JP5429029B2

JP5429029B2 - 放射線撮像装置

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Publication number: JP5429029B2
Application number: JP2010105074A
Authority: JP
Inventors: 正知貝野; 晃一田邊; 敏徳田; 利典吉牟田; 弘之岸原; 聖菜吉松; 敏幸佐藤; 章二桑原
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 2010-04-30
Filing date: 2010-04-30
Publication date: 2014-02-26
Anticipated expiration: 2030-04-30
Also published as: JP2011232282A

Description

本発明は、医療分野および工業分野に使用される、Ｘ線、γ線および赤外線等の放射線を検出する放射線検出器を備えた放射線撮像装置に関する。

従来の放射線撮像装置は、図６に示すように、入射された放射線を検出して放射線検出信号として出力する放射線検出器１０４と、放射線検出器１０４から出力された放射線検出信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器１１０と、デジタル信号に変換された放射線検出信号に対して種々の処理を行う画像処理部１１１とを備えている。

放射線検出器１０４は、支持基板１２５の下側に、放射線に感応して電荷を生成する変換層１２９と、変換層１２９で生成された電荷を収集する複数の接続電極１３３とが形成されている。近年、変換層１２９には、ＣｄＴｅ（テルル化カドミウム）、またはＣｄＺｎＴｅ（テルル化カドミウム亜鉛）の化合物半導体が用いられ、種々の研究・開発が行われている（例えば、特許文献１参照）。また、変換層１２９で生成された電荷はバイアス電界により信号電流となり接続電極１３３を通って、蓄積読み出し回路１２３で蓄積されて読み出される。

画像処理部１１１は、メモリ部１５１、欠陥補正部１５３、オフセット補正部１５７、ゲイン補正部１５９、およびラグ補正部１６１を備え、この順番で処理が行われる。欠陥補正部１５３は、放射線検出信号に基づく放射線画像内で変換層１２９等に起因して点状に現れる点欠陥や、蓄積読み出し回路１２３等に起因してライン状に現れるライン欠陥などの欠陥画素を補正する（例えば、特許文献２参照）。

特許文献２では、欠陥画素の画素値を、その周囲の各画素の画素値を用いて演算し、演算して求めた画素値で置き換えている。そして、画像処理が行われた放射線画像は、モニタ等で構成される表示部に表示される。

特開２００１−２４２２５６号公報特開２００８−１０４１２２号公報

しかしながら、このような構成を有する従来装置の場合には、次のような問題がある。すなわち、支持基板１２５に積層する変換層１２９は、ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅの多結晶体で構成され、ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅの多結晶体は、粒状または柱状または角錐状の結晶粒が配列して形成される。図６に示すように、例えば、結晶粒１６３が隣接する２つの接続電極１３３（画素）にまたがって接続された場合、隣接する２つの接続電極１３３と結晶粒１６３との接続面積比や接触抵抗値により、一方の接続電極１３３では小さい信号電流が流れ、他方の接続電極１３３では過大な信号電流が流れるという現象が発生する。さらに、それらに流れる電流の比率が秒またはサブ秒オーダーで時間的にゆらぐ（変動する）ので、最終的な画像表示の際にその隣接する２つの画素がちらつきとなって現れ、放射線画像の画質を劣化させてしまう。このような異常のある隣接する画素が発生したときは、例えば、画像処理部１１１の欠陥補正部１５３によって、その画素の周囲の画素値から求めた値で埋める処理を行い、目立たないように補正している。しかしながら、その隣接する画素にあたる被検体の情報を失ってしまう。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、取得された放射線画像の画質を向上させることができる放射線撮像装置を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る放射線撮像装置は、ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅの多結晶体で構成され、放射線に感応して電荷を生成する変換層と、前記変換層で生成された電荷を収集する複数の接続電極と、前記接続電極で収集された電荷を蓄積および読み出しする蓄積読み出し回路と、を有する放射線検出器を備え、前記放射線検出器から出力される放射線検出信号に基づいて放射線画像を取得する放射線撮像装置において、前記放射線画像の各画素は、前記接続電極の各々と対応すると共に、前記各画素は、前記接続電極の各々で収集された電荷に基づく放射線強度を表す値である画素値を有し、取得した前記放射線画像のうち、隣接する複数の画素で得られる各画素値が時間的に変動する隣接欠陥画素を、この隣接欠陥画素の複数の画素値で平均化した画素値にそれぞれ置き換える隣接欠陥補正部を備えていることを特徴とするものである。

本発明に係る放射線撮像装置によれば、隣接する複数の画素で得られる各画素値が時間的に変動する隣接欠陥画素を、この隣接欠陥画素の各画素値で平均化した画素値にそれぞれ置き換える隣接欠陥補正部を備えている。隣接欠陥画素の画素値で平均化すると、その画素値が正常画素の範囲内に収まる。そのため、異常画素として欠陥補正されるなどして扱われていた隣接欠陥画素を正常画素として利用できるので、被検体の画素情報を失うことなく、取得された放射線画像の画質を向上させることができる。

また、本発明に係る放射線撮像装置は、放射線非照射時に予め取得した前記放射線画像で放射線照射時に取得した前記放射線画像をオフセット補正するオフセット補正部を備え、前記隣接欠陥補正部は、前記オフセット補正部の前段に配置されていることが好ましい。また、本発明に係る放射線撮像装置は、放射線照射時に取得した前記放射線画像の感度バラツキを補正するゲイン補正部とを備え、前記隣接欠陥補正部は、前記ゲイン補正部の前段に配置されていることが好ましい。また、本発明に係る放射線撮像装置は、前記放射線画像に現れる残像を除去するラグ補正部を備え、前記隣接欠陥補正部は、前記ラグ補正部の前段に配置されていることが好ましい。隣接欠陥画素の異常のある画素の状態でオフセット補正、ゲイン補正、またはラグ補正を行っても、精度の良い補正が行えない。そのため、オフセット補正、ゲイン補正、およびラグ補正の前、すなわち、画像処理の初期段階で隣接欠陥補正を行うことにより、異常のある画素を正常画素の範囲内に収めることができる。そのため、後のオフセット補正、ゲイン補正、またはラグ補正の精度を良くすることができるので、取得される放射線画像の画質を向上させることができる。

本発明に係る放射線撮像装置によれば、隣接する画素で得られる各画素値が時間的に変動する隣接欠陥画素を、この隣接欠陥画素の画素値で平均化した画素値に置き換える隣接欠陥補正部を備えている。隣接欠陥画素の画素値で平均化すると、その画素値が正常画素の範囲内に収まる。そのため、異常画素として欠陥補正されるなどして扱われていた隣接欠陥画素を正常画素として利用できるので、被検体の画素情報を失うことなく、取得された放射線画像の画質を向上させることができる。

実施例に係るＸ線撮像装置の概略構成を示す図である。実施例に係るＸ線検出器の概略構成を示す図である。実施例に係るアクティブマトリックス基板とその周辺の概略構成を示す図である。実施例に係るＸ線検出器と画像処理部の概略構成を示す図である。実施例に係る隣接欠陥補正部の説明に供する図である。従来の放射線撮像装置のＸ線検出器と画像処理部の概略構成を示す図である。

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。図１は、実施例に係るＸ線撮像装置の概略構成を示す図であり、図２は、Ｘ線検出器の概略構成を示す図である。また、図３は、アクティブマトリックス基板とその周辺の概略構成を示す図であり、図４は、Ｘ線検出器と画像処理部の概略構成を示す図である。また、図５は、隣接欠陥補正部の説明に供する図である。

図１を参照する。本実施例では、Ｘ線撮像装置１を放射線撮像装置の一例として説明する。

＜Ｘ線撮像装置＞
本実施例のＸ線撮像装置１は、被検体Ｍが載置される天板２と、天板２に載置された被検体Ｍに向けてＸ線を照射するＸ線管３と、Ｘ線管３と対向して配置され、被検体Ｍを透過したＸ線を検出するＸ線検出器４を備えている。なお、Ｘ線検出器４は、本発明における放射線検出器に相当する。

また、Ｘ線撮像装置１は、Ｘ線管３を移動させるＸ線管移動機構５と、Ｘ線検出器４を移動させるＸ線検出器移動機構６と、それらＸ線管移動機構５およびＸ線検出器移動機構６を制御する撮像系移動制御部７とを備えている。撮像系移動制御部７は、例えば、Ｘ線管３から照射されたＸ線の中心とＸ線検出器４の検出面の中心とが一致する状態が保たれるようにＸ線管移動機構５およびＸ線検出器移動機構６を制御する。

Ｘ線照射用のＸ線管３は照射制御部８で制御される。照射制御部８は、Ｘ線管２の管電圧や管電流を発生させる高電圧発生部９を有している。照射制御部８は、後述する入力部１４等で予め設定された管電圧・管電流などの照射条件に応じて、Ｘ線管３に対してＸ線照射に必要な制御を実行する。

Ｘ線検出器４は、被検体Ｍを透過したＸ線を検出して、Ｘ線画像に相当するＸ線検出信号を出力する。Ｘ線検出器４から出力されるＸ線検出信号は、Ａ／Ｄ変換器１０によって、デジタル信号に変換されて画像処理部１１に送信される。画像処理部１１は、Ａ／Ｄ変換器１０で変換されたデジタル信号に基づき種々の処理を行う。画像処理部１１で処理されたＸ線画像は、動画像である透過画像、または静止画像である撮影画像としてモニタ等で構成される表示部１２に表示される。

また、Ｘ線撮像装置１は、主制御部１３、入力部１４、およびメモリ部１５を備えている。主制御部１３は、ＣＰＵなどによって構成され、各種のプログラムを実行することで、撮像系移動制御部７、照射制御部８、および画像処理部１１等の各構成を適切に動作させる制御を行う。入力部１４では操作者により入力設定が行われる。メモリ部１５は、ＲＯＭ（Read-only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、またはハードディスク等の記憶媒体で構成され、取得したＸ線画像等を記憶する。

＜Ｘ線検出器＞
図２を参照する。Ｘ線検出器４は、Ｘ線を検出する検出側基板２１とアクティブマトリックス基板２３とを貼り合わせて一体となって構成されている。

検出側基板２１は、入射した検出対象のＸ線によって電荷（電子、正孔）を生成し、生成された電荷を複数個の検出素子ＤＵごとに収集した上で取り出すように構成されている。検出側基板２１は、Ｘ線の入射側から順番に、支持基板２５、正孔阻止層２７、変換層２９、電子阻止層３１、および接続電極３３を備えている。なお、符号ｘにＸ線の照射方向を示す。

支持基板２５は、カーボンから形成されるグラファイト等の導電性材料で構成され、支持基板１５には、バイアス電圧Ｖａが印加される。正孔阻止層２７は、ＣｄＳ（硫化カドミウム）、ＺｎＳ（硫化亜鉛）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、またはＳｂ_２Ｓ_３（硫化アンチモン）等の高抵抗Ｎ型半導体で構成され、支持基板２５上に昇華法、蒸着もしくはスパッタ法、化学析出法、または電析法等によって形成される。

変換層２９は、Ｘ線に感応して電荷を生成する。すなわち、支持基板２５にバイアス電圧Ｖａが印加された状態でＸ線が入射されると、そのＸ線の強度に応じて電荷を生成する。変換層２９は、ＣｄＴｅ（テルル化カドミウム）、またはＣｄＺｎＴｅ（テルル化カドミウム亜鉛）等の多結晶体で構成される。変換層２９は、例えば、近接昇華法により形成される。近接昇華法は、ＣｄＴｅの粉末材料の焼結体や、ＣｄＴｅの粉末材料とＺｎ（亜鉛）の混合焼結体を、正孔阻止層２７が形成された支持基板２５に近接配置し、減圧下で加熱して昇華させることで成膜する。変換層２９の厚みは、４００μｍ程である。なお、変換層２９を構成するＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅの多結晶体は、柱状および角錐状の結晶粒が配列して形成される。図２の符号ｃに柱状の結晶粒の一例を示す。

電子阻止層３１は、ＺｎＴｅ、またはＳｂ_２Ｓ_３等のＰ型半導体で構成され、支持基板２５に形成された変換層２９上に、昇華法、蒸着法、スパッタ、化学析出法、または電析法等で形成される。接続電極３３は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、Ａｕ（金）、またはＰｔ（白金）等の導電性材料で形成される。接続電極３３は、二次元マトリックス状に分離して形成されている。なお、分離して形成された接続電極３３の間は、例えば、パッシべーションやアンダーフィルで絶縁されている。また、接続電極３３のピッチ（画素ピッチ）Ｐは、おおよそ８０〜２００μｍの範囲で形成される。

アクティブマトリックス基板２３は、検出側基板２１の変換層２９で生成された電荷の蓄積および読み出しを行う。アクティブマトリックス基板２３は、図２および図３に示すように、検出素子ＤＵが二次元マトリックス状に配列される。検出素子ＤＵには、画素電極３５、コンデンサＣａ、および薄膜トランジスタＴｒが各１個ずつ設けられている。なお、説明の都合上、アクティブマトリックス基板２３は、１０×１０個（画素）の検出素子ＤＵで構成されているものとする。アクティブマトリックス基板２３は、ガラス等で構成される絶縁基板３７上に、画素電極３５、コンデンサＣａ、薄膜トランジスタＴｒ、ゲートラインＧ１〜Ｇ１０、およびデータラインＤ１〜Ｄ１０等がパターン形成されて構成される。

画素電極３５は、ＩＴＯ、Ａｕ、またはＰｔ等の導電性材料で形成される。画素電極３５は、複数の接続電極３３のそれぞれと電気的に接続されている。コンデンサＣａは、変換層２９で生成された電荷を蓄積する。すなわち、変換層２９で生成された電荷が各接続電極３３で収集され、画素電極３５を介して、コンデンサＣａに送られて蓄積される。薄膜トランジスタＴｒは、コンデンサＣａに蓄積された電荷をＯＮ／ＯＦＦを切り替えて読み出すスイッチング素子としての機能を有する。ゲートラインＧ１〜Ｇ１０は、行（横）ごとの薄膜トランジスタＴｒのゲート側に電気的に接続されている。データライン４１は、列（縦）ごとの薄膜トランジスタＴｒの読み出し側に電気的に接続されている。

データラインＤ１〜Ｄ１０の後段には、順番に、電荷電圧変換アンプ３９、およびマルチプレクサ４１が電気的に接続して配置されている。また、ゲートラインＧ１〜Ｇ１０には、ゲート駆動回路４３が電気的に接続して配置されている。

ゲート駆動回路４３は、信号読み出し用の走査信号を各薄膜トランジスタＴｒに送信する。ゲート駆動回路４３によりゲートラインＧ１〜Ｇ１０に電圧が印加されることで薄膜トランジスタＴｒがＯＮになり、コンデンサＣａに蓄積された電荷が、データラインＤ１〜Ｄ１０を介して電荷電圧変換アンプ３９に送信される。電荷電圧変換アンプ３９は電荷を電圧信号に変換し、マルチプレクサ４１は、電荷電圧変換アンプ３９で変換されたデータラインＤ１〜Ｄ１０の電圧信号を１つの電圧信号にまとめて出力する。なお、電荷電圧変換アンプ３９、マルチプレクサ４１、およびゲート駆動回路４３は、フレキシブルプリント基板によってアクティブマトリックス基板２３に接続されている。

＜画像処理部＞
図４を参照する。Ｘ線検出器４から出力されたＸ線検出信号は、Ａ／Ｄ変換器１０でデジタル信号に変換されて画像処理部１１に送信される。画像処理部１１は、メモリ部５１、欠陥補正処理部５３、隣接欠陥補正部５５、オフセット補正部５７、ゲイン補正部５９、およびラグ補正部６１を備えている。

メモリ部５１は、Ａ／Ｄ変換器１０でデジタル信号に変換されたＸ線検出信号を記憶する。欠陥補正部５３は、固定位置に発生する正常画素の範囲から外れた画素値を示す欠陥画素を補正する。欠陥補正部５３は、例えば、欠陥画素に隣接する周囲の正常画素を用いて、それらの画素値の平均値を求めて、求められた画素値を欠陥画素の画素値として埋めて補正される。

隣接欠陥補正部５５は、固定位置に発生する異常のある隣接する画素に対して補正を行う。すなわち、隣接欠陥補正部５５は、隣接する複数の接続電極３３に結晶粒６３がまたがって形成されたことで、隣接する複数の画素間で画素値が時間的に変動する隣接欠陥画素を、この隣接欠陥画素の画素値で平均化した画素値に置き換える補正を行う。隣接欠陥画素は、図４に示すように、変換層２９中の結晶粒６３が複数の接続電極３３にまたがって接続された場合に発生し、接続面積比や接触抵抗値等に依存する。例えば、図５（ａ）に示すように、隣接する２画素間で発生したとき、一方の接続電極３３では小さい電荷が流れ、他方の接続電極３３では過大な電荷が流れるという現象が発生する。それが表示部１２に放射線画像を表示した際に、ちらつきとなって現れる。このちらつきは、固定位置に発生するので、この位置を予め設定することで補正を行うようになっている。なお、結晶粒６３の粒子径はおおよそ１０〜１５０μｍである。

隣接欠陥補正部５５は、予め設定された隣接欠陥画素が発生する位置に基づいて補正が行われる。図５（ａ）に示すように、隣接する２つの接続電極３３（画素）間で結晶粒６３がまたがって接続する場合、画素Ｐ１と画素Ｐ２との画素値を平均化する演算が行われ、求められた値をその画素値として置き換えている。すなわち、Ｐ１′＝Ｐ２′＝（Ｐ１＋Ｐ２）／２により求められた画素値Ｐ１′，Ｐ２′にそれぞれ置き換えられる。

同様に、図５（ｂ）に示すように、隣接する３つの接続電極３３（画素）間で結晶粒６３がまたがって接続する場合、画素Ｐ１、画素Ｐ２、および画素Ｐ４の画素値を平均化する演算を行う。すなわち、Ｐ１′＝Ｐ２′＝Ｐ４′＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ３）／３により求められた画素値Ｐ１′，Ｐ２′，Ｐ４′にそれぞれ置き換えられる。また、図５（ｃ）に示すように、隣接する４つの接続電極３３（画素）間で結晶粒６３がまたがって接続する場合、画素Ｐ１〜画素Ｐ４の画素値を平均化する演算を行う。すなわち、Ｐ１′〜Ｐ４′＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ３＋Ｐ４）／４により求められた画素値Ｐ１′〜Ｐ４′にそれぞれ置き換えられる。一般に結晶粒がＰ_１からＰ_ｎまでのｎ画素にまたがっていた場合、平均化画素値Ｐ′を式（１）で計算して置き換える。

また、図５（ｄ）に示すように、隣接する２つの接続電極３３（画素）間で斜め方向に結晶粒６３がまたがって接続する場合、画素Ｐ１と画素Ｐ４との画素値を平均化する演算を行う。すなわち、Ｐ１′＝Ｐ４′＝（Ｐ１＋Ｐ４）／２により求められた画素値Ｐ１′，Ｐ４′にそれぞれ置き換えられる。

オフセット補正部５７は、Ｘ線を照射していない場合（以下、「Ｘ線非照射時」とする）にＸ線検出器４で出力されたＸ線検出信号を補正する。すなわち、オフセット補正部５７は、Ｘ線非照射時に生じた暗電流のＸ線検出信号に基づくＸ線画像の各画素値をオフセット補正値として予め取得し、被検体Ｍを透過したＸ線を検出して取得したＸ線画像をオフセット補正値で減算する等を行うことで補正する。

ゲイン補正部５９は、Ｘ線を照射した場合（以下、「Ｘ線照射時」とする）にＸ線検出器４で出力されたＸ線検出信号の感度バラツキを補正する。すなわち、ゲイン補正部５９は、Ｘ線照射時に、変換層２９の変換率などの感度バラツキ等に起因するＸ線検出信号に基づくＸ線画像をゲイン補正値として予め取得し、被検体Ｍを透過したＸ線を検出して取得したＸ線画像をゲイン補正値で補正を行う。オフセット補正部５７およびゲイン補正部５９によってそれぞれ補正を行うことで、ダイナミックレンジの適正化と画像ムラをなくす処理を行っている。

ラグ補正部６１は、Ｘ線検出器４で出力されたＸ線検出信号に現れる残像を除去する処理を行う。すなわち、ラグ補正部６１は、リアルタイムで透視する場合にＸ線検出器４からＸ線検出信号を取り出すサンプリング時間の間隔が短い場合など、その取り出しきれない信号の残りが、時間遅れ成分として、次に撮像されたＸ線画像に写り込んでしまう。そこで、Ｘ線検出信号から時間遅れ成分を取り除く、例えば演算処理を行って補正する。

なお、画像処理部１１は、例えば、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等の論理回路の変更可能なハードウェアで構成され、デジタル信号に変換されたＸ線検出信号を演算処理する。

次に、Ｘ線検出器４でＸ線検出信号を出力されたところから、取得した画像が表示部に表示されるまでの動作を説明する。

図４を参照する。Ｘ線検出器４から出力されたＸ線検出信号は、Ａ／Ｄ変換器１０によりアナログ信号からデジタル信号に変換される。デジタル信号に変換されたＸ線検出信号は、一旦、画像処理部１１のメモリ部４９に画像として記憶される。そして、画像処理部１１内において、種々の画像処理が行われる。

メモリ部４９に記憶されたＸ線画像は、初期段階で欠陥補正および隣接欠陥補正が行われる。欠陥補正部５３では、点状やライン状等の欠陥画素を、例えば、欠陥画素の周囲の正常画素を用いて平均化する演算が行われ、求められた画素値を欠陥画素の画素値として置き換える。隣接欠陥補正部５５では、例えば、隣接欠陥画素が図５（ａ）に示すような、２つの接続電極３３（画素）間で結晶粒６３がまたがって接続する場合において、予め設定された位置に発生する隣接欠陥画素に対して、その２つの画素値を足し合わせて、その画素数分、すなわち、２で割る演算を行う。演算して求められた画素値を隣接欠陥画素の元の画素値として置き換える。

欠陥補正部５３および隣接欠陥補正５５で補正されたＸ線画像は、オフセット補正部５７により、予め取得されたオフセット補正値を用いて暗電流の影響を取り除き、また、ゲイン補正部５９により、予め取得されたゲイン補正値を用いて感度バラツキを整える補正を行う。そして、透視画像（動画像）などリアルタイム表示の際には、ラグ補正により、残像を取り除く処理が行われる。なお、画像処理部１１において、例えば、階調変換等のその他必要な画像処理が行われる。

なお、欠陥補正部５３および隣接欠陥補正部５５は、オフセット補正部５７、ゲイン補正部５９、およびラグ補正部６１の前段に配置されている。点欠陥やライン欠陥等の欠陥画素や隣接欠陥画素のように異常のある画素の状態でオフセット補正、ゲイン補正、またはラグ補正を行っても、精度の良い補正が行えない。そのため、オフセット補正、ゲイン補正、およびラグ補正の前、すなわち、画像処理の初期段階で欠陥補正および隣接欠陥補正を行うことにより、異常のある画素を正常画素の範囲内に収めることができる。そのため、その後のオフセット補正、ゲイン補正、またはラグ補正の精度を良くすることができるので、取得される放射線画像の画質を向上させることができる。

画像処理部１１で処理されたＸ線画像は、表示部１２に表示され、また、メモリ部１５に記憶される。

このような構成を備えたＸ線撮像装置１によれば、Ｘ線検出信号に基づくＸ線画像内で、隣接する複数の画素間で得られる画素値が時間的に変動する隣接欠陥画素を、この隣接欠陥画素の各画素値で平均化した画素値にそれぞれ置き換える隣接欠陥補正部５５を備えている。隣接欠陥画素の画素値で平均化すると、その画素値が正常画素の範囲内に収まる。そのため、異常画素として欠陥補正されるなどして扱われていた隣接欠陥画素を正常画素として利用できるので、被検体Ｍの画素情報を失うことなく、取得されたＸ線画像の画質を向上させることができる。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、放射線撮像装置として、Ｘ線を検出するＸ線検出器４を備えたＸ線撮像装置１を一例に挙げて説明したが、この構成に限られない。すなわち、放射性同位元素（ＲＩ）を投与された被検体から放射されるγ線を検出するγ線検出器を備えたＥＣＴ（Emission Computed Tomography）装置であってもよい。

（２）上述した実施例では、Ｘ線検出器４の検出側基板２３において、支持基板２５と変換層２９との間に正孔阻止層２７が、また、変換層２９と接続電極３３との間に電子阻止層３１が形成されていた。しかしながら、この構成に限られない。すなわち、正孔阻止層２７および電子阻止層３１のいずれか一方が形成されている構成であってもよい。また、正孔阻止層２７および電子阻止層３１をいずれも形成されていない構成であってもよい。また、正孔阻止層２７および電子阻止層３１の配置が逆であってもよい。

（３）上述した実施例では、支持基板２５は、グラファイト等の導電性材料で形成され、バイアス電圧Ｖａを印加するようにしていたが、この構成に限られない、すなわち、支持基板２５がガラス等の絶縁性材料で構成される場合は、支持基板２５と正孔阻止層２７（または変換層２９）との間にＩＴＯ、Ａｕ、またはＰｔ等の導電性材料の共通電極を形成して、共通電極にバイアス電圧を印加するようにしてもよい。

（４）上述した実施例では、変換層２９は、近接昇華法で形成されていたが、これに限られない。すなわち、ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅ等の多結晶体で構成される変換層２９を他の方法で形成した場合であって、複数の接続電極３３にまたがって結晶粒が形成され、隣接する画素間で得られる画素値が時間的に変動する隣接欠陥画素が発生したときも適応可能である。

１ … Ｘ線撮像装置
４ … Ｘ線検出器
１１ … 画像処理部
２３ … アクティブマトリックス基板
２９ … 変換層
３３ … 接続電極
５３ … 欠陥補正部
５５ … 隣接欠陥補正部
５７ … オフセット補正部
５９ … ゲイン補正部
６１ … ラグ補正部
６３ … 結晶粒

Claims

ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅの多結晶体で構成され、放射線に感応して電荷を生成する変換層と、前記変換層で生成された電荷を収集する複数の接続電極と、前記接続電極で収集された電荷を蓄積および読み出しする蓄積読み出し回路と、を有する放射線検出器を備え、
前記放射線検出器から出力される放射線検出信号に基づいて放射線画像を取得する放射線撮像装置において、
前記放射線画像の各画素は、前記接続電極の各々と対応すると共に、前記各画素は、前記接続電極の各々で収集された電荷に基づく放射線強度を表す値である画素値を有し、
取得した前記放射線画像のうち、隣接する複数の画素で得られる各画素値が時間的に変動する隣接欠陥画素を、この隣接欠陥画素の各画素値で平均化した画素値にそれぞれ置き換える隣接欠陥補正部を備えていることを特徴とする放射線撮像装置。
請求項１に記載の放射線撮像装置において、
放射線非照射時に予め取得した前記放射線画像で放射線照射時に取得した前記放射線画像をオフセット補正するオフセット補正部を備え、
前記隣接欠陥補正部は、前記オフセット補正部の前段に配置されていることを特徴とする放射線撮像装置。
請求項１または２に記載の放射線撮像装置において、
放射線照射時に取得した前記放射線画像の感度バラツキを補正するゲイン補正部とを備え、
前記隣接欠陥補正部は、前記ゲイン補正部の前段に配置されていることを特徴とする放射線撮像装置。
請求項１から３のいずれかに記載の放射線撮像装置において、
前記放射線画像に現れる残像を除去するラグ補正部を備え、
前記隣接欠陥補正部は、前記ラグ補正部の前段に配置されていることを特徴とする放射線撮像装置。