JP5441576B2 - Photoelectric conversion device and photoelectric conversion module - Google Patents
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Description
本発明は、光電変換装置、並びにその光電変換装置を用いる光電変換モジュールに関する。 The present invention relates to a photoelectric conversion device and a photoelectric conversion module using the photoelectric conversion device.
近年、光電変換素子を有する光電変換装置の開発が進められている。例示的な光電変換装置としては、太陽エネルギーを電力に変換する太陽電池装置がある。特に、発電効率の向上を目的として、集光型の太陽電池装置の開発が進められている。光電変換装置は、光エネルギーを電力エネルギーに変換する光電変換素子を有している。光電変換装置が例えば太陽電池装置の場合、光電変換素子は、太陽エネルギーを電力エネルギーに変換する太陽電池素子である(例えば、特許文献1,2参照)。
In recent years, development of a photoelectric conversion device having a photoelectric conversion element has been advanced. As an exemplary photoelectric conversion device, there is a solar cell device that converts solar energy into electric power. In particular, for the purpose of improving the power generation efficiency, a concentrating solar cell device is being developed. The photoelectric conversion device includes a photoelectric conversion element that converts light energy into electric power energy. When the photoelectric conversion device is, for example, a solar cell device, the photoelectric conversion element is a solar cell element that converts solar energy into electric power energy (see, for example,
光電変換装置の開発において、放熱性の優れた光電変換装置が求められている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、放熱性の優れた光電変換装置、並びに光電変換モジュールを提供することを目的とする。 In the development of a photoelectric conversion device, a photoelectric conversion device with excellent heat dissipation is required. This invention is made | formed in view of the above, Comprising: It aims at providing the photoelectric conversion apparatus excellent in heat dissipation, and a photoelectric conversion module.
上記課題を解決するために、本発明の第1の態様に係る光電変換装置は、一主面側に第1主面領域と、前記第1主面領域の外周に設けられる第2主面領域とを有する導電性基板と、前記導電性基板の前記第2主面領域上に形成され、前記第1主面領域を取り囲む枠体と、前記枠体内の前記第1主面領域上に形成され、下面が前記導電性基板と電気的に接続された光電変換素子と、前記枠体の内外にわたって設けられるとともに、前記光電変換素子の上面と電気的に接続される導電層と、前記枠体と接合されるとともに、前記枠体で囲まれる空間を覆う集光部材と、を備え、前記導電性基板の端部が、平面視して前記枠体で囲まれる領域内に位置していることを特徴とする。
In order to solve the above problems, a photoelectric conversion device according to a first aspect of the present invention includes a first main surface region on one main surface side and a second main surface region provided on the outer periphery of the first main surface region. Formed on the second main surface region of the conductive substrate and surrounding the first main surface region, and formed on the first main surface region in the frame. A photoelectric conversion element having a lower surface electrically connected to the conductive substrate, a conductive layer electrically connected to the upper surface of the photoelectric conversion element, and the frame body. And a condensing member that covers a space surrounded by the frame body, and that the end of the conductive substrate is located in a region surrounded by the frame body in plan view. Features.
また、本発明の第2の態様に係る光電変換モジュールは、光電変換装置が複数個併設されており、隣接する光電変換装置同士の間で、一方の光電変換装置の導電性基板と他方の光電変換装置の導電性基板が接続されていることを特徴とする。 Further, the photoelectric conversion module according to the second aspect of the present invention includes a plurality of photoelectric conversion devices, and between adjacent photoelectric conversion devices, the conductive substrate of one photoelectric conversion device and the other photoelectric conversion device. A conductive substrate of the conversion device is connected.
また、本発明の第3の態様に係る光電変換モジュールは、光電変換装置が複数個併設されており、隣接する光電変換装置同士の間で、一方の光電変換装置の導電性基板と他方の光電変換装置の導電層とが接続されていることを特徴とする。 Further, the photoelectric conversion module according to the third aspect of the present invention includes a plurality of photoelectric conversion devices, and between adjacent photoelectric conversion devices, the conductive substrate of one photoelectric conversion device and the other photoelectric conversion device. The conductive layer of the conversion device is connected.
本発明によれば、放熱性の優れた光電変換装置、並びに光電変換モジュールを提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photoelectric conversion apparatus excellent in heat dissipation and a photoelectric conversion module can be provided.
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる光電変換モジュール、及び光電変換装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものとする。 Embodiments of a photoelectric conversion module and a photoelectric conversion device according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention shall not be limited to the following embodiment.
<光電変換モジュールの概略構成>
図1は、参考例に係る光電変換モジュールの概観斜視図と、その一部を拡大した分解斜視図である。また、図2は、図1に示す光電変換装置の概観斜視図である。また、図3は、集光部材を取り除いた光電変換装置の概観斜視図である。また、図4は、集光部材を取り除いた光電変換装置の平面図である。また、図5は、光電変換装置の断面図である。
<Schematic configuration of photoelectric conversion module>
FIG. 1 is an overview perspective view of a photoelectric conversion module according to a reference example , and an exploded perspective view in which a part thereof is enlarged. FIG. 2 is a schematic perspective view of the photoelectric conversion device shown in FIG. FIG. 3 is a schematic perspective view of the photoelectric conversion device from which the light collecting member is removed. FIG. 4 is a plan view of the photoelectric conversion device from which the light collecting member is removed. FIG. 5 is a cross-sectional view of the photoelectric conversion device.
参考例に係る光電変換モジュール1は、太陽光を電力に変換する太陽光発電モジュールである。また、参考例に係る光電変換装置2は、光を集光する光電変換素子3を含んでいる。かかる光電変換素子3は、例えば太陽光を集光して発電する機能を備えている。
The
光電変換モジュール1は、複数の光電変換装置2と、光を受光する受光部材4とを含んでいる。受光部材4は、例えばドーム形状のフレネルレンズである。受光部材4は、外部からの光を受光するとともに、受光した光を光電変換装置2に集める機能を備えている。なお、受光部材4は、例えばガラス、プラスチック又は透光性樹脂等からなる。かかる受光部材4は、フレーム部材4aとレンズ部材4bとを含んでおり、レンズ部材4bを取り囲むようにフレーム部材4aにて固定されている。
The
光電変換装置2は、一主面側に第1主面領域S1と、第1主面領域S1の外周に設けられる第2主面領域S2とを有する導電性基板5と、導電性基板5の第2主面領域S2上に形成され、第1主面領域S1を取り囲む枠体6とを含んでいる。さらに、光電変換装置2は、枠体6内の第1主面領域S1上に形成される光電変換素子3と、枠体6上に形成され、枠体6の内外にわたって設けられるとともに、光電変換素子3の上面と電気的に接続される導電層7と、枠体6と接合されるとともに、枠体6で囲まれる空間SPを覆う集光部材8とを含んでいる。
The
導電性基板5は、段差が形成されている。その段差の高さ位置が高い方の面に、第1主面領域S1が形成されている。また、段差の高さ位置が低い方の面に、第2主面領域S2が形成されている。導電性基板5は、導電性の基板であって、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト又はクロム等の金属材料、或いはそれらの合金からなる。また、導電性基板5は、熱電導性の優れた材料からなり、導電性基板5の熱伝導率は、例えば30W/m・K以上500W/m・K以下に設定されている。なお、導電性基板5の熱膨張率は、例えば5×10−6/℃以上25×10−6/℃以下に設定されている。
The
また、光電変換素子3は、第1主面領域S1上に設けられ、導電性基板5と接続される。
In addition, the
光電変換素子3は、例えば、III−V族化合物半導体を含んでいる太陽電池素子である。光電変換素子3は、光起電力効果により、受けた光を即時に電力に変換して出力することができる。例示的な太陽電池素子は、InGaP/GaAs/Ge3接合型セルの構造を有している。インジウムガリウムリン(InGaP)トップセルは、例えば660nm以下の波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。ガリウムヒ素(GaAs)ミドルセルは、例えば660nmから890nmまでの波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。ゲルマニウム(Ge)ボトムセルは、例えば890nmから2000nmまでの波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。3つのセルは、トンネル接合を介して直列に接続されている。開放電圧は、3つのセルの起電圧の和である。なお、光電変換素子3の一辺は、例えば3mm以上15mm以下の長さである。また、光電変換素子3は、例えば0.3mm以上5mm以下の厚みである。
The
光電変換素子3の下面には、下面電極パターンが形成されている。かかる下面電極パターンが、例えば半田を介して導電性基板5と電気的に接続されている。
A lower surface electrode pattern is formed on the lower surface of the
また、光電変換素子3の上面には、上面電極パターンが形成されている。かかる上面電極パターンは、例えばワイヤを介して枠体6上に形成される導電層7と電気的に接続される。
An upper surface electrode pattern is formed on the upper surface of the
ここで、導電性基板5は、正極として機能する。また、導電層7は、負極として機能する。そして、光電変換素子3は、導電性基板5及び導電層7と電気的に接続されており、導電性基板5又は導電層7を介して外部に電気を取り出すことができる。
Here, the
導電性基板5は、第1主面領域S1の高さ位置が第2主面領域S2の高さ位置よりも高く設定されている。そのため、導電性基板5と導電層7との間に流れる電流が、第2主面領域S2よりも高さ位置が高い第1主面領域S1を介して流れる。そして、光電変換素子3の下面と第1主面領域S1との間で電流が流れるため、電流の経路が導電性基板5と導電層7との間で短く設定される。その結果、光電変換素子3で発電した電力のロスを低減した上で、電力を外部に取り出すことができる。
In the
枠体6は、第1主面領域S1を取り囲むように、導電性基板5の第2主面領域S2上に形成される。そして、導電層7は、枠体6の内外にまで延在されている。なお、導電層7は、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト又はクロム等の金属材料、或いはそれらの合金からなる。
The
枠体6は、絶縁性の材料からなり、例えば、アルミナ又はムライト等のセラミック材料、或いはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、枠体6の熱膨張率は、例えば4×10−6/℃以上10×10−6/℃以下に設定されている。なお、枠体6は、導電性基板5上に形成され、光電変換素子3を取り囲む第1枠体6aと、第1枠体6a上に形成され、集光部材8と接続される第2枠体6bから構成されている。
The
第1主面領域S1と第2主面領域S2の間に位置する導電性基板5の側面と、枠体6の第1枠体6aとの間には、空隙A1が設けられている。枠体6の下面の一部と導電性基板5の第2主面領域S2とが接続される。なお、空隙A1の長さは、例えば0.1mm以上3mm以下に設定されている。
A gap A <b> 1 is provided between the side surface of the
導電性基板5と枠体6とは、熱膨張率が異なり、導電性基板5の熱膨張率が枠体6の熱膨張率よりも大きいため、例えば光電変換素子3の発する熱によって、導電性基板5が熱膨張することがある。仮に、第1主面領域S1と第2主面領域S2の間に位置する導電性基板5の側面と、枠体6の内壁面とが接しているとすると、導電性基板5の熱膨張に起因して、導電性基板5が枠体6の内壁面に応力を加え、枠体6にクラックが発生することがある。本実施形態によれば、第1主面領域S1と第2主面領域S2の間に位置する導電性基板5の側面と、枠体6との間に空隙A1を設けることで、導電性基板5が熱膨張を起こしても枠体6と当接しにくいため、枠体6にクラックが発生するのを抑制することができる。
The
また、枠体6の上部には、集光部材8を支持する支持部6cが形成されている。支持部6cは、枠体6の上面から枠体6の内壁面にかけて傾斜している。
A
集光部材8は、空間SPを覆うように、枠体6の支持部6cに接続される。そして、空間SP内に位置する光電変換素子3は、導電性基板5、枠体6及び集光部材8にて囲まれることで気密封止される。また、集光部材8は、枠体6の支持部6cに対して、例えば半田、樹脂又はガラスを介して固着される。
The condensing
集光部材8は、受光部材4を介して透過した光を集光し、集光した光を光電変換素子3に集中させる機能を備えている。なお、集光部材8は、例えばガラス、プラスチック又は透光性樹脂等からなる。
The condensing
また、図5に示すように、枠体6の外部に位置する導電層7上には、外部と電気的に接続する端子9が形成されている。端子9は、光電変換素子3で発電した電力を外部に取り出すためのものである。なお、端子9は、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト又はクロム等の金属材料、或いはそれらの合金からなる。
Further, as shown in FIG. 5, a
図6は、二つの光電変換装置2を電気的に接続した状態を示す、光電変換モジュール1の断面図である。図7は、集光部材を取り除いた複数の光電変換装置2が電気的に直列に接続された状態を示す、光電変換モジュール1の概観斜視図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of the
光電変換装置2は、図6に示すように、ベース基板10上に絶縁層11を介して固定されている。絶縁層11は、例えば、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂等の熱伝導性の優れた樹脂、或いはアルミナ又は窒化アルミ二ウム等のセラミック材料から成る。絶縁層11は、光電変換素子3から導電性基板5に伝わる熱を放散させる機能を備えている。
As shown in FIG. 6, the
ベース基板10は、光電変換装置2に伝わる熱を外部に放熱する機能を備えている。光電変換装置2は、受光部材4を介して伝わる光のエネルギーの一部が、熱に変換されて、発熱する。そのため、ベース基板10は、光電変換装置2と絶縁層11を介して接続されており、光電変換装置2から伝わる熱を吸収して外部に放熱する。なお、ベース基板10は、例えばアルミ二ウム、銅又はモリブデン等の放熱機能を備えた金属材料からなる。
The
また、導電性基板5、絶縁層11及びベース基板10には、平面視して枠体6で囲まれない領域に、螺子溝Hが形成されている。そして、螺子溝Hに、螺子12挿入して、導電性基板5、絶縁層11及びベース基板10を固定する。なお、螺子12は、絶縁性の部材であって、例えばプラスチック又は樹脂等から成る。そのため、螺子12を介して、導電性基板5とベース基板10が電気的に接続されることがなく、光電変換装置2にて発電した電気がベース基板10に流れないように設計されている。
The
図7は、集光部材8を取り除いた光電変換装置2を、電気的に直列に接続した状態を示す複数の光電変換装置2の概観斜視図である。
FIG. 7 is a schematic perspective view of a plurality of
図7に示すように、隣接する光電変換装置2同士の間において、一方の光電変換装置2の導電性基板5が他方の光電変換装置2の導電層7と端子9を介して電気的に接続されている。図7に示すように、光電変換装置2で発電した電気を隣接する光電変換装置2に流して、外部に電気を取り出すことができる。
As shown in FIG. 7, between the adjacent
図8は、集光部材8を取り除いた光電変換装置2を、電気的に並列に接続した状態を示す複数の光電変換装置2の概観斜視図である。
FIG. 8 is a schematic perspective view of a plurality of
図8に示すように、光電変換装置2が複数個併設されており、隣接する光電変換装置2同士の間で、一方の光電変換装置2の導電性基板5と他方の光電変換装置2の導電性基板5が接続されている。図8に示すように、複数の光電変換装置2で発電した電気を、それぞれの光電変換装置2から直接外部に向かって取り出すことができる。
As shown in FIG. 8, a plurality of
参考例によれば、光電変換素子3が導電性基板5上に直接接続されることで、光電変換素子3で発生する熱を導電性基板5に効率良く伝えることができ、光電変換素子3が高温
になるのを有効に抑制することができる。また、光電変換素子3が高温になりにくくすることができ、光電変換素子3の電気的特性が変化するのを効果的に抑制することができる。
According to the reference example , since the
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。 In addition, this invention is not limited to the above-mentioned form, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.
<光電変換モジュールの製造方法>
ここで、図1に示す光電変換モジュール1及び図2に示す光電変換装置の製造方法を説明する。
<Method for producing photoelectric conversion module>
Here, a method for manufacturing the
まず、導電性基板5を準備する。導電性基板5は、導電性基板の鋳型に溶かした導電性金属を注入し、それを冷却して鋳型から取り出すことで作製することができる。
First, the
また、枠体6を準備する。枠体6が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム及び酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤又は溶剤等を添加混合して混合物を得る。
Moreover, the
そして、枠体6の型枠内に、混合物を充填して乾燥させた後、焼結前の枠体6を取り出す。
And after filling the formwork of the
また、タングステン又はモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤又は溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。 Moreover, a high melting point metal powder such as tungsten or molybdenum is prepared, and an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the powder to obtain a metal paste.
そして、取り出した焼結前の第1枠体6aの上面に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って端子9を接合するための導電層7を形成する。そして、第1枠体6a及び第2枠体6bを接合した状態で同時焼成することによって、枠体6を作製することができる。
Then, a
次に、導電性基板5の第2主面領域S2上に枠体6をロウ材等により接合する。そして、枠体6で囲まれる導電性基板5上に光電変換素子3を実装する。そして、光電変換素子3の下面と導電性基板5の上面とを電気的に接続する。さらに、枠体6で囲まれる導電層7上から、光電変換素子3の上面に対して、例えばボンディングワイヤを接続する。
Next, the
次に、枠体6の支持部6cに半田を介して集光部材8を固着する。このようにして、光電変換装置2を作製することができる。
Next, the condensing
次に、光電変換モジュール1の作製方法について説明する。まず、複数個の光電変換装置2と、ベース基板10及び絶縁層11を準備する。なお、光電変換装置2、ベース基板10及び絶縁層11には、螺子溝Hを、予め設けておく。
Next, a method for manufacturing the
ここでは、二つの光電変換装置2の電気的に直列に接続する方法について説明する。一方の光電変換装置2の端子9と他方の光電変換装置2の導電性基板5とが隣り合うように、二つの光電変換装置2を配置する。また、ベース基板10上に絶縁層11を設ける。そして、隣り合う二つの光電変換装置2を絶縁層11上に配置する。
Here, a method of electrically connecting two
次に、絶縁層11上に配置した二つの光電変換装置2の螺子孔Hに対して、螺子12を挿入し、光電変換装置2をベース基板10及び絶縁層11に対して螺子止めすることができる。
Next, the
このようにして、光電変換装置2をベース基板10に固定することができる。同様にして、複数個の光電変換装置2を、絶縁層11を介してベース基板10上に配置して固定する。そして、受光部材4を光電変換装置2上に設けることで、光電変換モジュール1を作製することができる。
In this way, the
<本実施形態>
上記参考例では、平面視して枠体6で囲まれない領域にまで導電性基板5の端部が延在されていたが、これに限られない。例えば、図10に示すように、導電性基板5の端部が、平面視して枠体6で囲まれる領域内に位置していてもよい。
< This embodiment >
In the reference example described above, the end of the
導電性基板5の端部を平面視して枠体6で囲まれる領域内に設けることで、光電変換素子3から導電性基板5に伝わる熱を、枠体6にまで伝わりにくくすることができる。枠体6に光電変換素子3にて発生した熱を伝えにくくすることによって、枠体6から集光部材8に伝わる熱を低減することができる。仮に、枠体6から集光部材8に熱が多く伝わると、枠体6と集光部材8を接続する接続部材が溶けて、集光部材8の位置ずれが発生する虞がある。集光部材8の位置ずれが発生すると、集光部材8を進行する光が空間SPを介して光電変換素子3に集まりにくくなる。その結果、光電変換素子3の発電特性が悪化することになる。一方、本実施形態によれば、導電性基板5の端部を平面視して枠体6で囲まれる領域内に設けることで、導電性基板5から枠体6に伝わる熱を低減することができ、ひいては光電変換素子3の電気特性を良好に維持することができる。
By providing the end portion of the
<変形例1>
上記実施形態では、導電性基板5の端部が、平面視して枠体6で囲まれる領域内に位置するようにしたが、図11に示すように、導電性基板5の両側面の一部を第1枠体6aの下面に沿って外方に向かって延在するようにしてもよい。
<
In the above embodiment , the end portion of the
図11に示す光電変換装置2は、導電性基板6の一主面側に、第2主面領域S2の外周を取り囲む第3主面領域S3が形成されており、第3主面領域S3と枠体6の下面との間には空隙A2が設けられている。
In the
図11に示すように、導電性基板5の下面の面積を大きくするとともに、実施形態と同様に、導電性基板5と枠体6との両者が接する箇所を平面視して枠体6内にする。実施形態に示す光電変換装置2は、導電性基板5の下面の面積を大きくすることで、ベース基板上に固定する光電変換装置2の安定性を向上させることができる。また、実施形態と同様に、導電性基板5から枠体6に伝わる熱を低減することができる。
As shown in FIG. 11, the area of the lower surface of the
<変形例3>
上記変形例2では、導電性基板5の両側面の一部を第1枠体6aの下面に沿って外方に向かって延在するようにしたが、図12に示すように、導電性基板5の一方の側面の一部を第1枠体6aの下面に沿って外方に向かって延在するようにしてもよい。
<
In the second modification, a part of both side surfaces of the
図12に示す光電変換装置2は、導電性基板5の一方の側面の一部を第1枠体6aの下面に沿って外方に向かって延在している。そして、導電性基板5の他方の側面の一部は、平面視して枠体6内に収まるように設定されている。
In the
導電性基板5の一方の側面の一部を第1枠体6aの下面に沿って外方に延在させることで、光電変換装置2中の電流の流れが、導電性基板5から光電変換素子3を介して端子9まで流れるのに、余分な電流が導電性基板5中に分散して流れにくくすることができる。つまり、導電性基板5の他方の側面の一部を延在して設けないことで、導電性基板5の他方の側面の一部に電流が流れず、導電性基板5中に電流が分散しないようにすることができる。
By extending a part of one side surface of the
1 光電変換モジュール
2 光電変換装置
3 光電変換素子
4 受光部材
4a フレーム部材
4b レンズ部材
5 導電性基板
6 枠体
6a 第1枠体
6b 第2枠体
6c 支持部
7 導電層
8 集光部材
9 端子
10 ベース基板
11 絶縁層
12 螺子
S1 第1主面領域
S2 第2主面領域
SP 空間
A1 空隙
H 螺子溝
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記導電性基板の前記第2主面領域上に形成され、前記第1主面領域を取り囲む枠体と、
前記枠体内の前記第1主面領域上に形成され、下面が前記導電性基板と電気的に接続された光電変換素子と、
前記枠体の内外にわたって設けられるとともに、前記光電変換素子の上面と電気的に接続される導電層と、
前記枠体と接合されるとともに、前記枠体で囲まれる空間を覆う集光部材と、
を備え、前記導電性基板の端部が、平面視して前記枠体で囲まれる領域内に位置していることを特徴とする光電変換装置。
A conductive substrate having a first main surface region on one main surface side and a second main surface region provided on an outer periphery of the first main surface region;
A frame formed on the second main surface region of the conductive substrate and surrounding the first main surface region;
A photoelectric conversion element formed on the first main surface region in the frame and having a lower surface electrically connected to the conductive substrate;
A conductive layer which is provided over the inside and outside of the frame and is electrically connected to the upper surface of the photoelectric conversion element;
A condensing member that is joined to the frame and covers a space surrounded by the frame;
And an end portion of the conductive substrate is located in a region surrounded by the frame body in plan view .
前記導電性基板は、前記第1主面領域の高さ位置が前記第2主面領域の高さ位置よりも高く設定されていることを特徴とする光電変換装置。 The photoelectric conversion device according to claim 1,
The photoelectric conversion device, wherein the conductive substrate is set such that a height position of the first main surface region is higher than a height position of the second main surface region.
前記第1主面領域と前記第2主面領域の間に位置する前記導電性基板の側面と、前記枠体との間には、空隙が設けられていることを特徴とする光電変換装置。 The photoelectric conversion device according to claim 2,
A photoelectric conversion device, wherein a gap is provided between a side surface of the conductive substrate located between the first main surface region and the second main surface region and the frame.
前記導電性基板の一主面側に、前記第2主面領域の外周を取り囲む第3主面領域が形成されており、
前記第3主面領域と前記枠体の下面との間には空隙が設けられていることを特徴とする光電変換装置。 The photoelectric conversion device according to claim 3,
A third main surface region surrounding the outer periphery of the second main surface region is formed on one main surface side of the conductive substrate;
An air gap is provided between the third main surface region and the lower surface of the frame body.
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