JP5441576B2 - Photoelectric conversion device and photoelectric conversion module - Google Patents

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Description

本発明は、光電変換装置、並びにその光電変換装置を用いる光電変換モジュールに関する。   The present invention relates to a photoelectric conversion device and a photoelectric conversion module using the photoelectric conversion device.

近年、光電変換素子を有する光電変換装置の開発が進められている。例示的な光電変換装置としては、太陽エネルギーを電力に変換する太陽電池装置がある。特に、発電効率の向上を目的として、集光型の太陽電池装置の開発が進められている。光電変換装置は、光エネルギーを電力エネルギーに変換する光電変換素子を有している。光電変換装置が例えば太陽電池装置の場合、光電変換素子は、太陽エネルギーを電力エネルギーに変換する太陽電池素子である(例えば、特許文献1,2参照)。   In recent years, development of a photoelectric conversion device having a photoelectric conversion element has been advanced. As an exemplary photoelectric conversion device, there is a solar cell device that converts solar energy into electric power. In particular, for the purpose of improving the power generation efficiency, a concentrating solar cell device is being developed. The photoelectric conversion device includes a photoelectric conversion element that converts light energy into electric power energy. When the photoelectric conversion device is, for example, a solar cell device, the photoelectric conversion element is a solar cell element that converts solar energy into electric power energy (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

特開2001−274301号公報JP 2001-274301 A 特開2008−91440号公報JP 2008-91440 A

光電変換装置の開発において、放熱性の優れた光電変換装置が求められている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、放熱性の優れた光電変換装置、並びに光電変換モジュールを提供することを目的とする。   In the development of a photoelectric conversion device, a photoelectric conversion device with excellent heat dissipation is required. This invention is made | formed in view of the above, Comprising: It aims at providing the photoelectric conversion apparatus excellent in heat dissipation, and a photoelectric conversion module.

上記課題を解決するために、本発明の第1の態様に係る光電変換装置は、一主面側に第1主面領域と、前記第1主面領域の外周に設けられる第2主面領域とを有する導電性基板と、前記導電性基板の前記第2主面領域上に形成され、前記第1主面領域を取り囲む枠体と、前記枠体内の前記第1主面領域上に形成され、下面が前記導電性基板と電気的に接続された光電変換素子と、前記枠体の内外にわたって設けられるとともに、前記光電変換素子の上面と電気的に接続される導電層と、前記枠体と接合されるとともに、前記枠体で囲まれる空間を覆う集光部材と、を備え、前記導電性基板の端部が、平面視して前記枠体で囲まれる領域内に位置していることを特徴とする。

In order to solve the above problems, a photoelectric conversion device according to a first aspect of the present invention includes a first main surface region on one main surface side and a second main surface region provided on the outer periphery of the first main surface region. Formed on the second main surface region of the conductive substrate and surrounding the first main surface region, and formed on the first main surface region in the frame. A photoelectric conversion element having a lower surface electrically connected to the conductive substrate, a conductive layer electrically connected to the upper surface of the photoelectric conversion element, and the frame body. And a condensing member that covers a space surrounded by the frame body, and that the end of the conductive substrate is located in a region surrounded by the frame body in plan view. Features.

また、本発明の第2の態様に係る光電変換モジュールは、光電変換装置が複数個併設されており、隣接する光電変換装置同士の間で、一方の光電変換装置の導電性基板と他方の光電変換装置の導電性基板が接続されていることを特徴とする。   Further, the photoelectric conversion module according to the second aspect of the present invention includes a plurality of photoelectric conversion devices, and between adjacent photoelectric conversion devices, the conductive substrate of one photoelectric conversion device and the other photoelectric conversion device. A conductive substrate of the conversion device is connected.

また、本発明の第3の態様に係る光電変換モジュールは、光電変換装置が複数個併設されており、隣接する光電変換装置同士の間で、一方の光電変換装置の導電性基板と他方の光電変換装置の導電層とが接続されていることを特徴とする。   Further, the photoelectric conversion module according to the third aspect of the present invention includes a plurality of photoelectric conversion devices, and between adjacent photoelectric conversion devices, the conductive substrate of one photoelectric conversion device and the other photoelectric conversion device. The conductive layer of the conversion device is connected.

本発明によれば、放熱性の優れた光電変換装置、並びに光電変換モジュールを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photoelectric conversion apparatus excellent in heat dissipation and a photoelectric conversion module can be provided.

参考例に係る光電変換モジュールの概観を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the external appearance of the photoelectric conversion module which concerns on a reference example . 参考例に係る光電変換装置の概観斜視図である。It is a general-view perspective view of the photoelectric conversion apparatus which concerns on a reference example . 参考例に係る光電変換装置の集光部材を除いた概観斜視図である。It is a general-view perspective view except the condensing member of the photoelectric conversion apparatus which concerns on a reference example . 図3に示す光電変換装置の平面図である。It is a top view of the photoelectric conversion apparatus shown in FIG. 参考例に係る光電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the photoelectric conversion apparatus which concerns on a reference example . 参考例に係る光電変換装置を電気的に直列に接続した状態を示す、光電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of a photoelectric conversion apparatus which shows the state which connected the photoelectric conversion apparatus which concerns on a reference example electrically in series. 集光部材を取り除いた光電変換装置を複数個、電気的に直列に接続した状態を示す光電変換装置の概観斜視図である。It is a general | schematic perspective view of the photoelectric conversion apparatus which shows the state which electrically connected the several photoelectric conversion apparatus which removed the condensing member in series. 参考例に係る光電変換装置を電気的に並列に接続した状態を示す、光電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of a photoelectric conversion apparatus which shows the state which connected the photoelectric conversion apparatus which concerns on a reference example electrically in parallel. 集光部材を取り除いた光電変換装置を複数個、電気的に並列に接続した状態を示す光電変換装置の概観斜視図である。It is a general | schematic perspective view of the photoelectric conversion apparatus which shows the state which connected the several photoelectric conversion apparatus which removed the condensing member electrically in parallel. 本実施形態に係る光電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the photoelectric conversion apparatus which concerns on this embodiment . 一変形例に係る光電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the photoelectric conversion apparatus which concerns on one modification. 一変形例に係る光電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the photoelectric conversion apparatus which concerns on one modification.

以下に添付図面を参照して、本発明にかかる光電変換モジュール、及び光電変換装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものとする。   Embodiments of a photoelectric conversion module and a photoelectric conversion device according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention shall not be limited to the following embodiment.

<光電変換モジュールの概略構成>
図1は、参考例に係る光電変換モジュールの概観斜視図と、その一部を拡大した分解斜視図である。また、図2は、図1に示す光電変換装置の概観斜視図である。また、図3は、集光部材を取り除いた光電変換装置の概観斜視図である。また、図4は、集光部材を取り除いた光電変換装置の平面図である。また、図5は、光電変換装置の断面図である。

<Schematic configuration of photoelectric conversion module>
FIG. 1 is an overview perspective view of a photoelectric conversion module according to a reference example , and an exploded perspective view in which a part thereof is enlarged. FIG. 2 is a schematic perspective view of the photoelectric conversion device shown in FIG. FIG. 3 is a schematic perspective view of the photoelectric conversion device from which the light collecting member is removed. FIG. 4 is a plan view of the photoelectric conversion device from which the light collecting member is removed. FIG. 5 is a cross-sectional view of the photoelectric conversion device.

参考例に係る光電変換モジュール1は、太陽光を電力に変換する太陽光発電モジュールである。また、参考例に係る光電変換装置2は、光を集光する光電変換素子3を含んでいる。かかる光電変換素子3は、例えば太陽光を集光して発電する機能を備えている。

The photoelectric conversion module 1 according to the reference example is a photovoltaic power generation module that converts sunlight into electric power. The photoelectric conversion device 2 according to the reference example includes a photoelectric conversion element 3 that collects light. For example, the photoelectric conversion element 3 has a function of collecting power by collecting sunlight.

光電変換モジュール1は、複数の光電変換装置2と、光を受光する受光部材4とを含んでいる。受光部材4は、例えばドーム形状のフレネルレンズである。受光部材4は、外部からの光を受光するとともに、受光した光を光電変換装置2に集める機能を備えている。なお、受光部材4は、例えばガラス、プラスチック又は透光性樹脂等からなる。かかる受光部材4は、フレーム部材4aとレンズ部材4bとを含んでおり、レンズ部材4bを取り囲むようにフレーム部材4aにて固定されている。   The photoelectric conversion module 1 includes a plurality of photoelectric conversion devices 2 and a light receiving member 4 that receives light. The light receiving member 4 is, for example, a dome-shaped Fresnel lens. The light receiving member 4 has a function of receiving light from the outside and collecting the received light in the photoelectric conversion device 2. The light receiving member 4 is made of, for example, glass, plastic, or translucent resin. The light receiving member 4 includes a frame member 4a and a lens member 4b, and is fixed by the frame member 4a so as to surround the lens member 4b.

光電変換装置2は、一主面側に第1主面領域S1と、第1主面領域S1の外周に設けられる第2主面領域S2とを有する導電性基板5と、導電性基板5の第2主面領域S2上に形成され、第1主面領域S1を取り囲む枠体6とを含んでいる。さらに、光電変換装置2は、枠体6内の第1主面領域S1上に形成される光電変換素子3と、枠体6上に形成され、枠体6の内外にわたって設けられるとともに、光電変換素子3の上面と電気的に接続される導電層7と、枠体6と接合されるとともに、枠体6で囲まれる空間SPを覆う集光部材8とを含んでいる。   The photoelectric conversion device 2 includes: a conductive substrate 5 having a first main surface region S1 on one main surface side and a second main surface region S2 provided on the outer periphery of the first main surface region S1; A frame 6 formed on the second main surface region S2 and surrounding the first main surface region S1. Furthermore, the photoelectric conversion device 2 is formed on the first main surface region S1 in the frame body 6, the photoelectric conversion element 3 formed on the frame body 6 and provided on the inside and outside of the frame body 6, and photoelectric conversion. A conductive layer 7 that is electrically connected to the upper surface of the element 3 and a light collecting member 8 that is joined to the frame body 6 and covers the space SP surrounded by the frame body 6 are included.

導電性基板5は、段差が形成されている。その段差の高さ位置が高い方の面に、第1主面領域S1が形成されている。また、段差の高さ位置が低い方の面に、第2主面領域S2が形成されている。導電性基板5は、導電性の基板であって、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト又はクロム等の金属材料、或いはそれらの合金からなる。また、導電性基板5は、熱電導性の優れた材料からなり、導電性基板5の熱伝導率は、例えば30W/m・K以上500W/m・K以下に設定されている。なお、導電性基板5の熱膨張率は、例えば5×10−6/℃以上25×10−6/℃以下に設定されている。   The conductive substrate 5 has a step. A first main surface region S1 is formed on the surface having the higher step height. In addition, the second main surface region S2 is formed on the surface having the lower step height position. The conductive substrate 5 is a conductive substrate and is made of, for example, a metal material such as copper, silver, gold, iron, aluminum, nickel, cobalt, or chromium, or an alloy thereof. The conductive substrate 5 is made of a material having excellent thermal conductivity, and the thermal conductivity of the conductive substrate 5 is set to, for example, 30 W / m · K or more and 500 W / m · K or less. The thermal expansion coefficient of the conductive substrate 5 is set to, for example, 5 × 10 −6 / ° C. or more and 25 × 10 −6 / ° C. or less.

また、光電変換素子3は、第1主面領域S1上に設けられ、導電性基板5と接続される。   In addition, the photoelectric conversion element 3 is provided on the first main surface region S <b> 1 and is connected to the conductive substrate 5.

光電変換素子3は、例えば、III−V族化合物半導体を含んでいる太陽電池素子である。光電変換素子3は、光起電力効果により、受けた光を即時に電力に変換して出力することができる。例示的な太陽電池素子は、InGaP/GaAs/Ge3接合型セルの構造を有している。インジウムガリウムリン(InGaP)トップセルは、例えば660nm以下の波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。ガリウムヒ素(GaAs)ミドルセルは、例えば660nmから890nmまでの波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。ゲルマニウム(Ge)ボトムセルは、例えば890nmから2000nmまでの波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。3つのセルは、トンネル接合を介して直列に接続されている。開放電圧は、3つのセルの起電圧の和である。なお、光電変換素子3の一辺は、例えば3mm以上15mm以下の長さである。また、光電変換素子3は、例えば0.3mm以上5mm以下の厚みである。   The photoelectric conversion element 3 is, for example, a solar cell element that includes a III-V group compound semiconductor. The photoelectric conversion element 3 can immediately convert the received light into electric power and output it by the photovoltaic effect. An exemplary solar cell element has an InGaP / GaAs / Ge3 junction cell structure. The indium gallium phosphide (InGaP) top cell converts energy contained in a wavelength region of, for example, 660 nm or less. A gallium arsenide (GaAs) middle cell converts energy contained in a wavelength region of, for example, 660 nm to 890 nm. The germanium (Ge) bottom cell converts energy contained in a wavelength region from 890 nm to 2000 nm, for example. The three cells are connected in series via a tunnel junction. The open circuit voltage is the sum of the electromotive voltages of the three cells. Note that one side of the photoelectric conversion element 3 has a length of, for example, 3 mm or more and 15 mm or less. Moreover, the photoelectric conversion element 3 has a thickness of 0.3 mm or more and 5 mm or less, for example.

光電変換素子3の下面には、下面電極パターンが形成されている。かかる下面電極パターンが、例えば半田を介して導電性基板5と電気的に接続されている。   A lower surface electrode pattern is formed on the lower surface of the photoelectric conversion element 3. The lower electrode pattern is electrically connected to the conductive substrate 5 through, for example, solder.

また、光電変換素子3の上面には、上面電極パターンが形成されている。かかる上面電極パターンは、例えばワイヤを介して枠体6上に形成される導電層7と電気的に接続される。   An upper surface electrode pattern is formed on the upper surface of the photoelectric conversion element 3. The upper surface electrode pattern is electrically connected to the conductive layer 7 formed on the frame body 6 through, for example, a wire.

ここで、導電性基板5は、正極として機能する。また、導電層7は、負極として機能する。そして、光電変換素子3は、導電性基板5及び導電層7と電気的に接続されており、導電性基板5又は導電層7を介して外部に電気を取り出すことができる。   Here, the conductive substrate 5 functions as a positive electrode. The conductive layer 7 functions as a negative electrode. The photoelectric conversion element 3 is electrically connected to the conductive substrate 5 and the conductive layer 7, and electricity can be taken out through the conductive substrate 5 or the conductive layer 7.

導電性基板5は、第1主面領域S1の高さ位置が第2主面領域S2の高さ位置よりも高く設定されている。そのため、導電性基板5と導電層7との間に流れる電流が、第2主面領域S2よりも高さ位置が高い第1主面領域S1を介して流れる。そして、光電変換素子3の下面と第1主面領域S1との間で電流が流れるため、電流の経路が導電性基板5と導電層7との間で短く設定される。その結果、光電変換素子3で発電した電力のロスを低減した上で、電力を外部に取り出すことができる。   In the conductive substrate 5, the height position of the first main surface region S1 is set higher than the height position of the second main surface region S2. Therefore, the current that flows between the conductive substrate 5 and the conductive layer 7 flows through the first main surface region S1 that is higher in height than the second main surface region S2. Since a current flows between the lower surface of the photoelectric conversion element 3 and the first main surface region S <b> 1, the current path is set short between the conductive substrate 5 and the conductive layer 7. As a result, it is possible to take out the power to the outside after reducing the loss of the power generated by the photoelectric conversion element 3.

枠体6は、第1主面領域S1を取り囲むように、導電性基板5の第2主面領域S2上に形成される。そして、導電層7は、枠体6の内外にまで延在されている。なお、導電層7は、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト又はクロム等の金属材料、或いはそれらの合金からなる。   The frame 6 is formed on the second main surface region S2 of the conductive substrate 5 so as to surround the first main surface region S1. The conductive layer 7 extends to the inside and outside of the frame body 6. The conductive layer 7 is made of, for example, a metal material such as copper, silver, gold, iron, aluminum, nickel, cobalt, or chromium, or an alloy thereof.

枠体6は、絶縁性の材料からなり、例えば、アルミナ又はムライト等のセラミック材料、或いはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、枠体6の熱膨張率は、例えば4×10−6/℃以上10×10−6/℃以下に設定されている。なお、枠体6は、導電性基板5上に形成され、光電変換素子3を取り囲む第1枠体6aと、第1枠体6a上に形成され、集光部材8と接続される第2枠体6bから構成されている。   The frame 6 is made of an insulating material, for example, a ceramic material such as alumina or mullite, or a glass ceramic material. Or it consists of a composite material which mixed several materials among these materials. In addition, the thermal expansion coefficient of the frame 6 is set to, for example, 4 × 10 −6 / ° C. or more and 10 × 10 −6 / ° C. or less. Note that the frame body 6 is formed on the conductive substrate 5, the first frame body 6 a surrounding the photoelectric conversion element 3, and the second frame formed on the first frame body 6 a and connected to the light collecting member 8. It is comprised from the body 6b.

第1主面領域S1と第2主面領域S2の間に位置する導電性基板5の側面と、枠体6の第1枠体6aとの間には、空隙A1が設けられている。枠体6の下面の一部と導電性基板5の第2主面領域S2とが接続される。なお、空隙A1の長さは、例えば0.1mm以上3mm以下に設定されている。   A gap A <b> 1 is provided between the side surface of the conductive substrate 5 located between the first main surface region S <b> 1 and the second main surface region S <b> 2 and the first frame body 6 a of the frame body 6. A part of the lower surface of the frame 6 and the second main surface region S2 of the conductive substrate 5 are connected. Note that the length of the gap A1 is set to, for example, 0.1 mm or more and 3 mm or less.

導電性基板5と枠体6とは、熱膨張率が異なり、導電性基板5の熱膨張率が枠体6の熱膨張率よりも大きいため、例えば光電変換素子3の発する熱によって、導電性基板5が熱膨張することがある。仮に、第1主面領域S1と第2主面領域S2の間に位置する導電性基板5の側面と、枠体6の内壁面とが接しているとすると、導電性基板5の熱膨張に起因して、導電性基板5が枠体6の内壁面に応力を加え、枠体6にクラックが発生することがある。本実施形態によれば、第1主面領域S1と第2主面領域S2の間に位置する導電性基板5の側面と、枠体6との間に空隙A1を設けることで、導電性基板5が熱膨張を起こしても枠体6と当接しにくいため、枠体6にクラックが発生するのを抑制することができる。   The conductive substrate 5 and the frame body 6 are different in thermal expansion coefficient, and the thermal expansion coefficient of the conductive substrate 5 is larger than the thermal expansion coefficient of the frame body 6. The substrate 5 may be thermally expanded. If the side surface of the conductive substrate 5 located between the first main surface region S1 and the second main surface region S2 and the inner wall surface of the frame 6 are in contact with each other, thermal expansion of the conductive substrate 5 occurs. As a result, the conductive substrate 5 may apply stress to the inner wall surface of the frame 6, and cracks may occur in the frame 6. According to the present embodiment, by providing the gap A1 between the side surface of the conductive substrate 5 located between the first main surface region S1 and the second main surface region S2 and the frame 6, the conductive substrate Even if thermal expansion of 5 occurs, it is difficult to come into contact with the frame 6, so that it is possible to suppress the occurrence of cracks in the frame 6.

また、枠体6の上部には、集光部材8を支持する支持部6cが形成されている。支持部6cは、枠体6の上面から枠体6の内壁面にかけて傾斜している。   A support portion 6 c that supports the light collecting member 8 is formed on the upper portion of the frame body 6. The support portion 6 c is inclined from the upper surface of the frame body 6 to the inner wall surface of the frame body 6.

集光部材8は、空間SPを覆うように、枠体6の支持部6cに接続される。そして、空間SP内に位置する光電変換素子3は、導電性基板5、枠体6及び集光部材8にて囲まれることで気密封止される。また、集光部材8は、枠体6の支持部6cに対して、例えば半田、樹脂又はガラスを介して固着される。   The condensing member 8 is connected to the support portion 6c of the frame 6 so as to cover the space SP. The photoelectric conversion element 3 located in the space SP is hermetically sealed by being surrounded by the conductive substrate 5, the frame body 6, and the light collecting member 8. Moreover, the condensing member 8 is fixed to the support portion 6c of the frame 6 via, for example, solder, resin, or glass.

集光部材8は、受光部材4を介して透過した光を集光し、集光した光を光電変換素子3に集中させる機能を備えている。なお、集光部材8は、例えばガラス、プラスチック又は透光性樹脂等からなる。   The condensing member 8 has a function of condensing the light transmitted through the light receiving member 4 and concentrating the condensed light on the photoelectric conversion element 3. The light collecting member 8 is made of, for example, glass, plastic, or translucent resin.

また、図5に示すように、枠体6の外部に位置する導電層7上には、外部と電気的に接続する端子9が形成されている。端子9は、光電変換素子3で発電した電力を外部に取り出すためのものである。なお、端子9は、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト又はクロム等の金属材料、或いはそれらの合金からなる。   Further, as shown in FIG. 5, a terminal 9 electrically connected to the outside is formed on the conductive layer 7 located outside the frame body 6. The terminal 9 is for taking out the electric power generated by the photoelectric conversion element 3 to the outside. The terminal 9 is made of, for example, a metal material such as copper, silver, gold, iron, aluminum, nickel, cobalt, or chromium, or an alloy thereof.

図6は、二つの光電変換装置2を電気的に接続した状態を示す、光電変換モジュール1の断面図である。図7は、集光部材を取り除いた複数の光電変換装置2が電気的に直列に接続された状態を示す、光電変換モジュール1の概観斜視図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view of the photoelectric conversion module 1 showing a state where two photoelectric conversion devices 2 are electrically connected. FIG. 7 is a schematic perspective view of the photoelectric conversion module 1 showing a state in which the plurality of photoelectric conversion devices 2 from which the light collecting member is removed are electrically connected in series.

光電変換装置2は、図6に示すように、ベース基板10上に絶縁層11を介して固定されている。絶縁層11は、例えば、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂等の熱伝導性の優れた樹脂、或いはアルミナ又は窒化アルミ二ウム等のセラミック材料から成る。絶縁層11は、光電変換素子3から導電性基板5に伝わる熱を放散させる機能を備えている。   As shown in FIG. 6, the photoelectric conversion device 2 is fixed on the base substrate 10 via an insulating layer 11. The insulating layer 11 is made of, for example, a resin having excellent thermal conductivity such as an epoxy resin, a glass epoxy resin, or a silicone resin, or a ceramic material such as alumina or aluminum nitride. The insulating layer 11 has a function of dissipating heat transmitted from the photoelectric conversion element 3 to the conductive substrate 5.

ベース基板10は、光電変換装置2に伝わる熱を外部に放熱する機能を備えている。光電変換装置2は、受光部材4を介して伝わる光のエネルギーの一部が、熱に変換されて、発熱する。そのため、ベース基板10は、光電変換装置2と絶縁層11を介して接続されており、光電変換装置2から伝わる熱を吸収して外部に放熱する。なお、ベース基板10は、例えばアルミ二ウム、銅又はモリブデン等の放熱機能を備えた金属材料からなる。   The base substrate 10 has a function of radiating heat transmitted to the photoelectric conversion device 2 to the outside. In the photoelectric conversion device 2, a part of the energy of the light transmitted through the light receiving member 4 is converted into heat to generate heat. Therefore, the base substrate 10 is connected to the photoelectric conversion device 2 via the insulating layer 11 and absorbs heat transmitted from the photoelectric conversion device 2 and dissipates it to the outside. The base substrate 10 is made of a metal material having a heat radiation function such as aluminum, copper, or molybdenum.

また、導電性基板5、絶縁層11及びベース基板10には、平面視して枠体6で囲まれない領域に、螺子溝Hが形成されている。そして、螺子溝Hに、螺子12挿入して、導電性基板5、絶縁層11及びベース基板10を固定する。なお、螺子12は、絶縁性の部材であって、例えばプラスチック又は樹脂等から成る。そのため、螺子12を介して、導電性基板5とベース基板10が電気的に接続されることがなく、光電変換装置2にて発電した電気がベース基板10に流れないように設計されている。   The conductive substrate 5, the insulating layer 11, and the base substrate 10 have screw grooves H formed in regions that are not surrounded by the frame body 6 in plan view. Then, the screw 12 is inserted into the screw groove H, and the conductive substrate 5, the insulating layer 11, and the base substrate 10 are fixed. The screw 12 is an insulating member and is made of, for example, plastic or resin. Therefore, the conductive substrate 5 and the base substrate 10 are not electrically connected via the screw 12, and the electricity generated by the photoelectric conversion device 2 is designed not to flow to the base substrate 10.

図7は、集光部材8を取り除いた光電変換装置2を、電気的に直列に接続した状態を示す複数の光電変換装置2の概観斜視図である。   FIG. 7 is a schematic perspective view of a plurality of photoelectric conversion devices 2 showing a state where the photoelectric conversion devices 2 from which the light collecting member 8 is removed are electrically connected in series.

図7に示すように、隣接する光電変換装置2同士の間において、一方の光電変換装置2の導電性基板5が他方の光電変換装置2の導電層7と端子9を介して電気的に接続されている。図7に示すように、光電変換装置2で発電した電気を隣接する光電変換装置2に流して、外部に電気を取り出すことができる。   As shown in FIG. 7, between the adjacent photoelectric conversion devices 2, the conductive substrate 5 of one photoelectric conversion device 2 is electrically connected via the conductive layer 7 and the terminal 9 of the other photoelectric conversion device 2. Has been. As shown in FIG. 7, electricity generated by the photoelectric conversion device 2 can be flowed to the adjacent photoelectric conversion device 2 to extract electricity to the outside.

図8は、集光部材8を取り除いた光電変換装置2を、電気的に並列に接続した状態を示す複数の光電変換装置2の概観斜視図である。   FIG. 8 is a schematic perspective view of a plurality of photoelectric conversion devices 2 showing a state in which the photoelectric conversion devices 2 from which the light collecting member 8 is removed are electrically connected in parallel.

図8に示すように、光電変換装置2が複数個併設されており、隣接する光電変換装置2同士の間で、一方の光電変換装置2の導電性基板5と他方の光電変換装置2の導電性基板5が接続されている。図8に示すように、複数の光電変換装置2で発電した電気を、それぞれの光電変換装置2から直接外部に向かって取り出すことができる。   As shown in FIG. 8, a plurality of photoelectric conversion devices 2 are provided side by side, and between the adjacent photoelectric conversion devices 2, the conductive substrate 5 of one photoelectric conversion device 2 and the conductivity of the other photoelectric conversion device 2. The conductive substrate 5 is connected. As shown in FIG. 8, electricity generated by the plurality of photoelectric conversion devices 2 can be directly taken out from the respective photoelectric conversion devices 2.

参考例によれば、光電変換素子3が導電性基板5上に直接接続されることで、光電変換素子3で発生する熱を導電性基板5に効率良く伝えることができ、光電変換素子3が高温
になるのを有効に抑制することができる。また、光電変換素子3が高温になりにくくすることができ、光電変換素子3の電気的特性が変化するのを効果的に抑制することができる。

According to the reference example , since the photoelectric conversion element 3 is directly connected to the conductive substrate 5, heat generated in the photoelectric conversion element 3 can be efficiently transmitted to the conductive substrate 5. High temperature can be effectively suppressed. Moreover, the photoelectric conversion element 3 can be made hard to become high temperature, and it can suppress effectively that the electrical property of the photoelectric conversion element 3 changes.

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。   In addition, this invention is not limited to the above-mentioned form, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.

<光電変換モジュールの製造方法>
ここで、図1に示す光電変換モジュール1及び図2に示す光電変換装置の製造方法を説明する。
<Method for producing photoelectric conversion module>
Here, a method for manufacturing the photoelectric conversion module 1 shown in FIG. 1 and the photoelectric conversion device shown in FIG. 2 will be described.

まず、導電性基板5を準備する。導電性基板5は、導電性基板の鋳型に溶かした導電性金属を注入し、それを冷却して鋳型から取り出すことで作製することができる。   First, the conductive substrate 5 is prepared. The conductive substrate 5 can be produced by injecting a conductive metal dissolved in a mold of the conductive substrate, cooling it and taking it out of the mold.

また、枠体6を準備する。枠体6が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム及び酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤又は溶剤等を添加混合して混合物を得る。   Moreover, the frame 6 is prepared. When the frame 6 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with raw material powders such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide to obtain a mixture.

そして、枠体6の型枠内に、混合物を充填して乾燥させた後、焼結前の枠体6を取り出す。   And after filling the formwork of the frame 6 with a mixture and making it dry, the frame 6 before sintering is taken out.

また、タングステン又はモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤又は溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。   Moreover, a high melting point metal powder such as tungsten or molybdenum is prepared, and an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the powder to obtain a metal paste.

そして、取り出した焼結前の第1枠体6aの上面に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って端子9を接合するための導電層7を形成する。そして、第1枠体6a及び第2枠体6bを接合した状態で同時焼成することによって、枠体6を作製することができる。   Then, a conductive layer 7 for joining the terminals 9 is formed on the upper surface of the first frame body 6a before sintering by applying a metal paste using, for example, a screen printing method. And the frame 6 can be produced by simultaneous baking in the state which joined the 1st frame 6a and the 2nd frame 6b.

次に、導電性基板5の第2主面領域S2上に枠体6をロウ材等により接合する。そして、枠体6で囲まれる導電性基板5上に光電変換素子3を実装する。そして、光電変換素子3の下面と導電性基板5の上面とを電気的に接続する。さらに、枠体6で囲まれる導電層7上から、光電変換素子3の上面に対して、例えばボンディングワイヤを接続する。   Next, the frame body 6 is joined to the second main surface region S2 of the conductive substrate 5 with a brazing material or the like. Then, the photoelectric conversion element 3 is mounted on the conductive substrate 5 surrounded by the frame body 6. Then, the lower surface of the photoelectric conversion element 3 and the upper surface of the conductive substrate 5 are electrically connected. Further, for example, a bonding wire is connected from the conductive layer 7 surrounded by the frame body 6 to the upper surface of the photoelectric conversion element 3.

次に、枠体6の支持部6cに半田を介して集光部材8を固着する。このようにして、光電変換装置2を作製することができる。   Next, the condensing member 8 is fixed to the support portion 6c of the frame body 6 via solder. In this way, the photoelectric conversion device 2 can be manufactured.

次に、光電変換モジュール1の作製方法について説明する。まず、複数個の光電変換装置2と、ベース基板10及び絶縁層11を準備する。なお、光電変換装置2、ベース基板10及び絶縁層11には、螺子溝Hを、予め設けておく。   Next, a method for manufacturing the photoelectric conversion module 1 will be described. First, a plurality of photoelectric conversion devices 2, a base substrate 10, and an insulating layer 11 are prepared. Note that a screw groove H is provided in advance in the photoelectric conversion device 2, the base substrate 10, and the insulating layer 11.

ここでは、二つの光電変換装置2の電気的に直列に接続する方法について説明する。一方の光電変換装置2の端子9と他方の光電変換装置2の導電性基板5とが隣り合うように、二つの光電変換装置2を配置する。また、ベース基板10上に絶縁層11を設ける。そして、隣り合う二つの光電変換装置2を絶縁層11上に配置する。   Here, a method of electrically connecting two photoelectric conversion devices 2 in series will be described. Two photoelectric conversion devices 2 are arranged so that the terminal 9 of one photoelectric conversion device 2 and the conductive substrate 5 of the other photoelectric conversion device 2 are adjacent to each other. In addition, the insulating layer 11 is provided over the base substrate 10. Then, two adjacent photoelectric conversion devices 2 are arranged on the insulating layer 11.

次に、絶縁層11上に配置した二つの光電変換装置2の螺子孔Hに対して、螺子12を挿入し、光電変換装置2をベース基板10及び絶縁層11に対して螺子止めすることができる。   Next, the screw 12 is inserted into the screw hole H of the two photoelectric conversion devices 2 arranged on the insulating layer 11, and the photoelectric conversion device 2 is screwed to the base substrate 10 and the insulating layer 11. it can.

このようにして、光電変換装置2をベース基板10に固定することができる。同様にして、複数個の光電変換装置2を、絶縁層11を介してベース基板10上に配置して固定する。そして、受光部材4を光電変換装置2上に設けることで、光電変換モジュール1を作製することができる。   In this way, the photoelectric conversion device 2 can be fixed to the base substrate 10. Similarly, a plurality of photoelectric conversion devices 2 are arranged and fixed on the base substrate 10 via the insulating layer 11. And the photoelectric conversion module 1 is producible by providing the light-receiving member 4 on the photoelectric conversion apparatus 2. FIG.

本実施形態
上記参考例では、平面視して枠体6で囲まれない領域にまで導電性基板5の端部が延在されていたが、これに限られない。例えば、図10に示すように、導電性基板5の端部が、平面視して枠体6で囲まれる領域内に位置していてもよい。

< This embodiment >
In the reference example described above, the end of the conductive substrate 5 extends to a region that is not surrounded by the frame body 6 in plan view. For example, as shown in FIG. 10, the end of the conductive substrate 5 may be located in a region surrounded by the frame body 6 in plan view.

導電性基板5の端部を平面視して枠体6で囲まれる領域内に設けることで、光電変換素子3から導電性基板5に伝わる熱を、枠体6にまで伝わりにくくすることができる。枠体6に光電変換素子3にて発生した熱を伝えにくくすることによって、枠体6から集光部材8に伝わる熱を低減することができる。仮に、枠体6から集光部材8に熱が多く伝わると、枠体6と集光部材8を接続する接続部材が溶けて、集光部材8の位置ずれが発生する虞がある。集光部材8の位置ずれが発生すると、集光部材8を進行する光が空間SPを介して光電変換素子3に集まりにくくなる。その結果、光電変換素子3の発電特性が悪化することになる。一方、本実施形態によれば、導電性基板5の端部を平面視して枠体6で囲まれる領域内に設けることで、導電性基板5から枠体6に伝わる熱を低減することができ、ひいては光電変換素子3の電気特性を良好に維持することができる。   By providing the end portion of the conductive substrate 5 in a region surrounded by the frame body 6 in plan view, heat transmitted from the photoelectric conversion element 3 to the conductive substrate 5 can be hardly transmitted to the frame body 6. . By making it difficult to transmit the heat generated in the photoelectric conversion element 3 to the frame body 6, the heat transmitted from the frame body 6 to the light collecting member 8 can be reduced. If a large amount of heat is transmitted from the frame body 6 to the light collecting member 8, the connecting member connecting the frame body 6 and the light collecting member 8 is melted, and there is a possibility that the light collecting member 8 is displaced. When the position shift of the condensing member 8 occurs, it is difficult for light traveling through the condensing member 8 to gather in the photoelectric conversion element 3 through the space SP. As a result, the power generation characteristics of the photoelectric conversion element 3 are deteriorated. On the other hand, according to the present embodiment, the heat transmitted from the conductive substrate 5 to the frame body 6 can be reduced by providing the end portion of the conductive substrate 5 in a region surrounded by the frame body 6 in plan view. As a result, the electrical characteristics of the photoelectric conversion element 3 can be maintained well.

<変形例
上記実施形態では、導電性基板5の端部が、平面視して枠体6で囲まれる領域内に位置するようにしたが、図11に示すように、導電性基板5の両側面の一部を第1枠体6aの下面に沿って外方に向かって延在するようにしてもよい。

<Modification 1 >
In the above embodiment , the end portion of the conductive substrate 5 is positioned in the region surrounded by the frame body 6 in plan view. However, as shown in FIG. The portion may extend outward along the lower surface of the first frame 6a.

図11に示す光電変換装置2は、導電性基板6の一主面側に、第2主面領域S2の外周を取り囲む第3主面領域S3が形成されており、第3主面領域S3と枠体6の下面との間には空隙A2が設けられている。   In the photoelectric conversion device 2 shown in FIG. 11, a third main surface region S3 that surrounds the outer periphery of the second main surface region S2 is formed on one main surface side of the conductive substrate 6, and the third main surface region S3 and A gap A <b> 2 is provided between the lower surface of the frame body 6.

図11に示すように、導電性基板5の下面の面積を大きくするとともに、実施形態と同様に、導電性基板5と枠体6との両者が接する箇所を平面視して枠体6内にする。実施形態に示す光電変換装置2は、導電性基板5の下面の面積を大きくすることで、ベース基板上に固定する光電変換装置2の安定性を向上させることができる。また、実施形態と同様に、導電性基板5から枠体6に伝わる熱を低減することができる。 As shown in FIG. 11, the area of the lower surface of the conductive substrate 5 is increased and, similarly to the embodiment , the portion where the conductive substrate 5 and the frame 6 are in contact with each other is seen in a plan view in the frame 6 To do. The photoelectric conversion device 2 shown in the embodiment can improve the stability of the photoelectric conversion device 2 fixed on the base substrate by increasing the area of the lower surface of the conductive substrate 5. Further, similarly to the embodiment , heat transmitted from the conductive substrate 5 to the frame body 6 can be reduced.

<変形例3>
上記変形例2では、導電性基板5の両側面の一部を第1枠体6aの下面に沿って外方に向かって延在するようにしたが、図12に示すように、導電性基板5の一方の側面の一部を第1枠体6aの下面に沿って外方に向かって延在するようにしてもよい。
<Modification 3>
In the second modification, a part of both side surfaces of the conductive substrate 5 extends outward along the lower surface of the first frame 6a. However, as shown in FIG. A part of one side surface of 5 may extend outward along the lower surface of the first frame body 6a.

図12に示す光電変換装置2は、導電性基板5の一方の側面の一部を第1枠体6aの下面に沿って外方に向かって延在している。そして、導電性基板5の他方の側面の一部は、平面視して枠体6内に収まるように設定されている。   In the photoelectric conversion device 2 shown in FIG. 12, a part of one side surface of the conductive substrate 5 extends outward along the lower surface of the first frame 6a. A part of the other side surface of the conductive substrate 5 is set so as to be accommodated in the frame body 6 in plan view.

導電性基板5の一方の側面の一部を第1枠体6aの下面に沿って外方に延在させることで、光電変換装置2中の電流の流れが、導電性基板5から光電変換素子3を介して端子9まで流れるのに、余分な電流が導電性基板5中に分散して流れにくくすることができる。つまり、導電性基板5の他方の側面の一部を延在して設けないことで、導電性基板5の他方の側面の一部に電流が流れず、導電性基板5中に電流が分散しないようにすることができる。   By extending a part of one side surface of the conductive substrate 5 outward along the lower surface of the first frame 6a, the current flow in the photoelectric conversion device 2 is changed from the conductive substrate 5 to the photoelectric conversion element. 3 to flow to the terminal 9, it is possible to make it difficult for excess current to be dispersed in the conductive substrate 5 and flow. That is, by not extending and providing a part of the other side surface of the conductive substrate 5, no current flows through a part of the other side surface of the conductive substrate 5, and no current is distributed in the conductive substrate 5. Can be.

1 光電変換モジュール
2 光電変換装置
3 光電変換素子
4 受光部材
4a フレーム部材
4b レンズ部材
5 導電性基板
6 枠体
6a 第1枠体
6b 第2枠体
6c 支持部
7 導電層
8 集光部材
9 端子
10 ベース基板
11 絶縁層
12 螺子
S1 第1主面領域
S2 第2主面領域
SP 空間
A1 空隙
H 螺子溝
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Photoelectric conversion module 2 Photoelectric conversion apparatus 3 Photoelectric conversion element 4 Light receiving member 4a Frame member 4b Lens member 5 Conductive substrate 6 Frame body 6a 1st frame body 6b 2nd frame body 6c Support part 7 Conductive layer 8 Condensing member 9 Terminal 10 base substrate 11 insulating layer 12 screw S1 first main surface region S2 second main surface region SP space A1 gap H screw groove

Claims (6)

一主面側に第1主面領域と、前記第1主面領域の外周に設けられる第2主面領域とを有する導電性基板と、
前記導電性基板の前記第2主面領域上に形成され、前記第1主面領域を取り囲む枠体と、
前記枠体内の前記第1主面領域上に形成され、下面が前記導電性基板と電気的に接続された光電変換素子と、
前記枠体の内外にわたって設けられるとともに、前記光電変換素子の上面と電気的に接続される導電層と、
前記枠体と接合されるとともに、前記枠体で囲まれる空間を覆う集光部材と、
を備え、前記導電性基板の端部が、平面視して前記枠体で囲まれる領域内に位置していることを特徴とする光電変換装置。

A conductive substrate having a first main surface region on one main surface side and a second main surface region provided on an outer periphery of the first main surface region;
A frame formed on the second main surface region of the conductive substrate and surrounding the first main surface region;
A photoelectric conversion element formed on the first main surface region in the frame and having a lower surface electrically connected to the conductive substrate;
A conductive layer which is provided over the inside and outside of the frame and is electrically connected to the upper surface of the photoelectric conversion element;
A condensing member that is joined to the frame and covers a space surrounded by the frame;
And an end portion of the conductive substrate is located in a region surrounded by the frame body in plan view .

請求項1に記載の光電変換装置であって、
前記導電性基板は、前記第1主面領域の高さ位置が前記第2主面領域の高さ位置よりも高く設定されていることを特徴とする光電変換装置。
The photoelectric conversion device according to claim 1,
The photoelectric conversion device, wherein the conductive substrate is set such that a height position of the first main surface region is higher than a height position of the second main surface region.
請求項2に記載の光電変換装置であって、
前記第1主面領域と前記第2主面領域の間に位置する前記導電性基板の側面と、前記枠体との間には、空隙が設けられていることを特徴とする光電変換装置。
The photoelectric conversion device according to claim 2,
A photoelectric conversion device, wherein a gap is provided between a side surface of the conductive substrate located between the first main surface region and the second main surface region and the frame.
請求項3に記載の光電変換装置であって、
前記導電性基板の一主面側に、前記第2主面領域の外周を取り囲む第3主面領域が形成されており、
前記第3主面領域と前記枠体の下面との間には空隙が設けられていることを特徴とする光電変換装置。
The photoelectric conversion device according to claim 3,
A third main surface region surrounding the outer periphery of the second main surface region is formed on one main surface side of the conductive substrate;
An air gap is provided between the third main surface region and the lower surface of the frame body.
請求項4に記載の光電変換装置が複数個併設されており、隣接する光電変換装置同士の間で、一方の光電変換装置の導電性基板と他方の光電変換装置の導電性基板が接続されていることを特徴とする光電変換モジュール。   A plurality of photoelectric conversion devices according to claim 4 are provided side by side, and a conductive substrate of one photoelectric conversion device and a conductive substrate of the other photoelectric conversion device are connected between adjacent photoelectric conversion devices. A photoelectric conversion module characterized by comprising: 請求項4に記載の光電変換装置が複数個併設されており、隣接する光電変換装置同士の間で、一方の光電変換装置の導電性基板と他方の光電変換装置の導電層とが接続されていることを特徴とする光電変換モジュール。   A plurality of photoelectric conversion devices according to claim 4 are provided side by side, and a conductive substrate of one photoelectric conversion device and a conductive layer of the other photoelectric conversion device are connected between adjacent photoelectric conversion devices. A photoelectric conversion module characterized by comprising:
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6026821B2 (en) * 2011-12-26 2016-11-16 京セラ株式会社 Photoelectric conversion device, photoelectric conversion module, and component for photoelectric conversion device
JP6759778B2 (en) * 2016-07-07 2020-09-23 住友電気工業株式会社 Condensing photovoltaic module, photovoltaic power generation equipment and hydrogen purification system

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6399874B1 (en) * 2001-01-11 2002-06-04 Charles Dennehy, Jr. Solar energy module and fresnel lens for use in same
JP2002289896A (en) * 2001-03-23 2002-10-04 Canon Inc Concentrating solar cell module and concentrating photovoltaic power generation system
JP4698874B2 (en) * 2001-04-24 2011-06-08 ローム株式会社 Image sensor module and method of manufacturing image sensor module
JP2003174183A (en) * 2001-12-07 2003-06-20 Daido Steel Co Ltd Light condensation type photovoltaic generation device
JP2006313810A (en) * 2005-05-09 2006-11-16 Daido Steel Co Ltd Light condensing solar power generator
JP4794402B2 (en) * 2006-09-29 2011-10-19 シャープ株式会社 Solar cell and concentrating solar power generation unit
EP2139046A4 (en) * 2007-04-16 2014-09-24 Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo Technoexan Photovoltaic module
US20090120500A1 (en) * 2007-11-14 2009-05-14 Eric Prather Solar cell package for solar concentrator
US20090183762A1 (en) * 2008-01-18 2009-07-23 Energy Innovations Inc. Low-voltage tracking solar concentrator
CN101981707A (en) * 2008-02-01 2011-02-23 夏普株式会社 Solar battery, light collection type solar power generating module and solar battery manufacturing method

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