JP5415523B2 - パターン検査装置及びその検査方法 - Google Patents

パターン検査装置及びその検査方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5415523B2
JP5415523B2 JP2011504771A JP2011504771A JP5415523B2 JP 5415523 B2 JP5415523 B2 JP 5415523B2 JP 2011504771 A JP2011504771 A JP 2011504771A JP 2011504771 A JP2011504771 A JP 2011504771A JP 5415523 B2 JP5415523 B2 JP 5415523B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
detected
defect
model
generated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011504771A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2010106837A1 (ja
Inventor
高志 広井
健之 吉田
正明 野尻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2011504771A priority Critical patent/JP5415523B2/ja
Publication of JPWO2010106837A1 publication Critical patent/JPWO2010106837A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5415523B2 publication Critical patent/JP5415523B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • G06T7/001Industrial image inspection using an image reference approach
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10Image acquisition modality
    • G06T2207/10056Microscopic image
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

本発明は、半導体装置、液晶その他のパターン検査に適用して好適な技術に関する。例えば電子線式のパターン検査装置や光学式のパターン検査装置に適用して好適である。
電子線式のパターン検査装置は、検査対象であるウェーハに電子線を照射し、発生する二次電子を検出することを通じてウェーハの欠陥を検査する。例えば以下の手順により検査する。ステージ移動に同期して電子線をスキャンし、ウェーハ上の回路パターンの二次電子画像を得る。そして、得られた二次電子画像と当該画像と同一パターンであるはずの参照画像とを比較し、差が大きい場所を欠陥として判定する。検出された欠陥が、統計的に意味のある手法でウェーハ内をサンプリングした欠陥情報であれば、これら欠陥の分布又は欠陥の詳細解析により、ウェーハ製造時の問題点を分析する。
このように、半導体ウェーハの検査装置は、製造途中のウェーハのパターン欠陥を検出して欠陥発生箇所を詳細に解析する又は統計処理することにより、ウェーハを製造するプロセス装置又はそのプロセス条件の問題点を抽出するのに用いられる。
現在、判定方法の工夫又はサンプリング方法の工夫により、統計的に意味のある欠陥を高速に検出する手法が提案されている。前者は、非特許文献1に記載のように、S/Nと画像検出速度がトレードオフの関係にあることを利用し、欠陥判定方法の工夫により高速検査を実現するものである。後者は、非特許文献2に記載のように、ステージ移動座標をサンプリングすることにより、必要な情報を低いサンプリング率で得ようとするものである。
Takashi HIROI and Hirohito OKUDA, "Robust Defect Detection System Using Double Reference Image Averaging for High Throughput SEM Inspection Tool", 2006 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference, 1-4244-0255-07/06, pp.347-352 Masami IKOTA, Akihiro MIURA, Munenori FUKUNISHI and Aritoshi SUGIMOTO, "In-line e-beam inspection with optimized sampling and newly developed ADC", Process and Materials Characterization and Diagnostics in IC Manufacturing, Proceedings of SPIE Vol. 5041(2003), pp.50-60 George Wolberg, "Image morphing: a survey", The Visual Computer, 14:360-372, Springer-Verlag, 1998
しかし、これらの手法では、検出された欠陥に対する効率的な解析作業に対する注意が不十分である。
そこで、発明者らは、パターン検査の際に、被検査対象物について取得されるパターンの画像の検出画像と、予め生成された正常部又は欠陥部の部分画像とを照合して検出画像の欠陥を判定し、判定結果に基づいて検出画像の識別性を向上させたレビュー画像を生成してオペレータに提示する技術を提案する。このように、レビュー画像の視認性が向上されることにより、オペレータによる欠陥解析も効率化される。
なお、ここでのレビュー画像は、検出画像と当該検出画像に対応する正常部又は欠陥部の部分画像との画像合成により、又は検出画像と当該検出画像に対応する正常部又は欠陥部の部分画像にモーフィング手法を適用した画像変形により、又は予め取得した高画質部分画像との置換処理により生成されることが望ましい。
また、正常部又は欠陥部の部分画像は、検出画像から作成されることが望ましい。実際に取得された画像に基づいて生成すれば、実際の取得画像に対して自然なレビュー画像を生成することができる。
また、発明者らは、パターン検査の際に、被検査対象物について取得されるパターンの画像の検出画像と予め取得した参照画像とを比較して検出画像の欠陥を判定し、判定結果に基づいて検出画像の識別性を向上させたレビュー画像を生成してオペレータに提示する技術を提案する。なお、ここでのレビュー画像は、欠陥画像と参照画像を画像合成することにより、又は欠陥画像と参照画像にモーフィング手法を適用して画像変形することにより、又は検出画像の周波数成分を最適化することにより、又は検出画像からシェーディングを除去する画像処理を実行することにより生成されることが望ましい。この場合にも、レビュー画像の視認性が向上され、オペレータによる欠陥解析も効率化される。
また、発明者らは、パターン検査の際に、被検査対象物について取得されるパターンの画像の検出画像と予め取得した参照画像とを比較して検出画像の欠陥を判定し、判定結果に基づいて検出画像の識別性を向上させたレビュー画像を生成すると共に、被検査対象物から検出された欠陥の画像と同じ画面上にレビュー画像、検出画像及び参照画像の全部又は一部を選択的に表示するための切り替えボタンを有するレビュー画面をオペレータに提示する技術を提案する。このようにレビュー画面の表示を選択的に切り替えることができることにより、オペレータによる欠陥解析も効率化できる。
発明者らの提案する技術の採用により、オペレータは、パターン検査装置において検出された欠陥を効率的に解析することができる。
図1は、半導体ウェーハ検査装置の全体構成例を示す図である。 図2は、検査対象である半導体ウェーハの平面構造例を説明する図である。 図3Aは、レシピ作成手順例を示す図である。 図3Bは、検査手順例を示す図である。 図4は、試し検査の設定画面例を示す図である。 図5A、図5B、図5C及び図5Dは、欠陥確認動作で使用する画像例と処理動作の概要を説明する図である。 図6は、部分画像の抽出によるモデルの生成動作例を説明する図である。 図7は、N次元空間上における正常部ベクトルと欠陥部ベクトルの分布例を示す図である。 図8は、モデル照合動作の形態例を説明する図である(形態例1)。 図9は、モデル照合動作の他の形態例を説明する図である(形態例2)。 図10A及び図10Bは、モデル照合動作の他の形態例を説明する図である(形態例4)。 図11は、モデル照合動作の他の形態例を説明する図である(形態例5) 図12は、モデル照合動作の他の形態例を説明する図である(形態例6)。 図13は、試し検査で使用する他の設定画面例を示す図である(形態例7)。
以下、パターン検査装置及び検査方法の形態例を、図面に基づいて詳細を説明する。
(1)形態例1
(1−1)全体構成
図1に、形態例に係る回路パターン検査装置の全体構成例を示す。回路パターン検査装置は、電子源1、偏向器3、対物レンズ4、帯電制御電極5、XYステージ7、Zセンサ8、試料台9、反射板11、収束光学系12、センサ13、A/D(Analog to Digital )変換器15、欠陥判定部17、モデルDB(Data Base)部18、全体制御部20、コンソール21、光学顕微鏡22、標準試料片23で構成されている。
偏向器3は電子源1から出力された電子2を偏向するデバイスである。対物レンズ4は電子2を絞るデバイスである。帯電制御電極5は電界強度を制御するデバイスである。XYステージ7は回路パターンを有する半導体ウェーハ6をXY方向に移動させるデバイスである。Zセンサ8は半導体ウェーハ6の高さを計測するデバイスである。試料台9は半導体ウェーハ6を保持するデバイスである。反射板11は二次電子や反射電子10を受けて二次電子を再度発生させるデバイスである。収束光学系12は電子2の照射により発生した二次電子や反射電子10を収束させて反射板11上で収束させるデバイスである。センサ13は反射板より二次電子を検出するデバイスである。A/D(Analog to Digital )変換器15はセンサ13で検出した信号をデジタル信号14に変換するデバイスである。欠陥判定部17はデジタル信号14を画像処理して欠陥情報16を抽出するデバイスである。モデルDB(Data Base)部18は欠陥判定部17より得られる欠陥情報16をモデル情報19として登録する装置である。全体制御部20は欠陥判定部17より得られる欠陥情報16を受け取る機能と全体を制御する機能とを有するデバイスである。コンソール21はオペレータの指示を全体制御部20に伝えると共に欠陥やモデルの情報を表示するデバイスである。光学顕微鏡22は半導体ウェーハ6の光学像を撮像するデバイスである。標準試料片23は検査対象ウェーハ6と同一の高さに設定した電子光学条件の詳細調整をするデバイスである。
なお、図1では、全体制御部20から出力される制御信号線の一部のみを記載し、その他の制御信号線は省略している。これは、図が煩雑になるのを避けるためである。勿論、全体制御部20は、図示されていない制御信号線を通じ、検査装置の全ての部分を制御することができる。また、図1では、電子源1で発生した電子2、対象物ウェーハ6で発生した二次電子又は反射電子10の軌道を変えて二次電子又は反射電子10を曲げるためのExBと、半導体ウェーハ6を保管するウェーハカセットと、カセットのウェーハをロード・アンロードするローダについては、図の煩雑を避けるために記入や説明を省略している。
図2に、この形態例の検査対象である半導体ウェーハ6の平面図を示す。半導体ウェーハ6は直径200〜300mm、厚さ1mm程度の円盤形状で、表面に同時に数百〜数千個の製品分の回路パターンを形成する。回路パターンは、ダイ30と呼ばれる1個の製品分に相当する長方形状の回路パターンで構成されている。一般的なメモリデバイスのダイ30のパターンレイアウトはメモリマット群31が4個で構成され、メモリマット群31は100×100個程度のメモリマット32で構成され、メモリマット32は二次元に繰り返し性を持った数100万個のメモリセル33で構成される。
(1−2)検査動作
検査に先立って検査手順と検査方法を決めるレシピ作成を行い、作成したレシピに従って検査を行う。ここでは、図3Aを用い、レシピの作成手順を説明する。オペレータは、コンソール21を通じて指令を出すと、全体制御部20に標準レシピを読み込み、半導体ウェーハ6をカセット(非表示)からローダ(非表示)でロードし、試料台9に搭載する(ステップ301)。
次に、電子源1と、偏向器3と、対物レンズ4と、帯電制御電極5と、反射板11と、収束光学系12と、センサ13と、AD変換器15の各種条件を設定する(ステップ302)。この後、標準試料片23の画像を検出し、各部分に設定した設定値に補正を加えて適正値にする。次に、半導体ウェーハ6のパターンレイアウトをメモリセル33の繰り返しがある領域としてメモリマット32のレイアウトを長方形で指定し、メモリマット32の長方形の繰り返しとしてメモリマット群31を設定する。
次に、アライメント用のパターンとその座標を登録し、アライメント条件を設定する。次に、検査対象とする検査領域情報を登録する。ウェーハ単位に検出光量がばらつく、一定の条件で検査するために光量のキャリブレーションに適切な画像を取得する座標点を選択し、初期ゲインとキャリブレーション座標点を設定する。次に、オペレータがコンソール21で検査領域及び画素寸法、及び加算回数を選択し、条件を全体制御部20に設定する。
これら一般的な検査条件の設定を完了した後、全体制御部20は、検出した画像を欠陥判定部17内のメモリに記憶させる(ステップ303)。
次に、コンソール21に表示される作業画面(GUI)例を図4に示す。図4に示すGUIを用い、オペレータは、記憶画像についてのモデル照合を実行するための条件を設定する。図4に示すGUIは、マップ表示部41と、画像表示部42と、欠陥情報表示部43と、実比較開始ボタン44と、照合開始ボタン45と、モデル生成ボタン46と、欠陥表示しきい値調整ツールバー47とで構成される。なお、マップ表示部41は、記憶画像を表示する領域である。画像表示部42は、マップ表示部41上でクリックした場合の検出画像、又はマップ表示部41上に表示されている欠陥をクリックした場合の欠陥画像を表示する領域である。欠陥情報表示部43は、画像表示部42に表示されている欠陥の欠陥情報を表示する領域である。
オペレータが欠陥表示しきい値調整ツールバー47で適切なしきい値を設定し、実比較開始ボタン44をクリックすると、全体制御部20は、予め記憶した画像に基づく実パターン同士の比較を実行する。すなわち、欠陥判定を行う仮検査が実行される。コンソール21は、しきい値以上の差分を持った欠陥48をマップ表示部41に表示する。オペレータは、マップ表示部41に表示された欠陥48をクリックし、欠陥の画像と情報のそれぞれを画像表示部42と欠陥情報表示部43に表示する。
この後、オペレータは、表示情報に基づいて保存画像を正常部又は欠陥に分類し、欠陥情報表示部43の分類を修正する(ステップ304)。なお、分類の表示欄は、図4では太線で囲んで示されている。図4の場合、分類記号“08”が入力されている。代表的な欠陥の分類が終了すると、オペレータは欠陥情報表示部43でモデルの生成に関して興味のあるDOI(Defect of Interest)の分類番号を指定し、モデル生成ボタン46をクリックする。すると、全体制御部20は、指定された分類番号についてモデルDB部18にモデルの生成を指示する。モデルDB部18では正常部とDOIの画像を統計処理してモデル情報19を生成し、モデルDB部18の内部に保存する(ステップ305)。
次に、オペレータが照合開始ボタン45をクリックすると、モデル照合試し検査が実行される(ステップ306)。モデル照合試し検査では、検査に先立ってモデルDB部18より欠陥判定部17にモデル情報19が転送される。欠陥判定部17では入力画像とモデル情報19とを照合し、最も近い、又は全くどれとも一致しないという情報を分類結果として付加した欠陥情報16を演算する。演算結果は、全体制御部20に出力される。これにより、正常部と設定した欠陥についてはモデルと一致するものとして判定でき、その他の欠陥はモデルと一致しないものとして判定できる。
次に、欠陥確認画像の設定動作(ステップ307)を、図5A〜図5Dを用いて説明する。図5A〜図5Dは、図4に示す作業画面(GUI)に表示される画像の一例である。図5Aに、典型的な検出画像の例を示す。典型的な正常部の検出画像50A、50Bには背景パターン51上に黒穴パターン52があり、同時にノイズ53がある。一方、欠陥部の検出画像50C、50Dには、正常部の検出画像50A、50Bに加えて正常部とは光量の異なる灰色穴パターン54、白穴パターン55がある。
欠陥確認画面の設定では、これらの検出画像50A〜50Dに基づいて、正常部とDOI欠陥のモデル画像56を生成する。図5Bに、モデル画像56を4つ生成する場合の例を示す。図5Cは、検出画像50A〜50Dにモデル画像56を合成することにより生成される合成モデル画像57A〜57Dである。このように、合成モデル画像57A〜57Dの全ての画像は、典型的なモデル画像56の組み合わせで与えられる。ただし、合成モデル画像57A〜57Dには、合成前の検出画像50A〜50Dの一部の情報しか含まれていない。
そこで、欠陥確認画面の設定では、検出画像50A〜50Dと合成モデル画像57A〜57Dとをオペレータによって分類種毎に設定されたブレンド割合αに基づいて合成し、欠陥確認画像58Aを生成する。図5Dに、この処理イメージを示す。
この後、オペレータは、分類情報を含めた検査条件を確認する(ステップ308)。この確認に問題なければ(ステップ309でOKの場合)、オペレータはレシピ作成の終了を指示する。一方、問題があれば(ステップ309でNGの場合)、前述したステップ302からステップ308の処理が繰り返し実行される。なお、レシピ作成の終了が指示された場合、ウェーハがアンロードされると共に、モデルDB部18内のモデル情報19を含んだレシピ情報が保存される(ステップ310)。
続いて、実際の検査時に実行される処理の内容を、図3Bを用いて説明する。実際の検査動作は、検査対象としてのウェーハとレシピ情報の指定により開始される(ステップ311)。この指定により、ウェーハが検査領域にロードされる(ステップ312)。また、電子光学系などの各部に対する光学条件が設定される(ステップ313)。この後、アライメント、キャリブレーションで準備作業が実行される(ステップ314、315)。
かかる後、設定領域の画像が取得され、モデル情報と照合される(ステップ316)。この照合処理は全体制御部20により実行される。なお、照合処理において、欠陥モデルの情報と一致すると判定された領域、又はどのモデルとも一致しないと判定された画像は、欠陥として判定される。
欠陥判定が終了すると、欠陥のレビューが実行される(ステップ317)。このレビューは、コンソール21に対するレビュー画面の表示を通じて実行される。レビュー画面には、検査時に取得された検出画像50、又は欠陥座標にステージを再度移動することにより取得される再取得画像、又は合成モデル画像57、又は欠陥確認画像58が表示され、表示画像に基づいてオペレータによる欠陥種別の確認作業が実行される。レビューが完了すると、欠陥種別毎の欠陥分布に基づいてウェーハの品質判定、又は追加解析の必要性が判断される。この後、結果の格納と、ウェーハのアンロードとが実行され、当該ウェーハに対する検査処理が終了する(ステップ318、319)。
(1−3)モデル登録動作及び照合動作の詳細
最後に、欠陥判定部17とモデルDB部20で実行される詳細動作を、図6と図7を用いて説明する。まず、モデルの生成処理を、図6を用いて説明する。モデルの生成処理は、ステップ305において実行される。
まず、図6に示すように、正常部の画像61A、61Bから7×7画素角の部分画像62A、62B、62Cが抽出される。また、1種の欠陥(DOI)の画像63から部分画像64Dが抽出される。7×7画素の画像を49要素のベクトルとみなし、正常部と1種のDOI欠陥種を正準分析する。すると、図7に示すように、あるN次元空間65上において正常部ベクトル66と欠陥部ベクトル67との弁別が可能となる。モデルDB部20では、この弁別結果に基づいて、正常部における複数個の典型画像と欠陥についての複数個の典型画像をモデル画像として登録する。ここでの典型画像は、メモリマット33内の位置情報(エッジ部分か中央部分かなど)も考慮して設定される。
次に、モデル画像と検出画像の照合処理を、図7を用いて説明する。この照合処理は、ステップ306やステップ316でも実行される。この照合処理では、検出画像のベクトル68A、68B、68Cが、正常部ベクトル66又は欠陥部ベクトル67と近いか否かが判定される。図7の場合、ベクトル68Aは、正常部ベクトル66と近いと判定される。従って、ベクトル68Aに対応する検出画像は正常部に分類される。同様に、図7の場合、ベクトル68Bは、欠陥部ベクトル67と近いと判定される。従って、ベクトル68Bに対応する検出画像は欠陥に分類される。また、ベクトル68Cのように、正常部ベクトル66にも欠陥部ベクトル67にも属さないと判定された場合には、当該ベクトル68Bに対応する検出画像は、モデルと一致しないと判定される。
図8に、ステップ306で実行されるモデル照合動作のイメージを示す。この場合、検出画像71の切出し画像72と複数の部分画像62A、62B、62C、64とが照合部73で照合され、照合結果画像74を演算する。なお、部分画像62A、62B、62C、64は、合成モデル画像57A〜57Dに対応する。また、照合部73の処理動作は、欠陥判定部17において実行される。
照合結果画像74は、切出し画像72と一定のしきい値以上で照合した部分画像62A、62B、62C、64Dを、分別種毎に設定されたブレンド割合αで合成した合成部分画像75A〜75Dを更に重ね合わせることにより構成される。この照合結果画像74は、検出画像71のうち正常部と判定される画像部分は典型的な正常部の画像の特徴が強調され、欠陥と判定された画像は典型的な欠陥の画像の特徴が強調されている。従って、オペレータは、照合結果画像74について正常部と欠陥とを判定を容易に行うことができる。具体的には、オペレータは、照合結果画像74のうち部分画像64Dで合成された部分を容易に欠陥と判定することができる。また、照合結果画像74は、各画素の属性情報として、照合した部分画像のIDと一致度とを有している。
なお、この動作に基づく照合動作は、ステップ317の欠陥レビュー動作でも同様に実行される。
(1−4)まとめ
以上説明したように、この形態例に係る処理技術を用いれば、欠陥種毎に欠陥と正常部とを判定することができる。同時に、何れとも異なる欠陥を判定することもできる。また、検出画像のレビュー作業は、モデル画像を用いて検出画像が有する各特徴を強調的に修正した照合結果画像74に対して実行できる。このため、オペレータは、効率良くレビュー作業を進めることができる。
(2)形態例2
図9を用い、形態例1の変形例を説明する。図9は、レビュー時にコンソール21に表示される照合結果画像の生成方法について記載したものである。この形態例では、照合結果画像74と検出画像71とを更にブレンドする方法を提案する。このブレンドには、変換テーブル81を使用する。変換テーブル81には、各画素に対応する一致度属性と対応するブレンド割合α(p)(ただし、0≦α(p)≦1)とが対応付けられた状態で保存されている。なお、ブレンド割合α(p)のpは画素を表している。
従って、図9に示す形態例2の場合には、照合結果画像74の各画素pが保持する属性の一致度に対応するブレンド割合α(p)が変換テーブル81から読み出され、読み出されたブレンド割合α(p)にて画素毎に照合結果画像74と検出画像71とがブレンドされる。ブレンド結果は、レビュー画像82として出力される。なお、ブレンド割合α(p)は、一致度が高いほど値が高くなるように設定されている。
この形態例の場合、画素毎にブレンド割合α(p)を自動で設定することができる。従って、既知の欠陥モードと正常部については照合結果画像74の比重を高く、そうでない場合には検出画像71の比重を高くでき、より自然なレビュー画像82を生成することができる。
(3)形態例3
ここでは、形態例1の更なる変形例を説明する。形態例1の場合には、検出画像71と部分画像(モデル画像)とを単純に画像合成する場合について説明した。しかし、非特許文献3に記載のメッシュワーピング手法(いわゆるモーフィング手法)を用いて画像合成を行えば、より検出画像71の情報を反映した合成画像を実現することができる。なお、ここで適用するメッシュワーピング技術(いわゆるモーフィング手法)とは、合成対象とする画像の特徴点同士の対応関係を維持するように合成する技術を言う。例えば部分画像(モデル画像)と検出画像71のパターン間にサイズや形状の違いが存在する場合に、2つの画像の特徴点同士の対応関係が維持されるように画像合成することにより、より正確で自然なレビュー画像を生成することができる。
(4)形態例4
続いて、形態例1の更なる変形例を説明する。この形態例の場合には、レビュー画像の生成モードとして2つのモードを用意する。すなわち、通常モードとDB(Data Base)モードを用意する。なお、通常モードとは、形態例1で説明した方法をいうものとする。以下では、通常モードの動作を図10Aに、DBモードの動作を図10Bに示す。
なお、この形態例の場合には、モデル画像となる部分画像62A、62B、62C、64Dの生成時に、より欠陥を正確に判断できる検出モードでレビューDB画像91A〜Dが取得されているものとする。なお、より欠陥を正確に判断できる検出モードとは、例えば画素寸法を小さくする、又は照射する電子2の電流量を下げて解像度を上げて加算回数を増やすモードをいうものとする。
通常モードでは、図8に対応する図10Aに示す手法にて、レビュー画像としての照合結果画像74が生成される。すなわち、照合結果画像74は、切出し画像72と一定のしきい値以上で照合した部分画像62A、62B、62C、64Dを、分別種毎に設定されたブレンド割合αで合成した合成部分画像75A〜75Dを更に重ね合わせることにより構成される。
一方、DBモードでは、図10Bに示すように、照合結果画像74が属性情報として有する部分画像IDに基づいて対応するレビューDB画像91A〜91Dを取り出し、対応部分に張り合わせることによりレビュー画像82を生成する。ここで、変換テーブル92は、張り合わせ位置と部分画像IDとの関係を保存している。従って、変換テーブル92から画像構成部93に対しては、照合結果画像74の属性情報から取り出された部分画像IDとこれに対応する張り合わせ位置とが与えられる。また、画像構成部93は、与えられた部分画像IDに対応したレビューDB画像91A〜91Dを選択して該当位置に張り合わせることによりレビュー画像82を合成する。
このDBモードを採用すると、モデル画像に対応する詳細画像に基づいて置換されたレビュー画像を用いることができる。この結果、オペレータは、実際のパターン状態を高精細かつ高S/Nで反映したレビュー画像に基づいてレビュー作業を行うことができる。このように高精細画像を用いてレビュー作業を行えることで、極めて高いレビュー効率を達成することができる。なお、高精細画像の取得は、モデル画像として登録されたパターン領域についてのみ実行される。従って、取得に要する作業時間も最小限にとどめることができる。
(5)形態例5
続いて、形態例1の更なる変形例を説明する。図11に、この形態例に係るレビュー画像82の生成イメージを示す。この形態例の場合、検出画像71を画像処理部101に入力し、その画像処理機能に基づいてレビュー画像82を作成する手法を提案する。
例えば画像処理部101には、例えば周波数成分をFFT(Fast Fourier Transform)で取り出す処理と、高周波成分をカットする処理と、処理結果を逆変換する処理とで構成される画像処理機能を搭載する。この画像処理機能は、検出画像71からノイズ成分のみと考えられる高周波成分を削除することができる。また例えば、画像処理部101には、ディジタルフィルタリング技術を用いて特定周波数成分を除去する画像処理機能を搭載することもできる。この画像処理機能は、検出画像71の周波数特性を改善することができる。
以上のように、この形態例の場合には、非常に単純な処理内容によってレビュー画像を生成することができる。しかも、オペレータは、ノイズの無い又はノイズの少ない画像に基づいてレビュー作業を行うことができるので、レビュー効率を改善することができる。
(6)形態例6
続いて、形態例1の更なる変形例を説明する。図12に、この形態例に係るレビュー画像82の生成イメージを示す。この形態例の場合、検出画像71と照合結果画像74を画像処理部111に入力し、その画像処理機能に基づいてレビュー画像82を生成する手法を提案する。
例えば画像処理部111には、照合結果画像74の低周波成分に検出画像71の低周波成分を置換する処理を、FFTを用いた周波数空間上で行なう画像処理機能を搭載する。また例えば画像処理部111には、照合結果画像74と検出画像71の二次元移動平均の差分を検出画像71に重畳させる画像処理機能を搭載する。これらの画像処理機能を搭載することにより、シェーディング等の低周波成分を改善することができる。
以上のように、この形態例の場合、単純な画像処理機能によりレビュー画像を生成することができる。しかも、シェーディングの無い画像でレビューできるのでレビュー効率を改善することができる。
(7)形態例7
続いて、形態例1の更なる変形例を説明する。図13に、この形態例に係る試し検査の設定画面の構成例を示す。なお、図13には、図4との対応部分に同一符号を付して示している。図13に示すGUIは、マップ表示部41と、画像表示部42と、欠陥情報表示部43と、実比較開始ボタン44と、照合開始ボタン45と、モデル生成ボタン46と、欠陥表示しきい値調整ツールバー47と、レビュー画像切替ボタン121とで構成される。すなわち、レビュー画像切替ボタン121の有無が図4と図13との違いである。
このレビュー画像切替ボタン121は、画像表示部42の表示態様を切り替える機能を提供する。具体的には、検出画像71とレビュー画像82の2枚を並べて表示する画面、検出画像71とレビュー画像82と照合結果画像74の3枚を並べて表示する画面、これら3枚の画像のうちの1枚のみを表示する画面、これら3枚の画像のうちの2枚のみを表示する画面による表示の切り替えを指示するのに用いられる。
このレビュー画像切替ボタン121を用意することにより、オペレータは、同じパターン領域に対して複数種類の画像を選択的に切り替えながらレビュー作業を行うことができる。これにより、オペレータにとってもっとも判断の容易な画面を用いてレビュー作業を行うことができ、又は画像の比較を通じてレビュー作業を行うことができる。
(8)他の形態例
前述した形態例に係るレビュー技術では、専ら照合結果画像74を対象とする場合について説明した。しかし、前述したレビュー技術は、照合結果画像74に対する記述部分を、通常の実パターンの比較処理のように、予め取得した参照画像に置き換えて適用することもできる。同様に、前述したレビュー技術は、照合結果画像74に対する記述部分を、非特許文献1に記載の参照画像に置き換えて適用することもできる。同様に、前述したレビュー技術は、照合結果画像74に対する記述部分を、設計パターンとの比較時に使用する設計パターンに置き換えて適用することもできる。
前述した形態例の場合には、全ての機能が電子線式のパターン検査装置内に実装されている場合について説明した。しかし、レビュー画像の生成機能やレビュー画像の表示部分をパターン検査装置とは他の装置に搭載することもできる。
前述した形態例の場合には、専ら電子線式のパターン検査装置について説明した。しかしながら、光学式のパターン検査装置にも適用することができる。
1…電子源、2…電子、3…偏向器、4…対物レンズ、5…帯電制御電極、6…半導体ウェーハ、7…XYステージ、8…Zセンサ、9…試料台、10…二次電子又は反射電子、11…反射板、12…収束光学系、13…センサ、14…デジタル信号、15…A/D変換器、16…欠陥情報、17…欠陥判定部、18…モデルDB部、20…全体制御部、21…コンソール、22…光学顕微鏡、23…標準試料片、30…ダイ、31…メモリマット群、32…メモリマット、33…メモリセル、41…マップ表示部、42…画像表示部、43…欠陥情報表示部、44…実比較開始ボタン、45…照合開始ボタン、46…モデル生成ボタン、47…欠陥表示しきい値調整ツールバー、48…欠陥、50A,50B…正常部の検出画像、50C、50D…欠陥部の検出画像、51…背景パターン、52…黒穴パターン、53…ノイズ、54…灰色穴パターン、55…白穴パターン、56…モデル画像、57…合成モデル画像、58…欠陥確認画像、61…正常部の画像、62…正常部の部分画像、63…DOIの画像、64…DOI画像の部分画像、65…N次元空間、66…正常部ベクトル、67…欠陥部ベクトル、68…検出画像のベクトル、71…検出画像、72…切出し画像、73…照合部、74…照合結果画像、75…合成部分画像、81…変換テーブル、82…レビュー画像、91…レビューDB画像、101…画像処理部、111…画像処理部、121…レビュー画像切替ボタン

Claims (11)

  1. 被検査対象物が有するパターンの画像を取得する画像検出部と、
    予め生成された正常部又は欠陥部のモデル画像を記憶するモデルデータベース部と、
    前記モデル画像と前記画像検出部で取得された検出画像とを照合し、照合結果に基づいて前記検出画像の欠陥を判定する欠陥判定部と、
    前記欠陥判定部の判定結果に基づいて、前記モデル画像と前記検出画像とを合成することで、又は前記検出画像の一部を前記モデル画像により置換することで、画像を生成する画像生成部と、
    前記合成又は置換によって生成された画像を表示する表示部と
    を有するパターン検査装置。
  2. 請求項1に記載のパターン検査装置において、
    前記画像生成部は、前記検出画像と当該検出画像に対応する正常部又は欠陥部のモデル画像との画像合成により、又は前記検出画像と当該検出画像に対応する正常部又は欠陥部のモデル画像にモーフィング手法を適用した画像変形により、又は予め取得した高画質モデル画像との置換処理により、前記表示部において表示する画像を生成することを特徴とするパターン検査装置。
  3. 請求項1に記載のパターン検査装置において、
    前記正常部又は欠陥部のモデル画像は、前記画像検出部において取得された検出画像から作成されることを特徴とするパターン検査装置。
  4. 請求項1に記載のパターン検査装置において、
    前記モデル画像は、前記被検査対象物の前記検出画像に対応する部分を撮像することで得られた参照画像であることを特徴とするパターン検査装置。
  5. 請求項1に記載のパターン検査装置において、
    前記合成又は置換によって生成された画像は欠陥画像として前記表示部に表示されることを特徴とするパターン検査装置。
  6. 被検査対象物が有するパターンの検出画像を取得し、
    前記検出画像から生成された画像と前記検出画像とを照合し、照合結果に基づいて前記検出画像の欠陥を判定し、
    判定結果に基づいて、前記検出画像から生成された画像と前記検出画像とを合成することで、又は前記検出画像の一部を前記検出画像から生成された画像により置換することで、画像を生成し、
    前記合成又は置換によって生成された画像を表示することを特徴とするパターン検査方法。
  7. 被検査対象物が有するパターンの画像を取得する画像検出部と、
    前記画像検出部で取得された検出画像から生成された画像と前記検出画像とを照合し、照合結果に基づいて前記検出画像の欠陥を判定する欠陥判定部と、
    前記欠陥判定部の判定結果に基づいて、前記検出画像から生成された画像と前記検出画像とを合成することで、又は前記検出画像の一部を前記検出画像から生成された画像により置換することで、画像を生成する画像生成部と、
    前記合成又は置換によって生成された画像を表示する表示部と
    を有するパターン検査装置。
  8. 請求項1又は7に記載のパターン検査装置において、
    前記表示部の表示態様の切り替えを操作する操作部を有し、
    前記表示部は前記生成された画像、又は前記検出画像、又は前記参照画像の全部又は一部を選択的に表示できることを特徴とするパターン検査装置。
  9. 被検査対象物が有するパターンの検査画像を取得し、
    予め登録された正常部と欠陥部に対応するモデル画像と前記取得された検出画像とを照合し、照合結果に基づいて前記取得された検出画像の欠陥を判定し、
    判定結果に基づいて、前記モデル画像と前記検出画像とを合成することで、又は前記検出画像の一部を前記モデル画像により置換することで、画像を生成し、
    前記合成又は置換によって生成された画像を表示画像上に表示することを特徴とするパターン検査方法。
  10. 請求項9に記載のパターン検査方法において、
    前記表示画面上に表示される画像は、前記検出画像と当該検出画像に対応する正常部又は欠陥部のモデル画像との画像合成により、又は前記検出画像と当該検出画像に対応する正常部又は欠陥部のモデル画像にモーフィング手法を適用した画像変形により、又は予め取得した高画質モデル画像との置換処理により生成されることを特徴とするパターン検査方法。
  11. 請求項9に記載のパターン検査方法において、
    前記モデル画像は、前記被検査対象物の前記検出画像に対応する部分を撮像することで得られた参照画像であることを特徴とするパターン検査方法。
JP2011504771A 2009-03-19 2010-02-01 パターン検査装置及びその検査方法 Expired - Fee Related JP5415523B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011504771A JP5415523B2 (ja) 2009-03-19 2010-02-01 パターン検査装置及びその検査方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009069035 2009-03-19
JP2009069035 2009-03-19
JP2011504771A JP5415523B2 (ja) 2009-03-19 2010-02-01 パターン検査装置及びその検査方法
PCT/JP2010/051321 WO2010106837A1 (ja) 2009-03-19 2010-02-01 パターン検査装置及びその検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2010106837A1 JPWO2010106837A1 (ja) 2012-09-20
JP5415523B2 true JP5415523B2 (ja) 2014-02-12

Family

ID=42739503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011504771A Expired - Fee Related JP5415523B2 (ja) 2009-03-19 2010-02-01 パターン検査装置及びその検査方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20110298915A1 (ja)
JP (1) JP5415523B2 (ja)
WO (1) WO2010106837A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5542478B2 (ja) * 2010-03-02 2014-07-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線顕微鏡
JP2013201294A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Mitsubishi Electric Corp キャッピング装置
JP2014207110A (ja) 2013-04-12 2014-10-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 観察装置および観察方法
JP6310864B2 (ja) * 2015-01-13 2018-04-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
US10755405B2 (en) * 2017-11-24 2020-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for diagnosing a semiconductor wafer
EP3594750A1 (en) * 2018-07-10 2020-01-15 ASML Netherlands B.V. Hidden defect detection and epe estimation based on the extracted 3d information from e-beam images
US11935244B2 (en) * 2020-10-29 2024-03-19 Changxin Memory Technologies, Inc. Method and apparatus for improving sensitivity of wafer detection, and storage medium
CN113538431B (zh) * 2021-09-16 2022-01-04 深圳市鑫信腾科技股份有限公司 显示屏瑕疵定位方法、装置、终端设备及系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03218447A (ja) * 1990-01-23 1991-09-26 Toyota Motor Corp 画像データ変換方法
WO2001041068A1 (fr) * 1999-11-29 2001-06-07 Olympus Optical Co., Ltd. Systeme de detection de defaut
JP2003229462A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Hitachi High-Technologies Corp 回路パターンの検査装置
JP2004271270A (ja) * 2003-03-06 2004-09-30 Topcon Corp パターン検査方法及びパターン検査装置
JP2004301574A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Saki Corp:Kk 外観検査装置および外観検査方法
JP2006269489A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥観察装置及び欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法
JP2007013480A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Fujifilm Holdings Corp 監視システム、監視方法、及び監視プログラム

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005317818A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン検査装置およびパターン検査方法
JP4928862B2 (ja) * 2006-08-04 2012-05-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
JP2008046012A (ja) * 2006-08-17 2008-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 欠陥検出装置および欠陥検出方法
JP4597155B2 (ja) * 2007-03-12 2010-12-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ データ処理装置、およびデータ処理方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03218447A (ja) * 1990-01-23 1991-09-26 Toyota Motor Corp 画像データ変換方法
WO2001041068A1 (fr) * 1999-11-29 2001-06-07 Olympus Optical Co., Ltd. Systeme de detection de defaut
JP2003229462A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Hitachi High-Technologies Corp 回路パターンの検査装置
JP2004271270A (ja) * 2003-03-06 2004-09-30 Topcon Corp パターン検査方法及びパターン検査装置
JP2004301574A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Saki Corp:Kk 外観検査装置および外観検査方法
JP2006269489A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥観察装置及び欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法
JP2007013480A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Fujifilm Holdings Corp 監視システム、監視方法、及び監視プログラム

Also Published As

Publication number Publication date
US20110298915A1 (en) 2011-12-08
WO2010106837A1 (ja) 2010-09-23
JPWO2010106837A1 (ja) 2012-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5415523B2 (ja) パターン検査装置及びその検査方法
US7598490B2 (en) SEM-type reviewing apparatus and a method for reviewing defects using the same
US7873202B2 (en) Method and apparatus for reviewing defects of semiconductor device
US9390490B2 (en) Method and device for testing defect using SEM
US8111902B2 (en) Method and apparatus for inspecting defects of circuit patterns
JP5325580B2 (ja) Semを用いた欠陥観察方法及びその装置
US9342878B2 (en) Charged particle beam apparatus
US8421010B2 (en) Charged particle beam device for scanning a sample using a charged particle beam to inspect the sample
US6756589B1 (en) Method for observing specimen and device therefor
US8090186B2 (en) Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and manufacturing method of semiconductor device
JP5543872B2 (ja) パターン検査方法およびパターン検査装置
JP7232911B2 (ja) 電子ビーム画像向上のための完全自動semサンプリングシステム
JP5320329B2 (ja) Sem式欠陥観察装置および欠陥画像取得方法
JP5390215B2 (ja) 欠陥観察方法および欠陥観察装置
US20150012243A1 (en) Semiconductor Evaluation Device and Computer Program
WO2021075170A1 (ja) 検査システム、及び非一時的コンピュータ可読媒体
JP4262288B2 (ja) パターンマッチング方法及び装置
JP2016111166A (ja) 欠陥観察装置および欠陥観察方法
TWI854142B (zh) 電子束檢測設備及相關非暫時性電腦可讀媒體
US20230139085A1 (en) Processing reference data for wafer inspection
WO2021176841A1 (ja) 試料観察システム及び画像処理方法
WO2023156125A1 (en) Systems and methods for defect location binning in charged-particle systems

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131022

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131113

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees