JP5440818B2 - 電力増幅器およびその動作方法 - Google Patents
電力増幅器およびその動作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5440818B2 JP5440818B2 JP2011536097A JP2011536097A JP5440818B2 JP 5440818 B2 JP5440818 B2 JP 5440818B2 JP 2011536097 A JP2011536097 A JP 2011536097A JP 2011536097 A JP2011536097 A JP 2011536097A JP 5440818 B2 JP5440818 B2 JP 5440818B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- power
- carrier
- peak
- doherty
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 27
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 18
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/411—Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21106—An input signal being distributed in parallel over the inputs of a plurality of power amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21142—Output signals of a plurality of power amplifiers are parallel combined to a common output
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
効率 = (出力信号電力/印加直流電力)×100 [%]
2,2’’、2−1,2−2 ピーク増幅器
3,3’、3” 入力電力分配回路
4,4’、4” 出力電力合成回路
5 FET
6 DCデカップリングコンデンサ
7 入力整合回路
8 出力制御回路
9 RFチョークコイル
10 バイパスコンデンサ
11 直流電源
12 A級もしくはAB級増幅器
13 ドライバ段増幅器(第1の増幅器)
14 最終段増幅器(第2の増幅器)
20、20A 電力増幅器
Claims (11)
- 入力された信号を増幅して出力する電力増幅器であって、
該電力増幅器は、縦続接続された第1乃至第Nの増幅器(Nは2以上の整数)を含み、
前記第1乃至第Nの増幅器の各々の回路構成にドハティ増幅器を使用し、
前記第1乃至第(N−1)の増幅器の少なくとも1つの電力比と前記第Nの増幅器の電力比とが、異なることを特徴とする、電力増幅器。 - 前記Nは2に等しく、
前記第1の増幅器は、X1の飽和出力レベルを持つ第1のキャリア増幅器と、Y1の飽和出力レベルを持つ第1のピーク増幅器とを含み、
前記第2の増幅器は、X2の飽和出力レベルを持つ第2のキャリア増幅器と、Y2の飽和出力レベルを持つ第2のピーク増幅器とを含み、
前記第1の増幅器の電力比を(X1/Y1)とし、前記第2の増幅器の電力比を(X2/Y2)としたとき、(X1/Y1)≠(X2/Y2)である、請求項1に記載の電力増幅器。 - 各キャリア増幅器と各ピーク増幅器がそれぞれ整合回路を備え、それらの整合回路を異なるように制御する、請求項2に記載の電力増幅器。
- 前記第1の増幅器の電力比は1と異なり、前記第2の増幅器の電力比は1に等しい、請求項2に記載の電力増幅器。
- 前記第1の増幅器の電力比は1と異なり、前記第2の増幅器の電力比は1と異なる、請求項2に記載の電力増幅器。
- 前記第1の増幅器の電力比は1に等しく、前記第2の増幅器の電力比は1と異なる、請求項2に記載の電力増幅器。
- 入力された信号を増幅して出力する電力増幅器の動作方法であって、
前記電力増幅器は、縦続接続された第1乃至第Nの増幅器(Nは2以上の整数)を含み、
前記第1乃至第Nの増幅器の各々の回路構成にドハティ増幅器を使用し、
前記第1乃至第(N−1)の増幅器の少なくとも1つの電力比と前記第Nの増幅器の電力比とを、異なるように動作させることを特徴とする、電力増幅器の動作方法。 - 前記Nは2に等しく、
前記第1の増幅器は、X1の飽和出力レベルを持つ第1のキャリア増幅器と、Y1の飽和出力レベルを持つ第1のピーク増幅器とを含み、
前記第2の増幅器は、X2の飽和出力レベルを持つ第2のキャリア増幅器と、Y2の飽和出力レベルを持つ第2のピーク増幅器とを含み、
前記第1の増幅器の電力比を(X1/Y1)とし、前記第2の増幅器の電力比を(X2/Y2)としたとき、
(X1/Y1)≠(X2/Y2)となるように前記電力増幅器を制御することを特徴とする、請求項7に記載の電力増幅器の動作方法。 - 前記第1のキャリア増幅器、前記第1のピーク増幅器、前記第2のキャリア増幅器、および前記第2のキャリア増幅器に、異なる電源電圧を供給することを特徴とする、請求項8に記載の電力増幅器の動作方法。
- 前記第1のキャリア増幅器、前記第1のピーク増幅器、前記第2のキャリア増幅器、および前記第2のキャリア増幅器の搭載温度が異なるように温度制御することを特徴とする、請求項8に記載の電力増幅器の動作方法。
- 前記第1のキャリア増幅器、前記第1のピーク増幅器、前記第2のキャリア増幅器、および前記第2のキャリア増幅器の整合回路が異なるように制御することを特徴とする、請求項8に記載の電力増幅器の動作方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011536097A JP5440818B2 (ja) | 2009-10-13 | 2010-09-27 | 電力増幅器およびその動作方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009235926 | 2009-10-13 | ||
JP2009235926 | 2009-10-13 | ||
PCT/JP2010/067298 WO2011046031A1 (ja) | 2009-10-13 | 2010-09-27 | 電力増幅器およびその動作方法 |
JP2011536097A JP5440818B2 (ja) | 2009-10-13 | 2010-09-27 | 電力増幅器およびその動作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011046031A1 JPWO2011046031A1 (ja) | 2013-03-07 |
JP5440818B2 true JP5440818B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=43876082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011536097A Active JP5440818B2 (ja) | 2009-10-13 | 2010-09-27 | 電力増幅器およびその動作方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8736364B2 (ja) |
EP (1) | EP2490329B1 (ja) |
JP (1) | JP5440818B2 (ja) |
WO (1) | WO2011046031A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102185564A (zh) * | 2011-04-29 | 2011-09-14 | 中兴通讯股份有限公司 | 功率放大装置及功放电路 |
CN102185565A (zh) | 2011-04-29 | 2011-09-14 | 中兴通讯股份有限公司 | 功率放大装置及功放电路 |
CN102170269A (zh) * | 2011-04-29 | 2011-08-31 | 中兴通讯股份有限公司 | 功率放大装置及功放电路 |
CN102158176A (zh) * | 2011-04-29 | 2011-08-17 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种多赫蒂功放装置及功率放大方法 |
CN102170268A (zh) * | 2011-04-29 | 2011-08-31 | 中兴通讯股份有限公司 | 功率放大装置及功放电路 |
CN102170271A (zh) * | 2011-04-29 | 2011-08-31 | 中兴通讯股份有限公司 | 功率放大装置及功放电路 |
CN102427332B (zh) * | 2011-11-28 | 2015-04-08 | 华为技术有限公司 | Doherty功率放大器及提高其功放效率的方法、设备 |
CN103199798B (zh) * | 2013-03-20 | 2015-12-02 | 华为技术有限公司 | 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器 |
JP2015046795A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 株式会社東芝 | 電力増幅装置、及び電力増幅装置の制御方法 |
CN104935276B (zh) * | 2015-07-09 | 2018-03-13 | 中国特种设备检测研究院 | 用于电磁超声导波激励信号生成的线性功率放大装置 |
US11114988B2 (en) * | 2019-05-24 | 2021-09-07 | Cree, Inc. | Doherty amplifier circuit with integrated harmonic termination |
WO2022270537A1 (ja) * | 2021-06-24 | 2022-12-29 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001518731A (ja) * | 1997-09-30 | 2001-10-16 | モトローラ・インコーポレイテッド | 信号を増幅する装置および方法 |
JP2006166141A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドハティ増幅器 |
WO2007015462A1 (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-08 | Mitsubishi Electric Corporation | 高効率増幅器 |
JP2007081800A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドハティ増幅器 |
WO2008053534A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Panasonic Corporation | Doherty amplifier |
JP2008535321A (ja) * | 2005-03-24 | 2008-08-28 | クリー マイクロウェーブ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 多段モジュールを用いた高電力ドハティ増幅器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5444418A (en) * | 1994-07-29 | 1995-08-22 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for feedforward power amplifying |
US5786727A (en) * | 1996-10-15 | 1998-07-28 | Motorola, Inc. | Multi-stage high efficiency linear power amplifier and method therefor |
KR20050031663A (ko) * | 2003-09-30 | 2005-04-06 | 광운대학교 산학협력단 | 도허티 전력 증폭 장치 |
JP4715994B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2011-07-06 | 日本電気株式会社 | ドハティ増幅器並列運転回路 |
KR100654650B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2006-12-08 | 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 | 하이브리드 커플러가 없는 직렬구조의 도허티 증폭기 |
US7573329B2 (en) * | 2006-02-09 | 2009-08-11 | Vt Silicon, Inc. | System and method for IM3 reduction and cancellation in amplifiers |
US8026775B2 (en) * | 2007-02-20 | 2011-09-27 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Decade bandwidth planar MMIC four port transformer |
WO2007123040A1 (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Nec Corporation | 電力増幅器 |
JP5095462B2 (ja) | 2008-03-26 | 2012-12-12 | 本田技研工業株式会社 | 車両のエンジン冷却装置 |
-
2010
- 2010-09-27 WO PCT/JP2010/067298 patent/WO2011046031A1/ja active Application Filing
- 2010-09-27 EP EP10823299.2A patent/EP2490329B1/en active Active
- 2010-09-27 JP JP2011536097A patent/JP5440818B2/ja active Active
- 2010-09-27 US US13/500,723 patent/US8736364B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001518731A (ja) * | 1997-09-30 | 2001-10-16 | モトローラ・インコーポレイテッド | 信号を増幅する装置および方法 |
JP2006166141A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドハティ増幅器 |
JP2008535321A (ja) * | 2005-03-24 | 2008-08-28 | クリー マイクロウェーブ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 多段モジュールを用いた高電力ドハティ増幅器 |
WO2007015462A1 (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-08 | Mitsubishi Electric Corporation | 高効率増幅器 |
JP2007081800A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドハティ増幅器 |
WO2008053534A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Panasonic Corporation | Doherty amplifier |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011046031A1 (ja) | 2011-04-21 |
US20120200353A1 (en) | 2012-08-09 |
EP2490329B1 (en) | 2018-08-29 |
EP2490329A4 (en) | 2017-06-21 |
JPWO2011046031A1 (ja) | 2013-03-07 |
EP2490329A1 (en) | 2012-08-22 |
US8736364B2 (en) | 2014-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5440818B2 (ja) | 電力増幅器およびその動作方法 | |
JP5804267B2 (ja) | ドハティ増幅器 | |
US8466746B2 (en) | Three-stage GaN HEMT doherty power amplifier for high frequency applications | |
Jeong et al. | High-efficiency WCDMA envelope tracking base-station amplifier implemented with GaAs HVHBTs | |
US9484866B2 (en) | Doherty power amplifying circuit and power amplifier | |
JP2004222151A (ja) | ドハーティ増幅器 | |
JP2014217058A (ja) | 非線形ドライバを用いる増幅器 | |
US20220158670A1 (en) | Multistage doherty power amplifier and transmitter | |
Hsu et al. | An envelope tracking supply modulator utilizing a GaN-based integrated four-phase switching converter and average power tracking-based switch sizing with 85.7% efficiency for 5G NR power amplifier | |
Kawai et al. | A high-efficiency low-distortion GaN HEMT Doherty power amplifier with a series-connected load | |
EP2541766A1 (en) | Power amplification tube and power amplification method | |
Bhardwaj et al. | A review of hybrid supply modulators in CMOS technologies for envelope tracking PAs | |
EP1515434A1 (en) | High-frequency amplifier | |
EP2536026A1 (en) | Power amplification tube and power amplification method | |
Cho et al. | N-way distributed Doherty amplifier with an extended efficiency range | |
US10879847B2 (en) | Transmission unit | |
Wood et al. | A high power, high efficiency UMTS amplifier using a novel Doherty configuration | |
Colantonio et al. | Doherty power amplifier and GaN technology | |
US7161433B2 (en) | High-frequency amplifier | |
Kim et al. | Supply modulator for envelope-tracking operation of dual-mode handset power amplifier | |
Ishioka et al. | High-efficiency OFDM power amplifier system using a new polar modulation technique | |
Indumathi et al. | Design of Common-Drain CMOS Power Amplifier for LTE Applications | |
Hu et al. | A 28 GHz MMIC Doherty Power Amplifier with Back-Off Efficiency Enhancement | |
JP2009232373A (ja) | 増幅器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131203 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5440818 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |