリル）ホスフィン０．７６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）６０ｍＬ、２．０Ｍ炭酸カリウム水溶液２５ｍＬを加えた。この混合物を減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１１ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、８０℃で３時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物に水を加え、水層をトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と有機層とを合わせ、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）、アルミナを通して吸引濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をトルエン／メタノールで再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量５．８ｇ、収率９２％で得た。

［ステップ２］９−ヨード−１０−フェニルアントラセンの合成
９−ヨード−１０−フェニルアントラセンの合成スキームを（ａ−２）に示す。

４．５ｇ（１８ｍｍｏｌ）の９−フェニルアントラセンを５００ｍＬエーレンマイヤーフラスコへ入れた。フラスコへ２００ｍＬの酢酸を加えて、７０℃に加熱して９−フェニルアントラセンを溶かした。この溶液へ、５．２ｇ（１３ｍｍｏｌ）の１，３−ジヨード−５，５−ジメチルイミダゾリジン−２，４−ジオン（ＤＩＨ）を加えた。この溶液を７０℃、空気下で３時間攪拌した。攪拌後、この溶液へ約１００ｍＬの水と約２００ｍＬのクロロホルムを加えた。この混合物を、水で２回洗浄し、水層をクロロホルムで抽出した。抽出溶液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然ろ過し、得られたろ液を濃縮したところ、褐色固体を得た。この固体をヘキサンで洗浄したところ、目的物の黄色固体を５．８ｇ、収率８６％で得た。

［ステップ３］９−（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−１０−フェニルアントラセンの合成
９−（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−１０−フェニルアントラセンの合成スキームを（ａ−３）に示す。

２．８ｇ（７．２ｍｍｏｌ）の９−ヨード−１０−フェニルアントラセンと、１．５ｇ（７．２ｍｍｏｌ）の４’−ブロモビフェニル−４−ボロン酸を１００ｍＬ三口フラスコへ入れフラスコ内を窒素置換した。この混合物へ４０ｍＬのトルエンと、１０ｍＬの炭酸ナトリウム水溶液（２．０ｍｏｌ／Ｌ）を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気した後、１２０ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を加えた。この混合物を９０℃で４時間撹拌した。攪拌後、この混合物へ約５０ｍＬのトルエンを加えてから、アルミナ、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）を通して吸引ろ過した。得られた、ろ液を濃縮して得た固体を、高速液体クロマトグラフィー（移動層：クロロホルム）により精製し、淡黄色固体を得た。得られた固体をクロロホルム／ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の淡黄色粉末状固体を１．４ｇ、収率４０％で得た。

［ステップ４］トリフェニルアミン−４−ボロン酸の合成
トリフェニルアミン−４−ボロン酸の合成スキームを（ａ−５）に示す。

５００ｍＬ三口フラスコへ１０ｇ（３１ｍｍｏｌ）の４−ブロモトリフェニルアミンを入れ、フラスコ内を窒素置換した。ここへ、１５０ｍＬのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を加えてから、この溶液を−８０℃に冷却した。この溶液へ２０ｍＬ（３２ｍｍｏｌ）のｎーブチルリチウム（１．５８ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液）をシリンジにより滴下した。滴下終了後、溶液を同温度で１時間攪拌した。この溶液へ３．８ｍＬ（３４ｍｍｏｌ）のホウ酸トリメチルを加えたのち、溶液の温度を室温に戻しながら約１５時間攪拌した。撹拌後、この溶液に約１５０ｍＬの希塩酸（１．０ｍｏｌ／Ｌ）を加えて、１時間攪拌した。攪拌後、この混合物の水層を酢酸エチルで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、この混合物をろ過し、ろ液を濃縮したところ、淡褐色の油状物を得た。この油状物に約２０ｍＬのクロロホルムを加えてから、更に約５０ｍＬのヘキサンを加えて１時間放置したところ、白色固体が析出した。この固体を吸引ろ過により回収したところ、白色固体を５．２ｇ、収率５８％で得た。

［ステップ５］Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニルベンジジンの合成
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニルベンジジンの合成スキームを（ａ−６）に示す。

４．３ｇ（１７ｍｍｏｌ）の４−ブロモジフェニルアミンと、５ｇ（１７ｍｍｏｌ）のトリフェニルアミン−４−ボロン酸と、５３２ｍｇ（１．８ｍｍｏｌ）のトリ（ｏ−トリル）ホスフィンを５００ｍＬ三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ６０ｍＬのトルエンと、４０ｍＬのエタノールと、１４ｍＬの炭酸カリウム水溶液（０．２ｍｏｌ／Ｌ）を加えた。この混合物を、減圧脱気し、脱気後、７５ｍｇ（０．３５ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を加えた。この混合物を、１００℃で１０．５時間還流した。還流後、この混合物の水層をトルエンで抽出した。抽出溶液と有機層とを合わせて飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥し、この混合物をろ過し、ろ液を濃縮したところ、淡褐色の油状物を得た。この油状物を約５０ｍＬのトルエンに溶かしてから、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、アルミナ、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）を通して吸引ろ過した。ろ液を濃縮して得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒はヘキサン：トルエン＝４：６）により精製し、得られた白色固体をクロロホルム／ヘキサンにより再結晶したところ、白色固体を３．５ｇ、収率４９％で得た。

［ステップ６］Ｎ−［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−ベンジジン（略称：ＤＰＢＡＰＢＡ）の合成
ＤＰＢＡＰＢＡの合成スキームを（ａ−７）に示す。

１．１ｇ（２．２ｍｍｏｌ）の９−（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−１０−フェニルアントラセンと、０．９３ｇ（２．２ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニルベンジジン（ＤＰＢＡ）と、１．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）のナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシドを５０ｍＬの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、１５ｍＬのトルエンと、０．１０ｍＬのトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）を加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、５８ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を加えた。この混合物を、９０℃で３時間攪拌した。攪拌後、この混合物へ約２０ｍＬのトルエンを加えた。この混合物を吸引ろ過して固体を除去し、得られたろ液を、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、アルミナ、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）を通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、トルエン／ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の淡黄色固体を０．９２ｇ、収率５０％で得た。

得られた０．９２ｇの淡黄色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、減圧下、アルゴンガスを流量３．０ｍＬ／ｍｉｎでながしながら、３４０℃で淡黄色固体を加熱した。昇華精製後、淡黄色固体を０．５０ｇ、回収率５４％で得た。

核磁気共鳴測定（ＮＭＲ）によって、この化合物が、Ｎ−［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−ベンジジン（略称：ＤＰＢＡＰＢＡ）であることを確認した。

得られた化合物の^１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．１５（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、５Ｈ），７．３２−７．３８（ｍ，８Ｈ），７．４８−７．６５（ｍ、１５Ｈ）、７．６７−７．７２（ｍ、８Ｈ）、７．７７−７．８０（ｍ、４Ｈ）、７．８２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ、４Ｈ）。

また、^１Ｈ ＮＭＲチャートを図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示す。なお、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜８．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

また、ＤＰＢＡＰＢＡのトルエン溶液の吸収スペクトルを図１１に示す。また、ＤＰＢＡＰＢＡの薄膜の吸収スペクトルを図１２に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、溶液のスペクトルは石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを、薄膜のスペクトルは石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図１１および図１２に示した。図１１および図１２において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、３５６，３７３、３９３ｎｍ付近に吸収が見られ、薄膜の場合では３４４、３６３、３７７、４０９ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＤＰＢＡＰＢＡのトルエン溶液（励起波長３７０ｎｍ）の発光スペクトルを図１３に示す。また、ＤＰＢＡＰＢＡの薄膜（励起波長４００ｎｍ）の発光スペクトルを図１４に示す。図１３および図１４において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４３８ｎｍ（励起波長３７０ｎｍ）、薄膜の場合で４５９ｎｍ（励起波長４００ｎｍ）であった。

また、薄膜状態のＤＰＢＡＰＢＡを大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、ＨＯＭＯ準位は−５．４４ｅＶであった。さらに、図１２のＤＰＢＡＰＢＡの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したＴａｕｃプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは２．９１ｅＶであった。ＨＯＭＯ準位の値と、エネルギーギャップから、ＬＵＭＯ準位を見積もったところ−２．５３ｅＶであった。

本実施例では、構造式（２０１）で表される本発明のアントラセン誘導体であるＮ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニルベンジジン
（略称：ＤＰＢＡＰＡ）の合成方法を具体的に説明する。

［ステップ１］９−（４−ブロモフェニル）−１０−フェニルアントラセンの合成
９−（４−ブロモフェニル）−１０−フェニルアントラセンの合成スキームを（ａ−４）に示す。

１．０ｇ（２．６３ｍｍｏｌ）の９−ヨード−１０−フェニルアントラセンと、５４２ｍｇ（２．７０ｍｍｏｌ）のｐ−ブロモフェニルボロン酸を、５０ｍＬ三口フラスコへ入れた。フラスコ内を窒素置換してから、フラスコへ１０ｍＬのトルエンと、３ｍＬの炭酸カリウム水溶液（２．０Ｍ）を入れた。この混合物を減圧脱気してから、４６ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を加えた。この混合物を窒素気流下、８０℃で９時間撹拌した。攪拌後、この混合物へ約２０ｍＬのトルエンを加えてから、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、アルミナを通して吸引ろ過をした。得られたろ液を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮したところ固体を得た。この固体をクロロホルム／ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の淡褐色固体を０．５６ｇ、収率４５％で得た。

［ステップ２］Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニルベンジジン（略称：ＤＰＢＡＰＡ）の合成
ＤＰＢＡＰＡの合成スキームを（ａ−８）に示す。

１．０ｇ（２．４ｍｍｏｌ）の９−（４−ブロモフェニル）−１０−フェニルアントラセンと、１．０ｇ（２．４ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニルベンジジン（ＤＰＢＡ）と、１．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）のナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシドを５０ｍＬの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、１５ｍＬのトルエンと、０．１０ｍＬのトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）を加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、５８ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を加えた。この混合物を、９０℃で７．５時間攪拌した。攪拌後、この混合物へ約２０ｍＬのトルエンを加えてから、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、アルミナ、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）を通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 トルエン：ヘキサン＝４：６）により精製したところ、黄色固体を得た。この黄色固体を、トルエン／ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の淡黄色粉末状固体を１．６ｇ、収率８６％で得た。

得られた１．０ｇの黄色固体、をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力４．７Ｐａ、アルゴンガスを流量１０ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３００℃で淡黄色固体を加熱した。昇華精製後、黄色プリズム結晶を０．９８ｇ、回収率９５％で得た。

核磁気共鳴測定（ＮＭＲ）によって、この化合物が、Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニルベンジジン（略称：ＤＰＢＡＰＡ）であることを確認した。得られた化合物の^１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。^１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６，３００ＭＨｚ）：δ＝７．０３−７．１６（ｍ、９Ｈ）、７．２４−７．４７（ｍ、２０Ｈ）、７．５８−７．６７（ｍ、９Ｈ）、７．７６（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、２Ｈ）。また、^１Ｈ ＮＭＲチャートを図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）に示す。なお、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）における６．７５ｐｐｍ〜８．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

また、ＤＰＢＡＰＡのトルエン溶液の吸収スペクトルを図１６に示す。また、ＤＰＢＡＰＡの薄膜の吸収スペクトルを図１７に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、溶液のスペクトルは石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを、薄膜のスペクトルは石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図１６および図１７に示した。図１６および図１７において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、３０７、３５３、３９２ｎｍ付近に吸収が見られ、薄膜の場合では、３１８、３５８、３７８、４０２ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＤＰＢＡＰＡのトルエン溶液（励起波長３７０ｎｍ）の発光スペクトルを図１８に示す。また、ＤＰＢＡＰＡの薄膜（励起波長３９８ｎｍ）の発光スペクトルを図１９に示す。図１８および図１９において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４５８ｎｍ（励起波長３７０ｎｍ）、薄膜の場合で４６８ｎｍ（励起波長３９８ｎｍ）であった。

また、薄膜状態のＤＰＢＡＰＡを大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、ＨＯＭＯ準位は−５．４４ｅＶであった。さらに、図１７のＤＰＢＡＰＡの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したＴａｕｃプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは２．８５ｅＶであった。ＨＯＭＯ準位の値と、エネルギーギャップから、ＬＵＭＯ準位を見積もったところ−２．５９ｅＶであった。

また、ＤＰＢＡＰＡの酸化還元反応特性を測定した。酸化還元反応特性は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａ）を用いた。

ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（（株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５−６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ_４ＮＣｌＯ_４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を１ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ^＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ５非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。なお、測定は室温で行った。

ＤＰＢＡＰＡの酸化反応特性については次のようにして調べた。基準電極に対する作用電極の電位を０．２７Ｖから０．７０Ｖまで変化させた後、０．７０Ｖから０．２７Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。

ＤＰＢＡＰＡの還元反応特性については次のようにして調べた。基準電極に対する作用電極の電位を−１．２３Ｖから−２．４９Ｖまで変化させた後、−２．４９Ｖから−１．２３Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。

図２０にＤＰＢＡＰＡの酸化側のＣＶ測定結果を、図２１に還元側のＣＶ測定結果を示す。図２０及び図２１において、横軸は基準電極に対する作用電極の電位（Ｖ）を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値（μＡ）を表す。図２０から、＋０．４３Ｖ付近（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋電極）に酸化を示す電流が観測された。図２１から、−２．２４Ｖ付近（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋電極）に還元を示す電流が観測された。

１００サイクルもの走査を繰り返しているにもかかわらず、酸化反応及び還元反応において、ＣＶ曲線のピーク位置やピーク強度にほとんど変化が見られない。このことから、本発明のアントラセン誘導体は酸化還元反応の繰り返しに対して極めて安定であることが分かった。

本実施例では、構造式（３０１）で表される本発明のアントラセン誘導体であるＮ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：ＤＰＡＰＡ）の合成方法を具体的に説明する。

ＤＰＡＰＡの合成スキームを（ａ−９）に示す。

１．０ｇ（２．４ｍｍｏｌ）の９−（４−ブロモフェニル）−１０−フェニルアントラセンと、８２４ｍｇ（２．４ｍｍｏｌ）のＮ、Ｎ’、Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（ＤＰＡ）と、１．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）のナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシドを１００ｍＬ三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、２５ｍＬのトルエンと、０．１ｍＬのトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）を加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、１４ｍｇ（０．０２４ｍｍｏｌ）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を加えた。この混合物を、８０℃で５時間攪拌した。攪拌後、この混合物をフロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、アルミナを通して吸引濾過し、得られたろ液を濃縮して油状物を得た。得られた油状物をクロロホルム／ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の黄色粉末状固体を１．３ｇ、収率８０％で得た。

核磁気共鳴測定（ＮＭＲ）によって、この化合物が、Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（ＤＰＡＰＡ）であることを確認した。

得られた化合物の^１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。^１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６，３００ＭＨｚ）：δ＝７．０５−７．１３（ｍ、８Ｈ）、７．１８−７．２６（ｍ、７Ｈ）、７．２９−７．４７（ｍ、１４Ｈ）、７．５６−７．６９（ｍ、５Ｈ）、７．７３−７．７６（ｍ、２Ｈ）。また、^１Ｈ ＮＭＲチャートを図２９（Ａ）、図２９（Ｂ）に示す。なお、図２９（Ｂ）は、図２９（Ａ）における６．７５ｐｐｍ〜８．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

また、ＤＰＡＰＡのトルエン溶液の吸収スペクトルを図３０に示す。また、ＤＰＡＰＡの薄膜の吸収スペクトルを図３１に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、溶液のスペクトルは石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを、薄膜のスペクトルは石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図３０および図３１に示した。図３０および図３１において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、３１４、３７３、３９５ｎｍ付近に吸収が見られ、薄膜の場合では３１４、３７６、４０２ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＤＰＡＰＡのトルエン溶液（励起波長３７０ｎｍ）の発光スペクトルを図３２に示す。また、ＤＰＡＰＡの薄膜（励起波長４０２ｎｍ）の発光スペクトルを図３３に示す。図３２および図３３において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合で４９６ｎｍ（励起波長３７０ｎｍ）、薄膜の場合で５０２ｎｍ（励起波長４０２ｎｍ）であった。

また、薄膜状態のＤＰＡＰＡを大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、ＨＯＭＯ準位は−５．３１ｅＶであった。さらに、図３１のＤＰＡＰＡの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したＴａｕｃプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは２．８３ｅＶであった。ＨＯＭＯ準位の値と、エネルギーギャップから、ＬＵＭＯ準位を見積もったところ−２．４８ｅＶであった。

また、ＤＰＡＰＡの酸化還元反応特性を測定した。酸化還元反応特性は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａ）を用いた。

ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（（株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５−６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ_４ＮＣｌＯ_４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を１ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ^＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ５非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。なお、測定は室温で行った。

ＤＰＡＰＡの酸化反応特性については次のようにして調べた。基準電極に対する作用電極の電位を−０．４６Ｖから０．５０Ｖまで変化させた後、０．５０Ｖから−０．４６Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。

ＤＰＡＰＡの還元反応特性については次のようにして調べた。基準電極に対する作用電極の電位を−０．４３Ｖから−２．５０Ｖまで変化させた後、−２．５０Ｖから−０．４３Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。

図３４にＤＰＡＰＡの酸化側のＣＶ測定結果を、図３５に還元側のＣＶ測定結果を示す。図３４及び図３５において、横軸は基準電極に対する作用電極の電位（Ｖ）を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値（μＡ）を表す。図３４から、＋０．２５Ｖ付近（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋電極）に酸化を示す電流が観測された。図３５から、−２．３０Ｖ付近（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋電極）に還元を示す電流が観測された。

１００サイクルもの走査を繰り返しているにもかかわらず、酸化反応及び還元反応において、ＣＶ曲線のピーク位置やピーク強度にほとんど変化が見られない。このことから、本発明のアントラセン誘導体は酸化還元反応の繰り返しに対して極めて安定であることが分かった。

本実施例では、構造式（４０１）で表される本発明のアントラセン誘導体であるＮ−［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：ＤＰＡＰＢＡ）の合成方法を具体的に説明する。

ＤＰＡＰＢＡの合成スキームを（ａ−１０）に示す。

０．４９ｇ（１．０ｍｍｏｌ）の９−（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−１０−フェニルアントラセンと、０．３２ｇ（３．１ｍｍｏｌ）のナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシドを５０ｍＬの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、１５ｍＬのトルエンと、０．１０ｍＬのトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）を加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、８０℃で攪拌し、この混合物へ、０．３４ｇ（１．０ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミンン（ＤＰＡ）と、５８ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を加えた。この混合物を、８０℃で２．５時間攪拌した。攪拌後、この混合物を約１００ｍＬのトルエンが入った５００ｍＬビーカーへ加え、この懸濁液を加熱攪拌して、析出物を溶かした。攪拌後、得られた溶液をフロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）を通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮したところ、黄色固体を得た。この固体をトルエンにより再結晶したところ、目的物の黄色固体を０．５２ｇ、収率７０％で得た。

得られた黄色固体０．５１ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、減圧下で、アルゴンガスを流量３ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３３０℃で黄色固体を加熱した。昇華精製後、黄色粉末状固体を０．４８ｇ、回収率９４％で得た。

核磁気共鳴測定（ＮＭＲ）によって、この化合物が、Ｎ−［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：ＤＰＡＰＢＡ）であることを確認した。

得られた化合物の^１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。^１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６，３００ＭＨｚ）：δ＝７．００−７．０９（ｍ、１１Ｈ）、７．１４−７．１６（ｍ、４Ｈ）、７．２７−７．４０（ｍ、１０Ｈ）、７．４５（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、２Ｈ）、７．５１（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、２Ｈ）、７．６０−７．６９（ｍ、７Ｈ）、７．７６（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、２Ｈ）、７．９０（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）。また、^１Ｈ ＮＭＲチャートを図２２（Ａ）、図２２（Ｂ）に示す。なお、図２２（Ｂ）は、図２２（Ａ）における６．７５ｐｐｍ〜８．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

また、ＤＰＡＰＢＡのトルエン溶液の吸収スペクトルを図２３に示す。また、ＤＰＡＰＢＡの薄膜の吸収スペクトルを図２４に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、溶液のスペクトルは石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを、薄膜のスペクトルは石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図２３および図２４に示した。図２３および図２４において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、３２７、３５３、３７３、３９６ｎｍ付近に吸収が見られ、薄膜の場合では３３９、３５９、３８０、４０１ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＤＰＡＰＢＡのトルエン溶液（励起波長３７０ｎｍ）の発光スペクトルを図２５に示す。また、ＤＰＡＰＢＡの薄膜（励起波長３９９ｎｍ）の発光スペクトルを図２６に示す。図２５および図２６において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４５８ｎｍ（励起波長３７０ｎｍ）、薄膜の場合で５２６ｎｍ（励起波長３９９ｎｍ）であった。

また、薄膜状態のＤＰＡＰＢＡを大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、ＨＯＭＯ準位は−５．３１ｅＶであった。さらに、図２４のＤＰＡＰＢＡの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したＴａｕｃプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは２．９０ｅＶであった。ＨＯＭＯ準位の値と、エネルギーギャップから、ＬＵＭＯ準位を見積もったところ−２．４１ｅＶであった。

また、ＤＰＡＰＢＡの酸化還元反応特性を測定した。酸化還元反応特性は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａ）を用いた。

ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（（株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５−６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ_４ＮＣｌＯ_４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を１ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ^＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ５非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。なお、測定は室温で行った。

ＤＰＡＰＢＡの酸化反応特性については次のようにして調べた。基準電極に対する作用電極の電位を０．１０Ｖから０．８０Ｖまで変化させた後、０．８０Ｖから０．１０Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。

ＤＰＡＰＢＡの還元反応特性については次のようにして調べた。基準電極に対する作用電極の電位を−１．０４Ｖから−２．５０Ｖまで変化させた後、−２．５０Ｖから−１．０４Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。

図２７にＤＰＡＰＢＡの酸化側のＣＶ測定結果を、図２８に還元側のＣＶ測定結果を示す。図２７及び図２８において、横軸は基準電極に対する作用電極の電位（Ｖ）を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値（μＡ）を表す。図２７から、＋０．２４Ｖ付近（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋電極）に酸化を示す電流が観測された。図２８から、−２．２５Ｖ付近（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋電極）に還元を示す電流が観測された。

１００サイクルもの走査を繰り返しているにもかかわらず、酸化反応及び還元反応において、ＣＶ曲線のピーク位置やピーク強度にほとんど変化が見られない。このことから、本発明のアントラセン誘導体は酸化還元反応の繰り返しに対して極めて安定であることが分かった。

本実施例では、本発明の発光素子において、単層構造の発光層を有する発光素子について示す。

本実施例の発光素子の構造を図４６（Ａ）に示す。本実施例の発光素子は、基板２１０１上に、第１の電極２１０２、第１の層２１０３、第２の層２１０４、第３の層２１０５、第４の層２１０６、第５の層２１０７、第２の電極２１０８が積層された構造を有する。本実施例では、本発明のアントラセン誘導体を用いて単層の発光層である第３の層２１０５を形成する。

本実施例で作製した発光素子Ａ乃至Ｃの素子構成を表１に示す。表１では、混合比は全て重量比で表している。

以下に、本実施例の発光素子Ａ乃至Ｃの作製方法を示す。

発光素子Ａ乃至Ｃにおいて、まず、ガラス基板を用いた基板２１０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極２１０２を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、第１の電極２１０２が形成された面が下方となるように、第１の電極２１０２が形成された基板２１０１を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極２１０２上に、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することにより、第１の層２１０３として有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層を形成した。その膜厚は５０ｎｍとし、ＮＰＢと酸化モリブデン（ＶＩ）との比率は、重量比で４：１（＝ＮＰＢ：酸化モリブデン）となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。

次に、ＮＰＢを１０ｎｍ蒸着することにより、第２の層２１０４をホール輸送層として形成した。

発光素子Ａにおいては、第２の層２１０４上に、ＣｚＰＡと実施例１にて合成したＤＰＢＡＰＢＡとを、ＣｚＰＡ：ＤＰＢＡＰＢＡ＝１：０．１（重量比）となるように共蒸着することにより、第３の層２１０５を発光層として形成した。膜厚は３０ｎｍとした。

発光素子Ｂにおいては、第２の層２１０４上に、ＣｚＰＡと実施例２にて合成したＤＰＢＡＰＡとを、ＣｚＰＡ：ＤＰＢＡＰＡ＝１：０．１（重量比）となるように共蒸着することにより、第３の層２１０５を発光層として形成した。膜厚は３０ｎｍとした。

発光素子Ｃにおいては、第２の層２１０４上に、ＣｚＰＡと実施例３にて合成したＤＰＡＰＡとを、ＣｚＰＡ：ＤＰＡＰＡ＝１：０．０５（重量比）となるように共蒸着することにより、第３の層２１０５を発光層として形成した。膜厚は３０ｎｍとした。

発光素子Ａ及び発光素子Ｂにおいては、第３の層２１０５上に、Ａｌｑ膜を膜厚１０ｎｍ、次いでＢｐｈｅｎ膜を２０ｎｍ蒸着して積層することにより、第４の層２１０６を電子輸送層として形成した。

発光素子Ｃにおいては第３の層２１０５上に、Ａｌｑ膜を膜厚３０ｎｍ蒸着しすることにより、第４の層２１０６を電子輸送層として形成した。

発光素子Ａ乃至Ｃにおいて、さらに第４の層２１０６上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍで蒸着することにより第５の層２１０７を電子注入層として形成した。最後に、陰極として機能する第２の電極２１０８としてアルミニウムを２００ｎｍ成膜し、本実施例の発光素子Ａ乃至Ｃを得た。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。また、ＮＰＢ、ＣｚＰＡ、Ａｌｑ、及びＢｐｈｅｎ構造式を下記に示す。

以上により得られた発光素子Ａ乃至Ｃを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子Ａ乃至Ｃが大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子Ａ乃至Ｃの動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子Ａ乃至Ｃの輝度−電流効率特性を図３６に、電流密度−輝度特性を図３８に、電圧−輝度特性を図３９に示す。また、１ｍＡの電流を流したときの発光スペクトルを図３７に示す。

図３７から、発光素子Ａからは、４５０ｎｍにピークを有するＤＰＢＡＰＢＡからの良好な青色発光が得られたことがわかった。発光素子Ａは、輝度８６０ｃｄ／ｍ^２のとき、ＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．１７、ｙ＝０．１９）であり、良好な青色発光を示した。また、輝度８６０ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は３．３ｃｄ／Ａであり、外部量子効率は２．２％、電圧は４．４Ｖ、電流密度は２６．３ｍＡ／ｃｍ^２であり、パワー効率は２．３ｌｍ／Ｗであった。

図３７から、発光素子Ｂからは、４６４ｎｍにピークを有するＤＰＢＡＰＡからの良好な青色発光が得られたことがわかった。発光素子Ｂは、輝度９９０ｃｄ／ｍ^２のとき、ＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．１６、ｙ＝０．２１）であり、青色発光を示した。また、輝度９９０ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は５．９ｃｄ／Ａであり、外部量子効率は３．８％、電圧は４．０Ｖ、電流密度は１６．８ｍＡ／ｃｍ^２であり、パワー効率は４．６ｌｍ／Ｗであった。

図３７から、発光素子Ｃからは、４７２ｎｍにピークを有するＤＰＡＰＡからの良好な青色発光が得られたことがわかった。発光素子Ｃは、輝度８５０ｃｄ／ｍ^２のとき、ＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．１９、ｙ＝０．３８）であり、青緑色発光を示した。また、輝度８５０ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は４．５ｃｄ／Ａであり、外部量子効率は２．０％、電圧は４．２Ｖ、電流密度は１８．８ｍＡ／ｃｍ^２であり、パワー効率は３．４ｌｍ／Ｗであった。

また、作製した発光素子Ａ乃至Ｃの信頼性試験を行った。信頼性試験とは以下のようにして行った。初期状態において、１０００ｃｄ／ｍ^２の輝度で発光させたときに発光素子Ａ乃至Ｃに流れている電流と同じ値の電流を流し続け、或る時間が経過する毎に輝度を測定した。発光素子Ａ乃至Ｃの信頼性試験によって得られた結果を図４０に示す。図４０は輝度の経時変化を示している。なお、図４０において横軸は通電時間（ｈｏｕｒ）、縦軸はそれぞれの時間における初期輝度に対する輝度の割合、すなわち規格化輝度（％）を表す。

以上のように、本実施例により高効率及び高信頼性の発光素子Ａ乃至Ｃが得られた。

本実施例により、本発明の発光素子が、発光素子として特性が得られ、十分機能することが確認できた。また信頼性試験の結果から、発光素子を連続点灯させた場合であっても、膜の欠陥等に由来する短絡が生じることがなく、信頼性の高い発光素子が得られたことがわかった。

本実施例では、本発明の発光素子において、積層構造の発光層を有する発光素子について示す。

本実施例の発光素子の構造を図４６（Ｂ）に示す。本実施例の発光素子は、基板２２０１上に、第１の電極２２０２、第１の層２２０３、第２の層２２０４、第３の層２２０５（２２０５ａ、２２０５ｂ）、第４の層２２０６、第５の層２２０７、第２の電極２２０８が積層された構造を有する。本実施例では、本発明のアントラセン誘導体を用いて積層の発光層である第３の層２２０５（２２０５ａ、２２０５ｂ）を形成する。

本実施例で作製した発光素子Ｄ及び発光素子Ｅの素子構成を表２に示す。表２では、混合比は全て重量比で表している。

以下に、本実施例の発光素子Ｄ及び発光素子Ｅの作製方法を示す。

発光素子Ｄ及び発光素子Ｅにおいて、まず、ガラス基板を用いた基板２２０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極２２０２を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、第１の電極２２０２が形成された面が下方となるように、第１の電極２２０２が形成された基板２２０１を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極２２０２上に、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することにより、第１の層２２０３として有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層を形成した。その膜厚は５０ｎｍとし、ＮＰＢと酸化モリブデン（ＶＩ）との比率は、重量比で４：１（＝ＮＰＢ：酸化モリブデン）となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。

次に、ＮＰＢを１０ｎｍ蒸着することにより、第２の層２２０４をホール輸送層として形成した。

発光素子Ｄにおいては、まず第２の層２２０４上に、実施例１にて合成したＤＰＢＡＰＢＡを蒸着して、ＤＰＢＡＰＢＡ膜を膜厚３０ｎｍ形成した。次にＤＰＢＡＰＢＡ膜上にＣｚＰＡとＤＰＢＡＰＢＡとを、ＣｚＰＡ：ＤＰＢＡＰＢＡ＝１：０．１（重量比）となるように共蒸着して、ＣｚＰＡとＤＰＢＡＰＢＡの共蒸着膜を膜厚３０ｎｍ積層することにより、第３の層２２０５を発光層として形成した。

発光素子Ｅにおいては、まず第２の層２２０４上に、実施例１にて合成したＤＰＢＡＰＡを蒸着して、ＤＰＢＡＰＡ膜を膜厚３０ｎｍ形成した。次にＤＰＢＡＰＡ膜上にＣｚＰＡとＤＰＢＡＰＡとを、ＣｚＰＡ：ＤＰＢＡＰＡ＝１：０．１（重量比）となるように共蒸着して、ＣｚＰＡとＤＰＢＡＰＡの共蒸着膜を膜厚３０ｎｍ積層することにより、第３の層２２０５を発光層として形成した。

発光素子Ｄ及び発光素子Ｅにおいて、第３の層２２０５上に、Ａｌｑ膜を膜厚１０ｎｍ、次いでＢｐｈｅｎ膜を２０ｎｍ蒸着して積層することにより、第４の層２２０６を電子輸送層として形成した。

さらに第４の層２２０６上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍで蒸着することにより第５の層２２０７を電子注入層として形成した。最後に、陰極として機能する第２の電極２２０８としてアルミニウムを２００ｎｍ成膜し、本実施例の発光素子Ｄ及び発光素子Ｅを得た。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

以上により得られた発光素子Ｄ及び発光素子Ｅを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子Ｄ及び発光素子Ｅが大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子Ｄ及び発光素子Ｅの動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子Ｄ及び発光素子Ｅの輝度−電流効率特性を図４１に、電流密度−輝度特性を図４３に、電圧−輝度特性を図４４に示す。また、１ｍＡの電流を流したときの発光スペクトルを図４２に示す。

図４２から、発光素子Ｄからは、４５８ｎｍにピークを有するＤＰＢＡＰＢＡからの良好な青色発光が得られたことがわかった。発光素子Ｄは、輝度９７０ｃｄ／ｍ^２のとき、ＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．１７、ｙ＝０．１９）であり、良好な青色発光を示した。また、輝度９７０ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は３．８ｃｄ／Ａであり、外部量子効率は２．６％、電圧は４．６Ｖ、電流密度は２５．６ｍＡ／ｃｍ^２であり、パワー効率は２．６ｌｍ／Ｗであった。

図４２から、発光素子Ｅからは、４６４ｎｍにピークを有するＤＰＢＡＰＡからの良好な青色発光が得られたことがわかった。発光素子Ｅは、輝度９００ｃｄ／ｍ^２のとき、ＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．１５、ｙ＝０．２０）であり、良好な青色発光を示した。また、輝度９０５ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は６．９ｃｄ／Ａであり、外部量子効率は４．８％、電圧は４．２Ｖ、電流密度は１３．２ｍＡ／ｃｍ^２であり、パワー効率は５．１ｌｍ／Ｗであった。

また、作製した発光素子Ｄ及び発光素子Ｅの信頼性試験を行った。信頼性試験とは以下のようにして行った。初期状態において、１０００ｃｄ／ｍ^２の輝度で発光させたときに発光素子Ｄ及び発光素子Ｅに流れている電流と同じ値の電流を流し続け、或る時間が経過する毎に輝度を測定した。発光素子Ｄ及び発光素子Ｅの信頼性試験によって得られた結果を図４５に示す。図４５は輝度の経時変化を示している。なお、図４５において横軸は通電時間（ｈｏｕｒ）、縦軸はそれぞれの時間における初期輝度に対する輝度の割合、すなわち規格化輝度（％）を表す。

以上のように、本実施例により色純度が良い青色発光を示し、高効率及び高信頼性の発光素子Ｄ及び発光素子Ｅが得られた。

本実施例により、本発明の発光素子が、発光素子として特性が得られ、十分機能することが確認できた。また信頼性試験の結果から、発光素子を連続点灯させた場合であっても、膜の欠陥等に由来する短絡が生じることがなく、信頼性の高い発光素子が得られたことがわかった。

Claims (13)

1. 式（１）で表されるアントラセン誘導体。
   
   （式中、Ａｒ^１、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６は、炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^８は、水素、または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
2. 式（２）で表されるアントラセン誘導体。
   
   （式中、Ａｒ^１、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６は、炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。）
3. 式（３）で表されるアントラセン誘導体。
   
   （式中、Ａｒ^３、Ａｒ^５、Ａｒ^６は、炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^１５は、水素、炭素数６〜１３のアリール基、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１のハロアルキル基を表す。）
4. 式（５）で表されるアントラセン誘導体。
   
   （式中、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^１５及びＲ^２１〜Ｒ^３５は、水素、炭素数６〜１３のアリール基、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１のハロアルキル基を表す。）
5. 式（６）で表されるアントラセン誘導体。
   
   （式中、Ａｒ^２、Ａｒ^４は、フェニレン基、又はビフェニル−ジイル基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^１５及びＲ^２１〜Ｒ^３５は、水素、炭素数６〜１３のアリール基、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１のハロアルキル基を表す。）
6. 式（１０１）で表されるアントラセン誘導体。
   
7. 式（２０１）で表されるアントラセン誘導体。
   
8. 式（３０１）で表されるアントラセン誘導体。
   
9. 式（４０１）で表されるアントラセン誘導体。
   
10. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載のアントラセン誘導体を用いた発光素子。
11. 請求項１０に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段とを備えた発光装置。
12. 請求項１１に記載の発光装置を表示部に備えた電子機器。
13. 請求項１１に記載の発光装置を備えた照明装置。