JP5423953B2 - 電池模擬装置 - Google Patents
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Description
出力電圧が制御される定電圧源と、
前記定電圧源に接続され抵抗値が制御される可変抵抗器と、
前記定電圧源に流れる電流を検出する電流計と、
前記電流計の測定電流に基づく逐次演算結果にしたがって前記定電圧源の出力電圧と前記可変抵抗器の抵抗値を制御する演算部、
とで構成され、
前記可変抵抗器は、
前記演算部から入力される抵抗値データをアナログ信号に変換して出力するD/A変換器と、
このD/A変換器の出力信号をゲート入力としてドレイン−ソース間抵抗を制御するトランジスタ、
を含むことを特徴とする電池模擬装置である。
前記演算部は、メモリに格納されているアルゴリズムとテーブルの少なくともいずれかに従って演算を行うことを特徴とする。
前記アルゴリズムとテーブルの少なくともいずれかを外部から書き換えることができることを特徴とする。
前記トランジスタのドレイン−ソース間の抵抗を測定する抵抗測定回路を設けたことを特徴とする。
Rn=0.05/In
で、各指示電圧毎の抵抗値R1,R2,・・・Rnを算出する。これにより、図8に示すような指示電圧−抵抗値テーブルが作成できる。
R0(t)=VR0(t0)/I(t0)
1)物理素子を使った抵抗成分の高速応答模擬
2)演算による高度で柔軟な応答模擬
というハードウェアによる長所とソフトウェアによる長所を併せ持っている。
a)定量性と再現性に優れた評価ができる
b)作成するのに時間がかかる劣化電池の大量準備が不要となる。
c)充電時間や放電時間および状態遷移時間を短縮もしくはほぼゼロにできる。
d)未入手の仮想的な電池の特性を作ることができる。
41 積分器
42、43 乗算器
44 抵抗演算部
45 電圧演算部
46 減算器
47 応答計算部
5 定電圧源
6 電流計
7 負荷
8 可変抵抗器
81 NチャンネルMOS FET
82 Vgs−Rdsテーブル
83 抵抗デジタル変換装置
84 D/A変換器
85 PチャンネルMOS FET
Claims (4)
- 出力電圧が制御される定電圧源と、
前記定電圧源に接続され抵抗値が制御される可変抵抗器と、
前記定電圧源に流れる電流を検出する電流計と、
前記電流計の測定電流に基づく逐次演算結果にしたがって前記定電圧源の出力電圧と前記可変抵抗器の抵抗値を制御する演算部、
とで構成され、
前記可変抵抗器は、
前記演算部から入力される抵抗値データをアナログ信号に変換して出力するD/A変換器と、
このD/A変換器の出力信号をゲート入力としてドレイン−ソース間抵抗を制御するトランジスタ、
を含むことを特徴とする電池模擬装置。 - 前記演算部は、
メモリに格納されているアルゴリズムとテーブルの少なくともいずれかに従って演算を行うことを特徴とする請求項1記載の電池模擬装置。 - 前記アルゴリズムとテーブルの少なくともいずれかを外部から書き換えることができることを特徴とする請求項2記載の電池模擬装置。
- 前記トランジスタのドレイン−ソース間の抵抗を測定する抵抗測定回路を設けたことを特徴とする請求項1記載の電池模擬装置。
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