JP5418388B2 - Liquid crystal display - Google Patents

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Description

本発明はノート型やデスクトップ型のパソコンやテレビ、および各種の産業用モニタ等に用いられる液晶表示装置に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal display device used for a notebook type or desktop type personal computer or television, and various industrial monitors.

液晶表示装置は、液晶パネル内の複数の液晶セルに電圧を印加させるため、各画素に対応した薄膜トランジスタ(以降TFTと称す)を制御する必要がある。このため液晶パネル内のソース配線(データ配線)に液晶印加電圧を印加するためのソースドライバIC(以降ICは集積回路を意味する)が必要となり、また、同様にゲート配線(走査配線)にTFTのオン/オフ制御するゲート選択信号を印加するためのゲートドライバICが必要となる。   In the liquid crystal display device, it is necessary to control a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) corresponding to each pixel in order to apply a voltage to a plurality of liquid crystal cells in the liquid crystal panel. For this reason, a source driver IC (hereinafter referred to as IC means an integrated circuit) for applying a liquid crystal applied voltage to the source wiring (data wiring) in the liquid crystal panel is required, and the gate wiring (scanning wiring) is similarly TFT. Therefore, a gate driver IC for applying a gate selection signal for controlling on / off is required.

上記ソースドライバICは液晶パネルを駆動する回路部材の中でも特に高価なものである。近年、液晶表示装置に対するコストダウン要求が強まる中、ソースドライバICの使用個数削減に対する様々な検討がなされている。これらの削減案の一つにIC一個当たりの出力本数を増やすことでICの使用個数を減らす方法が周知である。しかし、そのようなIC自体を新規に開発するとなると高額な開発費が必要となる。   The source driver IC is particularly expensive among circuit members for driving the liquid crystal panel. In recent years, various demands for reducing the number of source driver ICs used have been made while the demand for cost reduction for liquid crystal display devices is increasing. As one of these reduction plans, a method of reducing the number of ICs used by increasing the number of outputs per IC is well known. However, when such an IC itself is newly developed, a high development cost is required.

さらに、その他の削減案として1本のソース配線の左右にTFTのソース電極を配置し、左右で異なる表示データに応じた電圧を時分割で印加する動作とし、ソース配線本数を半減させる方法がある(特許文献1ないし3)。   As another reduction plan, there is a method in which the source electrodes of the TFTs are arranged on the left and right sides of one source line, and the voltage corresponding to different display data is applied in a time-sharing manner to halve the number of source lines. (Patent Documents 1 to 3).

特開2007−128035号JP 2007-128035 A 特開平10−171412号JP-A-10-171212 特開2003−255911号JP 2003-255911 A

上述のソース配線本数を半減させる方法を実施する際には、これに対応してゲート配線本数が倍になる。これはゲートドライバICの個数が2倍になることを意味しており、ソースドライバICの削減によるコスト低減効果が小さくなることになる。ソースドライバICの削減のよるコスト減低効果を最大とするためには、液晶パネル内にゲート線駆動回路を形成しゲートドライバICを使わないことが考えられる。   When the above-described method for halving the number of source lines is performed, the number of gate lines is correspondingly doubled. This means that the number of gate driver ICs is doubled, and the cost reduction effect due to the reduction of the source driver ICs is reduced. In order to maximize the cost reduction effect due to the reduction of the source driver IC, it is conceivable that a gate line driving circuit is formed in the liquid crystal panel and the gate driver IC is not used.

このゲート線駆動回路に関しては駆動能力向上の取り組みがなされているが、結晶シリコントランジスタで作られたICと比較するとゲート線の駆動能力が劣っている。一方、ソース配線を半減する上記構成では、画素への書き込みを、広く知られたアクティブマトリクス回路の駆動方法と比較して2倍の周期で行う必要があり、上記ゲート線の駆動能力の低下によってTFTを高速でオン/オフさせることが困難となり、画素への書き込み不足を引き起こす。   Although efforts have been made to improve the driving capability of this gate line driving circuit, the driving capability of the gate line is inferior to an IC made of a crystalline silicon transistor. On the other hand, in the above configuration in which the source wiring is halved, it is necessary to perform writing to the pixel at a cycle twice that of a widely known active matrix circuit driving method, due to a decrease in the driving capability of the gate line. It becomes difficult to turn on / off the TFT at a high speed, resulting in insufficient writing to the pixel.

この問題を解決するため、本来書き込むべき電圧を印加する前からゲート活性化(接続されたTFTがオンする電圧を意味する)期間を設け、その結果、ゲート活性化期間をオーバーラップさせながら駆動する方法(オーバーラップスキャン法)が周知である(特許文献1)。しかし、この方法を用いる場合、ゲート配線とのカップリングの影響により、TFTの配置の違いによって、たとえ表示領域内の全画素に均一の電圧を印加したとしても、液晶セルへの充電電圧に違いが生じ、均一な表示を得ることができない。   In order to solve this problem, a gate activation period (meaning a voltage at which the connected TFT is turned on) is provided before the voltage to be originally written is applied, and as a result, driving is performed while overlapping the gate activation period. A method (overlap scan method) is well known (Patent Document 1). However, when this method is used, due to the coupling with the gate wiring, even if a uniform voltage is applied to all the pixels in the display area due to the difference in TFT arrangement, the charge voltage to the liquid crystal cell is different. As a result, a uniform display cannot be obtained.

例えば、特許文献2の図4に示されたように、同一極性の同一階調を書き込んだとしても、G1ラインにTFT接続された画素はゲート選択信号がオフするタイミングで、G1ラインとの寄生容量分(非図示)でフィードスルーと呼ばれる電圧低下が生じ、その後G2ラインがオフするタイミングでG2ラインとの間で生成している保持容量分で再度フィードスルーが発生し、合計して2回の電圧低下が画素充電電圧に生じる。これに対して、G2ラインにTFT接続された画素はゲート選択信号がオフするタイミングで、図示していないG2ラインとの寄生容量分でのフィードスルーが発生するだけである。同様にその後のG3、G4・・・でもゲート配線に対するTFTの配置位置によって、フィードスルーが2回発生する画素と1回発生する画素が生じ、均一な表示を得ることができない。   For example, as shown in FIG. 4 of Patent Document 2, even if the same gradation with the same polarity is written, the pixel connected to the G1 line with the TFT is parasitic with the G1 line at the timing when the gate selection signal is turned off. A voltage drop called feedthrough occurs for the capacity (not shown), and then feedthrough occurs again for the holding capacity generated with the G2 line at the timing when the G2 line is turned off. Voltage drop occurs in the pixel charging voltage. On the other hand, a pixel connected to the G2 line by TFT only has a feedthrough due to a parasitic capacitance with the G2 line (not shown) at the timing when the gate selection signal is turned off. Similarly, in subsequent G3, G4,..., A pixel in which feedthrough occurs twice and a pixel in which it occurs once occur depending on the arrangement position of the TFT with respect to the gate wiring, and uniform display cannot be obtained.

特許文献1ではオーバーラップスキャン法で均一表示させるため、ソースドライバIC出力であるソース配線駆動電圧(画素書き込み電圧)の印加期間を1H(Hは水平期間、以後Hは水平期間と称す。)の1/2より長くしたり短くしたり制御する方法が提案されている。しかしながら、この方法ではゲート配線とのカップリングの影響によって生じる画素充電電圧の違いは解消されない。   In Patent Document 1, in order to perform uniform display by the overlap scan method, a source wiring drive voltage (pixel writing voltage) application period that is a source driver IC output is 1H (H is a horizontal period, and H is hereinafter referred to as a horizontal period). A method of controlling the length to be longer or shorter than ½ has been proposed. However, this method does not eliminate the difference in pixel charging voltage caused by the coupling effect with the gate wiring.

また、特許文献3では、上記画素充電電圧の違いを補償するために、1H毎に画素書き込み電圧を増減させる方法が提案されている。しかしながら、特許文献3に記載の方法では、駆動電圧の振幅を増減させるのみであり、振幅の中心電圧の補正を実施しておらず、フリッカや焼き付きの問題が解消されない。   Patent Document 3 proposes a method for increasing or decreasing the pixel writing voltage every 1H in order to compensate for the difference in the pixel charging voltage. However, the method described in Patent Document 3 only increases or decreases the amplitude of the drive voltage, does not correct the center voltage of the amplitude, and does not solve the problem of flicker and burn-in.

この発明はソース配線本数を水平解像度×3(R、G、B)の半分に削減し、ゲート配線数を垂直解像度の2倍にした液晶表示パネルにおいて、ゲートオン期間をオーバーラップさせながら駆動する場合における表示の不均一性やフリッカ、焼きつき等の表示不具合を解消することを目的とする。   In the liquid crystal display panel in which the number of source lines is reduced to half of the horizontal resolution × 3 (R, G, B) and the number of gate lines is doubled to the vertical resolution, driving is performed while overlapping the gate-on period. The purpose is to eliminate display defects such as display non-uniformity, flicker, and burn-in.

本発明による液晶表示装置は、複数の走査配線および複数のデータ配線とで囲まれる複数の画素電極が行列状に配置され、該画素電極に接続された複数の薄膜トランジスタを前記走査配線により供給されるゲート選択信号によって導通制御し、前記薄膜トランジスタを介して、前記データ配線により供給される画素書き込み電圧を前記画素電極に供給するようにしたマトリクス基板と、このマトリクス基板に、液晶層を狭持して対向配置された対向基板と、前記走査配線に前記ゲート選択信号を供給するゲートドライバ回路部と、前記データ配線に前記画素書き込み電圧を供給するソースドライバ回路部と、このソースドライバ回路部に対して表示制御データ信号を出力するとともに、前記ゲードライバ回路部に水平走査制御信号を出力するタイミングコントローラと、このタイミングコントローラから階調制御信号を入力し、前記ソースドライバ回路部に階調基準電圧を出力する階調電圧設定回路と、を備えた液晶表示装置において、前記マトリクス基板は、行方向に配列された複数の前記画素電極が、任意の前記データ配線を挟んで行方向に隣接した第1の画素電極と第2の画素電極からなり、前記複数の薄膜トランジスタは、任意の前記データ配線のうちの1本に共通に接続され、前記第1の画素電極を駆動する第1の薄膜トランジスタと、前記第2の画素電極を駆動する第2の薄膜トランジスタとからなり、前記複数の走査配線は、前記第1の薄膜トランジスタと接続された第1の走査配線と、前記第2の薄膜トランジスタと接続された第2の走査配線とからなり、前記第1の画素電極は前記第2の走査配線に接続された保持容量を有し、前記第2の画素電極は前記第1の走査配線に接続された保持容量を有しており、さらに前記ゲート選択信号は、前記第1の走査配線に供給される第1のゲート選択信号と、前記第2の走査配線に供給される第2のゲート選択信号とからなり、さらに前記第1のゲート選択信号は前記第2のゲート選択信号の活性化に先行して活性化され、前記第1のゲート選択信号の活性化期間と、前記第2のゲート選択信号の活性化期間は、所定の期間同時に活性化される重複選択期間を有し、前記第1のゲート選択信号は前記第2のゲート選択信号の非活性化に先行して非活性化され、さらに前記階調電圧設定回路は、2種類の前記階調基準電圧の設定を有し、前記重複選択期間に同期して前記設定を切り替えて、前記第2のゲート選択信号の前記非活性化に対応した前記第1の画素電極で保持される電位の変化を補償することを特徴とする。 In the liquid crystal display device according to the present invention, a plurality of pixel electrodes surrounded by a plurality of scanning lines and a plurality of data lines are arranged in a matrix, and a plurality of thin film transistors connected to the pixel electrodes are supplied by the scanning lines. A matrix substrate that is controlled in conduction by a gate selection signal and supplies a pixel writing voltage supplied by the data wiring to the pixel electrode through the thin film transistor, and a liquid crystal layer sandwiched between the matrix substrate and the matrix substrate. A counter driver substrate, a gate driver circuit section that supplies the gate selection signal to the scanning wiring, a source driver circuit section that supplies the pixel writing voltage to the data wiring, and the source driver circuit section A display control data signal is output, and a horizontal scanning control signal is output to the gate driver circuit unit. And Lee timing controller, in this type the tone control signal from the timing controller, a liquid crystal display device including a gradation voltage setting circuit for outputting a gray scale reference voltage, to the source driver circuit portion, the matrix substrate, the line The plurality of pixel electrodes arranged in the direction are composed of a first pixel electrode and a second pixel electrode adjacent to each other in the row direction across the arbitrary data wiring, and the plurality of thin film transistors include the arbitrary data wiring A first thin film transistor that drives the first pixel electrode and a second thin film transistor that drives the second pixel electrode, and the plurality of scanning wirings are connected to one of the plurality of scanning wirings. It comprises a first and a scan line, the second and the scanning line connected to the second thin film transistor connected to the first thin film transistor, the first The pixel electrode has a storage capacitor connected to the second scan line, the second pixel electrode has a storage capacitor connected to the first scan lines, further the gate selection signal Consists of a first gate selection signal supplied to the first scanning wiring and a second gate selection signal supplied to the second scanning wiring, and the first gate selection signal is Activated prior to the activation of the second gate selection signal, the activation period of the first gate selection signal and the activation period of the second gate selection signal are activated simultaneously for a predetermined period. The first gate selection signal is deactivated prior to the deactivation of the second gate selection signal, and the gradation voltage setting circuit further comprises two kinds of levels. Adjustment reference voltage setting, synchronized with the overlap selection period The setting is switched to compensate for a change in the potential held in the first pixel electrode corresponding to the deactivation of the second gate selection signal .

本発明はソース配線本数を水平解像度×3(R、G、B)の半分にし、さらにCsオンゲート方式の画素構造とした液晶表示パネルにおいてゲート・オーバーラップスキャン駆動する場合でも、走査配線に対する画素配置の違いによるフィードスルーのかかり方の違いを相殺し、表示品位の低下を防止できる。 In the present invention, the number of source lines is half of the horizontal resolution × 3 (R, G, B), and the pixel arrangement with respect to the scan lines even in the case of gate overlap scan driving in a liquid crystal display panel having a Cs on- gate pixel structure. It is possible to offset the difference in the feedthrough due to the difference in display quality and prevent the display quality from deteriorating.

本発明に係る実施の形態1における液晶表示装置の構成図1 is a configuration diagram of a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. 図1における液晶パネルの構成図Configuration diagram of the liquid crystal panel in FIG. 本発明に係る実施の形態1における液晶パネルの駆動タイミング図Drive timing chart of liquid crystal panel in Embodiment 1 according to the present invention 図1に記載の階調電圧設定回路構成図Grayscale voltage setting circuit configuration diagram shown in FIG. 本発明に係る実施の形態2における液晶パネルの駆動タイミング図Timing chart for driving liquid crystal panel according to the second embodiment of the present invention 本発明に係る実施の形態2における階調電圧設定回路構成図Grayscale voltage setting circuit configuration diagram according to the second embodiment of the present invention 本発明に係る実施の形態2の変形例1における液晶パネルの構成図The block diagram of the liquid crystal panel in the modification 1 of Embodiment 2 which concerns on this invention 本発明に係る実施の形態2の変形例2における液晶表示装置の構成図The block diagram of the liquid crystal display device in the modification 2 of Embodiment 2 which concerns on this invention

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、説明が重複して冗長になるのを避けるため、各図において同一または相当する機能を有する要素には同一の符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In order to avoid redundant descriptions, the same reference numerals are given to elements having the same or corresponding functions in each drawing.

実施の形態1.
図1に本発明の実施の形態1における液晶表示装置1のシステム構成図を示す。図1において、液晶パネル10は、一方の基板として複数のソース配線(データ配線)102と複数のゲート配線(走査配線)101、111と交差部に複数の画素をマトリックス状に配置したアクティブマトリックス基板11と、それと対向する他方の基板である対向基板(図示しない)とが所定の間隙を有し張り合わされ、その間隙に図示しない液晶層を挟持している。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 shows a system configuration diagram of a liquid crystal display device 1 according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, a liquid crystal panel 10 includes an active matrix substrate in which a plurality of pixels are arranged in a matrix at a crossing portion with a plurality of source lines (data lines) 102 and a plurality of gate lines (scanning lines) 101 and 111 as one substrate. 11 and a counter substrate (not shown) which is the other substrate opposite to the substrate 11 are bonded together with a predetermined gap, and a liquid crystal layer (not shown) is sandwiched between the gaps.

また、液晶パネル10のゲート配線G、‥‥、G、Gy+1、‥‥、G2mの端部にはゲート配線駆動回路部としてゲートドライバIC群12が接続され、ソース配線S、‥‥、S、Sx+1、‥‥、Sn/2の端部にはソース配線駆動回路部としてソースドライバIC群13が接続され、夫々のIC群はタイミングコントローラ14によって制御される。 Further, the gate wirings G 1 of the liquid crystal panel 10, ‥‥, G y, G y + 1, ‥‥, the gate driver IC group 12 is connected as the gate line drive circuit portion at the end of the G 2m, the source line S 1, .., S x , S x + 1 ,..., S n / 2 are connected to a source driver IC group 13 as a source wiring drive circuit unit, and each IC group is controlled by a timing controller 14.

ここでタイミングコントローラ14は、図示しない外部機器の表示コントローラから入力された表示データ信号および表示クロック、水平同期信号、垂直同期信号などから成る表示制御信号からタイミングの調整などの加工を施し、ソースドライバIC群13に対して液晶パネル10に表示する表示データやタイミング制御信号などからなる表示制御データ信号15を出力するとともに、ゲートドライバIC群12に水平走査制御信号16を出力する回路である。   Here, the timing controller 14 performs processing such as timing adjustment from a display data signal input from a display controller of an external device (not shown) and a display control signal composed of a display clock, a horizontal synchronization signal, a vertical synchronization signal, etc. This is a circuit that outputs a display control data signal 15 including display data to be displayed on the liquid crystal panel 10 and a timing control signal to the IC group 13 and outputs a horizontal scanning control signal 16 to the gate driver IC group 12.

階調電圧設定回路17は、ゲートドライバIC群12とソースドライバIC群13に駆動電圧を供給するDC/DC回路18から階調電圧電源19を入力し、上記タイミングコントローラ14から入力する階調制御信号20に応じて、ソースドライバIC群13に階調基準電圧21を出力する。ソースドライバIC群13は、上記表示制御データ信号15に含まれた表示データに応じて、階調基準電圧21に基づいて、上記ソース配線に画素書き込み電圧を印加する。   The gradation voltage setting circuit 17 receives gradation voltage power supply 19 from a DC / DC circuit 18 that supplies drive voltages to the gate driver IC group 12 and source driver IC group 13, and gradation control that is input from the timing controller 14. In response to the signal 20, the gradation reference voltage 21 is output to the source driver IC group 13. The source driver IC group 13 applies a pixel write voltage to the source line based on the gradation reference voltage 21 in accordance with the display data included in the display control data signal 15.

次に、図2にてm行n列の画素マトリクスで構成された液晶パネル10内の一部表示領域の詳細図を示した。ここでは、先ず説明の簡素化のためにゲート配線101(G、Gy+2)およびゲート配線111(Gy+1、Gy+3)と、ソース配線102(S、Sx+1、Sx+2)に接続された画素マトリクス部を用いて、特定の2つの画素電極105および115を含む画素群103の構成について詳しく説明する。 Next, FIG. 2 shows a detailed view of a partial display region in the liquid crystal panel 10 constituted by a pixel matrix of m rows and n columns. Here, for simplification of description, the gate wiring 101 (G y , G y + 2 ) and the gate wiring 111 (G y + 1 , G y + 3 ) and the source wiring 102 (S x , S x + 1 , S x + 2 ) are first connected. The configuration of the pixel group 103 including the specific two pixel electrodes 105 and 115 will be described in detail using the pixel matrix portion.

図2にて破線で例示した画素群103は、2つの画素で構成され、1本のソース配線102(Sx+1)を跨ぐように配置されており、そのソース配線と2本のゲート配線101(G)および111(Gy+1)との交差部に位置し、その画素群103の左半分にスイッチング素子としてTFT104と画素電極105が配置され、右半分にTFT114と画素電極115が配置されている。左側のTFT104のゲート電極にはゲート配線101(G)が、ソース電極にはソース配線102(Sx+1)が、ドレイン電極には画素電極105が夫々接続さている。また画素電極105は上記対向基板の電極である対向電極107との間に液晶層108を挟んで液晶容量を形成しており、ゲート配線101(G)に印加されるゲート選択信号が“High”レベル(活性化レベル)になるとTFT104がオンし、その時のソース配線102(Sx+1)の電位即ち画素書き込み電圧が画素電極105に書き込まれ、1H経過後ゲート選択信号が“Low”レベル(非活性化レベル)となり、TFT104がオフし書き込まれた電位を1フレーム周期以上前記容量に保持する。 The pixel group 103 illustrated by a broken line in FIG. 2 includes two pixels, and is arranged so as to straddle one source wiring 102 (S x + 1 ). The source wiring and two gate wirings 101 ( Located at the intersection of G y ) and 111 (G y + 1 ), the TFT 104 and the pixel electrode 105 are arranged as switching elements on the left half of the pixel group 103, and the TFT 114 and the pixel electrode 115 are arranged on the right half. . A gate wiring 101 (G y ) is connected to the gate electrode of the left TFT 104, a source wiring 102 (S x + 1 ) is connected to the source electrode, and a pixel electrode 105 is connected to the drain electrode. The pixel electrode 105 forms a liquid crystal capacitor with the liquid crystal layer 108 sandwiched between the counter electrode 107 which is an electrode of the counter substrate, and a gate selection signal applied to the gate wiring 101 (G y ) is “High”. When the "level" (activation level) is reached, the TFT 104 is turned on, and the potential of the source wiring 102 (S x + 1 ) at that time, that is, the pixel write voltage is written to the pixel electrode 105. Activation level), the TFT 104 is turned off, and the written potential is held in the capacitor for one frame period or more.

一方、右側のTFT114のゲート電極にはゲート配線111(Gy+1)が、ソース電極にはソース配線102(Sx+1)が、ドレイン電極には画素電極115が夫々接続さている。さらに画素電極115は上記対向基板の電極である対向電極117との間に液晶層118を挟んで液晶容量を形成しており、ゲート配線111(Gy+1)に印加されるゲート選択信号が“High”レベルになるとTFT114がオンし、その時のソース配線102(Sx+1)の電位即ち画素書き込み電圧が画素電極115に書き込まれ、1H経過後ゲート選択信号が“Low”レベルとなり、TFT114がオフし、書き込まれた電位を1フレーム周期以上前記容量に保持する。ここで画素電極105または115は、液晶パネル10にて画像を表示するための最小単位として機能する。 On the other hand, the gate wiring 111 (G y + 1 ) is connected to the gate electrode of the right TFT 114, the source wiring 102 (S x + 1 ) is connected to the source electrode, and the pixel electrode 115 is connected to the drain electrode. Further, the pixel electrode 115 forms a liquid crystal capacitor with the liquid crystal layer 118 interposed between the counter electrode 117 which is an electrode of the counter substrate, and a gate selection signal applied to the gate wiring 111 (G y + 1 ) is “High”. The TFT 114 is turned on at the “level”, the potential of the source wiring 102 (S x + 1 ) at that time, that is, the pixel write voltage is written to the pixel electrode 115, and after 1H, the gate selection signal becomes the “Low” level, and the TFT 114 is turned off. The written potential is held in the capacitor for one frame period or more. Here, the pixel electrode 105 or 115 functions as a minimum unit for displaying an image on the liquid crystal panel 10.

さらに、図1で示したように液晶パネル10は、TFT104および114、画素電極105および115、ゲート配線101および111およびソース配線102とから成る画素群103が複数マトリクス状に配置されたマトリクス基板11と、対向電極107および117を設けた対向基板(非図示)との間に液晶を封入したm行n列の表示領域を持つ構成となっている。なお、対向電極107および117は、図2にて図示する便宜上分別々に表示されているが、対向基板に1体に配置された透明電極である。   Further, as shown in FIG. 1, the liquid crystal panel 10 includes a matrix substrate 11 in which a plurality of pixel groups 103 including TFTs 104 and 114, pixel electrodes 105 and 115, gate wirings 101 and 111, and source wirings 102 are arranged in a matrix. And a counter substrate (not shown) provided with the counter electrodes 107 and 117 have a display area of m rows and n columns in which liquid crystal is sealed. The counter electrodes 107 and 117 are separately displayed for convenience as shown in FIG. 2, but are transparent electrodes arranged in a single body on the counter substrate.

次に本実施の形態の特徴である液晶パネル10の構成を詳しく説明する。液晶パネル10の一方の基板であるマトリクス基板11では、画素群103を構成する画素電極105および115に、それらに対応するTFT104および114のドレイン電極を夫々接続すると共に、上記TFT104および114のソース電極の両方をソース配線102に接続する(ソース配線共有構造)。また一方のTFT104のゲート電極をゲート配線101に接続すると共に、他方のTFT114のゲート電極をゲート配線111に接続する。また、図2から明らかなようにゲート配線101および111をマトリクス状に配置された複数の画素電極のうち、行方向に並ぶ画素電極105と115の上部と下部にゲート配線を配置することにより、ゲート電極への接続線とゲート配線101または111との配線交差の生じない構造となっている。   Next, the configuration of the liquid crystal panel 10 that is a feature of the present embodiment will be described in detail. In the matrix substrate 11 which is one substrate of the liquid crystal panel 10, the drain electrodes of the TFTs 104 and 114 corresponding to the pixel electrodes 105 and 115 constituting the pixel group 103 are connected to the source electrodes of the TFTs 104 and 114, respectively. Both are connected to the source wiring 102 (source wiring shared structure). In addition, the gate electrode of one TFT 104 is connected to the gate wiring 101, and the gate electrode of the other TFT 114 is connected to the gate wiring 111. Further, as apparent from FIG. 2, among the plurality of pixel electrodes in which the gate lines 101 and 111 are arranged in a matrix, the gate lines are arranged above and below the pixel electrodes 105 and 115 arranged in the row direction. The wiring does not intersect between the connection line to the gate electrode and the gate wiring 101 or 111.

また、それぞれの画素電極105および115は、TFT104および114が接続されたゲート配線と画素電極105および115を挟んで反対側に位置する隣接ゲート配線(TFT104のゲート電極が上段のゲート配線101に接続されるものは下段のゲート配線111と、TFT114のゲートが下段のゲート配線111に接続されるものは上段のゲート配線101と)との間に保持容量106および116を形成する。さらに、図示していないが画素電極105とTFT104間および画素電極115とTFT114間には、夫々接続されたゲート配線や電極に対して寄生容量(ゲート・ドレイン容量:Cgd)が存在する。このようにして画素群103を構成し、同様の画素群103をマトリクス基板11全体にマトリクス状に配置する。上述の接続により画素群中の各々のTFTを独立してオン又はオフ状態に制御できる。   The pixel electrodes 105 and 115 are connected to the gate wiring to which the TFTs 104 and 114 are connected and the adjacent gate wiring on the opposite side across the pixel electrodes 105 and 115 (the gate electrode of the TFT 104 is connected to the upper gate wiring 101). The storage capacitors 106 and 116 are formed between the lower gate wiring 111 and the upper gate wiring 101 where the gate of the TFT 114 is connected to the lower gate wiring 111. Further, although not shown, parasitic capacitance (gate / drain capacitance: Cgd) exists between the pixel electrode 105 and the TFT 104 and between the pixel electrode 115 and the TFT 114 with respect to the gate wiring and electrode connected thereto. In this way, the pixel group 103 is configured, and similar pixel groups 103 are arranged in a matrix on the entire matrix substrate 11. With the above-described connection, each TFT in the pixel group can be independently controlled to be on or off.

すなわち、図2および図3に示すように、ソース配線共有構造の液晶パネル10は、互いに異なるゲート配線G、‥‥、G、Gy+1、‥‥、G2mから供給される互いに異なるゲート選択信号により独立的に選択され、同一のソース配線S、‥‥、S、Sx+1、‥‥Sn/2からの画素書き込み電位を時分割して充電する画素群103を複数備える。 That is, as shown in FIGS. 2 and 3, the liquid crystal panel 10 of the source wiring shared structure, different gate lines G 1 to one another, ‥‥, G y, G y + 1, ‥‥, gates mutually different supplied from G 2m independently is selected by the selection signal, the same source line S 1, ‥‥, provided with a plurality of S x, S x + 1, ‥‥ S n / 2 pixel group 103 for charging by time division pixel writing potential from.

図2において、奇数列に配置される画素(第1の画素)は、各奇数ゲート配線(第1の走査配線)101(G、‥‥、G、Gy+2、Gy+4、‥‥G2m―1)に接続され、各ソース配線102(S、‥‥、S、Sx+1、Sx+2、‥‥、Sn/2)の左側に接続されたTFT104(第1のTFT)と、TFT104に接続された奇数列の第1の画素電極105とを含む。TFT104のソース電極は、各上記ソース配線102の左側から分岐して接続され、ドレイン電極は、第1の画素電極105に接続される。そして、TFT104のゲート電極は、各上記奇数ゲート配線101に接続される。 In FIG. 2, pixels (first pixels) arranged in odd columns are each odd gate wiring (first scanning wiring) 101 (G 1 ,..., G y , G y + 2 , G y + 4 ,... G 2m−1 ) and the TFT 104 (first TFT) connected to the left side of each source wiring 102 (S 1 ,..., S x , S x + 1 , S x + 2 ,..., S n / 2 ) , And odd-numbered first pixel electrodes 105 connected to the TFTs 104. The source electrode of the TFT 104 is branched and connected from the left side of each of the source lines 102, and the drain electrode is connected to the first pixel electrode 105. The gate electrode of the TFT 104 is connected to each odd-numbered gate wiring 101.

偶数列に配置される画素(第2の画素)は、各偶数ゲート配線(第2の走査配線)111(G、‥‥、Gy+1、Gy+3、‥‥、G2m)に接続され、各上記ソース配線102の右側に接続されたTFT114(第2のTFT)と、TFT114に接続された偶数列の第2の画素電極115とを含む。TFT114のソース電極は、各上記ソース配線102の右側から分岐して接続され、ドレイン電極は、第2の画素電極115に接続される。そして、TFT114のゲート電極は、各上記偶数ゲート配線111に接続される。 Pixels (second pixels) arranged in even columns are connected to each even gate wiring (second scanning wiring) 111 (G 2 ,..., G y + 1 , G y + 3 ,..., G 2m ). A TFT 114 (second TFT) connected to the right side of each of the source wirings 102 and the second pixel electrodes 115 in even columns connected to the TFTs 114 are included. The source electrode of the TFT 114 is branched and connected from the right side of each source wiring 102, and the drain electrode is connected to the second pixel electrode 115. The gate electrode of the TFT 114 is connected to each even gate wiring 111.

図1で示したように、各ゲート配線101および111(G、G、‥‥、G、Gy+1、Gy+2、Gy+3、Gy+4、‥‥、G2m−1、G2m)をゲートドライバIC群12の出力端子(非図示)に接続し、各上記ソース配線102をソースドライバIC群13の出力端子(非図示)に接続する。こうすることによりゲート配線,ソース配線各々に独立したソース配線駆動電圧(画素書き込み電圧)を印加することができる。 As shown in FIG. 1, each gate wiring 101 and 111 (G 1 , G 2 ,..., G y , G y + 1 , G y + 2 , G y + 3 , G y + 4 ,..., G 2m−1 , G 2m ) Is connected to an output terminal (not shown) of the gate driver IC group 12, and each source wiring 102 is connected to an output terminal (not shown) of the source driver IC group 13. In this way, an independent source line driving voltage (pixel writing voltage) can be applied to each of the gate line and the source line.

次に本実施の形態の液晶パネルの駆動方法を図3を用いて詳細に説明する。図3は本実施の形態に係わる液晶パネルの駆動タイミング図である。本実施の形態では、上述のゲート・オーバーラップスキャン法を採用しており、図3に示したように、各奇数ゲート配線101(G、‥‥、G、Gy+2、Gy+4、‥‥G2m―1)にはゲートドライバIC群12により1H“High”のTFTオン電圧を保持する奇数ゲート選択信号(第1のゲート選択信号)VG、‥‥、VG、‥‥、VGy+2、‥‥、VG2m−1が順次供給される。そして、各偶数ゲート配線111(G、‥‥、Gy+1、Gy+3、‥‥、G2m)には、ゲートドライバIC群12により1H“High”のTFTオン電圧を保持する偶数ゲート選択信号(第2のゲート選択信号)VG、‥‥、VGy+1、‥‥VG2m)が順次供給される。奇数ゲート選択信号の間(例えば信号VGとVGy+2の間)、あるいは偶数ゲート選択信号の間(例えば信号VGy+1とVGy+3の間)では、重畳期間はないが、隣り合う奇数ゲート選択信号と偶数ゲート選択信号との間(例えば図3の信号VGとVGy+1間、VGy+1とVGy+2間およびVGy+2とVGy+3間)では、H/2だけの重畳期間(重複選択期間)が存在する。 Next, a method for driving the liquid crystal panel of the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. FIG. 3 is a drive timing chart of the liquid crystal panel according to the present embodiment. In this embodiment, the above-described gate overlap scan method is employed, and as shown in FIG. 3, each odd-numbered gate wiring 101 (G 1 ,..., G y , G y + 2 , G y + 4 ,. G 2m-1 ) includes an odd gate selection signal (first gate selection signal) VG 1 ,..., VG y ,. y + 2 ,..., VG 2m−1 are sequentially supplied. Each even gate wiring 111 (G 2 ,..., G y + 1 , G y + 3 ,..., G 2m ) has an even gate selection signal that holds a 1H “High” TFT on voltage by the gate driver IC group 12. (second gate selection signal) VG 2, ‥‥, VG y + 1, ‥‥ VG 2m) are sequentially supplied. There is no overlap period between odd gate selection signals (for example, between signals VG y and VG y + 2 ) or even gate selection signals (for example, between signals VG y + 1 and VG y + 3 ), but adjacent odd gate selection signals. And an even gate selection signal (for example, between signals VG y and VG y + 1, between VG y + 1 and VG y + 2 and between VG y + 2 and VG y + 3 in FIG. 3 ), there is an overlap period (overlap selection period) of only H / 2. Exists.

次にソース配線102の駆動について述べる。先ず液晶パネル10の、例えばy行目の画素を駆動するにはゲート配線101のy番目の出力(ゲート配線G)にゲート選択信号VGを印加してTFT104を少なくともH/2期間以上オン状態にする。実際には、上述したオーバーラップスキャン法の採用により、本来のy行目書き込み期間(「画素105書込期間」=t―t期間)よりも先行して、ゲート配線Gy−1(非図示)の活性化期間内であるt時点にてゲート選択信号Vgyが活性化されており、“High”時間長は1H期間である。この状態でゲート選択信号VGy―1がt時点で“Low”となった後、同時に次の偶数ゲート配線Gy+1のゲート選択信号VGy+1が“High”となり、次のt時点でソースドライバIC群がすべてのソース配線102にy行目の各奇数列画素に対応するソース配線駆動電圧(画素書き込み電圧)を一斉に印加し、y行目の全ての奇数列画素電極(第1の画素電極)に画素書き込み電圧を書き込む。t時点よりH/2経過後t時点でゲート選択信号VGが“Low”レベルとなり、TFT104(第1のTFT)がオフし、ソース配線の左側に配置された奇数列画素電極105に書き込まれた画素書き込み電圧を1フレーム周期以上前記液晶容量に保持する(図3に破線で示した「画素105の電位波形」参照)。この時、上述のようにy行目の全ての偶数列画素電極(第2の画素電極)に接続されたTFT114(第2のTFT)もゲート配線111のGy+1出力のゲート選択信号VGy+1が“High”であるのでオン状態であるが、TFT114はオフからオンへの過渡期であるため、偶数列画素電極115の電位は不定である(図3に破線で示した「画素115の電位波形」参照)。 Next, driving of the source wiring 102 will be described. First, in order to drive, for example, a pixel in the y-th row of the liquid crystal panel 10, the gate selection signal VG y is applied to the y-th output (gate wiring G y ) of the gate wiring 101 to turn on the TFT 104 for at least the H / 2 period. Put it in a state. Actually, by adopting the above-described overlap scan method, the gate wiring G y−1 ((pixel 105 writing period) = t 3 −t 4 period) precedes the original y row writing period (“pixel 105 writing period” = t 3 −t 4 period). The gate selection signal Vgy is activated at time t 1 within the activation period (not shown), and the “High” time length is 1H period. After the gate selection signal VG y-1 becomes "Low" at t 2 when in this state, at the same time the gate selection signal VG y + 1 of the following even gate lines G y + 1 is "High", and the source at the next t 3 time points The driver IC group applies the source wiring drive voltage (pixel writing voltage) corresponding to each odd column pixel in the y row to all the source wirings 102 at the same time, and all the odd column pixel electrodes (first electrodes) in the y row. A pixel writing voltage is written into the pixel electrode). The gate selection signal VG y becomes “Low” level at time t 4 after H / 2 has elapsed from time t 2 , the TFT 104 (first TFT) is turned off, and the odd column pixel electrode 105 disposed on the left side of the source wiring The written pixel writing voltage is held in the liquid crystal capacitor for one frame period or longer (see “potential waveform of the pixel 105” shown by a broken line in FIG. 3). At this time, as described above, the TFT 114 (second TFT) connected to all even-numbered column pixel electrodes (second pixel electrodes) in the y-th row also receives the gate selection signal VG y + 1 of the G y + 1 output of the gate wiring 111. Since it is “High”, it is in the ON state, but since the TFT 114 is in a transition period from OFF to ON, the potential of the even-numbered column pixel electrode 115 is indefinite (“the potential waveform of the pixel 115 shown by a broken line in FIG. "reference).

次にt時点でゲート選択信号VGが“Low”レベルとなった後、同時に次の偶数ゲート選択信号VGy+1が“High”となり、t時点で各偶数列画素115に対応するソース配線駆動電圧(画素書き込み電圧)を一斉に印加し、y行目の全ての偶数列画素電極115(第2の画素電極)に画素書き込み電圧を書き込む(「画素115書込期間」=t―t期間)。その後t時点からH/2経過したt時点でゲート選択信号VGy+1が“Low”レベルとなり、TFT114(第2のTFT)がオフし、書き込まれた画素書き込み電圧を1フレーム周期以上前記液晶容量に保持する(図3に破線で示した「画素115の電位波形」参照)。このようにして1Hの期間において1行目のすべての画素を駆動する。以上を繰り返し、液晶パネル10のゲート配線101および111にH/2期間オーバーラップしながら順次ゲート選択電圧を印加し、全ての画素を駆動する(線順次駆動方法)。 Next, after the gate selection signal VG y becomes “Low” level at time t 4 , the next even gate selection signal VG y + 1 becomes “High” at the same time, and the source wiring corresponding to each even column pixel 115 at time t 5. A driving voltage (pixel writing voltage) is applied all at once, and the pixel writing voltage is written to all even-numbered column pixel electrodes 115 (second pixel electrodes) in the y-th row (“pixel 115 writing period” = t 5 −t 6 periods). Then the gate selection signal VG y + 1 at t 6 the time of the H / 2 has elapsed from t 4 time becomes "Low" level, TFT 114 (second TFT) are turned off, the written pixel writing voltage one frame period or more liquid crystal The capacitance is held (see “the potential waveform of the pixel 115” indicated by a broken line in FIG. 3). In this way, all the pixels in the first row are driven in the 1H period. The above is repeated, and gate selection voltages are sequentially applied to the gate wirings 101 and 111 of the liquid crystal panel 10 while overlapping for the H / 2 period, thereby driving all the pixels (line sequential driving method).

この結果、上記手段を用いることにより、m行n列の画素をもつ液晶マトリクスパネルにおいてゲート配線数が従来例と比較して2倍(2m本)となり、一方のソース配線数が1/2倍(n/2本)となる。   As a result, by using the above means, in the liquid crystal matrix panel having pixels of m rows and n columns, the number of gate lines is doubled (2 m) compared to the conventional example, and the number of source lines on one side is halved. (N / 2).

次に、上述の液晶パネル10のソース配線102の駆動タイミングについて、その詳細を図3を用いて詳しく述べる。図3において、ソース配線102(Sx+1)の駆動波形である信号VSx+1は、そのソース配線を跨ぐようにしてy行目に配置された画素群103に対応している。図3では説明を簡易にするため、液晶パネル10には全画面に同極性の同一階調を書き込む場合を図示している。図3では一例として例えばフレーム反転駆動方法など、奇数フレームにて全画素に+極性を書き込む事例である。図示していないが次フレームでは、全画素に−極性を書き込む。上述したようにゲート配線のゲート選択方法は、本来書き込み開始すべきタイミングtのH/2前から“High”となるようにし、常に2本のゲート配線がH/2期間重複して“High”となるように制御されている。 Next, the driving timing of the source wiring 102 of the liquid crystal panel 10 will be described in detail with reference to FIG. In FIG. 3, a signal VS x + 1 which is a driving waveform of the source wiring 102 (S x + 1 ) corresponds to the pixel group 103 arranged in the y-th line so as to straddle the source wiring. FIG. 3 shows a case where the same gradation and the same gradation are written on the entire screen on the liquid crystal panel 10 in order to simplify the description. FIG. 3 shows an example in which + polarity is written to all pixels in an odd frame, such as a frame inversion driving method. Although not shown, in the next frame, negative polarity is written in all pixels. As described above, the gate selection method of the gate wiring is set to “High” before H / 2 before the timing t 2 when writing should be started, and the two gate wirings always overlap each other for “H / 2” period. It is controlled to become "."

図3において、一点鎖線で示された電位を表示データの画素書き込み目標電圧とすると、各奇数ゲート配線101(G、‥‥、G、Gy+2、Gy+4、‥‥G2m―1)にゲート電極が接続されているTFT104にて、そのドレイン電極に接続されている画素電極105に印加される電圧は、破線で表した「画素105、125の電位波形」でも明らかなようにTFT104のゲート・ドレイン容量Cgd(非図示)の影響による第1フィードスルー電圧Vfと、画素電極105と隣接する各偶数ゲート配線111(G、‥‥、Gy+1、Gy+3、‥‥、G2m)間に設けた保持容量106の影響で、次段のゲート選択信号の“Low”レベルへの立下り時に生じる第2フィードスルー電圧Vfが発生する。 In FIG. 3, when the potential indicated by the alternate long and short dash line is a pixel write target voltage for display data, each odd-numbered gate wiring 101 (G 1 ,..., G y , G y + 2 , G y + 4 ,... G 2m−1 ). In the TFT 104 to which the gate electrode is connected, the voltage applied to the pixel electrode 105 connected to the drain electrode of the TFT 104 is apparent from the “potential waveform of the pixels 105 and 125” shown by a broken line. The first feedthrough voltage Vf 1 due to the influence of the gate / drain capacitance Cgd (not shown) and the even gate wirings 111 (G 2 ,..., G y + 1 , G y + 3 ,..., G 2m adjacent to the pixel electrode 105. ), The second feedthrough voltage Vf 2 generated when the gate selection signal of the next stage falls to the “Low” level is generated.

一方、上記偶数ゲート配線111に接続されるTFT114にて、そのドレイン電極に接続されている画素電極115に印加される電圧は、上記第1フィードスルー電圧Vfは同様に発生するが、上記画素電極115と隣接する上記奇数ゲート配線101間に設けた保持容量116の影響による第2フィードスルーが発生しない(図3に破線で示した「画素115の電位波形」参照)。これは、画素電極115の保持容量116が、前段の上記奇数ゲート配線101との間で設けられた容量であり、この上記奇数ゲート配線101は画素電極115が駆動される前t時点で“Low”レベルとなり、その後1フレーム期間変化しないからである。 On the other hand, at TFT114 is connected to the even gate lines 111, the voltage applied to the pixel electrode 115 connected to the drain electrode, the first feed-through voltage Vf 1 is generated in the same manner, the pixel The second feedthrough due to the influence of the storage capacitor 116 provided between the odd-numbered gate wiring 101 adjacent to the electrode 115 does not occur (see “the potential waveform of the pixel 115” indicated by the broken line in FIG. 3). This is a capacitance in which the storage capacitor 116 of the pixel electrode 115 is provided between the odd-numbered gate wiring 101 in the previous stage, and the odd-numbered gate wiring 101 is “at time t 4 before the pixel electrode 115 is driven”. This is because it becomes “Low” level and does not change for one frame period thereafter.

上記第1フィードスルー電圧Vfは、上記奇数ゲート配線101の活性化時、および上記偶数ゲート配線111の活性化時においてもほぼ同一の値となる電圧であり、対向電極に印加する対向電極電圧VcomのDC電圧をずらす周知の方法で補償される。 The first feedthrough voltage Vf 1 is a voltage that has substantially the same value when the odd-numbered gate wiring 101 is activated and when the even-numbered gate wiring 111 is activated, and the common electrode voltage applied to the common electrode. It is compensated by a known method for shifting the DC voltage of Vcom.

一方、図3にて破線で表した「画素105の電位波形」および「画素125の電位波形」で示された第2フィードスルー電圧Vfを補償するためは、上記奇数ゲート配線101の活性化によって駆動される画素電極105に対してのみ、上記第2フィードスルー電圧Vfを相殺するフィードスルー補償電圧を印加すればよい。そのため、第2フィードスルー電圧補償回路を設け、画素電極105駆動時のみ上記ソース配線102に画素書き込み目標電圧に加えて、ほぼ第2フィードスルー電圧Vfに相当する電圧(フィードスルー補償電圧)分増加させた画素書き込み電圧をかける。上記第2フィードスルー電圧補償回路は、図3の波形Vswで示した前述の階調制御信号20によって制御される。階調制御信号20が“High”時は第2フィードスルー電圧Vfの補償を行い、“Low”時は補償を行わない。従って階調制御信号20は、画素電極105の駆動に同期して“High”となる信号である。 On the other hand, in order to compensate for the second feedthrough voltage Vf 2 indicated by “the potential waveform of the pixel 105” and “the potential waveform of the pixel 125” represented by broken lines in FIG. only the pixel electrode 105 that is driven by, may be applied to feedthrough compensation voltage for canceling the second feed-through voltage Vf 2. Therefore, a second feedthrough voltage compensation circuit is provided, and in addition to the pixel write target voltage on the source line 102 only when the pixel electrode 105 is driven, a voltage (feedthrough compensation voltage) substantially equivalent to the second feedthrough voltage Vf 2 is provided. An increased pixel writing voltage is applied. The second feedthrough voltage compensation circuit is controlled by the gradation control signal 20 shown by the waveform Vsw in FIG. When the gradation control signal 20 is “High”, the second feedthrough voltage Vf 2 is compensated. When the gradation control signal 20 is “Low”, no compensation is performed. Therefore, the gradation control signal 20 is a signal that becomes “High” in synchronization with the driving of the pixel electrode 105.

本実施の形態では、図4に示したように、階調電圧設定回路17内にて1組のラダー抵抗201を用いて各階調電圧出力部Vref、Vref、Vref、‥‥、Vref(q―2)、Vref(q―1)、Vrefを設け、ソースドライバIC群13へ各階調基準電圧21を出力している。ここでqは1以上の自然数で、ソースドライバICの階調仕様に依存する。さらに階調制御信号20(波形Vsw)によって制御されるスイッチ素子としてアナログスイッチ200を用い、ラダー抵抗201の中点Vmから階調電圧電源へ抵抗体を介してプルアップを行うか否かの選択ができるようにしている。ここでは、アナログスイッチ200は、奇数ゲート配線101の活性化によって画素電極105がソース配線102に接続され、そのソース配線102に対応する画素書き込み電圧が印加されるときはオンされ、偶数ゲート配線111の活性化によって画素電極115がソース配線102に接続され、そのソース配線102に対応する画素書き込み電圧が印加されるとはオフである。 In the present embodiment, as shown in FIG. 4, each gradation voltage output unit Vref 0 , Vref 1 , Vref 2 ,..., Vref is used by using a set of ladder resistors 201 in the gradation voltage setting circuit 17. (Q-2) , Vref (q-1) , and Vref q are provided, and each gradation reference voltage 21 is output to the source driver IC group 13. Here, q is a natural number of 1 or more, and depends on the gradation specification of the source driver IC. Further, the analog switch 200 is used as a switch element controlled by the gradation control signal 20 (waveform Vsw), and selection as to whether or not to pull up from the middle point Vm of the ladder resistor 201 to the gradation voltage power source via a resistor. To be able to. Here, the analog switch 200 is turned on when the pixel electrode 105 is connected to the source wiring 102 by the activation of the odd-numbered gate wiring 101 and a pixel write voltage corresponding to the source wiring 102 is applied, and the even-numbered gate wiring 111. When the pixel electrode 115 is connected to the source wiring 102 by activation of the pixel and the pixel writing voltage corresponding to the source wiring 102 is applied, it is off.

階調制御信号20(波形Vsw)が“High”となりアナログスイッチ200がオンとなった場合、すなわち奇数ゲート配線101の活性化時は上述の第2フィードスルー電圧Vfの補償を考慮して、各階調基準電圧21がほぼ第2フィードスルー電圧Vf分高めとなるように設定してある。ここで、本実施の形態ではノーマリーホワイト液晶モードを採用しており、高階調表示(白表示)時にはラダー抵抗201の中点Vm近傍の階調電圧出力部からの電圧が選択使用される駆動電圧が低い電圧であり、一方低階調表示(黒表示)時にはラダー抵抗201の両端部近傍の階調電圧出力部からの電圧が選択使用される高い駆動電圧を必要とする。 When the gradation control signal 20 (waveform Vsw) becomes “High” and the analog switch 200 is turned on, that is, when the odd-numbered gate wiring 101 is activated, the compensation of the second feedthrough voltage Vf 2 is taken into consideration. Each gradation reference voltage 21 is set to be higher by about the second feedthrough voltage Vf by 2 . Here, in this embodiment, a normally white liquid crystal mode is adopted, and in the case of high gradation display (white display), the voltage from the gradation voltage output unit near the middle point Vm of the ladder resistor 201 is selectively used. On the other hand, when the gray scale display (black display) is used, a high drive voltage is required to select and use the voltage from the gray scale voltage output section in the vicinity of both ends of the ladder resistor 201.

さらに、第2フィードスルー電圧Vfは、液晶容量が画素電極に印加される電圧に依存性を持っている(すなわち階調依存性を持っている)ため、第2フィードスルー電圧Vfが、低階調時のそれと比較して大きい電圧となるよう設定してある。 Further, a second feed-through voltage Vf 2, the liquid crystal capacitance (have That gradation dependency) voltage to have a dependency applied to the pixel electrode, the second feed-through voltage Vf 2 is, The voltage is set to be larger than that at the time of low gradation.

このようにして、画素電極105と画素電極115で異なるフィードスルー補償電圧を各画素に印加することによって、最終的な液晶印加電圧の交流成分(振幅)と直流成分(平均値)を同時に揃えることができ表示上の不均一性やフリッカ、焼き付きを解消することができる。   In this way, by applying different feedthrough compensation voltages for the pixel electrode 105 and the pixel electrode 115 to each pixel, the alternating current component (amplitude) and direct current component (average value) of the final liquid crystal applied voltage are simultaneously aligned. It is possible to eliminate display non-uniformity, flicker, and burn-in.

なお、上記階調電圧設定回路17の構成においては、階調制御信号20によって制御されるアナログスイッチ200を用い、ラダー抵抗201の中点Vmから階調電圧電源へ抵抗体を介してプルアップした回路構成を採用したが、他の実施の形態として、ラダー抵抗の中点から接地電源GNDへ抵抗体を介してプルダウンした回路構成を採り、階調制御信号の論理を上述の実施の形態1と反転した構成としてもよい。この場合は、アナログスイッチがオフとなった場合に、第2フィードスルー電圧Vfが補償され、オン時に補償されないようにラダー抵抗およびプルダウン抵抗体の抵抗値を設定する。 In the configuration of the gradation voltage setting circuit 17, the analog switch 200 controlled by the gradation control signal 20 is used to pull up from the middle point Vm of the ladder resistor 201 to the gradation voltage power source via a resistor. Although the circuit configuration is adopted, as another embodiment, a circuit configuration in which the midpoint of the ladder resistor is pulled down from the midpoint of the ladder resistor to the ground power supply GND via a resistor is adopted, and the logic of the gradation control signal is the same as that of the first embodiment. An inverted configuration may be used. In this case, when the analog switch is turned off, the second feed-through voltage Vf 2 is compensated, setting the resistance value of the ladder resistance and the pull-down resistor so as not compensated when on.

実施の形態2.
本実施の形態では、液晶パネル10の画素駆動スキームとして、1行×2列ドット反転駆動方法を採用した。その他の液晶表示装置1のシステム構成、液晶パネル10の構成などは、上述の実施の形態1と同一である。
Embodiment 2. FIG.
In the present embodiment, a 1 × 2 column dot inversion driving method is employed as the pixel driving scheme of the liquid crystal panel 10. Other system configurations of the liquid crystal display device 1, the configuration of the liquid crystal panel 10, and the like are the same as those in the first embodiment.

本実施の形態の液晶パネルの駆動方法を図5を用いて詳細に説明する。図5は、本実施の形態に係わる液晶パネルの駆動タイミング図である。本実施の形態でも、上述の実施の形態2と同様にゲート・オーバーラップスキャン法を採用しており、各ゲート配線G、‥‥、G、Gy+1、‥‥、G2mに印加されるゲート選択信号VG、‥‥、VG、VGy+1、VGy+2、VGy+3、‥‥、VG2mは、上述の図3と同一であるので、詳細な説明は省略する。 A method for driving the liquid crystal panel of this embodiment will be described in detail with reference to FIG. FIG. 5 is a drive timing chart of the liquid crystal panel according to the present embodiment. This embodiment also adopts a gate overlap scan method as in the second embodiment described above, the gate lines G 1, ‥‥, G y, G y + 1, ‥‥, is applied to the G 2m The gate selection signals VG 1 ,..., VG y , VG y + 1 , VG y + 2 , VG y + 3 ,..., VG2m are the same as those in FIG.

次にソース配線102の駆動について述べる。上述にように、1行×2列ドット反転駆動方法を採用したので、ソース配線102(Sx+1)の極性は、図5の波形VSx+1で示したように1H毎に正極性・負極性が反転するよう駆動される。その他、画素書き込み電圧の信号切替わりタイミングなどは、上述の実施の形態1と同様であり、詳細は省略する。 Next, driving of the source wiring 102 will be described. As described above, since the 1 row × 2 column dot inversion driving method is adopted, the polarity of the source wiring 102 (S x + 1 ) is positive / negative for every 1H as shown by the waveform VS x + 1 in FIG. Driven to invert. In addition, the pixel switching voltage signal switching timing and the like are the same as those in the first embodiment, and the details are omitted.

図5において、一点鎖線で示された電位を表示データの画素書き込み目標電圧とすると、各奇数ゲート配線(第1の走査配線)101(G、‥‥、G、Gy+2、Gy+4、‥‥G2m―1)にゲート電極が接続されているTFT104を介して、そのドレイン電極に接続されている画素電極105に書き込まれる電圧には、TFT104のゲート・ドレイン容量Cgdの影響による第1フィードスルー電圧Vfと、画素電極と隣接する次段の各偶数ゲート配線(第2の走査配線)111(G、‥‥、Gy+1、Gy+3、‥‥、G2m)間に設けた保持容量106の影響で次段の偶数ゲート配線の“Low”レベルへの立下り時に生じる第2フィードスルー電圧Vfが発生する(図5に破線で示した「画素105、125の電位波形」参照)。 In FIG. 5, when the potential indicated by the alternate long and short dash line is a pixel write target voltage for display data, each odd-numbered gate wiring (first scanning wiring) 101 (G 1 ,..., G y , G y + 2 , G y + 4 , The voltage written to the pixel electrode 105 connected to the drain electrode via the TFT 104 to which the gate electrode is connected to G 2m-1 ) is the first due to the influence of the gate / drain capacitance Cgd of the TFT 104. Provided between the feedthrough voltage Vf 1 and each even-numbered gate wiring (second scanning wiring) 111 (G 2 ,..., G y + 1 , G y + 3 ,..., G 2m ) adjacent to the pixel electrode. second feed-through voltage Vf 2 occurs occurring during the falling of the "Low" level of the next even-numbered gate lines under the influence of the storage capacitor 106 (shown in dashed lines in FIG. 5 "pixel 105 125 of the potential waveform "reference).

一方、上記偶数ゲート配線111に接続されるTFT114を介して、そのドレイン電極に接続されている画素電極115に書き込まれる電圧は、上記第1フィードスルー電圧Vfは同様に発生するが、上記画素電極と隣接する上記奇数ゲート配線101間に設けた保持容量116の影響による第2フィードスルーが発生しない(図5に破線で示した「画素115、135の電位波形」参照)。これは、画素電極115の保持容量116が、隣接する前段の奇数ゲート配線101との間で設けられた容量であり、この上記奇数ゲート配線101は画素電極115が駆動される前、t時点で“Low”レベルとなり、その後1フレーム期間変化しないからである。 On the other hand, the voltage written to the pixel electrode 115 connected to the drain electrode via the TFT 114 connected to the even-numbered gate wiring 111 is generated in the same manner as the first feedthrough voltage Vf 1. The second feedthrough due to the influence of the storage capacitor 116 provided between the odd-numbered gate wiring 101 adjacent to the electrode does not occur (see “the potential waveform of the pixels 115 and 135” shown by the broken line in FIG. 5). This is a capacitor in which the storage capacitor 116 of the pixel electrode 115 is provided between the adjacent odd-numbered gate wiring 101 and the odd-numbered gate wiring 101 before the pixel electrode 115 is driven, at time t 4. This is because the signal becomes “Low” level and does not change for one frame period thereafter.

上記第1フィードスルー電圧Vfは、上述の実施の形態1と同様に、上記奇数ゲート配線101活性化時および上記偶数ゲート配線111活性化時においてもほぼ同一の値となる電圧であり、対向電極に印加する対向電極電圧VcomのDC電圧をずらす周知の方法で補償される。 The first feedthrough voltage Vf 1 is a voltage having substantially the same value when the odd-numbered gate wiring 101 is activated and when the even-numbered gate wiring 111 is activated, as in the first embodiment. It is compensated by a known method of shifting the DC voltage of the counter electrode voltage Vcom applied to the electrodes.

一方、図5にて破線で表した「画素105の電位波形」および「画素125の電位波形」で示された第2フィードスルー電圧Vfを補償するためは、上記奇数ゲート配線101の活性化によって駆動される画素電極105にのみ、上記第2フィードスルー電圧Vfを相殺する第2フィードスルー補償電圧を印加すればよい。そのため、第2フィードスルー電圧補償回路を設け、画素電極105駆動時のみ上記ソース配線102に画素書き込み目標電圧に加えてほぼ第2フィードスルー電圧Vfに相当する電圧(フィードスルー補償電圧)分増加させた画素書き込み電圧をかける。上記第2フィードスルー電圧補償回路は、図5の信号Vswで示した前述の階調制御信号20によって制御される。階調制御信号20が“High”時は第2フィードスルー電圧Vfの補償を行い、“Low”時は補償を行わない。従って階調制御信号20は、画素電極105の駆動に同期して“High”となる信号である。 On the other hand, in order to compensate for the second feedthrough voltage Vf 2 indicated by “the potential waveform of the pixel 105” and “the potential waveform of the pixel 125” represented by broken lines in FIG. only in the pixel electrode 105 that is driven by, it may be applied to the second feed-through compensation voltage for canceling the second feed-through voltage Vf 2. For this reason, a second feedthrough voltage compensation circuit is provided, and increases only by a voltage (feedthrough compensation voltage) corresponding to the second feedthrough voltage Vf 2 in addition to the pixel write target voltage on the source line 102 only when the pixel electrode 105 is driven. Apply the pixel writing voltage. The second feedthrough voltage compensation circuit is controlled by the above-described gradation control signal 20 indicated by the signal Vsw in FIG. When the gradation control signal 20 is “High”, the second feedthrough voltage Vf 2 is compensated. When the gradation control signal 20 is “Low”, no compensation is performed. Therefore, the gradation control signal 20 is a signal that becomes “High” in synchronization with the driving of the pixel electrode 105.

本実施の形態における階調電圧設定回路17の構成図を図6に示す。図6で示したように、階調電圧設定回路17内にて2組のラダー抵抗201と202を配置し、ソースドライバIC群13への各階調電圧出力部Vref、Vref、‥‥、Vref(q―1)、Vref内に階調制御信号20(Vsw)によって制御されるスイッチ素子としてアナログスイッチ200を挿入し、ラダー抵抗201かラダー抵抗202かのいずれかで発生する階調電圧を選択することで階調電圧の切り替えを行い、異なる2種類の階調基準電圧21の電圧設定を発生する。ここでqは1以上の自然数で、ソースドライバICの階調仕様に依存する。また、ラダー抵抗201側が奇数ゲート配線101の活性化によって駆動される画素電極105用であり、ラダー抵抗202側が偶数ゲート配線111の活性化によって駆動される画素電極115用である。 FIG. 6 shows a configuration diagram of the gradation voltage setting circuit 17 in the present embodiment. As shown in FIG. 6, two sets of ladder resistors 201 and 202 are arranged in the gradation voltage setting circuit 17, and each gradation voltage output unit Vref 0 , Vref 1 ,. An analog switch 200 is inserted as a switch element controlled by the gradation control signal 20 (Vsw) in Vref (q-1) and Vref q , and the gradation voltage generated by either the ladder resistor 201 or the ladder resistor 202 The gradation voltage is switched by selecting, and two different kinds of gradation reference voltages 21 are set. Here, q is a natural number of 1 or more, and depends on the gradation specification of the source driver IC. The ladder resistor 201 side is for the pixel electrode 105 driven by the activation of the odd-numbered gate wiring 101, and the ladder resistance 202 side is for the pixel electrode 115 driven by the activation of the even-numbered gate wiring 111.

ラダー抵抗202は、上述の第2フィードスルー電圧Vfの補償を考慮して、階調設定電圧がラダー抵抗201のそれと比較して第2フィードスルー電圧Vf分高めに設定してある。第2フィードスルー電圧Vfは、液晶容量が画素電極に印加される電圧に依存性を持っている(すなわち階調依存性を持っている)ため、階調毎に異なっており、それに対応してラダー抵抗201と201の抵抗値を適切に設定すれば、最適な階調基準電圧21の電圧設定および第2フィードスルー電圧Vf補償を実施することができる。その結果、最終的な液晶印加電圧の交流成分(振幅)と直流成分(平均値)を同時に揃えることができ表示上の不均一性やフリッカ、焼き付きを解消することができる。 Ladder resistor 202, taking into account the second compensation of feedthrough voltage Vf 2 described above, the gradation setting voltage is set to a second feed-through voltage Vf 2 minutes increased compared to that of the ladder resistor 201. Second feed-through voltage Vf 2, since the liquid crystal capacitance has a dependence on the voltage applied to the pixel electrode (i.e. has a gradation dependency) are different for each gradation, correspondingly If the resistance values of the ladder resistors 201 and 201 are appropriately set, the optimum voltage setting of the gradation reference voltage 21 and the second feedthrough voltage Vf 2 compensation can be performed. As a result, the alternating current component (amplitude) and direct current component (average value) of the final liquid crystal applied voltage can be aligned at the same time, and display non-uniformity, flicker, and image sticking can be eliminated.

変形例1.
図2は、あくまでアクティブマトリックス基板11の画素配列構成の1例であり、画素内におけるTFTの配置は図2ように上側配置と下側配置と交互に規則的に並ぶものもあれば、図7の(a)や(b)のように下側、下側、上側、上側と並ぶ場合もあり、限定されるものではない。
Modification 1
FIG. 2 is merely an example of the pixel arrangement configuration of the active matrix substrate 11. The arrangement of TFTs in the pixel may be regularly arranged alternately in an upper arrangement and a lower arrangement as shown in FIG. As in (a) and (b), there are cases where they are aligned with the lower side, the lower side, the upper side, and the upper side, and are not limited.

変形例2.
図8に液晶パネル10内にゲートドライバ回路部としてゲート配線駆動回路120を作りこみ、ゲートドライバICを使わない実施の形態を例示した。上述の実施の形態1および2で示した1本のソース配線を2つの画素で兼用してソース配線数を半減させるマトリクス配線の構成を採ると、ゲート配線数が逆に2倍必要になる。これはゲートドライバICの個数が倍になることを意味しており、ソースドライバICの半減によるコスト低減効果が小さくなることになる。ソースドライバIC削減のコスト低減効果を最大限生かすためには、図8に示したように液晶パネル10内にゲート配線駆動回路120を形成し、ゲートドライバICを不要とすることが考えられる。ゲート配線駆動回路120に関しては種々の駆動能力向上の取り組みがなされているが、結晶シリコンで作られたICと比較すると駆動能力が落ちてしまう。上述のゲート・オーバーラップ駆動方法を採用することにより、画素への書き込みを従来と比較して2倍の周期(書き込み期間はH/2となる)で行っても、画素への書き込み不足を回避することができる。
Modification 2
FIG. 8 illustrates an embodiment in which a gate wiring driving circuit 120 is formed as a gate driver circuit portion in the liquid crystal panel 10 and no gate driver IC is used. If the configuration of the matrix wiring that reduces the number of source wirings by halving the number of source wirings by using one source wiring shown in Embodiments 1 and 2 in common with two pixels, the number of gate wirings is doubled. This means that the number of gate driver ICs is doubled, and the cost reduction effect due to halving of the source driver ICs is reduced. In order to make the most of the cost reduction effect of the source driver IC reduction, it is conceivable to form the gate wiring drive circuit 120 in the liquid crystal panel 10 as shown in FIG. Various efforts have been made to improve the driving capability of the gate wiring driving circuit 120, but the driving capability is reduced as compared with an IC made of crystalline silicon. By adopting the gate overlap driving method described above, even if writing to the pixel is performed twice as long as the conventional method (writing period is H / 2), insufficient writing to the pixel is avoided. can do.

また、上述の実施の形態1においては、液晶パネルの画素駆動スキームの例として、フレーム反転駆動方式を例示した。さらに実施の形態2においては、1行×2列ドット反転駆動方法を例示したが、その他の駆動スキームも本発明が採用可能であり、さらに各画素に書き込む画素書き込み電圧自体は液晶パネルに表示する表示データに依存することは言うまでもない。   In the first embodiment, the frame inversion driving method is exemplified as an example of the pixel driving scheme of the liquid crystal panel. Furthermore, in the second embodiment, the 1 × 2 dot inversion driving method is exemplified, but the present invention can be applied to other driving schemes, and the pixel writing voltage itself written to each pixel is displayed on the liquid crystal panel. Needless to say, it depends on the display data.

上述の実施の形態1および2では、画素電極が対向する対向電極が対向基板に配置された液晶パネルの構成を例示したが、対向電極は必ずしも対向基板に配置される必用はなく、いわゆるIPSやFFS構造など、対向電極がアクティブマトリックス基板側に配置された構成でもよい。   In the first and second embodiments described above, the configuration of the liquid crystal panel in which the counter electrode opposed to the pixel electrode is disposed on the counter substrate is illustrated. However, the counter electrode is not necessarily disposed on the counter substrate. A configuration in which the counter electrode is disposed on the active matrix substrate side, such as an FFS structure, may be employed.

上述の実施の形態1および2では、画素電極はTFTの反対側に位置する隣接ゲート配線との間に保持容量Csを形成しているCsオンゲート方式の画素構造について例示したが、各画素の保持容量に共通に接続される共通配線をゲート配線またはソース配線と平行に配置し、この共通配線に対向電極電位Vcomを供給するようにした、保持容量電極共通配線方式の画素構造についても本発明が採用可能である。この場合、上記第2フィードスルー電圧は、画素電極と隣接する次段のゲート配線間の寄生容量が主要因となるため、補正する電圧は、上記Csオンゲート方式の場合と比較して小さくなる。   In the above-described first and second embodiments, the pixel electrode is exemplified by the Cs on-gate pixel structure in which the storage capacitor Cs is formed between the pixel electrode and the adjacent gate wiring located on the opposite side of the TFT. The present invention also relates to a pixel structure of a storage capacitor electrode common wiring system in which a common wiring connected in common to a capacitor is arranged in parallel with a gate wiring or a source wiring and a common electrode potential Vcom is supplied to the common wiring. It can be adopted. In this case, since the second feedthrough voltage is mainly caused by the parasitic capacitance between the next-stage gate wiring adjacent to the pixel electrode, the voltage to be corrected is smaller than that in the case of the Cs on-gate method.

上述のオーバーラップスキャン法において、奇数ゲート配線と偶数ゲート配線間で重複して活性化される期間をH/2として説明したが、この期間としては特にH/2である必要はなく、TFTが画素電極を十分駆動できる所定の長さの以上の期間であればよい。   In the above-described overlap scan method, the period of overlapping activation between the odd-numbered gate wiring and the even-numbered gate wiring has been described as H / 2. However, this period is not particularly required to be H / 2, and the TFT The period may be longer than a predetermined length that can sufficiently drive the pixel electrode.

10 液晶パネル
11 マトリクス基板
12 ゲートドライバIC群
13 ソースドライバIC群
14 タイミングコントローラ
15 表示制御データ信号
16 水平走査制御信号
17 階調電圧設定回路
20 階調制御信号(Vsw)
21 階調基準電圧(Vref)
101、G、G、Gy+2、Gy+4、G2m−1 奇数ゲート配線(奇数ゲート配線)
102 ソース配線(データ配線)
103 画素群
104、114 薄膜トランジスタ(TFT)
105、115 画素電極
106、116 保持容量(Cs)
107、117 対向電極
108、118 液晶層
111、G、Gy+1、Gy+3、G2m 偶数ゲート配線(偶数ゲート配線)
120 ゲート配線駆動回路
200 アナログスイッチ
201、202 ラダー抵抗
VG、VG、VGy+1、VGy+2、VGy+3、VG2m―1、VG2m ゲート選択信号
VSx+1 画素書き込み電圧
10 Liquid crystal panel 11 Matrix substrate 12 Gate driver IC group 13 Source driver IC group 14 Timing controller 15 Display control data signal 16 Horizontal scanning control signal 17 Gradation voltage setting circuit 20 Gradation control signal (Vsw)
21 Gradation reference voltage (Vref)
101, G 1, G y, G y + 2, G y + 4, G 2m-1 odd gate lines (odd gate lines)
102 Source wiring (data wiring)
103 Pixel group 104, 114 Thin film transistor (TFT)
105, 115 Pixel electrodes 106, 116 Retention capacitance (Cs)
107, 117 Counter electrode 108, 118 Liquid crystal layer 111, G 2 , G y + 1 , G y + 3 , G 2m Even gate wiring (even gate wiring)
120 gate line drive circuit 200 analog switch 201, 202 ladder resistor VG 1, VG y, VG y + 1, VG y + 2, VG y + 3, VG 2m-1, VG 2m gate selection signal VS x + 1 pixel write voltage

Claims (4)

複数の走査配線および複数のデータ配線とで囲まれる複数の画素電極が行列状に配置され、該画素電極に接続された複数の薄膜トランジスタを前記走査配線により供給されるゲート選択信号によって導通制御し、前記薄膜トランジスタを介して、前記データ配線により供給される画素書き込み電圧を前記画素電極に供給するようにしたマトリクス基板と、
該マトリクス基板に、液晶層を挟持して対向配置された対向基板と、
前記走査配線に前記ゲート選択信号を供給するゲートドライバ回路部と、
前記データ配線に前記画素書き込み電圧を供給するソースドライバ回路部と、
該ソースドライバ回路部に対して表示制御データ信号を出力するとともに、前記ゲートドライバ回路部に水平走査制御信号を出力するタイミングコントローラと、
該タイミングコントローラから階調制御信号を入力し、前記ソースドライバ回路部に階調基準電圧を出力する階調電圧設定回路と、を備えた液晶表示装置において、
前記マトリクス基板は、行方向に配列された複数の前記画素電極が、任意の前記データ配線を挟んで行方向に隣接した第1の画素電極と第2の画素電極からなり、
前記複数の薄膜トランジスタは、任意の前記データ配線のうちの1本に共通に接続され、前記第1の画素電極を駆動する第1の薄膜トランジスタと、前記第2の画素電極を駆動する第2の薄膜トランジスタとからなり、
前記複数の走査配線は、前記第1の薄膜トランジスタを制御する第1の走査配線と、前記第2の薄膜トランジスタを制御する第2の走査配線とからなり、
前記第1の画素電極は前記第2の走査配線に接続された保持容量を有し、前記第2の画素電極は前記第1の走査配線に接続された保持容量を有しており、
前記ゲート選択信号は、前記第1の走査配線に供給される第1のゲート選択信号と、前記第2の走査配線に供給される第2のゲート選択信号とからなり、
前記第1のゲート選択信号は前記第2のゲート選択信号の活性化に先行して活性化され、
前記第1のゲート選択信号の活性化期間と、前記第2のゲート選択信号の活性化期間は、所定の期間同時に活性化される重複選択期間を有し、
前記第1のゲート選択信号は前記第2のゲート選択信号の非活性化に先行して非活性化され、
前記階調電圧設定回路は、2種類の前記階調基準電圧の設定を有し、前記重複選択期間に同期して前記設定を切り替えて、前記第2のゲート選択信号の前記非活性化に対応した前記第1の画素電極で保持される電位の変化を補償することを特徴とする液晶表示装置。
A plurality of pixel electrodes surrounded by a plurality of scan lines and a plurality of data lines are arranged in a matrix, and a plurality of thin film transistors connected to the pixel electrodes are conductively controlled by a gate selection signal supplied by the scan lines, A matrix substrate configured to supply a pixel writing voltage supplied by the data wiring to the pixel electrode through the thin film transistor;
A counter substrate disposed opposite to the matrix substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween ;
A gate driver circuit section for supplying the gate selection signal to the scanning wiring;
A source driver circuit section for supplying the pixel writing voltage to the data wiring;
A timing controller that outputs a display control data signal to the source driver circuit unit and outputs a horizontal scanning control signal to the gate driver circuit unit;
In a liquid crystal display device comprising: a gradation voltage setting circuit that inputs a gradation control signal from the timing controller and outputs a gradation reference voltage to the source driver circuit unit;
The matrix substrate is composed of a first pixel electrode and a second pixel electrode, in which a plurality of the pixel electrodes arranged in a row direction are adjacent to each other across the arbitrary data wiring in the row direction,
The plurality of thin film transistors are commonly connected to one of the arbitrary data lines, and a first thin film transistor that drives the first pixel electrode and a second thin film transistor that drives the second pixel electrode And consist of
The plurality of scanning wirings include a first scanning wiring for controlling the first thin film transistor and a second scanning wiring for controlling the second thin film transistor,
The first pixel electrode has a storage capacitor connected to the second scanning line, and the second pixel electrode has a storage capacitor connected to the first scanning line;
The gate selection signal includes a first gate selection signal supplied to the first scanning wiring and a second gate selection signal supplied to the second scanning wiring,
The first gate selection signal is activated prior to the activation of the second gate selection signal;
The activation period of the first gate selection signal and the activation period of the second gate selection signal have an overlapping selection period activated simultaneously for a predetermined period,
The first gate selection signal is deactivated prior to the deactivation of the second gate selection signal;
The gradation voltage setting circuit has two kinds of gradation reference voltage settings, and switches the setting in synchronization with the overlap selection period to cope with the deactivation of the second gate selection signal. A liquid crystal display device that compensates for a change in potential held by the first pixel electrode .
前記第1の走査配線は奇数走査配線であり、前記第2の走査配線は偶数走査配線であり、前記第1の走査配線は行列状に配置された画素電極の行方向に並ぶ画素列に対し上側に配置され、前記第2の走査配線は下側に配置されることを特徴とする特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 The first scanning wiring is an odd scanning wiring, the second scanning wiring is an even scanning wiring, and the first scanning wiring is for a pixel column arranged in a row direction of pixel electrodes arranged in a matrix. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is disposed on an upper side, and the second scanning wiring is disposed on a lower side. 前記階調基準電圧の設定は、前記タイミングコントローラから出力される前記階調制御信号によって切り替えられることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。 3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the setting of the gradation reference voltage is switched by the gradation control signal output from the timing controller. 前記第1のゲート選択信号の非活性化に対応した前記第2の画素電極で保持される電位の変化は補償しないことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の液晶表示装置。 4. The liquid crystal display according to claim 1 , wherein a change in the potential held in the second pixel electrode corresponding to the deactivation of the first gate selection signal is not compensated. 5. apparatus.
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