JP5458787B2 - フェノールの製造方法 - Google Patents
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Zは単結合、−CH2−、−CF2−、−CO−、−CH2CH2−、−(CH2)3−、−(CH2)4−、−CHCH3CH2−、−CH2CHCH3−、−CHCH3O−、−OCHCH3−、−OCH2−、−CH2O−、−OCF2−、−CF2O−、−CF2CF2−、−CF=CF−、−CH=CH−、又は−C≡C−を表し、
Yは単結合、−CH2−、−CH2CH2−、−(CH2)3−、−(CH2)4−、−CH=CH−、又は−C≡C−を表し、
B及びCはトランス−1,4−シクロへキシレン基、1,4−シクロヘキセニレン基、1,4−ビシクロ[2.2.2]オクチレン基、1,4−フェニレン基、ナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基及び1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基を表し、これら基中に含まれる1個又は2個以上の水素原子はフッ素原子により置換されていても良く、これら基中に存在する1個又は隣り合わない2個以上の−CH2−は−O−又は−NH−により置換されていても良く、これら基中に存在する1個又は隣り合わない2個以上の−CH=は−N=により置換されていても良く、B及びCは互いに同一であっても異なっていても良く、nが2又は3を表す場合において2個あるいは3個存在するB及びZは同一であっても異なっていても良く、
X11〜X15はそれぞれ独立に水酸基、フッ素原子、塩素原子、水素原子、メチル基、炭素原子数2から8の直鎖状アルキル基又はアルケニル基を表し、前記アルキル基又はアルケニル基中の1個又は2個以上のメチレン基は酸素原子同士が直接結合しないものとして、−O−、−COO−、−OCO−、−CH=CH−又は−C≡C−により置換されていても良く、前記アルキル基又はアルケニル基中の1個又は2個以上の水素原子はフッ素原子、フッ素原子により置換されていても良い炭素原子数1から8のアルキル基又はフッ素原子により置換されていても良い炭素原子数1から8のアルコキシ基により置換されていても良く、分子内に不斉炭素原子を持つ場合にはラセミ体であっても光学活性体であっても良く、あるいは、X11〜X15は−OW(式中、Wはそれぞれ独立にメチル基、メトキシメチル基、ベンジロキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、シクロプロピルメチル基、シクロヘキシル基、t−ブチル基、ベンジル基、トリメチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、t−ブチルジフェニルシリル基、ホルミル基、アセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、メトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、アルキルカルバモイル基、芳香族カルバモイル基、メタンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基、トルエンスルホニル基、炭素原子数2から20の直鎖状又は分枝状アルキル基、直鎖状又は分枝状アルケニル基を表し、前記アルキル基及び前記アルケニル基中の1個又は2個以上のメチレン基は−O−、−COO−、−OCO−、−CH=CH−又は−C≡C−により置換されていても良く、1個又は2個以上の水素原2004.0415:XP用コマンドResetResetDrawCanpus_X内にOnerrorを追加子はフッ素原子、フッ素原子により置換されていても良いアルキル基又はフッ素原子により置換されていても良いアルコキシ基により置換されていても良く、分子内に不斉炭素原子を持つ場合にはラセミ体であっても光学活性体であっても良く、2個の−OWが隣り合う芳香環炭素原子上に置換する場合、前記2個のWはメチレン基、t−ブチルメチレン基、ジメチルメチレン基、シクロヘキシリデン基、ジフェニルメチレン基、エトキシメチレン基、カルボニル基を表し架橋されても良い。)を表すが、X11〜X15のうち少なくとも1つは−OWを表し、
nは0、1、2又は3を表す。)で表されるアルコキシベンゼンを加水分解することによる、一般式(II)
0.01%以上10%以下の一般式(III)
一般式(IV)及び一般式(V)
M及びNのうち一方はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニロキシ基、ジアゾニオ基、p−トルエンスルホニロキシ基、アセトキシ基、ジアルキルホスホリロキシ基を表し、他方はハロマグネシオ基、リチオ基、ハロジンシオ基、トリアルキルスタンニオ基、ジアルキルボリオ基、ジヒドロキシボリオ基、ジアルコキシボリオ基、ビニル基、エチニル基を表し、A、B、C、Z、n及びX11〜X15は製造する一般式(I)で表される化合物の対応するA、B、C、Z、n及びX11〜X15と同一の意味を表す。)で表される化合物を、ニッケル、パラジウム、白金、鉄、コバルト、ロジウム、イリジウム、銅又は亜鉛若しくはそれらの塩若しくはそれらの混合物からなる金属触媒存在下にカップリングさせ得られる、0.01%以上10%以下の一般式(III)で表される化合物を不純物として含有する一般式(I)で表される粗アルコキシベンゼンを用いる製造方法、
一般式(II)で表されるフェノールを用いる、一般式(VI)
一般式(II)で表されるフェノールを用いる、一般式(VII)
一般式(II)で表されるフェノールの水酸基を脱離基に変換した後、ニッケル、パラジウム、白金、鉄、コバルト、ロジウム、イリジウム、銅若しくは亜鉛、若しくはそれらの塩、又はそれらの混合物からなる金属触媒存在下にカップリングさせる、一般式(VIII)
及び一般式(III)で表される化合物の含有量が0.01%未満である一般式(II)で表されるフェノール、
一般式(III)で表される化合物の含有量が0.01%未満である一般式(VI)で表されるアルコキシベンゼン、
一般式(III)で表される化合物の含有量が0.01%未満である一般式(VII)で表されるエステル、
一般式(III)で表される化合物の含有量が0.01%未満である一般式(VIII)で表される化合物、
これら化合物を含有する液晶組成物及びこれら液晶組成物を使用した液晶表示装置を提供する。
B及びCはそれぞれ独立にトランス−1,4−シクロへキシレン基、1,4−シクロヘキセニレン基、1,4−ビシクロ[2.2.2]オクチレン基、1,4−フェニレン基、ナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基及び1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基を表し、これら基中に含まれる1個又は2個以上の水素原子がフッ素原子により置換されている場合には、それらB及びCに置換したフッ素原子の総数が1、2、3、4又は5が好ましい。
<ガスクロマトグラフィー分析条件>
島津GC−17A、検出器FID、キャピラリーカラム(Agilent J&W、DB−1ht、長さ15m、内径0.25mm、膜厚0.10μm)、注入口温度350℃、検出器温度400℃、昇温条件100℃(1分)−20℃/分−250℃−10℃/分−380℃−7℃/分−400℃(2.6分)、キャリアガス He(202kPa)、濃度はピーク面積から算出した。
なお、本条件による測定による検出限界は0.01ppmであり、それ未満の濃度の不純物は検出できなかった。
THF : テトラヒドロフラン
(実施例1)
4−{2−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル]エチル}−2,3−ジフルオロペントキシベンゼン(8a)の製造
MS m/z:434(M+)
1H NMR(400MHz、CDCl3):δ 0.79−1.81(m、38H)、2.58(t、7.1Hz、2H)、4.02(t、7.1Hz、2H)、6.64(t、7.5Hz、1H)、6.77(t、7.5Hz、1H)
(比較例1)
4−{2−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル]エチル}−2,3−ジフルオロプロポキシベンゼン(1b)の製造
(実施例2)
4−[4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)フェニル]−2,3−ジフルオロプロポキシベンゼン(6c)の製造
MS m/z:372(M+)
1H NMR(400MHz、CDCl3):δ 0.89−1.94(m、21H)、2.50(t、7.0Hz、1H)、4.15(t、7.1Hz、2H)、6.77(t、7.5Hz、1H)、7.08(t、7.5Hz、1H)、7.26(d、7.5Hz、2H)、7.43(d、7.5Hz、2H)
(実施例3)
アクリル酸 4−[4’−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)]ビフェニル(4d)の製造
MS m/z:348(M+)
1H NMR(400MHz、CDCl3):δ 0.90−1.86(m、17H)、2.50(t、7.0Hz、1H)、5.50(dd、10.0、2.1Hz、1H)、6.03−6.10(m、2H)、7.15(d、7.5Hz、2H)、7.26(d、7.5Hz、2H)、7.43(d、7.5Hz、2H)
7.76(d、7.5Hz、2H)
(実施例4)
2,3−ジフルオロ−4−エトキシ−4”−ペンチル−1,1’:4’1”−テルフェニル(5e)の製造
MS m/z:380(M+)
1H NMR(400MHz、CDCl3):δ 0.90−1.59(m、12H)、2.62(t、7.0Hz、2H)、4.09(q、8.0Hz、2H)、7.08−7.43(m、10H)
Claims (8)
- 0.01%以上10%以下の一般式(III)
Zは単結合、−CH2−、−CF2−、−CO−、−CH2CH2−、−(CH2)3−、−(CH2)4−、−CHCH3CH2−、−CH2CHCH3−、−CHCH3O−、−OCHCH3−、−OCH2−、−CH2O−、−OCF2−、−CF2O−、−CF2CF2−、−CF=CF−、−CH=CH−、又は−C≡C−を表し、
Yは単結合、−CH2−、−CH2CH2−、−(CH2)3−、−(CH2)4−、−CH=CH−、又は−C≡C−を表し、
B及びCはトランス−1,4−シクロへキシレン基、1,4−シクロヘキセニレン基、1,4−ビシクロ[2.2.2]オクチレン基、1,4−フェニレン基、ナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基及び1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基を表し、これら基中に含まれる1個又は2個以上の水素原子はフッ素原子により置換されていても良く、これら基中に存在する1個又は隣り合わない2個以上の−CH2−は−O−又は−NH−により置換されていても良く、これら基中に存在する1個又は隣り合わない2個以上の−CH=は−N=により置換されていても良く、B及びCは互いに同一であっても異なっていても良く、nが2又は3を表す場合において2個あるいは3個存在するB及びZは同一であっても異なっていても良く、
X11〜X15はそれぞれ独立に水酸基、フッ素原子、塩素原子、水素原子、メチル基、炭素原子数2から8の直鎖状アルキル基又はアルケニル基を表し、前記アルキル基又はアルケニル基中の1個又は2個以上のメチレン基は酸素原子同士が直接結合しないものとして、−O−、−COO−、−OCO−、−CH=CH−又は−C≡C−により置換されていても良く、前記アルキル基又はアルケニル基中の1個又は2個以上の水素原子はフッ素原子、フッ素原子により置換されていても良い炭素原子数1から8のアルキル基又はフッ素原子により置換されていても良い炭素原子数1から8のアルコキシ基により置換されていても良く、分子内に不斉炭素原子を持つ場合にはラセミ体であっても光学活性体であっても良く、あるいは、X11〜X15は−OW(式中、Wはそれぞれ独立にメチル基、メトキシメチル基、ベンジロキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、シクロプロピルメチル基、シクロヘキシル基、t−ブチル基、ベンジル基、トリメチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、t−ブチルジフェニルシリル基、ホルミル基、アセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、メトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、アルキルカルバモイル基、芳香族カルバモイル基、メタンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基、トルエンスルホニル基、炭素原子数2から20の直鎖状又は分枝状アルキル基、直鎖状又は分枝状アルケニル基を表し、前記アルキル基及び前記アルケニル基中の1個又は2個以上のメチレン基は−O−、−COO−、−OCO−、−CH=CH−又は−C≡C−により置換されていても良く、1個又は2個以上の水素原子はフッ素原子、フッ素原子により置換されていても良いアルキル基又はフッ素原子により置換されていても良いアルコキシ基により置換されていても良く、分子内に不斉炭素原子を持つ場合にはラセミ体であっても光学活性体であっても良く、2個の−OWが隣り合う芳香環炭素原子上に置換する場合、前記2個のWはメチレン基、t−ブチルメチレン基、ジメチルメチレン基、シクロヘキシリデン基、ジフェニルメチレン基、エトキシメチレン基、カルボニル基を表し架橋されても良い。)を表すが、X11〜X15のうち少なくとも1つは−OWを表し、
nは0、1、2又は3を表す。)で表される粗アルコキシベンゼンを、一般式(II)
- 一般式(IV)及び一般式(V)
M及びNのうち一方はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニロキシ基、ジアゾニオ基、p−トルエンスルホニロキシ基、アセトキシ基、ジアルキルホスホリロキシ基を表し、他方はハロマグネシオ基、リチオ基、ハロジンシオ基、トリアルキルスタンニオ基、ジアルキルボリオ基、ジヒドロキシボリオ基、ジアルコキシボリオ基、ビニル基、エチニル基を表し、A、B、C、Z、n及びX11〜X15は製造する一般式(I)で表される化合物の対応するA、B、C、Z、n及びX11〜X15と同一の意味を表す。)で表される化合物を、ニッケル、パラジウム、白金、鉄、コバルト、ロジウム、イリジウム、銅若しくは亜鉛、若しくはそれらの塩、又はそれらの混合物からなる金属触媒存在下にカップリングさせ得られる、0.01%以上10%以下の一般式(III)で表される化合物を不純物として含有する一般式(I)で表される粗アルコキシベンゼンを用いる請求項1記載の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の製造方法により得られた一般式(II)で表されるフェノールを用いる、一般式(VI)
- 請求項1又は2に記載の製造方法により得られた一般式(II)で表されるフェノールの水酸基を脱離基に変換した後、ニッケル、パラジウム、白金、鉄、コバルト、ロジウム、イリジウム、銅又は亜鉛若しくはそれらの塩若しくはそれらの混合物からなる金属触媒存在下にカップリングさせる、一般式(VIII)
- 脱離基がアセトキシ基、p−トルエンスルホニロキシ基、トリフルオロメタンスルホニロキシ基又はジアルキルホスホリロキシ基である請求項5記載の製造方法。
- 一般式(I)において、X13が−OWを表す請求項1〜6のいずれかに記載の製造方法。
- 一般式(I)において、X13のみが−OWを表す請求項1〜6のいずれかに記載の製造方法。
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